JP2000024965A - マイクロメカニックな構成要素の製法並びにマイクロメカニックな構成要素 - Google Patents

マイクロメカニックな構成要素の製法並びにマイクロメカニックな構成要素

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JP2000024965A JP11124817A JP12481799A JP2000024965A JP 2000024965 A JP2000024965 A JP 2000024965A JP 11124817 A JP11124817 A JP 11124817A JP 12481799 A JP12481799 A JP 12481799A JP 2000024965 A JP2000024965 A JP 2000024965A
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Nicholas Dr Buchan
ブーハン ニコラス
Michael Fehrenbach
フェーレンバッハ ミヒャエル
Dietrich Schubert
シューベルト ディートリッヒ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 規定の幾何学的なデザインパラメータを適当
に設定することによりプロセス誤差に関連して特性デー
タのばらつきを僅かに維持もしくは減少させる。 【解決手段】 ウェブ及び溝を備えた構造を形成するエ
ッチングプロセスにより、少なくとも１つの幾何学的な
デザインパラメータ（ｂm ，ｂf ，ｄ）に関連した単数
又は複数の電気的又は機械的な機能特性値（Ｓ）を有す
るマイクロメカニックな構成要素、特に容量性の加速度
センサを製作する方法において、マイクロメカニックな
構成要素の局部領域内の幾何学的なデザインパラメータ
がプロセスに起因する予め規定された法則性を受けるよ
うに、特に機能ブロック形式でほぼ一定であるように、
マイクロメカニックな構成要素用のデザインを設計し、
これにより、エッチングプロセスの際にマイクロメカニ
ックな構成要素内のデザインパラメータのプロセス誤差
（△）がほぼ位置依存性を示さない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェブ及び溝を備
えた構造を形成するエッチングプロセスにより、少なく
とも１つの幾何学的なデザインパラメータに関連した単
数又は複数の電気的又は機械的な機能特性値を有するマ
イクロメカニックな構成要素、特に容量性の加速度セン
サを製作する方法、並びに、上記製法により製作される
マイクロメカニックな構成要素に関する。
【０００２】
【従来の技術】原則的に任意のマイクロメカニックな構
成要素に適用できるできるけれども、本発明並びに本発
明が根拠とする問題点はマイクロメカニックな容量性の
加速度センサに関連して説明する。
【０００３】表面マイクロマシーニング技術において適
用されるプロセスによって、センサ、アクチュエータ及
び別のミニチュア化された構成要素を、原則的にマイク
ロエレクトロニックな構成要素を製作するために公知で
あるような方法に従って製作できる。
【０００４】周知のように、機械的及び／又は電気的な
機能要素を製作するために表面マイクロマシーニング技
術で適用されるこのようなプロセスは、製作プロセス誤
差を受ける。この場合製作誤差という概念は、有利には
プロセス平均値として選ばれている目標値からの偏差で
ある。前記製作プロセス誤差によって、通常機械的もし
くは電気的な当該機能要素の著しい特性データばらつき
が生ぜしめられ、このようなばらつきは、平衡法、補償
法又は校正法によって考慮されねばならない。
【０００５】例えば、前述のマイクロメカニックな容量
性の加速度センサの感度及び共振周波数はトレンチ（Tr
ench）・エッチングプロセスに関連している。トレンチ
・エッチングプロセスにおいてはセンサは、溝及びウェ
ブを備えた構造に細分化され、この構造は、所要の機能
要素、この場合コンデンサ装置及びばね装置を含む。
【０００６】トレンチ・エッチング、例えばドライエッ
チングの際のこのような製作プロセス誤差又は簡略にプ
ロセス誤差は、周知のように異なるプロセス温度、又は
プロセスガス組成又はプロセスガス流れ比等に基づき生
ずる。
【０００７】一般に、時間及びコストを浪費する校正
法、平衡法等を回避するために、マイクロメカニックな
構成要素を特性データのばらつきを減少して製作するこ
とが所望されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、規定
の幾何学的なデザインパラメータを適当に設定すること
によってプロセス誤差に関連した特性データのばらつき
を僅かに維持するかもしくは減少することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題は本発明によれ
ば、特許請求の範囲第１項の特徴部分に記載のマイクロ
メカニックな構成要素の製法並びに特許請求の範囲第６
項の特徴部分に記載のマイクロメカニックな構成要素に
よって解決された。
【００１０】
【発明の効果】請求項１記載の製法並びに請求項６記載
の構成要素の利点は、所定のプロセス誤差範囲において
プロセス誤差範囲（例えば、３σ・範囲）における実際
のプロセス位置と特性データとの依存性が最小にされ
る、つまり影響の補償が生ずるということにある。
【００１１】このような補償によって特に、ウエーハも
しくは製品収量が高められ、僅かな平衡費用で同じ機能
性が得られ（評価電子機構のコストが減少され）かつ構
成要素のできるだけ小さな構造高さが得られる。
【００１２】本発明の根底を成す思想は、マイクロメカ
ニックな構成要素の局部領域内の幾何学的なデザインパ
ラメータがプロセスに起因する予め規定された法則性に
さらされるように、特に機能ブロック形式でほぼ一定で
あるように、マイクロメカニックな構成要素用のデザイ
ンを設計し、これにより、エッチングプロセスの際にマ
イクロメカニックな構成要素内のデザインパラメータの
プロセス誤差がほぼ位置依存性を示さないということに
ある。
【００１３】その他の請求項に記載の方法及び構成によ
って、請求項１に記載の方法並びに請求項１に記載のマ
イクロメカニックな構成要素の有利な構成並びに改良が
得られる。
【００１４】有利には、エッチングプロセスの際に、単
数又は複数の当該デザインパラメータのプロセス誤差と
構成要素の電気的又は機械的な機能特性値の少なくとも
１つとの主要の依存性の検出が行われる。この場合、依
存性を最小にするために単数又は複数のデザインパラメ
ータのための関係式が導き出され、次いで、予期される
プロセス誤差において導き出された関係式が満たされる
ように、デザインパラメータが確定される。このような
措置は特に、多数のデザインパラメータが主要の影響を
及ぼす場合に有利であり、従って、デザインパラメータ
は互いに無関係に選ぶことはできない。
【００１５】更に有利には、マイクロメカニックな構成
要素が容量性の加速度センサであって、この加速度セン
サは、撓みばね装置に懸架された地震質量装置と、地震
質量装置に設けられた可動なコンデンサプレート装置
と、可動なコンデンサプレート装置と協働する定置のコ
ンデンサプレート装置とを有している。この場合、機能
特性値は加速度センサの感度であり、この場合、主要の
依存性は次の式によって得られる：
【００１６】
【数２】
【００１７】この場合、Ｃは定数、△はプロセス誤差、
ｂm は地震質量装置（１″）の幅、ｂf は撓みばね装置
の撓みばねの幅及びｄは非加速状態でのそれぞれのコン
デンサプレート装置のプレート間隔である。
【００１８】更に有利には、関係式を、プロセス誤差
（△）に応じて依存性の導関数を形成することによって
形成する。このことは、数値的に又は可能であれば解析
的に行われる。
【００１９】更に有利には、法則性は、エッチング密度
が予め規定された値を中心とした所定限界内に維持され
るように、予め規定される。
【００２０】
【発明の実施の形態】第１ａ図では、本発明を説明する
ために及び本発明が根拠とする問題点を説明するため
に、マイクロメカニックな容量性の加速度センサを簡略
的に図示している。
【００２１】第１図では、地震質量装置１と、幅ｂf 及
び長さｌf の第１の撓みばね２ａと、幅ｂf 及び長さｌ
f の第２の撓みばね２ｂと、幅ｂf 及び長さｌf の第３
の撓みばね３ａと、幅ｂf 及び長さｌf の第４の撓みば
ね３ｂと、幅ｂm の第１の可動なコンデンサプレート４
と、第１の定置のコンデンサプレート４ａと、第２の定
置のコンデンサプレート４ｂと、幅ｂm の第２の可動な
コンデンサプレート５と、第３の定置のコンデンサプレ
ート５ａと、第４の定置のコンデンサプレート５ｂとが
図示されている。
【００２２】第１の定置のコンデンサプレート４ａ及び
第３の定置のコンデンサプレート５ａは、第１の可動な
コンデンサプレート４及び第２の可動なコンデンサプレ
ート５と協働して第１の平板コンデンサ装置１０を形成
する。
【００２３】第２の定置のコンデンサプレート４ｂ及び
第４の定置のコンデンサプレート５ｂは、第１の可動な
コンデンサプレート４及び第２の可動なコンデンサプレ
ート５と協働して第２の平板コンデンサ装置２０を形成
する。
【００２４】第１ｂ図では、第１ａ図Ａ−Ｂ線に沿った
横断面図で、マイクロメカニックな容量性の加速度セン
サを簡略的に図示している。この場合、記号ｘで、非加
速状態に相応する中立位置からの地震質量装置１の変位
量が、かつ、記号ｄで、非加速状態での両コンデンサ装
置１０，２０のプレート間隔が図示されている。
【００２５】以下に、マイクロメカニックな容量性の加
速度センサの評価の基礎となる物理的な関連を詳述す
る。
【００２６】平衡位置からの変位量ｘの場合の電圧出力
信号Ｖoutは、次のように記述される：
【００２７】
【数３】
【００２８】この場合、Ｃ１は第１の平板コンデンサ装
置１０の容量、Ｃ２は第２の平板コンデンサ装置２０の
容量、及び、Ｖref は平板コンデンサ装置１０，２０に
かけられる外部の基準電圧である。
【００２９】更に、
【００３０】
【数４】
【００３１】が該当し、この場合、ｍは地震質量装置１
の地震質量、ａは測定時点に発生する瞬間加速度、及
び、ｋは撓みばね２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂの曲げ剛性を
示す。
【００３２】地震質量ｍのために次の関係式： ｍ＝ρ・ｈ・ｌm・（ｂm−Δ） （３） が該当し、この場合、ρは使用される材料（この場合、
ポリシリコン）の比重、ｈは層厚さ、ｌm は地震質量装
置１の長さ、及び、△は実際のプロセス誤差である。
【００３３】曲げ剛性ｋのために次の関係式が：
【００３４】
【数５】
【００３５】が該当し、この場合、Ｎは曲げ要素の数、
Ｅsi は使用される材料（この場合、ポリシリコン）の
弾性係数を示す。
【００３６】方程式（３）および（４）を方程式（１）
に代入しかつこのようして得られた方程式（２）を方程
式（１）に代入した場合には、
【００３７】
【数６】
【００３８】が得られる。
【００３９】更に、考慮されたエッチングプロセスに基
づきマスク技術により規定された構造に影響が及ぼされ
る。平衡位置における平板コンデンサ装置１０，２０の
プレート間隔は、受け入れられる実際のプロセス誤差Δ
によって増大し、かつこれに対応して地震質量装置１の
幅ｂm 及び撓みばね２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂの幅ｂ
fは、減少する。
【００４０】変動を受けない特性値又は比較的些細な変
動のみを受ける特性値が定数Ｃに統合される場合には、
【００４１】
【数７】
【００４２】が得られる。
【００４３】加速度センサの特に重要な電気的な機能特
性値は、加速度センサの感度であり、これは、検出すべ
き瞬間加速度ａに関し出力電圧の導関数である、つま
り、
【００４４】
【数８】
【００４５】直接的に提供される可能性は、プロセス誤
差の相対的な影響が減少するように、特性値ｂm ，ｂf
及びｄを大きく選ぶことにある。しかしこれによって、
コンデンサ装置１０，２０の容量の減少及びこれに関連
した感度の低下に基づき、センサの不利な特性データフ
ィールドが生ぜしめられる。
【００４６】しかしながら方程式（７）から明らかなよ
うに、特性値ｂm ，ｂf 及びｄはプロセス誤差の影響の
減少もしくは抑制に関する課せられた要求を満たすデザ
インにおいて自由に選ばれず、むしろ規定の関係を満た
さねばならない。
【００４７】特に、プロセス誤差△に関する方程式
（７）の導関数は零に等しく、つまり、ｄｓ/ｄ△＝０
でなければならない。これにより、図示のケースでは、
プロセス誤差の影響の減少もしくは抑制に関する課せら
れた要求を満たすデザインを得るために特性値ｂm ，ｂ
f 及びｄ用の関係式が得られる。
【００４８】更に、ウエハーにおける個々の構成要素の
局部領域内のプロセス誤差が局部的に一定であること、
つまり、位置依存性を示さないことが考慮されねばなら
ない。それというのも、さもなくば上述の仮定が当て嵌
まらないからである。このことは、後述するレイアウト
調整を維持することによって保証される。
【００４９】当該エッチングプロセスに際してデザイン
上、構造要素からのエッチング切除量がほぼ同じでなけ
ればならない。このことは、所定のエッチング密度、即
ち、単位面積当りのエッチング切除量が所定の値を中心
とした所定限界内に維持されることによって、達成され
る。
【００５０】第２図では、本発明による製法により製作
されたものではないマイクロメカニックな容量性の加速
度センサの構造が、概略的に図示されている。
【００５１】第２図では、可動なコンデンサプレート３
０を備えた地震質量装置１′と、対応する第１の定置の
コンデンサプレートを備えた第１の櫛形構造４０と、対
応する第２の定置のコンデンサプレートを備えた第２の
櫛形構造５０と、撓みばね装置６０と、広幅な溝構造７
０とを有している。第２図によるセンサの機能形式は、
第１ａ図によるセンサの場合に類似している。記号ｄ，
ｄ′，ｄ″，ｄ′″は、エッチング溝の種々の溝幅を示
している。
【００５２】特性値ｂm ，ｂf 及びｄのために互いに無
関係に次の値が選ばれる： ｂf ＝３．０μｍ ｂm ＝５．０μｍ ｄ ＝２．０μｍ 更に、方程式（６）の定数Ｃは、０．３３３*１０-18
Ｖ/ｇでありかつセンサは０．５ｍｍ2 の面積の場合に
３５ｇの感度に設計された。
【００５３】実験により、前記デザインはセンサの感度
のばらつきを減少させるという要求を満たせずしかも感
度の点で著しい特性データ変動をもたらすことが明らか
となった。
【００５４】このことは、主要の機能要素及びセンサの
中間領域もしくは縁部領域の基準的な溝幅及びウェブ幅
が互いに適合されなかったことを原因とすることが明ら
かとなった。特に前記デザインの場合には、コンデンサ
プレート構造３０，４０，５０の領域における種々の溝
幅ｄ，ｄ′、領域７０における大きな溝幅ｄ″及び撓み
ばね装置６０の領域における別の溝幅ｄ′″が生ずる。
【００５５】第３図では、本発明による製法により製作
されたマイクロメカニックな容量性の加速度センサの構
造が、概略的に図示されている。
【００５６】第３図では、連結ウェブ３０３を備えたダ
ブルア−ム構造３０１，３０２の可動なコンデンサプレ
ート３００を備えた地震質量装置１″と、対応する第１
の定置のコンデンサプレートを備えた第１の櫛形構造４
００と、対応する第２の定置のコンデンサプレートを備
えた第２の櫛形構造５００と、撓みばね装置６００と、
充填領域７００と溝を備えた付加構造領域８００とを有
している。
【００５７】第３図によるセンサの機能形式は、同様に
第１ａ図によるセンサの場合に類似している。
【００５８】第２図によるセンサとは異なって、第３図
によるセンサデザインの場合には、マイクロメカニック
な構成要素の局部領域内のデザインパラメータｂm ，ｂ
f 及びｄが機能ブロック式にほぼ統一的に形成される。
換言すれば、コンデンサ装置内、コンデンサ装置間及び
撓みばね内の溝幅ｄはほぼ同じである。溝を備えた付加
構造領域８００及び充填領域７００は、局所的に一定の
プロセス誤差△を得るために、付加的に設けられる。コ
ンデンサ装置の縁部における大きな溝幅は、不都合なフ
リンジ効果を回避するために必要である。この場合、大
きな溝幅は不都合に作用しない。それというのも、長さ
変動は感度に著しい影響を及ぼさないからである。
【００５９】本発明によるデザイン措置によって、トレ
ンチ（Trench）・エッチングプロセスの際にプロセス誤
差△、つまりこの場合センサ内部のウェブ幅もしくは溝
幅はほぼ位置依存性を示さない。
【００６０】特性値ｂm ，ｂf 及びｄのために特に互い
に無関係に次の値が選ばれる： ｂf ＝４．０μｍ ｂm ＝２*３．０μｍ（ダブルアーム構造） ｄ ＝２．０μｍ 更に、方程式（６）の定数Ｃは、１．１７５*１０-18
Ｖ/ｇでありかつセンサは同様に０．５ｍｍ2 の面積の
場合に３５ｇの感度に設計された。
【００６１】前記特性値を選択するために、予期される
プロセス誤差において感度の導関数ｄｓ/ｄ△は零に等
しく設定された。この場合、ｄは最小のデザイン寸法と
して設定された。ｂm は経験値に応じて予め与えられか
つｂf はｄｓ/ｄ△用の検出された関係式から算定され
た。
【００６２】前記デザインが実際にセンサの感度のばら
つきを減少するという要求を満たすことが、実験により
明らかとなった。
【００６３】第４図では、プロセス誤差に関連して第２
図及び第３図のセンサの感度を図示している。
【００６４】第４図では、ｘ軸にプロセス誤差が任意の
単位で示されかつｙ軸に感度がｍＶ/ｇで示されてい
る。ラインＳＷはプロセス目標値を示している。第２図
で図示の非補償式のセンサの結果は特性曲線ＵＫＳによ
って示されていてかつ第３図で図示の補償式のセンサの
結果は特性曲線ＫＳによって示されている。
【００６５】第４図から一義的に明らかなように、特性
曲線ＫＳはプロセス誤差との依存性を示しておらず、こ
れに対して特性曲線ＵＫＳはプロセス誤差との明らかな
依存性を示している。
【００６６】例えば第１図，第２図及び第３図で図示の
ように、表面マイクロマシーニング技術で製作される多
結晶のシリコンから成る容量性の加速度センサに特に関
連して次のことが維持される。
【００６７】地震質量装置１，１′もしくは１″及びこ
れに設けられる可動なコンデンサプレート装置４，５も
しくは３０もしくは３００は、電極としてウェブから構
成され、このウェブは、ウェブ幅ｂm 用のプロセス固有
の値範囲を有している。
【００６８】可動なコンデンサプレート装置４，５もし
くは３０もしくは３００の、地震質量装置１，１′もし
くは１″に設けられるウェブは、定置のコンデンサプレ
ート装置４０，４００もしくは５０，５００の定置の電
極に対して間隔ｄ用のプロセス固有の値範囲を有してい
る。
【００６９】定置の電極の間隔は、地震質量装置１，
１′もしくは１″及びこれに設けられる可動なコンデン
サプレート装置４，５もしくは３０もしくは３００を構
成するウェブの間隔に相応している。
【００７０】更に、プロセス固有の可能な値範囲で撓み
ばねｂf の幅が調節される。
【００７１】多結晶のシリコンから成る構成要素を組織
化するためのトレンチ・プロセスによって、ウェブとば
ねは狭幅になりかつ電極の間隔は広幅になる。
【００７２】この構造損失のための値は、プロセスに起
因するばらつき範囲、例えば、０．７μｍ＋/−０．５
μｍを有している。
【００７３】感度のばらつきに対する前記構造損失のば
らつきの影響を抑制するため、デザイン値の実際的に重
要な範囲のために、つまり、 ２．０μｍ≦ｂｍ≦４．０μｍ １．５μｍ≦ｄ≦３．０μｍ ３．０μｍ≦ｂｆ≦６．０μｍ のために、感度の所望の絶対値とは無関係に比ｂm / ｂ
f ＝０．５乃至０．９が維持されねばならない。
【００７４】値範囲が ２．５μｍ≦ｂｍ≦３．５μｍ １．５μｍ≦ｄ≦２．５μｍ ３．９μｍ≦ｂｆ≦５．１μｍ に制限された場合には、感度の所望の絶対値とは無関係
に比ｂm /ｂf ＝０．６乃至０．８が維持されねばなら
ない。
【００７５】電極の十分高い機械的な安定性を得るため
に、電極幅ｂm の制限に基づき、互いに結合される２つ
のウェブの形状で電極が設計されている（第３図参照）
と有利である。
【００７６】
【表１】
【００７７】上記表では、ウェブ間隔ｄ、ウェブ幅ｂ
m 、撓みばね幅ｂf のための模範的な値並びにウェブ間
隔及びウェブ幅の影響が示されている。
【００７８】本発明は、図示の実施例に限定されるもの
ではなく、種々の態様で実施可能である。
【００７９】特に本発明による製法は、容量性の加速度
センサに限定されるものではなく、任意のマイクロメカ
ニックな構成要素にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図ａは、本発明を説明するために及び本発明が
根拠とする問題点を説明するために、マイクロメカニッ
クな容量性の加速度センサを簡略に図示した平面図であ
り、図ｂは、マイクロメカニックな容量性の加速度セン
サを図ａのＡ−Ｂ線に沿った横断面図で簡略に示した
図。
【図２】本発明による製法により製作されたものではな
いマイクロメカニックな容量性の加速度センサの構造を
概略的に示した図。
【図３】本発明による製法により製作されたマイクロメ
カニックな容量性の加速度センサの構造を概略的に示し
た図。
【図４】プロセス誤差に関連して第２図及び第３図のセ
ンサの感度を示した図。
【符号の説明】 １，１″，１′ 地震質量装置 ２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ；６０；６００ 撓みばね ４，５；３０；３００ コンデンサプレート １０，２０，３０，４０ 平板コンデンサ装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/84 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ 21/306 Ｊ (72)発明者 ミヒャエル フェーレンバッハ ドイツ連邦共和国 エニンゲン シラーシ ュトラーセ 69 (72)発明者 ディートリッヒ シューベルト ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン ペー ター−ローゼガー−シュトラーセ 84

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェブ及び溝を備えた構造を形成するエ
    ッチングプロセスにより、少なくとも１つの幾何学的な
    デザインパラメータ（ｂm ，ｂf ，ｄ）に関連した単数
    又は複数の電気的又は機械的な機能特性値（Ｓ）を有す
    るマイクロメカニックな構成要素、特に容量性の加速度
    センサを製作する方法において、マイクロメカニックな
    構成要素の局部領域内の幾何学的なデザインパラメータ
    （ｂm，ｂf ，ｄ）がプロセスに起因する予め規定され
    た法則性を受けるように、特に機能ブロック形式でほぼ
    一定であるように、マイクロメカニックな構成要素用の
    デザインを設計し、これにより、エッチングプロセスの
    際にマイクロメカニックな構成要素内のデザインパラメ
    ータのプロセス誤差（△）がほぼ位置依存性を示さない
    ことを特徴とする、マイクロメカニックな構成要素の製
    法。
  2. 【請求項２】 エッチングプロセスの際に、単数又は複
    数の当該デザインパラメータ（ｂm ，ｂf ，ｄ）のプロ
    セス誤差（△）と構成要素の電気的又は機械的な機能特
    性値（Ｓ）の少なくとも１つとの主要の依存性を検出
    し、 依存性を最小にするために単数又は複数のデザインパラ
    メータ（ｂm ，ｂf ，ｄ）のための関係式（ｄＳ/ｄ△
    ＝０）を導き出し、 予期されるプロセス誤差において前記関係式が満たされ
    るように、単数又は複数のデザインパラメータ（ｂm ，
    ｂf ，ｄ）を確定する、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 マイクロメカニックな構成要素が、撓み
    ばね装置（６００）に懸架された地震質量装置（１″）
    と、地震質量装置（１″）に設けられた可動なコンデン
    サプレート装置（３００）と、可動なコンデンサプレー
    ト装置（３００）と協働する定置のコンデンサプレート
    装置（４００，５００）とを有する容量性の加速度セン
    サであって、機能特性値（Ｓ）が加速度センサの感度で
    あり、この場合、主要の依存性が次式： 【数１】 によって得られ、この場合、Ｃは定数、△はプロセス誤
    差、ｂm は地震質量装置（１″）の幅、 ｂf は撓みば
    ね装置（６００）の撓みばねの幅及びｄは非加速状態で
    のそれぞれのコンデンサプレート装置のプレート間隔で
    ある、請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記関係式を、プロセス誤差（△）に応
    じて依存性の導関数を形成することによって形成する、
    請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記法則性を、エッチング密度が予め規
    定された値を中心とした所定限界内に維持されるよう
    に、予め規定する、請求項１から４までのいずれか１項
    記載の方法。
  6. 【請求項６】 ウェブ及び溝を備えた構造を形成するエ
    ッチングプロセスにより製作可能な、少なくとも１つの
    幾何学的なデザインパラメータ（ｂm ，ｂf，ｄ）に関
    連した単数又は複数の電気的又は機械的な機能特性値
    （Ｓ）を有するマイクロメカニックな構成要素、特に容
    量性の加速度センサにおいて、マイクロメカニックな構
    成要素の局部領域内の幾何学的なデザインパラメータ
    （ｂm ，ｂ f ，ｄ）が、プロセスに起因する予め規定さ
    れた法則性を受け、特に機能ブロック形式でほぼ一定で
    あり、これにより、エッチングプロセスの際にマイクロ
    メカニックな構成要素内のデザインパラメータのプロセ
    ス誤差（△）がほぼ位置依存性を示さないようになって
    いることを特徴とする、マイクロメカニックな構成要
    素。
  7. 【請求項７】 マイクロメカニックな構成要素が、容量
    性の加速度センサであって、該加速度センサが、 撓みばね装置（６００）に懸架された地震質量装置
    （１″）と、 地震質量装置（１″）に設けられた可動なコンデンサプ
    レート装置（３００）と、 可動なコンデンサプレート装置（３００）と協働する定
    置のコンデンサプレート装置（４００，５００）とを有
    している、請求項６記載のマイクロメカニックな構成要
    素。
  8. 【請求項８】 少なくとも１つの領域内に、電気的及び
    ／又は機械的な機能特性値によって制限されない、溝を
    備えた充填構造（７００）及び／又は付加構造（８０
    ０）が設けられている、請求項６又は７記載のマイクロ
    メカニックな構成要素。
  9. 【請求項９】 デザインパラメータ（ｂm ，ｂf ，ｄ）
    が、所定の機能要素のウェブ幅及び／又は溝幅を含んで
    いる、請求項６から８までのいずれか１項記載のマイク
    ロメカニックな構成要素。
  10. 【請求項１０】 可動なコンデンサプレート装置（３０
    ０）のコンデンサプレートが、ダブルアーム構造（３０
    １，３０２，３０３）を有している、請求項７から９ま
    でのいずれか１項記載のマイクロメカニックな構成要
    素。
  11. 【請求項１１】 交互にウェブ及び溝を備えた構造を形
    成するエッチングプロセスにより製作可能な、少なくと
    も１つの幾何学的なデザインパラメータ（ｂ m ，ｂf ，
    ｄ）に関連した単数又は複数の電気的又は機械的な機能
    特性値（Ｓ）を有するマイクロメカニックな構成要素、
    特に容量性の加速度センサにおいて、構成要素の領域に
    亘ってウェブ及び溝の幅がほぼ予め規定されたパターン
    に応じて統一的に維持されるように、構造が設計されて
    おり、この場合、機能的に大きな全体幅を有する要素自
    体が少なくとも部分的にパターンに従って組織化されて
    いることを特徴とする、マイクロメカニックな構成要
    素。
  12. 【請求項１２】 表面マイクロマシーニング技術で多結
    晶のシリコンから製作された容量性の加速度センサであ
    って、該加速度センサが、 撓みばね装置（２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ；６０；６０
    ０）に懸架された地震質量装置（１，１″，１′″）
    と、 地震質量装置（１，１″，１′″）に設けられた可動な
    コンデンサプレート装置（４，５；３０；３００）と、 可動なコンデンサプレート装置（３００）と協働する定
    置のコンデンサプレート装置（４０，４００；４００，
    ５００）とを有している形式のものにおいて、 地震質量装置（１，１″，１′″）及び該地震質量装置
    に設けられた可動なコンデンサプレート装置（４，５；
    ３０；３００）が、電極としてウェブから構成されてい
    て、該ウェブが、ウェブ幅（ｂm ）用のプロセス固有の
    値範囲を有しており、 地震質量装置（１，１″，１′″）に設けられた、可動
    なコンデンサプレート装置（４，５；３０；３００）の
    ウェブが、定置のコンデンサプレート装置（４０，４０
    ０；４００，５００）の定置の電極に対して間隔（ｄ）
    用のプロセス固有の値範囲を有しており、 定置の電極の間隔が、地震質量装置（１，１″，
    １′″）及び該地震質量装置に設けられた可動なコンデ
    ンサプレート装置（４，５；３０；３００）を構成する
    ウェブの間隔に等しく形成されており、 撓みばね（ｂｆ）の幅が、プロセス固有の可能な値範囲
    にあることを特徴とする、容量性の加速度センサ。
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