JP2000058341A

JP2000058341A - プレーナトランス

Info

Publication number: JP2000058341A
Application number: JP10222779A
Authority: JP
Inventors: Toshitaka Minamizawa; 俊孝南沢; Kiyoto Yamazawa; 清人山沢; Toshiro Sato; 敏郎佐藤
Original assignee: Japan Radio Co Ltd; Nagano Japan Radio Co Ltd
Current assignee: Japan Radio Co Ltd; Nagano Japan Radio Co Ltd
Priority date: 1998-08-06
Filing date: 1998-08-06
Publication date: 2000-02-25

Abstract

(57)【要約】【課題】巻線用導体層間の結合係数の向上を図ること
が可能なプレーナトランスを提供することを主目的とす
る。【解決手段】互いにそれぞれ独立したスパイラル状の
一次巻線用導体層Ｗ１および二次巻線用導体層Ｗ２をス
パイラル平面の垂直方向において少なくとも２段に重ね
た状態で対向配置させ、かつ両導体層Ｗ１，Ｗ２を板状
磁性体Ｆ，Ｆに挟持させて構成したプレーナトランス１
において、両導体層Ｗ１，Ｗ２の一方と他方とがスパイ
ラル平面における水平および垂直の両方向において交互
に隣り合うように配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ電源用に
適したプレーナトランスに関し、詳しくは、互いに独立
したスパイラル状の一次巻線用導体層および二次巻線用
導体層をスパイラル平面の垂直方向において少なくとも
２段に重ねた状態で対向配置させ、かつ両導体層を板状
磁性体に挟持させて構成したプレーナトランスに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯用機器などの薄形化が飛躍的
に進んでおり、これらに内蔵する電源用トランスやデー
タ通信用のパルストランスなどにも当然に薄形化が要請
されている。この種の薄形トランスとして、図６
（ａ），（ｂ）に示すプレーナトランス５１が従来から
知られている。このプレーナトランス５１は、同図
（ｂ）に示すように、ベース基板としての基板Ｐと、基
板Ｐの同一平面上にそれぞれ形成された一次巻線用の導
体パターンＷ１および二次巻線用の導体パターンＷ２
（以下、区別しないときには「導体パターンＷ」とい
う）と、両導体パターンＷを相互に絶縁するポリイミド
樹脂で成膜された絶縁性樹脂層Ｒと、薄板状に形成され
たフェライトコアＦ，Ｆとを備えている。導体パターン
Ｗ１および導体パターンＷ２は、同図（ａ）に示すよう
に、互いにほぼ相似形の渦巻き模様（スパイラル）状に
形成されている。なお、以下、導体パターンＷ１を二次
巻線用の導体パターンとして、導体パターンＷ２を一次
巻線用の導体パターンとして使用してもよいものとす
る。また、以下、同図（ａ）などに示す渦巻き模様は、
パターン形状を概念的に示し、同図（ｂ）などに示す断
面図とは、導体パターンの相対的な位置関係や構造的な
関係が必ずしも一致しないものとする。

【０００３】このプレーナトランス５１は、巻枠（ボビ
ン）に導線を巻き回して形成した一般的な小形トランス
と比較し、回路基板に実装する際の実装高を低く抑える
ことができる。ところが、このプレーナトランス５１
は、導体パターンＷ１および導体パターンＷ２の間の結
合係数が低いため、電源用トランスとして用いた場合、
電源装置の変換効率の低下を招くという問題点がある。
そこで、薄型化を図りつつ、両導体パターンＷの間の結
合係数を高めたものとして、図７（ａ），（ｂ）に示す
プレーナトランス６１が知られている。このプレーナト
ランス６１では、同図（ｂ）に示すように、基板Ｐの上
面および下面に導体パターンＷ１および導体パターンＷ
２がそれぞれ形成されている。両導体パターンＷは、同
図（ａ）に示すように、基板Ｐを挟んで互いに面対称の
渦巻き模様状に形成されている。なお、以下、原則とし
て、実線で示す導体パターンが基板Ｐの上面に形成さ
れ、破線で示す導体パターンが基板Ｐの下面に形成され
ているものとする。

【０００４】このプレーナトランス６１では、プレーナ
トランス５１とは異なり、両導体パターンＷ１，Ｗ２を
互いに対向配置することにより、両導体パターンＷ１，
Ｗ２間の結合係数を高めることができる。このため、電
源用トランスとして用いた場合、プレーナトランス５１
よりも電源装置の変換効率を向上させることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のプレ
ーナトランス６１には、以下の問題点がある。第１に、
プレーナトランス６１では、導体パターンＷ１，Ｗ２間
の結合係数をプレーナトランス５１よりも高めることが
できるものの、小型高効率が要求されるマイクロ電源な
どに用いる場合には、両導体パターンＷ１，Ｗ２間の結
合係数が依然として低いため、高変換効率のマイクロ電
源を実現するのが困難であるという問題点がある。

【０００６】第２に、プレーナトランス６１では、渦巻
き模様状に形成された導体パターンＷ２が、同一平面上
で隣接させられているため、例えば、導体パターンＷ２
に所定電流を導通させた際に、隣接する導体パターンＷ
２に対し、いわゆる近接効果を生じさせる。このため、
表皮効果と相俟って導体パターンＷ２の一部の表面にの
み二次電流を導通させることとなる。したがって、導体
パターンＷ２の導通抵抗が増大して損失を招く結果、電
源用トランスとして用いた場合、電源装置の変換効率を
却って悪化させてしまうことがあるという問題点があ
る。

【０００７】第３に、導体パターンＷ１および導体パタ
ーンＷ２を渦巻き模様状に形成したプレーナトランス６
１では、導体パターンＷ１，Ｗ２における一方の端部Ｔ
１ｂ，Ｔ２ｂが、渦巻き模様の中央部位に位置させられ
る。したがって、その一方の端部Ｔ１ｂ，Ｔ２ｂに外部
導線を接続して引き出す作業が煩雑であるため、プレー
ナトランス６１の製作時間の長時間化に伴う製作コスト
の上昇が問題となっている。この場合、図８（ａ），
（ｂ）に示すプレーナトランス７１のように構成するこ
ともできる。具体的には、基板Ｐ１の上面に形成した一
次巻線用の導体パターンＷ１ａと、基板Ｐ１の下面に形
成した導体パターンＷ１ｂとを渦巻き模様の中央部位で
スルーホールＨ１を介して接続し（以下、接続された両
導体パターンＷ１ａ，Ｗ１ｂを「導体パターンＷ１」と
もいう）、かつ、基板Ｐ２の上面に形成した二次巻線用
の導体パターンＷ２ａと、基板Ｐ２の下面に形成した導
体パターンＷ２ｂとを渦巻き模様の中央部位でスルーホ
ールＨ２を介して接続する（以下、接続された両導体パ
ターンＷ２ａ，Ｗ２ｂを「導体パターンＷ２」ともい
う）。これにより、導体パターンＷ１の端部Ｔ１ａ，Ｔ
１ｂおよび導体パターンＷ２の端部Ｔ２ａ，Ｔ２ｂをそ
れぞれ渦巻き模様の外側に位置させることができる結
果、端部Ｔ１ａ，Ｔ１ｂ，Ｔ２ａ，Ｔ２ｂに外部導線を
接続する作業を容易にすることができる。しかし、かか
る場合には、導体パターンＷの層が４層となり、プレー
ナトランス７１が厚くなるため、プレーナトランスの薄
形化という本来の目的に反することになるという問題が
生じる。

【０００８】第４に、プレーナトランス６１は、基板Ｐ
の両面にそれぞれ形成された導体パターンＷ１，Ｗ２を
薄板状のフェライトコアＦ，Ｆで挟み込む構造のため、
フェライトコアＦ，Ｆの縁部が磁気的に開放されてい
る。したがって、漏れ磁束によって生じる銅損が大きい
ため、電源用トランスに用いた場合に、電源装置の変換
効率を悪化させるという問題点がある。

【０００９】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、巻線用導体層間の結合係数の向上を図るこ
とが可能なプレーナトランスを提供することを主目的と
する。また、薄型化を維持しつつ、外部導線を容易に接
続することが可能なプレーナトランスを提供すること、
および漏れ磁束による損失を低減することが可能なプレ
ーナトランスを提供することを他の目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく請
求項１記載のプレーナトランスは、互いにそれぞれ独立
したスパイラル状の一次巻線用導体層および二次巻線用
導体層をスパイラル平面の垂直方向において少なくとも
２段に重ねた状態で対向配置させ、かつ両導体層を板状
磁性体に挟持させて構成したプレーナトランスにおい
て、両導体層の一方と他方とがスパイラル平面における
水平および垂直の両方向において交互に隣り合うように
配置したことを特徴とする。

【００１１】請求項２記載のプレーナトランスは、請求
項１記載のプレーナトランスにおいて、両導体層の各々
は、それぞれ、垂直方向において少なくとも２段に重ね
て配置されたスパイラル状導体層で構成されると共に、
そのスパイラル平面の中央部位においてスパイラル状導
体層の端部同士が接続されていることを特徴とする。

【００１２】請求項３記載のプレーナトランスは、請求
項１または２記載のプレーナトランスにおいて、両導体
層の少なくとも一方は、並列接続または直列接続が可能
な独立した複数のスパイラル状導体層で構成されている
ことを特徴とする。

【００１３】請求項４記載のプレーナトランスは、請求
項１から３のいずれかに記載のプレーナトランスにおい
て、両導体層は、互いにほぼ同幅に形成され、かつ垂直
方向において隣り合う両導体層同士がその幅方向におい
て重なり合うように配置されていることを特徴とする。

【００１４】請求項５記載のプレーナトランスは、請求
項１から４のいずれかに記載のプレーナトランスにおい
て、両板状磁性体の各々の縁部を磁性体によって互いに
連結させることにより磁気的に閉鎖したことを特徴とす
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係るプレーナトランスの実施の形態について説明す
る。なお、従来から知られているプレーナトランス５
１，６１，７１と同一の構成要素または同一の機能につ
いては、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

【００１６】最初に、本発明の実施の形態に係るプレー
ナトランス１について図１（ａ），（ｂ）を参照して説
明する。

【００１７】プレーナトランス１は、同図（ｂ）に示す
ように、基板Ｐと、本発明における一次巻線用導体層に
相当する導体パターンＷ１ａ，Ｗ１ｂと、本発明におけ
る二次巻線用導体層に相当する導体パターンＷ２ａ，Ｗ
２ｂと、絶縁性樹脂層Ｒ，Ｒと、フェライトコアＦ，Ｆ
とを備えて構成されている。この場合、導体パターンＷ
１ａおよび導体パターンＷ１ｂは、互いに同幅であっ
て、基板Ｐの上面側および下面側にそれぞれ形成され、
かつ、同図（ａ）に示すように、渦巻き模様の中央部位
でスルーホールＨ１を介して互いに接続されている（以
下、接続された導体パターンＷ１ａ，Ｗ１ｂを「導体パ
ターンＷ１」ともいう）。一方、導体パターンＷ２ａお
よび導体パターンＷ２ｂは、導体パターンＷ１と同幅で
あって、基板Ｐの上面側および下面側にそれぞれ形成さ
れ、かつ、同図（ａ）に示すように、渦巻き模様の中央
部位でスルーホールＨ２を介して互いに接続されている
（以下、接続された導体パターンＷ２ａ，Ｗ２ｂを「導
体パターンＷ２」ともいう）。このため、導体パターン
Ｗ１と導体パターンＷ２とがスパイラル平面における水
平および垂直の両方向において交互に隣り合うように配
置される。

【００１８】絶縁性樹脂層Ｒは、導体パターンＷ１，Ｗ
２が形成された状態の基板Ｐに対して高絶縁性のポリイ
ミド樹脂をスピンコートすることにより形成されてい
る。また、絶縁性樹脂層Ｒは、導体パターンＷ１ａおよ
び導体パターンＷ２ａの間、導体パターンＷ１ｂおよび
導体パターンＷ２ｂの間、各導体パターンＷおよびフェ
ライトコアＦの間をそれぞれ絶縁する。フェライトコア
Ｆ，Ｆは、本発明における板状磁性体に相当し、導体パ
ターンＷ１，Ｗ２が形成され絶縁性樹脂層Ｒ，Ｒに覆わ
れた状態の基板Ｐを挟持する。

【００１９】この種のプレーナトランスでは、例えば、
導体パターンＷに所定電流を導通させた際に、概念的に
は、図２（ａ）に示すように、導体パターンＷの周囲に
磁束Ｍが発生する。この場合、導体パターンＷと、それ
に隣接する導体パターンＷとの間の結合係数は、同図
（ｂ）に示すように、導体パターンＷ，Ｗ間の水平方向
における離間距離Ｌが長くなる程、指数関数的に小さく
なる。一方、このプレーナトランス１では、導体パター
ンＷ１と導体パターンＷ２とがスパイラル平面における
水平および垂直の両方向において交互に隣り合うように
配置されているため、両導体パターンＷ１，Ｗ２が基板
Ｐを挟んで常に対向する。したがって、両導体パターン
Ｗ１，Ｗ２は、同図（ｂ）における離間距離Ｌが最小と
なるように配置される。この結果、従来のプレーナトラ
ンス５１と比較して、結合係数の向上が図られている。

【００２０】また、プレーナトランス１では、図３
（ａ）に示すように、二次巻線としての導体パターンＷ
２ａ，Ｗ２ｂの相互間の距離が、同図（ｂ）に示す従来
のプレーナトランス６１における二次巻線としての導体
パターンＷ２，Ｗ２の相互間の距離よりも長く形成され
ている。このため、従来のプレーナトランス６１と比較
して、近接効果が生じ難くい分、銅損が低減されてい
る。この結果、電源用トランスとして用いた場合、プレ
ーナトランス１は、プレーナトランス６１と比較して、
電源装置の変換効率を向上させることができる。

【００２１】さらに、このプレーナトランス１では、同
図（ａ）に示すように、導体パターンＷ１ａと、これに
隣接する導体パターンＷ２ｂとの距離がＬ１で、導体パ
ターンＷ１ａ，Ｗ２ａ間の距離がＬ２となっている。こ
れに対して、従来のプレーナトランス６１では、導体パ
ターンＷ１と、これに隣接する導体パターンＷ２，Ｗ
２，Ｗ２との距離がそれぞれＬ１，Ｌ３，Ｌ３となって
いる。この場合、距離Ｌ２の方が距離Ｌ３よりも短い。
このため、プレーナトランス１における一次巻線として
の導体パターンＷ１および二次巻線としての導体パター
ンＷ２間の結合係数が、従来のプレーナトランス６１に
おける両導体パターンＷ１，Ｗ２間の結合係数よりも高
くなっている。この結果、電源用トランスとして用いた
場合、プレーナトランス１は、プレーナトランス６１，
７１と比較して、電源装置の変換効率を向上させること
ができる。

【００２２】また、プレーナトランス１では、導体パタ
ーンＷ１ａ，Ｗ１ｂが渦巻き模様の中央部位でスルーホ
ールＨ１を介して接続されると共に、導体パターンＷ２
ａ，Ｗ２ｂが渦巻き模様の中央部位でスルーホールＨ２
を介して接続されている。したがって、導体パターンＷ
１の端部Ｔ１ａ，Ｔ１ｂおよび導体パターンＷ２の端部
Ｔ２ａ，Ｔ２ｂのすべてを渦巻き模様の外側に位置させ
ることができる。このため、薄型化を維持しつつ、導体
パターンＷの各端部Ｔ１ａ，Ｔ１ｂ，Ｔ２ａ，Ｔ２ｂに
対して外部導線を容易に接続することができる。

【００２３】次に、本発明の他の実施の形態に係るプレ
ーナトランス１１について、図４（ａ），（ｂ）を参照
して説明する。

【００２４】プレーナトランス１１は、同図（ｂ）に示
すように、基板Ｐ、一次巻線用導体層としての導体パタ
ーンＷ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ１１ａ、二次巻線用導体層とし
ての導体パターンＷ２１ａ，Ｗ２１ｂ、二次巻線として
の導体パターンＷ２２ａ，Ｗ２２ｂ、絶縁性樹脂層Ｒ，
ＲおよびフェライトコアＦ，Ｆ，Ｆ１，Ｆ１，Ｆ１，Ｆ
１を備えて構成されている。この場合、導体パターンＷ
１ｂが基板Ｐの上面に、導体パターンＷ１ａ，Ｗ１１ａ
が基板Ｐの下面にそれぞれ形成されている。また、同図
（ａ）に示すように、導体パターンＷ１ａの一端が、渦
巻き模様の中央部位でスルーホールＨ１１を介して導体
パターンＷ１ｂの一端に接続され、導体パターンＷ１ｂ
の他端が、スルーホールＨ１２を介して導体パターンＷ
１１ａに接続されている。（以下、接続された導体パタ
ーンＷ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ１１ａを「導体パターンＷ１」
ともいう）

【００２５】一方、導体パターンＷ２１ａおよび導体パ
ターンＷ２１ｂ（以下、接続された導体パターンＷ２１
ａ，Ｗ２１ｂを「導体パターンＷ２１」ともいう）は、
基板Ｐの下面および上面にそれぞれ形成され、渦巻き模
様の中央部位でスルーホールＨ２１を介して互いに接続
されている。また、導体パターンＷ２２ａおよび導体パ
ターンＷ２２ｂ（以下、接続された導体パターンＷ２２
ａ，Ｗ２２ｂを「導体パターンＷ２２」ともいう）は、
基板Ｐの下面および上面にそれぞれ形成され、渦巻き模
様の中央部位でスルーホールＨ２２を介して互いに接続
されている。

【００２６】このプレーナトランス１１では、上記した
プレーナトランス１と同様にして、導体パターンＷ１
と、導体パターンＷ２１，Ｗ２２との間の結合係数を向
上させることができる。また、このプレーナトランス１
１では、導体パターンＷ２１，Ｗ２１を独立した巻線と
して用いることにより、１つの一次巻線（導体パターン
Ｗ１）に対して２つの二次巻線（導体パターンＷ２１，
Ｗ２２）が形成されたプレーナトランスを構成すること
もできるし、２つの一次巻線（導体パターンＷ２１，Ｗ
２２）に対して１つの二次巻線（導体パターンＷ１）が
形成されたプレーナトランスを構成することもできる。

【００２７】さらに、このプレーナトランス１１では、
一次巻線と二次巻線との巻数比を変更することもでき
る。具体的には、導体パターンＷ２１の端部Ｔ２１ｂ
（以下、アンダーライン部分が正しいか否かの確認をお
願い致します）と導体パターンＷ２２の端部Ｔ２２ａと
を接続して両導体パターンＷ２１，Ｗ２２を１つの二次
巻線として用いることにより、一次巻線としての導体パ
ターンＷ１と、二次巻線としての直列接続した導体パタ
ーンＷ２１，Ｗ２２との巻数比が１：１のプレーナトラ
ンスを構成することができる。一方、導体パターンＷ２
１の端部Ｔ２１ａと導体パターンＷ２２の端部Ｔ２２ｂ
とを接続し、かつ導体パターンＷ２１の端部Ｔ２１ｂと
導体パターンＷ２２の端部Ｔ２２ａとをそれぞれ接続し
て両導体パターンＷ２１，Ｗ２２を１つの二次巻線とし
て用いることにより、一次巻線としての導体パターンＷ
１と、二次巻線としての並列接続した導体パターンＷ２
１，Ｗ２２との巻数比が２：１のプレーナトランスを構
成することができる。

【００２８】この場合、導体パターンＷ２１，Ｗ２２の
各々の端部Ｔ２１ａ，Ｔ２１ｂ，Ｔ２２ａ，Ｔ２２ｂが
渦巻き模様の外側（つまりプレーナトランス１１の外
側）にそれぞれ形成されているため、プレーナトランス
１１の組立後においても、導体パターンＷ１および導体
パターンＷ２の巻数比を１：１または２：１に容易に変
更することができる。したがって、電源用トランスとし
て用いる場合、電源装置の負荷条件などに応じて、一次
巻線と二次巻線との巻数比をダイナミックに変更するこ
とが可能となる。

【００２９】また、プレーナトランス１１では、導体パ
ターンＷ１，導体パターンＷ２１，Ｗ２２が形成された
基板Ｐを挟持しているフェライトコアＦ，Ｆにおける４
つの側面を４つのフェライトコアＦ１，Ｆ１・・によっ
て閉じているため、閉磁路構造となっている。したがっ
て、漏れ磁束に起因しての銅損が小さいため、側面を開
放した開磁路構造のプレーナトランス１と比較して、電
源用トランスとして用いた場合、電源装置の変化効率を
向上させることができる。

【００３０】なお、本発明は、上記した本発明の実施の
形態に示した構成に限定されない。例えば、本発明の実
施の形態では、１枚の基板Ｐの両面に導体パターンＷ１
および導体パターンＷ２を２層に形成したプレーナトラ
ンスについて説明したが、図５に示すプレーナトランス
２１のように、２枚の基板Ｐ１，Ｐ２上に、導体パター
ンを３層に積層形成することできる。具体的には、一次
巻線としての導体パターンＷ１ａを基板Ｐ１の上面に形
成すると共に、図外のスルーホールを介して導体パター
ンＷ１ａに接続した導体パターンＷ１ｂを基板Ｐ１の下
面に形成し、かつ導体パターンＷ１ｂに図外の導線によ
って接続した導体パターンＷ１ｃを基板Ｐ２の上面に形
成する。また、二次巻線としての導体パターンＷ２ａを
基板Ｐ１の上面に形成すると共に、図外のスルーホール
を介して導体パターンＷ２ａに接続した導体パターンＷ
２ｂを基板Ｐ１の下面に形成し、かつ導体パターンＷ２
ｂに図外の導線によって接続した導体パターンＷ２ｃを
基板Ｐ２の上面に形成する。これにより、一次巻線と二
次巻線との巻数比が１：１のプレーナトランス２１を構
成することができる。さらに、３層構造に限らず、４層
以上に積層形成したプレーナトランスを構成することも
できる。また、導体パターンＷ１，Ｗ２をフェライトコ
アＦ，Ｆの上に蒸着させることもできる。

【００３１】また、フェライトコアＦ，Ｆの中央部位
（つまり、渦巻き模様の中央部位）に立設したフェライ
トコアによって薄板状のフェライトコアＦ，Ｆ間を磁気
的接続するように構成してもよい。

【００３２】

【発明の効果】以上のように、請求項１記載のプレーナ
トランスによれば、一次巻線用導体層および二次巻線用
導体層をスパイラル平面における水平および垂直の両方
向において交互に隣り合うように配置したことにより、
近接効果による各導体層における損失を低減することが
できると共に、一次巻線用導体層および二次巻線用導体
層間の係合係数を向上させることができ、これにより、
マイクロ電源などの電源用トランスとして用いた場合
に、その電源装置の変換効率を向上させることができ
る。

【００３３】また、請求項２記載のプレーナトランスに
よれば、両導体層の各々を、それぞれ、垂直方向におい
て少なくとも２段に重ねて配置されたスパイラル状導体
層で構成し、かつ、そのスパイラル平面の中央部位にお
いてスパイラル状導体層の端部同士を接続したことによ
り、両導体層の端部をトランスの外側に位置させること
ができ、これにより、外部導線との接続が容易となる。

【００３４】さらに、請求項３記載のプレーナトランス
によれば、独立した複数のスパイラル状導体層を並列接
続または直列接続することにより、一次巻線と二次巻線
との巻数比を容易に変更することができる。

【００３５】また、請求項４記載のプレーナトランスに
よれば、両導体層を、互いにほぼ同幅に形成し、かつ垂
直方向において隣り合う両導体層同士がその幅方向にお
いて重なり合うように配置したことにより、両導体層間
の結合係数が最も高いプレーナトランスを提供すること
ができる。

【００３６】また、請求項５記載のプレーナトランスに
よれば、両板状磁性体の各々の縁部を磁性体によって互
いに連結させて磁気的に閉鎖したことにより、漏れ磁束
を低減することができ、電源用トランスとして用いた場
合に、電源装置の変換効率をさらに向上させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るプレーナトランス１
を示す図であって、（ａ）は導体パターンＷ１，Ｗ２を
スパイラル平面の垂直方向側から見た概念図、（ｂ）は
プレーナトランス１の断面図である。

【図２】本発明の実施の形態に係るプレーナトランスの
導体パターンＷ，Ｗ間の結合係数を説明するための図で
あって、（ａ）は導体パターンＷの周囲における磁束の
発生状態を示す概念図、（ｂ）は導体パターンＷ，Ｗ間
の水平方向における離間距離Ｌに対する結合係数の関係
を示す特性図である。

【図３】（ａ）はプレーナトランス１における導体パタ
ーンＷ１，Ｗ２間の離間距離を示す配置図、（ｂ）は従
来のプレーナトランス６１における導体パターンＷ１，
Ｗ２間の離間距離を示す配置図である。

【図４】本発明の他の実施の形態に係るプレーナトラン
ス１１を示す図であって、（ａ）は導体パターンＷ１，
Ｗ２１，Ｗ２２をスパイラル平面の垂直方向側から見た
概念図、（ｂ）はプレーナトランス１１の断面図であ
る。

【図５】本発明のさらに他の実施の形態に係るプレーナ
トランス２１の断面図である。

【図６】従来のプレーナトランス５１を示す図であっ
て、（ａ）は導体パターンＷ１，Ｗ２をスパイラル平面
の垂直方向側から見た概念図、（ｂ）はプレーナトラン
ス５１の断面図である。

【図７】従来のプレーナトランス６１を示す図であっ
て、（ａ）は導体パターンＷ１，Ｗ２をスパイラル平面
の垂直方向側から見た概念図、（ｂ）はプレーナトラン
ス６１の断面図である。

【図８】従来のプレーナトランス７１を示す図であっ
て、（ａ）は導体パターンＷ１，Ｗ２をスパイラル平面
の垂直方向側から見た概念図、（ｂ）はプレーナトラン
ス７１の断面図である。

【符号の説明】

１プレーナトランス１１プレーナトランス２１プレーナトランスＦフェライトコアＦ１フェライトコアＨ１スルーホールＨ２スルーホールＨ１１スルーホールＨ１２スルーホールＨ２１スルーホールＨ２２スルーホールＷ１導体パターンＷ２導体パターンＷ１ａ導体パターンＷ１ｂ導体パターンＷ１ｃ導体パターンＷ２ａ導体パターンＷ２ｂ導体パターンＷ２ｃ導体パターンＷ１１ａ導体パターンＷ２１ａ導体パターンＷ２１ｂ導体パターンＷ２２ａ導体パターンＷ２２ｂ導体パターン

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【手続補正書】

【提出日】平成１１年６月４日（１９９９．６．４）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２７】さらに、このプレーナトランス１１では、
一次巻線と二次巻線との巻数比を変更することもでき
る。具体的には、導体パターンＷ２１の端部Ｔ２１ｂと
導体パターンＷ２２の端部Ｔ２２ａとを接続して両導体
パターンＷ２１，Ｗ２２を１つの二次巻線として用いる
ことにより、一次巻線としての導体パターンＷ１と、二
次巻線としての直列接続した導体パターンＷ２１，Ｗ２
２との巻数比が１：１のプレーナトランスを構成するこ
とができる。一方、導体パターンＷ２１の端部Ｔ２１ａ
と導体パターンＷ２２の端部Ｔ２２ｂとを接続し、かつ
導体パターンＷ２１の端部Ｔ２１ｂと導体パターンＷ２
２の端部Ｔ２２ａとをそれぞれ接続して両導体パターン
Ｗ２１，Ｗ２２を１つの二次巻線として用いることによ
り、一次巻線としての導体パターンＷ１と、二次巻線と
しての並列接続した導体パターンＷ２１，Ｗ２２との巻
数比が２：１のプレーナトランスを構成することができ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E043 AA07 AB02 BA01 BA03 5E070 AA11 AB01 AB10 BA11 BA20 CB13 CB17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いにそれぞれ独立したスパイラル状の
一次巻線用導体層および二次巻線用導体層をスパイラル
平面の垂直方向において少なくとも２段に重ねた状態で
対向配置させ、かつ前記両導体層を板状磁性体に挟持さ
せて構成したプレーナトランスにおいて、前記両導体層の一方と他方とが前記スパイラル平面にお
ける水平および垂直の両方向において交互に隣り合うよ
うに配置したことを特徴とするプレーナトランス。
【請求項２】前記両導体層の各々は、それぞれ、前記
垂直方向において少なくとも２段に重ねて配置されたス
パイラル状導体層で構成されると共に、そのスパイラル
平面の中央部位において前記スパイラル状導体層の端部
同士が接続されていることを特徴とする請求項１記載の
プレーナトランス。
【請求項３】前記両導体層の少なくとも一方は、並列
接続または直列接続が可能な独立した複数のスパイラル
状導体層で構成されていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載のプレーナトランス。
【請求項４】前記両導体層は、互いにほぼ同幅に形成
され、かつ前記垂直方向において隣り合う当該両導体層
同士がその幅方向において重なり合うように配置されて
いることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載
のプレーナトランス。
【請求項５】前記両板状磁性体の各々の縁部を磁性体
によって互いに連結させることにより磁気的に閉鎖した
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のプ
レーナトランス。