JP2000012504A - Spin processor - Google Patents

Spin processor

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JP2000012504A
JP2000012504A JP10176135A JP17613598A JP2000012504A JP 2000012504 A JP2000012504 A JP 2000012504A JP 10176135 A JP10176135 A JP 10176135A JP 17613598 A JP17613598 A JP 17613598A JP 2000012504 A JP2000012504 A JP 2000012504A
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semiconductor wafer
work
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rotary table
gas
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慶太 相川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent cleaning agent from remaining on a lower surface of a semiconductor wafer, and from causing a stain upon drying the semiconductor wafer. SOLUTION: A spin processor 1, which rotates a semiconductor wafer 21 before treatment, comprises a rotary table 9 being driven by a motor; a plurality of holding members 11 disposed at a circumference of the rotary table in a circumferential direction with predetermined intervals, so as to have holding parts for holding the edge of the semiconductor wafer on the upper ends; and a nozzle hole 91a disposed on a lower surface of the semiconductor wafer held by the holding members, so as to release air for drying the lower surface of the work from a position other than the center in a diametrical direction to the center in the diametrical direction on the lower surface.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はワ−クを回転させ
ながら洗浄や乾燥などの処理を行うスピン処理装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spin processing apparatus for performing processing such as washing and drying while rotating a work.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、半導体装置や液晶表示装置の
製造過程においては、ワ−クとしての半導体ウエハや矩
形状の液晶用ガラス基板に回路パタ−ンを形成するため
の成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロ
セスでは、上記ワ−クの薬液処理、洗浄液による洗浄処
理および乾燥処理などが繰り返し行われる。
2. Description of the Related Art For example, in a process of manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device, a film forming process or a photo process for forming a circuit pattern on a semiconductor wafer as a work or a rectangular liquid crystal glass substrate. There is. In these processes, a chemical treatment of the work, a cleaning treatment with a cleaning liquid, a drying treatment, and the like are repeatedly performed.

【0003】上記ワ−クに上述した各種の処理を行うに
は、スピン処理装置が用いられる。このスピン処理装置
は、回転駆動される回転テ−ブルを有し、この回転テ−
ブルの周辺部には周方向に所定間隔で複数の保持部材が
立設されている。各保持部材の上端には上記ワ−クの周
縁部を保持するために保持部としてのピンが設けられて
いる。
[0003] A spin processing device is used to perform the various processes described above on the work. This spin processing device has a rotary table that is driven to rotate.
At the periphery of the bull, a plurality of holding members are erected at predetermined intervals in the circumferential direction. At the upper end of each holding member, a pin is provided as a holding portion for holding the periphery of the work.

【0004】上記ワ−クを処理する場合、このワ−クの
周縁部を上記保持部材のピンによって保持したならば、
このワ−クを回転テ−ブルとともに回転させる。そし
て、ワ−クの上面側と下面側に向けて処理液あるいは洗
浄液を供給することで、このワ−クを処理あるいは洗浄
することができ、さらに処理液や洗浄液を供給せずに、
上記回転テ−ブルを高速回転させることで、上記ワ−ク
を乾燥処理することができる。
In processing the work, if the periphery of the work is held by pins of the holding member,
This work is rotated together with the rotating table. By supplying a processing liquid or a cleaning liquid toward the upper surface side and the lower surface side of the work, the work can be processed or cleaned, and further, without supplying the processing liquid or the cleaning liquid.
By rotating the rotary table at a high speed, the work can be dried.

【0005】ワークの上面側は、スピン処理装置が設置
されるクリーンルームの天井からのダウンフローによっ
てその上面の中心部分から径方向外方に沿う気体の流れ
が生じる。そのため、ワーク上面の洗浄液はワークの回
転による遠心力とダウンフローによって確実に除去され
るから、乾燥処理後に、いわゆるウオータマークといわ
れるしみが生じることはほとんどない。
On the upper surface side of the work, a gas flows from the center of the upper surface to the outside in the radial direction due to downflow from the ceiling of the clean room where the spin processing device is installed. Therefore, the cleaning liquid on the upper surface of the work is surely removed by the centrifugal force and the downflow due to the rotation of the work, so that a so-called water mark hardly occurs after the drying process.

【0006】しかしながら、ワークの下面側はダウンフ
ローが作用しない。そのため、回転に伴なう遠心力だけ
では洗浄液が確実に除去されないため、乾燥処理後に洗
浄液の残りがしみとなる、ウオータマークが生じるとい
うことがあった。
However, downflow does not act on the lower surface side of the work. For this reason, the washing liquid cannot be reliably removed only by the centrifugal force accompanying the rotation, so that a water mark may occur in which the remaining washing liquid is stained after the drying treatment.

【0007】ワークの下面の乾燥不良を防止するため、
ワークの下面側に乾燥用の気体を吹き付けるということ
が考えられている。しかしながら、ワークの下面側に乾
燥用の気体を単に吹き付けたのではその気体がワークの
下面の中心部部分から径方向外方へ沿う流れとならない
から、洗浄液が残留してしみができるということが避け
られない。
In order to prevent poor drying of the lower surface of the work,
It is considered that a gas for drying is blown to the lower surface side of the work. However, simply spraying a drying gas on the lower surface of the work does not cause the gas to flow radially outward from the central portion of the lower surface of the work, so that the cleaning liquid can remain and stain. Inevitable.

【0008】さらに、保持部材に保持されたワ−クの下
面側には比較的大きな空間部が形成され、この空間部の
気体流は、回転テ−ブルを回転させることで保持部材が
風を切るために乱流になり易い。
Further, a relatively large space portion is formed on the lower surface side of the work held by the holding member, and the gas flow in this space portion is caused by the rotation of the rotary table to cause the holding member to blow wind. Turbulence is easy to cut.

【0009】そのため、そのことによってもワークの下
面側に洗浄液が残留してしみが発生するということがあ
ったり、上面側の空気を下面側に巻き込み、その気体流
に含まれるミストがワークに付着してしみや汚れになる
などのことがある。
As a result, the cleaning liquid may remain on the lower surface of the work, causing stains, or air on the upper surface may be trapped on the lower surface, and mist contained in the gas flow may adhere to the work. The spots and stains may occur.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】このように、ワ−クを
回転テ−ブルに保持し、この回転テ−ブルを回転させな
がら上記ワ−クを乾燥処理する場合、このワ−クの下面
側には洗浄液が残り易いから、それによってしみの発生
を招くということがあり、またワークの下面に気体を単
に吹き付けても、その下面に付着した洗浄液を確実に除
去してしみの発生を防止するということができなかっ
た。
As described above, when the work is held on the rotating table and the work is dried while rotating the rotating table, the lower surface of the work is used. The cleaning liquid tends to remain on the side, which may cause stains. Even if the gas is simply sprayed on the lower surface of the work, the cleaning liquid attached to the lower surface is reliably removed to prevent the occurrence of stains I couldn't do that.

【0011】この発明の目的は、回転テ−ブルに保持さ
れたワ−クの下面に付着した液体を確実に乾燥除去でき
るようにすることで、上記ワークの下面に洗浄液による
しみが発生することがないようにしたスピ処理装置を提
供することにある。
An object of the present invention is to ensure that liquid adhering to the lower surface of a work held on a rotating table can be dried and removed, so that the lower surface of the work is stained by a cleaning liquid. It is an object of the present invention to provide a spin processing apparatus which does not have the same.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、ワ−
クを回転させて処理するスピン処理装置において、回転
駆動される回転テ−ブルと、この回転テ−ブの周辺部に
周方向に所定間隔で設けられ上端に上記ワ−クの周縁部
を保持する保持部が設けられた複数の保持部材と、この
保持部材に保持されたワークの下面側に設けられこの下
面側の径方向中心から外れた位置から径方向中心部に向
けて上記ワークの下面を乾燥させる気体を噴出する気体
供給手段とを具備したことを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a word processor.
2. Description of the Related Art In a spin processing apparatus for processing by rotating a work, a rotary table driven to rotate and a peripheral portion of the work provided at a predetermined interval in a circumferential direction around the rotary table are held at an upper end. A plurality of holding members provided with holding portions to be provided, and a lower surface of the work, which is provided on the lower surface side of the work held by the holding member and is shifted from a radial center on the lower surface side toward a radial center portion. Gas supply means for ejecting a gas for drying the gas.

【0013】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、上記回転テーブルには、上記ワークの下面側におけ
る気体の流れを制限する規制部材が設けられ、この規制
部材には上記気体供給手段からの気体を上記ワークの下
面側に導く開口部が形成されていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the rotary table is provided with a regulating member for restricting a gas flow on the lower surface side of the work, and the regulating member is provided with the gas supply means. An opening for guiding gas from the work to the lower surface side of the work is formed.

【0014】請求項1の発明によれば、ワークの下面
に、この下面の中心から外れた位置から径方向中心に向
けて乾燥用の気体を噴出させるようにしたことで、ワー
クの下面には径方向中心部から外方に向かって気体を流
すことができる。そのため、ワークの下面に付着した洗
浄液をその下面から確実に除去できるから、乾燥による
しみが生じるのを防止することができる。
According to the first aspect of the present invention, the drying gas is ejected from the position below the center of the lower surface toward the center in the radial direction on the lower surface of the work. The gas can flow outward from the radial center. Therefore, the cleaning liquid adhered to the lower surface of the work can be reliably removed from the lower surface, so that it is possible to prevent occurrence of a stain due to drying.

【0015】請求項2の発明によれば、回転テーブル
に、ワークの下面側における気体の流れを規制する規制
部材を設けたことで、ワークの下面側に乱流が発生しに
くくなり、しかも規制部材に形成された開口部からワー
クの下面に向けて乾燥用の気体が供給されることで、こ
の気体によるワークの下面の乾燥を効率よく行うことが
できる。
According to the second aspect of the present invention, since the rotary table is provided with the regulating member for regulating the gas flow on the lower surface side of the work, turbulence is less likely to be generated on the lower surface side of the work, and furthermore, the regulation is restricted. By supplying a drying gas from the opening formed in the member toward the lower surface of the work, the gas can be used to efficiently dry the lower surface of the work.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。図2に示すこの発明のスピン
処理装置は本体ベ−ス1を有する。この本体ベ−ス1に
は円筒状の支持体2が上下方向に貫通して設けられてい
る。この支持体2には同じく円筒状の回転軸3が中途部
を上下一対の軸受4によって回転自在に支持されて設け
られている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The spin processing apparatus of the present invention shown in FIG. The main body base 1 is provided with a cylindrical support 2 penetrating vertically. The support 2 has a cylindrical rotary shaft 3 rotatably supported at an intermediate portion by a pair of upper and lower bearings 4.

【0017】上記回転軸3の下端部は上記支持体2から
突出し、その下端部には従動プ−リ5が嵌着されてい
る。この従動プ−リ5の近傍にはステップモ−タ6が配
設されている。このステップモ−タ6の回転軸6aには
駆動プ−リ7が嵌着され、この駆動プ−リ7と上記従動
プ−リ5とにはベルト8が張設されている。したがっ
て、上記ステップモ−タ6が作動すれば、上記回転軸3
が回転駆動されるようになっている。
The lower end of the rotary shaft 3 protrudes from the support 2, and a driven pulley 5 is fitted to the lower end. A step motor 6 is provided near the driven pulley 5. A drive pulley 7 is fitted on the rotating shaft 6a of the step motor 6, and a belt 8 is stretched between the drive pulley 7 and the driven pulley 5. Therefore, if the step motor 6 operates, the rotation shaft 3
Are driven to rotate.

【0018】上記回転軸3の上端には回転テ−ブル9が
ねじ9aによって着脱自在に取り付けられている。図1
に示すようにこの回転テ−ブル9には周方向に90度間
隔で4本の保持部材11がブッシュ12を介して回転自
在に立設されている。上記保持部材11は図2に示すよ
うに円筒部13を有する。この円筒部13は上端が閉塞
され、下端が開口している。円筒部13からは支軸14
が下端部を突出させて垂設され、この支軸14が上記ブ
ッシュ12に回転自在に支持されている。
A rotary table 9 is detachably attached to the upper end of the rotary shaft 3 by screws 9a. FIG.
As shown in FIG. 3, four holding members 11 are rotatably mounted on the rotary table 9 via bushes 12 at intervals of 90 degrees in the circumferential direction. The holding member 11 has a cylindrical portion 13 as shown in FIG. The cylindrical part 13 has an upper end closed and an open lower end. A support shaft 14 from the cylindrical portion 13
The support shaft 14 is rotatably supported by the bush 12 with its lower end protruding.

【0019】上記円筒部13の上面には保持部を形成す
る支持ピン16と、この支持ピン16に比べて背の高い
逆テ−パ状のロックピン17とが立設されている。支持
ピン16は上記支軸14と軸中心をほぼ一致させてお
り、ロックピン17は上記軸線に対して偏心して設けら
れている。
On the upper surface of the cylindrical portion 13, a support pin 16 forming a holding portion and an inverted tapered lock pin 17 which is taller than the support pin 16 are erected. The support pin 16 has the shaft center substantially aligned with the support shaft 14, and the lock pin 17 is provided eccentrically with respect to the axis.

【0020】上記構成の4本の保持部材11には図1と
図2に示すようにワ−クとしての半導体ウエハ21が保
持される。つまり、半導体ウエハ21はその裏面の周辺
部が上記支持ピン16に支持されて設けられる。半導体
ウエハ21が支持ピン16に支持された状態で上記保持
部材11は図示しないばねによって回転方向に付勢され
ている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a semiconductor wafer 21 as a work is held by the four holding members 11 having the above structure. That is, the semiconductor wafer 21 is provided with the peripheral portion of the back surface supported by the support pins 16. With the semiconductor wafer 21 supported by the support pins 16, the holding member 11 is urged in the rotational direction by a spring (not shown).

【0021】それによって、上記保持部材11に設けら
れたロックピン17が偏心回転して上記半導体ウエハ2
1の外周面に当接するから、半導体ウエハ21は径方向
にずれ動くことなく保持されることになる。
As a result, the lock pin 17 provided on the holding member 11 is eccentrically rotated to rotate the semiconductor wafer 2.
Since the semiconductor wafer 21 abuts on the outer peripheral surface of the semiconductor wafer 1, the semiconductor wafer 21 is held without shifting in the radial direction.

【0022】上記回転テ−ブル9の中心部分には図1に
示すように通孔25が形成されている。この通孔25の
個所には円錐状の下部ノズル体26が設けられている。
この下部ノズル体26は上記通孔25に非接触状態で嵌
挿される中心部26aと、この中心部26aの外周面に
螺合された、上記通孔25よりも大径な傘部26bとか
らなる。
A through hole 25 is formed in the center of the rotary table 9 as shown in FIG. A conical lower nozzle body 26 is provided at the location of the through hole 25.
The lower nozzle body 26 includes a central portion 26a that is inserted into the through hole 25 in a non-contact state, and an umbrella portion 26b that is screwed to the outer peripheral surface of the central portion 26a and has a diameter larger than the through hole 25. Become.

【0023】上記回転テ−ブル9の上記通孔25の周辺
部には環状の第1のシ−ル壁20aが突設され、上記傘
部26bの下面には上記第1のシ−ル壁20aの外周面
に離間対向する環状の第2のシ−ル壁20bが垂設され
ている。
An annular first seal wall 20a protrudes around the through hole 25 of the rotary table 9, and the first seal wall 20b is formed on the lower surface of the umbrella portion 26b. An annular second seal wall 20b is vertically provided on the outer peripheral surface of the second seal wall 20a.

【0024】上記下部ノズル体26の傘部26bは回転
軸3の上端面を覆うから、半導体ウエハ21を洗浄した
洗浄液が回転軸3の内部に浸入するのを阻止するように
なっている。
Since the umbrella portion 26b of the lower nozzle body 26 covers the upper end surface of the rotary shaft 3, the cleaning liquid for cleaning the semiconductor wafer 21 is prevented from entering the inside of the rotary shaft 3.

【0025】上記下部ノズル体26の傘部26bは回転
テ−ブル9の上面を覆っているが、この傘部26bは中
心部26aに着脱自在に螺合されている。そのため、上
記中心部26aから傘部26bを外すことで、上記回転
テ−ブル9を回転軸3の上端に取着したねじ9aを露出
させることができる。それによって、このねじ9aを緩
めて上記回転テ−ブル9を回転軸3から取り外すことが
できるようになっている。
The umbrella portion 26b of the lower nozzle body 26 covers the upper surface of the rotary table 9, and the umbrella portion 26b is detachably screwed to the center portion 26a. Therefore, by removing the umbrella portion 26b from the center portion 26a, the screw 9a for attaching the rotating table 9 to the upper end of the rotating shaft 3 can be exposed. Thus, the screw 9a can be loosened to remove the rotary table 9 from the rotary shaft 3.

【0026】上記中心部26aの外周面と傘部26bの
内周面とにはそれぞれ段部が形成され、これらの段部間
には中心部26aと傘部26bとの間の液密を確保する
ためのパッキング26cが介装されている。また、上記
下部ノズル体26の中心部26aにはその上面に開放し
た第1のノズル孔27が上下方向に貫通して形成されて
いる。
Steps are formed on the outer peripheral surface of the central portion 26a and the inner peripheral surface of the umbrella portion 26b, respectively, and liquid-tightness between the central portion 26a and the umbrella portion 26b is ensured between these steps. Packing 26c is provided. Further, a first nozzle hole 27 opened to the upper surface thereof is formed in the center portion 26a of the lower nozzle body 26 so as to penetrate vertically.

【0027】上記下部ノズル体26の中心部26aの下
端部にはブラケット31が嵌着されている。このブラケ
ット31は上記回転軸3内の上部に軸受29によって回
転自在に支持されている。
A bracket 31 is fitted to the lower end of the central portion 26a of the lower nozzle body 26. The bracket 31 is rotatably supported by an upper part of the rotary shaft 3 by a bearing 29.

【0028】また、回転軸3の内部の上記ブラケット3
1の下方には、上記軸受29と図2に示す他の軸受32
とによって上下端部が回転自在に支持されたハウジング
33が挿通されている。このハウジング33と上記ブラ
ケット31は一体的に結合され、固定軸を構成してい
る。ハウジング33の下端部は上記回転軸3から突出
し、上記ベ−ス本体1の下面側に結合された取付板1a
に固定されている。
The bracket 3 inside the rotary shaft 3
1 and the other bearing 32 shown in FIG.
Thus, a housing 33 whose upper and lower ends are rotatably supported is inserted. The housing 33 and the bracket 31 are integrally combined to form a fixed shaft. A lower end of the housing 33 protrudes from the rotation shaft 3 and is attached to a lower surface of the base body 1.
It is fixed to.

【0029】上記ハウジング33には貫通孔36aが穿
設され、この貫通孔36a には上記第1のノズル孔27
に一端を接続した供給チュ−ブ35が挿通されている。
なお、上記下部ノズル体26は上記ハウジング33と図
示しない連結ロッドによって一体的に結合されている。
それによって、上記回転軸3とともに上記回転テ−ブル
9が回転駆動されても、上記下部ノズル体26とハウジ
ング33とは回転しないようになっている。
A through hole 36a is formed in the housing 33, and the first nozzle hole 27 is formed in the through hole 36a.
A supply tube 35 having one end connected thereto is inserted therethrough.
The lower nozzle body 26 is integrally connected to the housing 33 by a connecting rod (not shown).
Thus, even if the rotary table 9 is driven to rotate together with the rotary shaft 3, the lower nozzle body 26 and the housing 33 do not rotate.

【0030】上記供給チュ−ブ35の他端は図示しない
洗浄液の供給部に連通している。したがって、第1のノ
ズル孔27からは、上記供給チュ−ブ35からの洗浄液
を保持部材11に保持された半導体ウエハ21の下面側
に沿って流すことができるようになっている。
The other end of the supply tube 35 communicates with a cleaning liquid supply unit (not shown). Therefore, the cleaning liquid from the supply tube 35 can flow from the first nozzle hole 27 along the lower surface side of the semiconductor wafer 21 held by the holding member 11.

【0031】上記半導体ウエハ21の上面側には上部ノ
ズル体38が配置されている。この上部ノズル体38か
らは上記半導体ウエハ21の上面中央部分に向けて洗浄
液が噴射される。それによって、半導体ウエハ21の上
面が洗浄されるようになっている。つまり、半導体ウエ
ハ21は上面だけでなく裏面も同時に洗浄処理できるよ
うになっている。
An upper nozzle body 38 is disposed on the upper surface side of the semiconductor wafer 21. The cleaning liquid is sprayed from the upper nozzle body 38 toward the center of the upper surface of the semiconductor wafer 21. Thereby, the upper surface of the semiconductor wafer 21 is cleaned. That is, the semiconductor wafer 21 can be simultaneously cleaned not only on the upper surface but also on the rear surface.

【0032】なお、上部ノズル体38から半導体ウエハ
21へは、洗浄液に代わり薬液を噴射してもよく、また
第1のノズル孔27からは洗浄液に代わり薬液を噴射す
るようにしてもよい。
A chemical solution may be sprayed from the upper nozzle body 38 to the semiconductor wafer 21 instead of the cleaning solution, or a chemical solution may be sprayed from the first nozzle hole 27 instead of the cleaning solution.

【0033】上記回転テ−ブル9の下面側で、上記回転
軸3の上部外周面には円筒状のロック筒体41が上下一
対の軸受40によって回転自在に設けられている。図1
に示すように、このロック筒体41の上端にはフランジ
42が設けられ、このフランジ42には径方向外方に向
かって4つのア−ム39(2つのみ図示)が周方向に9
0度間隔で突設され、各ア−ム39の先端部分にはそれ
ぞれスライド溝36が径方向に沿って形成されている。
各スライド溝36には、嵌合孔37aが形成されたコマ
37がスライド自在に設けられている。
On the lower surface side of the rotary table 9, a cylindrical lock cylinder 41 is rotatably provided by a pair of upper and lower bearings 40 on the upper outer peripheral surface of the rotary shaft 3. FIG.
As shown in the figure, a flange 42 is provided at the upper end of the lock cylinder 41, and four arms 39 (only two are shown) are provided on the flange 42 in the circumferential direction.
The arm 39 is projected at 0 degree intervals, and a slide groove 36 is formed at the tip of each arm 39 along the radial direction.
In each slide groove 36, a top 37 having a fitting hole 37a formed therein is slidably provided.

【0034】上記コマ37の嵌合孔37aには係止ピン
43が着脱自在に嵌合される。この係止ピン43はレバ
−44の一端に突設されている。このレバ−44の他端
は上記保持部材11の支軸14の上記回転テ−ブル9の
下面側に突出した下端部に連結固定されている。
A locking pin 43 is removably fitted in the fitting hole 37a of the top 37. The locking pin 43 protrudes from one end of the lever 44. The other end of the lever 44 is connected and fixed to a lower end of the support shaft 14 of the holding member 11 protruding from the lower surface of the rotary table 9.

【0035】したがって、上記ロック筒体41を所定方
向、たとえば時計方向に回転させ、コマ37および係止
ピン43を介して上記レバ−44を回動させれば、この
レバ−44に連結された上記支軸14を介して上記保持
部材11を回動させることができる。
Therefore, if the lock cylinder 41 is rotated in a predetermined direction, for example, clockwise, and the lever 44 is rotated through the top 37 and the locking pin 43, the lock cylinder 41 is connected to the lever 44. The holding member 11 can be rotated via the support shaft 14.

【0036】それによって、ロックピン17が偏心回転
するから、支持ピン16に支持された半導体ウエハ21
の外周面に上記ロックピン17を当接させ、半導体ウエ
ハ21の支持状態をロックできる。つまり、上記ロック
ピン17は、上記支持ピン16に支持された半導体ウエ
ハ21が径方向にずれ動くのを阻止する。
As a result, the lock pins 17 rotate eccentrically, and the semiconductor wafer 21 supported by the support pins 16 is rotated.
The lock pins 17 are brought into contact with the outer peripheral surface of the semiconductor wafer 21 to lock the support state of the semiconductor wafer 21. That is, the lock pins 17 prevent the semiconductor wafer 21 supported by the support pins 16 from moving in the radial direction.

【0037】なお、上記ロック筒体41を反時計方向に
回動させれば、上記ロックピン17による半導体ウエハ
21のロック状態を解除することができる。上記ロック
ピン17による半導体ウエハ21のロックおよびロック
の解除、つまりロック筒体41の回動は解除機構51に
よって行われる。この解除機構51は図2に示すように
上記回転軸3の外周面に設けられた第1の係止片52
と、上記ロック筒体41の外周面に設けられた第2の係
止片53とを有する。
The locked state of the semiconductor wafer 21 by the lock pins 17 can be released by rotating the lock cylinder 41 counterclockwise. The lock pin 17 locks and releases the semiconductor wafer 21, that is, the rotation of the lock cylinder 41 is performed by the release mechanism 51. The release mechanism 51 includes a first locking piece 52 provided on the outer peripheral surface of the rotary shaft 3 as shown in FIG.
And a second locking piece 53 provided on the outer peripheral surface of the lock cylinder 41.

【0038】第1の係止片52と第2の係止片53との
間には図示しないばねが張設されている。このばねは上
記第2の係止片53を介してロック筒体41を第1の係
止片52の方向に付勢している。つまり、ロック筒体4
1を反時計方向に付勢している。したがって、ばねはロ
ック筒体41を回動させるから、係止ピン43およびレ
バ−44を介して回転テ−ブル9に設けられた保持部材
11が回動させられ、そのロックピン17が半導体ウエ
ハ21の外周面に当接するロック状態になる。
A spring (not shown) is stretched between the first locking piece 52 and the second locking piece 53. This spring urges the lock cylinder 41 toward the first locking piece 52 via the second locking piece 53. That is, the lock cylinder 4
1 is urged in a counterclockwise direction. Therefore, since the spring rotates the lock cylinder 41, the holding member 11 provided on the rotary table 9 is rotated via the locking pin 43 and the lever 44, and the lock pin 17 is moved to the semiconductor wafer. 21 is brought into a locked state in contact with the outer peripheral surface.

【0039】ロックピン17による半導体ウエハ21の
ロック状態の解除は、上記回転軸3を所定の回転角度で
停止させたならば、上記第1の係止片52を保持し、そ
の状態で、第2の係止片53をばねの付勢力に抗して押
圧する。
The lock state of the semiconductor wafer 21 by the lock pin 17 is released when the rotary shaft 3 is stopped at a predetermined rotation angle, and the first locking piece 52 is held. The second locking piece 53 is pressed against the urging force of the spring.

【0040】それによって、上記ロック筒体41はばね
の付勢力に抗して回転させられるから、係止ピン43お
よびレバ−44を介して保持部材11がロック時とは逆
方向に回転させられる。したがって、ロックピン17が
偏心回転して半導体ウエハ21のロック状態を解除する
ようになっている。
As a result, the lock cylinder 41 is rotated against the urging force of the spring, so that the holding member 11 is rotated via the locking pin 43 and the lever 44 in the direction opposite to the locking direction. . Therefore, the lock pin 17 is eccentrically rotated to release the locked state of the semiconductor wafer 21.

【0041】図2に示すように上記回転軸3の下端部外
周面にはドグ71が設けられ、このドグ71はマイクロ
フォトセンサ72によって検知される。このマイクロフ
ォトセンサ72の検知信号で上記ステップモ−タ6によ
る回転軸3の回転角度が制御される。つまり、半導体ウ
エハ21のロック状態を解除するときに、第1の係止片
52と第2の係止片53とが所定の位置になるよう回転
軸3の回転角度を制御できるようになっている。
As shown in FIG. 2, a dog 71 is provided on the outer peripheral surface of the lower end of the rotary shaft 3, and the dog 71 is detected by a microphoto sensor 72. The rotation angle of the rotary shaft 3 by the step motor 6 is controlled by the detection signal of the micro photo sensor 72. That is, when the locked state of the semiconductor wafer 21 is released, the rotation angle of the rotating shaft 3 can be controlled so that the first locking piece 52 and the second locking piece 53 are at predetermined positions. I have.

【0042】上記本体ベ−ス1の上面側には上記回転軸
3の上部が遊挿される通孔75aが形成され内部に上記
回転軸3を収容した下カップ75と、上記保持部材11
に保持された半導体ウエハ21の上面側周辺部を覆うと
ともに上面に開口部76aが形成された上カップ76と
が設けられている。上カップ76は上下動自在に設けら
れ、図示しない上下駆動シリンダのロッド77が連結さ
れている。このシリンダが作動することで上カップ76
が上下駆動される。
A through hole 75a into which the upper part of the rotary shaft 3 is loosely inserted is formed on the upper surface side of the main body base 1, and a lower cup 75 in which the rotary shaft 3 is housed, and the holding member 11
And an upper cup 76 that covers the peripheral portion on the upper surface side of the semiconductor wafer 21 held at the top and has an opening 76a formed on the upper surface. The upper cup 76 is provided so as to be vertically movable, and is connected to a rod 77 of a vertical driving cylinder (not shown). By operating this cylinder, the upper cup 76
Is driven up and down.

【0043】上記上カップ76を下降させると、その上
面開口部から保持部材11の上部が突出する。したがっ
て、図示しないロボットによって上記保持部材11へ未
処理の半導体ウエハ21を供給したり、乾燥処理された
半導体ウエハ21を取り出すことができるようになって
いる。さらに、下カップ75には排出管78が接続され
ている。この排出管78は下カップ75内部の洗浄液や
雰囲気を排出する。
When the upper cup 76 is lowered, the upper part of the holding member 11 protrudes from the upper surface opening. Therefore, an unprocessed semiconductor wafer 21 can be supplied to the holding member 11 by a robot (not shown), and the semiconductor wafer 21 that has been dried can be taken out. Further, a discharge pipe 78 is connected to the lower cup 75. The discharge pipe 78 discharges the cleaning liquid and the atmosphere inside the lower cup 75.

【0044】図1に示すように、上記下カップ75の通
孔75aの周辺部には、上記回転テ−ブル9の下面周辺
部に対向するリング状の対向部材81が設けられてい
る。この対向部材81の上面周辺部には内周壁82a
と、この内周壁82aよりも背の低い外周壁82bとに
よって環状溝83が形成されている。この環状溝83の
底部には液体Lの供給管84が接続されていて、上記環
状溝83に液体Lを供給するようになっている。環状溝
83を形成する外周壁82bは内周壁82aよりも背が
低いから、上記環状溝83に供給された液体Lは外側へ
オ−バフロ−することになる。
As shown in FIG. 1, a ring-shaped facing member 81 facing the periphery of the lower surface of the rotary table 9 is provided around the through hole 75a of the lower cup 75. An inner peripheral wall 82a is provided around the upper surface of the facing member 81.
And an outer peripheral wall 82b shorter than the inner peripheral wall 82a form an annular groove 83. A liquid L supply pipe 84 is connected to the bottom of the annular groove 83 so as to supply the liquid L to the annular groove 83. Since the outer peripheral wall 82b forming the annular groove 83 is shorter than the inner peripheral wall 82a, the liquid L supplied to the annular groove 83 overflows outward.

【0045】上記回転テ−ブル9の下面周辺部には上記
環状溝83に入り込むシ−ル壁85が全周に亘って設け
られている。上記シ−ル壁85が液体Lが収容された環
状溝83に挿入されることで、上記回転テ−ブル9の下
面側と外周側とが気密に遮断される。
At the periphery of the lower surface of the rotary table 9, a seal wall 85 which enters the annular groove 83 is provided all around. By inserting the seal wall 85 into the annular groove 83 containing the liquid L, the lower surface side and the outer peripheral side of the rotary table 9 are airtightly shut off.

【0046】それによって、塵埃を含む外気が上記下カ
ップ75の通孔75a部分から下カップ75内へ流入す
るのが阻止されるとともに、上下のカップ75、76内
に飛散した洗浄液や薬液などの処理液が上記下カップ7
5の通孔75aから外部へ流出するのが防止される。
As a result, outside air containing dust is prevented from flowing into the lower cup 75 from the through hole 75a of the lower cup 75, and at the same time, a cleaning solution or a chemical solution scattered into the upper and lower cups 75 and 76 is prevented. The processing solution is the lower cup 7
5 is prevented from flowing out of the through hole 75a.

【0047】処理液が酸性度の高い液体の場合、各カッ
プ75、76や回転テ−ブル9は耐酸性を有する、たと
えば弗素樹脂などの材料によって作られているので、腐
蝕されることはないが、その洗浄液が下カップ75から
外部に流出して金属で作られた他の部品に付着すると、
その部品が腐蝕される虞があり、また軸受部分などの可
動部に浸入すると、その可動部が早期に損傷することが
ある。しかしながら、上述したシ−ル構造によって、下
カップ75内から洗浄液が外部に流出するのが阻止され
ているから、そのような不都合が生じることがない。
When the processing liquid is a liquid having a high acidity, the cups 75 and 76 and the rotary table 9 are made of a material having acid resistance, such as a fluorine resin, and are not corroded. However, when the cleaning liquid flows out of the lower cup 75 and adheres to other parts made of metal,
The parts may be corroded, and if the parts enter a movable part such as a bearing part, the movable part may be damaged early. However, the above-described seal structure prevents the cleaning liquid from flowing out of the lower cup 75 to the outside, so that such inconvenience does not occur.

【0048】上記回転軸3内に設けられたハウジング3
3には窒素などの不活性ガスの供給管91が設けられて
いる。この供給管91は上記ブラケット31の上面側と
下部ノズル体26の下面側との間の第1の空間部92a
に連通している。上記ブラケット31の周壁には、この
外周面と回転軸3の内周面との間の第2の空間部92b
に連通する連通孔93が形成されている。
The housing 3 provided in the rotating shaft 3
3 is provided with a supply pipe 91 for an inert gas such as nitrogen. The supply pipe 91 is provided in a first space 92a between the upper surface of the bracket 31 and the lower surface of the lower nozzle body 26.
Is in communication with A second space 92b between the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of the rotating shaft 3 is provided on the peripheral wall of the bracket 31.
Is formed with a communication hole 93 communicating with.

【0049】したがって、上記供給管91から上記第1
の空間部92aに供給された不活性ガスは上記連通孔9
3から第2の空間部92bへ流れ、この第2の空間部9
2bから下部ノズル体26の下面側に沿って流出する。
つまり、上記第2の空間部92bは不活性ガスによって
正圧になるから、その圧力で上記第2の空間部92bに
洗浄液が流入するのが防止される。
Therefore, the first supply pipe 91
The inert gas supplied to the space 92a of the communication hole 9a
3 to the second space 92b, and the second space 9
2b flows out along the lower surface side of the lower nozzle body 26.
In other words, since the second space 92b is made to have a positive pressure by the inert gas, the pressure prevents the cleaning liquid from flowing into the second space 92b.

【0050】さらに、上記下部ノズル体26には気体供
給手段としての第2のノズル孔91aが穿設されてい
る。この第2のノズル孔91aは上記供給管91から上
記第2の空間部92bに供給された不活性ガスの一部を
上記半導体ウエハ21の下面に向けて噴出するようにな
っている。
Further, the lower nozzle body 26 is provided with a second nozzle hole 91a as a gas supply means. The second nozzle hole 91a blows a part of the inert gas supplied from the supply pipe 91 to the second space 92b toward the lower surface of the semiconductor wafer 21.

【0051】つまり、上記第2のノズル孔91aは下部
ノズル体26の中心軸から径方向外方へ所定寸法ずれた
位置、つまり半導体ウエハ21の径方向中心部から外れ
た位置に穿設されていて、下部ノズル体26の上面に開
口する先端部分は上記半導体ウエハ21の下面の中心に
向かうよう傾斜している。
That is, the second nozzle hole 91a is formed at a position radially outwardly displaced from the central axis of the lower nozzle body 26 by a predetermined dimension, that is, at a position off the radial center of the semiconductor wafer 21. The tip portion of the lower nozzle body 26 that opens to the upper surface is inclined toward the center of the lower surface of the semiconductor wafer 21.

【0052】したがって、上記第2のノズル孔91a か
らは不活性ガスが上記半導体ウエハ21の下面の中心部
に斜め下方向から噴射されるから、その不活性ガスによ
って半導体ウエハ21の下面が乾燥処理されるようにな
っている。
Therefore, the inert gas is injected obliquely downward from the second nozzle hole 91a to the center of the lower surface of the semiconductor wafer 21, so that the lower surface of the semiconductor wafer 21 is dried by the inert gas. It is supposed to be.

【0053】図2に示すように上記回転軸3を回転自在
に支持した支持体2の周壁には図示しない吸引ポンプに
接続される第1の吸引孔95aが穿設されている。上記
回転軸3の周壁の上記第1の吸引孔95aと対向する部
位には第2の吸引孔95bが穿設されている。さらに、
上記回転軸3の周壁の、上記ロック筒体41と対向する
部分には第3の吸引孔95cが穿設されている。
As shown in FIG. 2, a first suction hole 95a connected to a suction pump (not shown) is formed in a peripheral wall of the support 2 rotatably supporting the rotary shaft 3. A second suction hole 95b is formed in a portion of the peripheral wall of the rotating shaft 3 facing the first suction hole 95a. further,
A third suction hole 95c is formed in a portion of the peripheral wall of the rotating shaft 3 facing the lock cylinder 41.

【0054】したがって、上記第1の吸引孔95aに接
続された吸引ポンプの吸引力により、上記回転軸3を支
持体2に回転自在に支持した軸受4と、上記回転軸3を
ハウジング33に回転自在に支持した軸受29、32
と、上記ロック筒体41を上記回転軸3に回転自在に支
持した軸受40とで発生する塵埃が排出されるから、上
記各軸受で発生した塵埃が周囲に飛散するのが防止され
るようになっている。
Therefore, by the suction force of the suction pump connected to the first suction hole 95 a, the bearing 4, which rotatably supports the rotating shaft 3 on the support 2, and the rotating shaft 3 is rotated by the housing 33. Freely supported bearings 29, 32
And the dust generated by the bearing 40 that rotatably supports the lock cylinder 41 on the rotary shaft 3 is discharged, so that the dust generated by each bearing is prevented from scattering around. Has become.

【0055】上記回転テ−ブル9には、上記保持部材1
1に保持された半導体ウエハ21の下面に空気流が発生
するのを規制する規制部材101が設けられている。こ
の規制部材101は、内径寸法が上記回転テ−ブル9の
外形寸法とほぼ同じに形成された円筒状の周壁部102
と、この周壁部102の上端開口を閉塞した鏡板部10
3とが一体的に形成されてなる。
The rotating table 9 has the holding member 1
A regulating member 101 for regulating the generation of an air flow is provided on the lower surface of the semiconductor wafer 21 held at 1. The restricting member 101 has a cylindrical peripheral wall portion 102 having an inner diameter substantially equal to the outer diameter of the rotary table 9.
And the end plate portion 10 in which the upper end opening of the peripheral wall portion 102 is closed.
3 are integrally formed.

【0056】上記鏡板部103には、図3に示すように
周辺部に上記支持ピン16とロックピン17とを突出さ
せる4つの第1の開口部104が周方向に90度間隔で
形成され、中央部には上記第1のノズル孔27からの洗
浄液と上記第2のノズル孔91aからの不活性ガスを半
導体ウエハ21の下面側に噴出させるための第2の開口
部105が形成されている。
As shown in FIG. 3, four first openings 104 for projecting the support pins 16 and the lock pins 17 are formed at the peripheral portion of the end plate 103 at intervals of 90 degrees in the circumferential direction, as shown in FIG. A second opening 105 is formed at the center for ejecting the cleaning liquid from the first nozzle hole 27 and the inert gas from the second nozzle hole 91a to the lower surface side of the semiconductor wafer 21. .

【0057】そして、上記規制部材101は、図1に示
すようにその周壁部102の下端部を回転テ−ブル9の
外周面に外嵌させ、これらの接合部分をねじ106で結
合することで、その内部に保持部材11を収容するとと
もに、鏡板部103の開口部104から上記支持ピン1
6とロックピン17とを突出させて上記回転テ−ブル9
に設けられている。
As shown in FIG. 1, the lower end of the peripheral wall 102 of the regulating member 101 is fitted to the outer peripheral surface of the rotary table 9 and these joints are joined by screws 106. The holding member 11 is accommodated therein, and the support pin 1 is inserted through the opening 104 of the end plate 103.
6 and the lock pin 17 are projected so that the rotation table 9 is rotated.
It is provided in.

【0058】それによって、上記規制部材101は、半
導体ウエハ21の下面と鏡板部103の上面との間にわ
ずかな間隔、たとえば数mm程度の間隔の第1の空間部S
1を残して回転テ−ブル9の上面側の第2の空間部S2
を閉塞している。つまり、規制部材101は保持部材1
1を内部に収容して回転テ−ブル9の上面側と半導体ウ
エハ21の下面側との間の第2の空間部S2 を閉塞して
いる。
Thus, the regulating member 101 is provided in the first space S at a small space between the lower surface of the semiconductor wafer 21 and the upper surface of the end plate 103, for example, a space of about several mm.
The second space S2 on the upper surface side of the rotary table 9 except 1
Is closed. That is, the regulating member 101 is the holding member 1
The second space S2 between the upper surface side of the rotary table 9 and the lower surface side of the semiconductor wafer 21 is closed by housing the inside.

【0059】つぎに、上記構成のスピン処理装置によっ
て半導体ウエハ21を洗浄及び乾燥処理する場合につい
て図1と図2を参照して説明する。まず、半導体ウエハ
21を回転テ−ブル9の上面に立設された4本の保持部
材11によって保持する。つまり、半導体ウエハ21の
下面周辺部を支持ピン16によって支持するとともに、
外周面にロックピン17を当接させることで、上記半導
体ウエハ21を回転テ−ブル9に保持する。上記ロック
ピン17は逆テ−パ状であるから、半導体ウエハ21を
径方向にずれないように保持するだけでなく、支持ピン
16から浮き上がるのも阻止する。
Next, a case where the semiconductor wafer 21 is cleaned and dried by the spin processing apparatus having the above configuration will be described with reference to FIGS. First, the semiconductor wafer 21 is held by four holding members 11 erected on the upper surface of the rotating table 9. That is, while supporting the peripheral portion of the lower surface of the semiconductor wafer 21 with the support pins 16,
The semiconductor wafer 21 is held on the rotating table 9 by bringing the lock pins 17 into contact with the outer peripheral surface. Since the lock pin 17 has an inverted tape shape, the lock pin 17 not only holds the semiconductor wafer 21 so as not to be displaced in the radial direction, but also prevents the semiconductor wafer 21 from floating from the support pin 16.

【0060】回転テ−ブル9に半導体ウエハ21を保持
したならば、ステップモ−タ6を作動させて回転軸3と
ともに上記回転テ−ブル9を回転させる。それと同時
に、上部ノズル体38および下部ノズル体26の第1の
ノズル孔27から洗浄液を半導体ウエハ21の上面と下
面に向けてそれぞれ噴出させれば、この半導体ウエハ2
1の上面と下面とを同時に洗浄することができる。
When the semiconductor wafer 21 is held on the rotary table 9, the step motor 6 is operated to rotate the rotary table 9 together with the rotary shaft 3. At the same time, the cleaning liquid is ejected from the first nozzle holes 27 of the upper nozzle body 38 and the lower nozzle body 26 toward the upper surface and the lower surface of the semiconductor wafer 21, respectively.
1 can be cleaned simultaneously with the upper surface and the lower surface.

【0061】上記回転テ−ブル9の上面側の第2の空間
部S2は規制部材101によって第1の空間部S1を残
して閉塞され、しかも半導体ウエハ21の下面側の上記
第1の空間部S1はその規制部材101の鏡板部103
によって間隔(高さ寸法)が十分に狭められている。
The second space S2 on the upper surface of the rotary table 9 is closed by the restricting member 101 except for the first space S1, and the first space on the lower surface of the semiconductor wafer 21. S1 is the end plate 103 of the regulating member 101
Thereby, the interval (height dimension) is sufficiently reduced.

【0062】そのため、回転テ−ブル9が回転しても、
保持部材11によって半導体ウエハ21の下面側の第2
の空間部S2に乱流が発生するのが規制されるばかり
か、第1の空間部S1に空気流が生じることもほとんど
ない。
Therefore, even if the rotating table 9 rotates,
By the holding member 11, the second surface on the lower surface side of the semiconductor wafer 21 is
The generation of turbulence in the space S2 is not only restricted, but also the air flow hardly occurs in the first space S1.

【0063】したがって、半導体ウエハ21の上面側を
洗浄液で洗浄することでパ−ティクルやミストが発生し
ても、それらが半導体ウエハ21の下面側に流れ込んで
付着するのが防止される。また、半導体ウエハ21の下
面側に供給された洗浄液はその下面や規制部材101の
鏡板部103の上面に沿って第1の空間部S1から流出
し、その流れが乱れることがないから、半導体ウエハ2
1の下面を洗浄した洗浄液に含まれるパ−ティクルがそ
の下面に再付着することもない。
Therefore, even if particles and mist are generated by cleaning the upper surface side of the semiconductor wafer 21 with the cleaning liquid, they are prevented from flowing into and adhering to the lower surface side of the semiconductor wafer 21. Further, the cleaning liquid supplied to the lower surface side of the semiconductor wafer 21 flows out of the first space S1 along the lower surface and the upper surface of the end plate portion 103 of the regulating member 101, and the flow is not disturbed. 2
Particles contained in the cleaning liquid for cleaning the lower surface of the first surface do not adhere to the lower surface again.

【0064】半導体ウエハ21の上面と下面とを洗浄し
たならば、上部ノズル体38あるいは図示しない別のノ
ズル体38から半導体ウエハ21の上面に純水を供給す
るとともに、第1のノズル孔27から半導体ウエハ21
の下面に純水を供給し、上下両面をリンスする。つい
で、半導体ウエハ2を高速回転させることで、乾燥処理
を行う。
After the upper and lower surfaces of the semiconductor wafer 21 have been cleaned, pure water is supplied to the upper surface of the semiconductor wafer 21 from the upper nozzle body 38 or another nozzle body 38 (not shown). Semiconductor wafer 21
Pure water is supplied to the lower surface of the, and the upper and lower surfaces are rinsed. Next, a drying process is performed by rotating the semiconductor wafer 2 at a high speed.

【0065】その際、半導体ウエハ21の上面側は、ク
リーンルームにおけるダウンフローによって清浄な空気
の流れがあるから良好に乾燥処理されることになる。こ
れに対して半導体ウエハ1の下面側の第1の空間部S1
の高さ寸法は規制部材101の鏡板部103によって十
分に狭められているため、空気流がほとんど発生しな
い。
At this time, the upper surface side of the semiconductor wafer 21 is favorably dried because there is a clean air flow due to the downflow in the clean room. On the other hand, the first space S1 on the lower surface side of the semiconductor wafer 1
Is sufficiently narrowed by the end plate 103 of the regulating member 101, so that almost no air flow is generated.

【0066】そのため、上記第1の空間部S1に半導体
ウエハ1の上面を洗浄した洗浄液が回り込んで下面を汚
すということはないものの、半導体ウエハ21の下面は
乾燥処理されにくくなる。しかしながら、第2のノズル
孔91aから不活性ガスを供給することで、半導体ウエ
ハ21の下面は良好に乾燥処理されることになる。
Therefore, although the cleaning liquid for cleaning the upper surface of the semiconductor wafer 1 does not flow into the first space S1 to stain the lower surface, the lower surface of the semiconductor wafer 21 is hardly dried. However, by supplying the inert gas from the second nozzle hole 91a, the lower surface of the semiconductor wafer 21 is favorably dried.

【0067】つまり、上記半導体ウエハ21の下面に
は、第2のノズル孔91aから不活性ガスが半導体ウエ
ハ21の径方向中心からずれた位置から径方向中心部に
向かうよう、斜め方向に噴射される。そのため、半導体
ウエハ21の下面では、第2のノズル孔91aから噴射
された不活性ガスが径方向中心部から外周に向かって流
れるから、その不活性ガスの流れによって半導体ウエハ
21の下面に付着した洗浄液はその下面から良好に排除
されることになる。しかも、半導体ウエハ21が高速回
転されることで遠心力が発生するから、その遠心力によ
っても半導体ウエハ21の下面から洗浄液が排除され
る。
That is, on the lower surface of the semiconductor wafer 21, an inert gas is injected obliquely from the second nozzle hole 91a from the position shifted from the radial center of the semiconductor wafer 21 toward the radial center. You. Therefore, on the lower surface of the semiconductor wafer 21, the inert gas injected from the second nozzle hole 91 a flows from the radial center toward the outer periphery, and adheres to the lower surface of the semiconductor wafer 21 by the flow of the inert gas. The cleaning liquid will be well drained from its lower surface. In addition, since the semiconductor wafer 21 is rotated at a high speed and generates a centrifugal force, the cleaning liquid is also removed from the lower surface of the semiconductor wafer 21 by the centrifugal force.

【0068】そのため、半導体ウエハ1の下面からは洗
浄液が確実に排除され、洗浄液が残留するということが
なくなるから、半導体ウエハ21の下面にウオータマー
クによるしみが生じることがない。
As a result, the cleaning liquid is reliably removed from the lower surface of the semiconductor wafer 1 and the cleaning liquid does not remain, so that the water mark does not occur on the lower surface of the semiconductor wafer 21.

【0069】しかも、半導体ウエハ21の下面側を、規
制部材101によって高さ寸法が数ミリの第1の空間部
S1に形成したから、第2のノズル孔91aから半導体
ウエハ21の下面側に噴射される不活性ガスの量がわず
かであっても、その不活性ガスを半導体ウエハ1の下面
に沿って所定の流速で流すことができるから、半導体ウ
エハ1の下面を効率よく乾燥処理することができる。
Moreover, since the lower surface side of the semiconductor wafer 21 is formed in the first space S1 having a height of several millimeters by the regulating member 101, the lower surface side of the semiconductor wafer 21 is jetted from the second nozzle hole 91a. Even if the amount of the inert gas to be performed is small, the inert gas can flow at a predetermined flow rate along the lower surface of the semiconductor wafer 1, so that the lower surface of the semiconductor wafer 1 can be efficiently dried. it can.

【0070】この発明は上記一実施の形態に限定される
ものでなく、たとえばワ−クとしては半導体ウエハに代
わり液晶用ガラス基板であってもよく、また規制部材は
周壁部と鏡板部とが一体あるいは別体のいずれであって
もよく、さらに規制部材は半導体ウエハの下面側の隙間
を小さくする鏡板部だけであってもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the work may be a liquid crystal glass substrate instead of a semiconductor wafer, and the regulating member has a peripheral wall portion and a mirror plate portion. The regulating member may be either an integral part or a separate part, and the regulating member may be only a mirror plate part for reducing the gap on the lower surface side of the semiconductor wafer.

【0071】さらに、ワークの下面に吹き付ける気体と
しては不活性ガスに限られず、清浄な空気などであって
もよく、要はワークに要求される品質を損なうことがな
い気体であればよい。
Further, the gas blown to the lower surface of the work is not limited to the inert gas, but may be clean air or the like. In short, any gas which does not impair the quality required for the work may be used.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上述べたように請求項1の発明によれ
ば、ワークの下面に、この下面の中心から外れた位置か
ら径方向中心に向けて乾燥用の気体を噴出させるように
したから、ワークの下面に径方向中心部から外方に向か
って気体を流すことができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the drying gas is ejected from the position deviated from the center of the lower surface toward the radial center from the lower surface of the work. In addition, gas can flow outward from the center in the radial direction to the lower surface of the work.

【0073】そのため、ワークの下面に付着した洗浄液
を確実に除去することができるから、ワークの下面に残
留した洗浄液によってしみが生じるのが防止される。請
求項2の発明によれば、回転テーブルに、ワークの下面
側における気体の流れを規制する規制部材を設けた。
As a result, the cleaning liquid adhering to the lower surface of the work can be reliably removed, so that the occurrence of stains due to the cleaning liquid remaining on the lower surface of the work is prevented. According to the invention of claim 2, the rotary table is provided with the regulating member for regulating the flow of gas on the lower surface side of the work.

【0074】そのため、ワークの下面側に乱流が発生し
にくくなるから、ミストやパーティクルを含む気体が上
面側から下面側へ回り込んで下面を汚染するのを防止す
ることができるばかりか、ワークの下面側の空間部は規
制部材によって規制されるため、規制部材に形成された
開口部からワークの下面に向けて供給される乾燥用の気
体を、流速や流量などの点で効率よくワークに作用させ
ることができるから、そのことによってもワークの下面
の乾燥を効率よく行うことができる。
As a result, turbulence is less likely to be generated on the lower surface side of the work, so that it is possible to prevent not only the gas including mist and particles from flowing from the upper surface side to the lower surface side, but also contaminating the lower surface. The space on the lower surface side of the work is regulated by the regulating member, so that the drying gas supplied from the opening formed in the regulating member toward the lower surface of the work can be efficiently converted to the work in terms of flow velocity and flow rate. Since it can act, the drying of the lower surface of the work can also be performed efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施の形態の要部を示す拡大断面
図。
FIG. 1 is an enlarged sectional view showing a main part of an embodiment of the present invention.

【図2】同じく処理装置の全体構造を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing the overall structure of the processing apparatus.

【図3】同じく規制部材の斜視図。FIG. 3 is a perspective view of the regulating member.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

9…回転テ−ブル 11…保持部材 16…支持ピン(保持手段) 17…ロックピン(保持手段) 21…半導体ウエハ(ワ−ク) 91a…第2のノズル孔(気体供給手段) 101…規制部材 105…第2の開口部 Reference numeral 9: rotating table 11: holding member 16: support pin (holding means) 17: lock pin (holding means) 21: semiconductor wafer (work) 91a: second nozzle hole (gas supply means) 101: regulation Member 105: second opening

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3B201 AA02 AA03 AB34 AB42 AB48 BB24 BB26 BB88 BB92 BB93 BB99 CB01 CC01 CC13 CD36 CD43 3L113 AA01 AB08 AC24 AC28 AC45 AC46 AC48 AC54 AC57 AC63 AC67 AC76 BA34 CA06 DA02 DA10 DA24 DA26  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3B201 AA02 AA03 AB34 AB42 AB48 BB24 BB26 BB88 BB92 BB93 BB99 CB01 CC01 CC13 CD36 CD43 3L113 AA01 AB08 AC24 AC28 AC45 AC46 AC48 AC54 AC57 AC63 AC67 AC76 BA34 CA06 DA02 DA10 DA24 DA26

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ワ−クを回転させて処理するスピン処理
装置において、 回転駆動される回転テ−ブルと、 この回転テ−ブの周辺部に周方向に所定間隔で設けられ
上端に上記ワ−クの周縁部を保持する保持部が設けられ
た複数の保持部材と、 この保持部材に保持されたワークの下面側に設けられこ
の下面側の径方向中心から外れた位置から径方向中心部
に向けて上記ワークの下面を乾燥させる気体を噴出する
気体供給手段とを具備したことを特徴とするスピン処理
装置。
1. A spin processing apparatus for processing a work by rotating the work, comprising: a rotary table driven to rotate; and a circumferentially provided peripheral portion of the rotary table at a predetermined interval in the circumferential direction. A plurality of holding members provided with a holding portion for holding a peripheral portion of the workpiece, and a radial center portion provided at a lower surface side of the work held by the holding member and deviated from a radial center of the lower surface side. And a gas supply means for ejecting a gas for drying a lower surface of the work toward the workpiece.
【請求項2】 上記回転テーブルには、上記ワークの下
面側における気体の流れを制限する規制部材が設けら
れ、この規制部材には上記気体供給手段からの気体を上
記ワークの下面側に導く開口部が形成されていることを
特徴とする請求項1記載のスピン処理装置。
2. The rotating table is provided with a restricting member for restricting a flow of gas on a lower surface side of the work, and the restricting member has an opening for guiding gas from the gas supply means to a lower surface side of the work. The spin processing device according to claim 1, wherein a portion is formed.
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