FR3125383A1 - Procédé d'implantation d'espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique - Google Patents
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Abstract
L’invention concerne un procédé d’implantation d’espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique, comprenant les étapes de I) fournir un substrat (100, 200, 300) comprenant une partie piézoélectrique (112, 210, 310) et une partie électriquement conductrice (122, 320), III) monter le substrat (100, 200, 300) avec la partie électriquement conductrice (122, 320) sur un porte-substrat (140), et IV) implanter des espèces atomiques (170) dans la partie piézoélectrique (112, 210, 310). Figure pour l’abrégé : Figure 1
Description
L'invention concerne un procédé d’implantation d’espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique, plus particulièrement une implantation à haute densité dans des substrats piézoélectriques massifs.
La fabrication de plaquettes piézoélectrique sur isolant (POI) nécessite l'utilisation d'un processus d’implantation, en particulier d'un processus d'implantation à haute densité.
L'implantation d’ions a lieu dans un dispositif d'implantation dans lequel plusieurs substrats sont soumis à un faisceau ionique. Pour une implantation sur toute la surface, les substrats sont montés sur une roue d'implantation rotative et/ou se déplaçant en translation, de sorte que toute la surface passe sous le faisceau ionique. Des moyens de maintien, comme des pinces, sont utilisés pour fixer le substrat sur la roue d'implantation à l'encontre des forces de rotation. Habituellement, les moyens de maintien sont des éléments de maintien métalliques fixes qui sont également configurées pour drainer des charges électriques générées pendant l’implantation ionique.
Un processus d'implantation à haute densité a pour résultat l'accumulation de charges dans le substrat piézoélectrique soumis à une implantation. En même temps, un gradient de température élevé est observé dans le substrat pendant l’implantation, menant à une déformation sous la forme d’une cuvette et d’un gauchissement du substrat piézoélectrique. En conséquence, les charges et la chaleur ne peuvent pas être suffisamment dissipées dans un porte-substrat métallique utilisé dans la chambre d'implantation. Pour remédier à ce problème, le substrat piézoélectrique est placé sur une couche d'élastomère prévue sur le porte-substrat métallique. Cette couche d’élastomère fournit un contact électrique entre le substrat piézoélectrique et le porte-substrat. Les éléments de maintien métalliques fixes sont utilisés pour fournir un contact électrique entre le substrat piézoélectrique et le porte-substrat. Le contact électrique obtenu est cependant uniquement un contact ponctuel entre le substrat piézoélectrique et le porte-substrat.
Cependant, une rupture du substrat piézoélectrique est toujours observée, qui est attribuée à une évacuation de charges toujours insuffisante.
Par conséquent, la dissipation de charges hors d'un substrat piézoélectrique a besoin d'être améliorée davantage.
Le but de l'invention est atteint par un procédé d'implantation d'espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique, comprenant les étapes consistant àde a) fournir un substrat, comprenant une partie piézoélectrique et une partie électriquement conductrice, b) monter le substrat avec la partie électriquement conductrice sur un porte-substrat, et c) implanter des espèces atomiques dans la partie piézoélectrique.
Comme expliqué ci-dessus, l'implantation est effectuée dans la partie piézoélectrique, et a pour résultat une accumulation de charges dans la partie piézoélectrique. L'utilisation d'une partie électriquement conductrice dans le substrat à implanter a cependant pour résultat une évacuation améliorée des charges à partir de la partie piézoélectrique car les charges peuvent facilement s'accumuler à l'extérieur de la partie piézoélectrique, réduisant ainsi la contrainte et réduisant le risque de rupture.
Selon une variante, l'étape b) peut comprendre fournir une couche d'élastomère entre le porte-substrat et la partie électriquement conductrice du substrat. Ainsi, la partie électriquement conductrice du substrat est isolée du porte-substrat.
Selon une variante de l'invention, l'étape a) peut comprendre fixer un substrat piézoélectrique formant la partie piézoélectrique sur un substrat électriquement conducteur formant la partie électriquement conductrice du substrat. Fixer deux substrats ensemble, par exemple par adhérence moléculaire, est un processus de fixation fiable.
Selon une variante de l'invention, l'étape I) peut comprendre en outre une étape d’amincir le substrat piézoélectrique pour obtenir une couche piézoélectrique, en particulier avec une épaisseur comprise entre 1 µm et 100 µm. L’amincissement du substrat piézoélectrique réduit la longueur du trajet pour les charges pour atteindre la partie électriquement conductrice. Ainsi, l'accumulation de charges peut être réduite encore davantage.
Selon une variante de l'invention, le substrat piézoélectrique et le substrat électriquement conducteur sont choisis de telle sorte que la différence de coefficients de dilatation thermique est inférieure à 50*10-6K-1, de préférence 20*10-6K-1. En faisant correspondre les coefficients de dilatation thermique, l’utilisation d'un substrat électriquement conducteur avec des paramètres de dilatation thermique qui s'adaptent aux paramètres de dilatation thermique du substrat piézoélectrique fournit un substrat qui va supporter des gradients thermiques sans se rompre ni présenter des détériorations au niveau de l'interface entre le substrat piézoélectrique et le substrat électriquement conducteur.
Selon une variante de l'invention, l'étape de fixer le substrat électriquement conducteur avec le substrat piézoélectrique est réalisée utilisant une couche de liaison entre les deux substrats. L’utilisation d'une couche de liaison fournit un plus large choix de matériaux appropriés pour le substrat électriquement conducteur et les substrats piézoélectriques.
Selon une variante de l'invention, la couche de liaison peut être une couche de liaison conductrice, en particulier une couche métallique. À nouveau, ceci a pour résultat un processus plus versatile, avec un degré de liberté plus élevé pour choisir le substrat électriquement conducteur. En effet, la couche de liaison peut également améliorer l'évacuation de charges à partir du substrat piézoélectrique vers le substrat électriquement conducteur, même lorsqu'un substrat faiblement conductrice électriquement est utilisé en tant que substrat électriquement conducteur.
Selon une variante de l'invention, l'étape de fournir la partie électriquement conductrice peut comprendre fournir une ou plusieurs cavités dans le côté du substrat faisant face au porte-substrat, et de remplir une ou plusieurs cavités avec un matériau conducteur, en particulier un métal.
Fournir des cavités métalliques remplies dans la partie inférieure du substrat piézoélectrique a pour résultat une conductivité améliorée dans cette partie du substrat piézoélectrique. Ainsi, l'évacuation de charges du substrat piézoélectrique est améliorée car le trajet vers une partie présentant une conductivité plus élevée est réduit.
Selon une variante, le substrat piézoélectrique est un substrat piézoélectrique massif, en particulier une plaquette piézoélectrique massive. L’utilisation de la partie électriquement conductrice permet d’implanter des matériaux piézoélectriques pour des épaisseurs du matériau piézoélectrique de plus de 20 µm, en particulier de plus de 100 µm.
Selon une variante de l'invention, le substrat peut avoir une conductivité de 104S/cm ou plus. Dans ce contexte, une partie électriquement conductrice peut être réalisée en utilisant un matériau métallique ou semi-conducteur. Les matériaux préférés sont par exemple un substrat de Si, ou un substrat métallique, par exemple en molybdène, aluminium ou tungstène.
Selon une variante, l'étape b peut être réalisée de telle sorte que la partie électriquement conductrice et/ou la couche de liaison est/sont en contact électrique avec au moins un élément de maintien métallique connecté électriquement au porte-substrat. Du fait de la connexion électrique entre la partie électriquement conductrice et/ou la couche de liaison du substrat, les charges accumulées dans la partie piézoélectrique peuvent se déplacer hors de la partie piézoélectrique, et être évacuées par l’élément de maintien métallique. Cette évacuation de charges réduit le risque d'apparition de déformation de substrat et d'une contrainte élevée, et réduit par conséquent le risque de rupture.
Selon une variante, dans l'étape c), une zone de division prédéterminée peut être prévue dans la partie piézoélectrique et le procédé peut en outre comprendre une étape d) de fixer la partie piézoélectrique du substrat piézoélectrique sur un substrat de manipulation, et une étape e) de détacher le reste du substrat piézoélectrique au niveau de la zone de division prédéterminée pour transférer une couche du substrat piézoélectrique jusque sur le substrat de manipulation. A l’aide de ce procédé, des substrats piézoélectriques sur isolant (POI) peuvent être réalisés, qui ont un nombre réduit de défauts qui peuvent survenir du fait d’une contrainte pendant l'étape d'implantation.
L'invention peut être comprise en se reportant à la description qui suit considérée conjointement avec les dessins annexés sur lesquels des références numériques identifient les caractéristiques de l'invention.
La illustre schématiquement un procédé d'implantation d’espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique massif selon un premier mode de réalisation de l'invention.
La illustre schématiquement un procédé d'implantation d'espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique massif selon une variante du premier mode de réalisation de l'invention.
La illustre schématiquement un procédé d'implantation d'espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique massif selon un deuxième mode de réalisation de l'invention.
La montre schématiquement un procédé d'implantation d’espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique 100 selon le premier mode de réalisation de l'invention.
Le procédé comprend une première étape I), correspondant à l'étape a) du procédé inventif, consistant à fournir un substrat piézoélectrique 110 et un substrat électriquement conducteur 120.
Le substrat piézoélectrique 110, dans ce mode de réalisation, est un substrat piézoélectrique massif, par exemple une plaquette piézoélectrique massive d'une épaisseur comprise entre 200 µm et 700 µm. L'invention concerne des matériaux piézoélectriques tels que LiTaO3, LiNbO3, Quartz, BaTiO3, Pb(Zr x Ti 1-x )O3, GaPO4, GaAsO4, AlPO4, FePO4,PbTiO3,KNbO3,BiFeO3,Pb(Zn1/3Nb2/3)1- x Ti x O3, Pb(Mg1/3Nb2/3)1- x Ti x O3, Pb(Sc1/2Nb1/2)1- x Ti x O3. En général, la conductivité électrique de substrats piézoélectriques 110 est faible, de l’ordre de 10-11S/cm ou moins.
Le substrat électriquement conducteur 120 peut être un substrat semi-conducteur, par exemple un substrat de Si, ou un substrat métallique, par exemple un substrat de molybdène, d’aluminium ou de tungstène. Les substrats semi-conducteurs sont intéressants car ils satisfontc les spécifications de ligne de production en termes de contamination métallique. Les métaux présentent une conductivité supérieure, mais doivent être choisis de telle sorte qu'ils satisfassent les spécifications de contamination métallique de la ligne de fabrication.
Le substrat électriquement conducteur 120 présente une conductivité supérieure à la conductivité du substrat piézoélectrique 110, de l'ordre de 10-4S/cm ou plus.
En outre, le matériau du substrat électriquement conducteur 120 est choisi de telle sorte que son coefficient de dilatation thermique correspond à celui du substrat piézoélectrique 110, comme cela va être expliqué ultérieurement. De préférence, la différence de coefficient de dilatation thermique est inférieure à 20*10-6K-1.
Ensuite, le substrat piézoélectrique 110 est fixé sur le substrat électriquement conducteur 120 pour former un substrat 100, comme illustré par l'étape II). Le substrat 100 comprend une partie piézoélectrique 112, réalisée par le substrat piézoélectrique 110, et une partie électriquement conductrice 122, réalisée par le substrat électriquement conducteur 120.
Dans ce mode de réalisation, le substrat piézoélectrique 110 est fixé sur le substrat électriquement conducteur 120 en utilisant une couche de liaison 130.
La couche de liaison 130 peut être une couche électriquement conductrice ou une couche non conductrice. Par exemple, la couche de liaison 130 peut être une couche métallique, qui fournirait un degré de liberté supérieur lors du choix du substrat électriquement conducteur 120.
Avant e fixer les deux substrats, la couche de liaison 130 peut être fournie sur le substrat piézoélectrique 110 ou sur le substrat électriquement conducteur 120 par un processus connu dans la technique. Dans une variante, une couche de liaison peut être fournie sur chacun des substrats 110 et 120. Une ou plusieurs couches supplémentaires peuvent être présentes entre le substrat piézoélectrique 110 et le substrat électriquement conducteur 120. Par exemple, une couche de SiO2mince ou une couche riche en pièges pour améliorer davantage les propriétés électriques et thermiques.
Dans une variante, l'étape II) de fixer peut également être une étape de liaison directe, où le substrat piézoélectrique 110 est fixé directement sur le substrat électriquement conducteur 120, par exemple via une liaison par adhérence moléculaire.
Un traitement thermique peut suivre l'étape de fixation entre le substrat piézoélectrique 110 et le substrat électriquement conducteur 120 pour renforcer la liaison entre les deux substrats.
Ensuite, le substrat 100 est monté sur un porte-substrat 140 d'un dispositif d'implantation d'espèces atomiques, comme illustré par l'étape III) correspondant à l'étape b) selon le procédé inventif.
Le substrat 100 est monté sur le porte-substrat 140 via sa surface principale 124, qui est la surface libre du substrat électriquement conducteur 120. La surface 124 est la surface principale libre du substrat électriquement conducteur opposée à la surface où une fixation est survenue.
Comme illustré, le substrat 100 n’est pas monté directement sur le porte-substrat 140 mais sur une couche d’élastomère 150 fournie précédemment sur la surface 142 du porte-substrat 140. La couche d’élastomère 150 est par exemple une matrice de silicone comme du PDMS (polydiméthylsiloxane) et présente une épaisseur comprise entre 50 µm et 500 µm. La couche d'élastomère 150 est utilisée pour compenser des déformations du substrat 100, comme une cuvette et un gauchissement, pendant l'étape d'implantation consécutive. Comme décrit ci-dessus, la couche d’élastomère 150 fournit en outre un contact thermique entre le substrat 100 et le porte-substrat métallique 140 pour permettre une dissipation de chaleur.
Le porte-substrat 140 comprend en outre une ou plusieurs éléments de maintien métalliques 160 pour maintenir le substrat 100 en place lorsque le porte-substrat 140 tourne avec la roue d'implantation (non représentée).
À la suite du positionnement du substrat 100 sur la couche d'élastomère 150, des ions 170 sont implantés dans le substrat 100 comme illustré dans l'étape IV) correspondant à l’étape c) du procédé inventif. Des espèces atomiques typiques sont de l'hydrogène ou un gaz noble, comme l'hélium. L'implantation ionique est utilisée pour réaliser une couche affaiblie mécaniquement 172 à l'intérieur de la partie piézoélectrique 112. Cette couche affaiblie mécaniquement 172 peut servir de zone de division prédéterminée dans un processus de transfert de couche consécutif pour obtenir ce qu'on appelle un substrat piézoélectrique sur isolant ou substrat POI.
Les ions 170 sont implantés en utilisant un processus d'implantation à haute densité avec des courants de faisceau ionique de l'ordre de 1 mA à 25 mA.
Puisque les ions 170 sont implantés dans la partie piézoélectrique 112 du substrat 100, et puisque la partie piézoélectrique 112 présente une faible conductivité, la partie piézoélectrique 112 du substrat 100 aurait souffert d'une telle accumulation de charges pendant le processus d'implantation ionique tel que décrit ci-dessus par rapport à l'état de la technique. Du fait de la présence de la partie électriquement conductrice 122 et/ou de la couche de liaison 130 du substrat 100 selon l'invention, ces charges peuvent être déplacées hors de la partie piézoélectrique 112, ce qui réduit le risque de la survenance d'une déformation du substrat et d’une contrainte élevée, et réduit par conséquent le risque de rupture.
De plus, la concordance des coefficients de dilatation thermique de la partie piézoélectrique 112 par rapport à la partie électriquement conductrice 122 réduit la contrainte à l’intérieur du substrat et réduit ou même empêche l’apparition de fissures ou de défauts à l'intérieur du substrat 100, en particulier au niveau de l’interface entre la partie électriquement conductrice 122 et la partie piézoélectrique 112.
La partie électriquement conductrice 122 et/ou la couche de liaison 130 est/sont en contact électrique 162 avec un ou plusieurs éléments de maintien métalliques 162. Ainsi, une fois que les charges électriques 180 sont entrées dans la partie électriquement conductrice 122 et/ou la couche de liaison 130, les charges 180 sont évacuées via les un ou plusieurs éléments de maintien métalliques 160 et le porte-substrat 140, qui est mis à la masse.
De préférence, le porte-substrat 140 et les un ou plusieurs éléments de maintien métalliques 160 sont réalisés en le même matériau métallique, en particulier en aluminium.
Ainsi, en utilisant le substrat 100 selon l'invention, le processus d’implantation inventif fournit une évacuation améliorée de charges par comparaison au processus d'implantation de l'état de la technique.
La illustre une variante du premier mode de réalisation. Dans ce mode de réalisation, les étapes I) et II) sont identiques au premier mode de réalisation, et ne seront par conséquent pas décrites à nouveau, mais il sera fait référence à leur description ci-dessus. Après l'étape II) de fixation du substrat piézoélectrique 110 et de la partie électriquement conductrice 120, une étape de processus supplémentaire II_2) d'amincissement de la partie piézoélectrique 110 du substrat 100 est réalisée pour obtenir un substrat modifié 200.
Cette étape d'amincissement peut être réalisée utilisant un processus mécanique ou un processus de gravure chimique comme ceux connus dans la technique et adaptés à des substrats piézoélectriques. L'étape d'amincissement peut être accompagnée par des étapes de processus supplémentaires, comme un polissage après l’étape d’amincissement pour améliorer la qualité de la surface 212 de la partie piézoélectrique amincie 210.
La partie piézoélectrique amincie 210 est amincie jusqu'entre environ 100 µm à 1 µm par rapport au matériau massif.
Les étapes III) et IV) sont ensuite réalisées de la même manière que décrite ci-dessus, excepté qu'un substrat modifié 200 avec la partie piézoélectrique amincie 210 est utilisé à la place du substrat 100. Il est par conséquent fait référence à la description des étapes III) et IV) ci-dessus par rapport à la .
Les ions implantés 170 réalisent une zone de division prédéterminée 172 et des charges 180 sont évacuées via la couche de liaison 130 et/ou la partie électriquement conductrice 122.
L’amincissement du substrat piézoélectrique 110 améliore davantage l’évacuation de charges 180 hors de la partie piézoélectrique 210.
Selon un second mode de réalisation, tel que représenté sur la , le substrat 300 est réalisé sans fixer un substrat piézoélectrique sur un substrat électriquement conducteur. Dans ce mode de réalisation, seul un substrat piézoélectrique 310 est prévu, voir étape I) sur la . Le substrat piézoélectrique 310 présente les mêmes propriétés que le substrat piézoélectrique 110 décrit ci-dessus.
Ensuite, pendant l'étape II_1), une ou plusieurs cavités 312 sont réalisées dans une surface principale 314 du substrat piézoélectrique 310 en utilisant des étapes de réalisation de motif et de gravure connues dans la technique. Selon un exemple, les cavités 312 peuvent former un motif régulier ou une matrice, et peuvent toutes être de la même taille.
Ensuite, comme illustré par l'étape II_2), les cavités 312 sont remplies d’un matériau conducteur 316, en particulier un métal, utilisant un processus de dépôt connu dans la technique, pour former la partie électriquement conductrice 320. Le processus de dépôt peut être/est effectué de telle sorte qu'une couche conductrice 318 est réalisée sur la surface 314 pour interconnecter le matériau conducteur 316. La partie du substrat 300, comprenant le matériau conducteur 316 à l'intérieur des cavités 316 et la couche 318 forme la partie électriquement conductrice 320 selon l'invention.
Ensuite, une étape III) de positionner sur une roue de dispositif d'implantation et l'état IV) d'implantation d’ions 170 sont réalisées comme dans le premier mode de réalisation utilisant le même porte-substrat 140 avec la couche d’élastomère 150 et l’élément de maintien métallique 160. Leur description ne sera par conséquent pas répétée, mais référence est faite à la description des figures 1 et 2.
Dans ce mode de réalisation, les charges sont collectées via la matrice de cavités remplies 312 et l’évacuation des charges 380 est réalisée via la couche 318, qui est en contact 162 avec l’élément de retenue métallique 160, à partir de la partie piézoélectrique 310 vers la partie électriquement conductrice 320.
Du fait de la conductivité améliorée du substrat 300 comprenant les cavités 312 remplies de matériau conducteur 316, formant ainsi la partie électriquement conductrice 320 du substrat 300, les charges peuvent être évacuées de la partie piézoélectrique 310 à travers la partie électriquement conductrice 320 vers le porte-substrat mis à la masse 340.
Le substrat piézoélectrique inventif 100, 200 ou 300 peut être utilisé en tant que substrat donneur dans un processus de transfert de couche consécutif pour transférer une couche mince du matériau piézoélectrique sur un substrat de manipulation afin de former ainsi un substrat piézoélectrique sur isolant. Dans un tel processus, le substrat piézoélectrique inventif 100, 200 ou 300 est fixé avec la surface de la partie piézoélectrique 110, 210 ou 310, par exemple par liaison, sur un substrat de manipulation, par exemple une plaquette de silicium avec ou sans couche supplémentaire sur la surface au niveau de laquelle une liaison a lieu. Le transfert de la couche piézoélectrique survient ensuite au niveau de la couche affaiblie mécaniquement 172 à l'intérieur de la partie piézoélectrique 110, 210, 310 en appliquant une charge thermique ou mécanique.
Plusieurs modes de réalisation de l'invention ont été décrits. Néanmoins, il convient de comprendre que diverses modifications et améliorations peuvent être apportées sans sortir de la portée des revendications annexées.
Claims (12)
- Procédé d’implantation d’espèces atomiques dans un substrat piézoélectrique, comprenant les étapes consistant à :
a) fournir un substrat (100, 200, 300) comprenant une partie piézoélectrique (112, 210, 310) et une partie électriquement conductrice (122, 320),
b) monter le substrat (100, 200, 300) avec la partie électriquement conductrice (122, 320) sur un porte-substrat (140), et
c) implanter des espèces atomiques (170) dans la partie piézoélectrique (112, 210, 310). - Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape b) comprend la fourniture d’une couche d’élastomère (150) entre le porte-substrat (140) et la partie électriquement conductrice (122, 320) du substrat (100, 200, 300).
- Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’étape a) comprend fixer un substrat piézoélectrique (110) formant la partie piézoélectrique (112, 210) à un substrat électriquement conducteur (120) formant la partie électriquement conductrice (122) du substrat (100, 200).
- Procédé selon la revendication 3, dans lequel l’étape a) comprend en outre amincir le substrat piézoélectrique (110) pour obtenir une couche piézoélectrique (210), en particulier avec une épaisseur entre 1 µm et 100 µm.
- Procédé selon l’une quelconque des revendications 3 ou 4, dans lequel le substrat piézoélectrique (110, 310) et le substrat électriquement conducteur (120) sont choisis de telle sorte que la différence de coefficients de dilatation thermique est inférieure à 50*10-6K-1, de préférence inférieure à 20*10-6K-1.
- Procédé selon l’une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel l’étape de fixer le substrat électriquement conducteur (120) avec le substrat piézoélectrique (110) est réalisée utilisant une couche de liaison (130) entre le substrat piézoélectrique (110) et le substrat électriquement conducteur (120).
- Procédé selon la revendication 6, dans lequel la couche de liaison (130) est une couche de liaison conductrice, en particulier une couche métallique.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel l’étape de fournir la partie électriquement conductrice (320) comprend fournir une ou plusieurs cavités (312) dans le côté (314) du substrat (300) faisant face au porte-substrat (140) et remplir une ou plusieurs cavités (312) avec un matériau conducteur (316), en particulier un métal.
- Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le substrat piézoélectrique (110, 310) est un substrat piézoélectrique massif, en particulier une plaquette piézoélectrique massive, de préférence avec une épaisseur supérieure à 20 µm, encore plus particulièrement avec une épaisseur supérieure à 100 µm.
- Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le substrat (100, 200, 300) a une conductivité de 10-4S/cm ou plus.
- Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l’étape b) de monter le substrat (100, 200, 300) sur le porte-substrat (140) est réalisée de telle sorte que la partie électriquement conductrice (122, 320) et/ou la couche de liaison (130) est/sont en contact électrique (162) avec au moins un élément de maintien métallique (160) connecté électriquement au porte-substrat (140).
- Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel pendant l’étape c), une zone de division prédéterminée (172) est prévue dans la partie piézoélectrique (112, 210, 310), et
comprenant en outre une étape d) de fixer la partie piézoélectrique (112, 210, 310) du substrat piézoélectrique (110, 210, 310) à un substrat de manipulation et une étape e) de détacher du reste du substrat piézoélectrique (110, 210, 310) au niveau de la zone de division prédéterminée (172) pour transférer une couche du substrat piézoélectrique (110, 210, 310) sur le substrat de manipulation.
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