JP2000047043A - Filter insertion type waveguide device and its production - Google Patents
Filter insertion type waveguide device and its productionInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は光通信あるいは光情
報処理用の光部品に関するものであり、さらに詳しくは
シリコン基板上に形成された石英系光導波路を用いたフ
ィルタ挿入型導波路デバイス、(特にフィルタ反射型光
合分波器)に関するものである。さらに、本発明はその
ようなフィルタ挿入型導波路デバイス、(特にフィルタ
反射型光合分波器)の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical component for optical communication or information processing, and more particularly, to a filter insertion type waveguide device using a silica-based optical waveguide formed on a silicon substrate. In particular, the present invention relates to a filter reflection type optical multiplexer / demultiplexer. Further, the present invention relates to a method for manufacturing such a filter insertion type waveguide device, particularly a filter reflection type optical multiplexer / demultiplexer.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、石英系プレーナ光波回路(以下、
PLCと略す)上にレーザダイオード(以下、LDと略
す)やフォトダイオード(以下、PDと略す)を半田を
用いて接着固定するPLCハイブリッド集積技術を用い
て、加入者用の光送受信モジュールが作製報告されてい
る(例えば、井上、山田、柳澤、福田、内田、松井、堀
口、“PLCハイブリッド集積型WDM光送受信モジュ
ール”、NTT R&D、vol.46,No.5,p
p.473−386,1997)。その構成を図12に
示す。図12のモジュールはSi基板1上に導波路層2
を設け、導波路層2は第1の入出力導波路3、第2の入
出力導波路4および導波路5を含む。導波路5はY分岐
6により分岐して一方の導波路6aが送信用LD7に他
方の導波路6bが受信用PD9にそれぞれ対向してい
る。送信用LD7、モニターPD8および受信用PD9
はぞれぞれガラスの除去されたLD/PD搭載部10上
に配置されている。電気配線11,12が送信用LD7
および受信用PD9にそれぞれ接続している。導波路層
2とSi基板1には第1および第2の入出力導波路3,
4および導波路5を隔てるように溝13が設けられてお
り、この溝13内に誘電体多層膜フィルタ14が接着剤
(図示しない)で固定されている。第1の入出力導波路
3はコモンポート15に、第2の入出力導波路4は1.
55ポート16にそれぞれ接続されている。Si基板お
よび導波路層2の端面はファイバアレイ18の端面に当
接している。ファイバアレイ18には1.31/1.5
5μm光が伝搬される第1のファイバ19と1.55μ
m光が伝搬される第2のファイバ20が第1および第2
の入出力導波路3,4にそれぞれ当接している。2. Description of the Related Art In recent years, a quartz-based planar lightwave circuit (hereinafter, referred to as a "planar wave circuit")
An optical transceiver module for subscribers is manufactured using a PLC hybrid integrated technology in which a laser diode (hereinafter abbreviated as LD) or a photodiode (hereinafter abbreviated as PD) is bonded and fixed on a PLC using a solder. (Eg, Inoue, Yamada, Yanagisawa, Fukuda, Uchida, Matsui, Horiguchi, “PLC hybrid integrated WDM optical transceiver module”, NTT R & D, vol. 46, No. 5, p.
p. 473-386, 1997). FIG. 12 shows the configuration. The module shown in FIG.
The waveguide layer 2 includes a first input / output waveguide 3, a second input / output waveguide 4, and a waveguide 5. The waveguide 5 is branched by a Y-branch 6, and one waveguide 6a faces the transmitting LD 7 and the other waveguide 6b faces the receiving PD 9, respectively. LD7 for transmission, monitor PD8 and PD9 for reception
Each is disposed on the LD / PD mounting unit 10 from which the glass has been removed. Electrical wiring 11 and 12 are LD7 for transmission
And the receiving PD 9. The waveguide layer 2 and the Si substrate 1 have first and second input / output waveguides 3,
A groove 13 is provided so as to separate the waveguide 4 and the waveguide 5, and a dielectric multilayer filter 14 is fixed in the groove 13 with an adhesive (not shown). The first input / output waveguide 3 is connected to the common port 15, and the second input / output waveguide 4 is connected to the common port 15.
They are connected to 55 ports 16 respectively. The end faces of the Si substrate and the waveguide layer 2 are in contact with the end faces of the fiber array 18. 1.31 / 1.5 for fiber array 18
The first fiber 19 through which 5 μm light propagates and 1.55 μm
m light propagates through the first and second fibers 20
, Respectively.
【0003】このモジュールでは、コモンポート15か
ら入射された1.55μm光は、誘電体多層膜フィルタ
14により反射されて1.55μmポート16から出力
される。1.31μm光と1.55μm光を合分波する
素子はフィルタ反射型光波長合分波器として、Y.In
oue,T.Oguchi,Y.Hibino,S.S
uzuki,M.Yanagisawa,K.Mori
waki,and Y.Yamada,“Filter
−embedded wavelength−divi
sion multiplexer for hybr
id−integrated transceiver
based on silica−based PL
C,”IEE Electron Lett.,Vo
l.32,No.9,pp.847−848,Apr.
1996に報告されている。図12に示す光部品は将来
の加入者用光送受信モジュールとしてその重要性が高ま
っている。In this module, 1.55 μm light incident from the common port 15 is reflected by the dielectric multilayer filter 14 and output from the 1.55 μm port 16. An element for multiplexing / demultiplexing 1.31 μm light and 1.55 μm light is a filter reflection type optical wavelength multiplexer / demultiplexer. In
oue, T .; Oguchi, Y .; Hibino, S.M. S
uzuki, M .; Yanagisawa, K .; Mori
Waki, and Y. Yamada, “Filter
-Embedded wavelength-div
sion multiplexer for hybr
id-integrated transceiver
based on silica-based PL
C, "IEEE Electron Lett., Vo.
l. 32, no. 9, pp. 847-848, Apr.
1996. The importance of the optical component shown in FIG. 12 as a future optical transmission / reception module for subscribers is increasing.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図12に示す光送受信
モジュールでは、フィルタ反射型光波長合分波器を作製
するために導波路作製後、ダイシングソーを用いて溝加
工を行っていた。一般に、ダイシングソーで溝加工をす
る場合、サンプルの材質によりブレード(ダイシングソ
ーの歯)の摩耗量が大きく変化する。石英系ガラスはシ
リコンに比べてブレードの摩耗量が著しく大きい。この
ため、図12に示す溝を加工するとブレードの摩耗が大
きく、数多くのサンプルを作製することが難しい。従っ
て、本発明の課題は、溝加工時のブレードの摩耗を抑制
し得る、大量生産に適したフィルタ挿入型導波路デバイ
スとその製造方法を提供することである。In the optical transmitting / receiving module shown in FIG. 12, a groove is formed by using a dicing saw after a waveguide is manufactured in order to manufacture a filter reflection type optical wavelength multiplexer / demultiplexer. Generally, when a groove is formed with a dicing saw, the amount of wear of the blade (the teeth of the dicing saw) greatly changes depending on the material of the sample. Quartz glass has a remarkably large blade wear compared to silicon. For this reason, when the grooves shown in FIG. 12 are machined, the wear of the blade is large, and it is difficult to manufacture many samples. Accordingly, an object of the present invention is to provide a filter insertion type waveguide device suitable for mass production and capable of suppressing abrasion of a blade during groove processing, and a method of manufacturing the same.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、溝加工する位置の石英系ガラスをあらか
じめ例えば反応性イオンエッチング(RIE)により除
去しておく。これにより、ブレードが切削するガラスの
量が減少するため、ブレードの摩耗が抑制できる。ま
た、石英ガラスの除去を必須工程として含む光送受信モ
ジュールの場合、このガラスの除去が付加的なプロセス
としてではなく、光送受信モジュールを作製する工程の
一部を兼ねることにより作製工程の負担を増加させるこ
となく石英系ガラスの除去を実現する。As a means for solving the above-mentioned problems, a quartz glass at a position where a groove is to be formed is removed in advance by, for example, reactive ion etching (RIE). Accordingly, the amount of glass cut by the blade is reduced, so that wear of the blade can be suppressed. In addition, in the case of an optical transceiver module that includes the removal of quartz glass as an essential step, the removal of this glass is not an additional process, but also serves as a part of the process of fabricating the optical transceiver module, thereby increasing the burden on the fabrication process. The removal of the quartz-based glass is realized without causing the removal.
【0006】すなわち、請求項1記載の発明に係るフィ
ルタ挿入型導波路デバイスは、シリコン基板上に形成さ
れた石英系ガラス光導波路と、前記石英系ガラス光導波
路を横切って形成された溝と、前記溝に挿入された誘電
体多層膜フィルタと、前記誘電体多層膜フィルタを前記
溝に固定するための樹脂とから構成されるフィルタ挿入
型導波路デバイスにおいて、前記溝に沿い前記石英系ガ
ラス光導波路のコアおよびその近傍のガラス以外のガラ
スが除去されていることを特徴とする。That is, the filter insertion type waveguide device according to the first aspect of the present invention provides a quartz glass optical waveguide formed on a silicon substrate, and a groove formed across the quartz glass optical waveguide. In a filter insertion type waveguide device comprising a dielectric multilayer filter inserted in the groove and a resin for fixing the dielectric multilayer filter in the groove, the quartz glass optical waveguide is formed along the groove. It is characterized in that glass other than the core of the waveguide and the glass in the vicinity thereof has been removed.
【0007】請求項2記載の発明に係るフィルタ挿入型
導波路デバイスは、請求項1記載のフィルタ挿入型導波
路デバイスにおいて、前記ガラスが除去される部分のシ
リコン基板上に凸部が形成されていることを特徴とす
る。According to a second aspect of the present invention, there is provided the filter insertion type waveguide device according to the first aspect, wherein a projection is formed on a portion of the silicon substrate where the glass is removed. It is characterized by being.
【0008】請求項3記載の発明に係るフィルタ挿入型
導波路デバイスは、請求項1または2に記載のフィルタ
挿入型導波路デバイスにおいて、前記ガラス除去部の先
端形状が鋭角になっていることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided the filter insertion type waveguide device according to the first or second aspect, wherein the shape of the tip of the glass removing portion is an acute angle. Features.
【0009】請求項4記載の発明に係るフィルタ挿入型
導波路デバイスの製造方法は、シリコン基板上に石英系
ガラス光導波路を形成し、前記石英系ガラス光導波路を
横切って溝を形成し、前記溝に誘電体多層膜フィルタを
挿入し、前記誘電体多層膜フィルタを前記溝に樹脂で固
定するフィルタ挿入型導波路デバイスの製造方法におい
て、前記溝に沿い前記石英系ガラス光導波路のコアおよ
びその近傍のガラス以外のガラスを除去する工程を備え
ることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a filter insertion type waveguide device, a quartz glass optical waveguide is formed on a silicon substrate, and a groove is formed across the quartz glass optical waveguide. In a method of manufacturing a filter insertion type waveguide device in which a dielectric multilayer filter is inserted into a groove and the dielectric multilayer filter is fixed to the groove with a resin, the core of the silica-based glass optical waveguide along the groove and the core thereof are provided. The method is characterized by including a step of removing glass other than glass in the vicinity.
【0010】請求項5記載の発明に係るフィルタ挿入型
導波路デバイスの製造方法は、請求項4記載のフィルタ
挿入型導波路デバイスの製造方法において、ハイブリッ
ド集積型光モジュール内に作製されるフィルタ挿入型導
波路デバイスの製造において、光素子搭載用の基板凸部
を形成する際に同時に前記ガラス除去部に対応した領域
に基板凸部を形成する工程と、光素子搭載部形成のため
のガラス除去を行う際に同時にフィルタ挿入用溝に沿っ
てガラス除去部を形成する工程とを備えることを特徴と
する。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a filter insertion type waveguide device according to the fourth aspect, wherein the filter insertion manufactured in the hybrid integrated optical module is provided. Forming a substrate convex portion for mounting an optical element and simultaneously forming a substrate convex portion in a region corresponding to the glass removing portion in the manufacture of the optical waveguide device; and removing glass for forming the optical element mounting portion. And forming a glass removing portion along the filter insertion groove at the same time as performing the above.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】本発明は、導波路の途中に溝を設
けてこの溝にフィルタを挿入するフィルタ挿入型導波路
デバイスに広く適用できるが、ハイブリッド集積型光モ
ジュール内に作製されるフィルタ挿入型導波路デバイス
に適用するのが特に有効である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention can be widely applied to a filter insertion type waveguide device in which a groove is provided in the middle of a waveguide and a filter is inserted into the groove. It is particularly effective to apply to an insertion type waveguide device.
【0012】以下に、図面を参照しながら本発明をフィ
ルタ反射型光合分波器に適用した場合について具体的に
説明するが、本発明はこれに限定されることなく、一般
にフィルタ挿入型導波路デバイスに広く適用できること
はもちろんである。Hereinafter, a case where the present invention is applied to a filter reflection type optical multiplexer / demultiplexer will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to this, and a filter insertion type waveguide is generally used. Of course, it can be widely applied to devices.
【0013】本発明のフィルタ挿入型導波路デバイスお
よびその製造方法は、上述の溝加工をダイシングソーで
行う際のブレード摩耗を抑制すると共にブレードにかか
る負荷を低減することを目的としている。上記溝は光の
放射損失を抑制するため、幅が20μm、深さが150
μmときわめて細い。よって、使用するブレードの厚み
はきわめて薄い。このため、薄いブレードにかかる負荷
により溝の形状が変形することが問題である。一方、石
英系ガラスはシリコンに比べて強度が高くブレードに与
える負荷が大きい。実際にシリコンと石英系ガラスにそ
れぞれ溝加工した場合の、延べ溝加工長さ(m)と溝幅
(μm)の関係を図1に示す。石英系ガラスを加工した
場合、ブレードが急速に摩耗することが分かる。すなわ
ち、溝加工を行う場合、加工にかかる石英系ガラスの量
を低減することによりブレードの負荷を低減できること
が分かる。It is an object of the present invention to suppress abrasion of a blade and reduce a load applied to the blade when the above groove processing is performed by a dicing saw. The groove has a width of 20 μm and a depth of 150 μm to suppress radiation loss of light.
It is extremely thin with μm. Therefore, the thickness of the blade used is extremely small. For this reason, there is a problem that the shape of the groove is deformed by a load applied to the thin blade. On the other hand, quartz-based glass has higher strength than silicon and exerts a large load on the blade. FIG. 1 shows the relationship between the total groove processing length (m) and the groove width (μm) when grooves are actually formed in silicon and quartz glass. It can be seen that the blade wears rapidly when the quartz glass is processed. That is, it can be seen that when performing groove processing, the load on the blade can be reduced by reducing the amount of quartz-based glass required for processing.
【0014】図2は本発明のフィルタ反射型光合分波器
を用いたWDM光送受信モジュールを示す斜視図であ
る。図3は図2のAA′線に沿った拡大断面図、図4は
図2のBB′線に沿った拡大断面図、図5は図2のC
C′線に沿った拡大断面図、図6は図2のDD′線に沿
った拡大断面図である。FIG. 2 is a perspective view showing a WDM optical transmission / reception module using the filter reflection type optical multiplexer / demultiplexer of the present invention. 3 is an enlarged sectional view taken along line AA 'in FIG. 2, FIG. 4 is an enlarged sectional view taken along line BB' in FIG. 2, and FIG.
FIG. 6 is an enlarged sectional view taken along line DD 'of FIG. 2.
【0015】図2に示す本発明のWDM光送受信モジュ
ールの構成は図12に示す従来の光送受信モジュールと
大部分共通しており、同じまたは同等の部材には同じ符
号を付してある。本発明のWDM光送受信モジュールで
は溝13は基板上の凸部であるSiテラス21のほぼ中
心に設けられている。溝13の両側面に対向する導波路
層2の端部22は一部を除いてSiテラス21の頂部に
は存在しないため、突出部23が形成されている。すな
わち、溝13の長さ方向において、導波路のコア部とそ
の近傍領域を除くその他の領域で一定幅でガラスが除去
されてSiテラス21が露出している。ここで、このガ
ラスが除去される幅は、溝加工時のブレードがかからな
い程度に大きければよい。The configuration of the WDM optical transmitting / receiving module of the present invention shown in FIG. 2 is almost common to the conventional optical transmitting / receiving module shown in FIG. 12, and the same or equivalent members are denoted by the same reference numerals. In the WDM optical transmission / reception module of the present invention, the groove 13 is provided substantially at the center of the Si terrace 21 which is a projection on the substrate. Since the end 22 of the waveguide layer 2 opposed to both side surfaces of the groove 13 is not present on the top of the Si terrace 21 except for a part, the protrusion 23 is formed. That is, in the longitudinal direction of the groove 13, the glass is removed with a constant width in other regions except for the core portion of the waveguide and its neighboring region, and the Si terrace 21 is exposed. Here, the width from which the glass is removed may be large enough to prevent the blade from being applied during the groove processing.
【0016】図3に示すように、図2のAA′線に沿っ
た断面では、導波路層2は下部クラッド層24、第2下
部クラッド層25および上部クラッド層26からなり、
下部クラッド層24とSiテラス21の頂面とは同じ高
さであり、溝13に誘電体多層膜フィルタ14を挿入し
た残りの空隙とガラス除去部(露出テラス面と第2下部
クラッド層25および上部クラッド層26の合計高さに
よって規定される空間から誘電体多層膜フィルタの占め
る部分を除いた空間)とを接着剤27で埋めて誘電体多
層膜フィルタ14を固定してある。テラス21の露出幅
Wは、モジュール作製時の溝加工でブレードにかかる負
荷が大きくなり過ぎず、安定した品質のモジュールが得
られる大きさであればよい。As shown in FIG. 3, in the cross section taken along the line AA 'in FIG. 2, the waveguide layer 2 comprises a lower cladding layer 24, a second lower cladding layer 25, and an upper cladding layer 26.
The lower cladding layer 24 and the top surface of the Si terrace 21 are at the same height, and the remaining gap and the glass removing portion (the exposed terrace surface and the second lower cladding layer 25 and The space defined by the total height of the upper cladding layer 26 and the space excluding the portion occupied by the dielectric multilayer filter) is filled with an adhesive 27 to fix the dielectric multilayer filter 14. The exposure width W of the terrace 21 may be any size as long as the load applied to the blade during the groove processing during module production does not become too large and a module of stable quality can be obtained.
【0017】図4に示すように、図2のBB′線に沿っ
た断面では、Siテラス21は設けられておらず、導波
路層2の端面22は溝13の側面13aと同一面を形成
している(図7(b)および図8の符号24a参照)。As shown in FIG. 4, in the section taken along the line BB 'in FIG. 2, the Si terrace 21 is not provided, and the end face 22 of the waveguide layer 2 forms the same plane as the side face 13a of the groove 13. (See FIG. 7B and reference numeral 24a in FIG. 8).
【0018】図5に示すように、露出したSiテラス2
1を通る、図2のCC′線に沿った断面では、導波路層
2の突出部23は下部クラッド層24,第2下部クラッ
ド層25、上部クラッド層26および上部クラッド層2
6に埋設されたコア28からなる。すなわち、コア28
とその近傍の導波路層(下部クラッド層24、第2下部
クラッド層25および上部クラッド層26)のみ導波路
層を構成するガラスが存在し、両側はSi基板1と同物
質のSiテラス21が露出している。突出部23の溝1
3の長さ方向に沿った長さLは光の伝搬損失を考慮して
50μm以上にする必要がある。As shown in FIG. 5, the exposed Si terrace 2
2, the projection 23 of the waveguide layer 2 includes a lower cladding layer 24, a second lower cladding layer 25, an upper cladding layer 26, and an upper cladding layer 2.
6 comprises a core 28 embedded therein. That is, the core 28
And only the waveguide layers (the lower cladding layer 24, the second lower cladding layer 25, and the upper cladding layer 26) in the vicinity thereof have a glass constituting a waveguide layer, and a Si terrace 21 of the same material as the Si substrate 1 is present on both sides. It is exposed. Groove 1 of protrusion 23
The length L along the length direction of 3 needs to be 50 μm or more in consideration of the propagation loss of light.
【0019】図6に示すように、図2のDD′線に沿っ
た断面では、受信用PD9は電気配線および半田11a
を介してSiテラス21と下部クラッド層24上に搭載
されている。ここには図示しないが、送信用LD7とモ
ニターPD8も同様に電気配線および半田11aを介し
てSiテラス21と下部クラッド層24上に搭載されて
いる。すなわち、図2のLD/PD搭載部10はSiテ
ラス21と下部クラッド層24の上に電気配線および半
田を設けたものである。As shown in FIG. 6, in the section taken along the line DD 'in FIG. 2, the receiving PD 9 includes the electric wiring and the solder 11a.
Are mounted on the Si terrace 21 and the lower cladding layer 24 through the intermediary. Although not shown here, the transmission LD 7 and the monitor PD 8 are also mounted on the Si terrace 21 and the lower cladding layer 24 via the electrical wiring and the solder 11a. That is, the LD / PD mounting unit 10 of FIG. 2 is one in which electric wiring and solder are provided on the Si terrace 21 and the lower cladding layer 24.
【0020】つぎに、図7(a)〜(f)および図8を
参照して図2のWDM光送受信モジュールの作製方法に
ついて簡単に説明する。まず、平坦なシリコン基板1を
パターン化して、基板上の凸部としてのSiテラス2
1、すなわちLD/PD搭載部(図2の符号10)用S
iテラス21aおよび溝加工部用Siテラス21b、以
外の部分を一定の深さ(例えば約30μm)にエッチン
グする。この上に下部クラッド層24となるガラス層を
火炎堆積法で形成する(図7(a))。この後、Siテ
ラス21a,21bのシリコンが表面に露出するまで平
坦化研磨を行う(図7(b))。この研磨面29がLD
/PDを実装する場合の導波路に対する高さ基準面にな
る。この状態での上面図を図8に示す。図8に示すよう
に、Siテラス21aの頂部はシリコン露出部21cで
あり、LD/PD搭載部のスペースとなる。溝加工部に
相当する部分はその一部にSiテラス21bが存在せ
ず、Siテラス21bの頂部に相当するシリコン露出部
21dは上述の研磨面(基準面)29まで存在する下部
クラッド層24により分離されている。すなわち、下部
クラッド層24は幅Lのブリッジ24aで連絡してい
る。Lの値は上述の通りである。続いて、高さ調整層と
なる第2下部クラッド層25、そしてコア層28aを例
えば約7μm堆積する(図7(c))。コア層28aを
導波路パターンにエッチング加工してコア28を形成し
た後、上部クラッド層26を堆積する。コア28はSi
テラス21bを越え、Siテラス21aの直前まで延び
ている(図7(d))。ここでは、すべてクラッド層お
よびコア層の堆積は火炎堆積法を用いた。引き続き、L
D/PD搭載部10(図8の21c)および溝加工部
(図8の21d)のシリコンが再度露出するまでガラス
をエッチングし、LD/PDの電極配線および搭載用半
田11aを堆積する(図7(e))。Next, a method of manufacturing the WDM optical transceiver module shown in FIG. 2 will be briefly described with reference to FIGS. 7 (a) to 7 (f) and FIG. First, a flat silicon substrate 1 is patterned to form a Si terrace 2 as a projection on the substrate.
1, ie, S for LD / PD mounting unit (10 in FIG. 2)
The portions other than the i terrace 21a and the grooved portion Si terrace 21b are etched to a certain depth (for example, about 30 μm). A glass layer serving as the lower cladding layer 24 is formed thereon by a flame deposition method (FIG. 7A). Thereafter, flattening polishing is performed until silicon on the Si terraces 21a and 21b is exposed on the surface (FIG. 7B). This polished surface 29 is LD
/ PD is the height reference plane for the waveguide when mounting. FIG. 8 shows a top view in this state. As shown in FIG. 8, the top of the Si terrace 21a is a silicon exposed portion 21c, which is a space for the LD / PD mounting portion. The portion corresponding to the grooved portion does not have the Si terrace 21b in a part thereof, and the silicon exposed portion 21d corresponding to the top of the Si terrace 21b is formed by the lower clad layer 24 existing up to the polished surface (reference surface) 29 described above. Are separated. That is, the lower cladding layers 24 are connected by bridges 24a having a width L. The value of L is as described above. Subsequently, a second lower cladding layer 25 serving as a height adjusting layer and a core layer 28a are deposited, for example, to about 7 μm (FIG. 7C). After the core layer 28a is etched into a waveguide pattern to form the core 28, the upper clad layer 26 is deposited. The core 28 is made of Si
It extends beyond the terrace 21b to just before the Si terrace 21a (FIG. 7D). Here, the flame deposition method was used for depositing all of the cladding layer and the core layer. Then, L
The glass is etched until the silicon of the D / PD mounting portion 10 (21c in FIG. 8) and the groove processing portion (21d in FIG. 8) are exposed again, and the electrode wiring of the LD / PD and the mounting solder 11a are deposited (FIG. 7 (e)).
【0021】最後に、誘電体多層膜フィルタを挿入する
ための溝13を加工し(図7(f))、その溝13に誘
電体多層膜フィルタを挿入し、接着剤で固定すると図2
に示す光送受信モジュールとなる。Finally, a groove 13 for inserting the dielectric multilayer filter is formed (FIG. 7 (f)), and the dielectric multilayer filter is inserted into the groove 13 and fixed with an adhesive.
The optical transmitting and receiving module shown in FIG.
【0022】図9に本発明の第2の実施形態によるWD
M光送受信モジュールを示す。本実施形態では、溝加工
部の石英系ガラスを除去するパターンとして矩形ではな
く、先端を鋭角にしていることが図2に示すWDM光送
受信モジュールの構成と異なる。すなわち、突出部23
aは台形をしており、この上底(先端側)の長さL1が
下底(基底側)の長さL2よりも小さく(L1<L2)
してある。FIG. 9 shows a WD according to a second embodiment of the present invention.
3 shows an M optical transmitting / receiving module. This embodiment differs from the configuration of the WDM optical transmitting and receiving module shown in FIG. 2 in that the pattern for removing the silica-based glass in the groove processing portion is not rectangular but has an acute-angled tip. That is, the protrusion 23
a has a trapezoidal shape, and the length L1 of the upper base (tip side) is smaller than the length L2 of the lower base (base side) (L1 <L2).
I have.
【0023】図10に本発明の第3の実施形態による、
LD/PDを含んでいない導波路に誘電体多層膜フィル
タが挿入された導波路型フィルタモジュールの例を示
す。図2に示す部材と同じまたは同等の部材は同じ符号
を付し、詳細な説明は省略した。図10において、30
は1.31ポート、31はファイバアレイ、32は1.
31μm光が伝搬される第3のファイバである。このモ
ジュールでは、コモンポート15より第1の入出力導波
路を伝搬する1.31/1.55μm混合光は誘電体多
層膜フィルタ14により1.55μm光が反射され、反
射光は1.55ポートから第2のファイバを通って伝搬
し、誘電体多層膜フィルタ14を透過した1.31μm
光は1.31ポート30を経て第3のファイバ32より
外部に取り出されるようになっている。本実施形態では
LD/PD搭載用のSiテラスは必要ないので、フィル
タ搭載部(溝加工部)にもSiテラスは設けられておら
ず、図10に示すように導波路はSi基板の平坦な面に
形成されている。そして、導波路を横断する溝13に誘
電体多層膜フィルタ14が挿入され、該フィルタ周辺部
の石英ガラスが図2に示すモジュールの場合と同様に除
去されている。FIG. 10 shows a third embodiment of the present invention.
An example of a waveguide-type filter module in which a dielectric multilayer filter is inserted into a waveguide that does not include an LD / PD will be described. Members that are the same as or equivalent to those shown in FIG. 2 are given the same reference numerals, and detailed description is omitted. In FIG. 10, 30
Is 1.31 port, 31 is fiber array, 32 is 1.
This is a third fiber through which 31 μm light propagates. In this module, 1.31 / 1.55 μm mixed light propagating through the first input / output waveguide from the common port 15 is reflected by the dielectric multilayer filter 14 at 1.55 μm, and the reflected light is reflected at 1.55 port. 1.31 μm which propagated through the second fiber and passed through the dielectric multilayer filter 14
The light is taken out from the third fiber 32 through the 1.31 port 30. In this embodiment, the Si terrace for mounting the LD / PD is not required, so that the filter mounting portion (grooved portion) is not provided with a Si terrace, as shown in FIG. Formed on the surface. Then, a dielectric multilayer filter 14 is inserted into the groove 13 traversing the waveguide, and the quartz glass around the filter is removed as in the case of the module shown in FIG.
【0024】本実施形態の導波路型フィルタモジュール
の作製工程を図11(a)〜(e)に示す。Si基板1
上に下部クラッド層24を形成し(図11(a))、下
部クラッド層24上にコア層28を形成し(図11
(b))、さらにこの上に上部クラッド層26を形成し
て、Si基板1、下部クラッド層24、コア層28aお
よび上部クラッド層26からなる石英ガラス導波路を形
成し(図11(c))する。ついで、誘電体多層膜フィ
ルムを搭載すべき部分、すなわち溝加工部分の領域の石
英ガラス導波路層をSi基板1が露出するまでエッチン
グしてガラスを除去し(図11(d))、最後にブレー
ドで溝13を形成した(図11(e))。石英系ガラス
導波路層のエッチングでは、図7に示す方法の場合と比
べて、下部クラッド層が厚い分エッチング時間は増加し
た。反面、厚い石英系ガラス層を除去したことでブレー
ドへの負荷が著しく低減される。FIGS. 11A to 11E show the steps of fabricating the waveguide filter module of the present embodiment. Si substrate 1
A lower cladding layer 24 is formed thereon (FIG. 11A), and a core layer 28 is formed on the lower cladding layer 24 (FIG. 11A).
(B)) Further, an upper clad layer 26 is formed thereon to form a quartz glass waveguide including the Si substrate 1, the lower clad layer 24, the core layer 28a, and the upper clad layer 26 (FIG. 11C). ). Next, the portion where the dielectric multilayer film is to be mounted, that is, the quartz glass waveguide layer in the region of the grooved portion is etched until the Si substrate 1 is exposed to remove the glass (FIG. 11D). The groove 13 was formed with a blade (FIG. 11E). In the etching of the silica-based glass waveguide layer, the etching time was increased by the thicker lower clad layer as compared with the method shown in FIG. On the other hand, the removal of the thick quartz glass layer significantly reduces the load on the blade.
【0025】なお、本実施形態においてはフィルタ搭載
部にSiテラスが無い場合を示したが、図7に示す工程
を用いて、フィルタ搭載部にもSiテラスを設けたもの
も作製可能である。さらに、図9に示すように、突出部
23の形状を台形にすることにより、さらにブレードに
対する負荷を低減し、溝の形状変形を抑制することがで
きる。In this embodiment, the case where the filter mounting portion does not have the Si terrace is shown. However, it is possible to manufacture the filter mounting portion having the Si terrace also by using the process shown in FIG. Further, as shown in FIG. 9, by making the shape of the protrusion 23 trapezoidal, the load on the blade can be further reduced, and the shape deformation of the groove can be suppressed.
【0026】ダイシングソーで溝加工する領域の石英系
ガラスの除去は、あらかじめ別の手法、例えば反応性イ
オンエッチング、で除去してもよい。しかし、実際に
は、この石英系ガラスの除去工程が新たなプロセス負担
になるような応用よりも、上述の実施形態で示したWD
M光送受信モジュールの応用例のように石英系ガラスの
除去が新たなプロセス負担にならない応用例の方がより
有効である。The quartz glass in the region to be grooved by the dicing saw may be removed in advance by another method, for example, reactive ion etching. However, in practice, the WD shown in the above-described embodiment is better than the application in which the step of removing the quartz-based glass imposes a new process burden.
An application example in which the removal of the silica-based glass does not add a new process load as in the application example of the M optical transmission / reception module is more effective.
【0027】上述の実施形態では波長号分波機能を有す
るフィルタ反射型光号分波器の例を示したが、光合分波
器としては、光パワーを一定の比率で分岐するものも使
用できる。In the above-described embodiment, an example of the filter reflection type optical demultiplexer having the wavelength demultiplexing function has been described. However, as the optical multiplexer / demultiplexer, a device which branches the optical power at a fixed ratio can be used. .
【0028】[0028]
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0029】(実施例1)本実施例では、図1に示す構
成のフィルタ反射型合分波器を、チップ幅3mm、溝の
幅20μm、深さ150μmで作製し、この3mmのチ
ップ幅の内、導波路の部分の100μmを除いて(すな
わち、図7でL=100μmとして)、溝加工にかかる
石英系ガラスを上述の方法により除去した。Example 1 In this example, a filter reflection type multiplexer / demultiplexer having the structure shown in FIG. 1 was manufactured with a chip width of 3 mm, a groove width of 20 μm, and a depth of 150 μm. Of these, except for the 100 μm portion of the waveguide (that is, L = 100 μm in FIG. 7), the quartz-based glass used for the groove processing was removed by the above-described method.
【0030】これにより、ブレードの負荷が低減でき、
ブレードの摩耗が抑制されるとともに、溝形状の変形が
抑制できた。Thus, the load on the blade can be reduced,
The wear of the blade was suppressed, and the deformation of the groove shape was suppressed.
【0031】(実施例2)図9に示す構成の、第2の実
施例によるWDM光送受信モジュールを作製した。本実
施例では、溝加工部の石英系ガラスを除去するパターン
として矩形ではなく、先端を鋭角にしていることが図1
に示すWDM光送受信モジュールの構成と異なる。すな
わち、突出部23aは台形をしており、この上底(先端
側)の長さL1、下底(基底側)の長さL2を、L1<
L2となるようにした。このように突出部の形状を決め
てガラスをエッチングすることによりブレードにかかる
負担がさらに低減し、誘電体多層膜フィルタを細い溝に
挿入する工程がさらに容易になった。Embodiment 2 A WDM optical transceiver module according to a second embodiment having the configuration shown in FIG. 9 was manufactured. In the present embodiment, the pattern for removing the quartz-based glass in the grooved portion is not rectangular but has a sharp edge at the tip.
Is different from the configuration of the WDM optical transceiver module shown in FIG. That is, the protrusion 23a has a trapezoidal shape, and the length L1 of the upper base (tip side) and the length L2 of the lower base (base side) are defined as L1 <
L2. By thus determining the shape of the protrusion and etching the glass, the load on the blade is further reduced, and the step of inserting the dielectric multilayer filter into the narrow groove is further facilitated.
【0032】(実施例3)図10に示す構成の、LD/
PDを含んでいない導波路に誘電体多層膜フィルタが挿
入された導波路型フィルタモジュールを作製した。石英
系ガラス導波路層のエッチングでは下部クラッド層が厚
い分エッチング時間は増加したが、その反面、厚い石英
系ガラス層を除去したことでブレードへの負荷が著しく
低減され、上記の20μmという薄いブレードを使用し
ても形状変化のない溝作製が可能であった。(Embodiment 3) An LD / LD having the configuration shown in FIG.
A waveguide-type filter module in which a dielectric multilayer filter was inserted into a waveguide containing no PD was manufactured. In the etching of the silica-based glass waveguide layer, the etching time was increased by the thickness of the lower clad layer, but the load on the blade was significantly reduced by removing the thick silica-based glass layer. It was possible to produce a groove with no change in shape even when using.
【0033】[0033]
【発明の効果】本発明のフィルタ挿入型導波路デバイス
およびその製造方法は、溝加工部に沿い石英系ガラス光
導波路のコアおよびその近傍のガラス以外のガラスを除
去することにより、溝加工時のブレードの摩耗を抑制し
得る、大量生産に適したフィルタ挿入型導波路デバイス
とその製造方法を提供でき、低コストなWDM光送受信
モジュールを実現することができた。According to the filter insertion type waveguide device and the method of manufacturing the same of the present invention, the core other than the glass of the silica glass optical waveguide and the glass other than the core in the vicinity of the core are removed along the groove processing part, so that the groove processing at the time of groove processing is performed. A filter insertion type waveguide device suitable for mass production and a method for manufacturing the same capable of suppressing blade wear can be provided, and a low-cost WDM optical transceiver module can be realized.
【0034】さらに、シリコン基板上に形成されたLD
/PD搭載用のSiテラスと同時形成されたSiテラス
を誘電体多層膜フィルタ搭載部に設けることにより、プ
ロセス負担の少ないガラスの除去が可能となり、さらに
大量生産に適したフィルタ挿入型導波路デバイスおよび
その製造方法を提供することができる。Further, the LD formed on the silicon substrate
By providing the Si terrace formed simultaneously with the Si terrace for mounting the / PD on the dielectric multilayer filter mounting part, it is possible to remove the glass with a small process load, and furthermore, a filter insertion type waveguide device suitable for mass production. And a method for manufacturing the same.
【図1】延べ加工溝長さによる溝幅の変化を示すグラフ
である。FIG. 1 is a graph showing a change in groove width depending on a total processing groove length.
【図2】本発明のフィルタ反射型光合分波器を用いたW
DM光送受信モジュールを示す斜視図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a W using a filter reflection type optical multiplexer / demultiplexer according to the present invention;
It is a perspective view which shows a DM optical transmission / reception module.
【図3】図2のAA′線に沿った拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 2;
【図4】図2のBB′線に沿った拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 2;
【図5】図2のCC′線に沿った拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 2;
【図6】図2のDD′線に沿った拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged sectional view taken along line DD ′ of FIG. 2;
【図7】本発明の第1の実施形態によるフィルタ挿入型
導波路デバイス(WDM光送受信モジュール)の作製工
程を示す断面図であり、(a)はSiテラスを形成した
基板に下部クラッド層を堆積した段階の素子、(b)は
平坦化研磨してシリコンを露出した段階の素子、(c)
は第2下部クラッド層(高さ調整層)とコア層を堆積し
た段階の素子、(d)はコアを形成し上部クラッドを堆
積した段階の素子、(e)はLD/PD用の電極配線お
よび搭載用半田を堆積した段階の素子、(f)は溝加工
した段階の素子を示す。FIGS. 7A and 7B are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the filter insertion type waveguide device (WDM optical transceiver module) according to the first embodiment of the present invention. FIG. The device at the stage of deposition, (b) is a device at the stage where silicon is exposed by flattening and polishing, (c)
Is an element in a stage where a second lower clad layer (height adjusting layer) and a core layer are deposited, (d) is an element in a stage where a core is formed and an upper clad is deposited, and (e) is an electrode wiring for LD / PD. And the element at the stage where the mounting solder is deposited, and (f) shows the element after the groove processing.
【図8】図7(b)の段階における素子の上面図であ
る。FIG. 8 is a top view of the device at the stage of FIG. 7 (b).
【図9】本発明の第2の実施形態によるWDM光送受信
モジュールを示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view illustrating a WDM optical transceiver module according to a second embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第3の実施形態によるWDM光送受
信モジュールを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view illustrating a WDM optical transceiver module according to a third embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第3の実施形態によるWDM光送受
信モジュールの作製工程示す断面図であり、(a)は下
部クラッド層を堆積した段階の素子、(b)はコア層を
堆積した段階の素子、(c)は上部クラッド層を堆積し
た段階の素子、(d)はコア近傍のガラスを除去した段
階の素子、(e)は溝加工した段階の素子を示す。FIGS. 11A and 11B are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a WDM optical transceiver module according to a third embodiment of the present invention, wherein FIG. 11A shows an element in which a lower clad layer is deposited, and FIG. (C) shows an element in which an upper clad layer has been deposited, (d) shows an element in which glass near the core has been removed, and (e) shows an element in which grooves have been formed.
【図12】従来の光送受信モジュールの構成を示す斜視
図である。FIG. 12 is a perspective view showing a configuration of a conventional optical transceiver module.
1 Si基板 2 導波路層 3 第1の入出力導波路 4 第2の入出力導波路 5 導波路 6 Y分岐 6a,6b 導波路 7 送信用LD 8 モニターPD 9 受信用PD 10 LD/PD搭載部 11、12 電気配線 11a 電気配線および半田 13 溝 13a 溝の側面 14 誘電体多層膜フィルタ 15 コモンポート 16 1.55ポート 17 補強ガラス 18 ファイバアレイ 19 第1のファイバ 20 第2のファイバ 21、21a、21b Siテラス 21c,21d シリコン露出部 22 端部 23、23a 突出部 24 下部クラッド層 24a ブリッジ 25 第2下部クラッド層(高さ調整層) 26 上部クラッド層 27 接着剤 28 コア 28a コア層 29 研磨面 30 1.31ポート 31 ファイバアレイ 32 第3のファイバ L 突出部の溝に沿う方向の長さ L1 突出部の上底の長さ L2 突出部の下底の長さ W テラスの露出幅 REFERENCE SIGNS LIST 1 Si substrate 2 waveguide layer 3 first input / output waveguide 4 second input / output waveguide 5 waveguide 6 Y branch 6 a, 6 b waveguide 7 transmission LD 8 monitor PD 9 reception PD 10 mounting LD / PD Part 11, 12 Electric wiring 11a Electric wiring and solder 13 Groove 13a Side surface of groove 14 Dielectric multilayer film filter 15 Common port 16 1.55 port 17 Reinforced glass 18 Fiber array 19 First fiber 20 Second fiber 21, 21a , 21b Si terrace 21c, 21d Silicon exposed part 22 End part 23, 23a Projection part 24 Lower cladding layer 24a Bridge 25 Second lower cladding layer (height adjustment layer) 26 Upper cladding layer 27 Adhesive 28 Core 28a Core layer 29 Polishing Surface 30 1.31 port 31 Fiber array 32 Third fiber L In groove of protrusion Cormorants direction of the upper base length L1 protrusion of the lower base of the length L2 projecting portion length W terrace exposed width
Claims (5)
ス光導波路と、前記石英系ガラス光導波路を横切って形
成された溝と、前記溝に挿入された誘電体多層膜フィル
タと、前記誘電体多層膜フィルタを前記溝に固定するた
めの樹脂とから構成されるフィルタ挿入型導波路デバイ
スにおいて、前記溝に沿い前記石英系ガラス光導波路の
コアおよびその近傍のガラス以外のガラスが除去されて
いることを特徴とするフィルタ挿入型導波路デバイス。1. A quartz glass optical waveguide formed on a silicon substrate, a groove formed across the quartz glass optical waveguide, a dielectric multilayer filter inserted in the groove, and the dielectric In a filter insertion type waveguide device composed of a resin for fixing a multilayer filter to the groove, glass other than glass near the core of the silica glass optical waveguide and the vicinity thereof is removed along the groove. A waveguide device having a filter inserted therein, characterized in that:
基板上に凸部が形成されていることを特徴とする請求項
1記載のフィルタ挿入型導波路デバイス。2. The filter insertion type waveguide device according to claim 1, wherein a projection is formed on a portion of the silicon substrate from which the glass is removed.
っていることを特徴とする請求項1または2に記載のフ
ィルタ挿入型導波路デバイス。3. The filter insertion type waveguide device according to claim 1, wherein the tip of the glass removing portion has an acute angle.
を形成し、前記石英系ガラス光導波路を横切って溝を形
成し、前記溝に誘電体多層膜フィルタを挿入し、前記誘
電体多層膜フィルタを前記溝に樹脂で固定するフィルタ
挿入型導波路デバイスの製造方法において、前記溝に沿
い前記石英系ガラス光導波路のコアおよびその近傍のガ
ラス以外のガラスを除去する工程を備えることを特徴と
するフィルタ挿入型導波路デバイスの製造方法。4. A quartz glass optical waveguide is formed on a silicon substrate, a groove is formed across the quartz glass optical waveguide, and a dielectric multilayer filter is inserted into the groove. A method of manufacturing a filter-inserted waveguide device in which the glass is fixed to the groove with a resin, comprising a step of removing glass other than glass along the groove and the core of the silica-based glass optical waveguide along the groove. A method of manufacturing a filter insertion type waveguide device.
製されるフィルタ挿入型導波路デバイスの製造におい
て、光素子搭載用の基板凸部を形成する際に同時に前記
ガラス除去部に対応した領域に基板凸部を形成する工程
と、光素子搭載部形成のためのガラス除去を行う際に同
時にフィルタ挿入用溝に沿ってガラス除去部を形成する
工程とを備えることを特徴とする請求項4記載のフィル
タ挿入型導波路デバイスの製造方法。5. In manufacturing a filter insertion type waveguide device manufactured in a hybrid integrated type optical module, when a substrate convex portion for mounting an optical element is formed, the substrate convex portion is simultaneously formed in a region corresponding to the glass removing portion. 5. The filter according to claim 4, further comprising a step of forming a portion, and a step of forming a glass removing portion along the filter insertion groove at the same time as removing the glass for forming the optical element mounting portion. Manufacturing method of insertion type waveguide device.
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