JP2000022212A5

JP2000022212A5 -

Info

Publication number: JP2000022212A5
Application number: JP1998183446A
Authority: JP
Filing date: 1998-06-30
Publication date: 2006-01-26
Anticipated expiration: 2018-06-30

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】２０ｍｍ以上の直径と０．０７ｍｍ以上の厚さを有し、自立しており、基板表面の法線と、基板表面と平行度が最も高い低面指数の結晶面の法線とのなす角度が基板内で３゜以下であり、基板表面と平行度が最も高い低面指数の結晶面の法線のばらつきが基板内で４゜以下であり、表面、裏面ともに研磨されていることを特徴とするＧａＮ単結晶基板。
【請求項２】研磨後の基板の反りが２インチ径（５０ｍｍ径）に換算して２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。
【請求項３】基板表面は、ＧａＮ（０００１）面であることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ単結晶基板。
【請求項４】（１１１）ＧａＡｓ基板の上に［１１−２］方向に一定間隔をおいて並び［−１１０］方向には半ピッチずれた点状の窓を有するマスク又は［１１−２］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスク若しくは［−１１０］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスクを形成し、ＧａＮバッファ層を設け、ＨＶＰＥ法によりＧａＮをエピタキシャル成長させＧａＡｓ基板およびマスクを除去し、ＧａＮ自立膜とし、少なくとも一面を研磨することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項５】（１１１）ＧａＡｓ基板の上に［１１−２］方向に一定間隔をおいて並び［−１１０］方向には半ピッチずれた点状の窓を有するマスク又は［１１−２］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスク若しくは［−１１０］方向に伸びるストライプ状の窓を有するマスクを形成し、ＧａＮバッファ層を設け、ＨＶＰＥ法によってＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＡｓ基板およびマスクを除去してＧａＮ基板を得て、そのＧａＮ基板の上にＨＶＰＥ法によってＧａＮ単結晶をエピタキシャル成長せしめ、エピタキシャル成長したＧａＮインゴットから、切断又は劈開により分断して複数のＧａＮ基板とし、ＧａＮ基板の少なくとも一面を研磨することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。

[Claims]
1. A freestanding, self-supporting substrate surface having a diameter of at least 20 mm and a thickness of at least 0.07 mm, and a normal to a low plane index crystal plane having the highest degree of parallelism with the substrate surface. Is less than 3 ° in the substrate, the variation of the normal of the crystal plane of the low plane index having the highest parallelism with the substrate surface is 4 ° or less in the substrate, and both the front and back surfaces are polished. A GaN single-crystal substrate.
2. The GaN single crystal substrate according to claim 1, wherein the warpage of the polished substrate is 200 μm or less in terms of a 2-inch diameter (50 mm diameter) .
3. The GaN single crystal substrate according to claim 1, wherein the substrate surface is a GaN (0001) plane.
4. A mask having a point-like window arranged on the (111) GaAs substrate at a constant interval in the [11-2] direction and shifted by a half pitch in the [-110] direction, or [11-2]. Forming a mask having a striped window extending in the direction or a mask having a striped window extending in the [-110] direction, providing a GaN buffer layer, epitaxially growing GaN by HVPE, and removing the GaAs substrate and the mask ; A method for producing a GaN single-crystal substrate, comprising a GaN free-standing film and polishing at least one surface.
5. A mask or [11-2] having dot-like windows arranged on a (111) GaAs substrate at regular intervals in the [11-2] direction and shifted by a half pitch in the [-110] direction. A mask having striped windows extending in the direction or a mask having striped windows extending in the [-110] direction is formed, a GaN buffer layer is provided, GaN is epitaxially grown by HVPE, and the GaAs substrate and the mask are removed. To obtain a GaN substrate, and epitaxially grow a GaN single crystal on the GaN substrate by the HVPE method. The epitaxially grown GaN ingot is cut or cleaved into a plurality of GaN substrates, and at least one surface of the GaN substrate is polished. A method for producing a GaN single crystal substrate, characterized by comprising: