FR3103828A1 - Dispositif comprenant des nanofils - Google Patents
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Abstract
Description
-un premier composé définissant une source de cations métalliques ; et
-un deuxième composé comprenant une source d'ions hydroxyde, de sulfure ou de séléniure,
-les concentrations des premier et deuxième composés et/ou leur rapport étant inférieures à un seuil de concentration dudit bain chimique, ledit seuil étant de sorte que, lorsque les concentrations sont inférieures audit seuil, une croissance desdites portions parallèlement à ladite couche est favorisée par rapport à une croissance desdites portions dans une direction d'épaisseur de ladite couche, ledit seuil étant de préférence de l'ordre de 10 mM ; et/ou
-le bain chimique comprenant un ou plusieurs additifs adaptés à favoriser une croissance desdites portions parallèlement à ladite couche par rapport à une croissance desdites portions dans la direction d'épaisseur de ladite couche, de préférence des ions citrate ou chlorure ; et/ou
-le premier composé étant en concentration surstoechiométrique par rapport au deuxième composé.
-lesdits cations métalliques sont des cations d'au moins un métal dans le groupe constitué par Zn, Cd, Ni, Ag, et Cu ; et/ou
-le premier composé comprend au moins un composant dans le groupe constitué par les nitrates, les acétates, les chlorures, et les sulfates ; et/ou
-le deuxième composé comprend au moins un composant dans le groupe constitué de HTMA, de l'ammoniac, de l'hydroxyde de sodium, de la thiourée, de la sélénourée, et du sélénite de sodium.
-un premier composé définissant une source de cations métalliques ; et
-un deuxième composé comprenant une source d'ions hydroxyde, de sulfure ou de séléniure,
-les concentrations des premier et deuxième composés et/ou leur rapport étant supérieures à un seuil de concentration du bain chimique pour former les deuxièmes parties, le seuil de concentration du bain chimique pour former les deuxièmes parties étant de sorte que, lorsque les concentrations sont supérieures à ce seuil, une croissance des deuxièmes parties orthogonalement à ladite couche est favorisée par rapport à une croissance des deuxièmes parties parallèlement à ladite couche, le seuil de concentration du bain chimique pour former les deuxièmes parties étant de préférence de l'ordre de 20 mM ; et/ou
-le bain chimique pour former les deuxièmes parties comprenant un ou plusieurs additifs adaptés à favoriser une croissance des deuxièmes parties orthogonalement à ladite couche par rapport à une croissance des deuxièmes parties parallèlement à ladite couche, de préférence du polyéthylèneimide ou de l'éthylènediamine ; et/ou
-le premier composé étant en concentration sousstoechiométrique par rapport au deuxième composé.
-lesdits cations métalliques du bain chimique pour former les deuxième parties sont des cations d'au moins un métal dans le groupe constitué par Zn, Cd, Ni, Ag, et Cu ; et/ou
-le premier composé du bain chimique pour former les deuxièmes parties comprend au moins un composant dans le groupe constitué par les nitrates, les acétates, les chlorures, et les sulfates ; et/ou
-le deuxième composé du bain chimique pour former les deuxième parties comprend au moins un composant dans le groupe constitué de HTMA, de l'ammoniac, de l'hydroxyde de sodium, de la thiourée, de la sélénourée, et du sélénite de sodium.
-les nanofils ont une dimension transversale inférieure à 300 nm, de préférence inférieure à 50 nm ;
-les nanofils ont une longueur supérieure à 500 nm, de préférence supérieure à 1 µm ; et/ou
-ladite couche a une épaisseur inférieure à 100 nm, de préférence inférieure à 50 nm.
-llllladite région métallique a une épaisseur supérieure à 100 nm ; et/ou
-lesdites portions s'étendent à partir de ladite région métallique.
-la région métallique comprend au moins l'un des matériaux du groupe constitué de l'or, du nickel, du cuivre, du palladium et du platine ; et/ou
-les nanofils sont piézoélectriques, de préférence, les nanofils ayant une structure cristalline de type wurtzite et/ou comprennent au moins un des matériaux du groupe constitué de l'oxyde de zinc, le sulfure de cadmium, le séléniure de cadmium, et le séléniure de nickel.
-les nanofils ont une dimension transversale inférieure à 40 nm, de préférence inférieure à 20 nm ;
-les nanofils ont une longueur supérieure à 500 nm, de préférence supérieure à 1 µm ; et/ou
-les nanofils présentent une densité supérieure à 10 nanofils par micromètre carré, de préférence supérieure à 50 nanofils par micromètre carré ; et/ou
-l'origami d'ADN a une épaisseur comprise entre de l'ordre de 2 nm et de l'ordre de 100 nm, de préférence de l'ordre de 10 nm.
-du nitrate de zinc, Zn(NO3)2, et de l'Hexaméthylènetétramine, HMTA, en concentrations inférieures à 10 mmol/L; et/ou
-du Zn(NO3)2 en concentration surstoechiométrique par rapport à une concentration de HMTA; et/ou
-un ou des additifs adaptés à favoriser une croissance transversale (parallèlement à la couche 130) des portions 210, par rapport à une croissance des portions 210 dans la direction d'épaisseur de la couche 130. Ce ou ces additifs comprennent de préférence des ions citrate ou chlorure.
-du Zn(NO3)2 en concentration sousstoechiométrique par rapport à une concentration de HMTA; et/ou
-un ou des additifs adaptés à favoriser une croissance des parties 310 orthogonalement à la couche 130 par rapport à une croissance transversale des parties 310. Un tel additif peut comprendre un polyéthylèneimine PEI, ou de l'éthylènediamine.
un seuil de concentration de sorte que, lorsque les concentrations des premier et deuxième composés sont inférieures à ce seuil, la croissance des parties 310 orthogonalement à la couche 130 est favorisée par rapport à une croissance transversale des parties 310. Ce seuil peut avoir une valeur de l'ordre de 20mM, par exemple égale à 20mM; et/ou
des additifs permettant également de favoriser la croissance des parties 310 orthogonalement à la couche 130 par rapport à une croissance transversale des parties 310.
former une couche conductrice comprenant les futures régions conductrices 920;
recouvrir cette couche conductrice par une couche lithographiée, non représentée, présentant des ouvertures en dehors des emplacements des régions conductrices 920; et
graver les parties de la couche conductrice situées à l'aplomb des ouvertures de la couche lithographiée.
Claims (15)
- Procédé de formation de nanofils (210; 750), comprenant la formation d'un origami d'ADN (430) ayant des ouvertures traversantes (435), et la formation dans les ouvertures traversantes (435) de portions (210) constituant tout ou partie des nanofils (210; 750).
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel lesdites portions (210) sont déposées en bain chimique.
- Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel lesdites portions (210) constituent des premières parties des nanofils (320), et des deuxièmes parties (310) des nanofils s'étendant à partir des premières parties sont déposées en bain chimique.
- Procédé selon la revendication 3, dans lequel la composition du bain chimique est différente pour les formations des premières (210) et deuxièmes parties (310).
- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant la formation d'une matrice polymère (810) entre les nanofils (750).
- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant le retrait d'au moins une partie de l'origami d'ADN (430).
- Dispositif obtenu par un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6.
- Dispositif selon la revendication 7, dans lequel l'origami d'ADN (430) est situé sur une couche (410) en un même matériau que celui des nanofils, lesdites portions (210) s'étendant à partir de ladite couche (410).
- Dispositif selon la revendication 7 ou 8, dans lequel l'origami d'ADN (430) est situé sur une région métallique (120; 740) et, de préférence:
- ladite région métallique a une épaisseur supérieure à 100nm; et/ou
- lesdites portions (210) s'étendent à partir de ladite région métallique (120; 740). - Dispositif selon la revendication 9, comprenant, à une extrémité des nanofils (750) opposée à ladite région métallique (740), une région électriquement conductrice en contact avec les nanofils (750).
- Dispositif selon la revendication 9 ou 10, dans lequel:
- la région métallique (120; 740) comprend au moins l'un des matériaux du groupe constitué de l'or, du nickel, du cuivre, du palladium et du platine; et/ou
- les nanofils (750) sont piézoélectriques, de préférence, les nanofils (750) ayant une structure cristalline de type wurtzite et/ou comprennent au moins un des matériaux du groupe constitué de l'oxyde de zinc, le sulfure de cadmium, le séléniure de cadmium, et le séléniure de nickel. - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel:
- les nanofils (210; 750) ont une dimension transversale inférieure à 40nm, de préférence inférieure à 20nm;
- les nanofils (210; 750) ont une longueur supérieure à 500nm, de préférence supérieure à 1µm; et/ou
- les nanofils (210; 750) présentent une densité supérieure à 10 nanofils par micromètre carré, de préférence supérieure à 50 nanofils par micromètre carré; et/ou
- l'origami d'ADN (430) a une épaisseur (C) comprise entre de l'ordre de 2nm et de l'ordre de 100nm, de préférence de l'ordre de 10nm. - Pixel de capteur, comprenant un dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 12.
- Capteur, de préférence d'empreintes digitales, comprenant plusieurs pixels selon la revendication 13.
- Capteur selon la revendication 14, dans lequel les pixels sont situés du côté d'une face d'un substrat (110) comprenant, à l'aplomb de chaque pixel, au moins une partie d'un circuit associé à ce pixel.
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PAWAR ET AL.: "Recent status of chemical bath deposited metal chalcogenide and metal oxyde thin films", CURRENT APPLIED PHYSICS, vol. 11, 2011, pages 117 - 161, XP027517462, DOI: 10.1016/j.cap.2010.07.007 |
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