FR2550645A1 - ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND OPTICAL SIGNAL PROCESSING SYSTEM USING SUCH A DEVICE - Google Patents

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FR2550645A1 FR8410207A FR8410207A FR2550645A1 FR 2550645 A1 FR2550645 A1 FR 2550645A1 FR 8410207 A FR8410207 A FR 8410207A FR 8410207 A FR8410207 A FR 8410207A FR 2550645 A1 FR2550645 A1 FR 2550645A1
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Takeo Takahashi
Naoki Chinone
Kazuki Urita
Akio Ohishi
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Abstract

CE DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT COMPORTE UN ELEMENT ELECTROLUMINESCENT 1 EMETTANT UN FAISCEAU LASER, UN DISPOSITIF 2 SERVANT A PRODUIRE UN COURANT CONTINU, UN DISPOSITIF 3 SERVANT A PRODUIRE UN COURANT CONTENANT UNE COMPOSANTE DE COURANT ALTERNATIF D'UNE FREQUENCE COMPRISE ENTRE 12 ET 2 FOIS LA FREQUENCE DE RESONANCE DE L'ELEMENT ELECTROLUMINESCENT, ET DES MOYENS L, C POUR SUPERPOSER LE SIGNAL INCLUANT LA COMPOSANTE DE COURANT ALTERNATIF AU COURANT CONTINU ET POUR PRODUIRE UN SIGNAL COMMANDANT L'ELEMENT ELECTROLUMINESCENT ET DONT LE COURANT MAXIMUM EST SUPERIEUR A UNE VALEUR DE SEUIL DE L'EFFET LASER, TANDIS QUE LE COURANT MINIMUM EST INFERIEUR A CETTE VALEUR DE SEUIL. APPLICATION NOTAMMENT AUX DISPOSITIFS DE LECTUREENREGISTREMENT D'INFORMATIONS SUR UN DISQUE VIDEO OPTIQUE.THIS ELECTROLUMINESCENT DEVICE INCLUDES AN ELECTROLUMINESCENT ELEMENT 1 EMITTING A LASER BEAM, A DEVICE 2 SERVING TO PRODUCE A DIRECT CURRENT, A DEVICE 3 SERVES TO PRODUCE A CURRENT CONTAINING AN ALTERNATIVE CURRENT COMPONENT WITH A FREQUENCY BETWEEN 12 AND 2 TIMES RESONANCE OF THE ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND OF THE MEANS L, C TO SUPERIMPOSE THE SIGNAL INCLUDING THE ALTERNATIVE CURRENT COMPONENT TO THE DIRECT CURRENT AND TO PRODUCE A SIGNAL COMMANDING THE ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND WHOSE MAXIMUM CURRENT IS GREATER THAN A THRESHOLD OF L 'LASER EFFECT, WHILE THE MINIMUM CURRENT IS LOWER THAN THIS THRESHOLD VALUE. APPLICATION IN PARTICULAR TO READING DEVICES AND RECORDING OF INFORMATION ON AN OPTICAL VIDEO DISC.

Description

i La présente invention concerne un dispositif électroluminescent qui émetThe present invention relates to an electroluminescent device which emits

un faisceau laser, et un système de traitement de signaux optiques, qui utilise ce  a laser beam, and an optical signal processing system, which uses this

dispositif électroluminescent.electroluminescent device.

Ces dernières années, l'utilisation d'un dispositif à disque optique, dans lequel l'information est enregistrée ou reproduite grace à l'utilisation d'un faisceau laser qui délivre une lumière possédant une bonne homogénéité  In recent years, the use of an optical disk device, in which the information is recorded or reproduced through the use of a laser beam that delivers light having good homogeneity

et une intensité élevée, a connu un grand succès.  and a high intensity, has been a great success.

A titre d'exemple l'opération de reproduction de l'information d'un disque optique peut être résumée comme suit Un faisceau laser émis par exemple par une diode laser à semiconducteurs est focalisée par un objectif sur la surface d'un disque, sur laquelle l'information est 15 enregistrée, et une variation de la quantité de la lumière réfléchie par le disque est détectée de manière à reproduire un signal Le disque optique possède une densité d'informations mémorisées qui est supérieure entre 10 et 100 fois à celle d'un disque magnétique En outre, il conserve bien l'in20 formation mémorisée C'est pourquoi on s'attend à ce que le disque optique soit utilisé dans différents domaines, et des  By way of example, the operation of reproducing the information of an optical disk can be summarized as follows. A laser beam emitted for example by a semiconductor laser diode is focused by an objective on the surface of a disk, on wherein the information is recorded, and a change in the amount of light reflected by the disc is detected to reproduce a signal. The optical disc has a stored information density which is 10 to 100 times greater than that of the disc. Furthermore, it retains the stored memory. This is why it is expected that the optical disk will be used in different fields, and

disques vidéo optiques sont déjà apparus sur le marché.  Optical video discs have already appeared on the market.

Avant la présente invention, les inventeurs ont effectué différentes études sur un disque vidéo optique utilisant un laser à semiconducteurs Comme résultat, il s'est  Prior to the present invention, the inventors have carried out various studies on an optical video disc using a semiconductor laser.

avéré que le bruit parasite du laser à semiconducteurs (fluctuation de la sortie optique du laser à semiconducteurs) exerce une influence nuisible directement sur la qualité de l'image de reproduction du disque vidéo optique.  proved that the parasitic noise of the semiconductor laser (fluctuation of the optical output of the semiconductor laser) has a detrimental influence directly on the quality of the reproduction image of the optical video disc.

Les causes même du bruit parasite du laser à semiconducteurs peuvent être grossièrement réparties en deux classes Dans l'une de ces classes, lorsque le mode longitudinal d'un faisceau laser se décale d'un certain mode au mode  The same causes of the semiconductor laser's noise can be roughly divided into two classes. In one of these classes, when the longitudinal mode of a laser beam shifts from a certain mode to a

suivant dans le cas d'une variation de la température ambian35 te, de la température du bottier ou analogue du laser à semi-  next in the case of a variation of the ambient temperature, the temperature of the casing or the like of the semiconductor laser.

conducteurs, un bruit parasite se développe Le bruit parasite ainsi développé est désigné sous le terme de"bruit parasite de saut ou de sautillement de mode" Comme autre cause du bruit parasite, une partie de la lumière réfléchie par la surface du disque optique retourne en direction du laser à semiconducteurs luiméxe, de sorte que l'état du laser à semiconducteurs lors de l'obtention de l'effet laser devient instable, ce qui entraîne le développement du bruit parasite Ce bruit parasite ain10 si produit est désigné sous le terme de "bruit parasite SCOOP"  conductors, unwanted noise develops The parasitic noise thus developed is referred to as "parasitic noise of jumping or jittering mode" As another cause of stray noise, some of the light reflected from the surface of the optical disk returns to the semiconductor laser, so that the state of the semiconductor laser when the laser effect is obtained becomes unstable, resulting in the development of the parasitic noise This parasitic noise ain10 if produced is referred to as the "SCOOP noise"

(sigle tiré de l'anglais "Self-C Oupled Optical Pick-up, signifiant captage optique à auto-couplage).  ("Self-C Oupled Optical Pick-up" stands for self-coupling optical sensing).

Les éléments indiqués ci-dessus concernent le cas o les bruits parasites apparaissent dans le faisceau15 laser lui-même émis par le laser à semiconducteurs Dans un système de traitement de signaux optiques utilisé pour le disque optique ou analogue, un autre facteur provoque l'apparition de bruits parasites, en-dehors des bruits parasites indiqués précédemment, dans le signal de sortie du laser à semi20 conducteurs C'est-à-dire qu'un bruit parasite se développe lors de l'opération de reproduction ou lecture de l'information, et ce de telle manière que des lumières réfléchies par un composant optique, par exemple une lentille cylindrique, et par le disque qui est un support d'enregistrement, ou bien 25 la lumière réfléchie et le faisceau laser émis par le laser  The elements indicated above relate to the case where the noise appears in the laser beam itself emitted by the semiconductor laser In an optical signal processing system used for the optical disk or the like, another factor causes the appearance spurious noise, apart from the unwanted noise indicated above, in the output signal of the semi-conductor laser That is to say that a spurious noise develops during the operation of reproducing or reading the information in such a way that lights reflected by an optical component, for example a cylindrical lens, and by the disk which is a recording medium, or the reflected light and the laser beam emitted by the laser.

à semiconducteurs interfèrent réciproquement, ce qui entraîne la formation de franges d'interférences sur un photodétecteur.  Semiconductors interfere with each other, which results in the formation of interference fringes on a photodetector.

Ce bruit parasite est désigné sous le terme de"bruit parasite en forme detaches" Il réduit le rapport signal/bruit dans 30 la communication optique ou bien sur le disque optique Par exemple dans le disque vidéo optique, une image reproduite est affectée de façon nuisible de telle sorte que des taches blanches apparaissent de façon irrégulière sur l'image ou  This unwanted noise is referred to as "spurious noise in loose form". It reduces the signal-to-noise ratio in optical communication or on the optical disk. For example in the optical video disc, a reproduced image is adversely affected. so that white spots appear irregularly on the image or

bien il se produit un phénomène lors duquel la gradation de 35 l'ensemble de l'image varie dans le temps.  although a phenomenon occurs in which the gradation of the entire image varies over time.

Le fascicule de la demande de brevet publée au Japon sous le n 56-37 834 décrit une technique dans laquelle un courant, constitué par un courant à haute fréquence superposé à un courant continu de polarisation, est appliqué à un laser à semiconducteurs monomode de manière à "brancher" et "débrancher" le laser à semiconducteurs, de manière à passer du mode longitudinal en un mode multiple afin de réduire le bruit parasite de saut de mode et le bruit S Coop Cependant des études effectuées par les auteurs de la 10 présente invention ont révélé que ce procédé ne peut pas être considéré comme d'une efficacité satisfaisante pour empêcher  The specification of the patent application published in Japan under No. 56-37,834 describes a technique in which a current, consisting of a high frequency current superimposed on a DC bias current, is applied to a single mode semiconductor laser. to "plug" and "unplug" the semiconductor laser, so as to switch from the longitudinal mode to a multiple mode to reduce parasitic noise of mode jumping and noise S Coop However studies by the authors of the 10 present The invention has revealed that this method can not be considered to be of satisfactory efficacy to prevent

le développement du bruit parasite SCOOP, bien que l'on puisse s'attendre au même effet en ce qui concerne le bruit parasite de saut de mode.  the development of SCOOP spurious noise, although one could expect the same effect with regard to the parasitic noise of mode jump.

Les recherches effectuées par les auteurs à la base de la présente invention ont également révélé que le bruit parasite SCOOP n'est pas réduit de façon suffisante lorsque, en plus du moyen indiqué ci-dessus, aucune tentative n'est effectuée pour sélectionner la combinaison de la valeur 20 f de la haute fréquence devant être superposée dans le laser et de la longueur L du trajet optique entre une microplaquette de laser à semiconducteurs et la partie réfléchissante de manière à avoir la relation f = c/2 L-(c désignant la vitesse de  The researches carried out by the authors of the present invention have also revealed that the parasitic noise SCOOP is not sufficiently reduced when, in addition to the means indicated above, no attempt is made to select the combination of the value 20 f of the high frequency to be superimposed in the laser and the length L of the optical path between a semiconductor laser chip and the reflecting part so as to have the relation f = c / 2 L- (c designating the speed of

la lumière).the light).

Il s'est également avéré que le procédé indiqué précédemment ne peut pas être une disposition ou solution obviant au bruit de saut de mode et que l'on ne peut pas s'attendre à la réduction de ce bruit parasite sauf si l'on prend d'une manière suffisante des dispositions à l'en30 contre de la lumière diffuse, comme par exemple le revêtement de la surface de chaque composant optique avec une pellicule anti-reflets. Un but de la présente invention est de fournir un dispositif électroluminescent, qui permette de 35 réduire le bruit parasite SCOOP sans prendre en compte la combinaison d'une longueur d'un trajet optique et d'une fréquence de modulation, et qui puisse également réduire l'apparition du bruit parasite de saut de mode ainsi que du bruit parasite en forme de tâches Un autre but de la présente invention est de fournir un système de traitement de signaux optiques, dans lequel le bruit parasite puisse difficilement se développer  It has also been found that the above-mentioned method can not be a provision or solution obviating the mode jump noise and that the reduction of this parasitic noise can not be expected unless one takes in a sufficient manner of the arrangements against the diffuse light, such as for example the coating of the surface of each optical component with an anti-reflection film. It is an object of the present invention to provide a light-emitting device which makes it possible to reduce the parasitic noise SCOOP without taking into account the combination of a length of an optical path and a modulation frequency, and which can also reduce the appearance of the parasitic noise of mode jump as well as spurious noise in the form of tasks Another object of the present invention is to provide an optical signal processing system, in which the parasitic noise can hardly develop

pendant l'enregistrement ou la reproduction des signaux.  during the recording or reproduction of the signals.

On va résumer ci-après les grandes lignes 10 de la présente invention.  The outline of the present invention will be summarized below.

L'invention prévoit l'utilisation d'un laser alimenté par un courant dont la haute fréquence soit proche de la fréquence d'oscillation de relaxation (fréquence de résonance) du laser et qui possède un degré de modulation 15 suffisant de manière à moduler à grande vitesse le laser en plaçant à l'état "branché" et à l'état "débranché", ce qui a pour effet de faire passer un faisceau laser du mode longitudinal dans un mode multiple, et en outre les bandes spectrales des modes individuels du fonctionnement à modes multi20 ples sont apparamment élargies, ce qui réduit la cohérence du faisceau laser, ce qui permet d'atteindre l'objectif indiqué ci-dessus visant à réduire les bruits parasites Plus précisément ce problème est résolu à l'aide d'un dispositif électroluminescent, caractérisé en ce qu'il comporte un élé25 ment électroluminescent émettant un faisceau laser, un dispositif servant à produire un courant continu, un dispositif servant à produire un signal qui comporte une composante à courant alternatif ayant une fréquence comprise entre 1/2 et 2 fois la fréquence de résonance dudit élément électrolumines30 cent, et un dispositif pour superposer le signal comportant la composante du courant alternatif au courant continu et pour produire un signal de commande de l'élément électroluminescent, dont l'intensité maximale du courant devient supérieure à une intensité de courant de seuil de l'effet laser de l'élément 35 électroluminescent et dont l'intensité minimum du courant devient inférieure à l'intensité du courant de seuil d'effet  The invention provides for the use of a laser powered by a current whose high frequency is close to the relaxation oscillation frequency (resonance frequency) of the laser and which has a degree of modulation sufficient to modulate the high speed laser by placing in the "plugged-in" state and the "disconnected" state, which has the effect of passing a laser beam of the longitudinal mode in a multiple mode, and further the spectral bands of the individual modes Multi-mode operation is apparently enlarged, which reduces the coherence of the laser beam, which makes it possible to achieve the above-mentioned objective of reducing noise. More precisely, this problem is solved by means of an electroluminescent device, characterized in that it comprises an electroluminescent element emitting a laser beam, a device for producing a direct current, a device for generating a signal having an ac component having a frequency of 1/2 to 2 times the resonance frequency of said electroluminescent element cent, and a device for superimposing the signal comprising the ac component to the DC current and for producing a signal electroluminescent element, whose maximum intensity of the current becomes greater than a threshold current intensity of the laser effect of the electroluminescent element and whose minimum intensity of the current becomes lower than the intensity of the effect threshold current

laser dudit élément.laser of said element.

Le système de traitement de signaux numériques conforme à l'invention est caractérisé en ce qu'il 5 comprend un dispositif électroluminescent qui comporte un élément électroluminescent servant à émettre un faisceau laser, un dispositif servant à produire un courant continu, un dispositif servant à produire un signal qui comporte une composante à courant alternatif ayant une fréquence comprise 10 entre 1/2 et 2 fois la fréquence de résonance dudit élément électroluminescent, et un dispositif pour superposer le signal comportant la composante du courant alternatif au courant continuet peutproduire un signal de commande de l'élément électroluminescent, dont l'intensité maximale du courant de15 vient supérieure à une intensité de courant de seuil à l'effet laser de l'élément électroluminescent et dont l'intensité minimum du courant devient inférieure à l'intensité du courant de seuil d'effet laser dudit élément, un milieu sur lequel un signal est enregistré, et un dispositif servant à 20 détecter optiquement le signal enregistré sur ledit milieu,  The digital signal processing system according to the invention is characterized in that it comprises an electroluminescent device which comprises an electroluminescent element for emitting a laser beam, a device for producing a direct current, a device for producing a a signal having an ac component having a frequency of between 1/2 and 2 times the resonant frequency of said light emitting element, and a device for superimposing the signal comprising the ac component to the direct current andcan produce a control signal of the electroluminescent element, whose maximum current intensity is greater than a threshold current intensity at the laser effect of the electroluminescent element and whose minimum intensity of the current becomes lower than the intensity of the current of the electroluminescent element. laser effect threshold of said element, a medium on which a signal is recorded stré, and a device for optically detecting the signal recorded on said medium,

grâce à l'utilisation du faisceau laser.  thanks to the use of the laser beam.

D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur les25 quels:  Other features and advantages of the present invention will emerge from the description given hereinafter with reference to the accompanying drawings, of which:

les figures l(a) l(c) et 2 (a) 2 (c) représentent des diagrammes montrant les caractéristiques transitoires des formes d'ondes spectrales d'un laser à semiconducteurs, servant à expliciter le principe de la présente 30 invention;  Figs. 1 (a) 1 (c) and 2 (a) 2 (c) are diagrams showing the transient characteristics of the spectral waveforms of a semiconductor laser for explaining the principle of the present invention;

la figure 3 est un schéma montrant l'agencement fondamental du circuit de la présente invention; les figures 4 (a) 4 (c) sont des diagrammes de formes d'ondes montrant la variation dans le temps 35 d'un signal de sortie laser dans le cas o le laser est com-  Fig. 3 is a diagram showing the basic arrangement of the circuit of the present invention; FIGS. 4 (a) 4 (c) are waveform diagrams showing the variation over time of a laser output signal in the case where the laser is

mandé par la superposition d'un courant à haute fréquence; la figure 5 est une vue en perspective d'un dispositif électroluminescent selon une forme de réalisation de la présente invention; la figure 6 est une vue en coupe schématique du dispositif électroluminescent de la figure 5, prise suivant la ligne X-X'; et  mandated by the superposition of a high frequency current; Fig. 5 is a perspective view of an electroluminescent device according to one embodiment of the present invention; Figure 6 is a schematic sectional view of the electroluminescent device of Figure 5, taken along the line X-X '; and

la figure 7 est une vue représentant schématiquement l'agencement global d'un système de traite10 ment de signaux optiques, qui utilise le dispositif électroluminescent représenté sur la figure 5.  Fig. 7 is a view schematically showing the overall arrangement of an optical signal processing system, which uses the light emitting device shown in Fig. 5.

On va décrire ci-après les formes de réalisation préférée de l'invention.  The preferred embodiments of the invention will be described below.

La caractéristique importante de la pré15 sente invention réside dans l'épaississement apparent de la largeur spectrale d'un faisceau laser, c'est-à-dire en d'autres termes dans l'accroissement de la variation de la longueur d'onde X du faisceau laser en fonction du temps, avec  The important feature of the present invention resides in the apparent thickening of the spectral width of a laser beam, i.e. in other words in increasing the variation of the wavelength X of the laser beam as a function of time, with

pour effet que la cohérence du laser est abaissée, ce qui 20 entraîne la réduction de l'apparition de bruits parasites.  As a result, the coherence of the laser is lowered, thereby reducing the occurrence of unwanted noise.

Comme moyen d'obtenir l'état ci-dessus, la présente invention adopte une technique, selon laquelle un courant à haute fréquence est superposé à un courant continu afin de moduler le laser en le plaçant à l'état "branché" et "débranché", ce qui 25 a pour effet de réaliser une commutation d'un mode longitudinal de production de l'effet laser à un mode multiple et en outre que la fréquence du courant à haute fréquence devant être superposée est amenée au voisinage de la fréquence de résonance (fréquence d'oscillation de relaxation) du disposi30 tif laser de manière à moduler le laser à grande vitesse La  As a means of obtaining the above state, the present invention adopts a technique, according to which a high frequency current is superimposed on a direct current in order to modulate the laser by placing it in the "connected" and "disconnected" state. "which has the effect of switching from a longitudinal mode of producing the laser effect to a multiple mode and furthermore that the frequency of the high frequency current to be superimposed is brought to the vicinity of the frequency of resonance (relaxation oscillation frequency) of the laser device so as to modulate the laser at high speed.

fréquence de résonance dans la présente description est censée  resonant frequency in this description is meant to

désigner une fréquence de modulation fr dans le cas o le degré de modulation d'un signal de sortie optique devient très élevé dans un état de résonance établi lorsque la fréquence 35 (fréquence de modulation) d'un courant alternatif appliqué au laser à semiconducteurs est modifiée En général, dans le laser à semiconducteurs, la fréquence de résonance est située entre 1 G Hz et 4 G Hz par suite de l'interaction du faisceau laser et des porteurs Maintenant on va expliquerle principe de la présente invention indiquée ci-dessus en se référant aux figures l(a) l(c) et aux figures 2 (a) 2 (c) Sur ces figures les caractéristiques transitoires d'un laser à semiconducteurs et les formes d'ondes spectrales de faisceaux lasers sont représentées Lorsqu'un courant impulsionnel tel 10 que représenté sur la figure l(a) est appliqué au laser avec un courant de polarisation I maintenu au voisinage du courant de seuil (Ith) du laser, les "fluctuations de la lumière" répétées à la fréquence de résonance f du laser intervienr nent dans la partie montante de la lumière de sortie du laser. 15 Les fluctuationsde lumière sont des oscillations amorties particulières au laser à semiconducteurs, désignées sous le terme de "oscillations de relaxation" Apres l'écoulement d'un certain intervalle de temps, le signal de sortie optique P est maintenu à une valeur prédéterminée Po O (figure l(b)). 20 On considère que les oscillations de relaxation résultent de la modulation de la lumière laser par les composantes de la fréquence de résonance fr' qui apparaissent lorsque la modification en forme d'échelon du courant  designate a modulation frequency fr in the case where the degree of modulation of an optical output signal becomes very high in a state of resonance established when the frequency (modulation frequency) of an alternating current applied to the semiconductor laser is In general, in the semiconductor laser, the resonant frequency is between 1 GHz and 4 GHz as a result of the interaction of the laser beam and the carriers. The principle of the present invention indicated above will now be explained. Referring to FIGS. 1 (a) 1 (c) and 2 (a) 2 (c), the transient characteristics of a semiconductor laser and spectral waveforms of laser beams are shown in FIGS. The pulsed current as shown in FIG. 1 (a) is applied to the laser with a bias current I maintained in the vicinity of the threshold current (Ith) of the laser, the "fluctuations in light" being The resonant frequency f of the laser intervenes in the rising portion of the laser output light. Light fluctuations are amorphous oscillations peculiar to the semiconductor laser, referred to as "relaxation oscillations". After the lapse of a certain time interval, the optical output signal P is maintained at a predetermined value Po O (Figure l (b)). It is believed that the relaxation oscillations result from the modulation of the laser light by the components of the resonant frequency fr 'which occur when the step-change of the current

appliqué est développé en séries de Fourier.  applied is developed in Fourier series.

En théorie, la fréquence de résonance fr  In theory, the frequency of resonance

et la fréquence d'oscillation de relaxation du dispositif laser coïncident C'est pourquoi, dans la présente description,  and the relaxation oscillation frequency of the laser device coincide. This is why, in the present description,

on considérera que la fréquence de résonance et la fréquence  we will consider that the resonant frequency and the frequency

d'oscillation de relaxation sont des synonymes.  relaxation oscillation are synonyms.

Dans la partie d'oscillation de relaxation, le signal de sortie optique P (c'est-à-dire la densité de porteurs dans une couche active} varie fortement en fonction du temps Cela signifie quela variation de l'indice de réfraction dans la couche active devient supérieur et que la 35 variation b Xen fonction du temps, de la longueur d'onde de la lumière laser existant à l'intérieur de la couche active devient élevée Lorsque la période T 1 de l'impulsion appliquée est suffisamment supérieure à une durée d'oscillation de relaxation T 2, les fluctuations defla lumière attri5 buées aux oscillations de relaxation peuvent être négligées, et le signal de sortie modulé de la lumière laser peut être considéré comme le signal de sortie prédéterminé Po Le dispositif laser est commandé à l'état "branché" et à l'état "débranché" par une onde impulsionnelle (une onde à courant  In the relaxation oscillation portion, the optical output signal P (i.e. the carrier density in an active layer) varies greatly with time. This means that the variation of the refractive index in the As the active layer becomes larger and the variation b X as a function of time, the wavelength of the laser light existing inside the active layer becomes high. When the period T 1 of the applied pulse is sufficiently greater than a relaxation oscillation duration T 2, the fluctuations of the light imparted to the relaxation oscillations can be neglected, and the modulated output signal of the laser light can be considered as the predetermined output signal Po The laser device is controlled at the "connected" state and in the "disconnected" state by a pulse wave (a current wave

alternatif à haute fréquence peut être parfaitement utilisée), dans laquelle la période T 1 d'impulsion appliquée est suffisamment supérieure à la durée d'oscillation de relaxation T 2.  alternating high frequency can be perfectly used), wherein the applied pulse period T 1 is sufficiently greater than the relaxation oscillation duration T 2.

Par conséquent, lorsque le dispositif laser est tombé à l'état dans lequel une pluralité de lumièreslaser possédant des longueurs d'ondes essentiellement différentes existent à l'intérieur d'un résonateur, c'està-dire lorsque le mode multiple a été établi, la forme d'onde spectrale de la lumière de sortie du laser devient celle représentée sur la  Therefore, when the laser device has fallen into the state in which a plurality of laser lights having substantially different wavelengths exist within a resonator, i.e. when the multiple mode has been established, the spectral waveform of the laser output light becomes that represented on the

figure l(c), et la largeur spectrale (la demi-largeur de 20 l'énergie Ps de chaque spectre)A est faible.  Figure 1 (c), and the spectral width (half-width of Ps energy of each spectrum) A is small.

Ici, lorsque la période T 1 du courant impulsionnel appliqué est synchronisée avec la durée d'oscillation de relaxation T 2 telle que représentée sur la figure 2 (a), le signal de sortie optique de la seule partie d'oscil25 lation de relaxation est produit sous la forme représentée sur la figure 2 (b) Lorsque le faisceau laser a été amené à son mode de fonctionnement multiple, sous l'effet de la commande du laser à l'état "branché" et"débranché" avec un tel courant impulsionnel (courant alternatif à haute fréquence) précédant la période très brève T 1, la forme d'onde spectrale de la lumière de sortie du laser devient celle représentéee sur la figure 2 (c) C'est-à-dire que la variation > (largeur spectrale), en fonction du temps, de la longueur d'onde X du faisceau laser dans le mode multiple, est importante La 35 raison en est que, étant donné que la longueur d'onde de chacune des lumières laser dans le mode multiple, est en outre modifiée essentiellement en fonction du temps sous l'effet de la modification de l'oscillation de relaxation,  Here, when the period T 1 of the applied pulse current is synchronized with the relaxation oscillation duration T 2 as shown in FIG. 2 (a), the optical output signal of the only part of the relaxation oscillation is produced in the form shown in FIG. 2 (b) When the laser beam has been brought to its multiple operating mode, under the effect of the control of the laser in the "connected" and "disconnected" state with such a current impulse (high frequency alternating current) preceding the very short period T 1, the spectral waveform of the laser output light becomes that represented in FIG. 2 (c) That is to say that the variation> (spectral width), as a function of time, of the laser beam wavelength X in the multiple mode, is important The reason for this is that, since the wavelength of each of the laser lights in the mode multiple, is further modified essentially nt as a function of time under the effect of the modification of the relaxation oscillation,

l'énergie contenue dans chaque mode se disperse de manière à 5 fournir le spectre qui est dense et étendu contrairement au spectre en pointe tel que représenté sur la figure l(c).  the energy contained in each mode is dispersed so as to provide the spectrum which is dense and extended unlike the peak spectrum as shown in Figure 1 (c).

Dans un tel état, la cohérence de la lumière de sortie du laser est réduite à une certaine valeur.  In such a state, the coherence of the laser output light is reduced to a certain value.

Il en résulte que mnme lorsque la lumière réfléchie par un système 10 optique revient sur une microplaquette de laser, des bruits parasites peuvent difficilement se développer En outre, il apparaît difficilement une interférence entre la lumière réfléchie par le système optique et le bruit parasite devant se développer pendant la lecture ou reproduction de l'information peut également être réduit De cette manière, la présente invention est caractérisée par l'extraction uniquement des parties fluctuantes de la lumière laser sous  As a result, even when the light reflected by an optical system returns to a laser chip, spurious noises can hardly develop. Furthermore, interference between the light reflected by the optical system and the unwanted noise before During this process, the present invention is characterized by extracting only the fluctuating portions of the laser light under

la forme d'une impulsion de lumière continue.  the shape of a continuous light pulse.

La figure 3 est un schéma qui montre l'a20 gencement fondamental du circuit servant à mettre en oeuvre la présente invention Une diode laser à semiconducteurs 1 est commandée par les courants superposés fournis par une source de courant continu 2 et par une source de courant à haute fréquence 3 Les symboles L et C sur la figure dési25 gnent respectivement une bobine et un condensateur, qui sont  FIG. 3 is a diagram showing the fundamental arrangement of the circuit for carrying out the present invention. A semiconductor laser diode 1 is controlled by the superimposed currents provided by a DC power source 2 and a current source. The symbols L and C in the figure respectively denote a coil and a capacitor, which are

montés de telle manière que les deux sources de courant peuvent commander de façon indépendante le laser à semiconducteurs.  mounted in such a way that the two current sources can independently control the semiconductor laser.

La figure 4 (a) est un schéma montrant la 30 caractéristique courant (Io) sortie optique (P) du laser à semiconducteurs Le laser à semiconducteurs est commandé par le courant: I = I + t AI cos ( 2 r-f t) ( 1) dans lequel le courant à haute fréquence A I cos ( 211 f t) 35 (f: fréquence, t: temps) est superposé au courant continu Io La figure 4 (b) représente la variation dans le temps du courant de commande du laser A cet instant, la variation de la sortie du laser en fonction du temps (t) devient celle représentée sur la figure 4 (c) C'est-à-dire que l'on a: L = L + L cos ( 2-Wf t) pour I(t) > Ith ( 2) L = O pour I(t) Ith ( 2) Ici, Ith désigne un courant de seuil d'effet laser et L et o L désignent respectivement une sortie de lumière en courant continu et une amplitude de lumière en courant alternatif correspondant à Io etỈ L'effet laser apparaît uniquement lorsque le courant I de commande du laser dépasse Ith, de sorte que la sortie L de la lumière laser devient une oscillation d'impulsion de lumière continue (La modulation du laser à semiconducteurs dans l'état "branché" ou dans l'état 15 "débranché", réalisée de cette manière, est une condition indispensable pour amener le faisceau laser dans le mode multiple, comme cela a été indiqué précédemment) En outre, conformément àla présente invention, et comme indiqué précédemment, la fréquence f du courant alternatif à haute fré20 quence devant être superposé au courant continu de commande du laser possède une valeur proche de la fréquence d'oscillation de relaxation (fréquence de résonance) fr du dispositif laser devant être commandé A titre d'exemple les inventeurs ont vérifié, à partir d'expérience, que dans le cas de l'u25 tilisation d'un laser à semiconducteurs possédant la structure MCSP (structure planaire modifiée à substrat muni de canaux), possédant une longueur d'onde de 780 nm et une valeur Ith de 50 m A, avec une fréquence de résonance fr égale à environ 1,8 G Hz, l'effet de réduction du bruit parasite est intense lorsque la fréquence du courant à haute fréquence devant être superposé au courant continu est réglée à 1/2 2 fois la fréquence de résonance fr' à savoir entre 900 M Hz et 3,6 G Hz On a également vérifier que, dans le cas d'un laser à semiconducteurs possédant la structure BH (hétéro35 gène-enselevie), qui possède une fréquence de résonance f r il égale à environ 2 G Hz, l'effet de réduction des bruits parasite est intense lorsque la valeur de haute fréquence devant être superposée est maintenue de façon similaire à 1/2 2 fois la fréquence de résonance fr La fréquence du 5 courant à haute fréquence devant être superposé est déterminée dans le cas présent en fonction de la fréquence de résonance du dispositif laser devant être utilisé et du taux  FIG. 4 (a) is a diagram showing the current characteristic (Io) optical output (P) of the semiconductor laser The semiconductor laser is driven by the current: I = I + t AI cos (2 rf t) (1) ) in which the high frequency current AI cos (211 ft) 35 (f: frequency, t: time) is superimposed on the direct current Io. FIG. 4 (b) represents the variation over time of the control current of the laser. moment, the variation of the output of the laser as a function of time (t) becomes that represented in FIG. 4 (c) That is to say that we have: L = L + L cos (2-Wf t ) for I (t)> Ith (2) L = O for I (t) Ith (2) Here, Ith denotes a laser effect threshold current and L and L respectively denote a DC light output and an AC light amplitude corresponding to Io and Ỉ The laser effect appears only when the control current I of the laser exceeds Ith, so that the output L of the laser light becomes The modulation of the semiconductor laser in the "plugged-in" state or in the "disconnected" state, achieved in this manner, is a prerequisite for bringing the laser beam into the mode. In addition, according to the present invention, and as previously indicated, the frequency f of the high-frequency alternating current to be superimposed on the laser direct control current has a value close to the frequency of the laser. relaxation oscillation (resonant frequency) fr of the laser device to be controlled By way of example, the inventors have verified, from experience, that in the case of the use of a semiconductor laser having the structure MCSP (modified planar structure with channel-equipped substrate), having a wavelength of 780 nm and an Ith value of 50 m A, with a resonant frequency equal to about 1.8 GHz, the spurious noise reduction effect is intense when the frequency of the high frequency current to be superimposed on the direct current is set to 1/2 2 times the resonance frequency fr 'namely between 900 M Hz and 3.6 G Hz It has also been verified that, in the case of a semiconductor laser having the BH (hetero gene-enselevie) structure, which has a resonant frequency of about 2 GHz, the spurious noise reduction effect is intense when the high frequency value to be superimposed is maintained in a manner similar to 1/2 2 times the resonant frequency. The frequency of the high frequency current to be superimposed is determined in FIG. present case depending on the resonant frequency of the laser device to be used and the rate

requis de réduction des bruits parasites.  required noise reduction.

Ci-après on va discuter d'un exemple d'un 10 dispositif électroluminescent (un dispositif de module de laser à semiconducteurs) mettant en oeuvre l'agencement fondamental du circuit de la présente invention représenté sur la figure 3, en référence aux figures 5 eta 6 La figure 5 est une vue en perspective du dispositif électroluminescent, 15 tandis que la figure 6 est une vue en coupe du dispositif électroluminescent de la figure 5, prise suivant la ligne X-X' Le dispositif électroluminescent 4 est constitué par un dispositif à diode laser 5, un boîtier 10, des bornes extérieures de raccordement 6, 7, 8, 9, etc Une plaquette 20 céramique à circuits imprimés 17, surlaquelle une bobine 14,  Hereinafter, an example of an electroluminescent device (a semiconductor laser module device) embodying the fundamental arrangement of the circuit of the present invention shown in FIG. 3 will be discussed with reference to FIGS. 5 is a perspective view of the electroluminescent device, while FIG. 6 is a sectional view of the electroluminescent device of FIG. 5, taken along the line XX '. The electroluminescent device 4 is constituted by a diode device. laser 5, a housing 10, external connection terminals 6, 7, 8, 9, etc. A ceramic printed circuit board 17, on which a coil 14,

des transistors 15, 16, etc sont montés, est fixée à l'intérieur du boîtier 10 au moyen d'un élément de liaison 18.  transistors 15, 16, etc. are mounted, is fixed inside the housing 10 by means of a connecting element 18.

Les bornes 13 du dispositif à diode laser pénètrent à l'intérieur du boîtier 10 et de la plaquette céramique à cir25 cuits imprimés 17 par l'intemédiaire de trous traversants (non représentés) et sontfixées par une soudure 19 Bien que ceci ne soit pas représenté, un câblage en aluminium (A 1) est agencé ou structuré sur la plaquette céramique à circuits imprimés 17 de manière à raccorder individuellement la bobine 30 14, les transistors 15, 16, le dispositif à diode laser 5, etc Ainsi un circuit oscillateur laser est construit sur la plaquette céramique à circuits imprimés 17 Dans la partie  The terminals 13 of the laser diode device penetrate inside the casing 10 and the printed ceramic circuit board 17 via through holes (not shown) and are attached by a solder 19 although this is not shown. an aluminum wiring (A 1) is arranged or structured on the printed circuit board 17 to individually connect the coil 14, the transistors 15, 16, the laser diode device 5, etc. Thus a laser oscillator circuit is built on the ceramic printed circuit board 17 In the part

d'un plot de jonction (non représenté), le câblage en aluminium est raccordé par exemple à la borne extérieure de rac35 cordement 8 par l'intermédiaire d'un fil de cuivre étamé 12.  of a junction pad (not shown), the aluminum wiring is connected for example to the outer connection terminal 8 via a tinned copper wire 12.

Les bornes extérieures de raccordement 6, 7, 8 et 9 sont une borne formant source d'alimentation en énergie pour un circuit générateur à haute fréquence, une borne d'une source de courant continu pour le laser, une borne de masse et une 5 borne de sortie pour le contrôle du faisceau laser, respectivement Lorsque des tensions d'alimentation désirées sont appliquées aux bornes respectives, le faisceau laser 1 est émis par le dispositif à diode laser 5 Ce faisceau laser est envoyé à un milieu ou support d'enregistrement à l'aide 10 de moyens optiques tels que des lentilles, de manière à réaliser la lecture d'un signal enregistré Ce cas est illustré sur la figure 7 Cette figure représente une vue schématique permettant d'expliquer l'agencement général d'un système de traitement de signaux optiques Tout d'abord on va expliquer 15 brièvement le montage du dispositif à diode laser 5 Une tige de cuivre 21 est montée verticalement sur la partie centrale de la surface supérieure d'une bride 35 qui est constituée en un métal possédant une bonne conductibilité thermique, comme par exemple le cuivre Un élément laser à 20 semiconducteurs (microplaquette) 23 est fixé sur une face latérale de la tige 21 au moyen d'un support auxiliaire en silicium 22 La microplaquette 23 comporte deux faces, à savoir des faces supérieure et inférieure permettant l'émission de faisceaux lasers 11 Un photodétecteur (photodiode) 25 25 de contrôle du signal de sortie, qui reçoit le faisceau laser 11, est disposé au- dessous de la face émissive inférieure La microplaquette 23 et le photodétecteur 25 sont raccordés respectivement aux bornes 13 par l'intermédiaire de fils 24 en or (Au) Le faisceau laser sort à travers une 30 fenêtre transparente 34, qui est ménagée dans une partie du  The external connection terminals 6, 7, 8 and 9 are a power supply source terminal for a high frequency generator circuit, a DC power source terminal for the laser, a ground terminal, and a power source terminal. When the desired supply voltages are applied to the respective terminals, the laser beam 1 is emitted by the laser diode device 5. This laser beam is sent to a recording medium or medium. With the aid of optical means such as lenses, so as to perform the reading of a recorded signal. This case is illustrated in FIG. 7. This figure represents a schematic view making it possible to explain the general arrangement of a system. First of all, the mounting of the laser diode device 5 will be explained briefly. A copper rod 21 is mounted vertically on the central part of the surface. The upper flange 35 is made of a metal having good thermal conductivity, such as copper. A semiconductor laser element (chip) 23 is attached to a side face of the rod 21 by means of an auxiliary support. The chip 23 has two faces, namely upper and lower faces for the emission of laser beams 11. A photodetector (photodiode) 25 for controlling the output signal, which receives the laser beam 11, is arranged Below the lower emissive face The chip 23 and the photodetector 25 are respectively connected to the terminals 13 via gold wires (Au). The laser beam exits through a transparent window 34, which is formed in a part of the

boîtier 20 du laser.housing 20 of the laser.

Ci-après on va décrire dans son ensemble le système de traitement de signaux optiques Le faisceau  Hereinafter will be described as a whole the optical signal processing system The beam

laser 11 envoyé par la microplaquette à laser 23 est trans35 formé par une lentille de couplage 26 en un faisceau colli-  laser 11 sent by the laser chip 23 is trans35 formed by a coupling lens 26 into a colliding beam.

maté, quipénètre directement dans un prisme de polarisation 27, puis traverse une plaque quart-d'onde 28 de manière à recevoirune polarisation circulaire La lumière de la polarisation circulaire est affinée à quelques microns par un 5 objectif 29 et pénètre par exemple dans l'alvéole ou logement 31 del'information d'un disque 30 qui constitue un milieu ou support d'enregistrement de signaux La lumière réfléchie par le disque contient une information sur la présence ou l'absence du logement d'information La lumière réfléchie traverse la plaque quart-d'onde 28 et est retransformée avec une polarisation linéaire qui est renvoyée dans le prisme de polarisation, puis est condensée par une lentille cylindrique 32 de manière à tomber sur une photodiode (détecteur) 33 Là le signal optique est transformé en un signal électrique et l'on obtient un signal reproduit Lorsque le dispositif électroluminescent conforme à la présente invention est utilisé en tant que source de lumière, la cohérence du signal de sortie laser est réduite dans une certaine mesure Même si la lumière réfléDhie dans le système optique 20 revient à la microplaquette du laser, il est difficile qu'il se produise une interférence à l'intérieur du résonateur du laser, avec comme consequence le fait que lesbruitsparasites peuvent difficilement se développer En outre, étant donné que l'interférence entre les lumières réfléchies par les composants optiques peut être réduite, les franges d'interférence, qui constituent la cause du développement des bruits parasites, n'apparaissent pas sur la photocathode de la photodiode 33, et il est possible de reproduire de façon précise uniquement le signal enregistré sur le disque. 30 La présente invention présente les effets suivants: ( 1) Un laser est modulé en étant placé à l'état "branché"et "débranché" moyennant la superposition d'un courant alternatif à haute fréquence à un courant de commande du laser  The light of the circular polarization is quenched directly into a polarization prism 27, then passes through a quarter-wave plate 28 so as to receive a circular polarization. The light of the circular polarization is refined to a few microns by an objective 29 and penetrates for example into the Cell or housing 31 for disc information 30 which constitutes a medium or medium for recording signals The light reflected by the disc contains information on the presence or absence of the information slot. The reflected light passes through the plate. quarter-wave 28 and is retransformed with a linear polarization which is reflected back into the polarization prism, and is then condensed by a cylindrical lens 32 so as to fall on a photodiode (detector) 33 There the optical signal is transformed into a signal electrical and a reproduced signal is obtained When the light emitting device according to the present invention is used as a sou In the case of light, the coherence of the laser output signal is reduced to a certain extent. Even if the reflected light in the optical system returns to the laser chip, it is difficult for interference to occur within the resonator. of the laser, with the result that the noise can hardly develop further, since the interference between the lights reflected by the optical components can be reduced, the interference fringes, which are the cause of the development of noise , do not appear on the photocathode of the photodiode 33, and it is possible to accurately reproduce only the signal recorded on the disc. The present invention has the following effects: (1) A laser is modulated by being "plugged" and "unplugged" by superimposing a high frequency alternating current to a laser control current

(courant continu), ce qui a pour effet qu'un mode longitu-  (DC current), which has the effect that a long-term

dinal de production de l'effet laser est transformé en un mode multiple C'est pourquoi il est possible de réduire le bruit parasite de saut de mode qui est lié aux variations de la température ambiante, du courant de commande, etc du laser. ( 2) En outre la fréquence du courant alternatif à haute fréquence devant être superposé au courant continu est amenée au voisinage de la fréquence de résonance (fréquence d'oscilltion de relaxation) du laser, ce qui a pour effet que la 10 largeur spectrale (la variation de la longeur d'onde > en fonction du temps) A> de chacune des lumières laser dans le mode multiple est accrue, ce qui réduit la cohérence De ce fait, de même lorsque la relation entre la fréquence de l'effet laser et la longueur du trajet optique du système 15 optique et du laser ne sont pas du tout prises en compte, le bruit parasite SCOOP attribué à la rétro-progression de  dinal production of the laser effect is transformed into a multiple mode That is why it is possible to reduce the parasitic noise of mode jump that is related to changes in ambient temperature, control current, etc. of the laser. (2) Furthermore, the frequency of the high frequency alternating current to be superimposed on the direct current is brought close to the resonant frequency (relaxation oscillation frequency) of the laser, which has the effect that the spectral width ( the variation of the wavelength> as a function of time) A> of each of the laser lights in the multiple mode is increased, which reduces the coherence of this fact, likewise when the relation between the frequency of the laser effect and the optical path length of the optical system and the laser are not taken into account at all, the SCOOP spurious noise attributed to the back-progression of

la lumière en provenance du système optique peut être réduit.  light from the optical system can be reduced.

( 3) Il est possible de réduire le bruit parasite sous forme de tactes, ce qui apparaît sous l'effet de l'interférence en20 tredes lumièresréfléchies par les composants optiques Ceci rend inutile de prendre des dispositions à l'encontre d'une  (3) It is possible to reduce stray noise in the form of tact, which occurs as a result of the interference of the light reflected by the optical components. This makes it unnecessary to take steps against

lumière diffuse pour les composants optiques individuels.  diffuse light for individual optical components.

( 4) Compte tenu des rubriques ( 1) ( 3) ci-dessus, il est possible d'améliorer le rendement de fonctionnement d'un sys25 tème de traitement de signaux optiques, constitué par un  (4) Taking into account the items (1) (3) above, it is possible to improve the operational efficiency of an optical signal processing system, consisting of a

disque optique.optical disk.

Bien que, dans ce qui précède, l'invention était décrite de façon concrèteen liaison avec des formes de réalisation, il va sans dire que ladite invention n'est en 30 aucune manière limitée aux formes de réalisation indiquées précédemment, mais que différentes modifications peuvent être apportées sans sortir du cadre de l'invention Par exemple, le courant de commande ou de pilotage servant à commander le  Although, in the foregoing, the invention has been concretely described in connection with embodiments, it goes without saying that said invention is in no way limited to the embodiments mentioned above, but that various modifications may For example, the control or control current used to control the

dispositif laser à l'état "branché" et "débranché" peut in35 clure une composante à courant alternatif possédant une fré-  In the "connected" and "disconnected" state, an AC component having a frequency of

quence essentiellement égale ou proche de la fréquence de  essentially equal to or close to the frequency of

résonance du laser, et n'est pas limitée à une onde sinusoldale, à une onde impulsionnelle carrée ou analogue.  resonance of the laser, and is not limited to a sine wave, a square pulse wave or the like.

Dans ce qui précède, l'invention a été 5 décrite principalement en référence au cas de son application au dispositif électroluminescent et au système de traitement de signaux optiques, qui sont des domaines de base d'utilisation, mais ne s'y trouve pas limitée Par exemple, dans le cas de l'application de la présente invention à un 10 dispositif de propagation de la lumière qui possède un élément électroluminescent et des fibres optiques, il est également possible d'empêcher le bruit parasite produit par les interférences au niveau de l'extrémité de raccordement entre la fibre optique et le laser à semiconducteurs et au 15 niveau de l'extrémité de raccordement entre les fibres ou bien entre la fibre et tout autre composant optique La  In the foregoing, the invention has been described primarily with reference to the case of its application to the light emitting device and the optical signal processing system, which are basic areas of use, but is not limited thereto. For example, in the case of the application of the present invention to a light propagation device which has an electroluminescent element and optical fibers, it is also possible to prevent the interference noise produced by the interferences at the level of the connecting end between the optical fiber and the semiconductor laser and at the connection end between the fibers or between the fiber and any other optical component.

présente invention est applicable à tous dispositifs comportant au moins un laser à semiconducteurs ou un élément luminescent.  The present invention is applicable to all devices comprising at least one semiconductor laser or a luminescent element.

Claims (6)

REVENDICATIONS 1 Dispositif électroluminescent, caractérisé en ce qu'il comporte: ( 1) un élément électroluminescent ( 1; 5, 23) qui émet un faisceau laser ( 11) ; ( 2) un dispositif ( 2) servant à produire un courant continu; ( 3) un dispositif ( 3) servant à produire un signal qui comporte une composante de courant alternatif 10 possédant une fréquence comprise entre 1/2 et 2 fois une fréquence de résonance dudit élément électroluminescent, et ( 4) un dispositif servant à superposer le signal contenant la composante de courant alternatif au courant continu et à produire un signal de commande de l'élé15 ment électroluminescent ( 1; 5, 23), dont l'intensité maximale du courant devient supérieure à une intensité du courant de seuil d'effet laser dudit élément électroluminescent et dont l'intensité minimale de courant devient inférieure à  Electroluminescent device, characterized in that it comprises: (1) an electroluminescent element (1; 5,23) which emits a laser beam (11); (2) a device (2) for producing a direct current; (3) a device (3) for producing a signal having an alternating current component having a frequency of 1/2 to 2 times a resonant frequency of said light emitting element, and (4) a device for superimposing the signal containing the ac component to the direct current and producing a control signal of the electroluminescent element (1; 5,23) whose maximum intensity of the current becomes greater than an intensity of the effect threshold current said electroluminescent element and whose minimum current intensity becomes less than l'intensité de seuil d'effet laser dudit élément.  the laser effect threshold intensity of said element. 2 Dispositif électroluminescent selon la  2 Electroluminescent device according to revendication 1, caractérisé en ce que ledit élément électroluminescent ( 1; 5, 23) est un laser à semiconducteurs.  Claim 1, characterized in that said electroluminescent element (1; 5,23) is a semiconductor laser. 3 Dispositif électroluminescent selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit élément électro25 luminescent ( 1; 5, 23), le dispositif servant à produire le courant continu, le dispositif servant à produire le signal incluant la composante de courant alternatif et ledit dispositif servant à produire le signal de commande de l'élément  Electroluminescent device according to claim 1, characterized in that said electroluminescent element (1; 5,23), the device for producing the direct current, the device for producing the signal including the AC component and said device for to produce the control signal of the element électroluminescent sont contenus dans un bottier d'un seul 30 tenant ( 10) .  electroluminescent are contained in a single housing (10). 4 Système de traitment de signaux optiques, caractérisé en ce qu'il comporte: ( 1) un dispositif électroluminescent ( 5, 23) qui comprend ( 2) un élément électroluminescent ( 23) servant à émettre un faisceau laser ( 11), ( 3) un dispositif pour produire un courant continu, ( 4) un dispositif pour produire un signal comportant une composante de courant alternatif ayant une fréquence comprise entre 1/2 et 2 fois une fréquence de résonance dudit élément électroluminescent, et ( 5) un dispositif servant à superposer le signal contenant la composante de courant alternatif au courant continu et à produire un signal de commande de l'élément électroluminescent ( 5, 23), dont l'intensité maximale du courant devient supérieure à une intensité du courant de seuil d'effet laser dudit élément électroluminescent et dont l'intensité minimale de courant devient inférieure à l'in15 tensité du courant de seuil d'effet laser dudit élément, ( 6) un support ( 30) sur lequel un signal est enregistré, et  Optical signal processing system, characterized in that it comprises: (1) an electroluminescent device (5, 23) which comprises (2) a light-emitting element (23) for emitting a laser beam (11), (3) ) a device for producing a direct current, (4) a device for producing a signal having an alternating current component having a frequency of 1/2 to 2 times a resonant frequency of said light emitting element, and (5) a device for superimposing the signal containing the ac component to the dc current and producing a control signal of the light emitting element (5,23) whose maximum current intensity becomes greater than an intensity of the effect threshold current laser of said electroluminescent element and whose minimum current intensity becomes lower than the intensity of the laser effect threshold current of said element, (6) a support (30) on lacquer l a signal is recorded, and ( 7) un dispositif ( 26-29 et 32) servant à détecter optiquement le signal enregistré sur ledit support, 20 grâce à l'utilisation du faisceau laser.  (7) a device (26-29 and 32) for optically detecting the signal recorded on said medium by use of the laser beam. Système de traitement de signaux optiques selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit support ( 30) sur lequel le signal est enregistré, est  An optical signal processing system according to claim 4, characterized in that said medium (30) on which the signal is recorded is un disque sur lequel un signal numérique est enregistré.  a disc on which a digital signal is recorded. 6 Système de traitement de signaux optiques selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit dispositif ( 26-29 et 32) servant à détecter optiquement le signal enregistré sur ledit support ( 30) comporte une lentille de couplage ( 26), un prisme de polarisation ( 27), une 30 plaque quart-d'onde ( 28), un objectif ( 29) et une lentille  Optical signal processing system according to claim 4, characterized in that said device (26-29 and 32) for optically detecting the signal recorded on said medium (30) comprises a coupling lens (26), a prism of polarization (27), a quarter-wave plate (28), a lens (29) and a lens cylindrique ( 32).cylindrical (32). 7 Système de traitement de signaux optiques selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit  Optical signal processing system according to claim 4, characterized in that said élément électroluminescent ( 23) est un laser à semiconducteurs. 35 8 Système de traitement de signaux opti-  electroluminescent element (23) is a semiconductor laser. 35 8 Optimal signal processing system ques selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens permettant d'enregistrer le signal sur ledit support ( 30) grâce à l'utilisation du faisceau laser ( 11).  4. according to claim 4, characterized in that it further comprises means for recording the signal on said support (30) through the use of the laser beam (11).
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