FR3103033A1

FR3103033A1 - State of an optical system

Info

Publication number: FR3103033A1
Application number: FR1912499A
Authority: FR
Inventors: Olivier Le Neel; Andy Price; William HALLIDAY
Original assignee: STMicroelectronics SA; STMicroelectronics Research and Development Ltd
Current assignee: STMicroelectronics SA; STMicroelectronics Research and Development Ltd
Priority date: 2019-11-07
Filing date: 2019-11-07
Publication date: 2021-05-14

Abstract

État d'un système optique La présente description concerne un procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) déterminer une variation de la température d'un élément optique (2), ladite variation de température résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique par un faisceau laser (3) traversant une zone de l'élément optique ; b) comparer la variation déterminée à l'étape a) à au moins un seuil prédéterminé ; et c) déduire de l'étape b) des informations sur l'état de l'élément optique et d'une source (1) du faisceau laser. Figure pour l'abrégé : Fig. 1State of an optical system The present description relates to a method comprising the following successive steps: a) determining a variation in the temperature of an optical element (2), said variation in temperature resulting from an illumination phase of the optical element by a laser beam (3) passing through an area of the optical element; b) comparing the variation determined in step a) with at least one predetermined threshold; and c) deducing from step b) information on the state of the optical element and of a source (1) of the laser beam. Figure for the abstract: Fig. 1

Description

State of an optical system

La présente description concerne de façon générale les systèmes électroniques comprenant une source d'émission d'un faisceau laser, ou source laser, et un élément optique traversé par le faisceau laser. La présente description concerne plus particulièrement un procédé d'obtention d'informations sur l'état de la source laser et de l'élément optique d'un tel système.The present description generally relates to electronic systems comprising a source of emission of a laser beam, or laser source, and an optical element traversed by the laser beam. The present description relates more particularly to a method for obtaining information on the state of the laser source and of the optical element of such a system.

On connaît des systèmes électroniques comprenant une source laser fournissant un faisceau laser sous la forme d'impulsions, et un élément optique, typiquement un élément optique diffractif ou DOE ("diffractive optical element"), traversé par les impulsions laser. L'élément optique est configuré pour modifier, ou mettre en forme, le faisceau laser. Plus particulièrement, le faisceau laser est mis en forme de manière à afficher une forme ou un motif spécifique sur une surface.Electronic systems are known comprising a laser source supplying a laser beam in the form of pulses, and an optical element, typically a diffractive optical element or DOE ("diffractive optical element"), through which the laser pulses pass. The optical element is configured to modify, or shape, the laser beam. More specifically, the laser beam is shaped to display a specific shape or pattern on a surface.

De tels systèmes sont par exemple utilisés dans des applications d'affichage de messages ou d'images sur une surface telle qu'un mur ou un écran, dans des applications de reconnaissance faciale, dans des applications de télédétection par laser aussi appelées applications LIDAR (acronyme de l'expression en anglais "light detection and ranging"), dans des applications de détection de temps de vol aussi appelées applications TOF (acronyme de l'expression en anglais "time of flight"), etc.Such systems are for example used in applications for displaying messages or images on a surface such as a wall or a screen, in facial recognition applications, in laser remote sensing applications also called LIDAR applications ( acronym for the English expression "light detection and ranging"), in time-of-flight detection applications also called TOF applications (acronym for the English expression "time of flight"), etc.

Du fait que des tels systèmes utilisent un faisceau laser, ils peuvent être dangereux pour la santé. Par exemple, lorsque la puissance optique du faisceau laser mis en forme augmente par rapport à une puissance nominale sans danger pour la santé, le faisceau laser mis en forme peut endommager la rétine d'un utilisateur d'une application de reconnaissance faciale.Because such systems use a laser beam, they can be hazardous to health. For example, when the optical power of the shaped laser beam increases from a rated power that is not harmful to health, the shaped laser beam may damage the retina of a user of a facial recognition application.

Il existe un besoin de disposer d'informations sur l'état d'un système tel que décrit ci-dessus, notamment sur l'état de l'ensemble de la source laser et de l'élément optique. En particulier, il existe un besoin de disposer d'informations sur l'état d'un tel système par rapport à un état nominal du système.There is a need to have information on the state of a system as described above, in particular on the state of the assembly of the laser source and of the optical element. In particular, there is a need to have information on the state of such a system relative to a nominal state of the system.

Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des procédés connus permettant d'obtenir des informations sur l'état d'un système tel que décrit précédemment.One embodiment overcomes all or part of the drawbacks of the known methods making it possible to obtain information on the state of a system as described above.

Un mode de réalisation prévoit un procédé permettant d'obtenir des informations sur l'état de la source laser et de l'élément optique d'un tel système, notamment par rapport à un état nominal du système.One embodiment provides a method making it possible to obtain information on the state of the laser source and of the optical element of such a system, in particular with respect to a nominal state of the system.

Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé comprenant les étapes successives suivantes :
a) déterminer une variation de la température d'un élément optique, ladite variation de température résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique par un faisceau laser traversant une zone de l'élément optique ;
b) comparer la variation déterminée à l'étape a) à au moins un seuil prédéterminé ; et
c) déduire de l'étape b) des informations sur l'état de l'élément optique et d'une source du faisceau laser.Thus, one embodiment provides a method comprising the following successive steps:
a) determining a variation in the temperature of an optical element, said temperature variation resulting from a phase of illumination of the optical element by a laser beam passing through a zone of the optical element;
b) comparing the variation determined in step a) with at least one predetermined threshold; And
c) deducing from step b) information on the state of the optical element and of a source of the laser beam.

Selon un mode de réalisation, la variation de température correspond à l'écart entre une première température de ladite zone de l'élément optique indépendante de la phase d'illumination, et une deuxième température de ladite zone de l'élément optique dépendante de la phase d'illumination.According to one embodiment, the temperature variation corresponds to the difference between a first temperature of said zone of the optical element independent of the illumination phase, and a second temperature of said zone of the optical element dependent on the enlightenment phase.

Selon un mode de réalisation, l'élément optique comprend une piste conductrice dont au moins une portion est disposée dans ladite zone, de préférence une zone centrale, de l'élément optique, la variation de température étant déterminée par une variation correspondante de la résistance de ladite piste.According to one embodiment, the optical element comprises a conductive track of which at least a portion is arranged in said zone, preferably a central zone, of the optical element, the variation in temperature being determined by a corresponding variation in the resistance of said track.

Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend les étapes suivantes :
a1) mesurer une première valeur de la résistance quand ladite zone de l'élément optique est à la première température ; et
a2) mesurer une deuxième valeur de la résistance quand ladite zone de l'élément optique est à la deuxième température, la variation de température étant déterminée par l'écart entre les première et deuxième valeurs.According to one embodiment, step a) comprises the following steps:
a1) measuring a first resistance value when said zone of the optical element is at the first temperature; And
a2) measuring a second resistance value when said area of the optical element is at the second temperature, the temperature variation being determined by the difference between the first and second values.

Selon un mode de réalisation, l'étape a1) est mise en oeuvre avant ou après la phase d'illumination, l'étape a2) étant mise en oeuvre pendant la phase d'illumination.According to one embodiment, step a1) is implemented before or after the illumination phase, step a2) being implemented during the illumination phase.

Selon un mode de réalisation :
- une première durée sépare le début de la phase d'illumination et l'étape a1) quand l'étape a1) est mise en oeuvre avant la phase d'illumination, ou sépare la fin de la phase d'illumination et l'étape a1) quand l'étape a1) est mise en oeuvre après la phase d'illumination ; et
- une deuxième durée sépare le début de la phase d'illumination et l'étape a2), les première et deuxième durées étant de préférence déterminées par simulation ou lors d'une étape de caractérisation.According to one embodiment:
- a first duration separates the start of the illumination phase and step a1) when step a1) is implemented before the illumination phase, or separates the end of the illumination phase and step a1) when step a1) is implemented after the illumination phase; And
- a second duration separates the start of the illumination phase and step a2), the first and second durations being preferably determined by simulation or during a characterization step.

Selon un mode de réalisation, la variation de température correspond à l'écart entre une première température d'une autre zone, de préférence une zone périphérique, de l'élément optique, ladite autre zone n'étant pas traversée par le faisceau laser lors de la phase d'illumination, et une deuxième température de ladite zone, de préférence une zone centrale, de l'élément optique.According to one embodiment, the temperature variation corresponds to the difference between a first temperature of another zone, preferably a peripheral zone, of the optical element, said other zone not being crossed by the laser beam during of the illumination phase, and a second temperature of said zone, preferably a central zone, of the optical element.

Selon un mode de réalisation, l'élément optique comprend une piste conductrice dont au moins une portion est disposée dans ladite zone, et une piste conductrice supplémentaire disposée dans ladite autre zone, la variation de température étant déterminée à partir d'une différence entre la résistance de la piste conductrice et la résistance de la piste conductrice supplémentaire.According to one embodiment, the optical element comprises a conductive track of which at least a portion is arranged in said zone, and an additional conductive track arranged in said other zone, the temperature variation being determined from a difference between the resistance of the conductive track and the resistance of the additional conductive track.

Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend : mesurer une différence de résistance entre ladite piste quand ladite zone est à la deuxième température, et ladite piste supplémentaire quand ladite autre zone est à la première température, ladite variation de température étant déterminée à partir de ladite différence de résistance.According to one embodiment, step a) comprises: measuring a resistance difference between said track when said zone is at the second temperature, and said additional track when said other zone is at the first temperature, said temperature variation being determined from said resistance difference.

Selon un mode de réalisation, l'étape a) est mise en oeuvre pendant ladite phase d'illumination.According to one embodiment, step a) is implemented during said illumination phase.

Selon un mode de réalisation, une durée sépare le début de la phase d'illumination et l'étape a), ladite durée étant de préférence déterminée par simulation ou lors d'une étape de caractérisation.According to one embodiment, a duration separates the start of the illumination phase and step a), said duration being preferably determined by simulation or during a characterization step.

Selon un mode de réalisation, la masse de la piste est au moins 100000 fois plus faible, de préférence 1000000 de fois plus faible, que la masse de l'élément optique ; et/ou la masse de la piste supplémentaire est au moins 100000 fois plus faible, de préférence 1000000 de fois plus faible, que la masse de l'élément optique.According to one embodiment, the mass of the track is at least 100,000 times lower, preferably 1,000,000 times lower, than the mass of the optical element; and/or the mass of the additional track is at least 100,000 times lower, preferably 1,000,000 times lower, than the mass of the optical element.

Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une étape de comparaison de la résistance de ladite piste à une valeur haute, et une étape de détermination que l'élément optique est défectueux si la résistance est supérieure à la valeur haute ; et/ou une étape de comparaison de la résistance de ladite piste supplémentaire à la valeur haute, et une étape de détermination que l'élément optique est défectueux si la résistance de ladite piste supplémentaire est supérieure à la valeur haute.According to one embodiment, the method further comprises a step of comparing the resistance of said track with a high value, and a step of determining that the optical element is defective if the resistance is greater than the high value; and/or a step of comparing the resistance of said additional track to the high value, and a step of determining that the optical element is defective if the resistance of said additional track is greater than the high value.

Selon un mode de réalisation, ledit au moins un seuil est déterminé par simulation ou lors d'une étape de caractérisation.According to one embodiment, said at least one threshold is determined by simulation or during a characterization step.

Selon un mode de réalisation, lorsque ladite variation de température est supérieure à un seuil haut, l'étape c) consiste à déduire que la source émet un faisceau d'une puissance optique plus élevée qu'une puissance optique nominale émise ; et/ou lorsque ladite variation de température est inférieure à un seuil bas, l'étape c) consiste à déduire que l'élément optique absorbe une puissance optique plus faible qu'une puissance nominale absorbée.According to one embodiment, when said temperature variation is greater than a high threshold, step c) consists in deducing that the source emits a beam of higher optical power than a nominal optical power emitted; and/or when said temperature variation is less than a low threshold, step c) consists in deducing that the optical element absorbs an optical power lower than a nominal absorbed power.

Selon un mode de réalisation, l'élément optique est un élément optique diffractif, DOE, configuré pour mettre en forme le faisceau.According to one embodiment, the optical element is a diffractive optical element, DOE, configured to shape the beam.

Selon un mode de réalisation :
une durée de la phase d'illumination est inférieure à 500 ms, de préférence inférieure à 100 ms, encore plus préférentiellement inférieure à 50 ms, par exemple inférieure à 10 ms ou à 5 ms; et/ou
la phase d'illumination est une phase d'illumination parmi plusieurs phases d'illumination successives, par exemple périodiques ; et/ou
la phase d'illumination correspond à une émission d'une unique impulsion du faisceau laser ou d'un train d'impulsions périodiques du faisceau laser.According to one embodiment:
a duration of the illumination phase is less than 500 ms, preferably less than 100 ms, even more preferably less than 50 ms, for example less than 10 ms or 5 ms; and or
the illumination phase is one illumination phase among several successive, for example periodic, illumination phases; and or
the illumination phase corresponds to an emission of a single pulse of the laser beam or of a train of periodic pulses of the laser beam.

Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :These characteristics and advantages, as well as others, will be set out in detail in the following description of particular embodiments made on a non-limiting basis in relation to the attached figures among which:

la figure 1 représente, en coupe et de façon très schématique, un exemple d'un mode de réalisation d'un ensemble d'une source d'un faisceau laser et d'un élément optique traversé par le faisceau laser ; FIG. 1 shows, in section and very schematically, an example of an embodiment of an assembly of a source of a laser beam and of an optical element through which the laser beam passes;

la figure 2 représente, en coupe et de manière schématique, un exemple d'un mode de réalisation d'un système électronique comprenant un ensemble tel qu'illustré en figure 1 ; FIG. 2 represents, in section and schematically, an example of an embodiment of an electronic system comprising an assembly as illustrated in FIG. 1;

la figure 3 représente, en coupe et de manière schématique, un exemple de mode de réalisation d'un élément optique diffractif ; FIG. 3 represents, in cross-section and schematically, an exemplary embodiment of a diffractive optical element;

la figure 4 représente, en vue de dessus et de manière schématique, l'élément optique de la figure 3 ; FIG. 4 represents, in top view and schematically, the optical element of FIG. 3;

la figure 5 représente, sous la forme de blocs, un exemple de mode de réalisation d'un système électronique comprenant un ensemble tel qu'illustré en figure 1 ; et FIG. 5 represents, in the form of blocks, an exemplary embodiment of an electronic system comprising an assembly as illustrated in FIG. 1; And

la figure 6 représente, sous la forme d'un organigramme, un mode de réalisation d'un procédé d'obtention d'informations sur l'état d'un système du type de ceux des figures 1, 2 et 5 ; FIG. 6 represents, in the form of a flowchart, an embodiment of a method for obtaining information on the state of a system of the type of those of FIGS. 1, 2 and 5;

la figure 7 représente des chronogrammes illustrant une mise en oeuvre du procédé de la figure 6 selon un premier exemple ; FIG. 7 represents timing diagrams illustrating an implementation of the method of FIG. 6 according to a first example;

la figure 8 représente des chronogrammes illustrant une mise en oeuvre du procédé de la figure 6 selon un deuxième exemple ; FIG. 8 represents timing diagrams illustrating an implementation of the method of FIG. 6 according to a second example;

la figure 9 représente, sous la forme d'un schéma électrique, un exemple d'un mode de réalisation d'un circuit de mesure de la résistance d'une piste conductrice d'un élément optique du type de celui des figures 1 à 4 ; et FIG. 9 represents, in the form of an electrical diagram, an example of an embodiment of a circuit for measuring the resistance of a conductive track of an optical element of the type of that of FIGS. 1 to 4 ; And

la figure 10 représente, en vue de dessus et de manière schématique, un autre mode de réalisation d'un élément optique. FIG. 10 represents, in top view and schematically, another embodiment of an optical element.

De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques.The same elements have been designated by the same references in the various figures. In particular, the structural and/or functional elements common to the various embodiments may have the same references and may have identical structural, dimensional and material properties.

Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les diverses applications et systèmes électroniques dans lesquels peut être prévu un ensemble d'une source d'un faisceau laser et d'un élément optique configuré pour mettre en forme le faisceau laser fourni par la source n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec ces applications et systèmes usuels.For the sake of clarity, only the steps and elements useful for understanding the embodiments described have been represented and are detailed. In particular, the various applications and electronic systems in which a set of a source of a laser beam and an optical element configured to shape the laser beam supplied by the source may be provided have not been detailed, the embodiments described being compatible with these usual applications and systems.

Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments.Unless otherwise specified, when reference is made to two elements connected together, it means directly connected without intermediate elements other than conductors, and when reference is made to two elements connected or coupled together, it means that these two elements can be connected or be linked or coupled through one or more other elements.

Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures.In the following description, when referring to absolute position qualifiers, such as "front", "rear", "up", "down", "left", "right", etc., or relative, such as the terms "above", "below", "upper", "lower", etc., or to qualifiers of orientation, such as the terms "horizontal", "vertical", etc., it reference is made unless otherwise specified to the orientation of the figures.

Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.Unless otherwise specified, the expressions "about", "approximately", "substantially", and "of the order of" mean to within 10%, preferably within 5%.

La figure 1 représente, en coupe et de façon très schématique, un exemple d'un mode de réalisation d'un ensemble d'une source 1 d'un faisceau laser 3 et d'un élément optique 2 traversé par le faisceau laser 3.FIG. 1 represents, in section and very schematically, an example of an embodiment of an assembly of a source 1 of a laser beam 3 and of an optical element 2 traversed by the laser beam 3.

La source 1 est configurée pour fournir le faisceau laser 3. A titre d'exemple, la longueur d'onde du faisceau laser 3, ou longueur d'onde de la source 1, est comprise dans l'infrarouge proche, par exemple entre 750 nm et 3 µm, par exemple sensiblement égale, voire égale, à 940 nm.Source 1 is configured to provide laser beam 3. By way of example, the wavelength of laser beam 3, or wavelength of source 1, is in the near infrared, for example between 750 nm and 3 μm, for example substantially equal, or even equal, to 940 nm.

La source 1 est commandée par un circuit de commande non représenté en figure 1 de manière que la source 1 alterne entre des phases d'émission du faisceau 3, sous la forme d'une unique impulsion laser ou d'un train d'impulsions laser périodiques, et des phases où aucun faisceau 3 n'est émis. Dit autrement, la source 1 est une source laser impulsionnelle. Chaque phase d'émission du faisceau laser 3 par la source 1 correspond à une phase d'illumination de l'élément optique 2.Source 1 is controlled by a control circuit not shown in FIG. 1 so that source 1 alternates between emission phases of beam 3, in the form of a single laser pulse or a train of laser pulses periodic, and phases where no beam 3 is emitted. In other words, source 1 is a pulsed laser source. Each emission phase of the laser beam 3 by the source 1 corresponds to an illumination phase of the optical element 2.

La source 1 reçoit, par exemple d'une source d'alimentation électrique non représentée en figure 1, une puissance électrique d'alimentation, par exemple de l'ordre de 2 W, par exemple égale à 2 W. La source 1 convertit la puissance électrique qu'elle reçoit en puissance optique, par exemple avec un taux ou rendement de conversion de l'ordre de 30 %.Source 1 receives, for example from an electrical power source not shown in FIG. 1, an electrical supply power, for example of the order of 2 W, for example equal to 2 W. Source 1 converts the electrical power that it receives into optical power, for example with a conversion rate or efficiency of the order of 30%.

L'élément optique 2, de préférence un élément optique diffractif ou DOE, est placé sur le chemin du faisceau laser 3. L'élément optique est configuré pour mettre en forme le faisceau laser qu'il reçoit de la source 1. Le faisceau laser 3 modifié par l'élément optique 2 forme une image ou un motif lumineux donné lorsqu'il atteint une surface telle qu'une surface plane disposée dans un plan orthogonal à la direction de propagation du faisceau laser 3. Par exemple, l'élément optique 2 est configuré pour que le motif lumineux formé par le faisceau 3 mis en forme sur une telle surface soit un ensemble, ou réseau, de points régulièrement répartis sur la surface, un tel motif étant par exemple utilisé dans des applications de reconnaissance faciale.The optical element 2, preferably a diffractive optical element or DOE, is placed in the path of the laser beam 3. The optical element is configured to shape the laser beam which it receives from the source 1. The laser beam 3 modified by the optical element 2 forms a given light image or pattern when it reaches a surface such as a flat surface arranged in a plane orthogonal to the direction of propagation of the laser beam 3. For example, the optical element 2 is configured so that the light pattern formed by the beam 3 shaped on such a surface is a set, or network, of points regularly distributed over the surface, such a pattern being for example used in facial recognition applications.

L'élément optique 2 transmet la majorité de la puissance optique qu'il reçoit, par exemple environ 90 % de la puissance optique qu'il reçoit. Toutefois, l'élément optique 2 absorbe une partie de la puissance optique qu'il reçoit.The optical element 2 transmits the majority of the optical power that it receives, for example approximately 90% of the optical power that it receives. However, the optical element 2 absorbs part of the optical power that it receives.

L'absorption d'une partie de la puissance optique du faisceau 3 par l'élément optique 2 est usuellement considérée comme un inconvénient. Cette puissance optique absorbée résulte en une augmentation de la température de l'élément optique 2 représentative de la puissance optique émise par la source 1 et des caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique 2, par exemple du coefficient de transmission optique de l'élément optique 2.The absorption of part of the optical power of the beam 3 by the optical element 2 is usually considered a drawback. This absorbed optical power results in an increase in the temperature of the optical element 2 representative of the optical power emitted by the source 1 and of the optical absorption characteristics of the optical element 2, for example of the optical transmission coefficient of the optical element 2.

Pour obtenir des informations sur l'état de l'élément optique 2 et de la source 1, les inventeurs proposent ici de tirer parti de la variation de la température dans l'élément optique 2 qui résulte d'une phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau laser 3, par rapport à une température de base de l'élément optique 2 lorsque la source 1 est éteinte entre deux phases d'illuminations successives. Plus particulièrement, les inventeurs proposent un mode de réalisation d'un procédé dans lequel cette variation de température de l'élément optique 2 est comparée à au moins un seuil pour obtenir des informations sur l'état de l'élément optique 2 et la source 1, par exemple pour détecter une modification des caractéristiques d'absorption de l'élément optique 2 et de la puissance optique émise par la source 1 par rapport respectivement à des caractéristiques nominales d'absorption de l'élément optique 2 et à une puissance nominale émise par la source 1. Les caractéristiques nominales d'absorption et de la puissance nominale émise correspondent à un état nominal de l'ensemble de la source 1 et de l'élément 2. A titre d'exemple, dans cet état nominal, la puissance optique du faisceau laser 3 mis en forme est suffisamment faible pour qu'il ne présente aucun risque pour la santé, et, en particulier, qu'il ne risque pas d'endommager la rétine d'une personne qui recevrait tout ou partie de ce faisceau mis en forme dans l'oeil.To obtain information on the state of the optical element 2 and of the source 1, the inventors propose here to take advantage of the variation in temperature in the optical element 2 which results from an illumination phase of the optical element 2 by the laser beam 3, relative to a base temperature of the optical element 2 when the source 1 is off between two successive illumination phases. More particularly, the inventors propose an embodiment of a method in which this temperature variation of the optical element 2 is compared with at least one threshold to obtain information on the state of the optical element 2 and the source 1, for example to detect a modification of the absorption characteristics of the optical element 2 and of the optical power emitted by the source 1 with respect respectively to the nominal absorption characteristics of the optical element 2 and to a nominal power emitted by source 1. The nominal characteristics of absorption and of the nominal power emitted correspond to a nominal state of the assembly of source 1 and of element 2. By way of example, in this nominal state, the optical power of the shaped laser beam 3 is low enough that it does not present any health risk, and, in particular, that it does not risk damaging the retina of a person who would receive all or part of this shaped beam in the eye.

Selon un mode de réalisation, les inventeurs prévoient d'utiliser une piste conductrice (non représentée en figure 1) disposée ou incluse dans l'élément optique 2, et plus particulièrement la variation de la résistance d'une telle piste conductrice avec la température de l'élément optique 2. En effet, une variation de la température de l'élément optique 2 entraîne une variation correspondante de la température de la piste conductrice de l'élément optique 2. Du fait que la résistance de la piste conductrice, par exemple métallique, varie de manière sensiblement linéaire avec sa température, la variation de la température de l'élément optique résultant d'une phase d'illumination peut être déterminée à partir d'une variation correspondante de la résistance de sa piste conductrice.According to one embodiment, the inventors plan to use a conductive track (not shown in FIG. 1) arranged or included in the optical element 2, and more particularly the variation of the resistance of such a conductive track with the temperature of the optical element 2. Indeed, a variation in the temperature of the optical element 2 leads to a corresponding variation in the temperature of the conductive track of the optical element 2. Because the resistance of the conductive track, for example metal, varies substantially linearly with its temperature, the variation in the temperature of the optical element resulting from an illumination phase can be determined from a corresponding variation in the resistance of its conductive track.

Selon un mode de réalisation, la différence entre la masse (poids) de la piste conductrice et celle de l'élément optique 2 est importante, d'où il résulte que la variation de température de la piste conductrice est très rapide par rapport à celle de l'élément optique 2 et peut être considérée comme instantanée par rapport à la variation de la température de l'élément optique 2. Dit autrement, une variation de température de l'élément optique 2 entraîne une variation correspondante instantanée de la température de la piste conductrice. De préférence, la masse de la piste conductrice est au moins 100000 fois, voire au moins 1000000 fois, plus faible que la masse de l'élément optique 2.According to one embodiment, the difference between the mass (weight) of the conductive track and that of the optical element 2 is significant, from which it follows that the temperature variation of the conductive track is very rapid compared to that of the of the optical element 2 and can be considered as instantaneous with respect to the variation in the temperature of the optical element 2. In other words, a variation in the temperature of the optical element 2 causes a corresponding instantaneous variation in the temperature of the conductive track. Preferably, the mass of the conductive track is at least 100,000 times, or even at least 1,000,000 times, lower than the mass of the optical element 2.

Les inventeurs ont également constaté que les variations de température de l'élément optique 2 résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau laser 3 sont très rapides, par exemple inférieures ou égales à environ 1 ms, voire inférieures ou égales à 0,5 ms. A l'inverse, les inventeurs ont constaté que les variations de température de l'élément optique 2 résultant de variations de température de son environnement sont très lentes, par exemple supérieures ou égales à 1 s. Ainsi, la variation de température de l'élément optique 2 entre une première température indépendante d'une phase d'illumination par le faisceau laser 3, par exemple mesurée à un premier instant avant ou après la phase d'illumination, et une deuxième température dépendante de la phase d'illumination, par exemple mesurée à deuxième un instant pendant la phase d'illumination, peut être considérée comme dépendant uniquement de la puissance émise par la source 1 et des caractéristiques d'absorption de l'élément optique 2 pendant la phase d'illumination, en particulier quand l'écart entre les premier et deuxième instants est inférieur ou égal à 1 s, voire à 500 ms. Dit autrement, la variation de température de l'élément optique 2 résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau 3 peut être considérée comme indépendante d'une éventuelle variation de la température de l'environnement de l'élément optique, par exemple dès lors que la phase d'illumination à une durée inférieure à 500 ms, de préférence inférieure à 100 ms, encore plus préférentiellement inférieure à 50 ms, par exemple inférieure à 10 ms ou à 5 ms.The inventors have also observed that the temperature variations of the optical element 2 resulting from an illumination phase of the optical element 2 by the laser beam 3 are very rapid, for example less than or equal to approximately 1 ms, or even less than or equal to 0.5 ms. Conversely, the inventors have found that the temperature variations of the optical element 2 resulting from temperature variations of its environment are very slow, for example greater than or equal to 1 s. Thus, the temperature variation of the optical element 2 between a first temperature independent of an illumination phase by the laser beam 3, for example measured at a first instant before or after the illumination phase, and a second temperature dependent on the illumination phase, for example measured at a second instant during the illumination phase, can be considered as depending solely on the power emitted by the source 1 and the absorption characteristics of the optical element 2 during the illumination phase, in particular when the difference between the first and second instants is less than or equal to 1 s, or even 500 ms. In other words, the variation in temperature of the optical element 2 resulting from a phase of illumination of the optical element 2 by the beam 3 can be considered as independent of a possible variation in the temperature of the environment of the optical element, for example when the illumination phase has a duration of less than 500 ms, preferably less than 100 ms, even more preferably less than 50 ms, for example less than 10 ms or 5 ms.

La figure 2 représente, en coupe et de manière schématique, un exemple de mode de réalisation d'un système comprenant un ensemble tel qu'illustré par la figure 1, auquel s'appliquent les modes de mise en oeuvre du procédé décrit ici.FIG. 2 represents, in cross-section and in a schematic manner, an exemplary embodiment of a system comprising an assembly as illustrated by FIG. 1, to which the embodiments of the method described here apply.

La source 1 fait partie d'un circuit intégré photonique 5. La source 1 comprend par exemple une pluralité de cellules émettant de la lumière à la longueur d'onde de la source 1, par exemple une pluralité de diodes laser à cavité verticale émettant par la surface ou VCSEL (acronyme pour l'expression en anglais "vertical cavity surface emitting diode").The source 1 is part of a photonic integrated circuit 5. The source 1 comprises for example a plurality of cells emitting light at the wavelength of the source 1, for example a plurality of vertical cavity laser diodes emitting by the surface or VCSEL (acronym for the expression in English "vertical cavity surface emitting diode").

Le circuit 5 est monté sur un support 7 muni de connexions électriques (non représentées), par exemple un interposeur. Des plots de connexion électrique 9 du support 7 sont connectés électriquement à des plots de connexion électrique 11 correspondants du circuit 5, par exemple par des brasures, des billes métalliques ou un contact direct.Circuit 5 is mounted on a support 7 provided with electrical connections (not shown), for example an interposer. Electrical connection pads 9 of support 7 are electrically connected to corresponding electrical connection pads 11 of circuit 5, for example by solders, metal balls or direct contact.

Un circuit intégré 13 de commande et de traitement est également monté sur le support 7. Des plots de connexion électrique 9 sont connectés électriquement à des plots de connexion électrique 15 correspondants du circuit 13. Les circuits 5 et 13 sont électriquement reliés l'un à l'autre par les plots 9, 11 et 15 et par les connexions électriques du support 7.An integrated control and processing circuit 13 is also mounted on support 7. Electrical connection pads 9 are electrically connected to corresponding electrical connection pads 15 of circuit 13. Circuits 5 and 13 are electrically connected to each other. the other by the studs 9, 11 and 15 and by the electrical connections of the support 7.

Selon un mode de réalisation, la source 1 est commandée par le circuit 13. Lors de chaque phase d'illumination de l'élément 2 par le faisceau 3 (non représenté en figure 2), la source 1 est dans une phase d'émission du faisceau 3, sous la forme d'une unique impulsion ou d'un train d'impulsions laser périodiques, la durée de la phase d'illumination étant égale respectivement à la durée de l'impulsion laser unique ou à la durée totale du train d'impulsions laser. Entre deux phases d'illumination successives de l'élément optique 2, la source 1 est éteinte et n'émet aucun faisceau 3. Dit autrement, le circuit 13 est configuré pour commander l'alternance des phases où la source 1 émet le faisceau 3 pendant des phases correspondantes d'illumination de l'élément 2 par le faisceau 3, et des phases où la source 1 est éteinte entre deux phases d'illumination successives.According to one embodiment, source 1 is controlled by circuit 13. During each phase of illumination of element 2 by beam 3 (not shown in FIG. 2), source 1 is in an emission phase of the beam 3, in the form of a single pulse or a train of periodic laser pulses, the duration of the illumination phase being equal respectively to the duration of the single laser pulse or to the total duration of the train of laser pulses. Between two successive phases of illumination of the optical element 2, the source 1 is off and does not emit any beam 3. In other words, the circuit 13 is configured to control the alternation of the phases where the source 1 emits the beam 3 during corresponding phases of illumination of element 2 by beam 3, and phases where source 1 is off between two successive illumination phases.

En variante, la source 1 est commandée par un circuit de commande faisant partie du circuit intégré 5.Alternatively, source 1 is controlled by a control circuit forming part of integrated circuit 5.

Les circuits 5 et 13 montés sur le support 7 sont protégés de l'environnent extérieur par un boîtier 17, de préférence hermétique. Le boîtier 17 est disposé du côté du support 7 où sont montés les circuits 5 et 13. Le boîtier 17 comprend des murs 17a, un couvercle 17b muni d'une ouverture en regard de la source 1, et l'élément optique 2 disposé de manière à boucher l'ouverture et être traversé par le faisceau émis par la source 1.The circuits 5 and 13 mounted on the support 7 are protected from the external environment by a casing 17, preferably hermetic. The box 17 is arranged on the side of the support 7 where the circuits 5 and 13 are mounted. The box 17 comprises walls 17a, a cover 17b provided with an opening opposite the source 1, and the optical element 2 arranged so as to block the opening and be crossed by the beam emitted by source 1.

Comme cela a été indiqué précédemment, l'élément optique 2 comprend une piste conductrice 19, de préférence métallique, par exemple en cuivre. La piste 19 est disposée ou incluse dans l'élément optique 2, c'est-à-dire noyée dans ce dernier. La piste 19 peut également être disposée sur une face (supérieure ou inférieure) de l'élément optique 2.As indicated above, the optical element 2 comprises a conductive track 19, preferably metallic, for example copper. The track 19 is arranged or included in the optical element 2, that is to say embedded in the latter. Track 19 can also be arranged on one side (upper or lower) of optical element 2.

La piste 19 est reliée électriquement, à chacune de ses extrémités, à un circuit de traitement, par exemple le circuit 13, par l'intermédiaire de fils conducteurs 21. Dans cet exemple, chaque extrémité de la piste 19 est au contact d'un plot de connexion électrique 23 de l'élément optique 2, et chaque plot 23 est relié à un plot 9 correspondant par un des fils 21.Track 19 is electrically connected, at each of its ends, to a processing circuit, for example circuit 13, via conductive wires 21. In this example, each end of track 19 is in contact with a electrical connection pad 23 of optical element 2, and each pad 23 is connected to a corresponding pad 9 by one of the wires 21.

Dans cet exemple, le support 7 est monté sur un autre support 25 muni de connexions électriques (non représentées en figure 2), par exemple une carte de circuit imprimé, par exemple une carte mère ("motherboard" en anglais), par exemple d'un téléphone intelligent ("smartphone" en anglais) ou d'une tablette. Des plots de connexion électrique 27 du support 7, par exemple disposés du côté du support 7 opposé à celui où sont montés les circuits 5 et 13, sont connectés à des plots de connexion électrique 29 correspondants du support 25, par exemple par des brasures, des billes métalliques ou un contact direct.In this example, support 7 is mounted on another support 25 provided with electrical connections (not shown in FIG. 2), for example a printed circuit board, for example a motherboard, for example a a smart phone or tablet. Electrical connection pads 27 of support 7, for example arranged on the side of support 7 opposite to that on which circuits 5 and 13 are mounted, are connected to corresponding electrical connection pads 29 of support 25, for example by solders, metal balls or direct contact.

La figure 3 représente, en coupe et de manière schématique, un exemple de mode de réalisation d'un élément optique diffractif, par exemple l'élément optique 2 des figures 1 et 2, une portion seulement de cet élément optique étant représentée en figure 3.FIG. 3 represents, in section and in a schematic manner, an exemplary embodiment of a diffractive optical element, for example the optical element 2 of FIGS. 1 and 2, only a portion of this optical element being represented in FIG. .

L'élément optique diffractif 2 comprend une couche 31 transparente à la longueur d'onde de la source 1, par exemple une couche d'oxyde de silicium. A titre d'exemple, la couche 31 a une épaisseur de l'ordre de 200 µm.The diffractive optical element 2 comprises a layer 31 transparent to the wavelength of the source 1, for example a layer of silicon oxide. By way of example, layer 31 has a thickness of the order of 200 μm.

Un revêtement antireflet 33 recouvre une face supérieure 35 de la couche 31 et/ou une face inférieure 37 de la couche 31. De préférence, chacune des faces 35 et 37 est recouverte par un revêtement antireflet 33 respectif. A titre d'exemple, chaque revêtement antireflet 33 comprend une alternance de couches d'oxyde de silicium et de nitrure de silicium.An antireflection coating 33 covers an upper face 35 of the layer 31 and/or a lower face 37 of the layer 31. Preferably, each of the faces 35 and 37 is covered by a respective antireflection coating 33. By way of example, each antireflection coating 33 comprises alternating layers of silicon oxide and silicon nitride.

Un motif de diffraction, ou structure diffractive, 39 est formé dans la couche 31, dans cet exemple du côté de sa face inférieure 37. La structure 39 est en un matériau d'indice optique différent de celui du matériau de la couche 31, et plus généralement du matériau entourant la structure 39. A titre d'exemple, la structure 39 est en silicium et est noyée dans de l'oxyde de silicium. L'homme du métier est en mesure de déterminer la structure 39 en fonction de la mise en forme désirée du faisceau 3.A diffraction pattern, or diffractive structure, 39 is formed in layer 31, in this example on the side of its lower face 37. Structure 39 is made of a material with an optical index different from that of the material of layer 31, and more generally of the material surrounding the structure 39. By way of example, the structure 39 is made of silicon and is embedded in silicon oxide. A person skilled in the art is able to determine the structure 39 according to the desired shaping of the bundle 3.

La piste conductrice 19 est disposée dans la couche 31. La piste conductrice 19 est reliée, à chacune de ses extrémités, à un plot 23 correspondant, un seul plot 23 étant visible sur la portion de l'élément optique 2 représentée en figure 3.The conductive track 19 is arranged in the layer 31. The conductive track 19 is connected, at each of its ends, to a corresponding pad 23, a single pad 23 being visible on the portion of the optical element 2 represented in FIG. 3.

La figure 4 représente, en vue de dessus et de manière schématique, l'élément optique 2 de la figure 3. En figure 4, seuls les plots 23 et la piste 19 sont détaillés, la piste 19 étant représentée en pointillé.FIG. 4 represents, in top view and schematically, the optical element 2 of FIG. 3. In FIG. 4, only the pads 23 and the track 19 are detailed, the track 19 being represented in dotted lines.

Dans cet exemple, l'élément optique 2 a, en vue de dessus, une forme rectangulaire. L'élément optique 2 peut avoir une autre forme, par exemple une forme circulaire, ovoïde ou polygonale, par exemple la forme d'un triangle, d'un carré ou d'un hexagone.In this example, the optical element 2 has, in top view, a rectangular shape. The optical element 2 can have another shape, for example a circular, ovoid or polygonal shape, for example the shape of a triangle, a square or a hexagon.

De préférence, les plots 23 sont disposés vers des bords ou des coins de l'élément optique 2, de manière à ne pas perturber le faisceau 3.Preferably, the studs 23 are arranged towards the edges or corners of the optical element 2, so as not to disturb the beam 3.

La piste conductrice 19 comprend de préférence au moins une portion disposée dans la zone de l'élément optique 2 destinée à être traversée par le faisceau laser 3, dans cet exemple la zone centrale de l'élément optique 2. Ainsi, lorsque l'élément optique 2 est traversé par le faisceau laser 3, ou, dit autrement, lorsque l'élément optique est illuminé par le faisceau laser 3, l'augmentation de la température dans la zone traversée par le faisceau 3 entraîne une augmentation correspondante de la température de la portion ou des portions de la piste 19 disposées dans cette zone.The conductive track 19 preferably comprises at least a portion disposed in the zone of the optical element 2 intended to be traversed by the laser beam 3, in this example the central zone of the optical element 2. Thus, when the element optical element 2 is traversed by the laser beam 3, or, in other words, when the optical element is illuminated by the laser beam 3, the increase in temperature in the zone traversed by the beam 3 leads to a corresponding increase in the temperature of the portion or portions of the track 19 arranged in this zone.

De préférence, comme cela est représenté en figure 4, la piste 19 a la forme de zigzag, ou, dit autrement, d'une pluralité de lacets, ou, dit encore autrement, d'un serpentin. Cela permet, d'une part, de répartir la piste 19 dans l'élément optique 2, et, d'autre part, d'augmenter la longueur de la piste 19. Il en résulte une augmentation de la sensibilité de la piste 19 aux variations de température dans l'élément optique 2, même lorsque ces variations de température sont localisées dans une zone de l'élément optique 2.Preferably, as shown in Figure 4, the track 19 has the shape of a zigzag, or, in other words, of a plurality of laces, or, in another way, of a serpentine. This makes it possible, on the one hand, to distribute the track 19 in the optical element 2, and, on the other hand, to increase the length of the track 19. This results in an increase in the sensitivity of the track 19 to temperature variations in the optical element 2, even when these temperature variations are localized in a zone of the optical element 2.

La figure 5 représente, sous forme de blocs, un exemple de mode de réalisation d'un système ou circuit électronique du type auquel s'appliquent les modes de mise en oeuvre du procédé décrit ici. Le système électronique illustré par la figure 5 correspond par exemple au système électronique de la figure 2.FIG. 5 represents, in the form of blocks, an exemplary embodiment of an electronic system or circuit of the type to which the embodiments of the method described here apply. The electronic system illustrated by figure 5 corresponds for example to the electronic system of figure 2.

Le système comprend :
- l'élément optique 2 (bloc "DOE + R") muni de sa piste conductrice 19 (non représentée) ;
- la source laser 1 (bloc "Laser") ;
- un circuit de traitement et de commande (bloc "PU"), dans cet exemple le circuit 13, par exemple une machine d'états, un microprocesseur, un circuit logique programmable ou un microcontrôleur ; et
- une ou plusieurs zones de stockage volatile, par exemple de type mémoire RAM ou registres, pour stocker temporairement des informations (instructions, adresses, données) pendant les traitements, et/ou une ou plusieurs zones de stockage non volatile, par exemple de type mémoire flash pour stocker des informations de façon durable et en particulier quand le système n'est pas alimenté, ces zones de stockage étant ici représentées sous la forme d'un unique bloc 40 ("MEM").The system includes:
- The optical element 2 ("DOE+R" block) provided with its conductive track 19 (not shown);
- the laser source 1 ("Laser"block);
- A processing and control circuit ("PU" block), in this example circuit 13, for example a state machine, a microprocessor, a programmable logic circuit or a microcontroller; And
- one or more volatile storage areas, for example of the RAM memory or register type, to temporarily store information (instructions, addresses, data) during processing, and/or one or more non-volatile storage areas, for example of the flash memory for storing information permanently and in particular when the system is not powered, these storage areas being represented here in the form of a single block 40 ("MEM").

Le système comprend en outre des moyens de communication 41 entre les différents éléments du système tels qu'un ou plusieurs fils conducteurs configurés pour transmettre des signaux, et/ou un ou plusieurs bus de données, d'adresses et/ou de commandes.The system further comprises communication means 41 between the various elements of the system such as one or more conductive wires configured to transmit signals, and/or one or more data, address and/or command buses.

La figure 6 représente, sous forme d'un organigramme, un mode de réalisation d'un procédé d'obtention d'informations sur l'état d'un système du type de ceux des figures 1 à 5, et plus particulièrement d'obtention d'informations sur l'état de l'élément optique 2 et de la source laser 1 d'un tel système.FIG. 6 represents, in the form of a flowchart, an embodiment of a method for obtaining information on the state of a system of the type of those of FIGS. 1 to 5, and more particularly for obtaining information on the state of the optical element 2 and of the laser source 1 of such a system.

A une première étape 600 (bloc "ΔT"), une variation de la température de l'élément optique 2 est déterminée, ou mesurée. La variation de température résulte d'une phase d'illumination de l'élément optique par le faisceau laser 3 où la source 1 émet le faisceau 3, sous la forme d'une unique impulsion laser ou d'un train d'impulsions laser périodiques. Plus particulièrement, cette variation de température correspond à l'écart entre une première température de l'élément optique 2 lorsqu'il n'est pas illuminé par le faisceau laser 3, et une deuxième température de l'élément optique 2 lorsqu'il est illuminé par le faisceau laser 3. Dit autrement, la première température est indépendante de la phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau laser 3, et la deuxième température de l'élément optique dépend de cette phase d'illumination, et notamment des propriétés d'absorption optique de l'élément optique 2 et de la puissance optique émise par la source 1.In a first step 600 (“ΔT” block), a variation in the temperature of the optical element 2 is determined, or measured. The temperature variation results from a phase of illumination of the optical element by the laser beam 3 where the source 1 emits the beam 3, in the form of a single laser pulse or a train of periodic laser pulses . More particularly, this temperature variation corresponds to the difference between a first temperature of the optical element 2 when it is not illuminated by the laser beam 3, and a second temperature of the optical element 2 when it is illuminated by the laser beam 3. In other words, the first temperature is independent of the phase of illumination of the optical element 2 by the laser beam 3, and the second temperature of the optical element depends on this phase of illumination, and in particular of the optical absorption properties of the optical element 2 and of the optical power emitted by the source 1.

Selon un mode de réalisation, la variation de la température de l'étape 600 est déterminée par une variation correspondante de la résistance de la piste conductrice 19 de l'élément optique 2. En effet, comme cela a été indiqué précédemment, une variation de température de l'élément optique 2 entraîne une variation correspondante de la résistance de la piste 19.According to one embodiment, the variation in the temperature of step 600 is determined by a corresponding variation in the resistance of the conductive track 19 of the optical element 2. Indeed, as indicated above, a variation of temperature of optical element 2 causes a corresponding variation in the resistance of track 19.

Selon un mode de réalisation, l'étape 600 comprend une étape consistant à déterminer, ou mesurer, une première valeur de la résistance de la piste 19 alors que l'élément optique 2 est à la première température, et une autre étape consistant à déterminer, ou mesurer, une deuxième valeur de la résistance de la piste 19 alors que l'élément optique 2 est à la deuxième température. L'écart entre les première et deuxième valeurs de résistance est alors représentatif de l'écart entre les première et deuxième températures de l'élément optique 2.According to one embodiment, step 600 comprises a step consisting in determining, or measuring, a first value of the resistance of the track 19 while the optical element 2 is at the first temperature, and another step consisting in determining , or measure, a second value of the resistance of track 19 while optical element 2 is at the second temperature. The difference between the first and second resistance values is then representative of the difference between the first and second temperatures of the optical element 2.

Selon un mode de réalisation, la première valeur de résistance est mesurée avant la phase d'illumination. Lorsque la phase d'illumination correspond à une phase d'illumination parmi plusieurs phases d'illumination successives, par exemple périodiques, une première durée D1 sépare la mesure de la première valeur du début la phase d'illumination. Cette durée D1 est de préférence suffisamment courte pour que la température de l'élément optique 2 ne dépende plus de la phase d'illumination précédente, mais dépende uniquement de la température de l'environnement de l'élément optique 2.According to one embodiment, the first resistance value is measured before the illumination phase. When the illumination phase corresponds to an illumination phase among several successive, for example periodic, illumination phases, a first duration D1 separates the measurement of the first value from the start of the illumination phase. This duration D1 is preferably short enough for the temperature of the optical element 2 no longer to depend on the previous illumination phase, but depends solely on the temperature of the environment of the optical element 2.

Selon un autre mode de réalisation, la première valeur de résistance est mesurée après la phase d'illumination. Une première durée D1 sépare la fin de la phase d'illumination de la mesure de la première valeur. Cette durée D1 est de préférence suffisamment longue pour que la température de l'élément optique 2 ne dépende plus de la phase d'illumination précédente, mais dépende uniquement de la température de l'environnement de l'élément optique 2.According to another embodiment, the first resistance value is measured after the illumination phase. A first duration D1 separates the end of the illumination phase from the measurement of the first value. This duration D1 is preferably long enough for the temperature of the optical element 2 no longer to depend on the previous illumination phase, but depends solely on the temperature of the environment of the optical element 2.

Selon un mode de réalisation, la deuxième valeur de résistance est mesurée pendant la phase d'illumination, une deuxième durée D2 séparant le début de la phase d'illumination de la mesure de la deuxième valeur. Cette durée D2 est de préférence suffisamment longue pour que la température de l'élément optique 2 soit relativement stable, ou, dit autrement, stationnaire. En particulier, quand une phase d'illumination correspond à l'émission d'une seule impulsion laser, cette durée D2 est par exemple de l'ordre de la moitié de la durée de l'impulsion, et, quand une phase d'illumination correspond à l'émission d'un train d'impulsions laser périodiques, par exemple d'au moins 5 impulsions, voire d'au moins 10 impulsions, la durée D2 est par exemple comprise entre 1 et 10 fois la durée d'une impulsion laser du train d'impulsions laser.According to one embodiment, the second resistance value is measured during the illumination phase, a second duration D2 separating the start of the illumination phase from the measurement of the second value. This duration D2 is preferably long enough for the temperature of the optical element 2 to be relatively stable, or, in other words, stationary. In particular, when an illumination phase corresponds to the emission of a single laser pulse, this duration D2 is for example of the order of half the duration of the pulse, and, when an illumination phase corresponds to the emission of a train of periodic laser pulses, for example of at least 5 pulses, or even of at least 10 pulses, the duration D2 is for example between 1 and 10 times the duration of a pulse laser from the laser pulse train.

L'homme du métier est en mesure de déterminer les première et deuxième durées décrites ci-dessus, notamment au moyen d'une étape d'étalonnage ou de caractérisation de l'ensemble de la source 1 et de l'élément optique 2, et/ou de simulations assistées par ordinateur de cet ensemble, par exemple au moyen du logiciel de simulation désigné par l'appellation commerciale ANSYS Thermal Simulation.A person skilled in the art is able to determine the first and second durations described above, in particular by means of a step of calibration or characterization of the assembly of the source 1 and of the optical element 2, and /or computer-aided simulations of this assembly, for example by means of the simulation software designated by the trade name ANSYS Thermal Simulation.

A une étape 602 suivante (bloc "ΔT comparison"), la variation de température déterminée à l'étape 600 est comparée à au moins un seuil.In a following step 602 (“ΔT comparison” block), the temperature variation determined in step 600 is compared with at least one threshold.

Selon un mode de réalisation, la variation de température déterminée à l'étape 600 est comparée à un seuil haut. A titre d'exemple, cette comparaison est mise en oeuvre en comparant la variation de la résistance mesurée à l'étape 600 à un premier seuil représentatif du seuil haut.According to one embodiment, the temperature variation determined in step 600 is compared with a high threshold. By way of example, this comparison is implemented by comparing the variation of the resistance measured in step 600 with a first threshold representative of the high threshold.

Si la variation de température est supérieure au seuil haut, l'augmentation de température dans l'élément optique 2 est plus importante que lorsque l'élément optique 2 et la source 1 sont dans leur état nominal. Le procédé se poursuit alors à une étape 604 (bloc "Laser/DOE issue"). A cette étape 604, on déduit de la comparaison de l'étape 602 que la source 1 et l'élément optique 2 sont dans un état éloignés de leur état nominal, et notamment que le faisceau laser 3 mis en forme peut présenter un risque pour la santé. Ainsi, selon un mode de réalisation, à l'étape 604, la source 1 est définitivement éteinte.If the temperature variation is greater than the high threshold, the temperature increase in the optical element 2 is greater than when the optical element 2 and the source 1 are in their nominal state. The method then continues at a step 604 (“Laser/DOE issue” block). At this step 604, it is deduced from the comparison of step 602 that the source 1 and the optical element 2 are in a state far from their nominal state, and in particular that the shaped laser beam 3 may present a risk for health. Thus, according to one embodiment, at step 604, source 1 is definitively switched off.

Selon un mode de réalisation, de préférence combiné avec le mode de réalisation ci-dessus, la variation de température déterminée à l'étape 600 est comparée avec un seuil bas. A titre d'exemple, cette comparaison est mise en oeuvre en comparant la variation de la résistance mesurée à l'étape 600 à un deuxième seuil représentatif du seuil bas.According to one embodiment, preferably combined with the embodiment above, the temperature variation determined in step 600 is compared with a low threshold. By way of example, this comparison is implemented by comparing the variation of the resistance measured in step 600 with a second threshold representative of the low threshold.

Si la variation de température est inférieure au seuil bas, l'augmentation de température dans l'élément optique 2 est plus faible que lorsque l'élément optique 2 et la source 1 sont dans leur état nominal. Le procédé se poursuit alors à l'étape 604 (bloc "Laser/DOE issue").If the temperature variation is less than the low threshold, the temperature increase in the optical element 2 is lower than when the optical element 2 and the source 1 are in their nominal state. The method then continues at step 604 (“Laser/DOE issue” block).

En revanche, si la variation de température déterminée à l'étape 600 est inférieure au seuil haut et/ou supérieure au seuil bas, de préférence comprise entre les seuils haut et bas, le procédé se termine à une étape 606 suivante (bloc "Laser/DOE ok"). A cette étape 606, on déduit de la comparaison de l'étape 602 que l'élément optique 2 et la source 1 fonctionnent de la manière attendue, ou, autrement dit sont dans leur état nominal ou dans un état proche de leur état nominal, et que, par exemple, le faisceau laser 3 mis en forme ne présente aucun risque pour la santé.On the other hand, if the temperature variation determined in step 600 is less than the high threshold and/or greater than the low threshold, preferably between the high and low thresholds, the method ends at a following step 606 (block “Laser /DOE okay"). At this step 606, it is deduced from the comparison of step 602 that the optical element 2 and the source 1 operate in the expected manner, or, in other words, are in their nominal state or in a state close to their nominal state, and that, for example, the shaped laser beam 3 presents no health risk.

Le procédé décrit ci-dessus permet donc l'obtention d'informations sur l'état de la source 1 et de l'élément optique 2, notamment par rapport à leur état nominal.The method described above therefore makes it possible to obtain information on the state of the source 1 and of the optical element 2, in particular with respect to their nominal state.

Plus particulièrement, si la variation de température déterminée à l'étape 600 est supérieure au seuil haut, cela signifie par exemple que :
- la puissance optique émise par la source 1 est plus élevée que la puissance nominale émise, donc que le faisceau laser 3 mis en forme est plus puissant que dans l'état nominal de la source et de l'élément optique, le faisceau 3 mis en forme pouvant alors être dangereux pour la santé ; et/ou
- les caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique 2, ou, dit autrement, son coefficient d'absorption optique, sont plus importants que dans l'état nominal de la source et de l'élément optique.More specifically, if the temperature variation determined in step 600 is greater than the high threshold, this means for example that:
- the optical power emitted by the source 1 is higher than the nominal power emitted, so that the shaped laser beam 3 is more powerful than in the nominal state of the source and of the optical element, the beam 3 put in shape that can then be dangerous to health; and or
- the optical absorption characteristics of the optical element 2, or, in other words, its optical absorption coefficient, are greater than in the nominal state of the source and of the optical element.

En outre, si la variation de température déterminée à l'étape 600 est inférieure au seuil bas, cela signifie par exemple que :
- les caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique 2 sont plus faibles que dans l'état nominal de la source et de l'élément optique, donc que la puissance optique du faisceau laser 3 mis en forme est plus élevée que dans cet état nominal, le faisceau 3 mis en forme pouvant alors être dangereux pour la santé ; et/ou
- la puissance optique émise par la source 1 est plus faible que dans l'état nominal de la source et de l'élément optique.Furthermore, if the temperature variation determined in step 600 is lower than the low threshold, this means for example that:
- the optical absorption characteristics of the optical element 2 are lower than in the nominal state of the source and of the optical element, therefore the optical power of the shaped laser beam 3 is higher than in this nominal state, the shaped beam 3 then possibly being dangerous to health; and or
- The optical power emitted by the source 1 is lower than in the nominal state of the source and of the optical element.

L'homme du métier est en mesure de déterminer, à partir des indications fonctionnelles ci-dessus, la valeur des seuils haut et bas et, le cas échéant, des premier et deuxième seuils correspondants. Pour cela, l'homme du métier peut s'appuyer sur une étape d'étalonnage ou de caractérisation de la source 1 et de l'élément optique 2 et/ou sur des simulations assistées par ordinateur de la source 1 et de l'élément optique 2, par exemple des simulations effectuées à l'aide du logiciel désigné par l'appellation commerciale ANSYS Thermal Simulation.A person skilled in the art is able to determine, from the functional indications above, the value of the high and low thresholds and, where appropriate, of the corresponding first and second thresholds. For this, the person skilled in the art can rely on a step of calibration or characterization of the source 1 and of the optical element 2 and/or on computer-assisted simulations of the source 1 and of the element optical 2, for example simulations carried out using the software designated by the trade name ANSYS Thermal Simulation.

Les étapes du procédé décrit ci-dessus sont par exemple mises en oeuvre par un circuit de traitement, par exemple le circuit 13. A titre d'exemple, ce circuit de traitement est associé à une mémoire dans laquelle sont stockées des instructions qui, lorsqu'elles sont lues et exécutées par le circuit de traitement, entraînent la mise en oeuvre du procédé. A titre d'exemple, les instants de début et de fin de la phase d'illumination considérée sont obtenus à partir du circuit de commande de la source 1, par exemple à partir du circuit 13.The steps of the method described above are for example implemented by a processing circuit, for example circuit 13. By way of example, this processing circuit is associated with a memory in which are stored instructions which, when they are read and executed by the processing circuit, lead to the implementation of the method. By way of example, the instants of start and end of the illumination phase considered are obtained from the control circuit of source 1, for example from circuit 13.

Dans les modes de mise en oeuvre où l'on mesure la résistance de la piste 19 de l'élément optique, un circuit de mesure de la résistance est prévu, ce circuit de mesure faisant par exemple partie du circuit de traitement et de commande 13.In the embodiments where the resistance of the track 19 of the optical element is measured, a resistance measurement circuit is provided, this measurement circuit forming for example part of the processing and control circuit 13 .

Le procédé décrit ci-dessus peut être mis en oeuvre à chaque phase d'illumination de l'élément optique 2 par le faisceau laser 3, à certaines seulement de ces phases d'illumination et/ou pendant une phase d'illumination spécifique de test ayant une durée plus importante que celle des autres phases d'illumination, par exemple une durée de l'ordre de plusieurs centaines de millisecondes. La prévision d'une telle phase de test permet par exemple de s'assurer que la température de l'élément optique pendant cette phase d'illumination atteigne un état stable ou stationnaire. The method described above can be implemented at each phase of illumination of the optical element 2 by the laser beam 3, at only some of these illumination phases and/or during a specific test illumination phase. having a longer duration than that of the other illumination phases, for example a duration of the order of several hundred milliseconds. The provision of such a test phase makes it possible, for example, to ensure that the temperature of the optical element during this illumination phase reaches a stable or stationary state .

Selon un mode de réalisation, le procédé ci-dessus comprend en outre une étape de comparaison de la résistance de la piste 19 à une valeur haute. La valeur haute correspond à une valeur de résistance lorsque la piste 19 est interrompue ou brisée, l'interruption de la piste 19 signifiant que l'élément optique 2 est cassé. Lorsque l'élément optique 2 est cassé ou fendu, la puissance optique du faisceau laser 3 après l'élément optique 2 peut être plus importante que dans l'état nominal de la source 1 et de l'élément optique 2, le faisceau 3 pouvant alors être dangereux pour la santé. Ainsi, si la résistance de la piste 19 est supérieure à la valeur haute, la source 1 est de préférence éteinte définitivement. A titre d'exemple, cette comparaison de la résistance 19 à la valeur haute est mise en oeuvre en comparant la valeur haute à la première valeur et/ou la deuxième valeur de la résistance mesurées à l'étape 600.According to one embodiment, the above method further comprises a step of comparing the resistance of track 19 with a high value. The high value corresponds to a resistance value when the track 19 is interrupted or broken, the interruption of the track 19 signifying that the optical element 2 is broken. When the optical element 2 is broken or split, the optical power of the laser beam 3 after the optical element 2 can be greater than in the nominal state of the source 1 and the optical element 2, the beam 3 can then be hazardous to health. Thus, if the resistance of track 19 is greater than the high value, source 1 is preferably permanently switched off. By way of example, this comparison of resistor 19 with the high value is implemented by comparing the high value with the first value and/or the second value of the resistance measured in step 600.

On aurait pu penser à mettre en oeuvre uniquement l'étape de comparaison de la résistance de la piste conductrice 19 à une valeur haute de résistance. Toutefois, cela n'aurait pas permis de détecter le cas où la puissance optique émise par la source 1 est plus importante que la puissance nominale émise dans l'état nominal de la source et de l'élément optique, ni le cas où l'élément optique 2 présente, entre des portions de la piste 19 restée continue, une zone telle qu'un trou ou une faille laissant passer plus de puissance optique qu'il ne le ferait dans son état nominal.One could have thought of implementing only the step of comparing the resistance of the conductive track 19 with a high resistance value. However, this would not have made it possible to detect the case where the optical power emitted by the source 1 is greater than the nominal power emitted in the nominal state of the source and of the optical element, nor the case where the optical element 2 has, between portions of track 19 that has remained continuous, a zone such as a hole or a fault allowing more optical power to pass than it would in its nominal state.

Dans une variante non illustrée du procédé décrit ci-dessus, un signal représentatif de l'évolution en fonction du temps de la valeur de résistance de la piste 19 est obtenu en mesurant la résistance de la piste 10 de manière continue ou à une fréquence d'échantillonnage suffisamment élevée, par exemple supérieure à 1 KHz, de préférence supérieure à 10 KHz, voire supérieure à 100 KHz. Un filtrage passe haut de ce signal est ensuite mis en oeuvre pour supprimer les fréquences basses du signal, par exemple inférieures à 1 Hz, qui correspondent aux variations lentes de la température de l'élément optique 2 liées aux variations de la température de son environnement. La variation de la résistance de la piste 19 suite à une phase d'illumination est alors obtenue à partir d'une valeur du signal filtré, prise pendant la phase d'illumination. In a non-illustrated variant of the method described above, a signal representative of the evolution as a function of time of the resistance value of track 19 is obtained by measuring the resistance of track 10 continuously or at a frequency d sufficiently high sampling, for example greater than 1 KHz, preferably greater than 10 KHz, or even greater than 100 KHz. A high-pass filtering of this signal is then implemented to remove the low frequencies of the signal, for example less than 1 Hz, which correspond to the slow variations in the temperature of the optical element 2 linked to variations in the temperature of its environment. . The variation in the resistance of track 19 following an illumination phase is then obtained from a value of the filtered signal, taken during the illumination phase.

La figure 7 représente des chronogrammes illustrant une mise en oeuvre du procédé de la figure 6 selon un exemple. Plus particulièrement, la figure 7 représente, en haut, un chronogramme de l'évolution, en fonction du temps t en abscisse, de la résistance R de la piste 19, et, en bas, les phases ON où le faisceau 3 est émis par la source 1, dans cet exemple sous la forme d'une unique impulsion laser, et les phases OFF où le faisceau n'est pas émis.FIG. 7 represents timing diagrams illustrating an implementation of the method of FIG. 6 according to an example. More particularly, FIG. 7 represents, at the top, a chronogram of the evolution, as a function of time t on the abscissa, of the resistance R of track 19, and, at the bottom, the ON phases where the beam 3 is emitted by source 1, in this example in the form of a single laser pulse, and the OFF phases where the beam is not emitted.

Avant un instant t0, pendant une phase OFF, la température de l'environnement de l'élément optique 2 est par exemple de l'ordre de 30°C et la résistance R a une valeur R1 correspondante. A l'instant t0 débute une phase ON, par exemple d'une durée de 5 ms. A partir de l'instant t0, la température de l'élément optique 2 augmente, d'où il résulte que la résistance R augmente. L'augmentation de la température de l'élément optique 2 et l'augmentation correspondante de la résistance R sont relativement rapides, et s'effectuent par exemple en moins de 1 ms, voire moins de 0,5 ms.Before a time t0, during an OFF phase, the temperature of the environment of the optical element 2 is for example of the order of 30° C. and the resistance R has a corresponding value R1. At time t0 an ON phase begins, for example lasting 5 ms. From time t0, the temperature of optical element 2 increases, resulting in resistance R increasing. The increase in the temperature of the optical element 2 and the corresponding increase in the resistance R are relatively rapid, and take place for example in less than 1 ms, or even less than 0.5 ms.

A un instant suivant t1, pendant la phase ON, la résistance R est mesurée. La résistance R a alors une valeur R1'. Comme cela a été indiqué précédemment, les instants t0 et t1 sont séparés l'un de l'autre par la durée D2, de préférence suffisamment longue pour que la valeur de la résistance R soit sensiblement stationnaire à l'instant t1. A titre d'exemple, la durée D2 est choisie sensiblement égale, par exemple égale, à la moitié de la durée de la phase ON.At a following instant t1, during the ON phase, the resistance R is measured. Resistor R then has a value R1'. As indicated previously, times t0 and t1 are separated from each other by duration D2, preferably long enough for the value of resistance R to be substantially stationary at time t1. By way of example, the duration D2 is chosen substantially equal, for example equal, to half the duration of the ON phase.

A un instant suivant t2, la phase ON se termine. A partir de l'instant t2, la température de l'élément optique 2 décroît, d'où il résulte que la résistance R diminue. La diminution de la température de l'élément optique 2 et la diminution correspondante de la résistance R sont relativement rapides, et s'effectuent par exemple en moins de 1 ms, voire moins de 0,5 ms. Plus particulièrement, la température de l'élément optique 2 décroît jusqu'à une température sensiblement égale à celle de l'élément optique 2 avant l'instant t0, cette température dépendant essentiellement de la température de l'environnement de l'élément optique 2. Ainsi, la résistance R décroit de manière correspondante, jusqu'à la valeur R1.At a following instant t2, the ON phase ends. From time t2, the temperature of optical element 2 decreases, resulting in resistance R decreasing. The decrease in the temperature of the optical element 2 and the corresponding decrease in the resistance R are relatively rapid, and take place for example in less than 1 ms, or even less than 0.5 ms. More particularly, the temperature of the optical element 2 decreases to a temperature substantially equal to that of the optical element 2 before the instant t0, this temperature essentially depending on the temperature of the environment of the optical element 2 Thus, the resistance R decreases correspondingly, down to the value R1.

A un instant suivant t3, pendant la phase OFF suivant la phase ON entre les instants t0 et t2, la résistance R est mesurée et est sensiblement égale à R1. De préférence, comme cela a été indiqué précédemment, les instants t2 et t3 sont séparés l'un de l'autre par la durée D1, de préférence suffisamment longue pour que, à l'instant t1, la valeur de la résistance R ne dépende plus de la phase ON précédente. A titre d'exemple, la durée D1 est choisie sensiblement égale, par exemple égale, à la moitié de la durée entre deux phases ON successives.At a time following t3, during the OFF phase following the ON phase between times t0 and t2, resistance R is measured and is substantially equal to R1. Preferably, as indicated previously, the times t2 and t3 are separated from each other by the duration D1, preferably long enough so that, at the time t1, the value of the resistance R does not depend more than the previous ON phase. By way of example, the duration D1 is chosen substantially equal, for example equal, to half the duration between two successive ON phases.

L'écart ΔR1 entre les valeurs R1' et R1 est représentatif de la variation de la température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t0 et t1, donc de la puissance optique émise pendant cette phase et des caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique. L'écart ΔR1 est comparé aux premier et deuxième seuils décrits en relation avec la figure 6. Dans cet exemple, l'écart ΔR1 est compris entre les premier et deuxième seuils, et l'on en déduit que l'élément optique 2 et la source 1 sont dans leur état nominal.The difference ΔR1 between the values R1' and R1 is representative of the variation in the temperature of the optical element 2 following the ON phase between the times t0 and t1, therefore of the optical power emitted during this phase and of the characteristics of optical absorption of the optical element. The difference ΔR1 is compared with the first and second thresholds described in relation to FIG. 6. In this example, the difference ΔR1 is between the first and second thresholds, and it is deduced therefrom that the optical element 2 and the source 1 are in their nominal state.

A instant t4 suivant, la température de l'environnement de l'élément optique diminue, par exemple pour atteindre 10°C. Il en résulte une diminution de la température de l'élément optique 2 et donc de la résistance R. Ces diminutions de température s'effectuent très lentement, et la température de l'élément optique 2, donc la résistance, n'atteignent une valeur stable qu'à un instant postérieur t5 séparé de l'instant t4 par une ou plusieurs secondes.At the following instant t4, the temperature of the environment of the optical element decreases, for example to reach 10°C. This results in a decrease in the temperature of the optical element 2 and therefore of the resistance R. These temperature decreases take place very slowly, and the temperature of the optical element 2, therefore the resistance, does not reach a value stable only at a later time t5 separated from time t4 by one or more seconds.

Avant un instant t6 postérieur, pendant une phase OFF, la température de l'environnement de l'élément optique 2 est de l'ordre de 10°C et la résistance R a une valeur R2. A l'instant t6 débute une phase ON. A partir de l'instant t6, la résistance R augmente relativement rapidement.Before a later instant t6, during an OFF phase, the temperature of the environment of the optical element 2 is of the order of 10° C. and the resistance R has a value R2. At time t6 an ON phase begins. From time t6, resistance R increases relatively rapidly.

A un instant suivant t7, pendant la phase ON, la résistance R est mesurée. La résistance R a alors une valeur R2'. De préférence, les instants t6 et t7 sont séparés l'un de l'autre par la durée D2.At a following instant t7, during the ON phase, the resistance R is measured. Resistor R then has a value R2'. Preferably, times t6 and t7 are separated from each other by duration D2.

A un instant suivant t8, la phase ON se termine. A partir de l'instant t8, la résistance R diminue, relativement rapidement, jusqu'à la valeur R2.At a following instant t8, the ON phase ends. From time t8, resistance R decreases, relatively quickly, to value R2.

A un instant suivant t9, pendant la phase OFF suivant la phase ON entre les instants t6 et t8, la résistance R est mesurée et est sensiblement égale à R2. De préférence, les instants t8 et t9 sont séparés l'un de l'autre par la durée D1.At a time following t9, during the OFF phase following the ON phase between times t6 and t8, resistance R is measured and is substantially equal to R2. Preferably, times t8 and t9 are separated from each other by duration D1.

L'écart ΔR2 entre les valeurs R2' et R2 est représentatif de la variation de la température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t6 et t8, donc de la puissance optique émise pendant cette phase et des caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique. L'écart ΔR2 est comparé aux premier et deuxième seuils. Dans cet exemple, l'écart ΔR2 est compris entre les premier et deuxième seuils, et l'on en déduit que l'élément optique 2 et la source 1 sont dans leur état nominal. A titre d'exemple, l'écart ΔR2 est identique à l'écart ΔR1.The difference ΔR2 between the values R2' and R2 is representative of the variation in the temperature of the optical element 2 following the ON phase between the times t6 and t8, therefore of the optical power emitted during this phase and of the characteristics of optical absorption of the optical element. The deviation ΔR2 is compared with the first and second thresholds. In this example, the difference ΔR2 is between the first and second thresholds, and it is deduced therefrom that the optical element 2 and the source 1 are in their nominal state. By way of example, the deviation ΔR2 is identical to the deviation ΔR1.

A un instant t10 suivant, la température de l'environnement de l'élément optique 2 augmente, par exemple pour atteindre 20°C. Il en résulte une augmentation relativement lente de la résistance R jusqu'à ce que la résistance R atteigne une valeur stable R3 à un instant postérieur t11 séparé de l'instant t10 par une ou plusieurs secondes.At a following instant t10, the temperature of the environment of the optical element 2 increases, for example to reach 20°C. This results in a relatively slow increase in resistance R until resistance R reaches a stable value R3 at a later time t11 separated from time t10 by one or more seconds.

Avant un instant t12 postérieur, pendant une phase OFF, la température de l'environnement de l'élément optique 2 est de l'ordre de 20°C et la résistance R a la valeur R3. A l'instant t12 débute une phase ON. A partir de l'instant t12, la résistance R augmente relativement rapidement.Before a later instant t12, during an OFF phase, the temperature of the environment of the optical element 2 is of the order of 20° C. and the resistance R has the value R3. At time t12 an ON phase begins. From time t12, resistance R increases relatively rapidly.

A un instant suivant t13, pendant la phase ON, la résistance R est mesurée. La résistance R a alors une valeur R3'. De préférence, les instants t12 et t13 sont séparés l'un de l'autre par la durée D2.At a subsequent instant t13, during the ON phase, the resistance R is measured. Resistor R then has a value R3'. Preferably, times t12 and t13 are separated from each other by duration D2.

A un instant suivant t14, la phase ON se termine et la résistance R diminue, relativement rapidement, jusqu'à la valeur R3.At a following instant t14, the ON phase ends and the resistance R decreases, relatively quickly, to the value R3.

A un instant suivant t15, pendant la phase OFF suivant la phase ON entre les instants t12 et t14, la résistance R est mesurée et est sensiblement égale à R3. De préférence, les instants t14 et t15 sont séparés l'un de l'autre par la durée D1.At a time following t15, during the OFF phase following the ON phase between times t12 and t14, resistance R is measured and is substantially equal to R3. Preferably, times t14 and t15 are separated from each other by duration D1.

L'écart ΔR3 entre les valeurs R3' et R3 est représentatif de la variation de la température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t12 et t14, donc de la puissance optique émise pendant cette phase et des caractéristiques d'absorption optique de l'élément optique. L'écart ΔR3 est comparé aux premier et deuxième seuils. Dans cet exemple, l'écart ΔR3 est supérieur au premier seuil, ce qui signifie que la variation de température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t12 et t13 est plus importante que prévue. On en déduit que l'élément optique 2 et la source 1 se sont éloignés de leur état nominal, et que, par exemple, la puissance optique émise par la source pendant cette phase ON est plus importante que la puissance nominale émise. La puissance optique du faisceau 3 mis en forme est alors susceptible d'endommager la rétine d'une personne atteinte par ce faisceau mis en forme et la source 1 est de préférence définitivement éteinte.The difference ΔR3 between the values R3' and R3 is representative of the variation in the temperature of the optical element 2 following the ON phase between the times t12 and t14, therefore of the optical power emitted during this phase and of the characteristics of optical absorption of the optical element. The deviation ΔR3 is compared with the first and second thresholds. In this example, the difference ΔR3 is greater than the first threshold, which means that the temperature variation of the optical element 2 following the ON phase between times t12 and t13 is greater than expected. It is deduced therefrom that the optical element 2 and the source 1 have moved away from their nominal state, and that, for example, the optical power emitted by the source during this ON phase is greater than the nominal power emitted. The optical power of the shaped beam 3 is then liable to damage the retina of a person affected by this shaped beam and the source 1 is preferably permanently switched off.

La figure 8 représente des chronogrammes illustrant une mise en oeuvre du procédé de la figure 6 selon un autre exemple. Plus particulièrement, la figure 8 représente, en haut, un chronogramme de l'évolution, en fonction du temps t en abscisse, de la résistance R de la piste 19, et, en bas, les phases ON où le faisceau 3 est émis par la source 1, dans cet exemple sous la forme d'une unique impulsion laser, et les phases OFF où le faisceau n'est pas émis.FIG. 8 represents timing diagrams illustrating an implementation of the method of FIG. 6 according to another example. More particularly, FIG. 8 represents, at the top, a chronogram of the evolution, as a function of time t on the abscissa, of the resistance R of track 19, and, at the bottom, the ON phases where the beam 3 is emitted by source 1, in this example in the form of a single laser pulse, and the OFF phases where the beam is not emitted.

Les chronogrammes de la figure 8 sont identiques à ceux de la figure 7 à la différence que, la valeur R3' mesurée à l'instant t13 est plus faible en figure 8 qu'en figure 7.The timing diagrams in Figure 8 are identical to those in Figure 7 except that the value R3' measured at time t13 is lower in Figure 8 than in Figure 7.

Plus particulièrement, en figure 8, l'écart ΔR3 est inférieur au deuxième seuil, ce qui signifie que la variation de température de l'élément optique 2 suite à la phase ON entre les instants t12 et t13 est plus faible que prévue. On en déduit que l'élément optique 2 et la source 1 se sont éloignés de leur état nominal, et que, par exemple, l'élément optique 2 a des caractéristiques d'absorption optique plus faibles que prévue, ou, dit autrement, que le coefficient de transmission optique de l'élément 2 est plus élevé que le coefficient de transmission optique nominal de l'élément optique 2. La puissance optique du faisceau 3 mis en forme est alors susceptible d'endommager la rétine d'une personne atteinte par ce faisceau mis en forme et la source 1 est de préférence définitivement éteinte.More particularly, in FIG. 8, the difference ΔR3 is lower than the second threshold, which means that the variation in temperature of the optical element 2 following the ON phase between the instants t12 and t13 is lower than expected. It is deduced from this that the optical element 2 and the source 1 have moved away from their nominal state, and that, for example, the optical element 2 has weaker optical absorption characteristics than expected, or, in other words, that the optical transmission coefficient of the element 2 is higher than the nominal optical transmission coefficient of the optical element 2. The optical power of the shaped beam 3 is then likely to damage the retina of a person affected by this beam shaped and the source 1 is preferably permanently switched off.

Bien que cela n'ait pas été représenté sur les figures 7 et 8, en pratique, plusieurs phases ON sont mises en oeuvre entre les instants t3 et t6 et entre les instants t8 et t12, le procédé décrit en relation avec ces figures pouvant être mis en oeuvre pour au moins certaines de ces phases ON non représentées.Although this has not been represented in FIGS. 7 and 8, in practice, several ON phases are implemented between times t3 and t6 and between times t8 and t12, the method described in relation to these figures possibly being implemented for at least some of these ON phases, not shown.

Bien que l'on ait décrit ci-dessus en relation avec les figures 7 et 8 des exemples de mises en oeuvre du procédé de la figure 6 dans lesquels la résistance R de la piste 19 est mesurée pendant une phase d'illumination, et après cette phase d'illumination, l'homme du métier est en mesure d'adapter ces exemples de mises en oeuvre au cas où la résistance R est mesurée avant la phase d'illumination, et pendant la phase d'illumination.Although examples of implementations of the method of FIG. 6 have been described above in relation to FIGS. 7 and 8 in which the resistance R of track 19 is measured during an illumination phase, and after this illumination phase, those skilled in the art are able to adapt these examples of implementations to the case where the resistance R is measured before the illumination phase, and during the illumination phase.

Bien que l'on ait décrit ci-dessus en relation avec les figures 7 et 8 des phases d'illumination ON pendant chacune desquelles une seule impulsion laser de même durée que la phase d'illumination ON est émise, les exemples de fonctionnement décrits s'appliquent au cas où, pendant chaque phase d'illumination ON, la source 1 émet un train d'impulsions laser périodiques, la durée totale du train d'impulsions laser étant égale à la durée de la phase d'illumination ON.Although ON illumination phases have been described above in relation to FIGS. 7 and 8 during each of which a single laser pulse of the same duration as the ON illumination phase is emitted, the operating examples described are apply to the case where, during each illumination phase ON, the source 1 emits a train of periodic laser pulses, the total duration of the train of laser pulses being equal to the duration of the illumination phase ON.

La figure 9 représente, sous la forme d'un schéma électrique, un exemple d'un mode de réalisation d'un circuit 900 de mesure de la résistance d'une piste conductrice d'un élément optique du type de celui des figures 1 à 4. Dans cet exemple, le circuit 900 est un pont de Wheatstone.FIG. 9 represents, in the form of an electrical diagram, an example of an embodiment of a circuit 900 for measuring the resistance of a conductive track of an optical element of the type of that of FIGS. 4. In this example, circuit 900 is a Wheatstone bridge.

La piste conductrice 19 est ici représentée sous la forme d'une résistance R19. La résistance R19 est connectée en série avec une résistance R20 du circuit 900, entre des bornes 901 et 902 d'application d'une tension d'alimentation VCC, la tension VCC étant par exemple positive et référencée à la borne 902, par exemple la masse. Plus particulièrement, la résistance R19 a une borne connectée à la borne 901 du circuit 900, et une autre borne connectée à un noeud 903 du circuit 900, la résistance R20 étant connectée entre le noeud 903 et la borne 902.The conductive track 19 is represented here in the form of a resistor R19. Resistor R19 is connected in series with resistor R20 of circuit 900, between terminals 901 and 902 for applying a supply voltage VCC, voltage VCC being for example positive and referenced to terminal 902, for example the mass. More specifically, resistor R19 has one terminal connected to terminal 901 of circuit 900, and another terminal connected to node 903 of circuit 900, resistor R20 being connected between node 903 and terminal 902.

Le circuit 900 comprend en outre deux résistances R21 et R22 connectées en série entre les bornes 901 et 902, l'association en série des résistances R21 et R22 étant connectée en parallèle de l'association en série des résistances R19 et R20. Plus particulièrement, la résistance R21 est connectée entre la borne 901 et un noeud 904, la résistance R22 étant connectée entre le noeud 904 et la borne 902.Circuit 900 further includes two resistors R21 and R22 connected in series between terminals 901 and 902, the series association of resistors R21 and R22 being connected in parallel to the series association of resistors R19 and R20. More specifically, resistor R21 is connected between terminal 901 and a node 904, resistor R22 being connected between node 904 and terminal 902.

Les valeurs des résistances R20, R21 et R22 sont fixées, et toute variation de la valeur de la résistance R19, c'est-à-dire de la résistance de la piste 19, entraîne une variation correspondante d'une tension V_Rprise entre les noeuds 903 et 904. Ainsi, la valeur de la tension V_Rest représentative de la valeur de la résistance de la piste 19, donc de la température de l'élément optique 2. Dit autrement, la valeur de la tension V_Rconstitue une mesure de la résistance de la piste 19, donc de la température de l'élément optique 2.The values of resistors R20, R21 and R22 are fixed, and any variation in the value of resistor R19, i.e. of the resistance of track 19, causes a corresponding variation in a voltage V _R taken between the nodes 903 and 904. Thus, the value of the voltage V _R is representative of the value of the resistance of the track 19, therefore of the temperature of the optical element 2. In other words, the value of the voltage V _R constitutes a measurement of the resistance of track 19, therefore of the temperature of optical element 2.

Dans les modes de réalisation et variantes décrits ci-dessus, l'élément optique 2 ne comprend qu'une seule piste conductrice, à savoir la piste conductrice 19, et la température indépendante de la phase d'illumination est mesurée à l'aide de cette unique piste conductrice, avant ou après une phase d'illumination.In the embodiments and variants described above, the optical element 2 only comprises a single conductive track, namely the conductive track 19, and the temperature independent of the illumination phase is measured using this single conductive track, before or after an illumination phase.

Les inventeurs ont constaté que la variation de température de l'élément optique 2 pendant une phase d'illumination est localisée dans une zone de l'élément optique 2 traversée par le faisceau laser 3, par exemple une zone centrale de l'élément optique 2. Ainsi, pendant une phase d'illumination, la température dans une zone de l'élément optique 2 qui n'est pas traversée par le faisceau laser est sensiblement constante et peut être considérée comme indépendante de la phase d'illumination.The inventors have observed that the temperature variation of the optical element 2 during an illumination phase is localized in a zone of the optical element 2 through which the laser beam 3 passes, for example a central zone of the optical element 2 Thus, during an illumination phase, the temperature in a zone of the optical element 2 which is not traversed by the laser beam is substantially constant and can be considered as independent of the illumination phase.

Les inventeurs proposent donc un mode de réalisation d'un élément optique 2' similaire à l'élément optique 2, comprenant la trace 19 au moins en partie disposée dans une zone de l'élément optique 2' destinée à être traversé par le faisceau laser 3, par exemple une zone centrale de l'élément optique 2', et une piste conductrice supplémentaire 19' disposée dans une zone de l'élément optique 2' qui n'est pas destinée à être traversée par ce faisceau laser 3, par exemple une zone périphérique de l'élément optique 2'.The inventors therefore propose an embodiment of an optical element 2' similar to the optical element 2, comprising the trace 19 at least partly disposed in a zone of the optical element 2' intended to be traversed by the laser beam 3, for example a central zone of the optical element 2', and an additional conductive track 19' arranged in a zone of the optical element 2' which is not intended to be crossed by this laser beam 3, for example a peripheral zone of the optical element 2'.

L'homme du métier est en mesure d'adapter le système décrit en relation avec la figure 2 au cas où l'élément optique 2 est remplacé par l'élément optique 2'. En particulier, dans l'élément optique 2', la piste 19' est reliée électriquement, à chacune de ses extrémités, à un circuit de traitement, par exemple le circuit 13, par l'intermédiaire de deux fils conducteurs 21 supplémentaires, chaque extrémité de la piste 19' étant par exemple au contact d'un plot 23 supplémentaire de l'élément optique 2', et chaque plot 23 supplémentaire étant par exemple relié à un plot 9 correspondant par un des deux fils 21 supplémentaires.A person skilled in the art is able to adapt the system described in relation to FIG. 2 to the case where the optical element 2 is replaced by the optical element 2'. In particular, in the optical element 2', the track 19' is electrically connected, at each of its ends, to a processing circuit, for example the circuit 13, via two additional conducting wires 21, each end of the track 19' being for example in contact with an additional pad 23 of the optical element 2', and each additional pad 23 being for example connected to a corresponding pad 9 by one of the two additional wires 21.

Par ailleurs, comme cela a été indiqué pour la piste 19, la piste 19' est disposée ou incluse dans l'élément optique 2', c'est-à-dire noyée dans ce dernier, ou encore est disposée sur une face (supérieure ou inférieure) de l'élément optique 2'. La piste 19 et la piste 19' peut être disposées à des niveaux différents entre la face supérieure et la face inférieure de l'élément optique 2'.Furthermore, as indicated for track 19, track 19' is arranged or included in optical element 2', that is to say embedded in the latter, or else is arranged on one face (upper or lower) of the optical element 2'. The track 19 and the track 19' can be arranged at different levels between the upper face and the lower face of the optical element 2'.

Selon un mode de réalisation, l'élément optique 2' est similaire à l'élément optique 2 décrit en relation avec la figure 3, à la différence qu'il comprend en outre la piste 19' supplémentaire, et les plots 23 supplémentaires disposés aux extrémités de la piste 19'. A titre d'exemple, la piste 19' est réalisée à partir d'une même couche métallique que la piste 19, ou, dit autrement, les deux pistes 19 et 19' sont disposées à un même niveau dans l'épaisseur de la couche 31.According to one embodiment, the optical element 2' is similar to the optical element 2 described in relation to FIG. 3, with the difference that it also comprises the additional track 19', and the additional studs 23 arranged at ends of the 19' runway. By way of example, track 19' is made from the same metal layer as track 19, or, in other words, the two tracks 19 and 19' are arranged at the same level in the thickness of the layer 31.

La figure 10 représente, en vue de dessus et de manière schématique, un mode de réalisation d'un élément optique 2', la vue de la figure 10 correspondant à la vue de la figure 4. Comme en figure 4, seuls les plots 23 et les pistes 19 et 19' sont ici détaillés.FIG. 10 represents, in top view and schematically, an embodiment of an optical element 2′, the view of FIG. 10 corresponding to the view of FIG. 4. As in FIG. 4, only the studs 23 and tracks 19 and 19' are detailed here.

Dans cet exemple, l'élément optique 2' a, en vue de dessus, une forme rectangulaire. L'élément optique 2' peut avoir une autre forme, par exemple une forme circulaire, ovoïde ou polygonale, par exemple la forme d'un triangle, d'un carré ou d'un hexagone.In this example, the optical element 2' has, in top view, a rectangular shape. The optical element 2' can have another shape, for example a circular, ovoid or polygonal shape, for example the shape of a triangle, a square or a hexagon.

La piste conductrice 19 comprend au moins une portion disposée dans une zone 1000 de l'élément optique 2' destinée à être traversée par le faisceau laser 3, dans cet exemple la zone centrale de l'élément optique 2'. Ainsi, lorsque l'élément optique 2' est traversé par le faisceau laser 3, l'augmentation de la température dans la zone 1000 entraîne une augmentation correspondante de la température des portions de la piste 19 disposées dans cette zone.The conductive track 19 comprises at least a portion disposed in a zone 1000 of the optical element 2' intended to be traversed by the laser beam 3, in this example the central zone of the optical element 2'. Thus, when the optical element 2' is crossed by the laser beam 3, the increase in temperature in the zone 1000 causes a corresponding increase in the temperature of the portions of the track 19 arranged in this zone.

De préférence, comme cela est représenté en figure 4, dans la zone 1000, la piste 19 a la forme de zigzag.Preferably, as shown in FIG. 4, in zone 1000, track 19 has the shape of a zigzag.

La piste 19' est disposée dans une zone 1002 de l'élément optique 2' qui n'est pas traversée par le faisceau laser 3, ou, dit autrement, dans une zone 1002 à côté de la zone 1000, la limite entre les zones 1000 et 1002 étant ici représentée à titre d'exemple en pointillé. Dans le cas où la zone 1000 est la zone centrale de l'élément optique 2', la zone 1002 est par exemple la zone périphérique de l'élément optique 2'.The track 19' is placed in a zone 1002 of the optical element 2' which is not crossed by the laser beam 3, or, in other words, in a zone 1002 next to the zone 1000, the limit between the zones 1000 and 1002 being represented here by way of example in dotted lines. In the case where zone 1000 is the central zone of optical element 2', zone 1002 is for example the peripheral zone of optical element 2'.

Les pistes 19 et 19' sont isolées électriquement l'une de l'autre et ne sont donc pas en contact l'une avec l'autre.The tracks 19 and 19' are electrically isolated from each other and are therefore not in contact with each other.

De préférence, les plots 23 sont disposés vers des bords ou des coins de l'élément optique 2', de manière à ne pas perturber le faisceau 3. Dans cet exemple, les deux plots 23 en contact avec la piste 19 sont disposés du côté d'un premier bord de l'élément optique 2', le bord droit en figure 10, les deux plots 23 en contact avec la piste 19' sont disposés du côté d'un deuxième bord de l'élément optique 2', le bord gauche en figure 10, et la piste 19' s'étend le long des bords de l'élément optique 2'. La piste 19' comprend notamment une portion disposée entre le premier bord de l'élément optique 2' et les plots 23 en contact avec la piste 19.Preferably, the pads 23 are arranged towards the edges or corners of the optical element 2', so as not to disturb the beam 3. In this example, the two pads 23 in contact with the track 19 are arranged on the side of a first edge of the optical element 2', the straight edge in FIG. 10, the two studs 23 in contact with the track 19' are arranged on the side of a second edge of the optical element 2', the edge left in Figure 10, and the track 19 'extends along the edges of the optical element 2'. Track 19' includes in particular a portion arranged between the first edge of optical element 2' and studs 23 in contact with track 19.

En se référant de nouveau au procédé décrit en relation avec la figure 6, selon un mode de réalisation, la variation de température mesurée à l'étape 600 correspond alors à l'écart entre une première température indépendante de la phase d'illumination, ou, autrement dit une première température mesurée dans la zone 1002 de l'élément optique 2', et une deuxième température dépendante de la phase d'illumination, c'est-à-dire une température mesurée dans la zone 1000 de l'élément optique 2' alors que ce dernier est illuminé par le faisceau laser 3.Referring again to the method described in relation to FIG. 6, according to one embodiment, the temperature variation measured in step 600 then corresponds to the difference between a first temperature independent of the illumination phase, or , in other words a first temperature measured in the zone 1002 of the optical element 2′, and a second temperature dependent on the illumination phase, that is to say a temperature measured in the zone 1000 of the optical element 2' while the latter is illuminated by the laser beam 3.

Ainsi, dans ce mode de réalisation où l'élément optique 2' est muni des deux pistes conductrices 19 et 19', la différence entre la résistance de la piste 19 et celle de la piste 19', mesurées alors que l'élément optique 2' est illuminé, est représentative de la variation de température de la zone 1000 de l'élément optique 2', ou, dit autrement, de la différence entre la première température de l'élément optique 2' indépendante de la phase d'illumination et la deuxième température dépendante de la phase d'illumination.Thus, in this embodiment where the optical element 2' is provided with two conductive tracks 19 and 19', the difference between the resistance of the track 19 and that of the track 19', measured while the optical element 2 ' is illuminated, is representative of the variation in temperature of the zone 1000 of the optical element 2', or, in other words, of the difference between the first temperature of the optical element 2' independent of the illumination phase and the second temperature dependent on the illumination phase.

De préférence, la mesure de la résistance de la piste 19 et celle de la piste 19' sont mises en oeuvre simultanément, voire la différence entre la résistance de la piste 19 et celle de la piste 19' est mesurée directement. De préférence, comme cela a été décrit précédemment en relation avec les figures 6 à 8, la mesure de la résistance de la piste 19 et de celle de la piste 19' ou la mesure de la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' sont mises en oeuvre après que la durée D2 se soit écoulée depuis le début de la phase d'illumination.Preferably, the measurement of the resistance of track 19 and that of track 19' are implemented simultaneously, or even the difference between the resistance of track 19 and that of track 19' is measured directly. Preferably, as previously described in relation to FIGS. 6 to 8, measuring the resistance of track 19 and that of track 19' or measuring the difference in resistance between tracks 19 and 19' are implemented after the duration D2 has elapsed since the start of the illumination phase.

A titre d'exemple, en se référant de nouveau aux chronogrammes décrits en relation avec les figures 7 et 8, aux instants t1, t7 et t13, la résistance de chacune des pistes 19 et 19', ou la différence de résistance entre les pistes 19 et 19', est mesurée et les valeurs respectives ΔR1 ΔR2 et ΔR3 sont déduites de ces mesures.By way of example, referring again to the timing diagrams described in relation to FIGS. 7 and 8, at times t1, t7 and t13, the resistance of each of the tracks 19 and 19', or the difference in resistance between the tracks 19 and 19', is measured and the respective values ΔR1 ΔR2 and ΔR3 are deduced from these measurements.

Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre une étape de comparaison de la résistance de la piste 19 et/ou de la résistance de la piste 19' à une valeur haute. La valeur haute correspond à une valeur de résistance lorsque la piste respectivement 19 et/ou 19' est interrompue ou brisée, l'interruption de la piste 19 et/ou de la piste 19' signifiant que l'élément optique 2' est cassé. Lorsque l'élément optique 2' est cassé ou fendu, la puissance optique du faisceau laser 3 après l'élément optique 2' peut être plus importante que dans l'état nominal de la source 1 et de l'élément optique 2', le faisceau 3 pouvant alors être dangereux pour la santé. Ainsi, si la résistance de la piste 19 et/ou de la piste 19' est supérieure à la valeur haute, la source 1 est de préférence éteinte définitivement.According to one embodiment, the method further comprises a step of comparing the resistance of track 19 and/or the resistance of track 19' to a high value. The high value corresponds to a resistance value when track 19 and/or 19' respectively is interrupted or broken, the interruption of track 19 and/or track 19' signifying that optical element 2' is broken. When the optical element 2' is broken or cracked, the optical power of the laser beam 3 after the optical element 2' can be greater than in the nominal state of the source 1 and the optical element 2', the beam 3 can then be dangerous to health. Thus, if the resistance of track 19 and/or of track 19' is greater than the high value, source 1 is preferably switched off definitively.

Selon un mode de réalisation, de manière similaire à ce qui a été indiqué pour la piste 19, la différence entre la masse (poids) de la piste conductrice 19' et celle de l'élément optique 2' est importante, d'où il résulte que la variation de température de la piste conductrice 19' est très rapide par rapport à celle de l'élément optique 2' et peut être considérée comme instantanée par rapport à la variation de la température de la zone 1002 de l'élément optique 2'. De préférence, la masse de la piste conductrice est au moins 100000 fois, voire au moins 1000000 fois, plus faible que la masse de l'élément optique 2'.According to one embodiment, similar to what has been indicated for track 19, the difference between the mass (weight) of conductive track 19' and that of optical element 2' is significant, hence it results that the temperature variation of the conductive track 19' is very rapid compared to that of the optical element 2' and can be considered as instantaneous compared to the variation of the temperature of the zone 1002 of the optical element 2 '. Preferably, the mass of the conductive track is at least 100,000 times, or even at least 1,000,000 times, lower than the mass of the optical element 2'.

Selon un mode de réalisation, les pistes 19 et 19' ont, en l'absence d'illumination, les mêmes résistances, par exemple car elles sont en le même matériau et ont la même section et la même longueur. Dans ce cas, la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' mesurée pendant une phase d'illumination est directement proportionnelle à l'amplitude de la variation de la température dans la zone 1000 de l'élément optique 2' résultant d'une phase d'illumination.According to one embodiment, the tracks 19 and 19' have, in the absence of illumination, the same resistances, for example because they are made of the same material and have the same section and the same length. In this case, the resistance difference between tracks 19 and 19' measured during an illumination phase is directly proportional to the amplitude of the temperature variation in zone 1000 of optical element 2' resulting from a enlightenment stage.

Selon une variante de réalisation, les pistes 19 et 19' ont, en l'absence d'illumination, des résistances différentes. Dans cette variante, la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' mesurée pendant une phase d'illumination est proportionnelle à l'amplitude de la variation de la température dans la zone 1000 de l'élément optique 2' résultant d'une phase d'illumination, mais comprend en outre un décalage correspondant à la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' en l'absence d'illumination. On peut alors prévoir de soustraire ce décalage de la différence de résistances entre les pistes 19 et 19' mesurée pendant une phase d'illumination.According to a variant embodiment, the tracks 19 and 19' have, in the absence of illumination, different resistances. In this variant, the resistance difference between tracks 19 and 19' measured during an illumination phase is proportional to the amplitude of the temperature variation in zone 1000 of optical element 2' resulting from an illumination phase. illumination, but further comprises an offset corresponding to the difference in resistance between the tracks 19 and 19' in the absence of illumination. Provision can then be made to subtract this offset from the difference in resistance between tracks 19 and 19' measured during an illumination phase.

Selon un mode de réalisation, la différence de résistance entre les pistes 19 et 19' est mesurée au moyen du circuit 900 décrit en relation avec la figure 9, en remplaçant la résistance R21 ou la résistance R22, de préférence la résistance R22, par la piste 19'. Ainsi, la tension V_Rest représentative de la différence de résistance entre les pistes 19 et 19'.According to one embodiment, the difference in resistance between tracks 19 and 19' is measured by means of circuit 900 described in relation to FIG. 9, replacing resistor R21 or resistor R22, preferably resistor R22, by the 19' track. Thus, voltage V _R is representative of the difference in resistance between tracks 19 and 19'.

Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. L’homme de l’art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à l’homme de l’art. En particulier, lors d'une étape de calibration ou de caractérisation, en mesurant la valeur de la résistance de la piste 19 en fonction de la température de l'environnement de l'élément optique, alors que l'élément optique n'est pas illuminé par le faisceau laser 3, il est ensuite possible, pendant le fonctionnement du système électronique, de déterminer la température de l'environnement de l'élément optique à partir d'une valeur de la résistance de la piste 19 mesurée entre deux phases d'illumination successives. En effet, il suffit alors de retrouver la température de l'environnement de l'élément optique 2 ayant conduit, pendant la phase d'étalonnage ou de caractérisation, à une valeur de résistance identique à celle mesurée pendant le fonctionnement du système. Cela est également possible en mesurant, lors d'une étape de calibration ou de caractérisation, la valeur de la résistance de la piste 19' en fonction de la température de l'environnement de l'élément optique, puis en comparant, pendant le fonctionnement du système électronique, la valeur de la résistance de la piste 19' aux valeurs de résistance de la piste 19' mesurées ou déterminées pendant la phase d'étalonnage. En effet, dans ce cas, quand la valeur de résistance de la piste 19' mesurée pendant la phase d'étalonnage qui est la plus proche de la valeur de la résistance 19' mesurée pendant le fonctionnement du système a été identifiée, la température de l'environnement de l'élément optique 2' est alors celle qui correspond à la température ayant conduit à la valeur de résistance identifiée.Various embodiments and variants have been described. Those skilled in the art will understand that certain features of these various embodiments and variations could be combined, and other variations will occur to those skilled in the art. In particular, during a calibration or characterization step, by measuring the value of the resistance of track 19 as a function of the temperature of the environment of the optical element, while the optical element is not illuminated by the laser beam 3, it is then possible, during operation of the electronic system, to determine the temperature of the environment of the optical element from a value of the resistance of the track 19 measured between two phases of successive enlightenment. Indeed, it is then sufficient to find the temperature of the environment of the optical element 2 having led, during the calibration or characterization phase, to a resistance value identical to that measured during the operation of the system. This is also possible by measuring, during a calibration or characterization step, the value of the resistance of the track 19′ as a function of the temperature of the environment of the optical element, then by comparing, during operation of the electronic system, the resistance value of track 19' to the resistance values of track 19' measured or determined during the calibration phase. Indeed, in this case, when the resistance value of the track 19' measured during the calibration phase which is closest to the value of the resistance 19' measured during the operation of the system has been identified, the temperature of the environment of the optical element 2' is then that which corresponds to the temperature having led to the identified resistance value.

En outre, on peut prévoir que le procédé décrit ci-dessus soit mis en oeuvre dans une chaîne de production d'un système comprenant une source laser 1 et un élément optique 2 ou 2' de manière à tester les systèmes fabriqués et identifier les éventuels systèmes ne respectant pas des caractéristiques données d'absorption de l'élément optique 2 ou 2' et une puissance donnée d'émission.In addition, provision can be made for the method described above to be implemented in a production line of a system comprising a laser source 1 and an optical element 2 or 2' so as to test the systems manufactured and identify any possible systems not complying with given absorption characteristics of the optical element 2 or 2' and a given emission power.

Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l’homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus.Finally, the practical implementation of the embodiments and variants described is within the reach of those skilled in the art based on the functional indications given above.

Claims

Method for detecting a modification of the absorption characteristics of an optical element and of an optical power emitted by a source of a laser beam with respect to the nominal absorption characteristics and to a nominal power emitted, comprising the successive steps following:
a) determining (600) a variation in the temperature of the optical element (2, 2'), said temperature variation resulting from a phase of illumination of the optical element by the laser beam (3) passing through an area the optical element;
b) comparing the variation determined in step a) with at least one threshold predetermined by the nominal absorption characteristics and the nominal power emitted; And
c) deducing from step b) whether the absorption characteristics of the optical element and the optical power emitted by the source are modified with respect to the nominal absorption characteristics and the nominal power emitted.

Method according to claim 1, in which the temperature variation corresponds to the difference between a first temperature of the said zone of the optical element (2) independent of the illumination phase, and a second temperature of the said zone of the optical element dependent on the illumination phase.

Method according to claim 2, in which the optical element (2) comprises a conductive track (19) of which at least a portion is arranged in the said zone, preferably a central zone, of the optical element (2), the variation temperature being determined by a corresponding variation in the resistance of said track.

Method according to claim 3, wherein step a) comprises the following steps:
a1) measuring a first value (R1, R2, R3) of the resistance when said area of the optical element (2) is at the first temperature; And
a2) measuring a second value (R1', R2', R3') of the resistance when said zone of the optical element is at the second temperature, the temperature variation being determined by the difference (ΔR1, ΔR2, ΔR3) between the first and second values.

Method according to Claim 4, in which step a1) is carried out before or after the illumination phase (ON), step a2) being carried out during the illumination phase (ON).

Process according to Claim 4 or 5, in which:
- a first duration (D1) separates the start of the illumination phase (ON) and step a1) when step a1) is implemented before the illumination phase (ON), or separates the end of the illumination phase (ON) and step a1) when step a1) is implemented after the illumination phase (ON); And
- a second duration (D2) separates the start of the illumination phase (ON) and step a2), the first and second durations (D1, D2) preferably being determined by simulation or during a characterization step .

Method according to claim 1, in which the temperature variation corresponds to the difference between a first temperature of another zone (1002), preferably a peripheral zone, of the optical element (2'), said other zone n 'being not traversed by the laser beam (3) during the illumination phase, and a second temperature of said zone (1000), preferably a central zone, of the optical element (2').

Method according to claim 7, in which the optical element (2') comprises a conductive track of which at least a portion is arranged in said zone (1000), and an additional conductive track (19') arranged in said other area (1002 ), the temperature variation being determined from a difference between the resistance of the conductive track and the resistance of the additional conductive track.

A method according to claim 8, wherein step a) comprises: measuring a resistance difference between said track (19) when said area (1000) is at the second temperature, and said additional track (19') when said other area (1002) is at the first temperature, said temperature change being determined from said resistance difference.

Method according to claim 9, wherein step a) is carried out during said illumination phase.

Method according to claim 10, in which a duration (D2) separates the start of the illumination phase (ON) and step a), said duration being preferably determined by simulation or during a characterization step.

Method according to any one of Claims 3 to 6 and 8 to 11, in which the mass of the said track (19) is at least 100,000 times lower, preferably 1,000,000 times lower, than the mass of the optical element (2, 2') and/or the mass of said additional track (19') is at least 100,000 times lower, preferably 1,000,000 times lower, than the mass of the optical element (2').

A method according to any of claims 3 to 6 and 8 to 12, further comprising:
a step of comparing the resistance of said track (19) with a high value, and a step of determining that the optical element (2, 2') is defective if the resistance of said track (19) is greater than the value high ; and or
a step of comparing the resistance of said additional track (19') to the high value, and a step of determining that the optical element (2') is defective if the resistance of said additional track (19') is greater than the high value.

Method according to any one of Claims 1 to 13, in which the said at least one threshold is determined by simulation or during a characterization step.

A method according to any of claims 1 to 14, wherein:
when said temperature variation is greater than a high threshold, step c) consists in deducing that the source (1) emits a beam (3) of a higher optical power than the nominal optical power emitted; and or
when said temperature variation is less than a low threshold, step c) consists in deducing that the optical element (2) absorbs an optical power lower than a nominal absorbed power.

A method according to any of claims 1 to 15, wherein the optical element (2) is a diffractive optical element, DOE, configured to shape the beam (3).

A method according to any of claims 1 to 16, wherein:
a duration of the illumination phase is less than 500 ms; and or
the illumination phase is one illumination phase among several successive, for example periodic, illumination phases; and or
the illumination phase corresponds to an emission of a single pulse of the laser beam (3) or of a train of periodic pulses of the laser beam (3).