IT1031555B - Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo - Google Patents

Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo

Info

Publication number
IT1031555B
IT1031555B IT20050/75A IT2005075A IT1031555B IT 1031555 B IT1031555 B IT 1031555B IT 20050/75 A IT20050/75 A IT 20050/75A IT 2005075 A IT2005075 A IT 2005075A IT 1031555 B IT1031555 B IT 1031555B
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
layers
riu
items
attachment
substrate
Prior art date
Application number
IT20050/75A
Other languages
English (en)
Italian (it)
Other versions
IT7520050A1 (it
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of IT7520050A1 publication Critical patent/IT7520050A1/it
Application granted granted Critical
Publication of IT1031555B publication Critical patent/IT1031555B/it

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B3/00—Electrolytic production of organic compounds
    • C25B3/20—Processes
    • C25B3/29—Coupling reactions
    • C25B3/295—Coupling reactions hydrodimerisation
    • H10P50/262—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B3/00—Electrolytic production of organic compounds
    • C25B3/01—Products
    • C25B3/07—Oxygen containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B3/00—Electrolytic production of organic compounds
    • C25B3/01—Products
    • C25B3/09—Nitrogen containing compounds
    • H10P95/00—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
IT20050/75A 1974-02-11 1975-02-07 Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo IT1031555B (it)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US44107174A 1974-02-11 1974-02-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
IT7520050A1 IT7520050A1 (it) 1976-08-07
IT1031555B true IT1031555B (it) 1979-05-10

Family

ID=23751381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IT20050/75A IT1031555B (it) 1974-02-11 1975-02-07 Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo

Country Status (7)

Country Link
BE (1) BE825286R (esLanguage)
CA (1) CA1050475A (esLanguage)
DE (1) DE2505211C3 (esLanguage)
FR (1) FR2273084A2 (esLanguage)
IL (1) IL46588A (esLanguage)
IT (1) IT1031555B (esLanguage)
LU (1) LU71808A1 (esLanguage)

Also Published As

Publication number Publication date
BE825286R (fr) 1975-08-07
CA1050475A (en) 1979-03-13
LU71808A1 (esLanguage) 1975-12-09
IL46588A (en) 1976-09-30
FR2273084B2 (esLanguage) 1983-12-16
DE2505211C3 (de) 1978-08-17
DE2505211B2 (de) 1977-12-22
FR2273084A2 (en) 1975-12-26
IL46588A0 (en) 1975-04-25
IT7520050A1 (it) 1976-08-07
DE2505211A1 (de) 1975-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT1048859B (it) Procedimento e dispositivo per la formazione di disegni decorativi in rilievo su superfici munite di uno strato di rivestimento
SE405776B (sv) Ljuskensligt halvledardon innefattande ett halvledarkristallsubstrat och en antireflexbeleggning pa substratet
SE435170B (sv) Sett att bilda en metalloxidbeleggning pa ett substrat
CH558075A (de) Bauelement fuer elektronische schaltungen mit einem substrat und einer duennschicht.
NL161617C (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL162250B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.
NL163370C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon.
NL7507269A (nl) Dunne-laagschakeling.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
IT1007177B (it) Procedimento per realizzare circui ti elettrici a strati provvisti di strati elettroconduttori su entram be le facce di un substrato di ma teriale ceramico
NL189909C (nl) Werkwijze voor het bekleden van een glassubstraat met een tinoxidelaag.
ES404273A1 (es) Una disposicion de circuito integrado.
SE402378B (sv) Bipoler transistor i ett halvledarskikt som er epitaktiskt anordnat pa ett isolerande substrat och forfarande for dess framstellning
NL7510020A (nl) Werkwijze voor het vormen van een magnetische oxydefilm met een hoge coercitiefkracht.
JPS5334484A (en) Forming method for multi layer wiring
IT981418B (it) Dispositivo od apparecchiatura per la fabbricazione di vetro piatto rivestito con ossidi metallici me diante deposito di tale rivesti mento alla superficie del nastro di vetro
NL174641C (nl) Inrichting om het oppervlak van een glasplaat te voorzien van een metaaloxydelaag.
IT977622B (it) Procedimento per produrre su un substrato uno strato a disegno di vetro fosfolicico particolarmente in applicazione a dispositivi semi conduttori
NL7401859A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze.
IT1143690B (it) Procedimento per produrre su un substrato uno strato dotato di struttura nella tecnologia dei semiconduttori
IT1031555B (it) Metodo di fabbricazione di un disegno da uno o riu strati su un substrato mediante rimozione localedi detto stratto di detti strati per mezzo di un attacco per bombardamento ionico e articoli in particolare dispositivi semicon duttori fabbricati con l ausiliodi tale metodo
NL166171C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van, uit meerdere lagen opgebouwde, gedrukte schakelingen en inrichting ter realisering van deze werkwijze.
NL144811B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektronische schakeling door middel van het selectief maskeren en etsen van een bekleed substraat, alsmede aldus vervaardigde schakeling.
FI49706C (fi) Menetelmä lasinauhan yläpinnan pinnoittamiseksi.
NL150171B (nl) Werkwijze voor het elektrolytisch bekleden van een substraat en werkwijze voor het vervaardigen van een laminaat.