JP2000017428A - プラズマ成膜装置および成膜方法 - Google Patents
プラズマ成膜装置および成膜方法Info
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Abstract
ことなく、被処理物表面上に確実にしげる膜できるプラ
ズマ成膜装置を提供する。 【解決手段】 ハース41′にキャリアガスまたは反応
性ガスを膜材料200に向けて放出するためのガス放出
通路41e′が形成されている。
Description
内にて、プラズマ源(プラズマビーム発生器)が発生す
るプラズマビームをハースに導くことによって膜材料を
蒸発させ、被処理物体表面上に膜を形成するプラズマ成
膜装置に関する。
オンプレーティング装置およびプラズマCVD装置等が
ある。イオンプレーティング装置としては、アーク放電
型プラズマ源である圧力勾配型プラズマ源またはHCD
プラズマ源を用いた装置が知られている。
器中に配置された電気的には陽極として機能するハース
と、プラズマ源との間で、プラズマビームを発生させ、
ハース上に載置された膜材料をジュール加熱して蒸発さ
せている。そして、蒸発した膜材料の粒子はイオン化さ
れ、このイオン化された粒子が、負電圧が印加されてい
る被処理物体表面上に付着し、被処理物体表面上に膜が
形成される。
する。ハースに導かれたプラズマビームは、ハースおよ
び/または膜材料に対して放電する。放電によって、膜
材料は、瞬間的に高温に加熱される。瞬間的に加熱され
た膜材料は、蒸発し始める。この後、膜材料は、その中
に電流が流れることによってオーミック加熱されると共
に、蒸発する。
置に、膜材料として絶縁物(例えば、SiO、SiO2
、MgO、ZnO、TaN、TiN、あるいはAl2
O3 等)を用いる場合には、膜材料には電流を流さない
し、大部分が膜材料で覆われたハースには放電しにくい
ので、膜材料が加熱され始めにくい。また、仮に膜材料
が加熱され始めたとしても、その後のオーミック加熱が
ない。このため、安定して成膜することが困難である。
は、ハース上にカーボン等からなるライナーを介して絶
縁性の膜材料を収容する技術が提案されている。この技
術においては、ハースに導かれたプラズマビームは、ハ
ースおよび/またはライナーに対して放電する。ライナ
ーは、放電によって高温に加熱される。この後、膜材料
は、ライナーからの輻射熱ならびに接触による熱伝導に
よって加熱されると共に、オーミック加熱され、蒸発す
る。
ズマ成膜装置としてのイオンプレーティング装置は、気
密性の真空容器10を有している。真空容器10には、
ガイド部12を介してプラズマ源(例えば、圧力勾配型
プラズマ銃)20が取り付けられている。ガイド部12
の外側には、プラズマビーム300をガイドするための
ステアリングコイル31が配設されている。プラズマ源
20には、プラズマビーム300を収束するための第1
および第2の中間電極27および28が同心的に配置さ
れている。第1の中間電極27には磁極軸がプラズマ発
生源20の中心軸と平行になるようにして永久磁石27
aが内蔵されており、第2の中間電極28にはコイル2
8aが内蔵されている。
間電極27および28で規定される通路に繋がる絶縁管
(例えば、ガラス管)21が備えられている。絶縁管2
1内には、Mo筒22が配置されている。Mo筒22内
には、Taパイプ23が配置されている。Mo筒22と
Taパイプ23とで規定される空間は、LaB6 製の環
状板24で隔離されている。絶縁管21、Mo筒22、
およびTaパイプ23の一端には、導体板部25が取り
付けられている。導体板部25に形成されたキャリアガ
ス導入口26からキャリアガス(Ar等の不活性ガス)
が導入され、キャリアガスは、Taパイプ23を通過す
る。
基板100が搬送装置61に支持されることによって配
置されている。基板100には、負バイアス用の直流電
源が接続される。真空容器10の底面には、基板100
に対向するように、電気的には陽極として機能するハー
ス41が配置されている。ハース41の外周には、環状
の補助陽極42が配置されている。
極42は、真空容器内の底部に設けられた支持部材50
によって支持されている。ハース41と支持部材50と
の間は、絶縁部材82により電気的に絶縁されている。
補助陽極42と支持部材50との間は、絶縁部材81に
より電気的に絶縁されている。ハース41は、膜材料を
収容可能な収容凹部41cと、ハース41内に設けられ
た中空部41dとを備えている。中空部41dには、冷
媒としての冷却水を循環させるために、冷媒管71cお
よび71bが接続されている。
石422と、これら磁石を収容する上ケース423aお
よび下ケース423bからなる中空、円柱状の磁石ケー
スとから構成されている。磁石ケースは、その中に、冷
媒を流通できるようになっている。ハース41ならびに
補助陽極42を冷却する冷媒を流通する冷媒管71a、
71b、および71cとを有している。冷媒は、真空容
器外から冷媒管71a、磁石ケース内、冷媒管71c、
中空部41d、および冷媒管71bの順に流通して、ハ
ース41および補助陽極42を冷却する。
器形のライナー43を有している。ライナー43は、例
えばカーボン(C)および窒化ホウ素(BN)のうちの
少くとも一方を含む材料から成り、導電性および耐熱性
を持っている。ライナー43は、ハース41に対して電
気的接続を確保する一方、熱伝導性が低い接続関係にな
るように、可及的小さい接触面積でもって取り付けられ
る。具体的には、この例では、ライナー43は、ハース
41の収容凹部41cの底面にのみ接して配置され、収
容凹部41cの側面に対しては所定の間隙をおいてい
る。ライナー43内には、絶縁性でかつ粒状の膜材料2
00(例えば、SiO、SiO2 、MgO、ZnO、あ
るいはAl2 O3 等)収容されている。
可変電源90のマイナス端が接続されている。可変電源
90のプラス端は、それぞれ抵抗器R1およびR2を介
して、第1および第2の中間電極27および28に接続
されている。一方、ハース41は、可変電源90ならび
に抵抗器R1およびR2に接続される。また、真空容器
10の側壁には、キャリアガス(ArやHe等の不活性
ガス)を導入するためのガス導入口10aと、真空容器
10内を排気するための排気口10bとが形成されてい
る。
リアガス導入口26からキャリアガスが導入されると、
第1の中間電極27とMo筒22との間で放電が始ま
る。これによって、プラズマビーム300が発生する。
プラズマビーム300は、ステアリングコイル31と補
助陽極42の磁石にガイドされて、電気的には陽極とし
て機能するハース41、補助陽極42、およびライナー
43に到達する。ハース41に取り付けられたライナー
43は、プラズマビーム300からの放電によって瞬間
的に加熱された後、オーミック加熱による発熱で膜材料
200を加熱する。加熱された膜材料は、溶融、蒸発す
る。ライナー43内に収容された膜材料200が減少し
たときは、ライナー43への放電に移行するので、膜材
料200の加熱が途切れることがない。
室内のガス圧が高真空領域であったり、ライナーの温度
が過剰に高い場合には、ライナーの材料であるカーボン
が蒸発し、被処理物表面上に本来の膜材料に混入する形
で付着する虞がある。
膜材料を不純物を混入させることなく被処理物表面上に
確実に成膜できるプラズマ成膜装置を提供することであ
る。
内にてハースに収容した膜材料をプラズマビームによっ
て蒸発させることによって膜を被処理物体に付着させる
プラズマ成膜装置において、前記ハースには、キャリア
ガスまたは反応性ガスを膜材料に向けて放出するための
ガス放出孔が形成されていることを特徴とするプラズマ
成膜装置が得られる。
数のガス放出孔が形成されている前記プラズマ成膜装置
が得られる。
する高周波電圧を抑制するための回路を有する前記プラ
ズマ成膜装置が得られる。
体および被処理物体を臨むようにハースを用意すると共
に、該ハース内に粒状の膜材料を収容する準備工程と、
プラズマ源からプラズマビームを発生させるプラズマビ
ーム発生工程と、プラズマビームを前記ハースに導くプ
ラズマビーム導引工程と、膜材料をプラズマビームによ
って蒸発させることによって膜を被処理物体に付着させ
る成膜工程とを有する成膜方法において、前記成膜工程
では、膜材料に前記ハースを通してキャリアガスまたは
反応性ガスを浴びせる成膜方法が得られる。
実施の形態によるプラズマ成膜装置を説明する。
実施の形態1によるプラズマ成膜装置としてのイオンプ
レーティング装置は、図3および図4と同符号で示され
た部分と同様の部分を有している。即ち、本イオンプレ
ーティング装置は、図示しない真空容器と、真空容器に
取り付けられた図示しないプラズマ源と、真空容器内の
底部に配置された電気的には陽極として機能するハース
41′と、ハース41′の周囲に配置された環状の補助
陽極42とを有している。
ームをハース41′に導き、ハース41′に収容した粒
状の膜材料200をイオン化し、ハース41′の上方に
て電圧が印加された被処理物体としての基板上に膜材料
200から成る膜を形成するものである。
容器内の底部に設けられた支持部材50によって支持さ
れている。ハース41′と支持部材50との間は、絶縁
部材82により電気的に絶縁されている。補助陽極42
と支持部材50との間は、絶縁部材81により電気的に
絶縁されている。
な収容凹部と、ハース41′内に設けられた中空部とを
備えている。中空部には、冷媒としての冷却水を循環さ
せるために、冷媒管71cおよび71bが接続されてい
る。補助陽極42は、永久磁石421と、電磁石422
と、これら磁石を収容する上ケース423aおよび下ケ
ース423bからなる中空、円柱状の磁石ケースとから
構成されている。磁石ケースは、その中に、冷媒を流通
できるようになっている。ハース41′ならびに補助陽
極42を冷却する冷媒を流通する冷媒管71a、71
b、および71cとを有している。冷媒は、真空容器外
から冷媒管71a、磁石ケース内、冷媒管71c、中空
部、および冷媒管71bの順に流通して、ハース41′
および補助陽極42を冷却する。
ガス等のキャリアガスまたは反応性ガスを膜材料200
に向けて放出するためのガス放出通路41e′を備えて
いる。ガス放出通路41e′の一端は収容凹部の側面底
部にて開口しており、他端はハース41′の下方にてガ
スパイプ75に接続している。ガスパイプ75は、図示
しないガス源に接続している。
うように被処理物体への成膜が行われる。
ハース41′内に粒状の膜材料200を収容する。プラ
ズマ源からプラズマビームを発生させる。プラズマビー
ムをハース41′に導く。膜材料200をプラズマビー
ムによって蒸発させることによって膜を被処理物体に付
着させる。
発させるときには、ハース41′の収容凹部内に収容さ
れた膜材料200に対し、ガス放出通路41e′を通し
てArガスを流す。
収容凹部内に放出されたキャリアガスは、膜材料200
の各粒間を通って真空室内に進む。このとき、膜材料2
00の各粒間のキャリアガスの濃度が高いので、プラズ
マ源からハース41′に導かれているプラズマビームか
ら膜材料200の各粒間に放電し、プラズマビームが各
粒間にまで拡がる。さらに、放電電流が大きくなると、
各粒間のプラズマのエネルギが上昇する。このようにプ
ラズマのエネルギが上昇すると、発光が起こると共に、
放射熱によって膜材料200が加熱される。そして、加
熱された膜材料は、蒸発する。
用いなくとも絶縁性の膜材料を成膜できるため、ライナ
ー使用時に起こる虞のある被処理物体に形成される膜中
にカーボンが混入する問題を回避できる。
ときは、膜材料のチャージアップが発生し、ハースがス
パッタされる虞がある。この問題を回避するために、ハ
ースへの高周波電圧を抑制するための回路を成膜装置に
設ける。具体的には、例えば、ハースと電源との間に適
当な容量範囲のコンデンサを挿入し、ハースへの印加電
圧を制御する。
が維持され得る電流は、120V/5A、100A/8
0Vであった。尚、放電が開始するときに、キャリアガ
スとして40sccmのArガスと10sccmのO2
ガスを導入し、ハース41′内へのキャリアガスとして
10sccmのArガスを導入し、真空室内の圧力は
4.0E4Torrであった。
では、放電が開始する電圧、放電が維持され得る電流
は、200V/5A、100A/150Vであった。
尚、放電が開始するときに、キャリアガスとして40s
ccmのArガスと10sccmのO2ガスを導入し、
真空室内の圧力は4.0E4Torrであった。
キャリアガスまたは反応性ガスとしては、ArガスやH
eガスの他に、H2ガス、O2ガス、N2ガス、あるい
はCH4ガス等がある。
参照して、本発明の実施の形態2によるプラズマ成膜装
置としてのイオンプレーティング装置は、実施の形態1
と同様の部分を有している。即ち、本イオンプレーティ
ング装置は、図示しない真空容器と、真空容器に取り付
けられた図示しないプラズマ源と、真空容器内の底部に
配置された電気的には陽極として機能するハース41″
と、ハース41″の周囲に配置された図示しない補助陽
極とを有している。
ームをハース41″に導き、ハース41″に収容した粒
状の膜材料をイオン化し、ハース41″の上方にて電圧
が印加された被処理物体としての基板上に膜材料から成
る膜を形成するものである。
ハース41b″と、膜材料を収容可能な収容凹部41
c″と、下ハース41a″内に設けられた中空部とを備
えている。中空部には、冷媒としての冷却水を循環させ
るために、冷媒管71cおよび71bが接続されてい
る。冷媒は、真空容器外から冷媒管、補助陽極内、冷媒
管71c、中空部、および冷媒管71bの順に流通し
て、ハース41″および補助陽極を冷却する。
ガス等のキャリアガスまたは反応性ガスを、収容凹部4
1c″内に収容した膜材料に向けて放出するためのガス
放出通路を備えている。ガス放出通路は、下ハース41
a″の下方にてガスパイプ75に接続している縦通路4
1e″−1と、縦通路41e″−1に接続した環状通路
41e″−3と、環状通路41e″−3に接続した複数
の横通路41e″−2とから成る。環状通路41e″−
3および横通路41e″−2は、上ハース41b″に形
成されている。横通路41e″−2の各端は、収容凹部
41c″の側面底部にて開口している。ガスパイプ75
は、図示しないガス源に接続している。
実施の形態1よりも均一に粒状の膜材料に浴びせること
ができる。
スにキャリアガスまたは反応性ガスを膜材料に向けて放
出するためのガス放出孔が形成されているため、膜材料
間に前記ガスが入り込み、放電が容易に行われる。した
がって、ライナーを使用することなく、即ち電気的絶縁
性の膜材料を不純物を混入させることなく、被処理物表
面上に確実に成膜できる。
の要部を示す縦断面図である。
によるプラズマ成膜装置の要部を示す横断面図および縦
断面図である。
面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 真空室内にてハースに収容した膜材料を
プラズマビームによって蒸発させることによって膜を被
処理物体に付着させるプラズマ成膜装置において、前記
ハースには、キャリアガスまたは反応性ガスを膜材料に
向けて放出するためのガス放出孔が形成されていること
を特徴とするプラズマ成膜装置。 - 【請求項2】 前記ハースには、複数のガス放出孔が形
成されている請求項1に記載のプラズマ成膜装置。 - 【請求項3】 前記ハースへの高周波電圧を抑制するた
めの回路素子を有する請求項1または2に記載のプラズ
マ成膜装置。 - 【請求項4】 真空室内に被処理物体および被処理物体
を臨むようにハースを用意すると共に、該ハース内に粒
状の膜材料を収容する準備工程と、プラズマ源からプラ
ズマビームを発生させるプラズマビーム発生工程と、プ
ラズマビームを前記ハースに導くプラズマビーム導引工
程と、膜材料をプラズマビームによって蒸発させること
によって膜を被処理物体に付着させる成膜工程とを有す
る成膜方法において、前記成膜工程では、膜材料に前記
ハースを通してキャリアガスまたは反応性ガスを浴びせ
る成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18711198A JP3463235B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | プラズマ成膜装置および成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18711198A JP3463235B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | プラズマ成膜装置および成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000017428A true JP2000017428A (ja) | 2000-01-18 |
JP3463235B2 JP3463235B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=16200305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18711198A Expired - Fee Related JP3463235B2 (ja) | 1998-07-02 | 1998-07-02 | プラズマ成膜装置および成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3463235B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100879155B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2009-01-19 | 콘센트라 마린 앤드 파워 아베 | 피스톤 링의 용사 방법 |
-
1998
- 1998-07-02 JP JP18711198A patent/JP3463235B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100879155B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2009-01-19 | 콘센트라 마린 앤드 파워 아베 | 피스톤 링의 용사 방법 |
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---|---|
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