JP2000031709A - 多層伝送線路 - Google Patents
多層伝送線路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造性に優れ、かつ信頼性の高いトリプレー
ト線路の多層伝送線路を得る。 【解決手段】 外部導体層、内部導体層を誘電体層に被
着形成し、各層間を接着シートで一体化し、その後に、
内部導体層間にある複数のスルーホールメッキ導体によ
る伝送線路をトリプレート線路より高いインピーダンス
としてメッキ処理で形成した。
ト線路の多層伝送線路を得る。 【解決手段】 外部導体層、内部導体層を誘電体層に被
着形成し、各層間を接着シートで一体化し、その後に、
内部導体層間にある複数のスルーホールメッキ導体によ
る伝送線路をトリプレート線路より高いインピーダンス
としてメッキ処理で形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波を伝
送する多層伝送線路に関するものであり、特にその中で
トリプレート線路の多層化に関するものである。
送する多層伝送線路に関するものであり、特にその中で
トリプレート線路の多層化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、アンテナ給電系の多層化、プリン
ト基板の高周波化等、トリプレート構造で層間接続する
多層伝送線路の要求が多くなっている。従来、多層伝送
線路としては、類似するものとして１９９７年の電子通
信学会総合大会、Ｂ−１−１１２、平面アンテナＳＮＧ
用薄形サブアレーの放射特性の中で示されているよう
に、金属ピンを用いているものもある。図６（ａ），
（ｂ）は従来の多層伝送線路の構成図を示すもので、図
６（ａ）は平面図、図６（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示す。
図６（ａ），（ｂ）において、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ
はそれぞれ第１、第２、第３及び第４の外部導体層２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄはそれぞれ第１、第２、第３及び
第４の誘電体層、３ａ、３ｂは第１及び第２の内部導体
層、４ａ、４ｂは第１及び第２のスルーホールメッキ導
体、５ａ、５ｂは第１及び第２のメッキ層である。
ト基板の高周波化等、トリプレート構造で層間接続する
多層伝送線路の要求が多くなっている。従来、多層伝送
線路としては、類似するものとして１９９７年の電子通
信学会総合大会、Ｂ−１−１１２、平面アンテナＳＮＧ
用薄形サブアレーの放射特性の中で示されているよう
に、金属ピンを用いているものもある。図６（ａ），
（ｂ）は従来の多層伝送線路の構成図を示すもので、図
６（ａ）は平面図、図６（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示す。
図６（ａ），（ｂ）において、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ
はそれぞれ第１、第２、第３及び第４の外部導体層２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄはそれぞれ第１、第２、第３及び
第４の誘電体層、３ａ、３ｂは第１及び第２の内部導体
層、４ａ、４ｂは第１及び第２のスルーホールメッキ導
体、５ａ、５ｂは第１及び第２のメッキ層である。
【０００３】次に従来の多層伝送線路について説明す
る。図６（ａ），（ｂ）において、第１の誘電体層２ａ
に第１の外部導体層１ａ、第２のスルーホールメッキ導
体４ｂ及び第２のメッキ層５ｂを、第２の誘電体層２ｂ
に第１の内部導体層３ａ、第２の外部導体層１ｂ、第１
と第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂ、及び第１
と第２のメッキ層５ａ、５ｂを、第３の誘電体層２ｃに
第３の外部導体層１ｃ、第２の内部導体層３ｂ、第１と
第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂ、及び第１と
第２のメッキ層５ａ、５ｂを、第４の誘電体層２ｄに第
４の外部導体層１ｄ、第２のスルーホールメッキ導体４
ｂ及び第２のメッキ層５ｂを、各々メッキ処理で形成
し、それらを単に第１のメッキ層５ａ相互、第２のメッ
キ層５ｂ相互が向かい合うように第１から第４の誘電体
層２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを重ね合せている。上記第１
の誘電体層２ａと上記第２の誘電体層２ｂを上記第１の
外部導体層１ａと上記第２の外部導体層１ｂとを外側に
して構成することで第１のトリプレート線路が形成さ
れ、上記第３の誘電体層２ｃと上記第４の誘電体層２ｄ
を上記第３の外部導体層１ｃと上記第４の外部導体層１
ｄを外側にして構成することで第２トリプレート線路が
形成され、トリプレート線路の多層構造をなす。第１、
第２のトリプレート線路の第１、第２の内部導体層３
ａ、３ｂに接続された第１のスルーホールメッキ導体４
ａ、第１のメッキ層５ａは等価的に同軸線路の内部導体
の役目を成し、第１、第２のトリプレート線路の第１か
ら第４の外部導体層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄに接続され
た第２のスルーホールメッキ導体４ｂ、第２のメッキ層
５ｂは等価的に同軸線路の外部導体の役目を成してお
り、第１、第２のトリプレート線路は第１、第２のスル
ーホールメッキ導体４ａ、４ｂと第１、第２のメッキ層
５ａ、５ｂによる伝送線路で多層構造の電気的接続が実
現出来ている。
る。図６（ａ），（ｂ）において、第１の誘電体層２ａ
に第１の外部導体層１ａ、第２のスルーホールメッキ導
体４ｂ及び第２のメッキ層５ｂを、第２の誘電体層２ｂ
に第１の内部導体層３ａ、第２の外部導体層１ｂ、第１
と第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂ、及び第１
と第２のメッキ層５ａ、５ｂを、第３の誘電体層２ｃに
第３の外部導体層１ｃ、第２の内部導体層３ｂ、第１と
第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂ、及び第１と
第２のメッキ層５ａ、５ｂを、第４の誘電体層２ｄに第
４の外部導体層１ｄ、第２のスルーホールメッキ導体４
ｂ及び第２のメッキ層５ｂを、各々メッキ処理で形成
し、それらを単に第１のメッキ層５ａ相互、第２のメッ
キ層５ｂ相互が向かい合うように第１から第４の誘電体
層２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを重ね合せている。上記第１
の誘電体層２ａと上記第２の誘電体層２ｂを上記第１の
外部導体層１ａと上記第２の外部導体層１ｂとを外側に
して構成することで第１のトリプレート線路が形成さ
れ、上記第３の誘電体層２ｃと上記第４の誘電体層２ｄ
を上記第３の外部導体層１ｃと上記第４の外部導体層１
ｄを外側にして構成することで第２トリプレート線路が
形成され、トリプレート線路の多層構造をなす。第１、
第２のトリプレート線路の第１、第２の内部導体層３
ａ、３ｂに接続された第１のスルーホールメッキ導体４
ａ、第１のメッキ層５ａは等価的に同軸線路の内部導体
の役目を成し、第１、第２のトリプレート線路の第１か
ら第４の外部導体層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄに接続され
た第２のスルーホールメッキ導体４ｂ、第２のメッキ層
５ｂは等価的に同軸線路の外部導体の役目を成してお
り、第１、第２のトリプレート線路は第１、第２のスル
ーホールメッキ導体４ａ、４ｂと第１、第２のメッキ層
５ａ、５ｂによる伝送線路で多層構造の電気的接続が実
現出来ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の多層伝送線路
は、メッキ処理での電気的接続が第１から第４の誘電体
層２毎に行なわれているだけで、全体の電気的接続が第
１から第４の誘電体層２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ間の第
１、第２のメッキ層５ａ、５ｂ相互の接触だけで実現さ
れているため、信頼性面でも、また多層基板の製造方法
から逸脱しているため、製造性も悪く価格面でも課題が
あった。これらの課題を改善する方法として、例えば、
特公昭６２−５４８２号公報のトリプレートストリップ
ラインの多層一体化方法にあるように、内部導体部への
予備ハンダを行ない、誘電体間を接着シートで張り付
け、全体に熱と圧力を加え一体化する方法もあるが、予
備ハンダ等、製造工程が多くなるという課題を残してい
た。
は、メッキ処理での電気的接続が第１から第４の誘電体
層２毎に行なわれているだけで、全体の電気的接続が第
１から第４の誘電体層２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ間の第
１、第２のメッキ層５ａ、５ｂ相互の接触だけで実現さ
れているため、信頼性面でも、また多層基板の製造方法
から逸脱しているため、製造性も悪く価格面でも課題が
あった。これらの課題を改善する方法として、例えば、
特公昭６２−５４８２号公報のトリプレートストリップ
ラインの多層一体化方法にあるように、内部導体部への
予備ハンダを行ない、誘電体間を接着シートで張り付
け、全体に熱と圧力を加え一体化する方法もあるが、予
備ハンダ等、製造工程が多くなるという課題を残してい
た。
【０００５】この発明はかかる課題を解決するためにな
されたものであり、製造の簡略化と信頼性の向上を目的
とする。
されたものであり、製造の簡略化と信頼性の向上を目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明による多層伝
送線路は、外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形
成し、各層間を接着シートで一体化してトリプレート線
路の多層構造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通
するスルーホールメッキ導体を形成し、複数本のスルー
ホールメッキ導体からなるトリプレート線路の内部導体
層間の伝送線路をトリプレート線路より高いインピーダ
ンスで構成したものである。
送線路は、外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形
成し、各層間を接着シートで一体化してトリプレート線
路の多層構造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通
するスルーホールメッキ導体を形成し、複数本のスルー
ホールメッキ導体からなるトリプレート線路の内部導体
層間の伝送線路をトリプレート線路より高いインピーダ
ンスで構成したものである。
【０００７】また、第２の発明による多層伝送線路は、
外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形成し、各層
間を接着シートで一体化してトリプレート線路の多層構
造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通するスルー
ホールメッキ導体を形成し、スルーホールメッキ導体に
接続されたトリプレート線路の一部を高インピーダンス
で構成したものである。
外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形成し、各層
間を接着シートで一体化してトリプレート線路の多層構
造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通するスルー
ホールメッキ導体を形成し、スルーホールメッキ導体に
接続されたトリプレート線路の一部を高インピーダンス
で構成したものである。
【０００８】また、第３の発明による多層伝送線路は、
外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形成し、各層
間を接着シートで一体化してトリプレート線路の多層構
造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通するスルー
ホールメッキ導体を形成し、スルーホールメッキ導体に
接続されたトリプレート線路の内部導体層に整合スタブ
を設けて構成したものである。
外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形成し、各層
間を接着シートで一体化してトリプレート線路の多層構
造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通するスルー
ホールメッキ導体を形成し、スルーホールメッキ導体に
接続されたトリプレート線路の内部導体層に整合スタブ
を設けて構成したものである。
【０００９】また、第４の発明による多層伝送線路は、
外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形成し、各層
間を接着シートで一体化してトリプレート線路の多層構
造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通するスルー
ホールメッキ導体を形成し、トリプレート線路の内部導
体層間を接続するスルーホールメッキ導体のなかで内部
導体層間以外の箇所を削除するためのキリ穴を設けて構
成したものである。
外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形成し、各層
間を接着シートで一体化してトリプレート線路の多層構
造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通するスルー
ホールメッキ導体を形成し、トリプレート線路の内部導
体層間を接続するスルーホールメッキ導体のなかで内部
導体層間以外の箇所を削除するためのキリ穴を設けて構
成したものである。
【００１０】また、第５の発明による多層伝送線路は、
外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形成し、各層
間を接着シートで一体化してトリプレート線路の多層構
造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通するスルー
ホールメッキ導体を形成し、トリプレート線路の内部導
体層間を接続するスルーホールメッキ導体のなかで内部
導体層間以外の箇所を削除するためのキリ穴を設け、複
数本のスルーホールメッキ導体からなるトリプレート線
路の内部導体層間の伝送線路をトリプレート線路より高
いインピーダンスで構成したものである。
外部導体層、内部導体層を誘電体層に被着形成し、各層
間を接着シートで一体化してトリプレート線路の多層構
造とし、その後にメッキ処理で各層間を貫通するスルー
ホールメッキ導体を形成し、トリプレート線路の内部導
体層間を接続するスルーホールメッキ導体のなかで内部
導体層間以外の箇所を削除するためのキリ穴を設け、複
数本のスルーホールメッキ導体からなるトリプレート線
路の内部導体層間の伝送線路をトリプレート線路より高
いインピーダンスで構成したものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１（ａ），
（ｂ）は、この発明の実施の形態１を示す構成図であ
り、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ断面図を
示す。図１（ａ），（ｂ）において、１ａ、１ｂ、１
ｃ、１ｄはそれぞれ第１、第２、第３及び第４の外部導
体層、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄはそれぞれ第１、第２、
第３及び第４の誘電体層、３ａ、３ｂは第１及び第２の
内部導体層、４ａ、４ｂは第１及び第２のスルーホール
メッキ導体、５ａは第１のメッキ層、６ａ、６ｂ、６ｃ
はそれぞれ第１、第２及び第３の接着シートである。
（ｂ）は、この発明の実施の形態１を示す構成図であ
り、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ断面図を
示す。図１（ａ），（ｂ）において、１ａ、１ｂ、１
ｃ、１ｄはそれぞれ第１、第２、第３及び第４の外部導
体層、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄはそれぞれ第１、第２、
第３及び第４の誘電体層、３ａ、３ｂは第１及び第２の
内部導体層、４ａ、４ｂは第１及び第２のスルーホール
メッキ導体、５ａは第１のメッキ層、６ａ、６ｂ、６ｃ
はそれぞれ第１、第２及び第３の接着シートである。
【００１２】次に動作について説明する。図１（ａ），
１（ｂ）において、第１の誘電体層２ａに第１の外部導
体層１ａと第１のメッキ層５ａを、第２の誘電体層２ｂ
に第１の内部導体層３ａと第２の外部導体層１ｂを、第
３の誘電体層２ｃに第３の外部導体層１ｃと第２の内部
導体層３ｂを、第４の誘電体層２ｄに第４の外部導体層
１ｄと第１のメッキ層５ａを、各々メッキ処理で形成
し、上記第１の誘電体層２ａと上記第２の内部導体層３
ａの間に第１の接着シート６ａを設け、上記第２の外部
導体層１ｂと上記第３の外部導体層１ｃの間に第２の接
着シート６ｂを設け、上記第２の内部導体層３ａと上記
第４の誘電体層２ｄの間に第３の接着シート６ｃを設
け、各層間を接着シートで一体化して、上記第１の誘電
体層２ａと上記第２の誘電体層２ｂを上記第１の外部導
体層１ａと上記第２の外部導体層１ｂを外側にした第１
のトリプレート線路と、上記第３の誘電体層２ｃと上記
第４の誘電体層２ｄを上記第３の外部導体層１ｃと上記
第４の外部導体層１ｄを外側にしてなる第２のトリプレ
ート線路との多層構造とし、その後にメッキ処理で上記
第１の内部導体層３ａと上記第２の内部導体層３ｂの
間、及び上記第１から上記第４の外部導体層１ａ、１
ｂ、１ｃ、１ｄの間を、第１、第２のスルーホールメッ
キ導体４ａ、４ｂで各層間を貫通接続させ、第１、第２
のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂは等価的に同軸線
路の役目を成しており、第１、第２の内部導体層３ａ、
３ｂ間を接続する第１、第２のスルーホールメッキ導体
４ａ、４ｂで第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ以外の
部分、及び第１のメッキ層５ａがスタブとして容量性を
示すが、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第
１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝
送線路を第１及び第２のトリプレート線路より高いイン
ピーダンスにすることで、等価的に低域通過フィルタと
なり整合が得られ、多層構造の電気的接続が実現出来、
またこの構成は多層基板の製造方法にも合致している。
１（ｂ）において、第１の誘電体層２ａに第１の外部導
体層１ａと第１のメッキ層５ａを、第２の誘電体層２ｂ
に第１の内部導体層３ａと第２の外部導体層１ｂを、第
３の誘電体層２ｃに第３の外部導体層１ｃと第２の内部
導体層３ｂを、第４の誘電体層２ｄに第４の外部導体層
１ｄと第１のメッキ層５ａを、各々メッキ処理で形成
し、上記第１の誘電体層２ａと上記第２の内部導体層３
ａの間に第１の接着シート６ａを設け、上記第２の外部
導体層１ｂと上記第３の外部導体層１ｃの間に第２の接
着シート６ｂを設け、上記第２の内部導体層３ａと上記
第４の誘電体層２ｄの間に第３の接着シート６ｃを設
け、各層間を接着シートで一体化して、上記第１の誘電
体層２ａと上記第２の誘電体層２ｂを上記第１の外部導
体層１ａと上記第２の外部導体層１ｂを外側にした第１
のトリプレート線路と、上記第３の誘電体層２ｃと上記
第４の誘電体層２ｄを上記第３の外部導体層１ｃと上記
第４の外部導体層１ｄを外側にしてなる第２のトリプレ
ート線路との多層構造とし、その後にメッキ処理で上記
第１の内部導体層３ａと上記第２の内部導体層３ｂの
間、及び上記第１から上記第４の外部導体層１ａ、１
ｂ、１ｃ、１ｄの間を、第１、第２のスルーホールメッ
キ導体４ａ、４ｂで各層間を貫通接続させ、第１、第２
のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂは等価的に同軸線
路の役目を成しており、第１、第２の内部導体層３ａ、
３ｂ間を接続する第１、第２のスルーホールメッキ導体
４ａ、４ｂで第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ以外の
部分、及び第１のメッキ層５ａがスタブとして容量性を
示すが、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第
１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝
送線路を第１及び第２のトリプレート線路より高いイン
ピーダンスにすることで、等価的に低域通過フィルタと
なり整合が得られ、多層構造の電気的接続が実現出来、
またこの構成は多層基板の製造方法にも合致している。
【００１３】上記のように構成された多層伝送線路は、
第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第１、第２
のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝送線路を
トリプレート線路より高いインピーダンスとなる寸法と
してメッキ処理で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能
としているため、信頼性の向上、低コスト化が可能であ
る。
第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第１、第２
のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝送線路を
トリプレート線路より高いインピーダンスとなる寸法と
してメッキ処理で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能
としているため、信頼性の向上、低コスト化が可能であ
る。
【００１４】実施の形態２．図２は、この発明の実施の
形態２を示す構成図であり、第１、第２のトリプレート
線路を構成する第１、第２の内部導体層面を示す。図２
において、７は高インピーダンス部である。なお、他の
構成は、図１（ａ），（ｂ）に示すこの発明の実施の形
態１の構成と同じであるため、説明も合わせ、重複する
箇所は省略する。
形態２を示す構成図であり、第１、第２のトリプレート
線路を構成する第１、第２の内部導体層面を示す。図２
において、７は高インピーダンス部である。なお、他の
構成は、図１（ａ），（ｂ）に示すこの発明の実施の形
態１の構成と同じであるため、説明も合わせ、重複する
箇所は省略する。
【００１５】次に動作について説明する。図２におい
て、第１、第２のトリプレート線路を構成する第１のス
ルーホールメッキ導体４ａに接続された第１、第２の内
部導体層３ａ、３ｂに高インピーダンス部７を設けて構
成した。図１（ａ）、（ｂ）の構成で第１、第２の内部
導体層３ａ、３ｂ間を接続する第１のスルーホールメッ
キ導体４ａで内部導体層以外の部分が第２のスルーホー
ルメッキ導体部４ｂとの間でスタブとして容量性を示す
が、第１のスルーホールメッキ導体４ａに接続されたト
リプレート線路を構成する第１、第２の内部導体層３
ａ、３ｂの一部に高インピーダンス部７を設けること
で、等価的に低域通過フィルタとなり整合が実現でき
る。
て、第１、第２のトリプレート線路を構成する第１のス
ルーホールメッキ導体４ａに接続された第１、第２の内
部導体層３ａ、３ｂに高インピーダンス部７を設けて構
成した。図１（ａ）、（ｂ）の構成で第１、第２の内部
導体層３ａ、３ｂ間を接続する第１のスルーホールメッ
キ導体４ａで内部導体層以外の部分が第２のスルーホー
ルメッキ導体部４ｂとの間でスタブとして容量性を示す
が、第１のスルーホールメッキ導体４ａに接続されたト
リプレート線路を構成する第１、第２の内部導体層３
ａ、３ｂの一部に高インピーダンス部７を設けること
で、等価的に低域通過フィルタとなり整合が実現でき
る。
【００１６】上記のように構成された多層伝送線路は、
第１のスルーホールメッキ導体４ａに接続されるトリプ
レート線路の一部に高インピーダンス部７を設け、第
１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第１、第２の
スルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝送線路をメ
ッキ処理で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能として
いるため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
第１のスルーホールメッキ導体４ａに接続されるトリプ
レート線路の一部に高インピーダンス部７を設け、第
１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第１、第２の
スルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝送線路をメ
ッキ処理で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能として
いるため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
【００１７】実施の形態３．図３は、この発明の実施の
形態３を示す構成図であり、第１、第２のトリプレート
線路を構成する第１、第２の内部導体層面を示す。図３
において、８は整合スタブである。なお、他の構成は、
図１（ａ），（ｂ）に示すこの発明の実施の形態１の構
成と同じであるため、説明も合わせ、重複する箇所は省
略する。
形態３を示す構成図であり、第１、第２のトリプレート
線路を構成する第１、第２の内部導体層面を示す。図３
において、８は整合スタブである。なお、他の構成は、
図１（ａ），（ｂ）に示すこの発明の実施の形態１の構
成と同じであるため、説明も合わせ、重複する箇所は省
略する。
【００１８】次に動作について説明する。図３におい
て、第１、第２のトリプレート線路を構成する第１のス
ルーホールメッキ導体４ａに接続された第１、第２の内
部導体層３ａ、３ｂに整合スタブ８を設けて構成した。
図１（ａ）、（ｂ）の構成で第１、第２の内部導体層３
ａ、３ｂ間を接続する第１、第２のスルーホールメッキ
導体４ａ、４ｂで第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ以
外の第１、第２のスルーホールメッキ導体部４ａ、４ｂ
がスタブとして容量性を示すが、第１のスルーホールメ
ッキ導体４ａに接続された第１、第２のトリプレート線
路を構成する第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂの一部
に整合スタブ８を設けることで、等価的に整合が実現で
きる。
て、第１、第２のトリプレート線路を構成する第１のス
ルーホールメッキ導体４ａに接続された第１、第２の内
部導体層３ａ、３ｂに整合スタブ８を設けて構成した。
図１（ａ）、（ｂ）の構成で第１、第２の内部導体層３
ａ、３ｂ間を接続する第１、第２のスルーホールメッキ
導体４ａ、４ｂで第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ以
外の第１、第２のスルーホールメッキ導体部４ａ、４ｂ
がスタブとして容量性を示すが、第１のスルーホールメ
ッキ導体４ａに接続された第１、第２のトリプレート線
路を構成する第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂの一部
に整合スタブ８を設けることで、等価的に整合が実現で
きる。
【００１９】上記のように構成された多層伝送線路は、
第１のスルーホールメッキ導体４ａに接続される第１、
第２の内部導体層３ａ、３ｂの一部に整合スタブ８を設
け、第１、第２の内部導体層間にある第１、第２のスル
ーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝送線路をメッキ
処理で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能としている
ため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
第１のスルーホールメッキ導体４ａに接続される第１、
第２の内部導体層３ａ、３ｂの一部に整合スタブ８を設
け、第１、第２の内部導体層間にある第１、第２のスル
ーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝送線路をメッキ
処理で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能としている
ため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
【００２０】実施の形態４．図４（ａ），（ｂ）は、こ
の発明の実施の形態４を示す構成図であり、図４（ａ）
は平面図、図４（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示す。図４
（ａ），（ｂ）において、９はキリ穴である。
の発明の実施の形態４を示す構成図であり、図４（ａ）
は平面図、図４（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示す。図４
（ａ），（ｂ）において、９はキリ穴である。
【００２１】次に動作について説明する。図４（ａ），
（ｂ）において、第１、第２のトリプレート線路を構成
する第１から第４の外部導体層１ａ、１ｂ、１ｃ、１
ｄ、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂは第１から第４
の誘電体層２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ毎にメッキ処理で形
成し、各層間を第１から第３の接着シート６ａ、６ｂ、
６ｃで一体化し、その後にメッキ処理で各層間を貫通す
る第１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂを形
成し、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間を接続する
第１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂの中で
第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間以外の箇所をキリ
穴９により削除して構成した。第１のスルーホールメッ
キ導体４ａの中で第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間
以外の箇所をキリ穴９により削除することにより、容量
性を示さなくなり、等価的に整合が実現できる。
（ｂ）において、第１、第２のトリプレート線路を構成
する第１から第４の外部導体層１ａ、１ｂ、１ｃ、１
ｄ、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂは第１から第４
の誘電体層２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ毎にメッキ処理で形
成し、各層間を第１から第３の接着シート６ａ、６ｂ、
６ｃで一体化し、その後にメッキ処理で各層間を貫通す
る第１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂを形
成し、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間を接続する
第１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂの中で
第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間以外の箇所をキリ
穴９により削除して構成した。第１のスルーホールメッ
キ導体４ａの中で第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間
以外の箇所をキリ穴９により削除することにより、容量
性を示さなくなり、等価的に整合が実現できる。
【００２２】上記のように構成された多層伝送線路は、
第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第１、第２
のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによるｄ伝送線路
をメッキ処理で一体化形成し、第１のスルーホールメッ
キ導体４ａの中で第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間
以外の箇所をキリ穴９により削除し、マイクロ波伝送を
可能としているため、信頼性の向上、低コスト化が可能
である。
第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第１、第２
のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによるｄ伝送線路
をメッキ処理で一体化形成し、第１のスルーホールメッ
キ導体４ａの中で第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間
以外の箇所をキリ穴９により削除し、マイクロ波伝送を
可能としているため、信頼性の向上、低コスト化が可能
である。
【００２３】実施の形態５．図５（ａ），（ｂ）は、こ
の発明の実施の形態５を示す構成図であり、図５（ａ）
は平面図、図５（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示す。
の発明の実施の形態５を示す構成図であり、図５（ａ）
は平面図、図５（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示す。
【００２４】次に動作について説明する。図５（ａ），
（ｂ）において、第１、第２のトリプレート線路を構成
する第１から第４の外部導体層１ａ、１ｂ、１ｃ、１
ｄ、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂは第１から第４
の誘電体層２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ毎にメッキ処理で形
成し、各層間を第１から第３の接着シート６ａ、６ｂ、
６ｃで一体化し、その後にメッキ処理で各層間を貫通す
る第１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂを形
成し、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間の伝送線路
をここでは平行２線として、第１、第２の内部導体層３
ａ、３ｂ間を接続する第１のスルーホールメッキ導体４
ａの中で第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間以外の箇
所をキリ穴９により削除して構成した。第１のスルーホ
ールメッキ導体４ａのなかで第１、第２の内部導体層間
３ａ、３ｂ以外の箇所をキリ穴７により削除している
が、第１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂを
形成するために必要なメッキ層でも容量性を示すが、第
１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝
送線路をトリプレート線路より高いインピーダンスとす
ることで、等価的に整合が実現できる。
（ｂ）において、第１、第２のトリプレート線路を構成
する第１から第４の外部導体層１ａ、１ｂ、１ｃ、１
ｄ、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂは第１から第４
の誘電体層２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ毎にメッキ処理で形
成し、各層間を第１から第３の接着シート６ａ、６ｂ、
６ｃで一体化し、その後にメッキ処理で各層間を貫通す
る第１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂを形
成し、第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間の伝送線路
をここでは平行２線として、第１、第２の内部導体層３
ａ、３ｂ間を接続する第１のスルーホールメッキ導体４
ａの中で第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間以外の箇
所をキリ穴９により削除して構成した。第１のスルーホ
ールメッキ導体４ａのなかで第１、第２の内部導体層間
３ａ、３ｂ以外の箇所をキリ穴７により削除している
が、第１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂを
形成するために必要なメッキ層でも容量性を示すが、第
１、第２のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝
送線路をトリプレート線路より高いインピーダンスとす
ることで、等価的に整合が実現できる。
【００２５】上記のように構成された多層伝送線路は、
第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第１、第２
のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝送線路を
トリプレート線路より高いインピーダンスとしてメッキ
処理で一体化形成し、第１のスルーホールメッキ導体４
ａの中で第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間以外の箇
所をキリ穴９により削除し、マイクロ波伝送を可能とし
ているため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間にある第１、第２
のスルーホールメッキ導体４ａ、４ｂによる伝送線路を
トリプレート線路より高いインピーダンスとしてメッキ
処理で一体化形成し、第１のスルーホールメッキ導体４
ａの中で第１、第２の内部導体層３ａ、３ｂ間以外の箇
所をキリ穴９により削除し、マイクロ波伝送を可能とし
ているため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
【００２６】
【発明の効果】第１の発明によれば、内部導体層間にあ
る複数のスルーホールメッキ導体による伝送線路をトリ
プレート線路より高いインピーダンスとしてメッキ処理
で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能としているた
め、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
る複数のスルーホールメッキ導体による伝送線路をトリ
プレート線路より高いインピーダンスとしてメッキ処理
で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能としているた
め、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
【００２７】また、第２の発明によれば、スルーホール
メッキ導体に接続されるトリプレート線路の一部に高イ
ンピーダンス部を設け、内部導体層間にある複数のスル
ーホールメッキ導体による伝送線路をメッキ処理で一体
化形成し、マイクロ波伝送を可能としているため、信頼
性の向上、低コスト化が可能である。
メッキ導体に接続されるトリプレート線路の一部に高イ
ンピーダンス部を設け、内部導体層間にある複数のスル
ーホールメッキ導体による伝送線路をメッキ処理で一体
化形成し、マイクロ波伝送を可能としているため、信頼
性の向上、低コスト化が可能である。
【００２８】また、第３の発明によれば、スルーホール
メッキ導体に接続されるトリプレート線路を構成する内
部導体層の一部に整合スタブを設け、内部導体層間にあ
る複数のスルーホールメッキ導体による伝送線路をメッ
キ処理で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能としてい
るため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
メッキ導体に接続されるトリプレート線路を構成する内
部導体層の一部に整合スタブを設け、内部導体層間にあ
る複数のスルーホールメッキ導体による伝送線路をメッ
キ処理で一体化形成し、マイクロ波伝送を可能としてい
るため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
【００２９】また、第４の発明によれば、内部導体層間
にある複数のスルーホールメッキ導体による伝送線路を
メッキ処理で一体化形成し、内部導体層間を接続するス
ルーホールメッキ導体の中で内部導体層間以外の箇所を
キリ穴により削除し、マイクロ波伝送を可能としている
ため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
にある複数のスルーホールメッキ導体による伝送線路を
メッキ処理で一体化形成し、内部導体層間を接続するス
ルーホールメッキ導体の中で内部導体層間以外の箇所を
キリ穴により削除し、マイクロ波伝送を可能としている
ため、信頼性の向上、低コスト化が可能である。
【００３０】また、第５の発明によれば、内部導体層間
にある複数のスルーホールメッキ導体による伝送線路を
トリプレート線路より高いインピーダンスとしてメッキ
処理で一体化形成し、内部導体層間を接続するスルーホ
ールメッキ導体の中で内部導体層間以外の箇所をキリ穴
により削除し、マイクロ波伝送を可能としているため、
信頼性の向上、低コスト化が可能である。
にある複数のスルーホールメッキ導体による伝送線路を
トリプレート線路より高いインピーダンスとしてメッキ
処理で一体化形成し、内部導体層間を接続するスルーホ
ールメッキ導体の中で内部導体層間以外の箇所をキリ穴
により削除し、マイクロ波伝送を可能としているため、
信頼性の向上、低コスト化が可能である。
【図１】 この発明による多層伝送線路の実施の形態１
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 この発明による多層伝送線路の実施の形態２
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 この発明による多層伝送線路の実施の形態３
を示す図である。
を示す図である。
【図４】 この発明による多層伝送線路の実施の形態４
を示す図である。
を示す図である。
【図５】 この発明による多層伝送線路の実施の形態５
を示す図である。
を示す図である。
【図６】 従来の多層伝送線路の構成を示す図である。
１ａ 第１の外部導体層、１ｂ 第２の外部導体層、１
ｃ 第３の外部導体層、１ｄ 第４の外部導体層、２ａ
第１の誘電体層、２ｂ 第２の誘電体層、２ｃ 第３
の誘電体層、２ｄ 第４の誘電体層、３ａ 第１の内部
導体層、３ｂ第２の内部導体層、４ａ 第１のスルーホ
ールメッキ導体、４ｂ 第２のスルーホールメッキ導
体、５ａ 第１のメッキ層、５ｂ 第２のメッキ層、６
ａ 第１の接着シート、６ｂ 第２の接着シート、６ｃ
第３の接着シート、７ 高インピーダンス部、８ 整
合スタブ、９ キリ穴。
ｃ 第３の外部導体層、１ｄ 第４の外部導体層、２ａ
第１の誘電体層、２ｂ 第２の誘電体層、２ｃ 第３
の誘電体層、２ｄ 第４の誘電体層、３ａ 第１の内部
導体層、３ｂ第２の内部導体層、４ａ 第１のスルーホ
ールメッキ導体、４ｂ 第２のスルーホールメッキ導
体、５ａ 第１のメッキ層、５ｂ 第２のメッキ層、６
ａ 第１の接着シート、６ｂ 第２の接着シート、６ｃ
第３の接着シート、７ 高インピーダンス部、８ 整
合スタブ、９ キリ穴。
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の誘電体層と、この第１の誘電体層
の一方の面に被着した第１の外部導体層と、第２の誘電
体層と、この第２誘電体層の一方の面に被着した第１の
内部導体層と、上記第２の誘電体層の他方の面に被着し
た第２外部導体層と、第３の誘電体層と、この第３誘電
体層の一方の面に被着した第３外部導体層と、上記第３
の誘電体層の他方の面に被着した第２の内部導体層と、
第４の誘電体層と、この第４の誘電体層の一方の面に被
着した第４外部導体層と、上記第１の誘電体層と上記第
２の内部導体層の間に第１の接着シートを設け、上記第
２の外部導体層と上記第３の外部導体層の間に第２の接
着シートを設け、上記第２の内部導体層と上記第４の誘
電体層の間に第３の接着シートを設け、上記第１の誘電
体層と上記第２の誘電体層を上記第１の外部導体層と上
記第２の外部導体層を外側にした第１のトリプレート線
路と、上記第３の誘電体層と上記第４の誘電体層を上記
第３の外部導体層と上記第４の外部導体層を外側にして
なる第２トリプレート線路との多層構造とし、上記第１
の内部導体層と上記第２の内部導体層の間、及び上記第
１の外部導体層と上記第２の外部導体層と上記第３の外
部導体層の間を、複数本のスルーホールメッキ導体で接
続し、複数本のスルーホールメッキ導体からなる上記第
１の内部導体層と上記第２の内部導体層間の伝送線路を
上記第１及び第２のトリプレート線路より高インピーダ
ンスとしたことを特徴とする多層伝送線路。 - 【請求項２】 複数のスルーホールメッキ導体に接続さ
れた第１及び第２のトリプレート線路の一部を高いイン
ピーダンスとしたことを特徴とする請求項１記載の多層
伝送線路。 - 【請求項３】 複数のスルーホールメッキ導体に接続さ
れた第１及び第２のトリプレート線路の第１及び第２の
内部導体層に整合スタブを設けたことを特徴とする請求
項１記載の多層伝送線路。 - 【請求項４】 第１及び第２の内部導体層間を接続する
スルーホールメッキ導体のなかで内部導体層間以外の箇
所をキリ穴により削除したことを特徴とする請求項１記
載の多層伝送線路。 - 【請求項５】 複数本のスルーホールメッキ導体からな
る第１及び第２の内部導体層間の伝送線路を第１及び第
２のトリプレート線路より高いインピーダンスとしたこ
とを特徴とする請求項４記載の多層伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192969A JP2000031709A (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | 多層伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192969A JP2000031709A (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | 多層伝送線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031709A true JP2000031709A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16300067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192969A Pending JP2000031709A (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | 多層伝送線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031709A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7868257B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-01-11 | Nec Corporation | Via transmission lines for multilayer printed circuit boards |
| JP2014110557A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Hitachi Metals Ltd | 伝送線路及びアンテナ装置 |
-
1998
- 1998-07-08 JP JP10192969A patent/JP2000031709A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7868257B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-01-11 | Nec Corporation | Via transmission lines for multilayer printed circuit boards |
| JP2014110557A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Hitachi Metals Ltd | 伝送線路及びアンテナ装置 |
| US9496606B2 (en) | 2012-12-03 | 2016-11-15 | Hitachi Metals, Ltd. | Transmission line and antenna device |
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