JP2000007689A - ホスフィン類の製造法 - Google Patents

ホスフィン類の製造法

Info

Publication number
JP2000007689A
JP2000007689A JP10171704A JP17170498A JP2000007689A JP 2000007689 A JP2000007689 A JP 2000007689A JP 10171704 A JP10171704 A JP 10171704A JP 17170498 A JP17170498 A JP 17170498A JP 2000007689 A JP2000007689 A JP 2000007689A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphine
group
palladium
bis
catalyst
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10171704A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3975307B2 (ja
Inventor
Masatoshi Kawashima
正敏 川島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KANKYO KAGAKU CENTER KK
Original Assignee
KANKYO KAGAKU CENTER KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KANKYO KAGAKU CENTER KK filed Critical KANKYO KAGAKU CENTER KK
Priority to JP17170498A priority Critical patent/JP3975307B2/ja
Publication of JP2000007689A publication Critical patent/JP2000007689A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3975307B2 publication Critical patent/JP3975307B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ホスフィン類を高収率で安全かつ簡便に製造
する方法を提供する。 【解決手段】 式(1)のハロゲン化ホスフィン類に、ア
ミンおよび水素化触媒の存在下、水素を作用させること
により、式(2)のホスフィン類を製造する。 【化1】 〔式中、R1及びR2それぞれアリール基、アルキル基、シ
クロアルキル基、アリールオキシ基、アルコキシ基、シ
クロアルキルオキシ基、アリールアミノ基、ジアリール
アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、シ
クロアルキルアミノ基又はジシクロアルキルアミノ基を
表し、Xはハロゲン原子を表し、Yは酸素原子又は硫黄
原子を表し、k、mおよびnはそれぞれ0又は1を表
す。〕

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、遷移金属触媒を利
用したカップリング反応に使用されるホスフィン配位子
の原料等として有用なホスフィン類の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】ジフェニルホスフィンは、従来、クロロ
ジフェニルホスフィンを水素化アルミニウムリチウムで
還元するか(アンゲバンテ・ケミー(Angewand
teChemie),68,791(1956))、ク
ロロジフェニルホスフィンあるいはトリフェニルホスフ
ィンから調製されたアルカリ金属ジフェニルホスファイ
ドに水を作用させて製造されていた(ケミッシェ・ベリ
ヒテ(Chemische Berichte),
,2088(1959)、オルガニック・シンセセス
(Organic Syntheses),Coll.
Vol.6,p.569(1988))。またジシクロ
ヘキシルホスフィンは、上記のジフェニルホスフィンと
同様の方法の他に、シクロヘキセンへのホスフィンガス
の付加反応によっても製造されていた(DE270380
2)。従って、危険な禁水性物質である水素化アルミニ
ウムリチウム、金属ナトリウム、金属リチウム等、ある
いは猛毒のホスフィンガスを使用するため、工業的な規
模での製造は困難であった上に、収率も高くはなかっ
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、本発明の目
的は、上記問題点を解決することであり、危険な禁水性
物質を使用しないホスフィン類の簡便で実用的な製造法
を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく鋭意検討した結果、アミンおよび水素化触媒
存在下、ハロゲン化ホスフィン類に水素を作用させるこ
とにより、ホスフィン類が高収率で簡便に得られること
を見出し、本発明を完成するに至った。
【0005】すなわち、本発明の構成を下記に示す。 (1) アミンおよび水素化触媒の存在下、下記一般式
(1)
【0006】
【化3】
【0007】〔式(1)中、R1およびR2は同じでも異
なってもよく、それぞれアリール基、アルキル基、シク
ロアルキル基、アリールオキシ基、アルコキシ基、シク
ロアルキルオキシ基、アリールアミノ基、ジアリールア
ミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、シク
ロアルキルアミノ基又はジシクロアルキルアミノ基を表
し、Xはハロゲン原子を表し、Yは酸素原子又は硫黄原
子を表し、k、mおよびnはそれぞれ0又は1を表
す。〕で示されるハロゲン化ホスフィン類に、水素を作
用させることを特徴とする下記一般式(2)
【0008】
【化4】
【0009】〔式(2)中、R1、R2、Y、k、mおよ
びnは上記と同義である。〕で示されるホスフィン類の
製造法
【0010】(2) 水素化触媒が、パラジウム触媒で
あることを特徴とする前記(1)に記載のホスフィン類
の製造法
【0011】(3) パラジウム触媒が、パラジウム/
活性炭、パラジウム黒、パラジウム/硫酸バリウム、パ
ラジウム/炭酸ストロンチウム、パラジウム/炭酸カル
シウム、パラジウム/炭酸カルシウム−二酢酸鉛、パラ
ジウム/硫酸バリウム−キノリン、パラジウム/アルミ
ナ、およびパラジウムスポンジからなる群から選ばれた
少なくとも1種であることを特徴とする前記(2)に記
載のホスフィン類の製造法
【0012】(4) 一般式(1)において、R1およ
びR2は同じでも異なってもよく、それぞれアリール
基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、Xが塩素
原子を表し、Yが酸素原子を表し、kが0を表し、mお
よびnがそれぞれ1を表すことを特徴とする前記(1)
ないし前記(3)に記載のホスフィン類の製造法
【0013】(5) 一般式(1)において、R1およ
びR2は同じでも異なってもよく、それぞれアリール
基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、Xが塩素
原子を表し、Yが酸素原子を表し、k、m及びnがそれ
ぞれ1を表すことを特徴とする前記(1)ないし前記
(3)に記載のホスフィン類の製造法
【0014】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる水素化触媒と
して、好ましくは酸化白金、白金/活性炭、白金黒等の
白金触媒、還元ニッケル、ラネーニッケル、白金付ラネ
ーニッケル等のニッケル触媒、ラネーコバルト等のコバ
ルト触媒、還元銅、銅−クロム酸化物等の銅触媒、亜鉛
−クロム酸化物等の亜鉛触媒、酸化ルテニウム、ルテニ
ウム/活性炭等のルテニウム触媒、イリジウム黒等のイ
リジウム触媒、ロジウム/活性炭、ロジウム/アルミ
ナ、ロジウム−酸化白金等のロジウム触媒、酸化レニウ
ム等のレニウム触媒、パラジウム/活性炭、パラジウム
黒、パラジウム/硫酸バリウム、パラジウム/炭酸スト
ロンチウム、パラジウム/炭酸カルシウム、パラジウム
/炭酸カルシウム−二酢酸鉛、パラジウム/硫酸バリウ
ム−キノリン、パラジウム/アルミナ、パラジウムスポ
ンジ、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウムア
セチルアセトナート、ビス(ジベンジリデンアセトン)
パラジウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム、ジクロロ〔ビス(トリフェニルホスフィ
ン)〕パラジウム、ジクロロ〔ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)メタン〕パラジウム、ジクロロ〔1,2−ビス
(ジフェニルホスフィノ)エタン〕パラジウム、ジクロ
ロ〔1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン〕
パラジウム、ジクロロ〔1,4−ビス(ジフェニルホス
フィノ)ブタン〕パラジウム、ジクロロ(1,5−シク
ロオクタジエン)パラジウム、ジクロロビス(ベンゾニ
トリル)パラジウム、ジクロロビス(アセトニトリル)
パラジウム及び酢酸〔ビス(トリフェニルホスフィ
ン)〕パラジウム等のパラジウム触媒が挙げられる。
【0015】ハロゲン化ホスフィン類に対する水素化触
媒の使用量は、好ましくは0.01重量%ないし50重
量%、更に好ましくは0.1重量%ないし20重量%で
ある。
【0016】水素化触媒は、パラジウム触媒が更に好ま
しい。パラジウム触媒の担体上のパラジウム量は、0.
5重量%ないし30重量%であることが好ましく、更に
好ましくは5重量%ないし10重量%である。ハロゲン
化ホスフィン類に対するパラジウム触媒の使用量は、好
ましくは1重量%ないし50重量%、更に好ましくは5
重量%ないし20重量%である。
【0017】本発明に用いられる反応溶媒として、好ま
しくはN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−
メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミ
ダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリ
ル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トル
エン、キシレン等が挙げられる。
【0018】本発明に用いられるアミンは、アンモニ
ア、第1級アミン、第2級アミン、第3級アミンおよび
芳香族アミンの何れでもよく、またモノアミン、ジアミ
ン、トリアミンの何れでもよく、脂肪族第一アミン、脂
肪族第二アミン、脂肪族第三アミン、脂環式アミン、芳
香族アミン等を挙げることができる。特に好ましくは、
第三アミンであり、脂肪族、脂環式、芳香族のいずれで
もよい。
【0019】アミンとして、具体的には、アンモニア、
メチルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、イ
ソプロピルアミン、n−ブチルアミン、s−ブチルアミ
ン、t−ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジ
ルアミン、アニリン、エチレンジアミン、ジエチルアミ
ン、ジ−n−ブチルアミン、ジ−s−ブチルアミン、ジ
−t−ブチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロ
ヘキシルアミン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリ
ン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−
プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−s−
ブチルアミン、トリ−t−ブチルアミン、ジイソプロピ
ルエチルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジシ
クロヘキシルエチルアミン、ジベンジルアミン、N−メ
チルピペリジン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−
ジエチルアニリン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.
2]オクタン、テトラメチルエチレンジアミン、1,4
−ジメチルピペラジン、N−メチルピロリジン、N−メ
チルモルホリン、1−メチル−2,2,6,6−テトラ
メチルピペリジン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.
0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.
0]−7−ウンデセン、ピリジン、2,4−ジメチルピ
リジン、2,4,6−トリメチルピリジン、4−ジメチ
ルアミノピリジン、2,6−ジ−t−ブチルピリジン等
を挙げることができる。
【0020】更に好ましくは第3級アミンであり、トリ
エチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−
ブチルアミン、トリ−s−ブチルアミン、トリ−t−ブ
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジメチルシ
クロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルエチルアミン、
トリベンジルアミン、N−メチルピペリジン、N,N−
ジメチルアニリン、N,N−ジエチルアニリン、1,4
−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、テトラメチ
ルエチレンジアミン、1,4−ジメチルピペラジン、N
−メチルピロリジン、N−メチルモルホリン、1−メチ
ル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、1,5
−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8
−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ピ
リジン、2,4−ジメチルピリジン、2,4,6−トリ
メチルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、2,6
−ジ−t−ブチルピリジン等を好ましく挙げることがで
きる。
【0021】ハロゲン化ホスフィン類に対するアミンの
使用量は、好ましくは、副生するハロゲン化水素、すな
わちハロゲン化ホスフィン類中のハロゲンと等モルない
し10倍モルであり、更に好ましくは等モルないし2倍
モルである。
【0022】本発明に用いられる式(1)で表されるハ
ロゲン化ホスフィン類は、R1及びR2は同じでも異なっ
てもよく、それぞれ炭素数1〜12のアルキル基、炭素
数3〜12のシクロアルキル基、炭素数1〜12のアル
コキシ基、炭素数3〜12のシクロアルキルオキシ基、
アリール基、アリールオキシ基を表すことが好ましい。
更に好ましくは、R1及びR2は同じでも異なってもよ
く、それぞれ炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6
のシクロアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭
素数3〜6のシクロアルキルオキシ基、フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基、フェノキシ基、トリ
ルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基を表
す。
【0023】これらの基は、更に置換基を有していても
よく、置換基の具体例としては、アルキル基(例えばメ
チル、エチル、t−ブチル等)、アルコキシ基(例えば
メトキシ、エトキシなど)、ハロゲン原子(例えば塩素
原子、フッ素原子など)、パーフルオロアルキル基(例
えばトリフルオロメチルなど)、アミノ基(例えばジメ
チルアミノ基)等を挙げることができる。
【0024】また、式(1)において、Xはハロゲン原
子を表すことが好ましく、Yは酸素原子を表すことが好
ましい。
【0025】本発明に用いられるハロゲン化ホスフィン
類は、好ましくは、クロロジアリールホスフィン、クロ
ロアリールアルキルホスフィン、クロロジアルキルホス
フィン、クロロジシクロアルキルホスフィン、クロロア
リールシクロアルキルホスフィン、クロロアルキルシク
ロアルキルホスフィン、クロロジアリールホスフィンオ
キシド、クロロアリールアルキルホスフィンオキシド、
クロロジアルキルホスフィンオキシド、クロロジシクロ
アルキルホスフィンオキシド、クロロアリールシクロア
ルキルホスフィンオキシド、クロロアルキルシクロアル
キルホスフィンオキシド、アリールジクロロホスフィ
ン、アルキルジクロロホスフィン、シクロアルキルジク
ロロホスフィン、アリールジクロロホスフィンオキシ
ド、アルキルジクロロホスフィンオキシド、シクロアル
キルジクロロホスフィンオキシド、ジアリールホスホロ
クロリダート、ジアルキルホスホロクロリダート、ジシ
クロアルキルホスホロクロリダート、アリールジクロロ
ホスフェート、アルキルジクロロホスフェート、および
シクロアルキルジクロロホスフェート等である。
【0026】具体的には、クロロジフェニルホスフィ
ン、クロロジ(3−メチルフェニル)ホスフィン、クロ
ロジ(4−メチルフェニル)ホスフィン、クロロビス
(2,4−ジメチルフェニル)ホスフィン、クロロビス
(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン、クロロビス
(2,6−ジメチルフェニル)ホスフィン、クロロビス
(2,4,6−トリメチルフェニル)ホスフィン、クロ
ロビス(3,4,5−トリメチルフェニル)ホスフィ
ン、クロロジ(4−t−ブチルフェニル)ホスフィン、
クロロビス(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフ
ィン、クロロジ(3−メトキシフェニル)ホスフィン、
クロロジ(4−メトキシフェニル)ホスフィン、クロロ
ビス(2,4−ジメトキシフェニル)ホスフィン、クロ
ロビス(3,5−ジメトキシフェニル)ホスフィン、ク
ロロビス(2,6−ジメトキシフェニル)ホスフィン、
クロロビス(2,4,6−トリメトキシフェニル)ホス
フィン、クロロビス(3,4,5−トリメトキシフェニ
ル)ホスフィン、クロロビス(3,5−ジメチル−4−
メトキシフェニル)ホスフィン、
【0027】クロロジ(3−クロロフェニル)ホスフィ
ン、クロロジ(4−クロロフェニル)ホスフィン、クロ
ロビス(2,4−ジクロロフェニル)ホスフィン、クロ
ロビス(3,5−ジクロロフェニル)ホスフィン、クロ
ロビス(2,6−ジクロロフェニル)ホスフィン、クロ
ロビス(2,4,6−トリクロロフェニル)ホスフィ
ン、クロロビス(3,4,5−トリクロロフェニル)ホ
スフィン、クロロジ(3−フルオロフェニル)ホスフィ
ン、クロロジ(4−フルオロフェニル)ホスフィン、ク
ロロビス(2,4−ジフルオロフェニル)ホスフィン、
クロロビス(3,5−ジフルオロフェニル)ホスフィ
ン、クロロビス(2,6−ジフルオロフェニル)ホスフ
ィン、クロロビス(2,4,6−トリフルオロフェニ
ル)ホスフィン、クロロビス(3,4,5−トリフルオ
ロフェニル)ホスフィン、クロロジ(3−トリフルオロ
メチルフェニル)ホスフィン、クロロジ(4−トリフル
オロメチルフェニル)ホスフィン、クロロビス(2,4
−ビストリフルオロメチルフェニル)ホスフィン、クロ
ロビス(3,5−ビストリフルオロメチルフェニル)ホ
スフィン、クロロビス(2,6−ビストリフルオロメチ
ルフェニル)ホスフィン、クロロビス(2,4,6−ト
リストリフルオロメチルフェニル)ホスフィン、クロロ
ビス(3,4,5−トリストリフルオロメチルフェニ
ル)ホスフィン、
【0028】クロロジ(3−ジメチルアミノフェニル)
ホスフィン、クロロジ(4−ジメチルアミノフェニル)
ホスフィン、クロロビス(2,4−ビスジメチルアミノ
フェニル)ホスフィン、クロロビス(3,5−ビスジメ
チルアミノフェニル)ホスフィン、クロロビス(2,6
−ビスジメチルアミノフェニル)ホスフィン、クロロビ
ス(2,4,6−トリスジメチルアミノフェニル)ホス
フィン、クロロビス(3,4,5−トリスジメチルアミ
ノフェニル)ホスフィン、クロロジ(3−ビフェニル)
ホスフィン、クロロジ(4−ビフェニル)ホスフィン、
クロロビス(2,4−ジフェニルフェニル)ホスフィ
ン、クロロビス(3,5−ジフェニルフェニル)ホスフ
ィン、クロロビス(2,6−ジフェニルフェニル)ホス
フィン、クロロビス(2,4,6−トリフェニルフェニ
ル)ホスフィン、クロロビス(3,4,5−トリフェニ
ルフェニル)ホスフィン、クロロジ(α−ナフチル)ホ
スフィン、クロロジ(β−ナフチル)ホスフィン、クロ
ロジ(6−メトキシ−α−ナフチル)ホスフィン、クロ
ロジ(6−メトキシ−β−ナフチル)ホスフィン、クロ
ロジ(3,4−メチレンジオキシフェニル)ホスフィ
ン、クロロジメチルホスフィン、クロロジエチルホスフ
ィン、クロロジシクロプロピルホスフィン、クロロジシ
クロペンチルホスフィン、クロロジシクロヘキシルホス
フィン、クロロジシクロオクチルホスフィン、クロロジ
シクロデシルホスフィン、クロロジシクロドデシルホス
フィン、クロロシクロヘキシルフェニルホスフィン、ク
ロロホスホニックジアニリド、ジクロロフェニルホスフ
ィン、ジクロロフェニルホスフィンオキシド、ジエチル
クロロホスフェート、ジフェニルホスホロクロリデー
ト、フェニルジクロロホスフェート、2,2,2−トリ
クロロエチルジクロロホスファイト、オキシ三塩化リ
ン、三塩化リン等が挙げられる。
【0029】本発明で得られる一般式(2)で表される
ホスフィン類は、式(1)で好ましいとして述べたと同
様のR1、R2及びYであることが好ましい。R1及びR2
は更に置換基を有していてもよく、置換基の具体例とし
ては、上記一般式(1)で述べたと同様のものを挙げる
ことができる。
【0030】好ましくは、ジアリールホスフィン、アリ
ールアルキルホスフィン、ジアルキルホスフィン、ジシ
クロアルキルホスフィン、アリールシクロアルキルホス
フィン、アルキルシクロアルキルホスフィン、ジアリー
ルホスフィンオキシド、アリールアルキルホスフィンオ
キシド、ジアルキルホスフィンオキシド、ジシクロアル
キルホスフィンオキシド、アリールシクロアルキルホス
フィンオキシド、アルキルシクロアルキルホスフィンオ
キシド、アリールホスフィン、アルキルホスフィン、シ
クロアルキルホスフィン、アリールホスフィンオキシ
ド、アルキルホスフィンオキシド、シクロアルキルホス
フィンオキシド、ジアリールホスファイト、ジアルキル
ホスファイト、およびジシクロアルキルホスファイト等
である。
【0031】具体的には、ジフェニルホスフィン、ジ
(3−メチルフェニル)ホスフィン、ジ(4−メチルフ
ェニル)ホスフィン、ビス(2,4−ジメチルフェニ
ル)ホスフィン、ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホ
スフィン、ビス(2,6−ジメチルフェニル)ホスフィ
ン、ビス(2,4,6−トリメチルフェニル)ホスフィ
ン、ビス(3,4,5−トリメチルフェニル)ホスフィ
ン、ジ(4−t−ブチルフェニル)ホスフィン、ビス
(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフィン、ジ
(3−メトキシフェニル)ホスフィン、ジ(4−メトキ
シフェニル)ホスフィン、ビス(2,4−ジメトキシフ
ェニル)ホスフィン、ビス(3,5−ジメトキシフェニ
ル)ホスフィン、ビス(2,6−ジメトキシフェニル)
ホスフィン、ビス(2,4,6−トリメトキシフェニ
ル)ホスフィン、ビス(3,4,5−トリメトキシフェ
ニル)ホスフィン、ビス(3,5−ジメチル−4−メト
キシフェニル)ホスフィン、
【0032】ジ(3−クロロフェニル)ホスフィン、ジ
(4−クロロフェニル)ホスフィン、ビス(2,4−ジ
クロロフェニル)ホスフィン、ビス(3,5−ジクロロ
フェニル)ホスフィン、ビス(2,6−ジクロロフェニ
ル)ホスフィン、ビス(2,4,6−トリクロロフェニ
ル)ホスフィン、ビス(3,4,5−トリクロロフェニ
ル)ホスフィン、ジ(3−フルオロフェニル)ホスフィ
ン、ジ(4−フルオロフェニル)ホスフィン、ビス
(2,4−ジフルオロフェニル)ホスフィン、ビス
(3,5−ジフルオロフェニル)ホスフィン、ビス
(2,6−ジフルオロフェニル)ホスフィン、ビス
(2,4,6−トリフルオロフェニル)ホスフィン、ビ
ス(3,4,5−トリフルオロフェニル)ホスフィン、
ジ(3−トリフルオロメチルフェニル)ホスフィン、ジ
(4−トリフルオロメチルフェニル)ホスフィン、ビス
(2,4−ビストリフルオロメチルフェニル)ホスフィ
ン、ビス(3,5−ビストリフルオロメチルフェニル)
ホスフィン、ビス(2,6−ビストリフルオロメチルフ
ェニル)ホスフィン、ビス(2,4,6−トリストリフ
ルオロメチルフェニル)ホスフィン、ビス(3,4,5
−トリストリフルオロメチルフェニル)ホスフィン、
【0033】ジ(3−ジメチルアミノフェニル)ホスフ
ィン、ジ(4−ジメチルアミノフェニル)ホスフィン、
ビス(2,4−ビスジメチルアミノフェニル)ホスフィ
ン、ビス(3,5−ビスジメチルアミノフェニル)ホス
フィン、ビス(2,6−ビスジメチルアミノフェニル)
ホスフィン、ビス(2,4,6−トリスジメチルアミノ
フェニル)ホスフィン、ビス(3,4,5−トリスジメ
チルアミノフェニル)ホスフィン、ジ(3−ビフェニ
ル)ホスフィン、ジ(4−ビフェニル)ホスフィン、ビ
ス(2,4−ジフェニルフェニル)ホスフィン、ビス
(3,5−ジフェニルフェニル)ホスフィン、ビス
(2,6−ジフェニルフェニル)ホスフィン、ビス
(2,4,6−トリフェニルフェニル)ホスフィン、ビ
ス(3,4,5−トリフェニルフェニル)ホスフィン、
ジ(α−ナフチル)ホスフィン、ジ(β−ナフチル)ホ
スフィン、ジ(6−メトキシ−α−ナフチル)ホスフィ
ン、ジ(6−メトキシ−β−ナフチル)ホスフィン、ジ
(3,4−メチレンジオキシフェニル)ホスフィン、ジ
メチルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジシクロプロ
ピルホスフィン、ジシクロペンチルホスフィン、ジシク
ロヘキシルホスフィン、ジシクロオクチルホスフィン、
ジシクロデシルホスフィン、ジシクロドデシルホスフィ
ン、シクロヘキシルフェニルホスフィン、ホスホニック
ジアニリド、フェニルホスフィン、フェニルホスフィン
オキシド、ジエチルホスファイト、ジフェニルホスファ
イト、ホスフィン等が挙げられる。
【0034】水素の圧力は特に限定されないが、好まし
くは100kPaないし10MPaである。水素の導入
方法は限定されず、反応容器内を、水素で置換してもよ
く、反応系内に、連続的に導入してもよい。また窒素等
の不活性ガスとともに導入してもよい。更に、ラネーニ
ッケルなどのように水素化触媒に吸着されている水素も
用いられる。ぎ酸、ぎ酸アンモニウム、亜リン酸ナトリ
ウム、ヒドラジン等のを水素源として使用することも可
能である。
【0035】本発明の反応温度は、好ましくは0℃ない
し150℃であり、更に好ましくは20℃ないし100
℃である。反応時間は、ハロゲン化ホスフィン類、アミ
ンおよび水素化触媒の種類、量、水素の圧力、反応温
度、および攪拌速度によるが、30分ないし24時間で
ある。
【0036】本発明における反応操作手順は任意であ
り、溶媒、水素、アミン、水素化触媒およびハロゲン化
ホスフィン類をいかなる順序で添加してもよい。また必
要に応じて、水素化触媒を追加してもよい。
【0037】本発明の方法を更に具体的に説明すると、
適当な溶媒に、アミン、水素化触媒、およびハロゲン化
ホスフィン類を加え、反応系内を水素置換後、水素が吸
収されなくなるまで攪拌する。水素化触媒が影響を及ぼ
さない反応であれば、生成したホスフィン類を含む反応
混合物をそのまま他の反応に使用することも可能であ
り、必要に応じて反応混合物をろ過し、ホスフィン類を
溶解したろ液を得、この溶液を他の反応に使用すること
も可能であり、またろ液を減圧濃縮し、ホスフィン類を
得、あるいはこれを蒸留精製することもできる。
【0038】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。
【0039】実施例1 N,N−ジメチルホルムアミド10ml、5%パラジウ
ム/活性炭200mg、トリエチルアミン458mg
(4.53mmol)に、クロロジフェニルホスフィン
1.00g(4.53mmol)を加え、反応容器を減
圧後、水素ガスに置換し、20℃で12時間攪拌した。
反応混合物をろ過し、ろ液を減圧濃縮し、ジフェニルホ
スフィン840mg(4.51mmol)を得た。
【0040】実施例2 N,N−ジメチルホルムアミド10ml、5%パラジウ
ム/活性炭200mg、1,4−ジアザビシクロ[2.
2.2]オクタン508mg(4.53mmol)に、
クロロジフェニルホスフィン1.00g(4.53mm
ol)を加え、反応容器を減圧後、水素ガスに置換し、
100℃で1時間攪拌した。反応混合物をろ過し、ろ液
を減圧濃縮し、ジフェニルホスフィン838mg(4.
50mmol)を得た。
【0041】実施例3 N,N−ジメチルホルムアミド10ml、10%パラジ
ウム/活性炭200mg、1,4−ジアザビシクロ
[2.2.2]オクタン508mg(4.53mmo
l)に、クロロジフェニルホスフィン1.00g(4.
53mmol)を加え、反応容器を減圧後、水素ガスに
置換し、20℃で6時間攪拌した。反応混合物をろ過
し、ろ液を減圧濃縮し、ジフェニルホスフィン826m
g(4.44mmol)を得た。
【0042】実施例4 N,N−ジメチルアセトアミド10ml、パラジウム黒
200mg、N−メチルピペリジン449mg(4.5
3mmol)に、クロロジフェニルホスフィン1.00
g(4.53mmol)を加え、反応容器を減圧後、水
素ガスに置換し、100℃で2時間攪拌した。反応混合
物をろ過し、ろ液を減圧濃縮し、ジフェニルホスフィン
833mg(4.47mmol)を得た。
【0043】実施例5 N,N−ジメチルアセトアミド10ml、10%パラジ
ウム/活性炭1g、t−ブチルアミン331mg(4.
53mmol)に、クロロジフェニルホスフィン1.0
0g(4.53mmol)を加え、反応容器を減圧後、
水素ガスに置換し、20℃で12時間攪拌した。反応混
合物をろ過し、ろ液を減圧濃縮し、ジフェニルホスフィ
ン836mg(4.49mmol)を得た。
【0044】実施例6 N,N−ジメチルアセトアミド10ml、10%パラジ
ウム/活性炭1g、ピペリジン387mg(4.54m
mol)に、クロロジフェニルホスフィン1.00g
(4.53mmol)を加え、反応容器を減圧後、水素
ガスに置換し、20℃で12時間攪拌した。反応混合物
をろ過し、ろ液を減圧濃縮し、ジフェニルホスフィン8
31mg(4.46mmol)を得た。
【0045】
【発明の効果】本発明においては、アミンおよび水素化
触媒の存在下、ハロゲン化ホスフィン類に水素を作用さ
せることにより、ホスフィン類を高収率で簡便に製造す
ることができる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アミンおよび水素化触媒の存在下、下記
    一般式(1) 【化1】 〔式(1)中、R1およびR2は同じでも異なってもよ
    く、それぞれアリール基、アルキル基、シクロアルキル
    基、アリールオキシ基、アルコキシ基、シクロアルキル
    オキシ基、アリールアミノ基、ジアリールアミノ基、ア
    ルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、シクロアルキル
    アミノ基又はジシクロアルキルアミノ基を表し、Xはハ
    ロゲン原子を表し、Yは酸素原子又は硫黄原子を表し、
    k、mおよびnはそれぞれ0又は1を表す。〕で示され
    るハロゲン化ホスフィン類に、水素を作用させることを
    特徴とする下記一般式(2) 【化2】 〔式(2)中、R1、R2、Y、k、mおよびnは上記と
    同義である。〕で示されるホスフィン類の製造法。
  2. 【請求項2】 水素化触媒が、パラジウム触媒であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載のホスフィン類の製造法
  3. 【請求項3】 パラジウム触媒が、パラジウム/活性
    炭、パラジウム黒、パラジウム/硫酸バリウム、パラジ
    ウム/炭酸ストロンチウム、パラジウム/炭酸カルシウ
    ム、パラジウム/炭酸カルシウム−二酢酸鉛、パラジウ
    ム/硫酸バリウム−キノリン、パラジウム/アルミナ、
    およびパラジウムスポンジからなる群から選ばれた少な
    くとも1種であることを特徴とする請求項2に記載のホ
    スフィン類の製造法
  4. 【請求項4】 一般式(1)において、R1およびR2
    同じでも異なってもよく、それぞれアリール基、アルキ
    ル基又はシクロアルキル基を表し、Xが塩素原子を表
    し、Yが酸素原子を表し、kが0を表し、mおよびnが
    それぞれ1を表すことを特徴とする請求項1〜3のいず
    れか1項に記載のホスフィン類の製造法。
  5. 【請求項5】 一般式(1)において、R1およびR2
    同じでも異なってもよく、それぞれアリール基、アルキ
    ル基又はシクロアルキル基を表し、Xが塩素原子を表
    し、Yが酸素原子を表し、k、m及びnがそれぞれ1を
    表すことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記
    載のホスフィン類の製造法。
JP17170498A 1998-06-18 1998-06-18 ホスフィン類の製造法 Expired - Fee Related JP3975307B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17170498A JP3975307B2 (ja) 1998-06-18 1998-06-18 ホスフィン類の製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17170498A JP3975307B2 (ja) 1998-06-18 1998-06-18 ホスフィン類の製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000007689A true JP2000007689A (ja) 2000-01-11
JP3975307B2 JP3975307B2 (ja) 2007-09-12

Family

ID=15928140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17170498A Expired - Fee Related JP3975307B2 (ja) 1998-06-18 1998-06-18 ホスフィン類の製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3975307B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003037844A1 (de) * 2001-10-30 2003-05-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von arylaminen
WO2006074983A1 (en) * 2005-01-17 2006-07-20 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Process for preparing acylphosphanes and their oxides and sulphides

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003037844A1 (de) * 2001-10-30 2003-05-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von arylaminen
US7250519B2 (en) 2001-10-30 2007-07-31 Merck Patent Gmbh Method for the production of arylamines
WO2006074983A1 (en) * 2005-01-17 2006-07-20 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Process for preparing acylphosphanes and their oxides and sulphides
JP2008526918A (ja) * 2005-01-17 2008-07-24 チバ ホールディング インコーポレーテッド アシルホスファン、並びにこれらの酸化物及び硫化物の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3975307B2 (ja) 2007-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wauters et al. Preparation of phosphines through C–P bond formation
Jablonkai et al. PC Bond formation by coupling reactions utilizing> P (O) H species as the reagents
US6924389B2 (en) Method for producing diphosphines and the use thereof
Bálint et al. N-Benzyl and N-aryl bis (phospha-Mannich adducts): Synthesis and catalytic activity of the related bidentate chelate platinum complexes in hydroformylation
HU204279B (en) Process for producing phosphine derivatives
EP2060578B1 (en) Process for production of optically active aminophosphinylbutanoic acid
US5977361A (en) Transition metal-catalyzed process for preparing N-aryl compounds
JP3975307B2 (ja) ホスフィン類の製造法
EP0269395A2 (en) Ruthenium-phosphine complex catalysts
EP0479541A1 (en) Iridium-optically active phosphine complex and catalytic production of optically active alcohols therewith
JP2643977B2 (ja) 置換ジアリールホスファイドの製造
US7081544B2 (en) Chiral ligands, transition metal complexes thereof, and the catalytic use of the same
JP2000109490A (ja) 第3級ホスフィンの製造法
US3523962A (en) Process for preparing organic isocyanates
CA2253304A1 (en) Synthesis of cycloalkyldiarylphosphines
JP2000143682A (ja) 第三級ホスフィン誘導体の製造方法
JPH07330786A (ja) 光学活性3級ホスフィン化合物、これを配位子とする遷移金属錯体およびこれを用いる製造法
US4013715A (en) Process for the manufacture of 2-halo-ethane-phosphonic acid dihalides and vinyl-phosphonic acid dihalides
US5817775A (en) Phosphines and catalysts containing the same
JP3572352B2 (ja) アリルホスホン酸エステル化合物及びその製造方法
CA2385960C (en) Catalysis using phosphine oxide compounds
EP1385855B1 (en) Process to prepare a multidentate phosphine compound
JP3610371B2 (ja) (α−及び/又はβ−ホルミルエチル)ホスフィンオキシド化合物、(α−及び/又はβ−ホルミルエチル)ホスホン酸エステル化合物とその製造方法
JP2000007688A (ja) 光学活性2,2′−ビス(ジ置換ホスフィノ)−1,1′−ビナフチルの製造法
US6187953B1 (en) Guanidinium phosphanes, their production and their use

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040707

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040914

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050614

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050707

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050707

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060425

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070515

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070523

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070605

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees