FR3096466A1 - Dispositif comprenant un circuit de démarrage - Google Patents

Dispositif comprenant un circuit de démarrage Download PDF

Info

Publication number
FR3096466A1
FR3096466A1 FR1905244A FR1905244A FR3096466A1 FR 3096466 A1 FR3096466 A1 FR 3096466A1 FR 1905244 A FR1905244 A FR 1905244A FR 1905244 A FR1905244 A FR 1905244A FR 3096466 A1 FR3096466 A1 FR 3096466A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
value
transistor
current
transistors
node
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1905244A
Other languages
English (en)
Other versions
FR3096466B1 (fr
Inventor
Jimmy Fort
Maud Pierrel
Nicolas Borrel
Thierry Soude
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics Rousset SAS
Original Assignee
STMicroelectronics Rousset SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics Rousset SAS filed Critical STMicroelectronics Rousset SAS
Priority to FR1905244A priority Critical patent/FR3096466B1/fr
Priority to US15/931,280 priority patent/US11137786B2/en
Publication of FR3096466A1 publication Critical patent/FR3096466A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR3096466B1 publication Critical patent/FR3096466B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/24—Resetting means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)

Abstract

Dispositif comprenant un circuit de démarrage La présente description concerne un dispositif électronique comprenant un circuit de démarrage (10) configuré pour comparer une valeur représentative (IRs) de la tension d'alimentation (VDD) à un seuil (Iptat), le circuit comprenant un générateur de courant proportionnel à la température (20). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

Description

Description Titre de l'invention : Dispositif comprenant un circuit de démarrage Domaine technique
[0001] La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement les dispositifs électroniques comprenant des circuits de démarrage.
Technique antérieure
[0002] Chaque dispositif électronique est généralement alimenté par une tension d'alimentation VDD.
La tension d'alimentation notée VDD d'un dispositif électronique est choisie par exemple selon les composants du dispositif et selon son utilisation prévue.
Par exemple, la valeur dc fonctionnement de la tension VDD, c'est-à-dire la tension minimale permettant de faire fonctionner le dispositif électronique, peut être supérieure ou égale à 1 V, par exemple égale à 5 V.
[0003] Lors du démarrage du dispositif, la valeur de la tension d'alimentation VDD augmente jusqu'à la valeur dc fonctionnement, par exemple supérieure ou égale à 1 V.
[0004] De manière à assurer le fonctionnement des composants du dispositif électronique, la valeur dc la tension d'alimentation doit être suffisamment proche de la valeur de fonctionnement avant de mettre en fonctionnement le reste des composants du dispositif électronique.
[0005] Le dispositif électronique comprend un circuit configure pour comparer une valeur représentative de la tension d'alimentation à une valeur de seuil.
Résumé de l'invention 100061 Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs comprenant des circuits de démarrage connus.
100071 Un mode de réalisation prévoit un dispositif électronique comprenant un circuit de démarrage configuré pour comparer une valeur représentative de la tension d'alimentation (VDD) à un seuil, le circuit comprenant un générateur de courant proportionnel à la température.
100081 Selon un mode de réalisation, les transistors du générateur sont des transistors MOS.
100091 Selon un mode de réalisation, la valeur du seuil est la valeur d'un courant généré par le générateur de courant proportionnel à la température.
100101 Selon un mode de réalisation, deux premiers transistors du circuit, montés en miroir de courant, reproduisent à leur drain le courant généré par le générateur.
100111 Selon un mode de réalisation, le générateur comprend deux deuxièmes transistors montés en miroir de courant.
100121 Selon un mode de réalisation, les premiers et deuxièmes transistors montés en miroir 2 de courant sont reliés, par leur source, à un noeud d'application de la tension d'alimentation.
[0013] Selon un mode de réalisation, le courant généré par le générateur est le courant de drain d'un des deuxièmes transistors.
[0014] Selon un mode de réalisation, un troisième transistor du générateur est en dégéné- rescence de source.
[0015] Selon un mode de réalisation, la valeur représentative de la tension d'alimentation est le courant de drain d'un quatrième transistor du circuit en dégénérescence de source.
[0016] Selon un mode de réalisation, la grille du quatrième transistor est reliée au point milieu de deux résistances reliées en série entre un noeud d'application de la tension d'alimentation et un noeud d'application d'une tension de référence.
[0017] Selon un mode de réalisation, le drain du quatrième transistor est relié avec le drain d'un des premiers transistors en un premier noeud.
[0018] Selon un mode de réalisation, le premier noeud est relié à la grille d'un cinquième transistor, le cinquième transistor étant relié, par sa source, au noeud d'application de la tension de référence et, par son drain, au drain d'un des premiers transistors.
[0019] Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant un circuit de démarrage configure pour comparer une valeur représentative de la tension d'alimentation à un seuil, le circuit comprenant un générateur de courant proportionnel à la température, dans lequel des valeurs de résistances de dégénérescence de source sont choisies de manière à compenser l'influence des variations de température sur la valeur du seuil.
Brève description des dessins [0020[ Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
[0021] [fig.1] la figure 1 représente un mode de réalisation d'un circuit de démarrage ; et [00221 W8.21 la figure 2 représente le comportement de deux tensions du circuit de démarrage.
Description des modes de réalisation 100231 De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures.
En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques.
100241 Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés.
En particulier, les composants du dispositif électronique alimentés par la tension d'alimentation ne sont pas détaillés.
3 De même, le circuit de génération de la tension d'alimentation VDD n'est pas détaillé.
Les modes de réalisation décrits sont adaptés à tous types de dispositifs électroniques connus.
[0025] Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments.
[0026] Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures.
[0027] Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sen- siblement", et "de l'ordre de" signifient à 10% près, de préférence à 5 % près.
[0028] La figure 1 représente un mode de réalisation d'un circuit de démarrage 10 d'un dispositif électronique configuré pour comparer une valeur représentative d'une tension d'alimentation VDD à une valeur représentative d'une valeur de seuil de fonctionnement VDDth.
La valeur de seuil de fonctionnement VDDth, c'est-à-dire la valeur minimale permettant de faire fonctionner le dispositif, est par exemple sensiblement égale à 1,2 V.
[0029] Le dispositif électronique est configuré pour qu'au moins une partie des autres composants du dispositif électronique ne soit en fonctionnement que lorsque la valeur de la tension d'alimentation VDD est supérieure au seuil de tension VDDth, par exemple lors du démarrage.
Durant le fonctionnement du dispositif, si la tension d'alimentation VDD diminue de manière à être inférieure au seuil de tension VDDth, le dispositif est configuré pour arrêter le fonctionnement d'au moins une partie des composants du dispositif, de préférence tous les composants du dispositif électronique à l'exception du circuit de démarrage.
[0030] Le circuit de démarrage 10 est donc, de préférence, toujours en fonctionnement, et compare de manière continue la tension d'alimentation VDD au seuil de tension VDDth.
[0031] Le circuit 10 comprend un générateur 20 de courant proportionnel à la température absolue ou générateur de courant PTAT (Proportional To Absolute Temperature).
[0032] Le générateur 20 comprend deux transistors 22 et 24 montés en miroir de courant.
Les transistors 22 et 24 sont de préférence des transistors MOS, de préférence des transistors MOS à canal P.
Les transistors 22 et 24 sont identiques aux dispersions de fabrication près.
En particulier, les transistors 22 et 24 ont sensiblement la même taille, et plus précisément ils ont sensiblement la même surface.
Plus généralement, les transistors 22 et 24 ont sensiblement les mêmes dimensions.
[0033] Les sources des transistors 22 et 24 sont reliées, de préférence connectées, à un noeud 25 d'application de la tension d'alimentation VDD.
De plus, les grilles des transistors 22 et 24 sont reliées, de préférence connectées, l'une à l'autre.
La grille du transistor 24 est, en outre, connectée au drain du transistor 24.
[0034] Le courant du drain du transistor 22 est sensiblement égal au courant du drain du transistor 24.
Les courants des drains des transistors 22 et 24 correspondent au courant Iptat, représentatif du seuil de tension VDDth auquel on souhaite comparer la tension d'alimentation VDD.
[0035] Le drain de chaque transistor 22 ou 24 est relié, de préférence connecté au drain d'un transistor 26 ou 28.
Les transistors 26 et 28 sont par exemple des transistors MOS, de préférence des transistors MOS à canal N.
[0036] En particulier, le drain du transistor 22 est relié, de préférence connecté, au drain du transistor 26, et le drain du transistor 24 est relié, de préférence connecté, au drain du transistor 28.
La grille du transistor 26 est reliée au drain du transistor 26.
La source du transistor 26 est reliée, de préférence connectée, à un noeud 27 d'application d'une tension de référence, de préférence la masse.
La grille du transistor 26 est reliée, de préférence connectée, à la grille du transistor 28.
[0037] La tension entre la grille et la source du transistor 26 est inférieure à la tension de seuil du transistor 26.
Le comportement du transistor 26 est similaire au comportement d'un transistor bipolaire.
[0038] La source du transistor 28 est reliée au noeud 27 d'application de la tension de référence, par exemple la masse, par une résistance 29 de valeur Rp.
La résistance 29 est une résistance de dégénérescence.
Le transistor 28 est donc en dégénérescence de source.
La tension aux bornes de la résistance 29 est notée Vp.
[0039] En fonctionnement, le transistor 26 est dans un mode de faible inversion, et non un mode de saturation, la tension entre la grille et la source du transistor 28 est donc inférieure à la tension de seuil du transistor 28.
[0040] La taille du transistor 28 est sensiblement n fois supérieure à la taille du transistor 26, c'est-à-dire que la surface du transistor 28 est n fois supérieure à la surface du transistor 26, n étant un entier supérieur ou égal à 2, par exemple égal à 8.
[0041] La valeur du courant Iptat est approximativement obtenue par la formule suivante : [Math.1] In (n) Iptat R p dans laquelle k est la constante de Boltzmann (k 1,38064852.
10A(-23) J.KA(-1), A représentant la fonction puissance), T est la température en kelvin (K), et q est la charge électrique d'un électron (q = 1,602176634.10^(-19) C).
[0042] Ainsi, la valeur du courant Iptat dépend de la température, et les variations de tem- pérature entraînent des variations du courant Iptat, représentatif du seuil.
La valeur du courant Iptat est indépendante de la valeur de la tension d'alimentation VDD.
En effet, les valeurs k, q, n et Rp sont des constantes.
[0043] La valeur du courant Iptat, c'est-à-dire la valeur représentative du seuil VDDth, peut être choisie, aux variations de température près, en choisissant la valeur de Rp et la valeur de n.
[0044] Le circuit 10 comprend, en outre, deux transistors 30 et 32 montés en miroir de courant entre eux et avec les transistors 22 et 24.
Les transistors 30 et 32 sont identiques, aux dispersions de fabrication près, aux transistors 22 et 24.
Les transistors 30 et 32 sont donc par exemple des transistors MOS à canal P.
Les grilles des transistors 30 et 32 sont connectées ensembles et sont connectées aux grilles des transistors 22 et 24.
De plus, les sources des transistors 30 et 32 sont reliées, de préférence connectées, au noeud 25 d'application de la tension d'alimentation VDD.
Le courant de drain des transistors 30 et 32 est donc le courant Iptat.
[0045] Le drain du transistor 30 est relié, de préférence connecté, au drain d'un transistor 34.
Le drain du transistor 32 est relié, de préférence connecté, au drain d'un transistor 36.
Les transistors 34 et 36 sont dc préférence des transistors MOS, de préférence des transistors à canal N.
En fonctionnement, le transistor 34 est en mode dc saturation.
[0046] La grille du transistor 34 est reliée, de préférence connectée, au point milieu d'un pont diviseur de tension.
Plus précisément, la grille du transistor 34 est reliée au noeud 25 d'application de la tension d'alimentation VDD par l'intermédiaire d'une résistance 38 de valeur RDI.
La grille du transistor 34 est aussi reliée au noeud 27 d'application de la tension de référence, par exemple la masse, par l'intermédiaire d'une résistance 40 de valeur RD2.
La grille du transistor 34 est donc reliée au point milieu des deux résistances 38 et 40 reliées en série entre le noeud 25 et le noeud 27.
[0047] La source du transistor 34 est reliée au noeud 27 d'application de la tension de référence, par exemple la masse, par l'intermédiaire d'une résistance 42 de valeur Rs.
La résistance 42 est donc une résistance de dégénérescence.
Le transistor 34 est donc en dégénérescence de source.
La tension aux bornes de la résistance 42 est notée Vs.
Le courant traversant la résistance 42 est noté 1Rs, dont la valeur est obtenue par la formule suivante : [Math.2] IRs - Vs Rs
[0048] La valeur du courant IRs peut aussi être obtenue avec la formule suivante : 6 [Math.3] IRs VDIV- Vs - 1,7t 3 4 ) 2 dans laquelle S est le paramètre de transconductance du transistor 34, VDIV est la tension à la grille du transistor 34, et Vt34 est la tension de seuil du transistor 34.
[0049] La valeur de VDIV dépend de la valeur des résistances 38 (RD1) et 40 (RD2) ainsi que de la valeur de la tension d'alimentation VDD, selon la formule suivante : [Math.4] VD1.1/ = VDD' RD1 RD1 + RD2
[0050] La source du transistor 36 est reliée, de préférence connectée, au noeud 27 d'application de la tension de référence, par exemple la masse.
La grille du transistor 36 est reliée, de préférence connectée, à un noeud 37.
Le noeud 37 est relié, de préférence connecté, au drain du transistor 30 et au drain du transistor 34.
[0051] Le circuit comprend dans l'exemple de la figure 1 un inverseur 44 relié entre un noeud de sortie 46 et un noeud de liaison 47.
Le noeud de liaison 47 est relié, de préférence connecté, au drain du transistor 32 et au drain du transistor 36.
[0052] Un signal POR de sortie, obtenu sur le noeud 46, prend une valeur haute lorsque la valeur du courant IRs, représentative de la valeur du seuil de tension VDDth, est supérieure à la valeur du courant Iptat, représentative de la valeur de la tension d'alimentation VDD.
Le signal POR prend une valeur basse lorsque la valeur du courant IRs, représentative de la valeur du seuil de tension VDDth, est inférieure à la valeur du courant Iptat, représentative de la valeur de la tension d'alimentation VDD.
[0053] Le noeud de sortie 46 est relié à des composants du circuit de démarrage permettant ou non l'alimentation des composants du dispositif électronique.
[0054] A titre de variante, le circuit 10 peut ne pas comprendre l'inverseur 44.
Le noeud de sortie 46 est alors le noeud 47.
Dans ce cas, le signal POR de sortie prend la valeur basse lorsque la valeur du courant IRs, représentative de la valeur du seuil de tension VDDth, est supérieure à la valeur du courant 'plat, représentative de la valeur de la tension d'alimentation VDD.
Le signal POR de sortie prend la valeur haute lorsque la valeur du courant IRs, représentative de la valeur du seuil de tension VDDth, est inférieure à la valeur du courant Iptat, représentative de la valeur de la tension d'alimentation VDD.
100551 Le générateur 20 génère le courant Iptat, représentatif de la valeur de seuil de tension VDDth.
Les transistors 22, 24, 30 et 32 étant montés en miroir de courant, les courants à leurs drains sont les mêmes.
Ainsi, le courant du drain du transistor 30 est le courant !plat.
En outre, le courant du drain du transistor 34 est le courant IRs.
100561 Lorsque la valeur du courant IRs est inférieure à la valeur du courant !mat, le circuit est dans une situation dans laquelle la valeur de la tension d'alimentation VDD est in- 7 férieure à la valeur du seuil de tension VDDth.
Le courant au niveau du noeud 37 est donc le courant Iptat.
Ainsi, la valeur de la tension sur le noeud 47 est une valeur basse, correspondant par exemple sensiblement à la valeur de la tension au noeud 27, c'est-à-dire par exemple 0 V lorsque le noeud 27 est la masse.
Les composants du dispositif électronique ne sont alors pas alimentés.
[0057] Lorsque la valeur du courant IRs est supérieure à la valeur du courant Iptat, le circuit est dans une situation dans laquelle la valeur de la tension d'alimentation VDD est supérieure à la valeur du seuil de tension VDDth.
Le courant au niveau du noeud 37 est donc le courant IRs.
Ainsi, la valeur de la tension sur le noeud 47 est une valeur haute, correspondant par exemple sensiblement à la valeur de la tension au noeud 25, c'est-à-dire la tension d'alimentation VDD.
La valeur de la tension sur le noeud 47 peut ainsi varier, lorsque la tension d'alimentation VDD varie.
Les composants du dispositif électronique sont alors alimentés et en fonctionnement.
[0058] Le circuit passe d'une situation à l'autre lorsque la valeur du courant IRs est égale à la valeur du courant Iptat, et donc lorsque la valeur de la tension d'alimentation VDD est égale à la valeur du seuil VDDth.
Ce cas correspond aux formules suivantes : [Math.5] Iptat = IRs - 1Malh.61 VDIV= VDDth* R D-11 PI EI z_ D 2 [mathm -41* (VDIV -Vs - Vt 34 ) 2 = Ss dans lesquelles k est b constante de Boltzmann (k 1,38064852. 10^(-23) .1.1(^(-1), A représentant la fonction puissance), T est la température en kelvin (K), q est la charge électrique d'un électron (q = 1,602176634.10^(-19) C), n est le ratio de surface entre les transistors 26 et 28.
Rp est la valeur de la résistance 29, Rs est la valeur de la résistance 42, Vs est la tension aux bornes de la résistance 42, RD1 est la valeur de la résistance 38, RD2 est la valeur de la résistance 40, S est le paramètre de transconductance du transistor 34, Vt34 est la valeur de la tension de seuil du transistor 34.
[0059] Ces formules permettent d'obtenir une formule approximative de la valeur de la tension de seuil VDDth : [Math.8] VDDth RD1+RD2*(k"'T R D 2 *ln ( n )* RR ps Vt3 4) dans laquelle RDI, RD2, k, q, ln(n), Rs et Rp sont des constantes définies précédemment, T et Vt34 sont des variables décrites précédemment. k"T ln (n) Vs Rp Rs 8
[0060] La valeur du seuil de tension VDDth peut donc varier avec la température.
En effet, la valeur de seuil de tension VDDth dépend de la température T et de la valeur de tension de seuil Vt34, et la valeur de la tension de seuil Vt34 dépend de la température.
Plus précisément, la valeur de la tension de seuil Vt34 augmente lorsque la température T diminue.
[0061] Les valeurs des résistances Rs et Rp, ainsi que la valeur n sont choisies lors de la fa- brication du dispositif électronique de manière à compenser les variations de la tension de seuil Vt34 en fonction de la température par les variations de k*T*ln(n)*Rs/(q"Rp).
Les valeurs des résistances RD1, RD2, et Rp et la valeur n sont choisies de manière à choisir la valeur du seuil de tension VDDth.
[0062] La figure 2 représente le comportement de deux tensions du circuit de démarrage.
Plus précisément, la figure 2 comprend une courbe 50 représentant le comportement de la tension d'alimentation VDD et une courbe 52 représentant le comportement de la tension sur le noeud 47.
[0063] L'ordonnée de la figure 2 est la tension (Voltage) en volts (V).
L'abscisse de la figure 2 est le temps (Time) en secondes (s).
[0064] Dans la période représentée en figure 2, la tension d'alimentation VDD augmente depuis une valeur sensiblement égale à 0,7 V, à l'origine de la courbe, jusqu'à une valeur sensiblement égale à 1,6V. à un instant tl.
La tension d'alimentation VDD diminue ensuite jusqu'à être de nouveau sensiblement égale à 0,7 V.
[0065] La valeur du seuil de tension VDDth est, dans cet exemple, sensiblement égale à 1.3 V.
[0066] Jusqu'à un instant t2, la tension d'alimentation VDD est inférieure au seuil de tension VDDth.
Ainsi la tension sur le noeud 47 est sensiblement égale à la valeur basse, ici sensiblement égale à 0 V.
[0067] Entre l'instant t2 et un instant t3, postérieur à l'instant tl, la tension d'alimentation VDD est supérieure à la valeur du seuil de tension VDDth.
La tension sur le noeud 47 est égale à la valeur de la tension d'alimentation VDD.
Ainsi, la valeur de la tension sur le noeud 47 augmente, entre les instants t2 et tl, de 1,3 V à 1.6 V et diminue, entre les instants tl et t3, de 1,6V à 1.3 V.
[0068] A partir de l'instant t3, la tension d'alimentation VDD est inférieure au seuil de tension VDDth.
Ainsi, la tension sur le noeud 47 est sensiblement égale à la valeur basse, ici sensiblement égale à 0 V.
[0069] Avant l'instant t2 et après l'instant t3, au moins une partie des composants du dispositif électronique n'est pas alimentée et n'est donc pas en fonctionnement, de préférence tous les composants autres que le circuit de démarrage.
[0070] Entre les instants t2 et t3, au moins une partie des composants du dispositif élec- tronique sont alimentés, et peuvent donc être en fonctionnement, de préférence tous les 9 composants autres que le circuit de démarrage.
[0071] On aurait pu choisir de former un circuit de démarrage configure pour comparer la valeur de la tension d'alimentation à une valeur de seuil de tension comprenant un circuit de référence à intervalle de bande (bandgap) utilisant des transistors bipolaires.
Cependant, un tel circuit nécessiterait une surface supérieure à celle utilisée par les modes de réalisation de circuits décrits.
[0072] Un avantage des modes de réalisation décrits est qu'il est possible de compenser au moins partiellement l'influence des variations de température sur la valeur du seuil de tension VDDth.
La valeur du seuil de tension VDDth est donc plus précise.
[0073] Un autre avantage des modes de réalisation décrits ici est qu'ils sont peu consommateurs d'énergie.
Ils sont donc adaptés à tous types de dispositifs électroniques, y compris les dispositifs électroniques à faible consommation.
[0074] De plus, les modes de réalisation décrits comprennent peu de composants.
La surface utilisée par les circuits est donc relativement faible.
En particulier, un mode de réalisation préféré du circuit de démarrage comprend des transistors MOS et non des transistors bipolaires, qui utilisent plus de surface.
[0075] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits.
L'homme de l'art comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d'autres variantes apparaitront à l'homme de l'art.
[0076] Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. 10

Claims (1)

  1. REVENDICATIONS[Revendication 1] Dispositif électronique comprenant un circuit de démarrage (10) configure pour comparer une valeur représentative (1Rs) de la tension d'alimentation (VDD) à un seuil (Iptat), le circuit comprenant un générateur de courant proportionnel à la température (20). [Revendication 2] Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les transistors (22, 24, 26, 28) du générateur (20) sont des transistors MOS. [Revendication 3] Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la valeur du seuil Opta° est la valeur d'un courant généré par le générateur (20) de courant proportionnel à la température. [Revendication 4] Dispositif selon la revendication 3, dans lequel deux premiers transistors (30, 32) du circuit, montés en miroir de courant, reproduisent à leur drain le courant (Iptat) généré par le générateur (20). [Revendication 5] Dispositif selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le générateur (20) comprend deux deuxièmes transistors (22, 24) montés en miroir de courant. [Revendication 6] Dispositif selon les revendications 4 et 5, dans lequel les premiers (30, 32) et deuxièmes (22, 24) transistors montés en miroir de courant sont reliés, par leur source, à un noeud (25) d'application de la tension d'alimentation. [Revendication 7] Dispositif selon rune quelconque des revendications 5 ou 6, dans lequel le courant (Iptat) généré par le générateur (20) est le courant de drain d'un des deuxièmes transistors (22, 24). [Revendication 8] Dispositif selon rune quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel un troisième transistor (28) du générateur est en dégénérescence de source. [Revendication 9] Dispositif selon rune quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la valeur représentative de la tension d'alimentation est le courant de drain d'un quatrième transistor (34) du circuit en dégénérescence de source. [Revendication 10] Dispositif selon la revendication 9, dans lequel la unie du quatrième transistor (34) est reliée au point milieu de deux résistances reliées en série entre un noeud d'application de la tension d'alimentation (25) et un noeud d'application d'une tension de référence (27). [Revendication 11] Dispositif selon la revendication 9 ou 10 dans leur rattachement à la re- vendication 4, dans lequel le drain du quatrième transistor (34) est relié avec le drain d'un des premiers transistors (30, 32) en un premier noeud 11 [Revendication 12] (37). [Revendication 13] Dispositif selon la revendication 11, dans lequel le premier noeud est relié à la grille d'un cinquième transistor (36), le cinquième transistor étant relié, par sa source, au noeud d'application de la tension de référence (27) et, par son drain, au drain d'un des premiers transistors (30, 32). Procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant un circuit de démarrage (10) configure pour comparer une valeur représentative (112s) de la tension d'alimentation (VDD) à un seuil (Tptat), le circuit comprenant un générateur de courant proportionnel à la température (20), dans lequel des valeurs de résistances de dégénérescence de source sont choisies de manière à compenser l'influence des variations de température sur la valeur du seuil.
FR1905244A 2019-05-20 2019-05-20 Dispositif comprenant un circuit de démarrage Active FR3096466B1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1905244A FR3096466B1 (fr) 2019-05-20 2019-05-20 Dispositif comprenant un circuit de démarrage
US15/931,280 US11137786B2 (en) 2019-05-20 2020-05-13 Device comprising a start-up circuit, and method of manufacturing thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1905244 2019-05-20
FR1905244A FR3096466B1 (fr) 2019-05-20 2019-05-20 Dispositif comprenant un circuit de démarrage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR3096466A1 true FR3096466A1 (fr) 2020-11-27
FR3096466B1 FR3096466B1 (fr) 2021-10-22

Family

ID=67957055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1905244A Active FR3096466B1 (fr) 2019-05-20 2019-05-20 Dispositif comprenant un circuit de démarrage

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11137786B2 (fr)
FR (1) FR3096466B1 (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11892864B2 (en) * 2020-01-14 2024-02-06 Texas Instruments Incorporated Voltage supervisor with low quiescent current

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5999054A (en) * 1997-11-19 1999-12-07 Fujitsu Limited Differential amplifier circuit
US20160134274A1 (en) * 2014-11-11 2016-05-12 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor circuit, voltage detection circuit, and voltage determination circuit
US20160191041A1 (en) * 2014-12-30 2016-06-30 Shine C. Chung Circuit and Method for Power-On Reset of an Integrated Circuit
US20180123583A1 (en) * 2016-10-28 2018-05-03 Analog Devices Global Low-area, low-power, power-on reset circuit

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4812679A (en) * 1987-11-09 1989-03-14 Motorola, Inc. Power-on reset circuit
JP3037031B2 (ja) * 1993-08-02 2000-04-24 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 パワーオン信号発生回路
US6137324A (en) * 1998-06-02 2000-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Precision power-on reset circuit with improved accuracy
US5959477A (en) * 1998-06-02 1999-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Precision power-on reset circuit
US6181173B1 (en) * 1998-10-01 2001-01-30 Ericsson Inc. Power-on reset circuit
US6346848B1 (en) * 2000-06-29 2002-02-12 International Business Machines Corporation Apparatus and method for generating current linearly dependent on temperature
US6879194B1 (en) * 2003-08-25 2005-04-12 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for an active power-on reset current comparator circuit
US20080106308A1 (en) * 2006-10-19 2008-05-08 Avid Electronics Corp. Power-on reset circuit
DE102007048455B4 (de) * 2007-10-10 2011-06-22 Texas Instruments Deutschland GmbH, 85356 Rücksetzen beim Einschalten
JP4866929B2 (ja) * 2009-03-11 2012-02-01 ザインエレクトロニクス株式会社 パワーオンリセット回路
JP5547451B2 (ja) * 2009-10-13 2014-07-16 ラピスセミコンダクタ株式会社 パワーオンリセット回路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5999054A (en) * 1997-11-19 1999-12-07 Fujitsu Limited Differential amplifier circuit
US20160134274A1 (en) * 2014-11-11 2016-05-12 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor circuit, voltage detection circuit, and voltage determination circuit
US20160191041A1 (en) * 2014-12-30 2016-06-30 Shine C. Chung Circuit and Method for Power-On Reset of an Integrated Circuit
US20180123583A1 (en) * 2016-10-28 2018-05-03 Analog Devices Global Low-area, low-power, power-on reset circuit

Also Published As

Publication number Publication date
FR3096466B1 (fr) 2021-10-22
US11137786B2 (en) 2021-10-05
US20200371541A1 (en) 2020-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2890259A1 (fr) Circuit de generation d'un courant de reference et circuit de polarisation
FR2809244A1 (fr) Circuit d'amplificateur operationnel
EP1916762B1 (fr) Oscillateur à quartz asservi en amplitude avec domaine étendu de tension et de température
FR2912013A1 (fr) Dispositif de generation de courant de polarisation ayant un coefficient de temperature ajustable.
FR2988184A1 (fr) Regulateur a faible chute de tension a stabilite amelioree.
EP3101793A1 (fr) Convertisseur dc-dc à démarrage à basse puissance et à basse tension
FR2819652A1 (fr) Regulateur de tension a rendement ameliore
FR3102581A1 (fr) Régulateur de tension
EP1380913B1 (fr) Régulateur de tension linéaire
EP0756223A1 (fr) Générateur de référence de tension et/ou de courant en circuit intégré
FR2719135A1 (fr) Circuit de limitation de tension avec comparateur à hystérésis.
FR2957161A1 (fr) Circuit interne de tension d'alimentation d'un circuit integre
JP2004086750A (ja) バンドギャップ回路
FR3096466A1 (fr) Dispositif comprenant un circuit de démarrage
FR2703856A1 (fr) Architecture d'amplificateur et application à un générateur de tension de bande interdite .
FR2562739A1 (fr) Amplificateur a large bande a double contre-reaction de mode commun
FR3029713A1 (fr) Convertisseur continu-continu a demarrage a froid
FR3102580A1 (fr) Régulateur de tension
EP1352302A1 (fr) Regulateur de tension a gain statique en boucle ouverte reduit
FR2770947A1 (fr) Amplificateur differentiel a transistor mos
FR2688904A1 (fr) Circuit de generation de tension de reference.
FR2461395A1 (fr) Convertisseur de tension alternative en tension continue
EP1073201B1 (fr) Oscillateur à faible consommation
EP0050583A1 (fr) Convertisseur d'une tension alternative en un courant continu et circuit d'oscillateur comportant ce convertisseur
FR2602379A1 (fr) Circuit repeteur de tension pour charges a composante ohmique, avec compensation de la distorsion harmonique

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 2

PLSC Publication of the preliminary search report

Effective date: 20201127

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 3

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 4

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6