JP2000017435A5 - - Google Patents
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Description
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のマグネトロンスパッタ方法は、ターゲット裏面側にマグネトロン磁石を配置してターゲット上に磁場を発生させ、ターゲットからスパッタさせた原子をターゲットと対向する基板上に付着させ、基板上に薄膜を形成するマグネトロンスパッタ方法において、基板の内周と外周に異なる磁極を有する基板側磁石を配置し、前記基板側磁石の内周磁石と外周磁石を、内周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット内側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となり、外周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット外側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となるように配置するものであり、それによって簡単かつ確実にターゲットを横切った磁力線が基板に達しないようにでき、ターゲットから飛び出して加速された電子や、プラズマ中の電子やイオンが基板表面に衝突するのを防止することができ、成膜中の基板の温度上昇を抑制することができる。
【課題を解決するための手段】
本発明のマグネトロンスパッタ方法は、ターゲット裏面側にマグネトロン磁石を配置してターゲット上に磁場を発生させ、ターゲットからスパッタさせた原子をターゲットと対向する基板上に付着させ、基板上に薄膜を形成するマグネトロンスパッタ方法において、基板の内周と外周に異なる磁極を有する基板側磁石を配置し、前記基板側磁石の内周磁石と外周磁石を、内周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット内側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となり、外周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット外側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となるように配置するものであり、それによって簡単かつ確実にターゲットを横切った磁力線が基板に達しないようにでき、ターゲットから飛び出して加速された電子や、プラズマ中の電子やイオンが基板表面に衝突するのを防止することができ、成膜中の基板の温度上昇を抑制することができる。
また、前記基板側磁石の内周磁石と外周磁石を、内周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット内側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となり、外周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット外側に配置された磁石の磁極とが同極でその同極の磁極が基板外側を向くように配置することによっても、同様に上記作用効果を確実に奏することができる。
【0029】
【発明の効果】
本発明のマグネトロンスパッタ方法及び装置によれば、以上のように基板の内周と外周に異なる磁極を有する基板側磁石を配置し、前記基板側磁石の内周磁石と外周磁石を、内周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット内側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となり、外周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット外側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となるように、若しくはその同極の磁極が基板外側を向くように配置したので、それによって簡単かつ確実にターゲットを横切った磁力線が基板に達しないようにでき、ターゲットから飛び出して加速された電子や、プラズマ中の電子やイオンが基板表面に衝突するのを防止することができ、成膜中の基板の温度上昇を抑制することができ、膜質に対するダメージを軽減することができる。
【発明の効果】
本発明のマグネトロンスパッタ方法及び装置によれば、以上のように基板の内周と外周に異なる磁極を有する基板側磁石を配置し、前記基板側磁石の内周磁石と外周磁石を、内周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット内側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となり、外周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット外側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となるように、若しくはその同極の磁極が基板外側を向くように配置したので、それによって簡単かつ確実にターゲットを横切った磁力線が基板に達しないようにでき、ターゲットから飛び出して加速された電子や、プラズマ中の電子やイオンが基板表面に衝突するのを防止することができ、成膜中の基板の温度上昇を抑制することができ、膜質に対するダメージを軽減することができる。
Claims (8)
- ターゲット裏面側にマグネトロン磁石を配置してターゲット上に磁場を発生させ、ターゲットからスパッタさせた原子をターゲットと対向する基板上に付着させ、基板上に薄膜を形成するマグネトロンスパッタ方法において、基板の内周と外周に異なる磁極を有する基板側磁石を配置し、前記基板側磁石の内周磁石と外周磁石を、内周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット内側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となり、外周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット外側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となるように配置することを特徴とするマグネトロンスパッタ方法。
- ターゲット裏面側にマグネトロン磁石を配置してターゲット上に磁場を発生させ、ターゲットからスパッタさせた原子をターゲットと対向する基板上に付着させ、基板上に薄膜を形成するマグネトロンスパッタ方法において、基板の内周と外周に異なる磁極を有する基板側磁石を配置し、前記基板側磁石の内周磁石と外周磁石を、内周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット内側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となり、外周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット外側に配置された磁石の磁極とが同極でその同極の磁極が基板外側を向くように配置することを特徴とするマグネトロンスパッタ方法。
- 基板裏面にヨークを配置し、基板側磁石の内周磁石と外周磁石とヨークで磁気回路を形成することを特徴とする請求項1又は2記載のマグネトロンスパッタ方法。
- 基板の内周マスクの裏面に基板側磁石の内周磁石を配置し、基板の外周マスクの裏面又は外側に外周磁石を配置することを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のマグネトロンスパッタ方法。
- ターゲット裏面側にマグネトロン磁石を配置してターゲット上に磁場を発生させ、ターゲットからスパッタさせた原子をターゲットと対向する基板上に付着させ、基板上に薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において、基板の内周と外周に異なる磁極を有する基板側磁石を設け、かつこれら基板側磁石の内周磁石と外周磁石は、内周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット内側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となり、外周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット外側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となるように配設したことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
- ターゲット裏面側にマグネトロン磁石を配置してターゲット上に磁場を発生させ、ターゲットからスパッタさせた原子をターゲットと対向する基板上に付着させ、基板上に薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において、基板の内周と外周に異なる磁極を有する基板側磁石を設け、かつこれら基板側磁石の内周磁石と外周磁石は、内周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット内側に配置された磁石の磁極とが同極でターゲットを挟んで向かい合う関係となり、外周磁石の磁極とマグネトロン磁石のターゲット外側に配置された磁石の磁極とが同極でその同極の磁極が基板外側を向くように配設したことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
- 基板裏面にヨークを配置し、基板側磁石の内周磁石と外周磁石とヨークで磁気回路を形成したことを特徴とする請求項5又は6記載のマグネトロンスパッタ装置。
- 基板の内周マスクの裏面に基板側磁石の内周磁石を配置し、基板の外周マスクの裏面又は外側に外周磁石を配置したことを特徴とする請求項5〜7の何れかに記載のマグネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
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JP18841998A JP4056132B2 (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | マグネトロンスパッタ方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP18841998A JP4056132B2 (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | マグネトロンスパッタ方法及び装置 |
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JP2000017435A5 true JP2000017435A5 (ja) | 2005-10-20 |
JP4056132B2 JP4056132B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=16223343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP18841998A Expired - Fee Related JP4056132B2 (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | マグネトロンスパッタ方法及び装置 |
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Families Citing this family (3)
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GB201815216D0 (en) * | 2018-09-18 | 2018-10-31 | Spts Technologies Ltd | Apparatus and a method of controlling thickness variation in a material layer formed using physical vapour deposition |
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- 1998-07-03 JP JP18841998A patent/JP4056132B2/ja not_active Expired - Fee Related
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