FR63200E - Procédé de préparation de dispositifs utilisant des couches de transition entre semiconducteurs des types p et n - Google Patents
Procédé de préparation de dispositifs utilisant des couches de transition entre semiconducteurs des types p et nInfo
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Family Applications (1)
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Families Citing this family (1)
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| DE19638090C2 (de) * | 1996-09-18 | 2001-11-29 | Infineon Technologies Ag | Stromanschluß für Leistungshalbleiterbauelement |
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1952
- 1952-08-29 FR FR63200D patent/FR63200E/fr not_active Expired
Also Published As
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