HU206565B - Inp/gainasp laser diode of burried active layer, having built-in blocking layer, of double heterostructure and method for making said laser diode by one-stage liquid epitaxial procedure - Google Patents
Inp/gainasp laser diode of burried active layer, having built-in blocking layer, of double heterostructure and method for making said laser diode by one-stage liquid epitaxial procedure Download PDFInfo
- Publication number
- HU206565B HU206565B HU886432A HU643288A HU206565B HU 206565 B HU206565 B HU 206565B HU 886432 A HU886432 A HU 886432A HU 643288 A HU643288 A HU 643288A HU 206565 B HU206565 B HU 206565B
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- layer
- inp
- laser diode
- channels
- gainasp
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 10
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 abstract 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- -1 sulfuric acid peroxide Chemical class 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
A találmány tárgya duplacsatomás hordozójú, kettős heteroszerkezetű, beépített záró p-n átmenetet tartalmazó, eltemetett aktív rétegű InP/GalnAsP lézerdióda, valamint előállítása egylépcsős folyadékepitaxiális módszerrel.
A találmány szerinti lézerdióda 1,3 pm hullámhosszon infravörös lézerfényt bocsát ki, és elsősorban optikai telekommunikációs célokra alkalmazható.
A találmány műszaki hátterének ismertetése:
Az InP/GalnAsP lézerek sugárzási tartománya megegyezik a fénytávközlésben használatos optikai szálak csillapítási minimumával, ezért szerte a világon intenzív kutatás folyik ezeknek a lézereknek a tökéletesítésére. A fénytávközlésben használatos lézereknek a következő főbb követelményeknek kell megfelelni: kis küszöbáram, jó hatásfok, széles hőmérséklet-tartományban történő működőképesség, stabil sugáreloszlás.
Ezeknek a követelményeknek csak a keskeny eltemetett aktív réteggel rendelkező lézerek képesek megfelelni. Az irodalomban számos ilyen lézertípust írtak le, így például Y. Suematsu és szerzőtársai „Double Heterostructure Lasers” című cikkükben (megjelent: GalnAsP Alioy Semiconductors ed. Τ. P. Pearsail, John Willey & Sons, New York, 1982 pp. 341-378) a mezacsíkon felépülő eltemetett kettős heteroszerkezetű (mesa substrate buried heterostructure MSBH) lézereket, valamint íkuo Mito és szerzőtársai a „Double channel planar buried heterostructure laser’’ című cikkükben [megjelent: Journal of Lightwawe Technology, vol. LT1,195-202, (1983)] a „double channel planar buried heterostructure” (CDPBH) lézereket. A DCPBH lézerszerkezet az US Patant No. 4597085 (jún. 24, 1986) szabadalomból is ismeretes.
Az MSBH lézerek esetében először a hordozó felületén alakítanak ki fotolitográfiai és kémiai maratással meza-csíkot, amelyre egylépéses folyadékepitaxiával növesztik fel a kettős heteroszerkezetet. A túltelítési viszonyok, valamint a felület geometriája által meghatározott szelektív felnövekedés miatt a meza-csíkon eltemetett GalnAsP aktív réteg alakul ki, mivel az aktív réteg a meza-csík oldalaira nem nő, a külső határoló réteg viszont igen. Hátránya ezen megoldásnak az, hogy ezen a szerkezeten az áramkorlátozást a következő lépésben oxidleválasztással és egy újabb fotolitográfiás lépéssel kell megoldani. Hátránya még a mezán kialakított lézereknek, hogy felületük általában nem teljesen sík, így nehézkesen szerelhetők hűtőtömbre, és rosszabb hőelvezetés biztosítható.
A DCPBH lézereket kétlépcsős folyadékepitaxiás eljárással állítják elő. Először egy sík kettős heteroepitaxiás rétegszerkezetet növesztenek a hordozóra, majd ebbe kémiai maratással kettős csatornát marnak. Az így létrehozott duplacsatomás felületre növesztik egy újabb folyadékepitaxiás lépésben a laterális áramkorlátozó rétegszerkezetet, amely szelektív felnövekedési effektusok következtében a csatornák közötti meza-csíkon nem nő, így kialakul az eltemetett aktív tartomány, azon kívül pedig beépített záró p-n átmenetek.
A DCPBH lézerszerkezet megvalósítása bonyolult és költséges, mert kétlépcsős növesztést technológiát kell alkalmazni. További problémát jelent a kétlépcsős epitaxiával előállított lézerdiódák esetében, hogy az első növesztési lépésben nőtt rétegeket a csatornákból nedves kémiai marással távolítják el, így a második folyadékepitaxiás lépés során az áramkorlátozó szerkezet egy kémiailag mart és vizes fázissal érintkezett felületre nő, amely a második epitaxiás lépés során hőbomlás miatt is degradálódik, és ezen tényezők az aktív tartomány két oldalán lévő csatornákban lévő p-n átmenetek minőségét rontják.
A találmányunkkal egy olyan eltemetett aktív rétegű lézerszerkezetet kívánunk létrehozni, amely sík felületű, egy folyadékepitaxiás lépésben előállítható, továbbá beépített áramkorlátozó rétegszerkezetet tartalmaz, amelynek minősége jobb, mint az ismert lézerszerkezetek esetében, mivel az előállítási technológia mentes a p-n átmenetek minőségét az aktív tartomány két oldalán lerontó nedves kémiai, valamint hődegradációs hatásoktól, továbbá a záró rétegszerkezet letörést feszültségét növelő GalnAsP réteget tartalmaz az aktív zóna két oldalán lévő csatorna alján is.
Találmányunk tehát duplacsatomás hordozójú, kettős heteroszerkezetű, beépített záró p-n átmenetet tartalmazó, eltemetett aktív rétegű InP/GalnAsP lézerdióda, amely InP hordozón épül fel. Az orientált hordozóban két párhuzamos csatorna van, amely csatornák között egy eltemetett GalnAsP aktív réteg helyezkedik el, amelyet minden oldalról nagyobb tilos sávú és kisebb törésmutatójú n- és p-típusú InP rétegek határolnak. A hordozón n-típusú InP puffer réteg, ezen egy GalnAsP réteg van, amely kis tilos sávú réteg a csatornák alján és a planár részeken helyezkedik el, majd ezen egy p-típusú határoló réteg van, amelyen egy n-típusú áramkorlátozó réteg, ezen p-típusú InP beágyazó réteg, melyen egy p+-GaínAsP kontaktusréteg helyezkedik el, s ezt egy Au/AuZn p-oldali kontaktusfém réteg borítja, míg a hordozó másik oldalán közvetlenül egy AuGe/Ni/Au n-oldali kontaktusfém réteg van.
Találmányunk továbbá eljárás duplacsatomás hordozójú, kettős heteroszerkezetű, beépített záró p-n átmenetet tartalmazó, eltemetett aktív rétegű InP/GalnAsP lézerdióda előállítására folyadékepitaxiális módszerrel, amelynél a hordozót egy adott kristálytani iránynak megfelelően orientáljuk, majd a hordozó felületén fotolitográfiával maratási ablakokat állítunk elő, ezután maratjuk a hordozó felületét, és a hordozó felületének megtisztítása után folyadékepitaxiás rétegnövesztéssel elkészítjük a lézerszerkezetet, majd a kész lézerszerkezet felső (p) és alsó (n) oldalára fémezéssel kontaktusréteget viszünk fel, ezt követően a lézerchipeket hasítással alakítjuk ki. A találmány lényege abban van, hogy először egy [110] kristálytani iránnyal párhuzamos csatornákkal rendelkező duplacsatomás hordozót állítunk elő ismert eljárással, majd az ily módon előállított duplacsatomás InP hordozót epitaxiális reaktorba helyezzük, s egylépcsős epitaxiával előállítjuk a lézerszerkezetet oly módon, hogy a következő rétegeket
HU 206565 Β növesztjük a duplacsatomás InP hordozóra az alábbi módon és sorrendben:
- η-InP puffer réteget előnyösen 627 °C-on, 1015 °C túltelítettséggel, húsz sec-ig,
- GalnAsP aktív réteget, előnyösen 627 eC-on, 35 ’C túltelítettséggel, öt sec-ig,
- p-InP határoló réteget, előnyösen 627 ’C-on, 1015 °C túltelítettséggel, harminc sec-ig,
- η-InP áramkorlátozó réteget, előnyösen 626— 625 ’C között, 4-7 °C túltelítettséggel, két percig,
- p-InP beágyazó réteget, előnyösen 625-618 °C között, 5-10 °C túltelítettséggel, tizennégy percig.
- p+GaInAsP kontaktus réteget, előnyösen 618 ’Con, 3-5 ’C túltelítettséggel, egy percig.
A találmányunk szerinti eljárásnál az orientációs lépésnél az [110] irányt úgy azonosítjuk, hogy először a hasított szelet [100] felületét 3 térfogatrész HBr: 1 térfogatrész HN03 eleggyel, majd 3 térfogatrész H2SO4:1 térfogatrész H2O2 eleggyel maratjuk, majd kiválasztjuk mikroszkóp alatt a keletkezett aszimmetrikus alakú marási gödrök hosszabbik tengelyét.
A találmányt az alábbiakban az ábrák alapján ismertetjük részletesen, ahol az
1. ábra: a találmány szerinti felépítésű lézerdióda rétegszerkezetét, a
2. ábra: a lézerdióda találmány szerinti előállítási eljárásának egyes fázisait mutatja.
Az 1. ábrán látható a duplacsatomás (1) hordozójú, kettős heteroszerkezetű, beépített záró p-n átmenetet tartalmazó, eltemetett (3a) aktív rétegű InP/GalnAsP lézerdióda szerkezeti felépítése.
A lézerdióda a duplacsatomás (1) hordozón épül fel. A (9) csatornák között a (13) aktív tartományban egy eltemetett GalnAsP (3a) aktív réteg van, amelyet minden oldalról nagyobb tilos sávú és kisebb törésmutatójú InP (2) puffer réteg és (4) határoló réteg vesz körül. A duplacsatomás (1) hordozó felületét egyenletes rétegvastagsággal beborítja az n-InP (2) puffer réteg. A (2) puffer rétegen öt különálló részből álló GalnAsP (3) réteg van, amely a (9) csatornák közötti meza-csíkon, a (9) csatornák alján, valamint a (9) csatornák két külső oldalán található. Ezt a szerkezetet közel egyenletes rétegvastagsággal beborítja a p-InP (4) határoló réteg. A (4) határoló rétegen n-InP (5) áramkorlátozó réteg helyezkedik el, amely a GalnAsP (3a) aktív réteg feletti részen a (13) aktív tartományban megszakad, a dióda (14 és 15) aktív tartományon kívüli részein pedig folyamatosan befedi az alatta elhelyezkedő rétegeket. Az eddig felsorolt rétegeket a p-InP (6) beágyazó réteg fedi, amely kitölti a (9) csatornákat, és a GalnAsP (3a) aktív réteg felett érintkezik a p-InP (4) határoló réteggel. A p-InP (6) beágyazó rétegen a p+-GaInAsP (7) kontaktusréteg található. A dióda (16) felső (p) oldalán az Au/AuZn p-oldali (8a) kontaktusfém réteg, a (17) alsó (n) oldalán pedig a AuGe/Ni/Au n-oldali (8b) kontaktusfém réteg helyezkedik el.
Az egyes rétegek vastagságai, adalékszintjei, illetve a tiltott sávszélességnek megfelelő hullámhosszai (ÁJ a következők:
- II. réteg: n-InP (2) puffer réteg, 0,5-1 pm vastag, Sn adalék 1018 cm-3
- III. réteg: GalnAsP (3) réteg és a (3a) aktív réteg, 0,1-0,2 μτη vastag, adalékolatlan, Xg-1,3 pm
- IV. réteg: p-InP (4) határoló réteg, 0,5-1 pm vastag, Zn adalék 3-7xl017 cm-3
- V. réteg: n-InP (5) áramkorlátozó réteg, 0,51,5 pm vastag, Te adalék 2-3xl018 cm-3
- VI. réteg: p-InP (6) beágyazó réteg, 2-4 pm vastag, Zn adalék 5-8xl017 cm-3
- VII. réteg: p+-GaInAsP (7) kontaktus réteg, 0,5 pm vastag, λ8—1,03 pm
A (3a) aktív rétegben az optikai rezonátor üreget a hasítással létrehozott (11 és 12) hasított tükörfelületek alakítják ki. A töltéshordozók rekombinációja, valamint az indukált emisszió kis térfogatban jön létre, mivel a lézer (3a) aktív rétegének méretei a következők: hosszúság 200-500 pm, szélesség 1-3 pm, vastagság 0,1-0,2 pm. A (3a) aktív réteg két oldalán egy tirisztor jellegű n-InP/p-GalnAsP/p-InP/n-InP/pInP/p+GaInAsP záró rétegszerkezet korlátozza az áramot. A kis ellenállású árambevezetést nagy sík felületű beötvözött kontaktusok - a (8a, 8b) kontaktusfém rétegek - biztosítják, amelyek egyben a jó hőelvezetést is lehetővé teszik.
A 2. ábrán láthatók a találmány szerinti lézerszerkezet előállítási eljárásának lépései, ahol az egyes eljárási lépések után kialakult félvezető szerkezetet mutatják a 2a-2d ábrák.
A találmány szerinti eljárás szeletorientálást, fotolitográfiát, nedves kémiai marást, folyadékepitaxiás rétegnövesztést, kontaktus fémezést mint ismert eljárási lépéseket tartalmaz. Az 1. ábrán ismertetett lézerdióda szerkezet kialakítását a következő eljárással valósítjuk meg: Először a duplacsatomás n-InP (1) hordozót állítjuk elő, majd ennek felületére egyetlen folyadékepitaxiás lépésben növesztjük rá a találmány szerinti félvezető rétegszerkezetet, és a rétegnövesztés során pedig az egyes rétegek találmány szerinti alakját és elhelyezkedését a növesztéshez használt olvadékok túltelítettség! viszonyainak, valamint a rétegnövesztési időknek a megfelelő megválasztásával érjük el.
Az (1) hordozó előállításánál az orientálás során az η-InP szeleten az [110] kristálytani irányt a következőképpen azonosítjuk: a szelet [100] felületét 3 térfogatrész HBr: 1 térfogatrész HN03 eleggyel, majd 3 térfogatrész H2SO4:1 térfogatrész H2O2 eleggyel marjuk. A keletkezett marási gödrök aszimmetrikus alakúak, hosszabbik tengelyük az [110] iránnyal párhuzamos. Ezután a szeleten fotolitográfiával kialakítjuk a (10) fororeziszt maszkot és a (18) maratási ablakot, amely az [110] iránnyal párhuzamos csíkpárokból áll. A 4 pm széles ablakok 6 pm távolságban vannak egymástól, és a csíkpárok távolsága pedig 400 pm. A fotolitográfiai lépés után kialakult szerkezet a 2a ábrán látható.
A nedves kémiai marás során (1) térfogatrész HBr: 1 térfogatrész ccK2Cr2O7:5 térfogatrész CH3COOH eleggyel 3-5 pm mély (9) csatornákat marunk az (1) hordozóba, az alámarás következtében a (9) csatornák szélessége 7-9 pm, a meza-csík 1-3 pm széles lesz. A
HU 206 565 Β rezisztlakk eltávolítása után a duplacsatomás n-InP (1) hordozót kénsavas-peroxidos kezeléssel tisztítjuk. A 2b ábrán látható az ezen lépés után kialakult szerkezet, melyet ezután elhelyezünk az epitaxiás reaktorban.
A folyadékepitaxiás növesztés során a duplacsatornás (1) hordozón 650-600 ’C hőmérsékleten között egymás után az alább felsorolt rétegeket alakítjuk ki a következő előnyös növesztési paraméterekkel:
- II. réteg: n-InP (2) puffer réteg: 627 ’C-on, 1015 ’C túltelítettséggel, húsz sec-ig,
- III. réteg: GalnAsP (3) réteg és a (3a) aktív réteg: 627 ’C-on, 3-5 ’C túltelítettséggel, öt sec-ig,
- IV. réteg: p-InP (4) határoló réteg: 627 ’C-on, 10-15 ’C túltelítettséggel, harminc sec-ig,
- V. réteg: n-InP (5) áramkorlátozó réteg: 626625 °C között, 4-7 ’C túltelítettséggel, két percig,
- VI. réteg: p-InP (6) beágyazó réteg: 625-618 ’C között, 5-10 ’C túltelítettséggel, tizennégy percig,
- VÍI. réteg: p+GaInAsP (7) kontaktus réteg: 618 ’C-on, 3-5 ’C túltelítettséggel, egy percig;
A találmány szerinti lézerszerkezet folyadékepitaxiás növesztésének fizikai alapja a GalnAsP kis szögben eloríentált [100] felületeken történő szelektív gócképződése, melynek következtében az epitaxiás kristálynövekedés csak az (1) hordozó sík részein, a (9) csatornák alján, valamint a (9) csatornák közötti meza-csíkon megy végbe. Az n-InP (2) pufferréteg, valamint a p-InP (4) határoló réteg nagy túltelítettségekkel nő (10-15 ’C), annak érdekében, hogy teljesen befedje a duplacsatomás felületet, valamint, hogy elkerüljük a (3a) aktív réteg visszaoldódását a növesztés során.
Az n-InP (5) áramkorlátozó réteg a meza-csíkon nem növekedik, mivel a (9) csatornákban a növekedés gyorsabb, és a foszfor diffúziója a (9) csatornák felé lecsökkenti a meza feletti túltelítettséget.
A folyadékepitaxiás lépés utáni állapot a 2c ábrán látható.
A kontaktus fémezés során először a megnövesztett lézerszerkezetet tartalmazó szeletet (17) alsó (n) oldalán 120-120 pm-re vékonyítjuk, majd a (16) felső (p) oldalra Au/AuZn (20/140 nm) (8a) kontaktusfém réteget, a (17) alsó (n) oldalra AuGe/Ni/Au (300/70/100 nm) (8b) kontaktusfém réteget párologtatunk, és az így kialakított kontaktusokat 420 ’C-on tíz másodpercig hőkezeljük formáló gázban.
A kontaktus fémezési lépés utáni állapot a 2d ábrán látható.
A lézerchipet hasítással alakítjuk ki, majd megfelelő szelekciós mérések után hűtőtömbre szereljük és kivezetésekkel látjuk el.
A találmány szerinti lézerdióda kialakítása eltér az ismert lézerszerkezetektől, a különbségek a következők:
A DCPBH lézerszerkezettel szemben a találmány szerinti lézerdióda nemcsak a (9) csatornákon kívül, hanem magukban a (9) csatornákban is tartalmaz kis tilos sávú GalnAsP (3) réteget.
Az MSBH szerkezettel összehasonlítva a találmány szerinti lézerdióda alapvetően más szerkezetű, mivel a meza-csík két csatorna között helyezkedik el.
A találmány szerinti eljárás is eltér az ismert eljárásoktól.
A kétlépcsős epitaxiával készülő DCPBH lézerdióda előállítási eljárásával összehasonlítva a találmány szerinti lézerdióda előállítása egyszerűbb, mivel egylépcsős folyadékepitaxiás eljárással készül.
Az MSBH lézerdióda előállításával szembeni alapvető különbség, hogy míg a találmány szerinti eljárásban duplacsatomás (1) hordozóra növesztünk, addig az MSBH eljárás meza-csíkot tartalmazó hordozón alakítja ki a rétegszerkezetet.
A találmány szerinti eljárás foganatosítást módját egy példa kapcsán ismertetjük.
- A felhasznált (1) hordozó: 20x10x0,4 mm-es, polírozott InP szelet
- Orientáció: [100], a 10 mm-es oldalél az [110] iránnyal párhuzamos
- Töltéshordozó koncentráció: n: l,8xl0'8cm”3
- Diszlokáció sűrűség (EPD): 3xl04/cm2
Az (1) hordozó lapkát (10 ml/1 Br2,990 ml/1 metilalkohol) oldatban két percig marjuk, majd metilalkohollal öblítjük. Az (1) hordozón fotolitográfiával pozitív lakk felhasználásával alakítjuk ki a (9) csatornák előállításához szükséges (10) fotoreziszt maszkot. A lakkban kialakított ablakok [110] irányúak, 6 pm szélesek, páronként helyezkednek el egymástól 6,5 pm távolságra. Az egyes (9) csatornák távolsága 400 pm. A (9) csatornákat nedves kémiai maratással hozzuk létre. A marást 1 térfogatrész HBr: 1 térfogatrész ccK2Cr2O7:5 térfogatrész CH3COOH maróelegyben végezzük. A marási idő 30 másodperc. Az alámarás miatt a (9) csatornák szélessége 10 pm, mélységük 3,5 pm. A (9) csatornák között elhelyezkedő mezacsík szélessége két pm. A (10) fotoreziszt maszk eltávolítása után az (1) hordozó felületét 5 térfogatrész H2SO4: 1 térfogatrész H2O2: 1 térfogatrész H2O eleggyel tisztítjuk, majd desztillált vízzel és 5%-os HCl-val öblítjük. Az (1) hordozót N2-ben megszárítjuk és behelyezzük az epitaxiás reaktorba, ahol a növesztés kezdetéig H2 atmoszférában áll.
A lézerstruktúra egylépcsős folyadékepitaxiás növesztését kis hőtehetetlenségű, féligáteresztő Au-tükrös reaktorban végezzük, amelyen tisztított H2-t áramoltatunk át. Az epitaxiás rétegeket grafitcsónakban elhelyezett olvadékokból választjuk le a duplacsatomás (1) hordozóra. Az olvadékok elkészítéséhez 6N tisztaságú In-ot, adalékolatlan InP-ot, GaAs-et és InAs-et, valamint Sn-t, Te-t és Zn-et mint adalékanyagokat használunk. Az egyes olvadékok készítéséhez pl. a következő anyagokat mérjük be:
II. réteghez: 4,8128 g In; 40,47 mg InP; 120 mg Sn
III. réteghez: 4,6941 g In; 10,99 mg InP; 54,54 mg
GaAs; 289,81 mg InAs
IV. réteghez: 5,4843 g In; 45,23 mg InP; 43,07 mg
Zn-In ötvözet (5 g/kg Zn, 955 g/kg In)
V. réteghez: 5,1467 g In; 38,60 mg InP; 2,06 mg Te
VI. réteghez: 5,4411 g In; 39,17 mg InP; 43,53 mg
Zn-In ötvözet (5 g/kg Zn, 955 g/kg In) ι
HU 206 565 Β
VII. réteghez: 5,2972 g In; 20,86 mg InP; 21,96 mg GaAs; 201,82 mg InAs; 4,23 mg Zn
Az így bemért olvadékok összetétele a GalnAsP rendszer fázisdiagramjának ismeretében egyértelműen meghatározza azt a hőmérsékletet, ahol az olvadék telített. A GalnAsP rendszer fázisdiagramja a szakirodalomból ismert, azaz adott az összetétel és a telítési hőmérséklet közötti függvénykapcsolat (lásd: E. Kuphal: Journal of Crystal Growth, vol. 67, pp. 441— 457, 1984). Az összetétel által definiált telítési hőmérséklet és a rétegnövesztés tényleges hőmérséklete közötti különbséget nevezzük túlhűtésnek. Ennek °C-ban mérhető nagyságát tehát az olvadék összetétele és a növesztési hőmérséklet egyértelműen meghatározza.
A grafitkazettába elhelyezzük az anyagokat és az (1) hordozót, amelyet egy InP fedőszelettel védünk a termikus bomlástól. A reaktort hidrogénárammal átöblítjük, majd 670 °C-ra felfűtjük és fél órán át ezen a hőmérsékleten tartjuk, míg a bemért anyagok feloldódnak az In-ban. A 30 perces hőntartás után a rendszert 5 °C/perc sebességgel hűtjük 635 °C-ig, majd 635 °Ctól 610-ig 0,5 °C/perc hűtési sebességet állítunk elő. A rétegnövesztést 627 °C-on kezdjük úgy, hogy az első olvadékot rátoljuk az InP hordozóra.
A rétegeket lineáris hűtés közben a következő paraméterekkel növesztjük.
| réteg | T„ev°C | túltelítettség °C | növesztési idő |
| 11. | 627 | 10-15 | 20 sec |
| 111. | 627 | 3-5 | 5 sec |
| IV. | 627 | 10-15 | 30 sec |
| V. | 626-625 | 4-7 | 2 perc |
| VI. | 625-618 | 5-10 | 14 perc |
| VII. | 618 | 3-5 | 1 perc |
A (2) puffer réteget és a (4) határoló réteget nagy túltelítettséggel növesztjük, annak érdekében, hogy a duplacsatomás felületet folyamatosan befedje a növesztett réteg. A (3) réteg kis túltelítettséggel nő, így csak a sík részeken és a (9) csatornák alján, valamint a meza-csíkon nő.
A növesztés befejezése után az utolsó olvadékot letoljuk az (1) hordozóról és a berendezést gyorsan lehűtjük. A megnövesztett szelet felületét sósavas-peroxidos oldattal tisztítjuk meg a rátapadt In cseppektől. A szeletből a (9) csatornákra merőlegesen lehasítunk egy részt, amelyet lúgos K3[Fe(CN)6] oldattal (összetétel: 66,667 g/kg K3[Fe(CN)6], 100 g/kg KOH, 833,333 g/kg H2O) tíz másodpercig marunk, majd a mart felület elektromikroszkópos vizsgálatával mérjük az aktív réteg vastagságát és szélességét.
A hordozót 7 gm szemcseméretú SiC, majd 3-4 pm szemcseméretű A12O3 csiszolóporral a (17) alsó (n) oldalon 180 pm-re vékonyítjuk, ezt követően kémiaimechanikai módszerei polírozzuk (polírozószer: 200 ml/1 etilénglikol, 770 ml/1 metanol, 30 ml/1 Br2). A szelet végső vastagsága a művelet után 120 pm.
A szeletet vákuumpárologtatással készült kontaktusokkal látjuk el. A művelet során a fémeket 10“3—10~ 4 Pa vákuumban párologtatjuk el, a mintát nyolc cm távolságra helyezzük el a forástól. A (16) felső (p) oldali kontaktus készítéséhez 10 mg Au-t és 60 mg Au-Zn ötvözetet (100 mg/kg Au, 900 mg/kg Zn) mérünk be a párologtató csónakba és fel visszük a (8a) kontaktusfém réteget. A szeletet megfordítjuk és az (1) hordozó (17) alsó (n) oldalára Au-Ge/Ni (8b) kontaktusfém réteget viszünk fel. Forrásként 150 mg Au-Ge eutektikumot és 15 mg Ni-t használunk.
A párologtatás után a (8a és 8b) kontaktusfém rétegeket 420 °C-on 200 ml/1 H2-t tartalmazó formálógázban tíz másodpercig hőkezeljük. A hőkezelés után a szelet (17) alsó (n) oldalára párologtatással friss Au réteget viszünk fel. A mintát a párologtatás alatt kb. 150 °C-ra fűtjük fel, hogy az Au tapadását elősegítsük.
A fémezett szeletet 200x400 pm nagyságú lézerdíóda chipekre daraboljuk fel és a keletkezett chipeket „face down” elrendezésben In-al hűtőtömbre vagy megfelelő állványra forrasztjuk fel. A felső hozzávezetést a szokásos módon termokompresszióval vagy ultrahangos kötéssel alakítjuk ki.
A találmány szerinti lézerdióda több előnyös tulajdonsággal rendelkezik az ismert szerkezetű lézerdiódákkal szemben:
Az MSBH lézerdiódával szemben a találmány szerinti duplacsatomás lézerdióda szerkezet előnye, hogy beépített záró p-n átmeneteket tartalmaz, ezért nem szükséges az áramhatárolást oxid szigeteléssel megoldani.
A találmány szerinti lézerdióda esetében a technológia biztosítja a teljesen sík felületet, ezért ez a probléma nem jelentkezik.
A DCPBH szerkezettel szembeni előny, hogy az áramkorlátozó rétegszerkezet tökéletesebb, mivel (9) csatornákban is jelen lévő GalnAsP (3) réteg megakadályozza a zárórétegek letörését.
Az így előállított lézerdióda lehetővé teszi az 50%os hatásfokú működést. A lézerek küszöbárama folyamatos üzemmódban 20-50 mA és maximális teljesítményük eléri a néhányszor 10 mW-ot is. A távoltéri surágzáseloszlás félértékszélessége mind az átmenettel párhuzamosan, mind pedig arra merőlegesen 30-45°.
A találmány szerinti eljárás is előnyösebb az ismert eljárásoknál, s ezek az előnyök következők:
A találmány szerinti eljárás előnye az, hogy míg a DCPBH lézer esetében a csatornákat nedves kémiai maratással alakítják ki, és így a második folyadékepitaxiás lépés során az áramhatároló szerkezet egy kémiailag mart és vizes fázissal érintkezett felületre nő; addig a találmány szerinti eljárás során az összes réteg frissen növesztett kristályfelületre nő anélkül, hogy azt a hidrogénatmoszféra alól eltávolítanánk. Ennek következtében a találmány szerinti eljárás jó minőségű záró p-n átmeneteket biztosít, valamint jelentősen olcsóbb az így előállított lézerdióda.
Claims (3)
1. Duplacsatomás hordozójú, kettős heteroszerkezetű, beépített záró p-n átmenetet tartalmazó, eltemetett aktív rétegű InP/GalnAsP lézerdióda, amely InP hordozón épül fel, azzal jellemezve, hogy az orientált hordozóban (1) két párhuzamos csatorna (9) van, amely csatornák (9) között egy eltemetett GalnAsP aktív réteg (3a) helyezkedik el, amelyet minden oldalról nagyobb tilos sávú és kisebb törésmutatójú n- és p-típusú InP rétegek határolnak, mimellett a hordozón (1) n-típusú InP puffer réteg (2), ezen egy GalnAsP réteg (3) van, amely kis tilos sávú réteg (3) a csatornák (9) alján és a planár részeken helyezkedik el, majd ezen egy p-típusú határoló réteg (4) van, amelyen egy n-típusú áramkorlátozó réteg (5) található, amely áramkorlátozó réteg (5) a dióda aktív tartománya (13) felett megszakad, de a dióda aktív tartományon kívüli részeit (14, 15) befedi, ezen p-típusú InP beágyazó réteg (6), melyen egy p+-GaInAsP kontaktusréteg (7) helyezkedik el, s ezt felső (p) oldalán (16) egy Au/AuZn p-oldali kontaktusfém réteg (8a) borítja, míg a hordozó (1) alsó (n) oldalán (17) közvetlenül egy AuGe/Ni/Au n-oldali kontaktusfém réteg (8b) van, ezen rétegszerkezetet pedig a csatornákra (9) merőleges síkokban hasított tükörfelületek (11, 12) határolják.
2. Eljárás duplacsatomás hordozójú, kettős heteroszerkezetű, beépített záró p-n átmenetet tartalmazó, eltemetett aktív rétegű InP/GalnAsP íézerdióda előállítására egylépcsős folyadékepitaxiális módszerrel, amelynél a hordozót egy adott kristálytani iránynak megfelelően orientáljuk, majd a hordozó felületén fotolitográfiával maratási ablakokat állítunk elő, ezután maratjuk a hordozó felületét, és a hordozó felületének megtisztítása után folyadékepitaxiás rétegnövesztéssel elkészítjük a lézerszerkezetet, majd a kész lézerszerkezet felső (p) oldalára, valamint alsó (n) oldalára fémezéssel kontaktusréteget viszünk fel, ezt követően pedig a lézerchipeket hasítással alakítjuk ki, azzaljellemezve, hogy először egy [110] kristálytani iránnyal párhuzamos csatornákkal (9) rendelkező duplacsatomás hordozót (1) állítunk elő ismert eljárással, majd az ily módon előállított duplacsatomás InP hordozót (1) epitaxiális reaktorba helyezzük, s egylépcsős epitaxiával előállítjuk a lézerszerkezetet oly módon, hogy a következő rétegeket növesztjük a duplacsatomás InP hordozóra (1) az alábbi módon és sorrendben:
- n-InP puffer réteget (2) előnyösen 627 °C-on, (4,8128 g In; 40,47 mg InP; 120 mg Sn) összetételű olvadékból, 20 sec-ig,
- GalnAsP réteget (3) és aktív réteget (3a), előnyösen 627 °C-on, (4,6941 g In; 10,99 mg InP; 54,54 mg GaAs; 289,81 mg InAs) összetételű olvadékból, 5 sec-ig,
- p-InP határoló réteget (4), előnyösen 627 °C-on, (5,3843 g In; 45,23 mg InP; 43,07 mg Zn-In ötvözet (5 g/kg Zn, 955 g/kg In) összetételű olvadékból, 30 sec-ig,
- n-InP áramkorlátozó réteget (5), előnyösen 626625 °C között, (5,1467 g In; 38,60 mg InP; 2,06 mg Te) összetételű olvadékból, 2 percig,
- p-InP beágyazó réteget (6), előnyösen 625618 °C között, (5,4411 g In; 39,17 mg InP; 43,53 mg Zn-In ötvözet (5 g/kg Zn, 955 g/kg In) összetételű olvadékból, 14 percig,
- p+GaInAsP kontaktus réteget ¢7), előnyösen 618 °C-on, (5,2972 g In; 20,86 mg InP; 21,96 mg GaAs; 201,82 mg InAs; 4,23 mg Zn) összetételű olvadékból, 1 percig.
3. A 2. igénypont szerinti eljárás, azzaljellemezve, hogy az orientációs lépésnél az [110] irányt úgy azonosítjuk, hogy először a hasított szelet [100] felületét 3 térfogatrész HBr: 1 térfogatrész HN03 eleggyel, majd 3 térfogatrész H2SO4: 1 térfogatrész H2O2 eleggyel maratjuk, majd kiválasztjuk mikroszkóp alatt a keletkezett aszimmetrikus alakú marási gödrök hosszabbik tengelyét.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| HU886432A HU206565B (en) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | Inp/gainasp laser diode of burried active layer, having built-in blocking layer, of double heterostructure and method for making said laser diode by one-stage liquid epitaxial procedure |
| EP19890123072 EP0373637A3 (en) | 1988-12-15 | 1989-12-13 | Inp/galnasp double heterostructure laser diode with buried active layer, and method for its production |
| CA002005555A CA2005555A1 (en) | 1988-12-15 | 1989-12-14 | Inp/gainasp double heterostructure laser diodes containing built-in closing p-n junctions on a double channeled substrate, with buried active layer and its production by means of the one-step liquid phase epitaxy |
| IL92701A IL92701A0 (en) | 1988-12-15 | 1989-12-14 | Inp/gainasp double heterostructure laser diodes and their production |
| KR1019890018779A KR940007604B1 (ko) | 1988-12-15 | 1989-12-15 | Inp/GaInAsp 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 |
| DD89335747A DD290078A5 (de) | 1988-12-15 | 1989-12-15 | Inp/gainasp laser-diode mit vergrabener aktivschicht, mit doppelkanaltraeger und mit doppeltem, eingebauten, sperrenden heterostruktur enthaltenden p-n uebergang, und deren herstellung unter anwendung der einstufigen fluessigkeitsepitaxialen methode |
| JP1324112A JPH03136289A (ja) | 1988-12-15 | 1989-12-15 | ダブルヘテロ構造ダイオード及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| HU886432A HU206565B (en) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | Inp/gainasp laser diode of burried active layer, having built-in blocking layer, of double heterostructure and method for making said laser diode by one-stage liquid epitaxial procedure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HUT55924A HUT55924A (en) | 1991-06-28 |
| HU206565B true HU206565B (en) | 1992-11-30 |
Family
ID=10971624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| HU886432A HU206565B (en) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | Inp/gainasp laser diode of burried active layer, having built-in blocking layer, of double heterostructure and method for making said laser diode by one-stage liquid epitaxial procedure |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0373637A3 (hu) |
| JP (1) | JPH03136289A (hu) |
| KR (1) | KR940007604B1 (hu) |
| CA (1) | CA2005555A1 (hu) |
| DD (1) | DD290078A5 (hu) |
| HU (1) | HU206565B (hu) |
| IL (1) | IL92701A0 (hu) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5341001A (en) * | 1992-02-13 | 1994-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode |
| JPH07288361A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2699888B2 (ja) * | 1994-09-20 | 1998-01-19 | 日本電気株式会社 | 埋め込み型ｐ型基板半導体レーザ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864084A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| EP0083697B1 (en) * | 1981-10-19 | 1987-09-09 | Nec Corporation | Double channel planar buried heterostructure laser |
| JPS58131785A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-05 | Nec Corp | 単一軸モ−ド発振半導体レ−ザ |
| JPS60137087A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62268182A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | Canon Inc | 半導体レ−ザ装置 |
-
1988
- 1988-12-15 HU HU886432A patent/HU206565B/hu not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-12-13 EP EP19890123072 patent/EP0373637A3/en not_active Withdrawn
- 1989-12-14 CA CA002005555A patent/CA2005555A1/en not_active Abandoned
- 1989-12-14 IL IL92701A patent/IL92701A0/xx unknown
- 1989-12-15 DD DD89335747A patent/DD290078A5/de not_active IP Right Cessation
- 1989-12-15 JP JP1324112A patent/JPH03136289A/ja active Pending
- 1989-12-15 KR KR1019890018779A patent/KR940007604B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL92701A0 (en) | 1990-09-17 |
| DD290078A5 (de) | 1991-05-16 |
| EP0373637A2 (en) | 1990-06-20 |
| KR940007604B1 (ko) | 1994-08-20 |
| CA2005555A1 (en) | 1990-06-15 |
| EP0373637A3 (en) | 1990-12-27 |
| JPH03136289A (ja) | 1991-06-11 |
| HUT55924A (en) | 1991-06-28 |
| KR900011085A (ko) | 1990-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6429463B1 (en) | Semiconductor device structures incorporating “buried” mirrors and/or “buried” metal electrodes and a process for their fabrication | |
| EP0616377B1 (en) | Semiconductor light-emitting element and method for its manufacturing | |
| US6797532B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US4722092A (en) | GaInAsP/InP distributed feedback laser | |
| US4777148A (en) | Process for making a mesa GaInAsP/InP distributed feedback laser | |
| US20020070125A1 (en) | Method for lift-off of epitaxially grown semiconductors by electrochemical anodic etching | |
| JP2708165B2 (ja) | 半導体構造およびその製造方法 | |
| US4575742A (en) | Epitaxial wafer for use in the production of an infrared LED | |
| US4994143A (en) | Method for manufacturing a buried heterostructure laser diode | |
| US4372791A (en) | Method for fabricating DH lasers | |
| JPH07193275A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| US4287485A (en) | GaInAsP/InP Double-heterostructure lasers | |
| HU206565B (en) | Inp/gainasp laser diode of burried active layer, having built-in blocking layer, of double heterostructure and method for making said laser diode by one-stage liquid epitaxial procedure | |
| Lo | Cd‐diffused Pb1− xSnxTe lasers with high output power | |
| JPH08116088A (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| EP0095895B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP3460181B2 (ja) | 垂直共振器型発光素子及びその製造方法 | |
| JPH07254750A (ja) | 半導体レーザ | |
| US6433365B1 (en) | Epitaxial wafer and light emitting diode | |
| JPH05218585A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0437598B2 (hu) | ||
| Johnson et al. | Orientation dependent p-type conversion of Fe: InP in hydride VPE regrown EMBH lasers | |
| EP0786147A2 (en) | Ridge-shaped laser in a channel | |
| JPH0730150A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| CA1139411A (en) | Contemporaneous fabrication of double heterostructure light emitting diodes and laser diodes using liquid phase epitaxy |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HMM4 | Cancellation of final prot. due to non-payment of fee |