JP2000058686A - Semiconductor device and carrier for semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及び半導
体装置用キャリアに係り、特に基板上に配設された半導
体素子を封止するキャップを有する半導体装置及び半導
体装置用キャリアに関する。周知のように、半導体装置
のパッケージ構造は、内設される半導体素子の特性及び
実装される電子機器の要望に対応して種々のものが提案
されている。The present invention relates to a semiconductor device and a carrier for a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device having a cap for sealing a semiconductor element provided on a substrate and a carrier for the semiconductor device. As is well known, various package structures for semiconductor devices have been proposed in response to the characteristics of semiconductor elements provided therein and the demands of electronic devices to be mounted.
【０００２】また、近年では半導体装置に対し、機械的
強度を含め高い信頼性が求められており、またこれと共
にコスト低減の要求も強くなってきている。よって、安
価でかつ高い信頼性を実現することができる半導体装置
が望まれている。In recent years, semiconductor devices have been required to have high reliability including mechanical strength, and with this, there has been a strong demand for cost reduction. Therefore, a semiconductor device which is inexpensive and can realize high reliability is desired.
【０００３】[0003]
【従来の技術】図１（A)、（B)は、従来技術における半
導体装置の断面図である。図１（A)に示す従来の半導体
素子は、セラミック基板等の多層基板１０上に半導体素
子１２をフェースダウンで接合し、その周囲にスティフ
ナーと呼ばれる金属などの枠１４を半導体素子１２と同
程度の高さに設けた構成とされている。また、この多層
基板１０の上部には、キャップとなる金属等の板部１６
が接着材１８により固定された構成とされていた。2. Description of the Related Art FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views of a conventional semiconductor device. In the conventional semiconductor device shown in FIG. 1A, a semiconductor device 12 is bonded face down on a multilayer substrate 10 such as a ceramic substrate, and a frame 14 such as a metal called a stiffener is formed around the semiconductor device 12 to the same extent as the semiconductor device 12. Is provided at the height. Further, a plate 16 made of metal or the like serving as a cap is
Are fixed by the adhesive 18.
【０００４】また、近年の半導体装置の作動周波数の高
速化により、半導体素子１２の周囲にコンデンサ、抵抗
等の電子部品２０を搭載する傾向になってきている。従
って、キャップとなる板部１６はこの電子部品２０を避
けて配設する必要があり、よって板部１６に機械加工に
より凹部２２を形成し、この凹部２２内に電子部品２０
を配設することが行なわれていた。In addition, with the recent increase in the operating frequency of semiconductor devices, there has been a tendency to mount electronic components 20 such as capacitors and resistors around the semiconductor element 12. Therefore, it is necessary to dispose the plate portion 16 serving as a cap so as to avoid the electronic component 20. Therefore, the concave portion 22 is formed in the plate portion 16 by machining, and the electronic component 20
Was to be arranged.
【０００５】しかるに、図１（Ａ）に示す構成では、上
記のようにスティフナー１４、金属板１６、接着材１８
という３種の構成要素を要するために、部品点数が増大
し、これに伴い製造工程が複雑化し、よって製品コスト
が上昇してしまうという問題点があった。また、金属板
１６を接着剤１８に接着するに際し、厚さの制御が困難
である接着材１８を２枚も必要とする構成であったた
め、高さ制御が困難であるという問題点があった。However, in the configuration shown in FIG. 1A, as described above, the stiffener 14, the metal plate 16, and the adhesive 18
Since these three types of components are required, the number of parts increases, which complicates the manufacturing process and raises the product cost. In addition, when the metal plate 16 is bonded to the adhesive 18, there is a problem that the height control is difficult because the configuration requires two adhesives 18 whose thickness is difficult to control. .
【０００６】そこで、上記の問題を改善するキャップ構
造を有する半導体装置として、図１（B)に示すものが採
用されてきた。図１（B)に示す半導体装置は、底面に半
田ボール等の実装用端子２４が形成されたセラミック材
等からなる基板１０上に、半導体素子１２が、その回路
表面を基板側に向いたいわゆるフェースダウン状態で配
置されている。また、半導体素子１２の周囲にはキャパ
シター、抵抗等の電子部品２０が配置されている。さら
に、この半導体素子１２及び電子部品２０を覆うようキ
ャップ２８が配設されている。Therefore, a semiconductor device shown in FIG. 1B has been adopted as a semiconductor device having a cap structure that solves the above problem. The semiconductor device shown in FIG. 1B has a so-called semiconductor device 12 in which a semiconductor element 12 has a circuit surface facing the substrate side on a substrate 10 made of a ceramic material or the like having a mounting terminal 24 such as a solder ball formed on the bottom surface. They are arranged face down. Electronic components 20 such as a capacitor and a resistor are arranged around the semiconductor element 12. Further, a cap 28 is provided so as to cover the semiconductor element 12 and the electronic component 20.
【０００７】このキャップ２８は金属板を例えば絞り加
工により所定形状に成形したものであり、半導体素子１
２の背面は熱伝導性の高い接着材２６を介してこのキャ
ップ２８と接合された構成となっている。このように、
図１（B)の構成の半導体装置では、キャップ２８が絞り
加工により形成された一枚の金属板により構成されてい
るため、部品点数の削減を図ることができ、かつ複数の
接着材も不要となるため低コストで精度の高い半導体装
置を実現することができる。The cap 28 is formed by shaping a metal plate into a predetermined shape by, for example, drawing.
The back surface of 2 is joined to this cap 28 via an adhesive 26 having high thermal conductivity. in this way,
In the semiconductor device having the configuration shown in FIG. 1B, since the cap 28 is formed of a single metal plate formed by drawing, the number of components can be reduced, and a plurality of adhesives are not required. Therefore, a highly accurate semiconductor device can be realized at low cost.
【０００８】ここで、キャップ２８と基板１０の接合構
造に注目すると、従来ではキャップ２８の外周部分に形
成された外周縁２８ａが、接合材２１を介して基板１０
と接合することにより、キャップ２８は基板１０に固定
される構成とされていた。Here, focusing on the joint structure between the cap 28 and the substrate 10, the outer peripheral edge 28 a formed on the outer peripheral portion of the cap 28 in the related art is
Thus, the cap 28 is fixed to the substrate 10 by bonding to the substrate 10.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た図１（Ｂ）に示した半導体装置では、キャップ２８が
薄く、かつ基板との接合位置がキャップ２８の外周縁２
８ａとされ離間していたため、周囲からの機械的衝撃や
過重等に対して弱いという問題点があった。具体的に
は、図１（Ｂ）に示した半導体装置はキャップ２８内に
半導体素子１２と共に電子部品２０をも収納した構成で
あったため、外周縁２８ａの内側に形成される空間部が
大きくなり、特に中央部分における剛性が低下してしま
う。よって、上記の過重等が印加された場合、キャップ
中央部に変形が発生しやすくなる。また、通常この中央
部分は半導体素子１２が配設される位置であるため、キ
ャップ２８に変形が発生した場合半導体素子１２が破壊
されやすいという問題があった。However, in the above-described semiconductor device shown in FIG. 1B, the cap 28 is thin and the bonding position with the substrate is at the outer peripheral edge 2 of the cap 28.
8a, there was a problem that it was vulnerable to mechanical shock from the surroundings, excessive load, and the like. Specifically, since the semiconductor device shown in FIG. 1B has a configuration in which the electronic component 20 is housed in the cap 28 together with the semiconductor element 12, the space formed inside the outer peripheral edge 28a becomes large. In particular, the rigidity at the central portion is reduced. Therefore, when the above-mentioned overload or the like is applied, deformation tends to occur at the center of the cap. Further, since the central portion is usually a position where the semiconductor element 12 is provided, there is a problem that the semiconductor element 12 is easily broken when the cap 28 is deformed.
【００１０】一方、近年の高密度化の進行とともに消費
電力が増大し、放熱フィンを設置する場合が多くなって
いる。この放熱フィンは、通常キャップの上部、即ちキ
ャップの半導体素子が対向する面と反対側の背面上に配
設されるものである。しかるに、上記のようにキャップ
２８の強度が弱いと、重量の大なる放熱フィンを搭載し
た場合、この放熱フィンの重量によりキャップ２８が変
形してしまうおそれがある。On the other hand, power consumption has increased with the recent increase in density, and there are many cases where radiating fins are installed. The heat radiation fins are usually provided on the upper portion of the cap, that is, on the back surface opposite to the surface of the cap opposite to the semiconductor element. However, when the strength of the cap 28 is low as described above, when a heavy radiating fin is mounted, the cap 28 may be deformed by the weight of the radiating fin.
【００１１】尚、この放熱フィンは、従来では半導体装
置に完全に固定される構成とされており、放熱フィンの
みを取り外すことができない構成となっている。従っ
て、半導体装置が故障等、不具合が発生した場合には、
半導体装置は放熱フィンとともに取り外され、放熱フィ
ンを再使用することが不可能であるという問題点もあっ
た。The radiating fin is conventionally configured to be completely fixed to the semiconductor device, so that only the radiating fin cannot be removed. Therefore, when a failure such as a failure of the semiconductor device occurs,
There is also a problem that the semiconductor device is removed together with the heat radiation fin, and it is impossible to reuse the heat radiation fin.
【００１２】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、低コストを維持しつつ高い信頼性を実現すること
ができる半導体装置及び半導体装置用キャリアを提供す
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device and a semiconductor device carrier capable of realizing high reliability while maintaining low cost.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、以下に述べる各手段を講じたことを特徴
とする。請求項１記載の発明では、基板と、前記基板上
に配設された半導体素子と、前記基板に配設されること
により、前記半導体素子を封止するキャップと、前記キ
ャップに形成されており、前記基板と接合される接合部
とを具備する半導体装置において、前記接合部を、前記
半導体素子の近傍位置に設けたことを特徴とする。Means for Solving the Problems To solve the above problems, the present invention is characterized by taking the following means. In the invention according to claim 1, a substrate, a semiconductor element provided on the substrate, a cap for sealing the semiconductor element by being provided on the substrate, and the cap are formed on the cap. A semiconductor device having a bonding portion to be bonded to the substrate, wherein the bonding portion is provided at a position near the semiconductor element.
【００１４】請求項１記載の発明によれば、キャップが
基板と接合する位置を、半導体素子の近傍とすることに
より、キャップの強度を向上させることができる。請求
項２記載の発明では、更に、前記基板上に電子部品を配
設し、かつ、該電子部品の配設位置を前記キャップが前
記半導体素子を封止する位置の外部位置に設定したこと
を特徴とする。According to the first aspect of the present invention, the strength of the cap can be improved by setting the position where the cap is bonded to the substrate near the semiconductor element. In the invention according to claim 2, furthermore, an electronic component is disposed on the substrate, and the disposition position of the electronic component is set to an external position of a position where the cap seals the semiconductor element. Features.
【００１５】請求項２記載の発明によれば、電子部品の
配設位置をキャップが半導体素子を封止する位置の外部
位置に設定することにより、キャップの強度を向上させ
ることができる。請求項３記載の発明では、前記半導体
素子を前記基板上に複数個設けると共に、前記半導体素
子の相互間の間隙部に前記接合部を設けたことを特徴と
する。According to the second aspect of the present invention, the strength of the cap can be improved by setting the disposing position of the electronic component at a position outside the position where the cap seals the semiconductor element. The invention according to claim 3 is characterized in that a plurality of the semiconductor elements are provided on the substrate, and the joint is provided in a gap between the semiconductor elements.
【００１６】請求項３記載の発明によれば、半導体素子
が複数存在する場合においても、キャップが基板上に接
合する位置を、半導体素子の相互の間隙とすることによ
り、キャップの強度を向上させることができる。請求項
４記載の発明では、前記キャップは、塑性加工及び切削
加工のうちいずれかの方法により形成したものであるこ
とを特徴とする。According to the third aspect of the present invention, even when a plurality of semiconductor elements are present, the strength of the cap is improved by setting the position where the cap is joined on the substrate to the gap between the semiconductor elements. be able to. The invention according to claim 4 is characterized in that the cap is formed by one of a plastic working method and a cutting work method.
【００１７】請求項４記載の発明によれば、塑性加工あ
るいは切削加工によってキャップを形成することによ
り、キャップの加工性を向上させることができる。請求
項５記載の発明では、前記キャップを、前記電子部品を
覆うように形成する構成を有することを特徴とする。請
求項５記載の発明によれば、電子部品を外部からの衝撃
より保護することができる。According to the fourth aspect of the invention, by forming the cap by plastic working or cutting, the workability of the cap can be improved. The invention according to claim 5 is characterized in that the cap is formed so as to cover the electronic component. According to the fifth aspect of the present invention, the electronic component can be protected from external impact.
【００１８】請求項６記載の発明では、前記キャップの
背面に放熱フィンを配設したことを特徴とする。請求項
６記載の発明によれば、キャップの背面に放熱フィンを
設けることにより、半導体素子より発した熱を放出する
ことができる。請求項７記載の発明では、前記キャップ
の前記半導体素子と対向する領域に開口部を形成すると
共に、前記放熱フィンが前記開口部を介して前記半導体
素子と接するよう配設し、前記キャップと前記放熱フィ
ンとが協働して前記半導体素子を封止する構成としたこ
とを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, a heat radiating fin is provided on a back surface of the cap. According to the sixth aspect of the invention, by providing the heat radiation fins on the back surface of the cap, heat generated from the semiconductor element can be released. In the invention according to claim 7, an opening is formed in a region of the cap facing the semiconductor element, and the radiating fins are disposed so as to be in contact with the semiconductor element through the opening, and the cap and the cap are disposed. The semiconductor device may be configured to cooperate with a heat radiation fin to seal the semiconductor element.
【００１９】請求項７記載の発明によれば、半導体素子
上のキャップを開口し、半導体素子に接するように放熱
フィンを配置し、放熱フィンとキャップとによって半導
体素子を封止することにより、半導体装置の強度を維持
しつつ、半導体素子の放熱効果をさらに向上させること
ができる。請求項８記載の発明では、前記放熱フィンの
外周縁部と、前記キャップの外周縁部とを挟持すること
により固定する止め部材を設けたことを特徴とする。According to the seventh aspect of the present invention, the semiconductor device is provided by opening the cap on the semiconductor element, disposing the heat radiation fin so as to be in contact with the semiconductor element, and sealing the semiconductor element with the heat radiation fin and the cap. The heat radiation effect of the semiconductor element can be further improved while maintaining the strength of the device. The invention according to claim 8 is characterized in that a stopper member is provided for fixing the outer peripheral edge of the heat radiation fin and the outer peripheral edge of the cap by sandwiching the outer peripheral edge.
【００２０】請求項８記載の発明によれば、止め部材に
よって放熱フィンとキャップとを固定することにより、
半導体装置の強度を維持しつつ、放熱フィンの設置を容
易にすることができる。請求項９記載の発明では、前記
放熱フィンの一部に、前記キャップと嵌合しこれを固定
する凹部を形成したことを特徴とする。According to the eighth aspect of the present invention, by fixing the radiating fin and the cap with the stopper member,
It is possible to easily install the heat radiation fins while maintaining the strength of the semiconductor device. According to a ninth aspect of the present invention, a concave portion is formed in a part of the heat radiation fin to be fitted to and fixed to the cap.
【００２１】請求項１０記載の発明では、前記凹部は、
前記キャップを着脱可能に嵌合する構成であることを特
徴とする。請求項９乃至１０記載の発明によれば、放熱
フィンとキャップを固定するための凹部を、放熱フィン
に形成し、放熱フィンの脱着を随時可能とすることによ
り、半導体素子に不具合が発生した場合においても、再
度放熱フィンを他の半導体素子において再使用すること
ができる。In the tenth aspect, the concave portion is
The cap is detachably fitted. According to the invention as set forth in claims 9 and 10, a recess for fixing the radiating fin and the cap is formed in the radiating fin, and the radiating fin can be attached and detached at any time, so that a problem occurs in the semiconductor element. Also, the radiation fin can be reused in another semiconductor element.
【００２２】請求項１１記載の発明では、少なくとも半
導体素子を封止するキャップを具備する半導体装置をキ
ャリア本体内部に収納し搬送する半導体装置用キャリア
において、前記キャリア本体に、前記半導体装置に設け
られた前記キャップの縁部と係合することにより前記半
導体装置を保持する係合部を設けたことを特徴とする。According to an eleventh aspect of the present invention, in a semiconductor device carrier for housing and transporting a semiconductor device having at least a cap for sealing a semiconductor element inside the carrier body, the semiconductor device is provided on the carrier body. And an engaging portion for holding the semiconductor device by engaging with an edge of the cap.
【００２３】請求項１１記載の発明によれば、半導体装
置を破壊することなく、半導体装置を搬送、保存するこ
とができる。請求項１２記載の発明では、基板と、前記
基板上にフェースアップの状態で配設された複数の半導
体素子と、前記半導体素子上に配設されるキャップとを
具備する半導体装置において、前記キャップに接合部を
形成すると共に、該接合部が前記半導体素子の表面上に
接合する構成とし、更に、前記キャップと前記基板との
間隙を樹脂によって封止したことを特徴とする。According to the eleventh aspect, the semiconductor device can be transported and stored without breaking the semiconductor device. 13. The semiconductor device according to claim 12, further comprising: a substrate; a plurality of semiconductor elements disposed face-up on the substrate; and a cap disposed on the semiconductor element. And a joint formed on the surface of the semiconductor element, and a gap between the cap and the substrate is sealed with a resin.
【００２４】請求項１２記載の発明によれば、キャップ
の接合部を半導体素子上に配置することにより、半導体
素子をキャップ及び樹脂によって封止することができ
る。According to the twelfth aspect of the present invention, the semiconductor element can be sealed with the cap and the resin by disposing the joint of the cap on the semiconductor element.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】図２〜図８は本発明における実施
例を示す図であり、以下各実施例について説明する。 [ 第１の実施例]図２は本発明における第１の実施例を
示す図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIGS. 2 to 8 are views showing embodiments of the present invention. Each embodiment will be described below. [First Embodiment] FIG. 2 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.
【００２６】図２に示す半導体装置１００の構成は、セ
ラミックあるいはガラス・エポキシ等の樹脂よりなる基
板１０２の一方の面に、外部接続端子１０４が形成され
ており、その反対側の面に、半導体素子１０６がその回
路の形成された面を基板１０２側に向けて、いわゆるフ
ェースダウン状態で搭載されている。また半導体素子１
０６は、その回路面内に形成されたバンプ１０７が、そ
れと対面する基板１０２上の図示しない電極に接合され
ている。尚、半導体素子１０６と基板１０２との隙間
は、バンプ１０７を保護する等のために、アンダーフィ
ル樹脂１１１により覆われている。さらに、半導体素子
１０６の裏面上には熱伝導率の高い接着材１０８が貼り
付けてある。In the configuration of the semiconductor device 100 shown in FIG. 2, an external connection terminal 104 is formed on one surface of a substrate 102 made of a resin such as ceramic or glass epoxy, and a semiconductor The element 106 is mounted in a so-called face-down state with the surface on which the circuit is formed facing the substrate 102 side. Semiconductor element 1
In reference numeral 06, the bump 107 formed in the circuit surface is bonded to an electrode (not shown) on the substrate 102 facing the bump 107. The gap between the semiconductor element 106 and the substrate 102 is covered with an underfill resin 111 to protect the bump 107 and the like. Further, an adhesive 108 having high thermal conductivity is attached on the back surface of the semiconductor element 106.
【００２７】一方、半導体素子１０６の周辺には、コン
デンサあるいは抵抗等を内部に含む電子部品１１０が配
置されており、半導体素子１０６の裏面の接着材１０８
に密着し、かつ電子部品１１０を覆うように、キャップ
１１２が形成されている。また、半導体素子１０６と電
子部品１１０との間隙の、半導体素子１０６を取り囲む
周囲領域において、キャップ１１２は基板１０２表面に
接合されている。即ち、図２の断面図ではキャップ１１
２は、半導体素子１０６の近傍の基板１０２と２ヶ所に
おいて接する凹部（接合部）１１３を有するいわゆるＷ
型の形状を有する。On the other hand, an electronic component 110 including a capacitor, a resistor and the like is arranged around the semiconductor element 106, and an adhesive 108 on the back surface of the semiconductor element 106 is provided.
A cap 112 is formed so as to be in close contact with and cover the electronic component 110. Further, the cap 112 is bonded to the surface of the substrate 102 in a peripheral region surrounding the semiconductor element 106 in a gap between the semiconductor element 106 and the electronic component 110. That is, in the sectional view of FIG.
2 is a so-called W having a concave portion (joining portion) 113 in contact with the substrate 102 in two places near the semiconductor element 106.
It has the shape of a mold.
【００２８】以上のように本実施例では、半導体素子１
０６と電子部品１１０とが離間した間隙の、半導体素子
１０６近傍の領域において、キャップ１１２が基板１０
２と接し、キャップ１１２を支える構造を有する。従っ
て従来のように、基板上のすべての半導体素子及び電子
部品を覆うように、キャップと基板との接合部を基板の
周辺部に有する図１（B)の断面図に見られる場合に対し
て、本実施例の構造では、図２の断面図の、基板とキャ
ップの２ヶ所の接合部の間隔が近い。このことは、本実
施例のキャップの構造が従来の例に対し、特に半導体素
子１０６の上部の領域において、キャップの機械的強度
が大であることを意味する。As described above, in this embodiment, the semiconductor device 1
In a region near the semiconductor element 106 in a gap between the electronic component 110 and the electronic component 110, the cap 112
2 and has a structure for supporting the cap 112. Therefore, unlike the conventional case, as shown in the cross-sectional view of FIG. 1B in which the junction between the cap and the substrate is provided at the peripheral portion of the substrate so as to cover all the semiconductor elements and electronic components on the substrate as in the related art. In the structure of this embodiment, the distance between the two joints of the substrate and the cap in the sectional view of FIG. 2 is close. This means that the cap of this embodiment has a higher mechanical strength than that of the conventional example, particularly in the region above the semiconductor element 106.
【００２９】また半導体素子１０６上部のキャップ１１
２の強度が大であることは、後の実施例において述べる
ように、半導体素子１０６上部のキャップ１１２上に、
半導体素子１０６より発生した熱を放出するための放熱
フィンを設置した場合でも、その重量に対して、機械的
強度を増したキャップ１１２は絶えうるものである。以
上のように、本実施例の構造を採ることにより、従来の
例において問題であった、半導体素子１０６と電子部品
１１０との間の領域において、キャップ１１２の強度不
足によるキャップ１１２の変形や、これに伴って発生す
る半導体素子１０６等の破壊は起きることがない。The cap 11 above the semiconductor element 106
The fact that the strength of No. 2 is high indicates that the cap 112 above the semiconductor element 106
Even when radiating fins for releasing heat generated from the semiconductor element 106 are provided, the cap 112 having increased mechanical strength with respect to its weight can be cut off. As described above, by adopting the structure of the present embodiment, deformation of the cap 112 due to insufficient strength of the cap 112 in a region between the semiconductor element 106 and the electronic component 110, which is a problem in the conventional example, The destruction of the semiconductor element 106 and the like caused by this does not occur.
【００３０】[ 第２の実施例]次に第２の実施例とし
て、図３（Ａ）及び（Ｂ）について説明する。まず図３
（Ａ）は、第１の実施例のキャップ１１２の構造を有す
る半導体装置に、半導体素子１０６より発生する熱を効
率よく外部へ放出するために放熱フィン１２０を設けた
構造である。[Second Embodiment] Next, FIGS. 3A and 3B will be described as a second embodiment. First, FIG.
(A) shows a structure in which a heat radiation fin 120 is provided in the semiconductor device having the structure of the cap 112 of the first embodiment in order to efficiently release the heat generated by the semiconductor element 106 to the outside.
【００３１】図３（Ａ）の放熱フィン１２０は、放熱の
効率を向上させるために、キャップ１１２の半導体素子
１０６上の部分１１２−１及び部品１１０上の部分１１
２−２において、キャップ１１２と接する構造とする必
要がある。しかしながら、半導体素子１０６と部品１１
０との高さが微妙に異なる場合がある。この場合に、キ
ャップ１１２−１及び１１２−２の両部分を同一の高さ
に微調整し、図３（Ａ）では板部１２２を挿入する場合
を示している。尚、キャップ１１２−１と板部１２２、
及び板部１２２と放熱フィン１２０、さらにキャップ１
１２−２と板部１２２とは、それぞれ接着材により接合
されている。The heat dissipating fins 120 shown in FIG. 3A are provided with a portion 112-1 on the semiconductor element 106 of the cap 112 and a portion 11-1
In 2-2, the structure needs to be in contact with the cap 112. However, the semiconductor element 106 and the component 11
The height from 0 may be slightly different. In this case, both portions of the caps 112-1 and 112-2 are finely adjusted to the same height, and FIG. 3A shows a case where the plate portion 122 is inserted. In addition, the cap 112-1 and the plate portion 122,
And the plate portion 122, the radiation fins 120, and the cap 1
12-2 and the plate part 122 are respectively bonded by an adhesive.
【００３２】従って本実施例では、放熱フィン１２２を
設けることにより、半導体素子１０６が動作中に発生し
た熱は、上部の板部１２２を介して、放熱フィン１２２
へ拡散して伝わり、さらに外部へ発散されることにな
る。以上の本実施例のように、キャップ１１２上に放熱
フィン１２０を搭載した状態においても、キャップ１１
２の機械的強度は保持され、第１の実施例で述べたキャ
ップの構造を採ることによる利点をさらに利用できるこ
とを示している。Therefore, in this embodiment, by providing the radiation fins 122, the heat generated during the operation of the semiconductor element 106 is transferred to the radiation fins 122 through the upper plate 122.
And diffused to the outside. As in the above-described embodiment, even when the radiation fins 120 are mounted on the cap 112, the cap 11
The mechanical strength of No. 2 is retained, indicating that the advantages of employing the cap structure described in the first embodiment can be further utilized.
【００３３】次に、上記実施例をさらに発展させた実施
例について図３（Ｂ）を基に説明する。図３（Ｂ) に示
す構造は、図３（A)に示す実施例の構造の半導体装置に
対し、半導体素子１０６上の部分のキャップ１１２を開
口して開口部１１４を形成し、さらに開口部１１４を覆
い、同時に半導体素子１０６と接するように放熱フィン
１２２を配置し、キャップ１１２と放熱フィン１２２と
によって半導体素子１０６を封止したものである。Next, an embodiment which is a further development of the above embodiment will be described with reference to FIG. The structure shown in FIG. 3B is different from the semiconductor device having the structure shown in FIG. 3A in that the opening 112 is formed by opening the cap 112 above the semiconductor element 106, and the opening 114 is formed. A heat radiation fin 122 is disposed so as to cover the semiconductor element 106 at the same time as covering the semiconductor element 106, and the semiconductor element 106 is sealed with the cap 112 and the heat radiation fin 122.
【００３４】図３（B)の構造では、キャップ１１２の開
口部１１４と半導体素子１０６とが基板１０２表面から
同一の高さとなるように、必要に応じて半導体素子１０
６の裏面上あるいは開口部１１４上には図示しない調整
板が設置されている。さらにキャップ１１２の周辺部１
１２−２と開口部１１４との前記高さの相違に応じて放
熱フィン１２２の一部片１２２−１が、半導体素子１０
６及び開口部１１４と接するように、またさらに放熱フ
ィン片１２２−１とキャップの周辺部１１２−２とが同
一の前記高さとなって、放熱フィン１２２をキャップの
周辺部１１２−２と放熱フィン片１２２−１とに接する
ように配置したものである。In the structure shown in FIG. 3B, the semiconductor element 10 may be used as necessary so that the opening 114 of the cap 112 and the semiconductor element 106 are at the same height from the surface of the substrate 102.
An adjustment plate (not shown) is provided on the back surface of the device 6 or on the opening 114. Further, the peripheral portion 1 of the cap 112
Depending on the height difference between the opening 12-2 and the opening 114, the partial piece 122-1 of the radiation fin 122 is
6 and the opening 114, and furthermore, the radiating fin piece 122-1 and the peripheral portion 112-2 of the cap have the same height, and the radiating fin 122 is connected to the peripheral portion 112-2 of the cap and the radiating fin. It is arranged so as to be in contact with the piece 122-1.
【００３５】上記図３（B)の構造では、図３（A)におけ
る構造に対して、放熱フィン１２２とキャップ１１２−
２とは、キャップ１１２−２の開口部１１４の周辺の領
域において接合しており、放熱フィン１２２を含むキャ
ップ１１２−２の強度は図３（A)の場合と比較して劣る
事はない。さらに、半導体素子１０６上に、直接放熱フ
ィン１２２が設置されることによって、半導体素子１０
６にて発生した熱の放熱効果を図３（A)の実施例の場合
に対してさらに向上させることができる。The structure shown in FIG. 3B is different from the structure shown in FIG.
2 is joined in a region around the opening 114 of the cap 112-2, and the strength of the cap 112-2 including the radiation fins 122 is not inferior to that in the case of FIG. Further, the radiation fins 122 are directly provided on the semiconductor element 106, so that the semiconductor element 10
The heat radiation effect of the heat generated in 6 can be further improved as compared with the embodiment of FIG.
【００３６】[ 第３の実施例]次に第３の実施例とし
て、図４に示す構造について説明する。図４に示す構造
は、キャップ１１２と放熱フィン１２４との接合の際
に、接着材を使用せず、止め部材１２６を使用して固定
するものである。止め部材１２６により、キャップ１１
２と放熱フィン１２４とを接合、固定する際に、止め部
材１２６を嵌合させる部分である放熱フィン１２４の周
辺部１２４−１に、図４のように、放熱フィンの羽部１
２４−２を形成しないように、放熱フィン１２４を形成
する。[Third Embodiment] Next, a structure shown in FIG. 4 will be described as a third embodiment. The structure shown in FIG. 4 is such that, when joining the cap 112 and the radiating fins 124, the cap 112 is fixed using a stopper member 126 without using an adhesive. By the stopper member 126, the cap 11
As shown in FIG. 4, the wings 1 of the radiating fin 124 are attached to the peripheral portion 124-1 of the radiating fin 124, which is a portion where the stop member 126 is fitted when joining and fixing the fin 2 and the radiating fin 124.
The radiation fins 124 are formed so as not to form 24-2.
【００３７】またこの際に、半導体素子１０６の上部の
領域において、キャップ１１２−１と放熱フィン１２４
との間に隙間が生じる場合には、必要に応じて板部１２
７を挿入し、半導体素子１０６とキャップ１１２−１と
放熱フィン１２４とを接しせしめることにより、半導体
素子１０６において発生した熱を放熱フィンへ拡散さ
せ、放出させることにより、放熱フィンの放熱効果を増
大させることができる。At this time, in the region above the semiconductor element 106, the cap 112-1 and the radiation fin 124
If there is a gap between the plate portion 12 and the
7, the heat generated in the semiconductor element 106 is diffused to and released from the heat radiation fins by contacting the semiconductor element 106, the cap 112-1, and the heat radiation fins 124, thereby increasing the heat radiation effect of the heat radiation fins. Can be done.
【００３８】本実施例の場合には、図３の場合の実施例
に対して、キャップ１１２と放熱フィン１２４とを接合
し、あるいはキャップ１１２と放熱フィン１２４との間
隙に板部１２７を介在させて接合する場合に、接着材を
使用して接着する工程を必要としない。このため、工程
を簡略化でき、止め部材１２６を使用して簡単にキャッ
プ１１２と放熱フィン１２４とを固定することができ、
図３の実施例の効果に、さらに放熱フィンの脱着の容易
性を付加することができる。In the present embodiment, the cap 112 and the radiating fin 124 are joined to each other, or the plate portion 127 is interposed in the gap between the cap 112 and the radiating fin 124 as compared with the embodiment of FIG. When bonding by using an adhesive, there is no need for a step of bonding using an adhesive. Therefore, the process can be simplified, and the cap 112 and the radiation fin 124 can be easily fixed using the stopper member 126,
The ease of attaching and detaching the radiation fins can be added to the effect of the embodiment of FIG.
【００３９】以上のように放熱フィン１２４は、キャッ
プ１１２との脱着が随時可能となるため、半導体素子の
不良発生時においては、取り外し再使用することが可能
であり、コストを低減する効果を有する。 [ 第４の実施例]次に第４の実施例として、図５
（Ａ）、（Ｂ）に示す構造について説明する。As described above, since the radiation fins 124 can be attached to and detached from the cap 112 at any time, when a semiconductor element is defective, it can be removed and reused, and has the effect of reducing costs. . [Fourth Embodiment] Next, as a fourth embodiment, FIG.
The structure shown in FIGS.
【００４０】図５（Ａ）に示す構造は、前実施例におけ
る図４の場合において、放熱フィン１２４の構造の一部
の、止め部材１２６によってキャップ１１２と放熱フィ
ン１２４とを嵌合させる部分について、次のように変形
させた場合の例である。即ち、図５（Ａ）の放熱フィン
１２８に対し、その端部の止め部１２８−１の構造の拡
大図を図５（Ｂ）に示す。The structure shown in FIG. 5A is a part of the structure of the heat radiation fin 124 in which the cap 112 and the heat radiation fin 124 are fitted by the stopper member 126 in the case of FIG. This is an example in the case of being deformed as follows. That is, FIG. 5B shows an enlarged view of the structure of the stopper 128-1 at the end of the radiation fin 128 of FIG. 5A.
【００４１】図５（Ｂ）に示す放熱フィン１２８の止め
部１２８−１は、キャップ１１２の端部１１２−２が嵌
合されるように、図５（Ｂ）のような凹部１２８−２を
有し、また、放熱フィン１２８の対角部の２ヶ所あるい
は角部の４ヶ所に止め部１２８−１を形成し、放熱フィ
ン１２８をキャップ１１２に対して回転させるようにし
て、キャップ１１２とを嵌合させ固定する構造である。The stop portion 128-1 of the heat radiation fin 128 shown in FIG. 5B has a recess 128-2 as shown in FIG. 5B so that the end 112-2 of the cap 112 is fitted. In addition, a stopper 128-1 is formed at two diagonal portions or four diagonal portions of the radiation fin 128, and the radiation fin 128 is rotated with respect to the cap 112 so that the cap 112 is It is a structure that is fitted and fixed.
【００４２】この場合においても、前実施例と同様に、
放熱フィン１２８とキャップ１１２との間の、半導体素
子１０６上部の領域において、間隙を生じる場合には、
板部１２９を必要に応じて挿入し、半導体素子１０６と
放熱フィン１２８とを接しせしめることにより、放熱効
果を失わないようにすることができるとともに、板部１
２９の設置時は、放熱フィン１２８及び半導体素子１０
６との接触においても、接着材を使用する必要はなく、
工程が簡略化できる。In this case, as in the previous embodiment,
If there is a gap in the region above the semiconductor element 106 between the radiation fin 128 and the cap 112,
By inserting the plate portion 129 as necessary and bringing the semiconductor element 106 into contact with the radiating fins 128, it is possible to prevent the heat radiation effect from being lost,
29, the radiation fin 128 and the semiconductor element 10
It is not necessary to use an adhesive even in contact with 6,
The process can be simplified.
【００４３】以上のように、上記構造の放熱フィンを用
いることにより、前実施例である図５における利点に対
して、さらに、放熱フィン１２８とキャップ１１２とを
固定する工程が簡略化され、止め部１２６を使用する点
が省略される。またさらに放熱フィンの脱着が随時可能
であって、脱着が極めて容易となるとともに、半導体素
子の不良発生時においては、取り外し再使用することが
可能であり、製造の際のコスト面において、及び使用す
る際の利便性において、利点が増大することになる。As described above, the use of the radiation fins having the above structure further simplifies the process of fixing the radiation fins 128 and the cap 112 to the advantage of FIG. The point of using the unit 126 is omitted. Further, the radiation fins can be attached and detached at any time, which makes it extremely easy to attach and detach. In the event of a failure of the semiconductor element, it can be removed and reused. In the convenience of doing so, the advantages will increase.
【００４４】[ 第５の実施例]第５の実施例を図６
（Ａ）、（Ｂ）に示す構造について説明する。図６
（Ａ）に示す構造は、第１の実施例における図２に示す
構造において、キャップ１１２の、基板との接合部１１
３に対して、半導体素子１０６と反対側の領域の部分１
１２−２を、さらに、その領域を広げ、その端部１１２
−３が、基板１０２よりさらに外方に延在した形のもの
である。[Fifth Embodiment] FIG. 6 shows a fifth embodiment.
The structure shown in FIGS. FIG.
The structure shown in FIG. 7A is the same as the structure shown in FIG.
3 with respect to the portion 1 of the region opposite to the semiconductor element 106
12-2, the area thereof is further expanded, and the end 112
-3 is a shape extending further outward than the substrate 102.
【００４５】上記構造とした場合の利点は、図６（Ｂ）
に示すように、半導体装置１３０を搬送するためのキャ
リア１３２中に、半導体装置１３０を、その底部の外部
端子を破壊することなく格納することを可能とする点で
ある。図６（Ｂ）に示すキャリア１３２は、キャリア下
部１３２−１及びキャリア上部１３２−２とよりなる。
半導体装置１３０をキャリア下部１３２−１に格納する
際は、図６（Ａ）の半導体装置１３０のキャップ１１２
−３を、キャリア下部１３２−１に形成したキャップ設
置部１３２−３に配置する形で行う。その後、キャリア
上部１３２−２を、キャリア下部１３２−１上に配置
し、半導体装置１３０をキャリア１３２中に格納する。
半導体装置１３０をキャリア１３２中に格納した状態に
おいては、半導体装置１３０の全荷重はキャリア設置部
１３２−３に加担され、半導体装置１３０中の基板１０
２下部の外部端子１０４が、キャリア下部１３２−１の
内部に接触することがなく、搬送中に半導体装置１３０
は機械的損傷を負う等、破壊されることがない。The advantage of the above structure is shown in FIG.
As shown in (1), the semiconductor device 130 can be stored in a carrier 132 for transporting the semiconductor device 130 without breaking external terminals at the bottom thereof. The carrier 132 shown in FIG. 6B includes a lower carrier 132-1 and an upper carrier 132-2.
When the semiconductor device 130 is stored in the lower part 132-1 of the carrier, the cap 112 of the semiconductor device 130 shown in FIG.
-3 is placed in the cap setting part 132-3 formed in the lower part 132-1 of the carrier. After that, the upper carrier 132-2 is placed on the lower carrier 132-1 and the semiconductor device 130 is stored in the carrier 132.
When the semiconductor device 130 is stored in the carrier 132, the entire load of the semiconductor device 130 is applied to the carrier installation part 132-3, and the substrate 10 in the semiconductor device 130
2. The lower external terminal 104 does not come into contact with the inside of the carrier lower part 132-1.
Is not destroyed due to mechanical damage.
【００４６】また、これと同時に、キャップ１１２をＷ
型としたことによるキャップ１１２の強度増大により、
キャップ端部１１２−３に半導体装置１３０の全荷重が
加担した場合でも、キャップ１１２は変形することがな
く、半導体素子１０６に対して、キャップ１１２からの
圧縮等の力作用を受けることがなく、半導体素子１０６
が破壊される等の影響はない。At the same time, the cap 112 is
By increasing the strength of the cap 112 due to the mold,
Even when the entire load of the semiconductor device 130 is applied to the cap end 112-3, the cap 112 is not deformed, and the semiconductor element 106 is not subjected to a force action such as compression from the cap 112. Semiconductor element 106
There is no effect such as destruction.
【００４７】以上のように、高い機械的強度を有するＷ
型のキャップ１１２を有する半導体装置１３０は、その
キャップの構造を図６のように、その周囲を拡張するこ
とによって、キャリア１３２中に格納し、搬送すること
を可能とするという利点を付加することができる。 [ 第６の実施例]次に第６の実施例について、図７
（Ａ）、（Ｂ）を基に説明する。As described above, W having high mechanical strength
The semiconductor device 130 having the die-type cap 112 has the added advantage that the structure of the cap is extended around its periphery as shown in FIG. 6 so that it can be stored and transported in the carrier 132. Can be. [Sixth Embodiment] Next, a sixth embodiment will be described with reference to FIG.
A description will be given based on (A) and (B).
【００４８】本実施例では、図７（Ａ）及び（Ｂ）に示
すように、基板としてＴＡＢテープを使用した場合であ
る。図７（Ａ）は、外形の断面を示し、図７（Ｂ）は、
図７（Ａ）中の破線部Ａの拡大図である。図７（Ａ）に
おいて、ＴＡＢテープ基板１４０上に半導体素子１０６
が搭載され、半導体素子１０６は、その上面部、及びそ
の周囲のＴＡＢテープ基板１４０上において、接着材１
４１を介して、キャップ１１２により封止されている。In this embodiment, as shown in FIGS. 7A and 7B, a case where a TAB tape is used as a substrate. FIG. 7A shows a cross section of the outer shape, and FIG.
It is an enlarged view of the broken line part A in FIG. 7 (A). In FIG. 7A, the semiconductor element 106 is placed on the TAB tape substrate 140.
Is mounted on the TAB tape substrate 140 around the upper surface of the semiconductor element 106 and the periphery thereof.
It is sealed by a cap 112 via 41.
【００４９】ＴＡＢテープ基板１４０の他方の面上に
は、外部接続端子１４４が形成されている。さらに、同
図（Ｂ）における破線部の拡大図を基に、その構成を説
明すると、ＴＡＢテープ基板１４０はポリイミド層１４
０−１と銅箔部１４０−２とからなり、ポリイミド層１
４０−１中には開口部１４２が形成され、開口部１４２
に外部接続端子１４４が嵌合し形成されている。External connection terminals 144 are formed on the other surface of the TAB tape substrate 140. Further, the configuration will be described with reference to an enlarged view of a broken line portion in FIG.
0-1 and a copper foil portion 140-2, and a polyimide layer 1
An opening 142 is formed in 40-1.
The external connection terminal 144 is fitted and formed.
【００５０】また、銅箔部１４０−２の一端部上にその
バンプ１０７を配置した半導体素子１０６が配置され、
その上部を上述したように接着材１４１を介して、キャ
ップ１１２により覆われている。さらに、キャップ１１
２の縁部１１２−６をTAB テープ基板１４０の外部へ延
在させることによって、前実施例において述べたキャリ
ア１３２中に半導体素子１４６を格納することが可能と
なる。Further, a semiconductor element 106 having the bump 107 is disposed on one end of the copper foil section 140-2.
The upper part is covered by the cap 112 via the adhesive 141 as described above. Further, the cap 11
By extending the second edge 112-6 to the outside of the TAB tape substrate 140, the semiconductor element 146 can be stored in the carrier 132 described in the previous embodiment.
【００５１】本実施例のように、ＴＡＢテープのような
薄い基板１４０上においても、半導体素子１０６設置部
以外の全領域において、キャップ１１２と接合させるこ
とにより、機械的強度を有するキャップによって、TAB
テープ基板を支えるとともに、半導体装置１４６全体と
しての強度を保つことができる。また、汎用性が向上し
つつあるＴＡＢテープを基板として使用することがで
き、本発明の有用性も拡大される。As in this embodiment, even on a thin substrate 140 such as a TAB tape, by joining the cap 112 with the cap 112 by joining the cap 112 in all regions other than the mounting portion of the semiconductor element 106, the TAB is formed.
The strength of the semiconductor device 146 as a whole can be maintained while supporting the tape substrate. Further, a TAB tape, which has been improved in versatility, can be used as a substrate, and the usefulness of the present invention is expanded.
【００５２】[ 第７の実施例]最後に、第７の実施例に
ついて、図８（Ａ）、（Ｂ）を基に説明する。図８
（Ａ）に示す構造は、基板１０２上に、裏面を基板と接
する状態いわゆるフェースアップで配置された２種の半
導体素子１０６−１及び１０６−２を有し、半導体素子
１０６−１及び１０６−２の周辺部の表面上の電極１４
９と、基板１０２上の電極とが金等からなる配線１５０
により接続された状態を示す。[Seventh Embodiment] Finally, a seventh embodiment will be described with reference to FIGS. 8A and 8B. FIG.
The structure illustrated in FIG. 2A includes two types of semiconductor elements 106-1 and 106-2 which are arranged face-up on a substrate 102 with a back surface in contact with the substrate. Electrode 14 on the peripheral surface of 2
9 and the electrodes on the substrate 102 are made of wiring 150 made of gold or the like.
Indicates a connected state.
【００５３】さらに半導体素子１０６−１及び１０６−
２の表面上の、金線１５０の接続された電極の領域以
外、即ち周辺部以外の領域１０６−１’及び１０６−
２’において、キャップ１１２に形成された凹部１５４
−１及び１５４−２中の接合部１５５−１及び１５５−
２が、板部１５６−１及び１５６−２を介して接着材に
より、キャップ１１２が半導体素子１０６−１及び１０
６−２と接着され、配置された状態を示す。Further, the semiconductor elements 106-1 and 106-
2 except for the region of the electrode to which the gold wire 150 is connected, that is, regions 106-1 'and 106-
At 2 ′, a recess 154 formed in the cap 112 is formed.
155-1 and 155- in -1 and 154-2
2 is made of an adhesive through the plate portions 156-1 and 156-2, and the cap 112 is connected to the semiconductor elements 106-1 and 106-1.
6-2 shows a state of being adhered to and arranged.
【００５４】本実施例のキャップの構造は、第１の実施
例において形成したＷ型のキャップの形成方法とは異な
り、半導体素子１０６−１及び１０６−２に配置された
金線１５０との接触を避けるように、Ｗ型の形状の凹部
１５４−１及び１５４−２が半導体素子そのものの表面
において接する構造を有し、いわば、上述した第１から
第６までの実施例におけるＷ型を変形した場合の例であ
る。The structure of the cap of the present embodiment is different from the method of forming the W-shaped cap formed in the first embodiment, and is different from the method of forming the W-shaped cap in contact with the gold wire 150 disposed on the semiconductor elements 106-1 and 106-2. In order to avoid the problem, the W-shaped concave portions 154-1 and 154-2 have a structure in which they contact with each other on the surface of the semiconductor element itself, that is, the W-type in the above-described first to sixth embodiments is modified. This is an example of the case.
【００５５】図８（Ａ）中のキャップ１１２の下層の、
半導体素子１０６−１及び１０６−２の周囲の空間に
は、図８（B)に示すように、樹脂１５２が充填され、封
止された構造となっている。以上のように、本実施例に
おいては、第１の実施例から第６の実施例におけるキャ
ップとは異なる使用形態を有し、本実施例のように、半
導体素子上にキャップの接合部を設けることにより封止
した例を示すものである。また第１の実施例から第６の
実施例の場合においては、キャップ１１２と基板１０２
との接合部を基板１０２上に設ける必要があったのに対
し、本実施例では、キャップ１１２と基板１０２との接
合部を半導体素子１０６−１あるいは１０６−２上に設
けることにより、接合部に相当する面積を基板１０２上
に要せず、基板の面積を節約することができ、製造コス
トを削減することになるとともに、キャップと基板との
接合部を半導体素子の外側の周辺部に設ける場合より
も、キャップの強度を増すことができる。The lower layer of the cap 112 in FIG.
As shown in FIG. 8B, a space around the semiconductor elements 106-1 and 106-2 is filled with a resin 152 and sealed. As described above, the present embodiment has a usage pattern different from that of the caps according to the first to sixth embodiments, and a cap joint is provided on a semiconductor element as in the present embodiment. This shows an example in which sealing is performed. Further, in the case of the first to sixth embodiments, the cap 112 and the substrate 102
In the present embodiment, the joint between the cap 112 and the substrate 102 is provided on the semiconductor element 106-1 or 106-2. Is not required on the substrate 102, the area of the substrate can be saved, the manufacturing cost can be reduced, and the joint between the cap and the substrate is provided on the outer peripheral portion of the semiconductor element. The strength of the cap can be increased as compared with the case.
【００５６】[0056]
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
効果を奏することができる。請求項１記載の発明では、
キャップの強度が増大することにより、半導体素子を保
護することができ、半導体装置の信頼性が向上する。請
求項２記載の発明では、キャップの強度が増大すること
により、半導体素子を保護することができ、半導体装置
の信頼性が向上する。According to the present invention as described above, the following effects can be obtained. In the invention according to claim 1,
By increasing the strength of the cap, the semiconductor element can be protected, and the reliability of the semiconductor device improves. According to the second aspect of the present invention, the strength of the cap is increased, so that the semiconductor element can be protected, and the reliability of the semiconductor device is improved.
【００５７】請求項３記載の発明では、キャップの強度
が増大することにより、複数の半導体素子を保護するこ
とができ、半導体装置の信頼性が向上する。請求項４記
載の発明では、キャップの加工性を向上させることがで
き、半導体装置の製造コストを低減することができる。
請求項５記載の発明では、電子部品を保護することがで
き、半導体装置の信頼性が向上する。According to the third aspect of the present invention, since the strength of the cap increases, a plurality of semiconductor elements can be protected, and the reliability of the semiconductor device improves. According to the fourth aspect of the invention, the workability of the cap can be improved, and the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.
According to the fifth aspect of the present invention, the electronic component can be protected, and the reliability of the semiconductor device is improved.
【００５８】請求項６記載の発明では、キャップの強度
が増大することにより、複数の半導体素子を保護するこ
とができるとともに、半導体素子の寿命を増大させ、半
導体装置の信頼性が向上する。請求項７記載の発明で
は、キャップの強度が増大することにより、複数の半導
体素子を保護することができるとともに、半導体素子の
寿命を増大させ、半導体装置の信頼性が向上する。According to the sixth aspect of the present invention, by increasing the strength of the cap, a plurality of semiconductor elements can be protected, the life of the semiconductor elements is increased, and the reliability of the semiconductor device is improved. In the invention according to claim 7, by increasing the strength of the cap, a plurality of semiconductor elements can be protected, the life of the semiconductor elements is increased, and the reliability of the semiconductor device is improved.
【００５９】請求項８記載の発明では、放熱フィンの設
置が容易となり、放熱フィンの利便性が増大するととも
に、半導体装置の信頼性が向上する。請求項９記載の発
明では、放熱フィンの設置が容易となり、放熱フィンの
利便性が増大し、半導体装置の製造コストが低減する。
請求項１０記載の発明では、放熱フィンを再利用するこ
とができるとともに、放熱フィンの脱着が随時可能とな
り、放熱フィンの利便性が増大し、半導体装置の製造コ
ストが低減する。According to the eighth aspect of the present invention, the installation of the radiation fin becomes easy, the convenience of the radiation fin is increased, and the reliability of the semiconductor device is improved. According to the ninth aspect of the present invention, the radiation fins can be easily installed, the convenience of the radiation fins is increased, and the manufacturing cost of the semiconductor device is reduced.
According to the tenth aspect of the present invention, the radiating fins can be reused, and the radiating fins can be attached and detached at any time, the convenience of the radiating fins increases, and the manufacturing cost of the semiconductor device decreases.
【００６０】請求項１１記載の発明では、半導体装置を
破壊することなく、半導体装置を搬送、保存することが
でき、半導体装置の信頼性が向上する。請求項１２記載
の発明では、半導体素子をキャップ及び樹脂によって封
止することにより、半導体装置の信頼性が向上する。According to the eleventh aspect, the semiconductor device can be transported and stored without destroying the semiconductor device, and the reliability of the semiconductor device is improved. According to the twelfth aspect of the present invention, the reliability of the semiconductor device is improved by sealing the semiconductor element with the cap and the resin.
【図１】（A)、（B)は従来の一例である半導体装置を示
す図である。FIGS. 1A and 1B are views showing a conventional semiconductor device.
【図２】本発明における第１の実施例である半導体装置
を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図３】（A)、(B) は本発明における第２の実施例であ
る半導体装置を示す図である。FIGS. 3A and 3B are views showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明における第３の実施例である半導体装置
示す図である。FIG. 4 is a view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明における第４の実施例である半導体装置
を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明における第５の実施例である半導体装置
を示す図である。FIG. 6 is a view showing a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】本発明における第６の実施例である半導体装置
を示す図である。FIG. 7 is a view showing a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention.
【図８】本発明における第７の実施例である半導体装置
を示す図である。FIG. 8 is a view showing a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present invention.
１０ 基板 １２ １０６、１０６−１、１０６−２ 半導体素子 １４ スティフナー １６ 金属板 １８ 接着材 ２０ 電子部品 ２１ 接合材 ２２ 凹部 ２４ 外部端子 ２６ 接着材 ２８ キャップ ２８ａ 外周縁 １００、１３０、１４６ 半導体装置 １０２ 基板 １０４ 外部端子 １０６−１’ 領域 １０６−２’ 領域 １０７ バンプ １０８ 接着材 １１０ 電子部品 １１１ アンダーフィル樹脂 １１２ キャップ １１２−１〜６ キャップ周辺部 １１３ 凹部（接合部） １１４ 開口部 １２０ 放熱フィン １２２、１２７ 板部 １２２−１、１２４、１２８ 放熱フィン １２４−１ 放熱フィン端部 １２４−２ 放熱フィン羽部 １２６ 止め部 １２８−１ 放熱フィン端部 １２８−２ 凹部 １２９ 板部 １３２ キャリア １３２−１ キャリア下部 １３２−２ キャリア上部 １３２−３ キャップ設置部 １４０ ＴＡＢテープ基板 １４０−１ ポリイミド １４０−２ 銅箔 １４１ 接着材 １４２ 開口部 １４４ 外部端子 １４９ 電極 １５０ 配線 １５２ 樹脂 １５４−１、１５４−２ 凹部 １５５−１、１５５−２ 接合部 １５６−１、１５６−２ 板部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 12 106, 106-1, 106-2 Semiconductor element 14 Stiffener 16 Metal plate 18 Adhesive material 20 Electronic component 21 Bonding material 22 Depression 24 External terminal 26 Adhesive material 28 Cap 28a Outer edge 100, 130, 146 Semiconductor device 102 Substrate 104 External terminal 106-1 'region 106-2' region 107 Bump 108 Adhesive material 110 Electronic component 111 Underfill resin 112 Cap 112-1 to 6 Cap peripheral portion 113 Depressed portion (joining portion) 114 Opening portion 120 Radiating fin 122, 127 Plate portions 122-1, 124, 128 Radiation fins 124-1 Radiation fin end portions 124-2 Radiation fin wing portions 126 Stop portions 128-1 Radiation fin end portions 128-2 Recessed portions 129 Plate portion 132 Carrier 132-1 Lower carrier portion 132 -2 A Upper part 132-3 Cap installation part 140 TAB tape substrate 140-1 Polyimide 140-2 Copper foil 141 Adhesive 142 Opening 144 External terminal 149 Electrode 150 Wiring 152 Resin 154-1, 154-2 Recess 155-1, 155- 2 Joint 156-1, 156-2 Plate
Claims (12)
止するキャップと、 前記キャップに形成されており、前記基板と接合される
接合部とを具備する半導体装置において、 前記接合部を、前記半導体素子の近傍位置に設けたこと
を特徴とする半導体装置。A substrate, a semiconductor element provided on the substrate, a cap provided on the substrate to seal the semiconductor element, and a substrate formed on the cap. A semiconductor device, comprising: a bonding portion to be bonded to a semiconductor element; wherein the bonding portion is provided at a position near the semiconductor element.
体素子を封止する位置の外部位置に設定したことを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。2. The electronic device according to claim 1, further comprising an electronic component disposed on the substrate, and a disposition position of the electronic component set at a position outside the position where the cap seals the semiconductor element. The semiconductor device according to claim 1.
けると共に、 前記半導体素子の相互間の間隙部に前記接合部を設けた
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of said semiconductor elements are provided on said substrate, and said junction is provided in a gap between said semiconductor elements.
のうちいずれかの方法により形成したものであることを
特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装
置。4. The semiconductor device according to claim 1, wherein said cap is formed by one of a plastic working method and a cutting work method.
うに形成する構成を有することを特徴とする請求項２乃
至４のいずれかに記載の半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 2, wherein the cap is formed so as to cover the electronic component.
したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載
の半導体装置。6. The semiconductor device according to claim 1, wherein a heat radiation fin is provided on a back surface of said cap.
る領域に開口部を形成すると共に、前記放熱フィンが前
記開口部を介して前記半導体素子と接するよう配設し、 前記キャップと前記放熱フィンとが協働して前記半導体
素子を封止する構成としたことを特徴とする請求項６記
載の半導体装置。7. An opening is formed in a region of the cap facing the semiconductor element, and the radiating fin is disposed so as to be in contact with the semiconductor element through the opening. 7. The semiconductor device according to claim 6, wherein said semiconductor device cooperates to seal said semiconductor element.
ップの外周縁部とを挟持することにより固定する止め部
材を設けたことを特徴とする請求項６または７記載の半
導体装置。8. The semiconductor device according to claim 6, wherein a stopper member is provided for fixing the outer peripheral edge of the heat radiation fin and the outer peripheral edge of the cap by sandwiching the outer peripheral edge.
と嵌合しこれを固定する凹部を形成したことを特徴とす
る請求項６または７記載の半導体装置。9. The semiconductor device according to claim 6, wherein a recess is formed in a part of the heat radiation fin to be fitted to and fixed to the cap.
に嵌合する構成であることを特徴とする請求項９記載の
半導体装置。10. The semiconductor device according to claim 9, wherein said recess has a configuration in which said cap is detachably fitted.
ップを具備する半導体装置をキャリア本体内部に収納し
搬送する半導体装置用キャリアにおいて、 前記キャリア本体に、前記半導体装置に設けられた前記
キャップの縁部と係合することにより前記半導体装置を
保持する係合部を設けたことを特徴とする半導体装置用
キャリア。11. A semiconductor device carrier for housing and transporting a semiconductor device having a cap for sealing at least a semiconductor element inside a carrier body, wherein the carrier body has an edge portion of the cap provided on the semiconductor device. A carrier for a semiconductor device, comprising an engaging portion for holding the semiconductor device by engaging with the carrier.
半導体素子と、 前記半導体素子上に配設されるキャップとを具備する半
導体装置において、 前記キャップに接合部を形成すると共に、該接合部が前
記半導体素子の表面上に接合する構成とし、 更に、前記キャップと前記基板との間隙を樹脂によって
封止したことを特徴とする半導体装置。12. A semiconductor device comprising: a substrate; a plurality of semiconductor elements disposed face-up on the substrate; and a cap disposed on the semiconductor element. And a structure in which the bonding portion is bonded to a surface of the semiconductor element, and a gap between the cap and the substrate is sealed with a resin.
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