JP2000042885A - Wafer chamfering device - Google Patents

Wafer chamfering device

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JP2000042885A
JP2000042885A JP20648798A JP20648798A JP2000042885A JP 2000042885 A JP2000042885 A JP 2000042885A JP 20648798 A JP20648798 A JP 20648798A JP 20648798 A JP20648798 A JP 20648798A JP 2000042885 A JP2000042885 A JP 2000042885A
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wafer
supply
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pad
chamfered
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一郎 片山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve throughput by efficiently performing supply and recovery of wafers. SOLUTION: A slide block 104 traveling along a horizontal guide 102 is provided with a supply transfer arm 106 and a recovery transfer arm 108. A supply pad 112 is provided at the tip upper part of the supply transfer arm 106, and a recovery pad 120 is provided at the tip lower part of the recovery transfer arm 108. A wafer W finished with machining and held to a chucking table 60A is recovered by the recovery pad 120, and a wafer W held by the supply pad 112 is delivered to a centering unit 86. Supply and recovery of the wafers W to and from a machining part 18A can therefore be performed at the same time.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ面取り装置
に係り、特に半導体素子の素材となるシリコン等のウェ
ーハの周縁を面取り加工するウェーハ面取り装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer chamfering apparatus, and more particularly to a wafer chamfering apparatus for chamfering a peripheral edge of a wafer such as silicon used as a material of a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の素材となるシリコン等のウ
ェーハは、インゴットの状態からスライシングマシン等
の切断機で薄くスライスされたのち、割れや欠けを防止
するために周縁をウェーハ面取り装置によって面取り加
工される。このウェーハ面取り装置は、チャックテーブ
ルに保持して回転させたウェーハの周縁に回転する砥石
を押し当てることにより、ウェーハの周縁を砥石で研削
して面取り加工する。
2. Description of the Related Art A wafer such as silicon, which is used as a material for a semiconductor device, is thinly sliced from a state of an ingot by a cutting machine such as a slicing machine, and then a peripheral edge is chamfered by a wafer chamfering device to prevent cracking and chipping. Is done. In this wafer chamfering apparatus, a rotating grindstone is pressed against the periphery of a wafer held and rotated on a chuck table, thereby grinding the periphery of the wafer with a grindstone to perform chamfering.

【0003】ところで、このウェーハ面取り装置でウェ
ーハを精度よく面取り加工するためには、チャックテー
ブルの同軸上にウェーハを載置して保持する必要があ
る。このため、ウェーハ面取り装置には位置決め装置が
備えられており、この位置決め装置でウェーハを所定位
置に位置決めしたのちチャックテーブル上に載置して保
持するようにしている。
By the way, in order to chamfer a wafer accurately with this wafer chamfering apparatus, it is necessary to place and hold the wafer on the same axis as a chuck table. For this reason, the wafer chamfering device is provided with a positioning device, and after positioning the wafer at a predetermined position with the positioning device, the wafer is placed and held on the chuck table.

【0004】このように、従来のウェーハ面取り装置で
は、まず、位置決め装置にウェーハを供給し、この位置
決め装置で所定位置に位置決めしたあと、チャックテー
ブルにウェーハを載置するようにしている。そして、従
来のウェーハ面取り装置では、この位置決め装置にウェ
ーハを搬送して供給する供給搬送装置と、加工が終了し
たウェーハをチャックテーブルから回収して次工程(洗
浄工程等)に搬送する回収搬送装置が、それぞれ別々に
設けられていた。
As described above, in the conventional wafer chamfering apparatus, first, the wafer is supplied to the positioning device, the wafer is positioned at a predetermined position by the positioning device, and then the wafer is placed on the chuck table. In a conventional wafer chamfering apparatus, a supply / transport apparatus for transporting and supplying a wafer to the positioning apparatus, and a recovery / transfer apparatus for recovering the processed wafer from the chuck table and transporting the processed wafer to the next step (cleaning step, etc.). However, each was provided separately.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに供給搬送装置と回収搬送装置とが別々に設けられた
構成のウェーハ面取り装置では、一方の装置の動作が他
方の装置の動作に従属するため、ウェーハの供給と回収
を効率的に行うことができないという欠点があった。す
なわち、供給搬送装置が位置決め装置にウェーハを供給
している間は、回収搬送装置は加工済みウェーハの回収
をすることができないため、その間、回収搬送装置に遊
びの時間が生じ、効率的にウェーハの供給と回収を行う
ことができないという欠点があった。
However, in such a wafer chamfering apparatus in which the supply transfer device and the recovery transfer device are separately provided, the operation of one device depends on the operation of the other device. However, there is a disadvantage that the supply and recovery of the wafer cannot be performed efficiently. In other words, while the supply / transport device is supplying the wafer to the positioning device, the collection / transport device cannot collect the processed wafer, and during that time, the recovery / transport device generates play time, and the wafer is efficiently evacuated. There is a drawback that the supply and recovery of waste cannot be performed.

【0006】また、供給搬送装置と回収搬送装置とが別
々に設けられた構成のウェーハ面取り装置では必然的に
ウェーハの供給部と回収部とが別々の構成となり、装置
が大型化するとともに製造コストも高くなるという欠点
があった。また、ウェーハの供給部と回収部とが別々の
構成のウェーハ面取り装置では、物流で使用するカセッ
トキャリアの数も供給部用と回収部用の2台が必要にな
るという欠点があった。
Further, in a wafer chamfering apparatus in which a supply / transport device and a recovery / transport device are separately provided, a wafer supply section and a recovery section are inevitably configured separately, so that the apparatus becomes large and manufacturing cost increases. Also had the drawback of becoming expensive. Further, in a wafer chamfering apparatus in which a wafer supply section and a recovery section are separated from each other, there is a drawback in that two cassette carriers for the supply section and the recovery section are required for use in physical distribution.

【0007】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、効率的にウェーハの供給と回収を行いスループ
ットを向上させることができるウェーハ面取り装置を提
供することを目的とする。
[0007] The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer chamfering apparatus capable of efficiently supplying and recovering wafers and improving throughput.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は前
記目的を達成するために、面取り加工するウェーハをプ
リアライメントするプリアライメント部と、チャックテ
ーブルに保持されたウェーハの周縁を砥石で研削して面
取り加工する加工部と、前記加工部の上方に配設され、
面取り加工するウェーハを位置決めして前記チャックテ
ーブル上に載置する位置決め部と、面取り加工されたウ
ェーハを洗浄する洗浄部と、前記各部間を移動してウェ
ーハを搬送する搬送手段と、を備えたウェーハ面取り装
置において、前記搬送手段は、搬送路に沿って走行する
走行体と、前記走行体に設けられたアームと、前記アー
ムの先端上部に設けられた供給パッドと、前記アームの
先端下部に設けられた回収パッドと、前記供給パッドと
前記回収パッドを上下動させるパッド昇降手段と、から
なり、前記プリアライメント部でプリアライメントされ
たウェーハを前記供給パッドで保持したのち、前記供給
パッドを前記位置決め部の下方に移動させ、前記供給パ
ッドを上昇させて前記位置決め部に面取り加工するウェ
ーハを供給する一方、前記回収パッドを下降させて前記
チャックテーブルから面取り加工が終了したウェーハを
回収し、前記回収パッドを前記洗浄部に向けて移動させ
て前記ウェーハを前記洗浄部に搬送することを特徴とす
る。
According to a first aspect of the present invention, in order to achieve the above object, a pre-alignment unit for pre-aligning a wafer to be chamfered and a peripheral edge of the wafer held on a chuck table are ground with a grindstone. A processing part to be chamfered and disposed above the processing part;
A positioning unit for positioning the wafer to be chamfered and mounted on the chuck table; a cleaning unit for cleaning the chamfered wafer; and a transport unit for transporting the wafer by moving between the respective units. In the wafer chamfering apparatus, the transfer unit includes a traveling body that travels along a transportation path, an arm provided on the traveling body, a supply pad provided at an upper end of the arm, and a lower part of the arm. A collection pad provided, and a pad elevating means for vertically moving the supply pad and the collection pad, and holding the wafer pre-aligned by the pre-alignment unit with the supply pad, and then setting the supply pad to The wafer is moved below the positioning unit, and the supply pad is raised to supply the wafer to be chamfered to the positioning unit. The collection pad is lowered to recover the wafer chamfering is completed from the chuck table, the recovered pad is moved toward the cleaning unit, characterized in that for conveying the wafer to the cleaning unit.

【0009】本発明によれば、まず、プリアライメント
部でプリアライメントされたウェーハを吸着パッドで保
持する。次に、走行体を加工部に向けて走行させて供給
パッドを位置決めユニットの下方に移動させる。次に、
供給パッドを上昇させて位置決めユニットに面取り加工
するウェーハを供給する。その一方で回収パッドを下降
させてチャックテーブルから面取り加工が終了したウェ
ーハを回収する。回収後、走行体を洗浄部に向けて走行
させ、面取り加工が終了したウェーハを洗浄部に搬送す
る。このように、面取り加工するウェーハの供給と回収
を一度に行うことできるので、効率的にウェーハの供給
と回収を行うことができ、スループットが向上する。
According to the present invention, first, the wafer pre-aligned by the pre-alignment unit is held by the suction pad. Next, the supply pad is moved below the positioning unit by moving the traveling body toward the processing unit. next,
The supply pad is raised to supply the wafer to be chamfered to the positioning unit. On the other hand, the recovery pad is lowered to recover the wafer having been chamfered from the chuck table. After the collection, the traveling body is caused to travel toward the cleaning unit, and the chamfered wafer is transported to the cleaning unit. As described above, since the supply and the recovery of the wafer to be chamfered can be performed at a time, the supply and the recovery of the wafer can be efficiently performed, and the throughput is improved.

【0010】また、請求項3に係る発明は前記目的を達
成するために、面取り加工するウェーハをプリアライメ
ントするプリアライメント部と、チャックテーブルに保
持されたウェーハの周縁を砥石で研削して面取り加工す
る加工部と、前記加工部の上方に配設され、面取り加工
するウェーハを位置決めして前記チャックテーブル上に
載置する位置決め部と、面取り加工されたウェーハを洗
浄する洗浄部と、前記各部間を移動してウェーハを搬送
する搬送手段と、を備えたウェーハ面取り装置におい
て、前記搬送手段は、搬送路に沿って走行する走行体
と、前記走行体に設けられた供給アームと、前記供給ア
ームの先端上部に設けられた供給パッドと、前記供給パ
ッドを上下動させる供給パッド昇降手段と、前記走行体
に設けられた回収アームと、前記回収アームの先端下部
に設けられるとともに、前記供給パッドの下方位置に配
置された回収パッドと、前記回収パッドを上下動させる
回収パッド昇降手段と、からなり、前記プリアライメン
ト部でプリアライメントされたウェーハを前記供給パッ
ドで保持したのち、前記供給パッドを前記位置決め部の
下方に移動させ、前記供給パッドを上昇させて前記位置
決め部に面取り加工するウェーハを供給する一方、前記
回収パッドを下降させて前記チャックテーブルから面取
り加工が終了したウェーハを回収し、前記回収パッドを
前記洗浄部に向けて移動させて前記ウェーハを前記洗浄
部に搬送することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a pre-alignment unit for pre-aligning a wafer to be chamfered, and chamfering by grinding a peripheral edge of the wafer held on a chuck table with a grindstone. A processing unit to be disposed, a positioning unit disposed above the processing unit and positioning the wafer to be chamfered and mounted on the chuck table; a cleaning unit to clean the chamfered wafer; Transporting means for transporting the wafer by moving the wafer, wherein the transporting means comprises a traveling body traveling along a transport path, a supply arm provided on the traveling body, and the supply arm A supply pad provided at an upper portion of a tip, supply pad elevating means for moving the supply pad up and down, and a collection arm provided on the traveling body. A collection pad provided below the tip of the collection arm and arranged below the supply pad; and a collection pad elevating means for moving the collection pad up and down. After the held wafer is held by the supply pad, the supply pad is moved below the positioning portion, and the supply pad is raised to supply the wafer to be chamfered to the positioning portion, while the recovery pad is lowered. The chamfered wafer is collected from the chuck table, and the collection pad is moved toward the cleaning unit to transfer the wafer to the cleaning unit.

【0011】本発明によれば、まず、プリアライメント
部でプリアライメントされたウェーハを吸着パッドで保
持する。次に、走行体を加工部に向けて走行させて供給
パッドを位置決めユニットの下方に移動させる。次に、
供給パッドを上昇させて位置決めユニットに面取り加工
するウェーハを供給する。その一方で回収パッドを下降
させてチャックテーブルから面取り加工が終了したウェ
ーハを回収する。回収後、走行体を洗浄部に向けて走行
させ、面取り加工が終了したウェーハを洗浄部に搬送す
る。このように、面取り加工するウェーハの供給と回収
を一度に行うことできるので、効率的にウェーハの供給
と回収を行うことができ、スループットが向上する。
According to the present invention, first, the wafer pre-aligned by the pre-alignment unit is held by the suction pad. Next, the supply pad is moved below the positioning unit by moving the traveling body toward the processing unit. next,
The supply pad is raised to supply the wafer to be chamfered to the positioning unit. On the other hand, the recovery pad is lowered to recover the wafer having been chamfered from the chuck table. After the collection, the traveling body is caused to travel toward the cleaning unit, and the chamfered wafer is transported to the cleaning unit. As described above, since the supply and the recovery of the wafer to be chamfered can be performed at a time, the supply and the recovery of the wafer can be efficiently performed, and the throughput is improved.

【0012】また、請求項5に係る発明は前記目的を達
成するために、面取り加工するウェーハをプリアライメ
ントするプリアライメント部と、チャックテーブルに保
持されたウェーハの周縁を砥石で研削して面取り加工す
る加工部と、前記加工部の上方に配設され、面取り加工
するウェーハを位置決めして前記チャックテーブル上に
載置する位置決め部と、面取り加工されたウェーハを洗
浄する洗浄部と、前記各部間を移動してウェーハを搬送
する搬送手段と、を備えたウェーハ面取り装置におい
て、前記搬送手段は、供給搬送路に沿って走行する供給
走行体と、前記供給走行体に設けられた供給アームと、
前記供給アームの先端上部に設けられた供給パッドと、
前記供給パッドを上下動させる供給パッド昇降手段と、
回収搬送路に沿って走行する回収走行体と、前記回収走
行体に設けられた回収アームと、前記回収アームの先端
下部に設けられるとともに、前記供給パッドの下方位置
に配置された回収パッドと、前記回収パッドを上下動さ
せる回収パッド昇降手段と、からなり、前記プリアライ
メント部でプリアライメントされたウェーハを前記供給
パッドで保持したのち、前記供給パッドを前記位置決め
部の下方に移動させ、前記供給パッドを上昇させて前記
位置決め部に面取り加工するウェーハを供給する一方、
前記供給パッドを前記チャックテーブルの上方に移動さ
せ、前記回収パッドを下降させて前記チャックテーブル
から面取り加工が終了したウェーハを回収し、前記回収
パッドを前記洗浄部に向けて移動させて前記ウェーハを
前記洗浄部に搬送することを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in order to achieve the above object, a pre-alignment section for pre-aligning a wafer to be chamfered, and a peripheral edge of the wafer held on a chuck table ground by a grindstone. A processing unit to be disposed, a positioning unit disposed above the processing unit and positioning the wafer to be chamfered and mounted on the chuck table; a cleaning unit to clean the chamfered wafer; Transfer means for transferring the wafer by moving the, the wafer chamfering apparatus, the transfer means, a supply traveling body traveling along a supply transport path, a supply arm provided in the supply traveling body,
A supply pad provided at an upper end of the supply arm,
Supply pad elevating means for moving the supply pad up and down,
A collection traveling body that travels along the collection conveyance path, a collection arm provided on the collection traveling body, and a collection pad provided at a lower end of the collection arm and disposed at a position below the supply pad, And a collection pad elevating means for moving the collection pad up and down. After the wafer pre-aligned by the pre-alignment unit is held by the supply pad, the supply pad is moved below the positioning unit to supply the wafer. While raising the pad and supplying the wafer to be chamfered to the positioning portion,
The supply pad is moved above the chuck table, the recovery pad is lowered to collect the chamfered wafer from the chuck table, and the recovery pad is moved toward the cleaning unit to move the wafer. It is transported to the washing section.

【0013】本発明によれば、まず、プリアライメント
部でプリアライメントされたウェーハを吸着パッドで保
持する。次に、供給走行体を加工部に向けて走行させて
供給パッドを位置決めユニットの下方に移動させるとと
もに、回収走行体を加工部に向けて走行させて回収パッ
ドをチャックテーブルの上方に移動させる。次に、供給
パッドを上昇させて位置決めユニットに面取り加工する
ウェーハを供給する。その一方で回収パッドを下降させ
てチャックテーブルから面取り加工が終了したウェーハ
を回収する。回収後、回収走行体のみを洗浄部に向けて
走行させて面取り加工が終了したウェーハを洗浄部に搬
送する。このように、面取り加工するウェーハの供給と
回収を一度に行うことできるので、効率的にウェーハの
供給と回収を行うことができ、スループットが向上す
る。
According to the present invention, first, the wafer pre-aligned by the pre-alignment unit is held by the suction pad. Next, the supply traveling body is moved toward the processing unit to move the supply pad below the positioning unit, and the collection traveling body is moved toward the processing unit to move the collection pad above the chuck table. Next, the supply pad is raised to supply the wafer to be chamfered to the positioning unit. On the other hand, the recovery pad is lowered to recover the wafer having been chamfered from the chuck table. After the collection, only the collection traveling body is caused to travel toward the cleaning unit, and the chamfered wafer is transferred to the cleaning unit. As described above, since the supply and the recovery of the wafer to be chamfered can be performed at a time, the supply and the recovery of the wafer can be efficiently performed, and the throughput is improved.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
係るウェーハ面取り装置の好ましい実施の形態について
詳説する。図1は、本発明に係るウェーハ面取り装置の
全体構成を示す平面図である。同図に示すように、本発
明に係るウェーハ面取り装置10は、面取り加工するウ
ェーハWを供給する供給部14と、面取り加工するウェ
ーハWの前測定及びプリアライメントを行うプリアライ
メント部16と、ウェーハWの面取り加工を行う2つの
加工部18A、18Bと、その2つの加工部18A、1
8Bに供給するウェーハWの位置決めを行う位置決め部
20と、面取り加工されたウェーハWの洗浄を行う洗浄
部22と、プリアライメント部16でプリアライメント
されたウェーハWを位置決め部20に搬送するととも
に、加工部18A、18Bで面取り加工されたウェーハ
Wを洗浄部22に搬送するウェーハ搬送部24と、面取
り加工されたウェーハWの後測定を行う後測定部26
と、ウェーハWの回収を行う回収部28とから構成され
ている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a wafer chamfering apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a wafer chamfering apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1, a wafer chamfering apparatus 10 according to the present invention includes a supply unit 14 for supplying a wafer W to be chamfered, a pre-alignment unit 16 for performing pre-measurement and pre-alignment of the wafer W to be chamfered, Two processing parts 18A and 18B for chamfering W, and the two processing parts 18A and 18B
A positioning unit 20 for positioning the wafer W to be supplied to the 8B, a cleaning unit 22 for cleaning the chamfered wafer W, and a wafer W pre-aligned by the pre-alignment unit 16 to the positioning unit 20; A wafer transfer unit 24 that transfers the wafer W chamfered by the processing units 18A and 18B to the cleaning unit 22; and a post-measurement unit 26 that performs post-measurement of the chamfered wafer W.
And a collection unit 28 that collects the wafer W.

【0015】まず、供給部14の構成について説明す
る。図1に示すように、供給部14は、供給カセット3
0を所定位置に位置決めする供給カセット位置決め装置
32と、その供給カセット位置決め装置32によって所
定のウェーハ供給位置に位置決めされた供給カセット3
0からウェーハWを取り出してプリアライメント部16
に供給するウェーハ供給ロボット34とから構成されて
いる。
First, the configuration of the supply unit 14 will be described. As shown in FIG. 1, the supply unit 14 includes the supply cassette 3
And a supply cassette 3 positioned at a predetermined wafer supply position by the supply cassette positioning device 32.
The wafer W is taken out from the pre-alignment unit 16
And a wafer supply robot 34 that supplies the wafers to the wafer.

【0016】供給カセット位置決め装置32は、6台の
供給カセットテーブル33、33、…を有している。こ
の6台の供給カセットテーブル33、33、…は、装置
本体12の左側部に直列して配置されている。供給カセ
ット30、30…は、この供給カセットテーブル33、
33、…上にセットされることにより、所定位置に位置
決めされる。
The supply cassette positioning device 32 has six supply cassette tables 33, 33,... The six supply cassette tables 33, 33,... Are arranged in series on the left side of the apparatus main body 12. The supply cassettes 30, 30,...
.. Are set at predetermined positions.

【0017】一方、ウェーハ供給ロボット34は、先端
下部に一対の吸着パッドを備えたアーム36を有してい
る。このアーム36はターンテーブル38上に敷設され
たガイド40に沿って前後移動するとともに、ターンテ
ーブル38が回転することにより旋回する。また、ター
ンテーブル38がスライド移動することにより、6台の
供給カセットテーブル33、33、…に沿ってスライド
移動し、ターンテーブル38が上下動することにより上
下動する。
On the other hand, the wafer supply robot 34 has an arm 36 provided with a pair of suction pads at the lower end of the tip. The arm 36 moves back and forth along a guide 40 laid on the turntable 38, and turns as the turntable 38 rotates. Also, the slide movement of the turntable 38 causes the slide movement along the six supply cassette tables 33, 33,..., And the vertical movement of the turntable 38 by the vertical movement of the turntable 38.

【0018】以上のように構成された供給部14では、
次のようにしてウェーハWをプリアライメント部16に
供給する。まず、ターンテーブル38がスライド移動し
て、アーム36が所定の供給カセット30の前で停止す
る。次に、ターンテーブル38が所定量上昇することに
より、アーム36が供給カセット30から取り出すウェ
ーハWの高さと同じ高さの位置に停止する。次に、アー
ム36が前進して供給カセット30内に進入し、供給カ
セット30内のウェーハWを吸着保持する。次に、アー
ム36が後退してウェーハWを供給カセット30から取
り出す。次に、ターンテーブル38が所定量下降するこ
とにより、アーム36が元の高さの位置に復帰する。次
に、ターンテーブル38が180°回転して、アーム3
6が向きを変える。次に、ターンテーブル38がスライ
ド移動して、アーム36が所定のウェーハ受渡位置に移
動する。そして、プリアライメント部16のウェーハ搬
送ロボット42にウェーハWを受け渡す。
In the supply unit 14 configured as described above,
The wafer W is supplied to the pre-alignment unit 16 as follows. First, the turntable 38 slides and the arm 36 stops in front of the predetermined supply cassette 30. Next, when the turntable 38 is raised by a predetermined amount, the arm 36 stops at a position at the same height as the height of the wafer W to be taken out from the supply cassette 30. Next, the arm 36 moves forward and enters the supply cassette 30, and sucks and holds the wafer W in the supply cassette 30. Next, the arm 36 retreats and takes out the wafer W from the supply cassette 30. Next, when the turntable 38 is lowered by a predetermined amount, the arm 36 returns to the original height position. Next, the turntable 38 is rotated by 180 °, and the arm 3 is rotated.
6 changes direction. Next, the turntable 38 slides and the arm 36 moves to a predetermined wafer delivery position. Then, the wafer W is transferred to the wafer transfer robot 42 of the pre-alignment unit 16.

【0019】以上のようにして供給部14の供給カセッ
ト30からプリアライメント部16に面取り加工するウ
ェーハWが供給される。なお、ウェーハWの供給はカセ
ット単位で行われ、一つの供給カセット30内に収納さ
れている全てのウェーハWが供給されると、次の供給カ
セット30からウェーハWが供給される。
As described above, the wafer W to be chamfered is supplied from the supply cassette 30 of the supply unit 14 to the pre-alignment unit 16. The supply of the wafers W is performed in units of cassettes. When all the wafers W stored in one supply cassette 30 are supplied, the wafers W are supplied from the next supply cassette 30.

【0020】次に、プリアライメント部16の構成につ
いて説明する。図1に示すように、プリアライメント部
16は、ウェーハ搬送ロボット42とプリアライメント
装置44とから構成されている。ウェーハ搬送ロボット
42は、先端上部に一対の吸着パッドを備えたアーム4
6を有している。このアーム46はターンテーブル48
上に敷設されたガイド50に沿って前後移動するととも
に、ターンテーブル38が回転することにより旋回す
る。
Next, the configuration of the pre-alignment unit 16 will be described. As shown in FIG. 1, the pre-alignment unit 16 includes a wafer transfer robot 42 and a pre-alignment device 44. The wafer transfer robot 42 has an arm 4 having a pair of suction pads at the upper end.
6. This arm 46 is a turntable 48
It moves back and forth along the guide 50 laid on it, and turns as the turntable 38 rotates.

【0021】一方、プリアライメント装置44は、厚さ
測定センサ52、測定テーブル54及びオリフラ・ノッ
チ検出センサ56から構成されている。厚さセンサ52
は、上下一対からなる静電容量センサで構成されてい
る。この一対の静電容量センサは所定の間隔をもって互
いに対向するように配置されており、その間に位置した
ウェーハWの表面、裏面までの距離を測定する。この静
電容量センサの測定結果は、図示しない演算装置に出力
され、この演算措置が演算処理によってウェーハWの厚
さを測定する。
On the other hand, the pre-alignment device 44 comprises a thickness measuring sensor 52, a measuring table 54, and an orientation flat / notch detecting sensor 56. Thickness sensor 52
Is composed of a pair of upper and lower capacitance sensors. The pair of capacitance sensors are arranged so as to face each other at a predetermined interval, and measure the distance to the front surface and the back surface of the wafer W located therebetween. The measurement result of the capacitance sensor is output to an arithmetic unit (not shown), and this arithmetic measure measures the thickness of the wafer W by arithmetic processing.

【0022】一方、オリフラ・ノッチ検出センサ56
は、赤外線センサで構成されており、前記測定テーブル
54に保持されて回転するウェーハWのノッチ又はオリ
フラの位置を検出する。なお、測定テーブル54は、ウ
ェーハWの中心部を吸着保持して回転及び上下動するこ
とができる。
On the other hand, the orientation flat notch detection sensor 56
Is constituted by an infrared sensor, and detects a position of a notch or an orientation flat of the rotating wafer W held by the measurement table 54. The measurement table 54 can rotate and move up and down while holding the center of the wafer W by suction.

【0023】以上のように構成されたプリアライメント
部16では、次のようにしてウェーハWの厚さ測定とプ
リアライメントを行う。初期状態において、ウェーハ搬
送ロボット42のアーム46は所定の待機位置(図1に
示す位置)に待機している。ウェーハ供給ロボット34
のアーム36がウェーハ受渡位置に移動すると、このア
ーム36に対向するようにウェーハ搬送ロボット42の
アーム46が旋回する。次に、ウェーハ搬送ロボット4
2のアーム46が前進してウェーハ供給ロボット34の
アーム36からウェーハWを受け取る。次に、ウェーハ
搬送ロボット42のアーム46が後退し、旋回する。こ
れにより、ウェーハ搬送ロボット42のアーム46がプ
リアライメント装置44の厚さ測定センサ52と対向す
る。
The pre-alignment unit 16 configured as described above measures the thickness of the wafer W and performs pre-alignment as follows. In the initial state, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 is waiting at a predetermined standby position (the position shown in FIG. 1). Wafer supply robot 34
When the arm 36 moves to the wafer transfer position, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 turns so as to face the arm 36. Next, the wafer transfer robot 4
The second arm 46 advances to receive the wafer W from the arm 36 of the wafer supply robot 34. Next, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 retreats and turns. Thus, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 faces the thickness measurement sensor 52 of the pre-alignment device 44.

【0024】次に、アーム46が厚さ検出センサ52に
向かって所定距離前進する。これにより、アーム46に
保持されたウェーハWの中心が厚さ検出センサ52の測
定位置に位置するので、まず、ウェーハWの中心部の厚
さ測定が行われる。ウェーハWの中心部の厚さ測定が終
了すると、アーム46が所定距離後退する。これによ
り、ウェーハWの中心が測定テーブル54の中心と一致
する。次に、測定テーブル54が所定距離上昇し、アー
ム46からウェーハWを受け取る。ウェーハWを受け渡
したアーム46は所定距離後退して待機位置に復帰す
る。
Next, the arm 46 moves forward by a predetermined distance toward the thickness detection sensor 52. Accordingly, the center of the wafer W held by the arm 46 is located at the measurement position of the thickness detection sensor 52, so that the thickness of the center of the wafer W is measured first. When the measurement of the thickness of the central portion of the wafer W is completed, the arm 46 retreats by a predetermined distance. As a result, the center of the wafer W coincides with the center of the measurement table 54. Next, the measurement table 54 moves up a predetermined distance, and receives the wafer W from the arm 46. The arm 46 that has delivered the wafer W retreats by a predetermined distance and returns to the standby position.

【0025】一方、ウェーハWを受け取った測定テーブ
ル54はウェーハWを所定の速度で回転させる。そし
て、このウェーハWの回転が安定したところで、オリフ
ラ・ノッチ検出センサ56がウェーハWに形成されてい
るノッチ又はオリフラの位置を検出する。また、これと
同時に厚さ測定センサ52がウェーハWの外周部の厚さ
を測定する。
On the other hand, the measurement table 54 that has received the wafer W rotates the wafer W at a predetermined speed. Then, when the rotation of the wafer W is stabilized, the orientation flat / notch detection sensor 56 detects the position of the notch or orientation flat formed on the wafer W. At the same time, the thickness measurement sensor 52 measures the thickness of the outer peripheral portion of the wafer W.

【0026】測定が終了すると、測定テーブル54の回
転が停止する。この際、測定テーブル54は、ノッチ又
はオリフラ位置の検出結果に基づいて、そのノッチ又は
オリフラが所定の方向に向くように停止する。すなわ
ち、ノッチ付きウェーハの場合は、ノッチがY方向に向
くように停止し、オリフラ付きウェーハの場合は、オリ
フラがX方向と平行になるように停止する。
When the measurement is completed, the rotation of the measurement table 54 stops. At this time, the measurement table 54 stops based on the detection result of the notch or orientation flat position so that the notch or orientation flat faces in a predetermined direction. That is, in the case of a notched wafer, the wafer is stopped so that the notch faces in the Y direction, and in the case of the wafer with orientation flat, the orientation flat is stopped so as to be parallel to the X direction.

【0027】以上のようにして、ウェーハWの中心部及
び外周部の厚さ測定とプリアライメントが行われる。そ
して、厚さ測定とプリアライメントが行われたウェーハ
Wは、後述するウェーハ搬送部24のトランスファーユ
ニット100によって加工部18A、18Bに搬送され
る。次に、加工部18A、18Bの構成について説明す
る。図1に示すように、2つの加工部18A、18B
は、それぞれ装置本体12の正面部に並列して配置され
ている。この加工部18A、18Bは、図2及び図3に
示すように(図2、図3では一方の加工部18Aの構成
のみ図示)、主としてウェーハ送り装置60A、60B
と、外周研削装置62A、62B及びノッチ研削装置6
4A、64Bとから構成されている。
As described above, the thickness measurement and the pre-alignment of the central portion and the peripheral portion of the wafer W are performed. Then, the wafer W having undergone the thickness measurement and the pre-alignment is transferred to the processing units 18A and 18B by the transfer unit 100 of the wafer transfer unit 24 described later. Next, the configuration of the processing units 18A and 18B will be described. As shown in FIG. 1, two processing parts 18A and 18B
Are arranged in parallel on the front surface of the apparatus body 12. As shown in FIGS. 2 and 3 (only the configuration of one processing unit 18A is shown in FIGS. 2 and 3), the processing units 18A and 18B mainly include the wafer feeding devices 60A and 60B.
And the outer peripheral grinding devices 62A and 62B and the notch grinding device 6
4A and 64B.

【0028】ウェーハ送り装置60A、60Bは、ウェ
ーハWを吸着保持するチャックテーブル66A、66B
を有しており、該チャックテーブル66A、66Bは、
図示しない駆動手段に駆動されて前後方向(Y軸方
向)、左右方向(X軸方向)及び上下方向(Z軸方向)
の各方向に移動するとともに、図示しないモータに駆動
されて中心軸(θ軸)回りに回転する。
The wafer feeding devices 60A and 60B are provided with chuck tables 66A and 66B for holding the wafer W by suction.
The chuck tables 66A and 66B have
Driven by driving means (not shown), the front-back direction (Y-axis direction), the left-right direction (X-axis direction), and the up-down direction (Z-axis direction)
, And driven by a motor (not shown) to rotate around a central axis (θ-axis).

【0029】外周研削装置62A、62Bは、図示しな
い外周モータに駆動されて回転する外周スピンドル70
A、70Bを有しており、この外周スピンドル70A、
70BにウェーハWの外周を面取り加工する外周研削砥
石72A、72Bが装着される。外周研削砥石72A、
72Bはその外周面にウェーハWに要求される面取り形
状に対応した溝が形成されており(総形砥石)、この溝
にウェーハWの外周又はオリフラを押し当てることによ
り、外周又はオリフラが面取り加工される。
The outer peripheral grinding devices 62A and 62B are driven by an outer peripheral motor (not shown) to rotate the outer peripheral spindle 70.
A, 70B, and the outer peripheral spindle 70A,
Outer peripheral grinding wheels 72A and 72B for chamfering the outer periphery of the wafer W are mounted on 70B. Outer peripheral grinding wheel 72A,
A groove corresponding to the chamfered shape required for the wafer W is formed on the outer peripheral surface of the wafer 72B (form grindstone). By pressing the outer periphery or the orientation flat of the wafer W against the groove, the outer periphery or the orientation flat is chamfered. Is done.

【0030】ノッチ研削装置64A、64Bは、ノッチ
モータ74A、74Bに駆動されて回転するノッチスピ
ンドル76A、76Bを有しており、このノッチスピン
ドル76A、76BにウェーハWのノッチを面取り加工
するノッチ研削砥石78A、78Bが装着される。ノッ
チ研削砥石78A、78Bは、その外周面にノッチに要
求される面取り形状に対応した溝が形成されており(総
形砥石)、この溝にウェーハWのノッチを押し当てるこ
とにより、ノッチが面取り加工される。
The notch grinding devices 64A and 64B have notch spindles 76A and 76B which are driven to rotate by notch motors 74A and 74B, respectively. 78A and 78B are mounted. The notch grinding wheels 78A and 78B have grooves formed on the outer peripheral surface corresponding to the chamfered shape required for the notch (form-shaped grindstone), and the notch of the wafer W is chamfered by pressing the notch of the wafer W against the groove. Processed.

【0031】前記のごとく構成された加工部18A、1
8Bでは、次のようにしてウェーハWを面取り加工す
る。なお、ウェーハWは、その外周(円形の部分)と、
オリフラ又はノッチを加工する場合では、それぞれ加工
方法が異なるので、まず、ウェーハWの外周を面取り加
工する場合について説明する。まず、ウェーハWをチャ
ックテーブル66A、66Bに保持する。次いで、外周
研削砥石72A、72Bを高速回転させる。次に、チャ
ックテーブル66A、66Bを外周研削砥石72A、7
2Bに向けて移動させ、ウェーハWの外周を外周研削砥
石72A、72Bの溝に押し当てる。次に、チャックテ
ーブル66A、66Bを回転させる。これにより、ウェ
ーハWの外周が外周研削砥石72A、72Bに研削され
て、面取り加工される。
The processing sections 18A, 1
In 8B, the wafer W is chamfered as follows. Note that the wafer W has an outer periphery (circular portion) and
In the case of processing the orientation flat or the notch, the processing methods are different from each other. First, the case of chamfering the outer periphery of the wafer W will be described. First, the wafer W is held on the chuck tables 66A and 66B. Next, the outer peripheral grinding wheels 72A and 72B are rotated at a high speed. Next, the chuck tables 66A, 66B are moved to the outer peripheral grinding wheels 72A, 7A.
The wafer W is moved toward 2B, and the outer periphery of the wafer W is pressed against the grooves of the outer peripheral grinding wheels 72A and 72B. Next, the chuck tables 66A and 66B are rotated. Thereby, the outer periphery of the wafer W is ground into the outer peripheral grinding wheels 72A and 72B, and chamfering is performed.

【0032】次に、ウェーハWのオリフラを面取り加工
する場合について説明する。まず、外周研削砥石72
A、72Bを高速回転させる。次に、チャックテーブル
66A、66Bを外周研削砥石72A、72Bに向けて
移動させ、オリフラの部分を外周研削砥石72A、72
Bの溝に押し当てる。次に、チャックテーブル66A、
66Bをオリフラに沿って移動させる。これにより、ウ
ェーハWのオリフラが外周研削砥石72A、72Bに研
削されて、面取り加工される。
Next, the case where the orientation flat of the wafer W is chamfered will be described. First, the outer peripheral grinding wheel 72
A and 72B are rotated at high speed. Next, the chuck tables 66A and 66B are moved toward the outer peripheral grinding wheels 72A and 72B, and the portion of the orientation flat is removed from the outer peripheral grinding wheels 72A and 72B.
Press against groove B. Next, the chuck table 66A,
66B is moved along the orientation flat. Thereby, the orientation flat of the wafer W is ground into the outer peripheral grinding wheels 72A and 72B, and is chamfered.

【0033】次に、ウェーハWに形成されているノッチ
を面取り加工する場合について説明する。まず、ノッチ
研削砥石78A、78Bを高速回転させる。次に、チャ
ックテーブル66A、66Bをノッチ研削砥石78A、
78Bに向けて移動させ、ノッチの部分をノッチ研削砥
石78A、78Bの溝に押し当てる。これにより、ウェ
ーハWのノッチがノッチ研削砥石78A、78Bに研削
されて、面取り加工される。
Next, a case where a notch formed on the wafer W is chamfered will be described. First, the notch grinding wheels 78A and 78B are rotated at a high speed. Next, the chuck tables 66A and 66B are notched with grinding wheels 78A,
The notch is moved toward the groove 78B, and the notch is pressed against the grooves of the notch grinding wheels 78A and 78B. As a result, the notch of the wafer W is ground by the notch grinding wheels 78A and 78B and chamfered.

【0034】次に、位置決め部20の構成について説明
する。位置決め部20は、プリアライメント部16でプ
リアライメントされたウェーハWを所定位置に位置決め
(ファインアライメント)してチャックテーブル66
A、66Bに載置する装置である。この位置決め部20
は、図1及び図2に示すように、水平ガイド80と、そ
の水平ガイド80に沿ってスライド移動する水平スライ
ドブロック82と、水平スライドブロック82上に配設
された垂直ガイド83と、その垂直ガイド83に沿って
昇降移動する昇降ブロック84と、その昇降ブロック8
4に着脱自在に取り付けられ、前記加工部18A、18
Bの上方に配置されたセンタリングユニット86とから
構成されている。
Next, the configuration of the positioning section 20 will be described. The positioning unit 20 positions the wafer W pre-aligned by the pre-alignment unit 16 at a predetermined position (fine alignment) and performs chuck chuck 66
A, 66B. This positioning unit 20
As shown in FIGS. 1 and 2, a horizontal guide 80, a horizontal slide block 82 that slides along the horizontal guide 80, a vertical guide 83 disposed on the horizontal slide block 82, An elevating block 84 that moves up and down along a guide 83;
4 and is detachably attached to the processing section 18A, 18
And a centering unit 86 disposed above B.

【0035】水平ガイド80は、図1に示すように、並
列して配置された2つの加工部18A、18Bに沿って
配設されており、この水平ガイド80に沿ってスライド
ブロック82が図示しない駆動手段に駆動されてスライ
ド移動する。一方、垂直ガイド83は、図2に示すよう
に、前記水平ガイド80と直交するように配設されてお
り、この垂直ガイド83に沿って昇降ブロック84が図
示しない駆動手段に駆動されて昇降移動する。したがっ
て、この昇降ブロック84に取り付けられたセンタリン
グユニット86は、昇降ブロック84が昇降移動するこ
とにより、加工部18A、18Bの上方を垂直に昇降移
動し、水平スライドブロック82がスライド移動するこ
とにより、加工部18A、18Bの上方を水平移動す
る。
As shown in FIG. 1, the horizontal guide 80 is disposed along two processing portions 18A and 18B arranged in parallel, and a slide block 82 is not shown along the horizontal guide 80. It is slid by being driven by the driving means. On the other hand, as shown in FIG. 2, the vertical guide 83 is disposed so as to be orthogonal to the horizontal guide 80, and the elevating block 84 is driven by driving means (not shown) along the vertical guide 83 to move up and down. I do. Therefore, the centering unit 86 attached to the elevating block 84 vertically moves above and below the processing parts 18A and 18B by the elevating block 84 moving up and down, and the horizontal slide block 82 slides. It moves horizontally above the processing units 18A and 18B.

【0036】ところで、このセンタリングユニット86
には、オリフラ付きウェーハ用のものとノッチ付きウェ
ーハ用のものとがあり、面取り加工するウェーハに応じ
てオペレータが交換して取り付ける。オリフラ付きウェ
ーハ用のセンタリングユニット86は、図4に示すよう
に、一対の挟持ローラ88、88と一対の位置決め基準
駒90、90を有しており、それぞれ図示しない駆動手
段に駆動されて互いに中心Oに向かって拡縮する。オリ
フラ付きウェーハは、この一対の挟持ローラ88、88
と一対の位置決め基準駒90、90で挟持されることに
よりセンタリングされ、また、そのオリフラに一対の位
置決め基準駒90、90が当接することにより所定位置
に位置決めされる。
The centering unit 86
There are two types, one for wafers with orientation flats and the one for notched wafers, which are replaced by an operator according to the wafer to be chamfered. As shown in FIG. 4, the centering unit 86 for a wafer with an orientation flat has a pair of nipping rollers 88, 88 and a pair of positioning reference pieces 90, 90. Scale toward O. The wafer with the orientation flat is connected to the pair of nipping rollers 88, 88.
It is centered by being pinched by the pair of positioning reference pieces 90, 90, and is positioned at a predetermined position by the pair of positioning reference pieces 90, 90 abutting the orientation flat.

【0037】一方、ノッチ付きウェーハ用のセンタリン
グユニット86は、図5に示すように、一対の挟持ロー
ラ92、92と1個の位置決め基準駒94を有してお
り、それぞれ図示しない駆動手段に駆動されて互いに中
心Oに向かって拡縮する。ノッチ付きウェーハは、この
一対の挟持ローラ92、92と1個の位置決め基準駒9
4で挟持されることによりセンタリングされ、また、そ
のノッチに位置決め基準駒94が入り込むことにより所
定位置に位置決めされる。
On the other hand, as shown in FIG. 5, the centering unit 86 for a notched wafer has a pair of nipping rollers 92, 92 and one positioning reference piece 94, each of which is driven by driving means (not shown). And expand and contract toward the center O. The notched wafer is made up of the pair of nipping rollers 92 and 92 and one positioning reference piece 9.
4, the centering is performed, and the positioning reference piece 94 enters the notch to be positioned at a predetermined position.

【0038】次に、洗浄部22の構成について説明す
る。図1に示すように、洗浄部22は2つの加工部18
A、18Bに並列して配置されている。この洗浄部22
にはスピン洗浄装置96が設置されており、該スピン洗
浄装置96は洗浄テーブル98で保持したウェーハWを
回転させ、その回転するウェーハWの表面に洗浄液を噴
射することにより、ウェーハWの表面に付着した汚れを
剥離除去する。
Next, the configuration of the cleaning unit 22 will be described. As shown in FIG. 1, the cleaning unit 22 includes two processing units 18.
A, 18B. This cleaning unit 22
Is provided with a spin cleaning device 96. The spin cleaning device 96 rotates the wafer W held on the cleaning table 98, and sprays a cleaning liquid onto the surface of the rotating wafer W, thereby forming a spin cleaning device 96 on the surface of the wafer W. The adhered dirt is peeled and removed.

【0039】次に、ウェーハ搬送部24の構成について
説明する。ウェーハ搬送部24にはトランスファーユニ
ット100が備えられており、該トランスファーユニッ
ト100は、プリアライメント部16でプリアライメン
トされたウェーハWを位置決め部20のセンタリングユ
ニット86に搬送するとともに、各加工部18A、18
Bで面取り加工されたウェーハWを洗浄部22の洗浄テ
ーブル98上に搬送する。このトランスファーユニット
100は、図1及び図6に示すように、水平ガイド10
2と、その水平ガイド102に沿ってスライド移動する
スライドブロック104と、そのスライドブロック10
4上に設けられた供給トランスファーアーム106と、
同じくスライドブロック104上に設けられた回収トラ
ンスファーアーム108とから構成されている。
Next, the configuration of the wafer transfer section 24 will be described. The transfer unit 100 is provided in the wafer transfer unit 24, and the transfer unit 100 transfers the wafer W pre-aligned by the pre-alignment unit 16 to the centering unit 86 of the positioning unit 20. 18
The wafer W chamfered in B is transferred onto the cleaning table 98 of the cleaning unit 22. The transfer unit 100 includes a horizontal guide 10 as shown in FIGS.
2, a slide block 104 that slides along the horizontal guide 102, and the slide block 10
4, a supply transfer arm 106 provided on
A recovery transfer arm 108 is also provided on the slide block 104.

【0040】水平ガイド102は、図1に示すように、
並列して配置された2つの加工部18A、18Bと洗浄
部22に沿って配設されており、この水平ガイド102
に沿ってスライドブロック104が図示しない駆動手段
に駆動されてスライド移動する。供給トランスファーア
ーム106は、図6に示すように、先端部にU字状のウ
ェーハ受皿110を有している。このウェーハ受皿11
0の上面部には一対の吸着パッド112、112が配設
されており、供給トランスファーアーム106は、この
吸着パッド112、112でウェーハWを保持してウェ
ーハWを搬送する。また、この供給トランスファーアー
ム106は、その基端部が第1昇降ブロック114に設
けられたアーム旋回モータ116の出力軸に固定されて
おり、このアーム旋回モータ116を駆動することによ
り旋回する。さらに、このアーム旋回モータ116が設
けられた第1昇降ブロック114は、前記スライドブロ
ック104に垂直に立設された第1支柱118にスライ
ド自在に支持されており、図示しないシリンダに駆動さ
れることにより昇降移動する。したがって、供給トラン
スファーアーム106は、この第1昇降ブロック114
が昇降移動することにより上下動する。また、スライド
ブロック104がスライド移動することにより図1中X
軸方向にスライド移動する。
The horizontal guide 102 is, as shown in FIG.
The horizontal guide 102 is disposed along the two processing sections 18A and 18B and the cleaning section 22 arranged in parallel.
The slide block 104 is driven by driving means (not shown) and slides along. As shown in FIG. 6, the supply transfer arm 106 has a U-shaped wafer tray 110 at the tip. This wafer tray 11
A pair of suction pads 112, 112 are provided on the upper surface of the “0”, and the supply transfer arm 106 transports the wafer W while holding the wafer W with the suction pads 112, 112. The supply transfer arm 106 has a base end fixed to an output shaft of an arm turning motor 116 provided in the first lifting block 114, and turns by driving the arm turning motor 116. Further, the first lifting / lowering block 114 provided with the arm rotation motor 116 is slidably supported by a first column 118 vertically provided on the slide block 104, and is driven by a cylinder (not shown). To move up and down. Therefore, the supply transfer arm 106 is connected to the first lifting block 114
Is moved up and down by moving up and down. Also, when the slide block 104 slides, X in FIG.
Slide in the axial direction.

【0041】一方、回収トランスファーアーム108
は、図7に示すように、先端下部に吸着パッド120を
有している。回収トランスファーアーム108は、この
吸着パッド120でウェーハWを保持して搬送する。ま
た、この回収トランスファーアーム108は、その基端
部が第2昇降ブロック122に支持されており、該第2
昇降ブロック122は前記スライドブロック104に垂
直に立設された第2支柱124にスライド自在に支持さ
れている。この第2昇降ブロック122は、図示しない
シリンダに駆動されることにより昇降移動し、この結
果、回収トランスファーアーム108が上下動する。ま
た、回収トランスファーアーム108は、スライドブロ
ック104がスライド移動することにより、前記供給ト
ランスファーアーム106と共に図1中X軸方向にスラ
イド移動する。
On the other hand, the recovery transfer arm 108
Has a suction pad 120 at the lower end of the tip as shown in FIG. The recovery transfer arm 108 transports the wafer W while holding the wafer W with the suction pad 120. The base end of the recovery transfer arm 108 is supported by the second lifting block 122.
The elevating block 122 is slidably supported by a second support 124 which stands upright on the slide block 104. The second lifting block 122 is moved up and down by being driven by a cylinder (not shown), and as a result, the recovery transfer arm 108 moves up and down. The collection transfer arm 108 slides in the X-axis direction in FIG. 1 together with the supply transfer arm 106 as the slide block 104 slides.

【0042】以上のように構成されたトランスファーユ
ニット100は、図8に示すように、供給トランスファ
ーアーム106と回収トランスファーアーム108とが
スライドブロック104に駆動されて水平移動すること
により、『ウェーハ受取位置』、『第1センタリング受
渡位置』、『第2センタリング受渡位置』、『待機位
置』及び『洗浄テーブル受渡位置』の間を移動してウェ
ーハWを搬送する。
In the transfer unit 100 configured as described above, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 are driven by the slide block 104 to move horizontally as shown in FIG. , "The first centering delivery position", "second centering delivery position", "standby position", and "cleaning table delivery position" to transfer the wafer W.

【0043】次に、後測定部26の構成について説明す
る。後測定部26では、面取り加工されたウェーハWの
直径を測定する。この後測定部26は、図1に示すよう
にウェーハWの直径を測定する直径測定器126と、ウ
ェーハWを保持して回転及び上下動させる測定テーブル
128とから構成されており、測定テーブル128に保
持されて回転するウェーハWの直径を直径測定器126
を用いて測定する。
Next, the configuration of the post-measurement section 26 will be described. The rear measurement unit 26 measures the diameter of the chamfered wafer W. The post-measurement unit 26 includes a diameter measuring device 126 for measuring the diameter of the wafer W as shown in FIG. 1 and a measurement table 128 for holding and rotating and moving the wafer W up and down. The diameter of the rotating wafer W held by the
Measure using

【0044】なお、洗浄部22の洗浄テーブル98から
後測定部26の測定テーブル128へのウェーハWの搬
送は、次述する回収部28のウェーハ回収ロボット13
4が行う。次に、回収部28の構成について説明する。
図1に示すように、回収部28は、回収カセット130
を所定位置に位置決めする回収カセット位置決め装置1
32と、その回収カセット位置決め装置132によって
所定のウェーハ回収位置に位置決めされた回収カセット
130にウェーハWを収納するウェーハ回収ロボット1
34から構成されている。
The transfer of the wafer W from the cleaning table 98 of the cleaning section 22 to the measurement table 128 of the post-measurement section 26 is performed by the wafer collection robot 13 of the collection section 28 described below.
4 does. Next, the configuration of the collection unit 28 will be described.
As shown in FIG. 1, the collection unit 28 includes a collection cassette 130.
Cassette positioning device 1 for positioning the paper in a predetermined position
32 and a wafer collection robot 1 that stores wafers W in a collection cassette 130 positioned at a predetermined wafer collection position by the collection cassette positioning device 132.
34.

【0045】回収カセット位置決め装置132は、6台
の回収カセットテーブル136、136…を有してい
る。この6台の回収カセットテーブル136、136、
…は、装置本体12の右側部に直列して配置されてい
る。回収カセット130、130…は、この6台の回収
カセットテーブル136、136、…上にセットされる
ことにより、所定位置に位置決めされる。一方、ウェー
ハ回収ロボット134は、先端下部に一対の吸着パッド
を備えたアーム138を有している。このアーム138
はターンテーブル140上に敷設されたガイド142に
沿って前後移動するとともに、ターンテーブル140が
回転することにより旋回する。また、ターンテーブル1
40がスライド移動することにより、6台の回収カセッ
トテーブル136、136、…に沿ってスライド移動
し、ターンテーブル140が上下動することにより上下
動する。
The collecting cassette positioning device 132 has six collecting cassette tables 136, 136,... These six collection cassette tables 136, 136,
Are arranged in series on the right side of the apparatus main body 12. Are set at predetermined positions by being set on the six collection cassette tables 136, 136,.... On the other hand, the wafer collection robot 134 has an arm 138 provided with a pair of suction pads at the lower end of the tip. This arm 138
Moves forward and backward along a guide 142 laid on the turntable 140, and turns as the turntable 140 rotates. Also, turntable 1
.. Slides along the six collection cassette tables 136, 136,..., And moves up and down as the turntable 140 moves up and down.

【0046】以上のように構成された回収部28では、
次のようにしてウェーハWの回収を行う。まず、ターン
テーブル140がスライド移動して、後測定部26の測
定テーブル162の前方で停止する。次に、アーム13
8が前進して測定テーブル162に保持されているウェ
ーハWの下側位置に位置する。次に、測定テーブル16
2が下降し、ウェーハWがアーム138に受け渡され
る。次に、アーム138が後退し、180°旋回する。
次に、ターンテーブル140がスライド移動して所定の
回収カセット130の前方で停止する。次に、ターンテ
ーブル140が所定距離上昇して、アーム138がウェ
ーハWの収納位置に移動する。次に、アーム138が前
進して回収カセット130内にウェーハWを収納し、ウ
ェーハWの吸着を解除する。次に、アーム138が後退
する。そして、ターンテーブル140が所定距離下降す
ることにより、アーム138が元の高さの位置に復帰す
る。これにより、ウェーハWの回収が終了する。
In the recovery unit 28 configured as described above,
The wafer W is collected as follows. First, the turntable 140 slides and stops in front of the measurement table 162 of the rear measurement unit 26. Next, arm 13
8 moves forward and is positioned below the wafer W held on the measurement table 162. Next, the measurement table 16
2 is lowered, and the wafer W is transferred to the arm 138. Next, the arm 138 retreats and turns 180 °.
Next, the turntable 140 slides and stops in front of the predetermined collection cassette 130. Next, the turntable 140 moves up a predetermined distance, and the arm 138 moves to the storage position of the wafer W. Next, the arm 138 advances to store the wafer W in the collection cassette 130 and release the suction of the wafer W. Next, the arm 138 is retracted. Then, when the turntable 140 is lowered by a predetermined distance, the arm 138 returns to the original height position. Thus, the collection of the wafer W ends.

【0047】なお、ウェーハWの回収はカセット単位で
行われ、一つの回収カセット130が満杯になると、ウ
ェーハWは次の回収カセット130に回収される。前記
のごとく構成された本実施の形態のウェーハ面取り装置
10の作用は次の通りである。なお、以下の説明では、
必要に応じて図1中左側の加工部18Aを『第1加工部
18A』といい、右側の加工部18Bを『第2加工部1
8B』という。
The collection of wafers W is performed in cassette units. When one collection cassette 130 becomes full, the wafer W is collected in the next collection cassette 130. The operation of the wafer chamfering apparatus 10 according to the present embodiment configured as described above is as follows. In the following description,
The processing portion 18A on the left side in FIG. 1 is referred to as a “first processing portion 18A” and the processing portion 18B on the right side is referred to as a “second processing
8B ".

【0048】図1に示すように、まず、6つある供給カ
セット30、30、…のうち1つの供給カセットから1
枚のウェーハWがウェーハ供給ロボット34によって取
り出される。取り出されたウェーハWは、ウェーハ供給
ロボット34によってプリアライメント部16のウェー
ハ搬送ロボット42に受け渡される。ウェーハWを受け
取ったウェーハ搬送ロボット42は、そのウェーハWを
プリアライメント装置44に搬送する。一方、ウェーハ
Wを受け渡したウェーハ供給ロボット34は、次に処理
するウェーハWを供給カセット30から取り出し、所定
のウェーハ受渡位置(図1で実線で示す位置)で待機し
ている。
As shown in FIG. 1, first, one of the six supply cassettes 30, 30,.
The wafers W are taken out by the wafer supply robot 34. The taken-out wafer W is transferred by the wafer supply robot 34 to the wafer transfer robot 42 of the pre-alignment unit 16. The wafer transfer robot 42 that has received the wafer W transfers the wafer W to the pre-alignment device 44. On the other hand, the wafer supply robot 34 that has delivered the wafer W takes out the next wafer W to be processed from the supply cassette 30 and stands by at a predetermined wafer delivery position (the position indicated by a solid line in FIG. 1).

【0049】プリアライメント装置44は、ウェーハ搬
送ロボット42から受け渡されたウェーハWの厚さ測定
とプリアライメントを行う。このプリアライメント装置
44で厚さ測定とプリアライメントが終了すると、図8
に示すように、供給トランスファーアーム106と回収
トランスファーアーム108がウェーハ受取位置(図8
に実線で示す位置)に移動する。そして、供給トランス
ファーアーム106がプリアライメント装置44の測定
テーブル54からプリアライメントされたウェーハWを
受け取る。
The pre-alignment device 44 measures the thickness of the wafer W transferred from the wafer transfer robot 42 and performs pre-alignment. When the thickness measurement and the pre-alignment are completed by the pre-alignment device 44, FIG.
As shown in FIG. 8, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 are positioned at the wafer receiving position (FIG. 8).
To the position indicated by the solid line). Then, the supply transfer arm 106 receives the pre-aligned wafer W from the measurement table 54 of the pre-alignment device 44.

【0050】ここで、供給トランスファーアーム106
は、次のようにして測定テーブル54からウェーハWを
受け取る。図8に示すように、供給トランスファーアー
ム106と回収トランスファーアーム108がウェーハ
受取位置に移動すると、供給トランスファーアーム10
6が時計回りの方向に約90°旋回する。この結果、同
図に二点破線で示すように、供給トランスファーアーム
106のウェーハ受皿110が測定テーブル54に保持
されているウェーハWの下側位置に位置する。
Here, the supply transfer arm 106
Receives the wafer W from the measurement table 54 as follows. As shown in FIG. 8, when the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 move to the wafer receiving position, the supply transfer arm 10
6 pivots about 90 ° clockwise. As a result, the wafer receiving tray 110 of the supply transfer arm 106 is positioned below the wafer W held on the measurement table 54, as indicated by the two-dot broken line in FIG.

【0051】次に、供給トランスファーアーム106が
所定距離上昇する。これにより、ウェーハ受皿110に
設けられている吸着パッド112、112がウェーハW
の下面に当接するので、吸着パッド112、112は、
そのウェーハWを吸着保持する。次に、測定テーブル5
4がウェーハWの吸着を解除して、所定距離下降する。
これにより、測定テーブル54から供給トランスファー
アーム106にウェーハWが受け渡される。供給トラン
スファーアーム106は、ウェーハWを受け取ると、反
時計回りの方向に約90°旋回してウェーハ受取位置に
復帰し、その後、所定距離下降する。
Next, the supply transfer arm 106 moves up a predetermined distance. As a result, the suction pads 112, 112 provided on the wafer
The suction pads 112, 112
The wafer W is held by suction. Next, measurement table 5
4 releases the suction of the wafer W and descends by a predetermined distance.
As a result, the wafer W is transferred from the measurement table 54 to the supply transfer arm 106. When the supply transfer arm 106 receives the wafer W, the supply transfer arm 106 turns about 90 ° in a counterclockwise direction, returns to the wafer receiving position, and then descends by a predetermined distance.

【0052】これにより、ウェーハWの受け渡しが完了
する。なお、供給トランスファーアーム106にウェー
ハWが受け取られると、次に処理するウェーハWがウェ
ーハ搬送ロボット42によってプリアライメント装置4
4に搬送され、プリアライメント装置44は、その搬送
されたウェーハWの厚さ測定とプリアライメントを予め
行っておく。
Thus, the delivery of the wafer W is completed. When the wafer W is received by the supply transfer arm 106, the wafer W to be processed next is transferred to the pre-alignment device 4 by the wafer transfer robot 42.
4, the pre-alignment device 44 performs the thickness measurement and pre-alignment of the transferred wafer W in advance.

【0053】供給トランスファーアーム106がウェー
ハを受け取ると、供給トランスファーアーム106と回
収トランスファーアーム108が、図8に示す第1セン
タリング受渡位置に移動する。この第1センタリング受
渡位置の上方には予めセンタリングユニット86が待機
しており、下方には第1加工部18Aのチャックテーブ
ル66Aが待機している。供給トランスファーアーム1
06は、所定距離上昇してセンタリングユニット86に
ウェーハWを受け渡す。
When the supply transfer arm 106 receives a wafer, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 move to the first centering transfer position shown in FIG. A centering unit 86 is on standby in advance above the first centering transfer position, and a chuck table 66A of the first processing unit 18A is on standby below. Supply transfer arm 1
In step 06, the wafer W is moved up by a predetermined distance and transferred to the centering unit 86.

【0054】ここで、センタリングユニット86は、そ
のウェーハWを受け取る過程でウェーハWのセンタリン
グと位置決めを行う。すなわち、オリフラ付きウェーハ
Wの場合は、一対の挟持ローラ88、88と一対の位置
決め基準駒90、90でウェーハWを挟持して受け取る
ことにより、そのウェーハWをセンタリングする。そし
て、一対の位置決め基準駒90、90をオリフラに当接
させることにより、そのウェーハWを所定の位置に位置
決めする(オリフラを所定の方向に位置させる)。
Here, the centering unit 86 performs centering and positioning of the wafer W in the process of receiving the wafer W. That is, in the case of the wafer W with the orientation flat, the wafer W is centered by holding and receiving the wafer W between the pair of holding rollers 88, 88 and the pair of positioning reference pieces 90, 90. Then, the wafer W is positioned at a predetermined position by bringing the pair of positioning reference pieces 90, 90 into contact with the orientation flat (positioning the orientation flat in a predetermined direction).

【0055】一方、ノッチ付きウェーハWの場合は、一
対の挟持ローラ92、92と1個の位置決め基準駒94
でウェーハWを挟持して受け取ることにより、そのウェ
ーハWをセンタリングする。そして、位置決め基準駒9
4をノッチに嵌め込むことにより、そのウェーハWを所
定の位置に位置決めする(ノッチを所定の方向に位置さ
せる。)。
On the other hand, in the case of the notched wafer W, a pair of nipping rollers 92, 92 and one positioning reference piece 94
The wafer W is centered by holding and receiving the wafer W. And positioning reference piece 9
The wafer W is positioned at a predetermined position by fitting 4 into the notch (the notch is positioned in a predetermined direction).

【0056】なお、供給トランスファーアーム106か
らセンタリングユニット86に受け渡されるウェーハW
は、プリアライメント部16において予めプリアライメ
ントされているので、供給トランスファーアーム106
から受け渡されたウェーハWをそのまま挟持すれば、オ
リフラ付きウェーハWの場合は一対の位置決め基準駒1
50、150が自動的にオリフラ部に当接し、ノッチ付
きウェーハWの場合は位置決め基準駒154が自動的に
ノッチに嵌まり込む。
The wafer W transferred from the supply transfer arm 106 to the centering unit 86
Are pre-aligned in the pre-alignment unit 16 so that the supply transfer arm 106
If the wafer W delivered from the above is held as it is, a pair of positioning reference pieces 1
50 and 150 automatically come into contact with the orientation flat, and in the case of a notched wafer W, the positioning reference piece 154 is automatically fitted into the notch.

【0057】センタリング装置146がウェーハWを受
け取ると、供給トランスファーアーム106は所定距離
下降して元の位置に復帰する。そして、回収トランスフ
ァーアーム108と共に待機位置に移動する。一方、セ
ンタリングユニット86は、供給トランスファーアーム
106と回収トランスファーアーム108が待機位置に
移動した後に所定距離下降して第1加工部18Aのチャ
ックテーブル66A上にウェーハWを載置する。
When the centering device 146 receives the wafer W, the supply transfer arm 106 descends by a predetermined distance and returns to the original position. Then, it moves to the standby position together with the recovery transfer arm 108. On the other hand, after the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 move to the standby position, the centering unit 86 descends by a predetermined distance and places the wafer W on the chuck table 66A of the first processing unit 18A.

【0058】ウェーハWをチャックテーブル66A上に
載置したセンタリングユニット86は、再び所定距離上
昇してウェーハWを受け取った位置に復帰する。そし
て、水平方向に所定距離移動して第2センタリング受渡
位置の上方に移動する。一方、第1加工部18Aはセン
タリングユニット86が上昇した後に、その受け渡され
たウェーハWの面取り加工を開始する。
The centering unit 86 having the wafer W placed on the chuck table 66A rises again by a predetermined distance and returns to the position where the wafer W has been received. Then, it moves a predetermined distance in the horizontal direction and moves above the second centering delivery position. On the other hand, after the centering unit 86 moves up, the first processing unit 18A starts chamfering the transferred wafer W.

【0059】第1加工部18AによるウェーハWの面取
り加工が開始すると、供給トランスファーアーム106
と回収トランスファーアーム108は、再びウェーハ受
取位置に移動する。そして、プリアライメント装置44
から既にプリアライメント済みのウェーハWを供給トラ
ンスファーアーム106が受け取る。供給トランスファ
ーアーム106がウェーハWを受け取ると、供給トラン
スファーアーム106は回収トランスファーアーム10
8と共に第2センタリング受渡位置に移動する。この第
2センタリング受渡位置の上方には前述したように予め
センタリングユニット86が移動して待機しており、下
方には第2加工部18Bのチャックテーブル66Bが待
機している。
When the chamfering of the wafer W by the first processing section 18A starts, the supply transfer arm 106
Then, the collection transfer arm 108 moves to the wafer receiving position again. Then, the pre-alignment device 44
The supply transfer arm 106 receives the wafer W that has already been pre-aligned. When the supply transfer arm 106 receives the wafer W, the supply transfer arm 106
8 and moves to the second centering delivery position. As described above, the centering unit 86 moves in advance and waits above the second centering delivery position, and the chuck table 66B of the second processing unit 18B waits below.

【0060】供給トランスファーアーム106は、前記
と同様に所定距離上昇してセンタリングユニット86に
ウェーハWを受け渡し、センタリングユニット86は、
そのウェーハWを受け取る過程でウェーハWのセンタリ
ングと位置決めを行う。供給トランスファーアーム10
6がセンタリングユニット86にウェーハWを受け渡す
と、供給トランスファーアーム106は所定距離下降す
る。そして、回収トランスファーアーム108と共に再
び待機位置に移動する。
The supply transfer arm 106 ascends a predetermined distance and transfers the wafer W to the centering unit 86 in the same manner as described above.
In the process of receiving the wafer W, centering and positioning of the wafer W are performed. Supply transfer arm 10
When 6 transfers the wafer W to the centering unit 86, the supply transfer arm 106 moves down a predetermined distance. Then, it moves to the standby position again together with the collection transfer arm 108.

【0061】一方、供給トランスファーアーム106か
らウェーハWが受け渡されたセンタリングユニット86
は、供給トランスファーアーム106と回収トランスフ
ァーアーム108が待機位置に移動した後、所定距離下
降して第2加工部18Bのチャックテーブル66A上に
ウェーハWを載置する。そして、所定距離上昇してウェ
ーハWを受け取った位置に復帰する。センタリングユニ
ット86は、上昇後、再び水平方向に移動して第1セン
タリング受渡位置の上方に移動する。
On the other hand, the centering unit 86 to which the wafer W has been delivered from the supply transfer arm 106
After the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 move to the standby position, the wafer W is lowered by a predetermined distance and placed on the chuck table 66A of the second processing unit 18B. Then, the wafer W rises by a predetermined distance and returns to the position where the wafer W has been received. After moving up, the centering unit 86 moves in the horizontal direction again and moves above the first centering delivery position.

【0062】ウェーハWが受け渡された第2加工部18
Bは、センタリングユニット86が上昇した後、その受
け渡されたウェーハWの面取り加工を開始する。以上の
工程で、2台の加工部18A、18Bにそれぞれウェー
ハWが供給され、ウェーハWの面取り加工が2ヵ所で行
われるようになる。前記第1加工部18Aと第2加工部
18BでウェーハWの面取り加工が実施されている間に
供給トランスファーアーム106と回収トランスファー
アーム108がウェーハ受取位置に移動する。そして、
プリアライメント装置44から既にプリアライメントが
されているウェーハWを供給トランスファーアーム10
6が受け取る。
The second processing unit 18 to which the wafer W has been delivered
B starts chamfering of the transferred wafer W after the centering unit 86 moves up. In the above steps, the wafers W are supplied to the two processing units 18A and 18B, respectively, and the wafer W is chamfered at two locations. During the chamfering of the wafer W in the first processing unit 18A and the second processing unit 18B, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 move to the wafer receiving position. And
The wafer W that has been pre-aligned is supplied from the pre-alignment device 44.
6 receives.

【0063】供給トランスファーアーム106がウェー
ハWを受け取ると、供給トランスファーアーム106と
回収トランスファーアーム108は、第1センタリング
受渡位置に移動して待機している。また、この第1セン
タリング受渡位置の上方には予めセンタリングユニット
86が待機している。前記第1加工部18Aでウェーハ
Wの面取り加工が開始されてから所定時間が経過する
と、その第1加工部18AでウェーハWの面取り加工が
終了する。このウェーハWの面取り加工が終了すると、
第1加工部18Aのチャックテーブル66Aは第1セン
タリング受渡位置の下方位置に移動する。
When the supply transfer arm 106 receives the wafer W, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 move to the first centering transfer position and wait. In addition, a centering unit 86 is waiting in advance above the first centering delivery position. When a predetermined time elapses after the chamfering of the wafer W is started in the first processing part 18A, the chamfering of the wafer W is finished in the first processing part 18A. When the chamfering of the wafer W is completed,
The chuck table 66A of the first processing unit 18A moves to a position below the first centering delivery position.

【0064】前記チャックテーブル66Aが第1センタ
リング受渡位置の下方位置に移動すると、予め第1セン
タリング受渡位置に待機していた供給トランスファーア
ーム106が、所定距離上昇してセンタリングユニット
86にウェーハWを受け渡す。これと同時に、回収トラ
ンスファーアーム108が所定距離下降して、チャック
テーブル66Aに保持されている面取り加工済のウェー
ハWを受け取る。供給トランスファーアーム106は、
センタリングユニット86にウェーハWを受け渡したの
ち、所定距離下降して元の位置に復帰する。また、回収
トランスファーアーム108もチャックテーブル66A
に保持されているウェーハWを吸着パッド120で吸着
保持したのち、所定距離上昇して元の位置に復帰する。
When the chuck table 66A moves to a position below the first centering delivery position, the supply transfer arm 106, which has been waiting at the first centering delivery position, rises a predetermined distance and receives the wafer W on the centering unit 86. hand over. At the same time, the recovery transfer arm 108 descends by a predetermined distance to receive the chamfered wafer W held on the chuck table 66A. The supply transfer arm 106
After delivering the wafer W to the centering unit 86, the wafer W is lowered by a predetermined distance and returns to the original position. In addition, the recovery transfer arm 108 is also a chuck table 66A.
After the wafer W held by the suction pad 120 is suction-held by the suction pad 120, the wafer W is raised by a predetermined distance and returns to the original position.

【0065】供給トランスファーアーム106と回収ト
ランスファーアーム108は、この後、水平方向にスラ
イド移動して図8に示す洗浄テーブル受渡位置に移動す
る。そして、供給トランスファーアーム106と回収ト
ランスファーアーム108が洗浄テーブル受渡位置に位
置すると、回収トランスファーアーム108が所定距離
下降して、スピン洗浄装置96の洗浄テーブル98にウ
ェーハWを受け渡す。ウェーハWを受け渡した回収トラ
ンスファーアーム108は、所定距離上昇し、供給トラ
ンスファーアーム106と共に待機位置に移動する。ス
ピン洗浄装置96は、この回収トランスファーアーム1
08の上昇後、受け取ったウェーハWをスピン洗浄によ
り洗浄する。
Thereafter, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 are slid in the horizontal direction and moved to the washing table delivery position shown in FIG. Then, when the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 are located at the cleaning table transfer position, the recovery transfer arm 108 moves down a predetermined distance and transfers the wafer W to the cleaning table 98 of the spin cleaning device 96. The collection transfer arm 108 that has transferred the wafer W moves up a predetermined distance and moves to the standby position together with the supply transfer arm 106. The spin cleaning device 96 is provided with the recovery transfer arm 1.
After the rise of 08, the received wafer W is cleaned by spin cleaning.

【0066】一方、供給トランスファーアーム106か
らウェーハWを受け取ったセンタリングユニット86
は、供給トランスファーアーム106と回収トランスフ
ァーアーム108が洗浄テーブル受渡位置に向かって移
動した後、所定距離下降して第1加工部18Aのチャッ
クテーブル66A上にウェーハWを載置する。そして、
センタリングユニット86は、再び所定距離上昇してウ
ェーハWを受け取った位置に移動し、その後、水平方向
に移動して第2センタリング受渡位置の上方に移動す
る。
On the other hand, the centering unit 86 receiving the wafer W from the supply transfer arm 106
After the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 move toward the cleaning table delivery position, the wafer W is placed on the chuck table 66A of the first processing unit 18A by descending a predetermined distance. And
The centering unit 86 rises again by a predetermined distance and moves to the position where the wafer W has been received, and then moves horizontally to move above the second centering transfer position.

【0067】一方、ウェーハWが受け渡された第1加工
部18Aは、センタリングユニット86の上昇後、その
受け渡されたウェーハWを面取り加工を開始する。この
ように、各加工部18A、18Bでは、二枚目のウェー
ハWからウェーハWの供給と回収が同時に行われる。ス
ピン洗浄装置96に供給されたウェーハWの洗浄が終了
すると、回収部28のウェーハ回収ロボット134がス
ピン洗浄装置96の洗浄テーブル98から後測定部26
の測定テーブル162上にウェーハWを移送する。後測
定部26は、その測定テーブル162上に移送されたウ
ェーハWの直径を直径測定器126によって測定する。
そして、その後測定部26で直径の測定が終了すると、
ウェーハ回収ロボット134が測定テーブル162から
ウェーハWを回収し、そのまま回収カセット130に収
納する。
On the other hand, the first processing section 18A to which the wafer W has been transferred starts chamfering the transferred wafer W after the centering unit 86 is raised. As described above, in each of the processing units 18A and 18B, the supply and the recovery of the wafer W from the second wafer W are performed simultaneously. When the cleaning of the wafer W supplied to the spin cleaning device 96 is completed, the wafer recovery robot 134 of the recovery unit 28 moves the cleaning unit 98 from the cleaning table 98 of the spin cleaning device 96 to the post-measurement unit 26.
The wafer W is transferred onto the measurement table 162 of FIG. The rear measurement unit 26 measures the diameter of the wafer W transferred onto the measurement table 162 by the diameter measurement device 126.
After that, when the measurement of the diameter is completed by the measuring unit 26,
The wafer collection robot 134 collects the wafer W from the measurement table 162 and stores it in the collection cassette 130 as it is.

【0068】以上の一連の工程で一枚のウェーハWの供
給から前測定、面取り加工、洗浄、後測定、回収までの
作業が終了する。同様の作業を供給カセット30、3
0、…に収納されている全てのウェーハWに対して行
う。そして、全てのウェーハWが回収カセット130に
回収されたところでウェーハ面取り装置10による面取
り作業が終了する。
In the above series of steps, the operations from supply of one wafer W to pre-measurement, chamfering, cleaning, post-measurement, and collection are completed. The same operation is performed on the supply cassettes 30, 3
0,... Are performed on all the wafers W stored therein. Then, when all the wafers W are collected in the collection cassette 130, the chamfering operation by the wafer chamfering device 10 ends.

【0069】このように、本実施の形態のウェーハ面取
り装置10によれば、加工部18A、18Bへのウェー
ハWの供給と回収が同時にできるため、ウェーハWを効
率よく処理できるようになり、スループットが向上す
る。なお、本実施の形態のウェーハ面取り装置10で
は、ウェーハWの供給と回収をそれぞれ別々のトランス
ファーアームで行うようにしているが、1本のトランス
ファーアームを共用するようにしてもよい。すなわち、
図9に示すように、上述した供給トランスファーアーム
106の先端にU字状のウェーハ受皿110を設置し、
その上面と下面にそれぞれ一対のパッド180A、18
0Bを設け、上側のパッド180Aで供給用のウェーハ
Wを保持し、下側のパッド180Bで回収用のウェーハ
Wを保持するようにする。これによっても、上述した実
施の形態のようにウェーハWの供給と回収を同時に行う
ことができる。
As described above, according to the wafer chamfering apparatus 10 of the present embodiment, the supply and recovery of the wafers W to the processing units 18A and 18B can be performed at the same time, so that the wafers W can be processed efficiently, and the throughput can be improved Is improved. In addition, in the wafer chamfering apparatus 10 of the present embodiment, the supply and the recovery of the wafer W are performed by separate transfer arms, respectively, but a single transfer arm may be shared. That is,
As shown in FIG. 9, a U-shaped wafer tray 110 is set at the tip of the supply transfer arm 106 described above,
A pair of pads 180A, 180
0B is provided, and the upper wafer 180A holds the supply wafer W, and the lower pad 180B holds the recovery wafer W. With this, the supply and the recovery of the wafer W can be performed at the same time as in the above-described embodiment.

【0070】また、本実施の形態のウェーハ面取り装置
10では、供給トランスファーアーム106と回収トラ
ンスファーアーム108が、同一のスライドブロック1
04上に設置されているが、図10に示すように、供給
トランスファーアーム106と回収トランスファーアー
ム108とを各々別々のスライドブロック104A、1
04B上に設置し、独立して移動できるように構成して
もよい。ただし、このように独立して移動できるように
構成した場合であっても、上述した実施の形態のよう
に、回収パッド120は供給パッド112の下側に位置
するように構成する。
Further, in the wafer chamfering apparatus 10 of the present embodiment, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 have the same slide block 1.
10, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 are separated from each other by separate slide blocks 104A and 104A, as shown in FIG.
04B, and may be configured to be able to move independently. However, even in such a case that the collection pad 120 can be moved independently, the collection pad 120 is configured to be located below the supply pad 112 as in the above-described embodiment.

【0071】なお、図10に示すように、供給トランス
ファーアーム106と回収トランスファーアーム108
が独立して移動できる機構の場合、次のような効果があ
る。すなわち、上述した実施の形態の場合、たとえば、
加工部18A、18Bで回収したウェーハWを回収トラ
ンスファーアーム108で洗浄部22に搬送すると、同
時に供給トランスファーアーム106も洗浄部22に移
動しなければならないが、本案のように、供給トランス
ファーアーム106と回収トランスファーアーム108
が独立して移動できる機構の場合、回収トランスファー
アーム108のみを移動させることができる。したがっ
て、この回収トランスファーアーム108で加工後のウ
ェーハWを洗浄部22に搬送している間に、供給トラン
スファーアーム106で面取り加工するウェーハWをプ
リアライメント部16から搬送するようにすれば、処理
時間の短縮化を図ることができ、更なるスループットの
向上を図ることができる。
As shown in FIG. 10, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108
In the case of a mechanism that can move independently, the following effects can be obtained. That is, in the case of the above-described embodiment, for example,
When the wafers W collected by the processing units 18A and 18B are transported to the cleaning unit 22 by the recovery transfer arm 108, the supply transfer arm 106 must also move to the cleaning unit 22 at the same time. Recovery transfer arm 108
Is a mechanism that can be moved independently, only the recovery transfer arm 108 can be moved. Therefore, if the wafer W to be chamfered by the supply transfer arm 106 is transported from the pre-alignment unit 16 while the wafer W after processing by the recovery transfer arm 108 is transported to the cleaning unit 22, the processing time Can be reduced, and the throughput can be further improved.

【0072】なお、本例の場合、各スライドブロック1
04A、104Bは、同一の水平ガイド上を移動するよ
うにしてもよいし、また、別々の水平ガイド上を移動す
るようにしてもよい。また、本実施の形態のウェーハ面
取り装置10では、供給トランスファーアーム106と
回収トランスファーアーム108を上下動させることに
より、各々の先端に設けられているパッド(供給パッド
112及び回収パッド120)を上下動させるように構
成しているが、トランスファーアームは固定し、パッド
をシリンダ等で個別に上下動させるようにしてもよい。
In the case of this example, each slide block 1
04A and 104B may move on the same horizontal guide, or may move on separate horizontal guides. Further, in wafer chamfering apparatus 10 of the present embodiment, by moving supply transfer arm 106 and collection transfer arm 108 up and down, the pads (supply pad 112 and collection pad 120) provided at each end are moved up and down. However, the transfer arm may be fixed and the pads may be individually moved up and down by a cylinder or the like.

【0073】また、本実施の形態のウェーハ面取り装置
10では、供給部14及び回収部28を除く本体部を横
方向に複数個連結することが可能であり、これにより、
多数枚のウェーハWを一括して処理できる構成のウェー
ハ面取り装置を構築することができる。図11は、本発
明に係るウェーハ面取り装置の第2の実施の形態の構成
を示す平面図である。
Further, in the wafer chamfering apparatus 10 of the present embodiment, it is possible to connect a plurality of main units except for the supply unit 14 and the recovery unit 28 in the horizontal direction.
It is possible to construct a wafer chamfering apparatus having a configuration capable of processing a large number of wafers W at one time. FIG. 11 is a plan view showing the configuration of the second embodiment of the wafer chamfering apparatus according to the present invention.

【0074】上述した第1の実施の形態のウェーハ面取
り装置10では、面取り加工するウェーハWは供給部1
4から供給され、加工後のウェーハWは回収部28で回
収するように構成されていた。第2の実施の形態のウェ
ーハ面取り装置200では、そのウェーハWの供給と回
収を同一箇所で行うように構成されている。具体的な構
成は以下の通りである。
In the above-described wafer chamfering apparatus 10 according to the first embodiment, the wafer W to be chamfered is supplied to the supply unit 1.
4, and the processed wafer W is configured to be collected by the collection unit 28. The wafer chamfering apparatus 200 according to the second embodiment is configured to supply and collect the wafer W at the same location. The specific configuration is as follows.

【0075】図11に示すように、第2の実施の形態の
ウェーハ面取り装置200は、主として、供給回収部2
02、プリアライメント部204、加工部206A、2
06B、位置決め部208、洗浄部210及びウェーハ
搬送部212から構成されている。各部の基本的な構成
は、上述した第1の実施の形態のウェーハ面取り装置1
0と同じである。ただし、洗浄部22の構成が多少異な
っている。
As shown in FIG. 11, a wafer chamfering apparatus 200 according to the second embodiment mainly includes a
02, pre-alignment unit 204, processing unit 206A,
06B, a positioning unit 208, a cleaning unit 210, and a wafer transfer unit 212. The basic configuration of each part is the same as the wafer chamfering apparatus 1 of the first embodiment described above.
Same as 0. However, the configuration of the cleaning unit 22 is slightly different.

【0076】上述した第1の実施の形態の洗浄部22に
はスピン洗浄装置96のみが設置されていたが、第2の
実施の形態の洗浄部210には、スピン洗浄装置96と
ウェーハ昇降装置214が設置されている。このウェー
ハ昇降装置214は、昇降自在なアーム216を有して
おり、このアーム216の先端下部に備えられたパッド
218でウェーハWを保持して、洗浄後のウェーハWを
所定高さの位置まで搬送する。
Although only the spin cleaning device 96 is provided in the cleaning unit 22 of the first embodiment, the spin cleaning device 96 and the wafer lifting / lowering device are provided in the cleaning unit 210 of the second embodiment. 214 are provided. The wafer elevating device 214 has an arm 216 that can be moved up and down. The wafer W is held by a pad 218 provided at the lower end of the arm 216, and the cleaned wafer W is moved to a predetermined height. Transport.

【0077】なお、供給回収部202の構成は、上述し
た第1の実施の形態の供給部14と同じである。また、
上述した第1の実施の形態のウェーハ面取り装置10と
同一又は類似の部材には同一番号を付して、その説明は
省略する。前記のごとく構成された第2の実施の形態の
ウェーハ面取り装置200の作用は次の通りである。
The structure of the supply / recovery section 202 is the same as that of the supply section 14 of the first embodiment described above. Also,
Members that are the same as or similar to those of the wafer chamfering apparatus 10 according to the first embodiment are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted. The operation of the wafer chamfering apparatus 200 according to the second embodiment configured as described above is as follows.

【0078】なお、ウェーハWを面取り加工して洗浄す
るまでの工程は、上述した第1の実施の形態のウェーハ
面取り装置10と同じであるので、ここでは、洗浄され
たウェーハWが供給回収部202に回収されるまでの工
程について説明する。ウェーハ昇降装置214のアーム
218は、通常、スピン洗浄装置96の洗浄テーブル9
8から所定距離上方の位置(アーム待機位置)に位置し
ている。
The steps from the chamfering of the wafer W to the cleaning are the same as those of the wafer chamfering apparatus 10 of the first embodiment described above. The steps up to collection at 202 will be described. The arm 218 of the wafer elevating device 214 is normally connected to the cleaning table 9 of the spin cleaning device 96.
8 (arm waiting position).

【0079】洗浄部210のスピン洗浄装置96でウェ
ーハWの洗浄が終了すると、ウェーハ昇降装置214の
アーム216が所定量下降する。そして、先端に設けら
れたパッド218で洗浄後のウェーハWを吸着保持す
る。ウェーハWを保持したアーム216は、再び上昇し
元のアーム待機位置に復帰する。一方、スピン洗浄装置
96がウェーハWを洗浄している間に上述した第1の実
施の形態と同様に、供給トランスファーアーム106が
センタリングユニット86にウェーハWを受け渡し、回
収トランスファーアーム108がチャックテーブル66
A又は66BよりウェーハWを受け取る。
When the cleaning of the wafer W is completed by the spin cleaning device 96 of the cleaning unit 210, the arm 216 of the wafer lifting device 214 is lowered by a predetermined amount. Then, the cleaned wafer W is suction-held by the pad 218 provided at the tip. The arm 216 holding the wafer W rises again and returns to the original arm standby position. On the other hand, while the spin cleaning device 96 is cleaning the wafer W, the supply transfer arm 106 transfers the wafer W to the centering unit 86 and the collection transfer arm 108 transfers the chuck table 66, as in the first embodiment.
The wafer W is received from A or 66B.

【0080】ウェーハ昇降装置214のアーム216が
アーム待機位置に復帰すると、供給トランスファーアー
ム106と回収トランスファーアーム108が洗浄テー
ブル受渡位置に移動する。これにより、供給トランスフ
ァーアーム106のウェーハ受皿110が、ウェーハ昇
降装置214のアーム216に保持されたウェーハWの
下部に位置する。
When the arm 216 of the wafer lifting device 214 returns to the arm standby position, the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 move to the cleaning table transfer position. As a result, the wafer tray 110 of the supply transfer arm 106 is located below the wafer W held by the arm 216 of the wafer elevating device 214.

【0081】次に、回収トランスファーアーム108が
所定量下降してスピン洗浄装置96の洗浄テーブル98
にウェーハWを受け渡すと同時に供給トランスファーア
ーム106が所定量上昇し、ウェーハ昇降装置214の
アーム216からウェーハWを受け取る。ウェーハWを
受け取った供給トランスファーアーム106は所定量下
降し、回収トランスファーアーム108と共にウェーハ
受取位置に移動する。
Next, the recovery transfer arm 108 is lowered by a predetermined amount, and the cleaning table 98 of the spin cleaning device 96 is moved.
At the same time as transferring the wafer W, the supply transfer arm 106 moves up by a predetermined amount, and receives the wafer W from the arm 216 of the wafer elevating device 214. The supply transfer arm 106 that has received the wafer W descends by a predetermined amount, and moves to the wafer receiving position together with the collection transfer arm 108.

【0082】供給トランスファーアーム106がウェー
ハ受取位置に移動すると、ウェーハ搬送ロボット42の
アーム46が時計回りの方向に約90°旋回する。この
結果、ウェーハ搬送ロボット42のアーム46が供給ト
ランスファーアーム106のウェーハ受皿110と対向
するように位置する。次に、ウェーハ搬送ロボット42
のアーム46が所定量前進する。この結果、ウェーハ搬
送ロボット42のアーム46が、供給トランスファーア
ーム106のウェーハ受皿110の下方位置に位置す
る。ウェーハ搬送ロボット42のアーム46は、この
後、所定量上昇し、ウェーハ受皿110からウェーハW
を受け取る。このとき、ウェーハ搬送ロボット42のア
ーム46は、U字状に形成されたウェーハ受皿110の
一対の供給パッド112、112の間を通ってウェーハ
Wを受け取る。
When the supply transfer arm 106 moves to the wafer receiving position, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 turns clockwise by about 90 °. As a result, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 is positioned so as to face the wafer tray 110 of the supply transfer arm 106. Next, the wafer transfer robot 42
Arm 46 advances by a predetermined amount. As a result, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 is located below the wafer tray 110 of the supply transfer arm 106. Thereafter, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 is raised by a predetermined amount, and the wafer W is
Receive. At this time, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 receives the wafer W through a space between the pair of supply pads 112 of the U-shaped wafer tray 110.

【0083】ウェーハWを受け取ったウェーハ搬送ロボ
ット42のアーム46は、所定量後退したのち下降し、
その後、時計回りの方向に180°旋回する。このウェ
ーハ搬送ロボット42のアーム46が旋回した先には、
既に供給回収部202のウェーハ供給ロボット40が待
機しており、ウェーハ搬送ロボット42は、このウェー
ハ供給ロボット40にウェーハWを受け渡す。そして、
ウェーハWを受け取ったウェーハ供給ロボット40は、
そのウェーハWを供給したときと同じ供給カセット30
にウェーハWを収納する。
The arm 46 of the wafer transfer robot 42 that has received the wafer W is lowered after retreating by a predetermined amount.
Then, it turns 180 ° in the clockwise direction. At the point where the arm 46 of the wafer transfer robot 42 turns,
The wafer supply robot 40 of the supply / recovery unit 202 is already on standby, and the wafer transfer robot 42 transfers the wafer W to the wafer supply robot 40. And
The wafer supply robot 40 receiving the wafer W,
The same supply cassette 30 as when the wafer W was supplied.
The wafer W is stored.

【0084】一方、ウェーハ搬送ロボット42にウェー
ハWを受け渡した供給トランスファーアーム106は、
ウェーハ搬送ロボット42のアーム46が後退したの
ち、約90°旋回する。この結果、ウェーハ受皿110
がプリアライメント装置44の測定テーブル54の下方
の位置する。この測定テーブル54上には既にプリアラ
イメントされたウェーハWが保持されて待機しており、
供給トランスファーアーム106は、この測定テーブル
54上のウェーハWを受け取る。そして、再び反時計回
りの方向に旋回して、第1加工部18A又は第2加工部
18B上のセンタリングユニット86にウェーハWを受
け渡す。
On the other hand, the supply transfer arm 106, which has delivered the wafer W to the wafer transfer robot 42,
After the arm 46 of the wafer transfer robot 42 retreats, it turns about 90 °. As a result, the wafer pan 110
Are located below the measurement table 54 of the pre-alignment device 44. The wafer W which has been pre-aligned is held on the measurement table 54 and is on standby.
The supply transfer arm 106 receives the wafer W on the measurement table 54. Then, the wafer W turns again in the counterclockwise direction, and transfers the wafer W to the centering unit 86 on the first processing unit 18A or the second processing unit 18B.

【0085】このように、第2の実施の形態のウェーハ
面取り装置200によれば、本実施の形態のトランスフ
ァーユニット100を使用することにより、ウェーハW
の供給と回収を同一箇所で行うことができるようにな
る。この結果、装置のコンパクト化を図ることができる
とともに、装置の製造コストの低減も図ることができ
る。
As described above, according to the wafer chamfering apparatus 200 of the second embodiment, by using the transfer unit 100 of the present embodiment, the wafer W
Supply and recovery can be performed in the same place. As a result, the size of the device can be reduced, and the manufacturing cost of the device can be reduced.

【0086】また、本実施の形態のようにウェーハWの
供給と回収を同一箇所で行うことにより、物流で使用す
るカセットキャリアの数が半分で済ませることができ
る。なお、本実施の形態では、洗浄後のウェーハWを供
給トランスファーアーム106からウェーハ搬送ロボッ
ト42が直接受け取るように構成しているが、洗浄後の
ウェーハWを一度プリアライメント装置44の測定テー
ブル54上に移送し、この測定テーブル54を経由して
ウェーハ搬送ロボット42が洗浄後のウェーハWを受け
取るように構成してもよい。
Further, by supplying and recovering the wafer W at the same place as in the present embodiment, the number of cassette carriers used for physical distribution can be reduced to half. In this embodiment, the wafer transfer robot 42 is configured to directly receive the cleaned wafer W from the supply transfer arm 106. However, the cleaned wafer W is once stored on the measurement table 54 of the pre-alignment apparatus 44. The wafer transfer robot 42 may receive the cleaned wafer W via the measurement table 54.

【0087】なお、本実施の形態のように、洗浄後のウ
ェーハWを供給トランスファーアーム106から直接ウ
ェーハ搬送ロボット42が受け取るように構成すること
により、スループットを低下させずに装置のコンパクト
化を図ることができる。すなわち、測定テーブル54を
経由させずに直接供給トランスファーアーム106から
ウェーハ搬送ロボット42に洗浄後のウェーハWを受け
渡すように構成することにより、次に面取り加工するウ
ェーハWをプリアライメントした状態で測定テーブル5
4上に待機させておくことができ、効率的にウェーハW
を供給することができるようになる。
In this embodiment, by configuring the wafer transfer robot 42 to receive the cleaned wafer W directly from the supply transfer arm 106, the apparatus can be made compact without lowering the throughput. be able to. That is, the wafer W to be chamfered is pre-aligned by directly transferring the cleaned wafer W from the supply transfer arm 106 to the wafer transfer robot 42 without passing through the measurement table 54. Table 5
4 can be kept waiting on the wafer W efficiently.
Can be supplied.

【0088】なお、本実施の形態では、ウェーハ搬送ロ
ボット42のアーム46は1本のみで構成されている
が、図12に示すように、所定間隔をもって配設された
上下2本のアーム46A、46Bで構成することによ
り、スループットを更に向上させることができる。すな
わち、まず、上のアーム46Aで洗浄後のウェーハWを
供給トランスファーアーム106から受け取る。次い
で、次に面取り加工するウェーハWをウェーハ供給ロボ
ット40から下のアーム46Bで受け取る。そして、そ
のウェーハ供給ロボット40に上のアーム46Aで保持
している洗浄後のウェーハWを受け渡す。これにより、
ウェーハWの供給と回収を同時に行うことができるよう
になり、スループットを向上させることができる。
In this embodiment, the arm 46 of the wafer transfer robot 42 is composed of only one arm. However, as shown in FIG. 12, two upper and lower arms 46A, With the configuration using 46B, the throughput can be further improved. That is, first, the wafer W that has been cleaned by the upper arm 46A is received from the supply transfer arm 106. Next, the wafer W to be chamfered next is received by the lower arm 46B from the wafer supply robot 40. Then, the cleaned wafer W held by the upper arm 46A is transferred to the wafer supply robot 40. This allows
Supply and recovery of the wafer W can be performed at the same time, and the throughput can be improved.

【0089】なお、図12に示すアーム46A、46B
の駆動機構は共通しており、上下、前後及び旋回を同時
に行う。また、同図において番号47、47は真空吸着
穴であり、この真空吸着穴47、47からエアを吸引し
てウェーハWを保持する。また、本実施の形態の場合、
後測定部が設置されていないが、後測定を行う場合は、
次のように行う。
The arms 46A and 46B shown in FIG.
Has a common drive mechanism, and simultaneously performs up and down, front and back, and turning. Also, in the figure, reference numerals 47, 47 denote vacuum suction holes, which hold the wafer W by sucking air from the vacuum suction holes 47, 47. In the case of the present embodiment,
No post-measurement unit is installed, but when performing post-measurement,
Proceed as follows.

【0090】すなわち、供給トランスファーアーム10
6が測定テーブル54上から面取り加工するウェーハW
を受け取ったのち、ウェーハ搬送ロボット42が供給ト
ランスファーアーム106から受け取った洗浄後のウェ
ーハWを測定テーブル54上に載置する。そして、プリ
アライメント装置44のオリフラ・ノッチ検出センサ5
6を利用してウェーハWの直径測定を行う。測定終了後
は、ウェーハ供給ロボット40でウェーハWを回収し、
供給カセット30に収納する。
That is, the supply transfer arm 10
6 is a wafer W to be chamfered from above the measurement table 54
After receiving the wafer W, the wafer transfer robot 42 places the cleaned wafer W received from the supply transfer arm 106 on the measurement table 54. The orientation flat / notch detection sensor 5 of the pre-alignment device 44
6, the diameter of the wafer W is measured. After the measurement is completed, the wafer W is collected by the wafer supply robot 40,
It is stored in the supply cassette 30.

【0091】これにより、本実施の形態のウェーハ面取
り装置200においても後測定を行うことができる。な
お、本実施の形態においても、ウェーハWの搬送を行う
トランスファーアームは1本で共用してもよいし、ま
た、供給トランスファーアーム106と回収トランスフ
ァーアーム108とを各々個別に移動できるように構成
してもよい。
Thus, the post-measurement can be performed also in the wafer chamfering apparatus 200 of the present embodiment. Also in the present embodiment, a single transfer arm for transferring the wafer W may be used in common, or the supply transfer arm 106 and the recovery transfer arm 108 may be configured to be individually movable. You may.

【0092】また、本実施の形態のウェーハ面取り装置
200においても、供給回収部202を除く本体部を横
方向に複数個連結することが可能であり、これにより、
多数枚のウェーハWを一括して処理できる構成のウェー
ハ面取り装置を構築することができる。さらに、上述し
たウェーハ面取り装置10、200では、加工部を2ヵ
所に設置して構成されているが、1ヵ所のみで構成して
もよいし、また、3ヵ所若しくは4ヵ所等の複数カ所に
設置して構成してもよい。
Further, in the wafer chamfering apparatus 200 according to the present embodiment, a plurality of main units other than the supply / recovery unit 202 can be connected in a lateral direction.
It is possible to construct a wafer chamfering apparatus having a configuration capable of processing a large number of wafers W at one time. Further, in the above-described wafer chamfering apparatuses 10 and 200, the processing section is installed at two locations, but may be configured at only one location, or at a plurality of locations such as three locations or four locations. It may be installed and configured.

【0093】また、上述したウェーハ面取り装置10、
200では、1台のセンタリングユニット86を2ヵ所
の加工部18A、18Bで共用するように構成されてい
るが、センタリングユニット86は各加工部ごとに個別
に設置してもよい。
In addition, the above-described wafer chamfering device 10,
Although the centering unit 200 is configured so that one centering unit 86 is shared by the two processing units 18A and 18B, the centering unit 86 may be separately installed for each processing unit.

【0094】[0094]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
面取り加工するウェーハの供給と回収を同時に行うこと
できる。これにより、効率的にウェーハの供給と回収を
行うことができるようになり、スループットが向上す
る。
As described above, according to the present invention,
Supply and recovery of the wafer to be chamfered can be performed simultaneously. As a result, the wafer can be efficiently supplied and collected, and the throughput is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るウェーハ面取り装置の第1の実施
の形態の構成を示す平面図
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a first embodiment of a wafer chamfering apparatus according to the present invention.

【図2】加工部の構成を示す側面図FIG. 2 is a side view showing a configuration of a processing unit.

【図3】加工部の要部の構成を示す斜視図FIG. 3 is a perspective view showing a configuration of a main part of a processing unit.

【図4】センタリングユニット(オリフラ付きウェーハ
用)の概略構成を示す斜視図
FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of a centering unit (for a wafer with an orientation flat).

【図5】センタリングユニット(ノッチ付きウェーハ
用)の概略構成を示す斜視図
FIG. 5 is a perspective view showing a schematic configuration of a centering unit (for a notched wafer).

【図6】供給トランスファーアームの構成を示す側面図FIG. 6 is a side view showing the configuration of a supply transfer arm.

【図7】回収トランスファーアームの構成を示す側面図FIG. 7 is a side view showing the configuration of a recovery transfer arm.

【図8】トランスファーユニットの構成を示す平面図FIG. 8 is a plan view showing a configuration of a transfer unit.

【図9】トランスファーユニットの他の実施の形態の構
成を示す側面図
FIG. 9 is a side view showing the configuration of another embodiment of the transfer unit.

【図10】トランスファーユニットの他の実施の形態の
構成を示す平面図
FIG. 10 is a plan view showing the configuration of another embodiment of the transfer unit.

【図11】本発明に係るウェーハ面取り装置の第2の実
施の形態の構成を示す平面図
FIG. 11 is a plan view showing a configuration of a wafer chamfering apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図12】ウェーハ搬送ロボットのアームの他の実施の
形態の構成を示す斜視図
FIG. 12 is a perspective view showing the configuration of another embodiment of the arm of the wafer transfer robot.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ウェーハ面取り装置 12…装置本体 14…供給部 16…プリアライメント部 18A…第1加工部 18B…第2加工部 20…位置決め部 22…洗浄部 24…ウェーハ搬送部 28…回収部 34…ウェーハ供給ロボット 42…ウェーハ搬送ロボット 44…プリアライメント装置 66A、66B…チャックテーブル 70A、70B…外周スピンドル 72A、72B…外周研削砥石 76A、76B…ノッチスピンドル 78A、78B…ノッチ研削砥石 86…センタリングユニット 96…スピン洗浄装置 100…トランスファーユニット 106…供給トランスファーアーム 108…回収トランスファーアーム 134…ウェーハ回収ロボット W…ウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wafer chamfering device 12 ... Equipment main body 14 ... Supply part 16 ... Pre-alignment part 18A ... First processing part 18B ... Second processing part 20 ... Positioning part 22 ... Washing part 24 ... Wafer transfer part 28 ... Recovery part 34 ... Wafer Supply robot 42 ... Wafer transfer robot 44 ... Pre-alignment device 66A, 66B ... Chuck table 70A, 70B ... Outer peripheral spindle 72A, 72B ... Outer peripheral grinding wheel 76A, 76B ... Notch spindle 78A, 78B ... Notch grinding wheel 86 ... Centering unit 96 ... Spin cleaning apparatus 100 transfer unit 106 supply transfer arm 108 recovery transfer arm 134 wafer recovery robot W wafer

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年11月1日(1999.11.
1)
[Submission date] November 1, 1999 (1999.11.
1)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0008[Correction target item name] 0008

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は前
記目的を達成するために、面取り加工するウェーハをプ
リアライメントするプリアライメント部と、面取り加工
するウェーハをプリアライメント部に供給するウェーハ
供給手段と、チャックテーブルに保持されたウェーハの
周縁を砥石で研削して面取り加工する加工部と、前記加
工部の上方に配設され、面取り加工するウェーハを位置
決めして前記チャックテーブル上に載置する位置決め部
と、面取り加工されたウェーハを洗浄する洗浄部と、前
記各部間を移動してウェーハを搬送する搬送手段と、を
備え、前記搬送手段は、搬送路に沿って走行する走行体
と、前記走行体に設けられたアームと、前記アームの先
端上部に設けられた供給パッドと、前記アームの先端下
部に設けられた回収パッドと、前記供給パッドと前記回
収パッドを上下動させるパッド昇降手段と、からなり、
前記プリアライメント部でプリアライメントされたウェ
ーハを前記供給パッドで保持したのち、前記供給パッド
を前記位置決め部の下方に移動させ、前記供給パッドを
上昇させて前記位置決め部に面取り加工するウェーハを
供給する一方、前記回収パッドを下降させて前記チャッ
クテーブルから面取り加工が終了したウェーハを回収
し、前記回収パッドを前記洗浄部に向けて移動させて前
記ウェーハを前記洗浄部に搬送することを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a pre-alignment unit for pre-aligning a wafer to be chamfered, and a wafer supply for supplying the wafer to be chamfered to the pre-alignment unit. Means, a processing section for grinding and chamfering the periphery of the wafer held by the chuck table with a grindstone, and a wafer to be chamfered disposed above the processing section and positioned on the chuck table. Positioning part, a cleaning part for cleaning the chamfered wafer, and a transport means for transporting the wafer by moving between the respective parts, the transport means, a traveling body traveling along a transport path, An arm provided on the traveling body, a supply pad provided on an upper end of the arm, and a rotation arm provided on a lower end of the arm. A pad, a pad elevating means for vertically moving said collection pad and the feed pad consists,
After the wafer pre-aligned by the pre-alignment unit is held by the supply pad, the supply pad is moved below the positioning unit, and the supply pad is raised to supply a wafer to be chamfered to the positioning unit. On the other hand, the collecting pad is lowered to collect the chamfered wafer from the chuck table, and the collecting pad is moved toward the cleaning unit to transfer the wafer to the cleaning unit. .

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0010[Correction target item name] 0010

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0010】請求項3に係る発明は前記目的を達成する
ために、面取り加工するウェーハをプリアライメントす
るプリアライメント部と、面取り加工するウェーハをプ
リアライメント部に供給するウェーハ供給手段と、チャ
ックテーブルに保持されたウェーハの周縁を砥石で研削
して面取り加工する加工部と、前記加工部の上方に配設
され、面取り加工するウェーハを位置決めして前記チャ
ックテーブル上に載置する位置決め部と、面取り加工さ
れたウェーハを洗浄する洗浄部と、前記各部間を移動し
てウェーハを搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手
段は、搬送路に沿って走行する走行体と、前記走行体に
設けられた供給アームと、前記供給アームの先端上部に
設けられた供給パッドと、前記供給パッドを上下動させ
る供給パッド昇降手段と、前記走行体に設けられた回収
アームと、前記回収アームの先端下部に設けられるとと
もに、前記供給パッドの下方位置に配置された回収パッ
ドと、前記回収パッドを上下動させる回収パッド昇降手
段と、からなり、前記プリアライメント部でプリアライ
メントされたウェーハを前記供給パッドで保持したの
ち、前記供給パッドを前記位置決め部の下方に移動さ
せ、前記供給パッドを上昇させて前記位置決め部に面取
り加工するウェーハを供給する一方、前記回収パッドを
下降させて前記チャックテーブルから面取り加工が終了
したウェーハを回収し、前記回収パッドを前記洗浄部に
向けて移動させて前記ウェーハを前記洗浄部に搬送する
ことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in order to achieve the above object, a pre-alignment unit for pre-aligning a wafer to be chamfered, a wafer supply unit for supplying the wafer to be chamfered to the pre-alignment unit, and a chuck table. A processing unit for grinding and chamfering the periphery of the held wafer with a grindstone; a positioning unit disposed above the processing unit for positioning the wafer to be chamfered and mounting the wafer on the chuck table; A cleaning unit that cleans the processed wafer, and a transport unit that transports the wafer by moving between the units, the transport unit is provided on the traveling body that travels along a transport path, and provided on the traveling body. Supply arm provided, a supply pad provided at the upper end of the supply arm, and a supply pad elevating device for moving the supply pad up and down. A step, a collecting arm provided on the traveling body, a collecting pad provided below the tip of the collecting arm and arranged below the supply pad, and a collecting pad lifting / lowering means for moving the collecting pad up and down After holding the wafer pre-aligned by the pre-alignment unit with the supply pad, moving the supply pad below the positioning unit, raising the supply pad, and chamfering the positioning unit. While collecting the wafer, the collecting pad is lowered to collect the chamfered wafer from the chuck table, and the collecting pad is moved toward the cleaning unit to transfer the wafer to the cleaning unit. It is characterized by the following.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0012[Correction target item name] 0012

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0012】請求項5に係る発明は前記目的を達成する
ために、面取り加工するウェーハをプリアライメントす
るプリアライメント部と、面取り加工するウェーハをプ
リアライメント部に供給するウェーハ供給手段と、チャ
ックテーブルに保持されたウェーハの周縁を砥石で研削
して面取り加工する加工部と、前記加工部の上方に配設
され、面取り加工するウェーハを位置決めして前記チャ
ックテーブル上に載置する位置決め部と、面取り加工さ
れたウェーハを洗浄する洗浄部と、前記各部間を移動し
てウェーハを搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手
段は、供給搬送路に沿って走行する供給走行体と、前記
供給走行体に設けられた供給アームと、前記供給アーム
の先端上部に設けられた供給パッドと、前記供給パッド
を上下動させる供給パッド昇降手段と、回収搬送路に沿
って走行する回収走行体と、前記回収走行体に設けられ
た回収アームと、前記回収アームの先端下部に設けられ
るとともに、前記供給パッドの下方位置に配置された回
収パッドと、前記回収パッドを上下動させる回収パッド
昇降手段と、からなり、前記プリアライメント部でプリ
アライメントされたウェーハを前記供給パッドで保持し
たのち、前記供給パッドを前記位置決め部の下方に移動
させ、前記供給パッドを上昇させて前記位置決め部に面
取り加工するウェーハを供給する一方、前記回収パッド
を前記チャックテーブルの上方に移動させ、前記回収パ
ッドを下降させて前記チャックテーブルから面取り加工
が終了したウェーハを回収し、前記回収パッドを前記洗
浄部に向けて移動させて前記ウェーハを前記洗浄部に搬
送することを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in order to achieve the above object, a pre-alignment unit for pre-aligning a wafer to be chamfered, a wafer supply means for supplying a wafer to be chamfered to the pre-alignment unit, and a chuck table are provided. A processing unit for grinding and chamfering the periphery of the held wafer with a grindstone; a positioning unit disposed above the processing unit for positioning the wafer to be chamfered and mounting the wafer on the chuck table; A cleaning unit that cleans the processed wafer; and a transport unit that transports the wafer by moving between the units, the transport unit includes a supply traveling unit that travels along a supply transport path, and the supply traveling unit. A supply arm provided on the body, a supply pad provided on an upper end of the supply arm, and a supply pad for moving the supply pad up and down. A pad elevating means, a collection traveling body that travels along a collection conveyance path, a collection arm provided on the collection traveling body, and provided at a lower end of the tip of the collection arm, and arranged at a position below the supply pad. Collecting pad, and a collecting pad elevating means for moving the collecting pad up and down. After holding the wafer pre-aligned by the pre-alignment unit with the supply pad, the supply pad is placed below the positioning unit. While moving, the supply pad is raised to supply the wafer to be chamfered to the positioning portion, while the collection pad is moved above the chuck table, and the collection pad is lowered to perform chamfering from the chuck table. The completed wafer is collected, and the collection pad is moved toward the cleaning section to remove the wafer. The characterized in that it transported to the cleaning section.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 面取り加工するウェーハをプリアライメ
ントするプリアライメント部と、チャックテーブルに保
持されたウェーハの周縁を砥石で研削して面取り加工す
る加工部と、前記加工部の上方に配設され、面取り加工
するウェーハを位置決めして前記チャックテーブル上に
載置する位置決め部と、面取り加工されたウェーハを洗
浄する洗浄部と、前記各部間を移動してウェーハを搬送
する搬送手段と、を備えたウェーハ面取り装置におい
て、 前記搬送手段は、 搬送路に沿って走行する走行体と、 前記走行体に設けられたアームと、 前記アームの先端上部に設けられた供給パッドと、 前記アームの先端下部に設けられた回収パッドと、 前記供給パッドと前記回収パッドを上下動させるパッド
昇降手段と、 からなり、前記プリアライメント部でプリアライメント
されたウェーハを前記供給パッドで保持したのち、前記
供給パッドを前記位置決め部の下方に移動させ、前記供
給パッドを上昇させて前記位置決め部に面取り加工する
ウェーハを供給する一方、前記回収パッドを下降させて
前記チャックテーブルから面取り加工が終了したウェー
ハを回収し、前記回収パッドを前記洗浄部に向けて移動
させて前記ウェーハを前記洗浄部に搬送することを特徴
とするウェーハ面取り装置。
1. A pre-alignment unit for pre-aligning a wafer to be chamfered, a processing unit to grind the periphery of a wafer held on a chuck table with a grindstone, and a processing unit disposed above the processing unit; A positioning unit for positioning the wafer to be chamfered and mounted on the chuck table; a cleaning unit for cleaning the chamfered wafer; and a transport unit for transporting the wafer by moving between the respective units. In the wafer chamfering apparatus, the transfer means includes: a traveling body traveling along a transportation path; an arm provided on the traveling body; a supply pad provided on an upper end of the arm; and a lower part of the tip of the arm. A collecting pad provided, and a pad elevating means for vertically moving the supply pad and the collecting pad. After holding the wafer that has been pre-aligned at the feeding portion with the supply pad, the supply pad is moved below the positioning portion, and the supply pad is raised to supply the wafer to be chamfered to the positioning portion, Lowering the collecting pad to collect the chamfered wafer from the chuck table, moving the collecting pad toward the cleaning unit, and transporting the wafer to the cleaning unit. apparatus.
【請求項2】 前記アームは前記走行体に旋回可能に設
けられ、所定のウェーハ受取位置で旋回して前記プリア
ライメント部からプリアライメントされたウェーハを受
け取ることを特徴とする請求項1記載のウェーハ面取り
装置。
2. The wafer according to claim 1, wherein the arm is pivotally provided on the traveling body, and pivots at a predetermined wafer receiving position to receive a pre-aligned wafer from the pre-alignment unit. Chamfering device.
【請求項3】 面取り加工するウェーハをプリアライメ
ントするプリアライメント部と、チャックテーブルに保
持されたウェーハの周縁を砥石で研削して面取り加工す
る加工部と、前記加工部の上方に配設され、面取り加工
するウェーハを位置決めして前記チャックテーブル上に
載置する位置決め部と、面取り加工されたウェーハを洗
浄する洗浄部と、前記各部間を移動してウェーハを搬送
する搬送手段と、を備えたウェーハ面取り装置におい
て、 前記搬送手段は、 搬送路に沿って走行する走行体と、 前記走行体に設けられた供給アームと、 前記供給アームの先端上部に設けられた供給パッドと、 前記供給パッドを上下動させる供給パッド昇降手段と、 前記走行体に設けられた回収アームと、 前記回収アームの先端下部に設けられるとともに、前記
供給パッドの下方位置に配置された回収パッドと、 前記回収パッドを上下動させる回収パッド昇降手段と、 からなり、前記プリアライメント部でプリアライメント
されたウェーハを前記供給パッドで保持したのち、前記
供給パッドを前記位置決め部の下方に移動させ、前記供
給パッドを上昇させて前記位置決め部に面取り加工する
ウェーハを供給する一方、前記回収パッドを下降させて
前記チャックテーブルから面取り加工が終了したウェー
ハを回収し、前記回収パッドを前記洗浄部に向けて移動
させて前記ウェーハを前記洗浄部に搬送することを特徴
とするウェーハ面取り装置。
3. A pre-alignment unit for pre-aligning a wafer to be chamfered, a processing unit to grind a peripheral edge of the wafer held on a chuck table with a grindstone, and a processing unit disposed above the processing unit; A positioning unit for positioning the wafer to be chamfered and mounted on the chuck table; a cleaning unit for cleaning the chamfered wafer; and a transport unit for transporting the wafer by moving between the respective units. In the wafer chamfering apparatus, the transfer unit includes: a traveling body that travels along a transportation path; a supply arm provided on the travel body; a supply pad provided at an upper end of the supply arm; and a supply pad. Supply pad elevating means for moving up and down, a collection arm provided on the traveling body, A collection pad disposed below the supply pad; and a collection pad raising / lowering means for moving the collection pad up and down. After the wafer pre-aligned by the pre-alignment unit is held by the supply pad, Moving the supply pad below the positioning portion, raising the supply pad to supply the wafer to be chamfered to the positioning portion, and lowering the collection pad to complete the chamfering from the chuck table. A wafer chamfering apparatus, wherein a wafer is collected, the collection pad is moved toward the cleaning unit, and the wafer is transferred to the cleaning unit.
【請求項4】 前記供給アームは前記走行体に旋回可能
に設けられ、所定のウェーハ受取位置で旋回して前記プ
リアライメント部からプリアライメントされたウェーハ
を受け取ることを特徴とする請求項3記載のウェーハ面
取り装置。
4. The apparatus according to claim 3, wherein the supply arm is pivotally provided on the traveling body, and pivots at a predetermined wafer receiving position to receive a pre-aligned wafer from the pre-alignment unit. Wafer chamfering equipment.
【請求項5】 面取り加工するウェーハをプリアライメ
ントするプリアライメント部と、チャックテーブルに保
持されたウェーハの周縁を砥石で研削して面取り加工す
る加工部と、前記加工部の上方に配設され、面取り加工
するウェーハを位置決めして前記チャックテーブル上に
載置する位置決め部と、面取り加工されたウェーハを洗
浄する洗浄部と、前記各部間を移動してウェーハを搬送
する搬送手段と、を備えたウェーハ面取り装置におい
て、 前記搬送手段は、 供給搬送路に沿って走行する供給走行体と、 前記供給走行体に設けられた供給アームと、 前記供給アームの先端上部に設けられた供給パッドと、 前記供給パッドを上下動させる供給パッド昇降手段と、 回収搬送路に沿って走行する回収走行体と、 前記回収走行体に設けられた回収アームと、 前記回収アームの先端下部に設けられるとともに、前記
供給パッドの下方位置に配置された回収パッドと、 前記回収パッドを上下動させる回収パッド昇降手段と、 からなり、前記プリアライメント部でプリアライメント
されたウェーハを前記供給パッドで保持したのち、前記
供給パッドを前記位置決め部の下方に移動させ、前記供
給パッドを上昇させて前記位置決め部に面取り加工する
ウェーハを供給する一方、前記供給パッドを前記チャッ
クテーブルの上方に移動させ、前記回収パッドを下降さ
せて前記チャックテーブルから面取り加工が終了したウ
ェーハを回収し、前記回収パッドを前記洗浄部に向けて
移動させて前記ウェーハを前記洗浄部に搬送することを
特徴とするウェーハ面取り装置。
5. A pre-alignment unit for pre-aligning a wafer to be chamfered, a processing unit to grind the periphery of the wafer held on the chuck table with a grindstone, and a processing unit disposed above the processing unit; A positioning unit for positioning a wafer to be chamfered and mounted on the chuck table, a cleaning unit for cleaning the chamfered wafer, and a transfer unit for transferring the wafer by moving between the respective units. In the wafer chamfering apparatus, the transfer unit includes: a supply traveling body that travels along a supply transportation path; a supply arm provided on the supply traveling body; a supply pad provided on an upper end of the supply arm; A supply pad elevating means for moving the supply pad up and down, a collection traveling body traveling along a collection conveyance path, and A collection arm, a collection pad provided below the tip of the collection arm and disposed below the supply pad, and a collection pad elevating means for vertically moving the collection pad. After the pre-aligned wafer is held by the supply pad, the supply pad is moved below the positioning portion, and the supply pad is raised to supply the wafer to be chamfered to the positioning portion, while the supply pad Is moved above the chuck table, the recovery pad is lowered to collect the chamfered wafer from the chuck table, and the recovery pad is moved toward the cleaning unit to clean the wafer. Wafer chamfering device, characterized in that it is transported to a wafer.
【請求項6】 前記供給アームは前記供給走行体に旋回
可能に設けられ、所定のウェーハ受取位置で旋回して前
記プリアライメント部からプリアライメントされたウェ
ーハを受け取ることを特徴とする請求項5記載のウェー
ハ面取り装置。
6. The supply arm according to claim 5, wherein the supply arm is pivotally provided on the supply traveling body, and pivots at a predetermined wafer receiving position to receive a pre-aligned wafer from the pre-alignment unit. Wafer chamfering equipment.
【請求項7】 前記ウェーハ面取り装置は、 面取り加工するウェーハをカセットから供給するととも
に、面取り加工されたウェーハを前記カセットに回収す
るウェーハ供給回収部と、 面取り加工するウェーハを前記ウェーハ供給回収部から
前記プリアライメント部に搬送するとともに、面取り加
工されたウェーハを前記プリアライメント部から前記ウ
ェーハ供給回収部に搬送するウェーハ供給回収搬送手段
と、 を備え、前記ウェーハ供給回収搬送手段によって面取り
加工するウェーハを前記ウェーハ供給回収部から前記プ
リアライメント部に搬送し、該プリアライメント部でプ
リアライメントされたウェーハを前記供給パッドで保持
して前記位置決め部に搬送する一方、前記チャックテー
ブルから面取り加工が終了したウェーハを前記回収パッ
ドで保持して前記洗浄部に搬送するとともに、該洗浄部
で洗浄されたウェーハを前記供給パッドで保持して前記
プリアライメント部に搬送し、該プリアライメント部に
搬送されたウェーハを前記ウェーハ供給回収搬送手段に
よって前記ウェーハ供給回収部に搬送して回収すること
を特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載のウ
ェーハ面取り装置。
7. The wafer chamfering device supplies a wafer to be chamfered from a cassette, and collects the chamfered wafer into the cassette, and a wafer supply / collection unit to chamfer the wafer from the wafer supply / collection unit. Transporting the wafer to the pre-alignment unit, and a wafer supply / recovery / transport unit for transporting the chamfered wafer from the pre-alignment unit to the wafer supply / recovery unit. The wafer transferred from the wafer supply / recovery section to the pre-alignment section, and the wafer pre-aligned by the pre-alignment section is held by the supply pad and transferred to the positioning section, while the chamfered wafer is finished from the chuck table. The collection And transported to the cleaning unit, and transported to the pre-alignment unit while retaining the wafer cleaned in the cleaning unit by the supply pad, and transported the wafer transported to the pre-alignment unit to the wafer. 7. The wafer chamfering apparatus according to claim 1, wherein the wafer is collected by being conveyed to the wafer supply / collection unit by a supply / collection / conveyance unit.
【請求項8】 前記ウェーハ面取り装置は、 面取り加工するウェーハをカセットから供給するととも
に、面取り加工されたウェーハを前記カセットに回収す
るウェーハ供給回収部と、 面取り加工するウェーハを前記ウェーハ供給回収部から
前記プリアライメント部に搬送するとともに、面取り加
工されたウェーハを前記ウェーハ供給回収部に搬送する
ウェーハ供給回収搬送手段と、 を備え、前記ウェーハ供給回収搬送手段によって面取り
加工するウェーハを前記ウェーハ供給回収部から前記プ
リアライメント部に搬送し、該プリアライメント部でプ
リアライメントされたウェーハを前記供給パッドで保持
して前記位置決め部に搬送する一方、前記チャックテー
ブルから面取り加工が終了したウェーハを前記回収パッ
ドで保持して前記洗浄部に搬送するとともに、該洗浄部
で洗浄されたウェーハを前記供給パッドで保持して前記
ウェーハ供給回収搬送手段に搬送し、該ウェーハ供給回
収搬送手段によって前記ウェーハ供給回収部に搬送して
回収することを特徴とする請求項2、4又は6記載のウ
ェーハ面取り装置。
8. The wafer chamfering device supplies a wafer to be chamfered from a cassette, and collects the chamfered wafer into the cassette; and a wafer supply / collection unit for chamfering the wafer from the wafer supply / collection unit. And a wafer supply / recovery / transport unit that transports the chamfered wafer to the wafer supply / recovery unit while transporting the wafer to the pre-alignment unit. From the chuck table to the pre-alignment unit, the wafer pre-aligned in the pre-alignment unit is held by the supply pad and conveyed to the positioning unit, while the chamfered wafer from the chuck table is processed by the collection pad. Hold to the cleaning section Transporting, holding the wafers cleaned by the cleaning unit with the supply pad, transporting the wafers to the wafer supply / recovery transport unit, and transporting the wafers to the wafer supply / recovery unit by the wafer supply / recovery transport unit to collect them. The wafer chamfering apparatus according to claim 2, 4 or 6, wherein:
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