JP2000040657A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JP2000040657A
JP2000040657A JP10221116A JP22111698A JP2000040657A JP 2000040657 A JP2000040657 A JP 2000040657A JP 10221116 A JP10221116 A JP 10221116A JP 22111698 A JP22111698 A JP 22111698A JP 2000040657 A JP2000040657 A JP 2000040657A
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JP10221116A
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Sayaka Ishibashi
さやか 石橋
Masanori Kato
正紀 加藤
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Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基準部材に倍率変動等が生じても、高精度に
レチクル等と感光基板とのアライメントを行なうことが
できる露光装置を提供すること。 【解決手段】 少なくとも2つのアライメント光学系P
AL、RALを備える露光装置において、基準部材FB
a等は、ステージ部STの内部に固設された基準板FP
とリレーレンズ系RLとを有し、前記基準板は前記第1
のアライメント光学系のための第1の基準マークDX等
と前記第2のアライメント光学系のための第2の基準マ
ークLX等とを有し、前記第1及び第2の基準マーク
は、前記第1及び第2のアライメント光学による計測方
向と垂直で、かつ前記第1及び第2の基準マークが形成
されている平面内にある所定軸LLに関して対称な形状
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクに形成され
た半導体素子や液晶表示素子等のパターンを感光基板に
転写、露光する露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子を製造するフ
ォトリソグラフィ工程においては、フォトマスクあるい
はレチクル(以下、レチクルという)に形成されたパタ
ーンをフォトレジスト等の感光剤が塗布された半導体ウ
エハやガラスプレート等の感光基板上に転写し、現像処
理を経て形成されたレジストパターンをマスクとしてフ
ォトエッチングを行う。レチクルのパターンは、例えば
ステップ・アンド・リピート方式の露光装置を用いて、
レチクルと感光基板とを高精度に位置合わせ、すなわち
アライメントを行ない、感光基板上に既に形成されてい
るパターンに重ねあわせて投影露光される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年、露光するパター
ンが微細化しているため、レチクルと感光基板とのアラ
イメント精度も厳しくなってきている。このため、露光
装置はパターンの最小線幅の数分の1〜数十分の1程度
の位置合わせ精度を有するアライメント系を備えてい
る。
【0004】アライメント光学系の代表的なものとし
て、以下の(1)〜(3)のものが知られている。 (1)LSA(Laser Step Alignme
nt)系 レーザー光を感光基板上のドット列上のアライメントマ
ークに照射し、アライメントマークからの回折又は散乱
光に基づいてマーク位置を検出するアライメント方式で
ある。 (2)FIA(Field Image Alignm
ent)系 ハロゲンランプ等を光源とする波長帯域幅の広い光で照
明して撮像したアライメントマークの画像データを画像
処理してマーク位置を計測するアライメント方式であ
る。 (3)LIA(Laser Interferomet
ric Alignment)系 感光基板上に形成された回折格子状のアライメントマー
クに周波数をわずかに変えたレーザ光を2方向から照射
し、発生した2つの回折光を干渉させ、その位相からア
ライメントマークの位置を計測する方式である。
【0005】また、アライメント方式は、投影光学系を
介して感光基板上の位置を測定するTTL(スルー・ザ
・レンズ)方式、投影光学系及びレチクルを介してレチ
クルと感光基板上との位置関係を測定するTTR(スル
ー・ザ・レチクル)方式、及び投影光学系を介すること
なく直接感光基板の位置を測定するオフ・アクシス方式
に大別することもできる。一般の露光装置は、上記各ア
ライメント光学系を備えており、各アライメント系を適
宜選択し、又は組み合わせて使用している。
【0006】次に、アライメント系の較正手順について
説明する。各アライメント系は、感光基板が載置される
基板ステージ上に設けられた基準部材を用いて較正され
る。ここで、基準部材は基準マークを有している。アラ
イメント系の較正は、各アライメント系の観察視野中心
に基準部材の基準マークが位置するように基板ステージ
を移動させ、アライメント系が基準マークを検出したと
きの基板ステージの座標をレーザ干渉計等で計測するこ
とで行なう。このように、各アライメント系の位置をス
テージ移動座標系に写像することでアライメント系の較
正を行なうことができる。例えば、露光装置がレチクル
アライメント系と基板アライメント系を有している場合
は、レチクルアライメント系はレチクルと基準マークと
の位置合わせを行ない、基板アライメント系は感光基板
と基準マークとの位置合わせを行なう。そして、両アラ
イメント系の結果に基づいて、レチクルと基板とのアラ
イメント(位置合わせ)を行なうことができる。
【0007】一般に基準部材は基板ステージに載置され
る感光基板と干渉しないように、基板ステージの基板載
置領域外に設けられる。しかし、基準部材を基板載置領
域外に設けるためには基板ステージ上に基準部材の専用
領域が必要となるため基板ステージが大型化し、また基
板ステージの移動範囲が大きくなる。そこで、基準部材
を基板載置領域内に設け、かつ該部材が基板ステージ上
に載置される感光基板と干渉しないように、表面に基準
マークを形成した基準板を有する基準部材を基板ステー
ジ中に埋め込む構成が知られている。かかる構成では、
基準部材は基準板とリレーレンズ系を有しており、リレ
ーレンズ系は基準マークを感光基板表面位置に結像させ
る。
【0008】図7は、基準板の表面に形成された従来の
基準マークの例を示す図である。基準マークは例えば透
明な石英板からなる基準板上にクロム蒸着層によって形
成されたものであり、露光装置に備えられているアライ
メント系に適した1種類または複数種類の基準マークが
設けられている。本従来例では、基準マークと感光基板
とのアライメントを行なうための基板アライメント系用
のドット列状の基準マークと、基準マークとレチクルと
のアライメントを行なうレチクルアライメント系用のラ
イン状の基準マークとの2種類の基準マークが設けられ
ている。また、ドット列状の基準マークはX方向の位置
測定用のマークDXとY方向の位置測定用のマークDY
からなり、ライン状の基準マークもX方向の位置測定用
のマークLXとY方向の位置測定用のマークLYからな
る。
【0009】このように、基板アライメント系、又はレ
チクルアライメント系の較正には、リレーレンズ系によ
って基板表面と略一致する位置に結像された基準マーク
の像が用いられている。ここで、アライメント精度を低
下させる要因としてリレーレンズ系、又は基準マークに
起因する種々の誤差が考えられる。まず、第1のアライ
メント誤差原因として、リレーレンズ系の製造公差によ
る結像倍率誤差、又は基準マークの描画誤差がある。し
かし、リレーレンズ系の倍率誤差、又は基準マークの描
画誤差は、予めその量を測定することができるので、露
光装置固有のオフセット値として補正することができ
る。
【0010】次に、第2のアライメント誤差原因とし
て、リレーレンズ系自身、又は該レンズ系を支持する金
物が熱的影響により膨張、伸縮することによる倍率変動
誤差、又は大気圧の影響でリレーレンズ系の倍率が変動
することによる誤差が考えられる。かかる倍率変動が生
じると、基板アライメント系用の基準マークの像位置と
レチクルアライメント系用の基準マークの像位置とが異
なった量でシフトするため、基板アライメント系及びレ
チクルアライメント系等の少なくとも異なる2つ以上の
アライメント系を有する露光装置では、各アライメント
系の較正結果に異なる影響を及ぼし、アライメント精度
を低下させるので問題である。
【0011】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、基板ステージの感光基板載置領域内に、感光基板と
干渉することのない基準部材を有し、該基準部材に倍率
変動等が生じても、高精度にレチクル等と感光基板との
アライメントを行なうことができる露光装置を提供する
ことを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、請求項1記載の発明では、マスクに形成されたパタ
ーンを感光基板上に投影する投影光学系と、前記感光基
板を載置するためのステージ部と、前記ステージ部に設
けられた基準部材と、前記基準部材と前記感光基板との
位置合わせを行なうための第1のアライメント光学系
と、前記基準部材と前記マスクとの位置合わせを行なう
ための第2のアライメント光学系と、を備える露光装置
において、前記基準部材は、前記ステージ部の内部に固
設された基準板と、前記ステージ部の内部に設けられて
前記感光基板の表面と前記基準板とを光学的に共役にす
るリレーレンズ系とを有し、前記基準板は前記第1のア
ライメント光学系のための第1の基準マークと前記第2
のアライメント光学系のための第2の基準マークとを有
し、前記第1及び第2の基準マークは、前記第1及び第
2のアライメント光学による計測方向と垂直で、かつ前
記第1及び第2の基準マークが形成されている平面内に
ある所定軸に関して対称な形状を有することを特徴とす
る。
【0013】また、請求項2記載の発明では、前記所定
軸は前記リレーレンズ系の光軸と交わることを特徴とす
る。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の実施の形態を説明する。 (第1実施形態)図1は、本発明の第1実施形態にかか
る露光装置の概略を説明する図である。本実施形態の露
光装置は、投影光学系TLの投影視野の外側に1対のオ
フ・アクシス方式の基板アライメント系PALを有す
る。また、レチクルRの上方には、一対のTTL(スル
ー・ザ・レンズ)方式のレチクルアライメント系RAL
が設けられている。ここで、基板アライメント系PAL
又はレチクルアライメント系RALの構造や機能は、従
来のものと同様である。
【0015】レチクルR上に形成されたパターンをプレ
ートP(感光基板)上に露光する場合には、例えば超高
圧水銀ランプ等の光源LSからの光束をミラーM1で反
射させ、レンズL1、オプティカルインテグレータIL
を介して複数の光源像を形成する。そして、照明光束は
レンズL2を透過し、ミラーM2で光路を折り曲げられ
て、コンデンサレンズCLを透過した後、レチクルRを
照明する。また、露光用の波長(例えばg線、h線、i
線)を不図示の干渉フィルタ等により選択する。そし
て、レチクルR上のパターンは、投影レンズTLによ
り、点線で示すプレートP上に転写、露光される。
【0016】図2は基準部材FBaの断面構成を示す図
である。なお、FBbの構成も同様である。基準部材F
Baは後述する基準パターンが形成されている基準板F
Pとリレーレンズ系RLとから構成され、基板ステージ
ST内に設けられている。そして、リレーレンズ系RL
は基準板FP上の基準マークを感光基板Pの表面Sの位
置に結像する。また、リレーレンズ系RLは、各アライ
メント系を高精度に較正するために、アライメント系P
AL,RAL及び投影光学系TLの開口数よりも大きい
開口数を有していることが望ましい。さらに好ましく
は、リレーレンズ系RLはアライメント系による計測誤
差を最小にするために両側にテレセントリックな光学系
であり、アライメント用光束の波長と露光用光束の波長
とで色消し(色収差補正)されていることが望ましい。
【0017】図3は基準マークの配列を示す図である。
図3に基づいて、基準マークを用いたアライメント系の
較正手順について説明する。まず、基準板FP上のライ
ン状基準マークLXを用いてレチクルアライメント系R
ALのX方向位置を較正する方法を説明する。レチクル
アライメント系RALは不図示の照明用光学系及びマー
ク検出用光学系を有する。照明用光学系の照明用光源か
ら射出された照明光は、レンズ系によってレチクルRの
パターン形成面に収束された後、投影光学系TLに入射
する。この照明光は投影光学系TLによって基準マーク
の空間像位置Sに収束された後リレーレンズ系RLを介
して基板ステージST内の基準板FP上に照射される。
基準板FPを照明した照明光は、基準板FP上に形成さ
れたX方向の位置測定用のライン状基準マークLXを照
明し、その像を感光基板Pの表面に略一致する基準マー
クの空間像位置Sに形成する。次に、その空間像はさら
に投影光学系TLによってレチクルRのパターン形成面
に再結像された後、レチクルアライメント系RALに入
射する。レチクルアライメント系RALに入射したライ
ン状基準マークLXの反射像は、レチクルアライメント
系RAL内のレンズ系を介して図示しない振動スリット
上に結像する。そして、振動スリットを透過した光を検
出器を用いて検出し、この信号を振動スリットの駆動信
号と同期検波することで基準マーク検出信号を発生させ
る。また、レーザ干渉計IFは基板ステージSTに固定
されたミラーMMからの反射光を用いて基板ステージS
Tの位置を測定する。さらに好ましくは、レーザ干渉計
IFとミラーMMとの間の光路はプレートPの表面を含
む平面Sと略一致する平面内に設けられていることが望
ましい。そして、基準マーク検出信号とレーザ干渉計I
Fから得られる基板ステージSTの位置情報信号とを用
いて、ステージ移動座標系上に写像されたレチクルアラ
イメント系RALの位置を認識することができる。ま
た、Y方向の検出は、ライン状基準マークLYを用いて
同様に行われる。
【0018】次に、基準板FPのドット状基準マークD
Xを用いて基板アライメント系のX方向位置を較正する
方法を説明する。基板アライメント系は、LSA方式で
あり、基板アライメント系PALからY方向にのびたラ
イン状のレーザビームを投射し、リレーレンズ系RLに
よる基準マークDXの空間像位置Sに結像(集光)させ
る。基準マークの空間像位置に結像(集光)されたレー
ザビームと基準マークとをX方向に相対移動させ、レー
ザービームがドット列状の基準マークDX上を走査する
ことで回折光又は散乱光が発生する。
【0019】ドット列状の基準マークDXから発生した
回折光又は散乱光はリレーレンズ系RLによって基準マ
ークの空間像位置Sに結像され、さらに基板アライメン
ト系PALに入射して検出される。基板アライメント系
PALの出力信号とレーザ干渉計IFから供給される基
板ステージの位置情報信号とを用いて、ステージ移動座
標系上に写像された基板アライメント系PALの位置を
認識することができる。また、Y方向位置の較正もドッ
ト列状の基準マークDYを用いて同様に行われる。
【0020】次に、図3に示す基準マークの配列につい
て説明する。図中両矢印で示すX方向の較正を考える。
ライン状マークLXとドット状マークDXは、計測方向
(矢印)と垂直で、かつライン状マークLXとドット状
マークDXとが形成されている平面内にある所定軸LL
に関して対称な形状を有している。さらに好ましくは、
所定軸LLはリレーレンズ系RLの光軸Cを通る(光軸
Cを垂直に横切る)ことが望ましい。Y方向に関しても
同様に、マークLY,DYは図示しない所定軸に関して
対称な形状を有している。
【0021】ここで、本実施形態の露光装置はLSA方
式の基板アライメント系PALを搭載しているので、ド
ットマークDX,DYを用いて上述のように基板アライ
メント系の較正を行う。X方向に関して較正を行なう場
合は、マーク中心を通るY方向に沿った直線LLを中心
とするドットマークDXを用いる。ここで、リレーレン
ズ系RLが熱的影響等により伸縮することで結像倍率に
変動が生じると、ドットマークDXのリレーレンズ系R
Lによる像は、非計測方向であるY方向に変動する。し
たがって、X方向の較正については計測誤差を生じな
い。基板アライメント系PALのY方向の較正、及びレ
チクルアライメント系RALの較正についても同様であ
る。
【0022】次に、各アライメント系の較正後の露光手
順について説明する。レチクルRに形成されたパターン
をプレートPに露光するに際しては、レチクルR上のア
ライメントマークRMa,RMbを上述の手順で較正し
たレチクルアライメント系RALで検出することで、ス
テージ移動座標系に写像されたレチクルRの中心位置を
検出し、不図示の記憶装置に記憶する。
【0023】次に、基板ステージST上に感光基板Pを
載置(ロード)し、基板アライメント系PALを用いて
感光基板P上の不図示のアライメントマークを検出す
る。このとき、レチクルRの場合と同様に、露光装置の
記憶装置は感光基板P上のアライメントマーク位置を感
光基板Pの中心に対する座標情報として記憶している。
また、ショット領域の配列データを予め記憶しておくこ
とで、前述のレチクルRの座標情報データと感光基板P
の座標情報データとに基づいて所望の露光を行なうこと
ができる。
【0024】ここで、基板ステージSTに設ける基準部
材は少なくとも1つ存在すればアライメントを行なうこ
とができる。さらに好ましくは、本実施形態のように複
数の基準部材FBa,FBbを設け、一方の基準部材F
Baを一方の基板アライメント系で使用し、他方の基準
部材FBbを他方の基板アライメント系で使用すること
が望ましい。複数の基準部材を設けることで、複数のア
ライメント系で基準マークを検出するときのステージ移
動量(ストローク)を短くすることができ、また、アラ
イメント系の較正時間も短縮することができるので、ス
ループットを向上させることができる。
【0025】(第2実施形態)図4は、本発明の第2実
施形態にかかる露光装置の基準マークの配列を示す図で
ある。基準マークの配列以外の装置構成は第1実施形態
と同様であるので説明を省略する。LSA方式の基板ア
ライメント系用のドット状基準マークDX1,DX2,
DY1,DY2、及びレチクルアライメント系用のライ
ン状基準マークLX1,LX2,LY1,LY2がそれ
ぞれ設けられている。図中、矢印で示すX方向の較正を
考えると、ライン状マークLX1,LX2とドット状マ
ークDX1,DX2は、計測方向(矢印)と垂直で、か
つライン状マークLX1等とドット状マークDX1等が
形成されている平面内にある所定軸LLに関して対称な
形状を有している。さらに好ましくは、所定軸LLはリ
レーレンズ系RLの光軸Cを通ることが望ましい。Y方
向に関しても同様に、マークLY1,DY1等は図示し
ない所定軸に関して対称な形状を有している。この場
合、X軸方向の基板アライメント系の較正は、上述した
マーク検出をドットマークDX1、ドットマークDX2
について独立に行い、次に両者の中間位置座標を算出す
ることにより行う。ここで、リレーレンズ系RLに結像
倍率の誤差が発生すると、ドットマークDX1とドット
マークDX2のリレーレンズ系による像は、計測方向
(矢印)にシフトするが、シフト量は光軸Cに関して対
称である為、DX1とDX2との中間位置座標は一定で
ある。したがって、倍率変動による誤差を相殺すること
が出来る。基板アライメントのY方向、又はレチクルア
ライメント系に関しても同様に、倍率変動による影響を
受けずに正確な較正を行うことができる。
【0026】(第3実施形態)図5は、本発明の第3実
施形態にかかる露光装置の基準マークの配列を示す図で
ある。基準マークの配列以外の装置構成は第1実施形態
とほぼ同様であるので説明を省略する。本実施形態の露
光装置は、基板アライメント系としてLIA,LSA,
FIA系をそれぞれ搭載している。レチクルアライメン
ト系を較正するときはマークM1X,M1Yを、LSA
方式の基板アライメント系を較正するときはマークM3
X,M3Yを、LIA方式及びFIA方式の基板アライ
メント系を較正するときは基準マークM2X,M2Yを
それぞれ用いる。
【0027】本実施形態におけるアライメント系の較正
について、X方向を例にして説明する。FIAアライメ
ント系では、波長幅の広い照明光で基準マークM2Xを
落射照明し、マークM2Xからの反射光を照明光の波長
範囲で色消し(色収差補正)された光学系でCCD撮像
面に結像させる。そして、得られたマーク像の画像処理
を行いマーク位置の検出を行う。また、LIAアライメ
ント系では、He−Neレーザのビームを2光束に分岐
し、その周波数を互いにわずかにシフトさせて、計測方
向を含む平面内で同じ角度で逆方向から入射させる。そ
して、各々のビームのマークM3Xによる1次回折光を
干渉させ、その干渉光の位相計測を行い、マーク位置を
検出する。Y方向についてもそれぞれX方向と同様のマ
ーク位置検出を行った後、アライメント系のステージ座
標系に対する較正をLSA系と同様に行う。
【0028】そして、図5に示すような基準マークの配
列では、上記各実施形態と同様に、X方向のアライメン
トに使用する基準マークM1X〜M3Xは所定軸LLに
対して対称である。そして、リレーレンズ系RLが熱的
影響等により伸縮すること等で結像倍率に変動が生じる
と、マークM1X等の像は、非計測方向であるY方向に
変動する。したがって、X方向の較正については計測誤
差を生じないので、正確にアライメント系の較正を行な
うことができる。また、Y方向の較正についても同様で
ある。
【0029】(第4実施形態)図6は、本発明の第4実
施形態にかかる露光装置の構成を示す図である。本実施
形態は基板ステージST内の基準部材FBa,FBbに
設けられている基準マークをステージ下方向から照明す
る構成である。その他の基本的な構成は第1実施形態と
同様であるので、第1実施形態と重複する部分の説明は
省略する。
【0030】光源LSからの光束をシャッタSHにより
2光束に分割する。一方の光束は、導光光学系(L3,
LG,L4,M3)に導かれる。すなわち、シャッタS
Hからの光束は、レンズL3を透過した後ライトガイド
ファイバLG、レンズL4、ミラーM3により基板ステ
ージST内に導かれ、基準部材FBbを裏面側から照明
する。基準マークはクロム蒸着の抜きパターンにより形
成されており、マーク部のみ照明光を透過させる構成で
ある。そして、照明された基準マークは投影レンズTL
を通してレチクルR上に結像する。レチクルR上にはマ
ークRMc,RMdが形成されており、このマークRM
c,RMdを透過した照明光が照明系内に設けられた検
出器DETで検出され、ステージ座標系に対するレチク
ルRの位置を計測することができる。このとき、基準部
材FBb中の基準板の中心部には、例えば、前述の図4
に示すマーク(LX1,LX2,LY1,LY2)、あ
るいは前述の図5に示すマーク(M1X,M1Y)が形
成されているものとすると、アライメントに際して照明
される領域は基準部材FBb中の基準板の中心部の領域
となる。このため、基準部材FBb中の基準板の周辺部
分に基板アライメント系較正用マークを設けることが可
能である。
【0031】従って、基準部材FBb中の基準板の中心
部に形成されているマークを用いて基板ステージSTと
レチクルRとの相対的な位置検出(又は基板ステージS
Tの座標に対するレチクルRの位置の検出)を行い、ま
た基準部材FBb中の基準板の周辺部に形成されている
マークを用いて、他のアライメント系(マークに対して
上方から照明して、LSA方式、LIA方式あるいはF
IA方式によるアライメントを行うアライメント系)の
較正を行うことができる。例えば、基準部材FBb中の
基準板の周辺部に形成されているマークを用いて、図6
の投影系TLの右側のアライメント系(FIA方式によ
るアライメント系)PALの較正を行うことができる。
【0032】なお、本例では、基板ステージSTとレチ
クルRとの相対的な位置検出を行うに際して、基準部材
FBb中の基準板の中心部に形成されたマークを用いた
例を述べたが、このマークの形成される位置は基準板の
中心部に限ることはなく、基準板の中心部以外の箇所
(周辺部)に設けられても良い。この場合には、図6に
示されるように、シャッタSH、レンズL3、ライトガ
イドファイバLG、レンズL4及びミラーM3を介した
光源LSからの光束は、基準部材FBb中の基準板の中
心部以外の箇所(周辺部)に設けられたマークのみを照
明するように構成されることが好ましい。
【0033】また、プレートPがガラス基板である場合
は、基準部材から反射光が再び基板に戻って基準部材の
基準マーク(パターン)がガラス基板に写し込まれてし
まうおそれがある。このときには、ガラス基板と基準部
材の間にシャッターのような遮光部材を挿入すれば良
い。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
によれば、基板ステージの感光基板載置領域内に、感光
基板と干渉することのない基準部材を有し、該基準部材
に倍率変動等が生じても、高精度にレチクル等と感光基
板とのアライメントを行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態にかかる露光装置の構成
を示す図である。
【図2】基準部材の構成を示す図である。
【図3】本発明の第1実施形態にかかる露光装置の基準
マークを示す図である。
【図4】本発明の第2実施形態にかかる露光装置の基準
マークを示す図である。
【図5】本発明の第3実施形態にかかる露光装置の基準
マークを示す図である。
【図6】本発明の第4実施形態にかかる露光装置の構成
を示す図である。
【図7】従来の基準マークを示す図である。
【符号の説明】
LS 光源 M1〜M3 ミラー L1〜L4 レンズ IL フライアイレンズ CL コンデンサレンズ RAL レチクルアライメント系 PAL 基板アライメント系 RMa,RMb レチクルマーク TL 投影レンズ P プレート(感光基板) ST 基板ステージ IF レーザ干渉計 MM レーザ干渉形用反射ミラー FBa,FBb 基準部材 RL リレーレンズ FP 基準板 DX,DY,LX,LY,M1X〜M3X,M1Y〜M
3Y 基準マーク LG ライトガイド SH シャッタ DET 検出器

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクに形成されたパターンを感光基板
    上に投影する投影光学系と、 前記感光基板を載置するためのステージ部と、 前記ステージ部に設けられた基準部材と、 前記基準部材と前記感光基板との位置合わせを行なうた
    めの第1のアライメント光学系と、 前記基準部材と前記マスクとの位置合わせを行なうため
    の第2のアライメント光学系と、を備える露光装置にお
    いて、 前記基準部材は、前記ステージ部の内部に固設された基
    準板と、前記ステージ部の内部に設けられ前記感光基板
    の表面と前記基準板とを光学的に共役にするリレーレン
    ズ系とを有し、 前記基準板は前記第1のアライメント光学系のための第
    1の基準マークと前記第2のアライメント光学系のため
    の第2の基準マークとを有し、 前記第1及び第2の基準マークは、前記第1及び第2の
    アライメント光学による計測方向と垂直で、かつ前記第
    1及び第2の基準マークが形成されている平面内にある
    所定軸に関して対称な形状を有することを特徴とする露
    光装置。
  2. 【請求項2】 前記所定軸は前記リレーレンズ系の光軸
    と交わることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004531062A (ja) * 2001-05-14 2004-10-07 ウルトラテック インク 裏側アライメントシステム及び方法
CN105203458A (zh) * 2015-10-23 2015-12-30 无锡溥汇机械科技有限公司 一种血液分析仪的图像处理装置

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