JP2000058306A - Chip-shaped electronic component - Google Patents

Chip-shaped electronic component

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JP2000058306A
JP2000058306A JP10226733A JP22673398A JP2000058306A JP 2000058306 A JP2000058306 A JP 2000058306A JP 10226733 A JP10226733 A JP 10226733A JP 22673398 A JP22673398 A JP 22673398A JP 2000058306 A JP2000058306 A JP 2000058306A
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Japan
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electronic component
chip
plating
glass frit
main body
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JP10226733A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Kamibayashi
義広 上林
Masanori Endo
正則 遠藤
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a base layer which contains metallic powder but not glass frit, and to prevent plating currents from easily flowing on the outer surface of an electronic component main body at the time of a plating operation for forming an outer layer due to the segregation of the glass frit or the like. SOLUTION: At plating operation for forming an outer layer 5 on an electronic component main body 2, a base layer 4 is formed as a material composition which does not contain glass frit which is insulator preventing a plated growing film 6 from being formed. Thus, the flow of plating currents on the base layer 4 can be guaranteed, and the outer layer 5 can be positively formed on the base layer 4, while the formation of the plated growing layer 6 can be suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、チップ状電子部
品に関するもので、特に、チップ状の電子部品本体の外
表面上に形成される端子電極の形成材料についての改良
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip-shaped electronic component, and more particularly to an improvement in a material for forming a terminal electrode formed on an outer surface of a chip-shaped electronic component body.

【0002】[0002]

【従来の技術】この発明にとって興味あるチップ状電子
部品として、たとえばチップ状の負特性サーミスタ素子
がある。図1には、このようなチップ状の負特性サーミ
スタ素子1の外観が一部破断されて正面図で示されてい
る。
2. Description of the Related Art Chip-shaped electronic components which are of interest to the present invention include, for example, chip-shaped negative characteristic thermistor elements. FIG. 1 is a front view of the chip-shaped negative temperature coefficient thermistor element 1 in a partially broken view.

【0003】負特性サーミスタ素子1は、チップ状の電
子部品本体2と、この電子部品本体2の外表面上であっ
て各端部上に形成される端子電極3とを備えている。
The negative characteristic thermistor element 1 includes a chip-shaped electronic component main body 2 and terminal electrodes 3 formed on the outer surface of the electronic component main body 2 and on each end.

【0004】電子部品本体2は、負特性サーミスタ特性
を与えるセラミック材料をもって構成され、その内部に
は、図示しないが、複数の内部電極が積層状に形成され
ている。これら内部電極は、端子電極3のいずれかに電
気的に接続される。
The electronic component body 2 is made of a ceramic material that gives a negative thermistor characteristic. Inside the electronic component main body 2, a plurality of internal electrodes (not shown) are laminated. These internal electrodes are electrically connected to any of the terminal electrodes 3.

【0005】端子電極3は、通常、金属粉末を含むペー
ストを電子部品本体2の外表面上に付与し焼成すること
によって形成される下地層4と、この下地層4上にめっ
きにより形成される金属膜からなる外皮層5とを備えて
いる。
[0005] The terminal electrode 3 is usually formed by applying a paste containing a metal powder on the outer surface of the electronic component body 2 and baking it, and is formed by plating on the underlayer 4. And a skin layer 5 made of a metal film.

【0006】上述した下地層4を形成するために用いら
れるペーストは、通常、金属粉末に加えて、ガラスフリ
ットを含んでいる。
The paste used for forming the above-described underlayer 4 usually contains glass frit in addition to metal powder.

【0007】また、外皮層5の形成のためのめっきに
は、たとえば、回転バレル法が適用される。すなわち、
下地層4をそれぞれ形成した複数の電子部品本体2を、
導電性のメディアとともに、回転するバレル内に入れ、
めっき液に浸漬した状態とすることによって、めっき操
作が実施される。このとき、バレル内において、メディ
アが下地層4に接触することにより、めっき電流がメデ
ィアを介して下地層4に流れ、それによって、下地層4
上に外皮層5がめっきにより形成される。
For the plating for forming the outer skin layer 5, for example, a rotary barrel method is applied. That is,
The plurality of electronic component bodies 2 each having the underlayer 4 formed thereon are
Put it in a rotating barrel with conductive media,
The plating operation is performed by being immersed in the plating solution. At this time, when the medium contacts the underlayer 4 in the barrel, the plating current flows through the medium to the underlayer 4, whereby the underlayer 4
An outer skin layer 5 is formed thereon by plating.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た外皮層5の形成のためのめっきにおいて、図1に破線
で示すように、外皮層5となるべき領域以外であって、
電子部品本体2の外表面上に、直接、めっき成長膜6が
不所望にも形成されることがある。その原因は、次のと
おりである。
However, in the above-described plating for forming the outer skin layer 5, as shown by a broken line in FIG.
The plating growth film 6 may be undesirably formed directly on the outer surface of the electronic component body 2. The cause is as follows.

【0009】電子部品本体2の少なくとも外表面を構成
する材料は、前述したように、負特性サーミスタ材料で
あり、たとえば2000Ω・cm以下の比抵抗を持つ低
比抵抗セラミック材料、すなわち半導体である。そのた
め、めっき処理時において、電子部品本体2における下
地層4以外の領域にも電流が流れることになる。
As described above, the material constituting at least the outer surface of the electronic component body 2 is a negative thermistor material, for example, a low resistivity ceramic material having a resistivity of 2000 Ω · cm or less, ie, a semiconductor. Therefore, at the time of the plating process, a current also flows to a region other than the base layer 4 in the electronic component body 2.

【0010】他方、下地層4を形成するためのペースト
には、前述したように、絶縁体であるガラスフリットが
含まれている。しかしながら、このガラスフリットは、
ペーストの焼成によって、セラミック表面つまり電極界
面に偏析することがある。セラミック表面つまり電極界
面に偏析したガラスフリットのうち、還元されやすい
(例:Bi2 3 )ガラスフリットは、めっき時、導電
性が高くなり、その結果、セラミック表面に電流が流れ
やすくなる。また、ガラスフリットは、下地層4の表面
側により多く分布する状態に偏析することがある。この
場合には、めっき処理時においてメディアから供給され
る電流は、ガラスフリットの影響で下地層4上に流れに
くくなる。
On the other hand, the paste for forming the underlayer 4 contains glass frit as an insulator as described above. However, this glass frit
The firing of the paste may cause segregation on the ceramic surface, that is, on the electrode interface. Of the glass frit segregated on the ceramic surface, that is, on the electrode interface, the easily reduced (eg, Bi 2 O 3 ) glass frit has high conductivity during plating, and as a result, current easily flows on the ceramic surface. Further, the glass frit may segregate in a state of being more distributed on the surface side of the underlayer 4. In this case, the current supplied from the medium during the plating process hardly flows on the underlayer 4 due to the influence of the glass frit.

【0011】このようなことから、電極とセラミック界
面付近にガラスフリットが存在しない場合、およびガラ
スフリットが下地層4の表面に偏析していない場合に比
べると、電子部品本体2の外表面上により多くの電流が
流れてしまい、その結果、この電子部品本体2の外表面
上において、めっき成長が生じやすくなり、そのため、
めっき成長膜6が形成されてしまうのである。
From the above, as compared with the case where no glass frit exists near the interface between the electrode and the ceramic and the case where the glass frit is not segregated on the surface of the underlayer 4, the outer surface of the electronic component body 2 is more likely to be formed. A large amount of current flows, and as a result, plating growth tends to occur on the outer surface of the electronic component body 2,
The plating growth film 6 is formed.

【0012】上述したように、めっき成長膜6が不所望
にも形成されてしまうと、2つの端子電極3の間での絶
縁抵抗が低下し、また、極端な場合には、これら端子電
極3の間で短絡が生じることがある。その結果、負特性
サーミスタ素子1の場合には、外皮層5を形成するため
のめっき処理の前後における抵抗値の差が大きくなり、
安定性に欠けるという問題がもたらされる。
As described above, if the plating growth film 6 is formed undesirably, the insulation resistance between the two terminal electrodes 3 decreases, and in extreme cases, these terminal electrodes 3 May cause a short circuit. As a result, in the case of the negative temperature coefficient thermistor element 1, the difference in resistance value before and after the plating process for forming the skin layer 5 becomes large,
The problem of lack of stability results.

【0013】特に、このような問題は、図1に示したよ
うに、2つの端子電極3が、電子部品本体2の外表面上
において、各々の端縁を互いに対向させた状態で形成さ
れているとき、より深刻なものとなる。
In particular, such a problem arises as shown in FIG. 1 in that two terminal electrodes 3 are formed on the outer surface of the electronic component body 2 with their edges facing each other. When you are, it becomes more serious.

【0014】従来、このような問題の発生をできるだけ
防止するため、たとえば、電子部品本体2を構成する材
料の比抵抗をより高くしたり、めっき操作時の電流密度
をより低くしたりして、電子部品本体2の外表面への電
流の漏れを抑制し、それによって、電子部品本体2の外
表面上にめっき成長膜6が析出されることを抑制する、
といった対策が講じられている。
Conventionally, in order to prevent such a problem from occurring as much as possible, for example, the specific resistance of the material constituting the electronic component body 2 is increased, or the current density during the plating operation is reduced. Suppressing leakage of current to the outer surface of the electronic component body 2, thereby suppressing deposition of the plating growth film 6 on the outer surface of the electronic component body 2;
Such measures are taken.

【0015】しかしながら、電子部品本体2を構成する
材料の比抵抗をより高くしながら、これを補償するため
に、電子部品本体2全体としての低抵抗化を図ろうとす
る場合には、内部電極の積層数の増加が必要となり、そ
のためのコストアップ、また、静電容量の増大を招く、
という問題を引き起こす。
However, in order to reduce the resistance of the electronic component main body 2 as a whole in order to compensate for this while increasing the specific resistance of the material constituting the electronic component main body 2, the internal electrodes of the electronic component main body 2 are required to have a higher resistance. It is necessary to increase the number of layers, which leads to an increase in cost and an increase in capacitance.
Cause the problem.

【0016】他方、めっき操作時の低電流密度化を図ろ
うとする場合には、めっきに要する時間が長くなり、そ
れによるコストアップを招くとともに、電子部品本体2
を構成するセラミック材料の溶出量が増大するという問
題を引き起こす。
On the other hand, when an attempt is made to reduce the current density during the plating operation, the time required for the plating is lengthened, which leads to an increase in cost and to the electronic component body 2.
This causes a problem that the amount of elution of the ceramic material constituting the material increases.

【0017】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、チップ状電子部品を提供しようと
することである。
An object of the present invention is to provide a chip-shaped electronic component capable of solving the above-mentioned problems.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】この発明は、チップ状の
電子部品本体と、この電子部品本体の外表面上に形成さ
れる端子電極とを備え、電子部品本体の少なくとも外表
面が、たとえば2000Ω・cm以下というように、低
比抵抗セラミック材料からなり、端子電極が、金属を含
むペーストを電子部品本体の外表面上に付与し焼成する
ことによって形成される下地層と、この下地層上にめっ
きにより形成される金属膜からなる外皮層とを備える、
そのようなチップ状電子部品に向けられるものであっ
て、上述した技術的課題を解決するため、下地層が、金
属粉末を含むが、ガラスフリットを含まないことを特徴
としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises a chip-shaped electronic component body and terminal electrodes formed on the outer surface of the electronic component body, and at least the outer surface of the electronic component body has, for example, 2000 Ω. Cm or less such that the terminal electrodes are made of a low-resistivity ceramic material, and the terminal electrodes are formed by applying a paste containing a metal onto the outer surface of the electronic component body and firing the same. Comprising a skin layer made of a metal film formed by plating,
The present invention is directed to such a chip-shaped electronic component, and is characterized in that the underlayer contains a metal powder but does not contain a glass frit in order to solve the above-described technical problem.

【0019】この発明において、好ましくは、下地層
は、金属粉末を含むが、ガラスフリットを含まない、ペ
ーストを付与し焼成することによって形成される。
In the present invention, the underlayer is preferably formed by applying a paste containing a metal powder but not containing a glass frit and firing the paste.

【0020】また、この発明は、負特性サーミスタ素子
に有利に適用され、この場合には、低比抵抗セラミック
材料は、負特性サーミスタ材料である。
Further, the present invention is advantageously applied to a negative characteristic thermistor element. In this case, the low resistivity ceramic material is a negative characteristic thermistor material.

【0021】また、この発明は、複数の端子電極が、電
子部品本体の外表面上において、各々の端縁を互いに対
向させた状態で形成されている、チップ状電子部品に有
利に適用される。
Further, the present invention is advantageously applied to a chip-shaped electronic component in which a plurality of terminal electrodes are formed on the outer surface of the electronic component body with their respective edges facing each other. .

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】この発明の一実施形態を説明する
ためにも、前述した図1を参照する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS For describing one embodiment of the present invention, reference is made to FIG.

【0023】この実施形態に係る負特性サーミスタ素子
1は、下地層4の形成材料に特徴を有するもので、それ
以外の構成については、従来と実質的同様である。
The negative temperature coefficient thermistor element 1 according to this embodiment is characterized by the material for forming the underlayer 4, and the other structure is substantially the same as the conventional one.

【0024】すなわち、負特性サーミスタ素子1は、チ
ップ状の電子部品本体2と、電子部品本体2の外表面上
に形成される端子電極3とを備えている。端子電極3
は、電子部品本体2の各端部上に形成され、2つの端子
電極3は、電子部品本体2の外表面上において、各々の
端縁を互いに対向させた状態となっている。
That is, the negative characteristic thermistor element 1 includes a chip-shaped electronic component main body 2 and terminal electrodes 3 formed on the outer surface of the electronic component main body 2. Terminal electrode 3
Are formed on each end of the electronic component main body 2, and the two terminal electrodes 3 are in a state where their respective edges face each other on the outer surface of the electronic component main body 2.

【0025】電子部品本体2は、たとえば2000Ω・
cm以下の比抵抗を有する低比抵抗セラミック材料、よ
り特定的には、負特性サーミスタ材料をもって構成さ
れ、その内部には、図示しないが、複数の内部電極が積
層状に形成されている。これら内部電極は、端子電極3
のいずれかに電気的に接続される。
The electronic component body 2 is, for example, 2000 Ω ·
A low specific resistance ceramic material having a specific resistance of not more than 1 cm, more specifically, a negative temperature coefficient thermistor material is formed therein, and a plurality of internal electrodes (not shown) are formed in a laminated shape therein. These internal electrodes are terminal electrodes 3
Is electrically connected to any one of

【0026】端子電極3は、金属粉末を含むペーストを
電子部品本体2の外表面上に付与し焼成することによっ
て形成される下地層4と、この下地層4上にめっきによ
り形成される金属膜からなる外皮層5とを備える。
The terminal electrode 3 includes a base layer 4 formed by applying a paste containing a metal powder on the outer surface of the electronic component body 2 and firing the same, and a metal film formed on the base layer 4 by plating. And an outer skin layer 5 comprising:

【0027】この実施形態において、下地層4は、金属
粉末を含むが、ガラスフリットを含まないことを特徴と
している。このように、ガラスフリットを含まないよう
にするため、下地層4を形成するために電子部品本体2
の外表面上に付与され焼成されるペーストとして、金属
粉末を含むが、ガラスフリットを含まないものが用いら
れる。
In this embodiment, the underlayer 4 contains metal powder but does not contain glass frit. As described above, the electronic component main body 2 is formed to form the base layer 4 so as not to include the glass frit.
A paste containing metal powder but not containing glass frit is used as a paste applied on the outer surface of the substrate and fired.

【0028】すなわち、このような下地層4を形成する
ためのペーストは、たとえば、特定の金属粉末とワニス
との混合物によって与えることができ、その焼成温度お
よび焼成時間等の条件を適宜選ぶことにより、このよう
にガラスフリットを含まないペーストをもって、下地層
4となるべき厚膜を形成することができる。
That is, the paste for forming the underlayer 4 can be provided, for example, by a mixture of a specific metal powder and a varnish, and by appropriately selecting conditions such as a firing temperature and a firing time. Thus, a thick film to be the base layer 4 can be formed using the paste containing no glass frit.

【0029】たとえば、上述のペーストが、銀粉末を含
む場合、銀粉末50〜80重量%に対して、ワニスを2
0〜50重量%添加することにより、ペーストを得るこ
とができ、600〜900℃の温度で1〜5時間焼成す
ることにより、下地層4となる厚膜を形成することがで
きる。
For example, when the above-mentioned paste contains silver powder, varnish is added to 50 to 80% by weight of silver powder.
By adding 0 to 50% by weight, a paste can be obtained, and by firing at a temperature of 600 to 900 ° C. for 1 to 5 hours, a thick film to be the base layer 4 can be formed.

【0030】また、ペーストがパラジウム粉末を含む場
合には、パラジウム粉末50〜80重量%に対して、ワ
ニスを20〜50重量%添加することにより、ペースト
を得ることができ、600〜1000℃の温度で1〜5
時間焼成することにより、下地層4となる厚膜を形成す
ることができる。
When the paste contains palladium powder, the paste can be obtained by adding 20 to 50% by weight of a varnish to 50 to 80% by weight of the palladium powder. 1-5 at temperature
By baking for a time, a thick film to be the base layer 4 can be formed.

【0031】また、ペーストが銀粉末およびパラジウム
粉末の双方を含む場合には、銀粉末40〜60重量%お
よびパラジウム粉末20〜30重量%に対して、ワニス
を10〜40重量%添加することにより、ペーストを得
ることができ、600〜1000℃の温度で1〜5時間
焼成することにより、下地層4となる厚膜を形成するこ
とができる。
When the paste contains both silver powder and palladium powder, the varnish is added by 10 to 40% by weight to 40 to 60% by weight of silver powder and 20 to 30% by weight of palladium powder. By baking at a temperature of 600 to 1000 ° C. for 1 to 5 hours, a thick film to be the base layer 4 can be formed.

【0032】また、ペーストが銅粉末を含む場合には、
銅粉末50〜80重量%に対して、ワニスを20〜50
重量%添加することにより、ペーストを得ることがで
き、400〜700℃の温度で1〜5時間焼成すること
により、下地層4となる厚膜を形成することができる。
When the paste contains copper powder,
20 to 50 varnish is added to 50 to 80% by weight of copper powder.
By adding wt%, a paste can be obtained, and by baking at a temperature of 400 to 700 ° C. for 1 to 5 hours, a thick film to be the base layer 4 can be formed.

【0033】また、ペーストがニッケル粉末を含む場合
には、ニッケル粉末50〜80重量%に対して、ワニス
を20〜50重量%添加することにより、ペーストを得
ることができ、400〜900℃の温度で1〜5時間焼
成することにより、下地層4となる厚膜を形成すること
ができる。
When the paste contains nickel powder, the paste can be obtained by adding 20 to 50% by weight of a varnish to 50 to 80% by weight of the nickel powder. By baking at a temperature for 1 to 5 hours, a thick film to be the base layer 4 can be formed.

【0034】このように、下地層4にガラスフリットを
含まないようにすれば、ガラスフリットの偏析によっ
て、めっき電流が電子部品本体2の外表面上に流れやす
くなる現象は生じ得ない。したがって、下地層4上での
めっき電流の良好な流れが保証され、めっき操作時にお
いて、電子部品本体2の外表面上では電流を流れにくく
することができる。そのため、図1に破線で示したよう
なめっき成長膜6が不所望にも形成されることを抑制す
ることができる。
As described above, when the glass frit is not included in the underlayer 4, the phenomenon that the plating current easily flows on the outer surface of the electronic component body 2 due to the segregation of the glass frit cannot occur. Therefore, a favorable flow of the plating current on the underlayer 4 is guaranteed, and the current can be made hard to flow on the outer surface of the electronic component body 2 during the plating operation. Therefore, it is possible to prevent the plating growth film 6 as indicated by the broken line in FIG. 1 from being undesirably formed.

【0035】このようなこの発明による効果を確認する
ため、以下のような実験を実施した。
In order to confirm the effect of the present invention, the following experiment was conducted.

【0036】図1を参照して、負特性サーミスタ素子1
のための電子部品本体2として、比抵抗が約2000Ω
・cmの負特性サーミスタ材料をもって構成され、か
つ、1.6mm×0.8mm×0.8mmの寸法を有す
るものを用意した。
Referring to FIG. 1, negative thermistor element 1
The electronic component body 2 has a specific resistance of about 2000Ω
· A material composed of a negative characteristic thermistor material having a size of 1.6 mm × 0.8 mm × 0.8 mm was prepared.

【0037】この電子部品本体2の両端部に、端子電極
3を形成するため、まず、後述する特定の金属粉末を含
むペーストを電子部品本体2の外表面上に付与し焼成す
ることによって下地層4を形成し、次いで、これら下地
層4上に後述する特定の金属膜からなる外皮層5をめっ
きにより形成した。
In order to form the terminal electrodes 3 at both ends of the electronic component body 2, first, a paste containing a specific metal powder, which will be described later, is applied to the outer surface of the electronic component body 2 and fired to form a base layer. Then, a skin layer 5 made of a specific metal film described later was formed on the underlayer 4 by plating.

【0038】より詳細には、下地層4を形成するための
ペーストとして、以下の表1に示す組成を有するものを
それぞれ用意した。
More specifically, pastes having the compositions shown in Table 1 below were prepared as pastes for forming the underlayer 4.

【0039】[0039]

【表1】 表1からわかるように、実施例1〜5に係る各ペースト
は、特定の金属粉末とワニスとを含むのみで、ガラスフ
リットを含んでいない。他方、比較例1〜5の各々に係
るペーストは、それぞれ、実施例1〜5の各々に係るペ
ーストに対応する組成に加えてガラスフリットをさらに
含んでいる。
[Table 1] As can be seen from Table 1, each paste according to Examples 1 to 5 contains only a specific metal powder and a varnish, and does not contain a glass frit. On the other hand, the paste according to each of Comparative Examples 1 to 5 further includes a glass frit in addition to the composition corresponding to the paste according to each of Examples 1 to 5, respectively.

【0040】上述のような実施例1〜5および比較例1
〜5の各々のペーストを、電子部品本体2の各端部上に
付与し焼成することによって下地層4を形成し、次い
で、これら下地層4上に、ニッケルめっき、錫めっきお
よび半田めっきの各々を、電流密度0.2A/dm2
めっき時間60分で施し、外皮層5を形成した。
Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 as described above
To 5 are applied to each end of the electronic component body 2 and baked to form an underlayer 4. Then, on these underlayers 4, nickel plating, tin plating, and solder plating are applied. With a current density of 0.2 A / dm 2 ,
The coating was performed in a plating time of 60 minutes to form the outer skin layer 5.

【0041】上述しためっき処理を施した後、めっき成
長膜6が電子部品本体2の外表面上に形成されているか
どうかを評価し、めっき成長膜6が形成されているもの
については、図1に示すように、その最大の成長幅Wを
測定した。この成長幅Wの測定結果(単位:μm)が以
下の表2に示されている。
After performing the above-described plating treatment, it is evaluated whether or not the plating growth film 6 is formed on the outer surface of the electronic component body 2. The maximum growth width W was measured as shown in FIG. The measurement results (unit: μm) of the growth width W are shown in Table 2 below.

【0042】[0042]

【表2】 表2において、実施例1〜5の各々と比較例1〜5の各
々とを比較すればわかるように、比較例1〜5のよう
に、ガラスフリットを含む下地層4上にめっきを施した
場合には、比較的大きな成長幅Wを有するめっき成長膜
6が形成されているのに対し、実施例1〜5のように、
ガラスフリットを含まない下地層4上にめっきを施した
場合には、めっき成長膜6は、全くあるいはほとんど形
成されていない。
[Table 2] In Table 2, as can be seen by comparing each of Examples 1 to 5 and each of Comparative Examples 1 to 5, plating was performed on the underlayer 4 containing glass frit as in Comparative Examples 1 to 5. In this case, while the plating growth film 6 having a relatively large growth width W is formed, as in Examples 1 to 5,
When plating is performed on the underlayer 4 containing no glass frit, the plating growth film 6 is not formed or hardly formed.

【0043】上述した実施形態は、図1に示すような負
特性サーミスタ素子1に向けられたものであったが、こ
の発明は、電子部品本体の少なくとも外表面が低比抵抗
セラミック材料からなり、この外表面上に、端子電極
が、ペーストの焼成による下地層とめっきによる外皮層
とをもって形成される、そのようなチップ状電子部品で
あれば、他のチップ状電子部品に対しても有利に適用さ
れる。
Although the above-described embodiment is directed to the negative temperature coefficient thermistor element 1 as shown in FIG. 1, the present invention provides at least the outer surface of the electronic component body made of a low resistivity ceramic material, On this outer surface, a terminal electrode is formed with a base layer formed by sintering a paste and a skin layer formed by plating. Such a chip-shaped electronic component is also advantageous for other chip-shaped electronic components. Applied.

【0044】また、図1では、端子電極3が電子部品本
体2の各端部上に形成されていたが、電子部品本体の外
表面上の他の領域に端子電極が形成されたチップ状電子
部品に対しても、この発明を有利に適用することができ
る。
In FIG. 1, the terminal electrode 3 is formed on each end of the electronic component main body 2. However, a chip-like electronic device in which the terminal electrode is formed in another area on the outer surface of the electronic component main body. The present invention can be advantageously applied to parts.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、電子
部品本体の少なくとも外表面が低比抵抗セラミック材料
からなり、このような電子部品本体の外表面上に形成さ
れる端子電極が、金属粉末を含むペーストを電子部品本
体の外表面上に付与し焼成することによって形成される
下地層と、この下地層上にめっきにより形成される金属
膜からなる外皮層とを備える、そのようなチップ状電子
部品において、下地層が、金属粉末を含むが、ガラスフ
リットを含まないようにされているので、ガラスフリッ
トの偏析等により、外皮層の形成のためのめっき操作時
において、めっき電流が電子部品本体の外表面上に流れ
やすくなることを防止できる。
As described above, according to the present invention, at least the outer surface of the electronic component body is made of a low resistivity ceramic material, and the terminal electrode formed on the outer surface of the electronic component body is An underlayer formed by applying and firing a paste containing a metal powder on the outer surface of the electronic component body, and an outer layer made of a metal film formed by plating on the underlayer, such In the chip-shaped electronic component, the base layer contains the metal powder but does not contain the glass frit.Therefore, during the plating operation for forming the outer skin layer due to segregation of the glass frit, the plating current is reduced. It is possible to prevent the electronic component from easily flowing on the outer surface.

【0046】そのため、低比抵抗である電子部品本体の
外表面上にめっき電流が比較的多く流れることによる電
子部品本体の外表面上でのめっき成長膜の不所望な形成
を抑制することができる。
Therefore, it is possible to suppress an undesired formation of a plating growth film on the outer surface of the electronic component body due to a relatively large plating current flowing on the outer surface of the electronic component body having a low specific resistance. .

【0047】したがって、このようなめっき成長膜によ
るチップ状電子部品の外観不良を防止できるばかりでな
く、めっき成長膜による絶縁抵抗の低下あるいは短絡を
生じにくくすることができる。
Therefore, not only the appearance failure of the chip-shaped electronic component due to such a plated growth film can be prevented, but also the reduction in insulation resistance or short circuit caused by the plated growth film can be suppressed.

【0048】この発明において、下地層を形成するため
に用いられるペーストが、ガラスフリットを含まないよ
うにしておけば、上述したように、ガラスフリットを含
まない下地層を容易に形成することができる。また、ペ
ーストの段階でガラスフリットを含んでいないので、下
地層の形成のための焼成において、ガラスフリットの偏
析を防止するための配慮を払う必要がなく、そのため、
下地層の形成のための焼成工程を容易に進めることがで
きる。
In the present invention, if the paste used to form the underlayer does not contain glass frit, the underlayer without glass frit can be easily formed as described above. . Also, since no glass frit is contained at the stage of the paste, it is not necessary to pay attention to prevent segregation of the glass frit in firing for forming the underlayer, and therefore,
The baking process for forming the underlayer can easily proceed.

【0049】また、電子部品本体を構成する低比抵抗セ
ラミック材料として負特性サーミスタ材料を用い、この
発明が負特性サーミスタ素子に向けられるとき、不所望
なめっき成長膜の形成による抵抗のばらつきを防止でき
るので、安定した品質をもって負特性サーミスタ素子を
製造することができる。
Further, a negative characteristic thermistor material is used as the low specific resistance ceramic material constituting the electronic component body, and when the present invention is applied to a negative characteristic thermistor element, resistance variation due to formation of an undesired plating growth film is prevented. Therefore, a negative temperature coefficient thermistor element can be manufactured with stable quality.

【0050】また、複数の端子電極が、電子部品本体の
外表面上において、各々の端縁を互いに対向させた状態
で形成されているとき、めっき成長膜の不所望な形成
が、絶縁抵抗の低下や短絡をよりもたらしやすい状況に
置かれるので、この発明の上述したような効果がより有
意義に発揮される。
Further, when a plurality of terminal electrodes are formed on the outer surface of the electronic component body with their edges facing each other, undesired formation of the plated growth film causes the insulation resistance to decrease. The above-described effects of the present invention are more meaningfully exhibited because the situation is more likely to cause a drop or a short circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明にとって興味あるチップ状電子部品の
一例としての負特性サーミスタ素子1の外観を一部破断
して示す正面図であり、この発明の一実施形態およびこ
の発明が解決しようとする課題をそれぞれ説明するため
のものである。
FIG. 1 is a partially cutaway front view showing the appearance of a negative characteristic thermistor element 1 as an example of a chip-shaped electronic component of interest to the present invention. One embodiment of the present invention and the present invention are to be solved It is for explaining each problem.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 負特性サーミスタ素子(チップ状電子部品) 2 電子部品本体 3 端子電極 4 下地層 5 外皮層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Negative thermistor element (chip-shaped electronic component) 2 Electronic component main body 3 Terminal electrode 4 Underlayer 5 Outer layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E028 BA23 BB10 CA02 JC01 JC02 JC03 JC06 JC12 5E032 BA23 BB01 BB10 CA02 CC06 CC14 5E033 AA42 BC01 BD01 BG03 BG08 BH02 5E034 BB01 DC01 DC03 DC05 DC09 DE16  ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page F term (reference) 5E028 BA23 BB10 CA02 JC01 JC02 JC03 JC06 JC12 5E032 BA23 BB01 BB10 CA02 CC06 CC14 5E033 AA42 BC01 BD01 BG03 BG08 BH02 5E034 BB01 DC01 DC03 DC05 DC09 DE16

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チップ状の電子部品本体と、前記電子部
品本体の外表面上に形成される端子電極とを備え、 前記電子部品本体の少なくとも外表面は、低比抵抗セラ
ミック材料からなり、 前記端子電極は、金属粉末を含むペーストを前記電子部
品本体の外表面上に付与し焼成することによって形成さ
れる下地層と、前記下地層上にめっきにより形成される
金属膜からなる外皮層とを備え、 前記下地層は、前記金属粉末を含むが、ガラスフリット
を含まないことを特徴とする、チップ状電子部品。
1. An electronic component body comprising: a chip-shaped electronic component main body; and a terminal electrode formed on an outer surface of the electronic component main body, wherein at least an outer surface of the electronic component main body is made of a low resistivity ceramic material. The terminal electrode includes a base layer formed by applying and firing a paste containing a metal powder on the outer surface of the electronic component body, and a skin layer made of a metal film formed by plating on the base layer. The chip-like electronic component, wherein the underlayer contains the metal powder but does not contain glass frit.
【請求項2】 前記下地層は、前記金属粉末を含むが、
ガラスフリットを含まない、ペーストを付与し焼成する
ことによって形成される、請求項1に記載のチップ状電
子部品。
2. The underlayer containing the metal powder,
The chip-shaped electronic component according to claim 1, wherein the chip-shaped electronic component is formed by applying and firing a paste that does not include a glass frit.
【請求項3】 前記低比抵抗セラミック材料は、負特性
サーミスタ材料である、請求項1または2に記載のチッ
プ状電子部品。
3. The chip-shaped electronic component according to claim 1, wherein the low resistivity ceramic material is a negative temperature coefficient thermistor material.
【請求項4】 複数の前記端子電極が、前記電子部品本
体の外表面上において、各々の端縁を互いに対向させた
状態で形成されている、請求項1ないし3のいずれかに
記載のチップ状電子部品。
4. The chip according to claim 1, wherein the plurality of terminal electrodes are formed on the outer surface of the electronic component main body with their respective edges facing each other. Electronic components.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266457A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Tdk Corp Ceramic electronic component

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