FR3095298A1 - Centripetal arrangement of bosses and method - Google Patents

Centripetal arrangement of bosses and method Download PDF

Info

Publication number
FR3095298A1
FR3095298A1 FR1913917A FR1913917A FR3095298A1 FR 3095298 A1 FR3095298 A1 FR 3095298A1 FR 1913917 A FR1913917 A FR 1913917A FR 1913917 A FR1913917 A FR 1913917A FR 3095298 A1 FR3095298 A1 FR 3095298A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
bosses
pitch
contact surface
boss
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
FR1913917A
Other languages
French (fr)
Inventor
Laurent Schwartz
David KAIRE
Jerome Lopez
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics Grenoble 2 SAS
STMicroelectronics Alps SAS
Original Assignee
STMicroelectronics Grenoble 2 SAS
STMicroelectronics Alps SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics Grenoble 2 SAS, STMicroelectronics Alps SAS filed Critical STMicroelectronics Grenoble 2 SAS
Priority to FR1913917A priority Critical patent/FR3095298A1/en
Priority to US16/847,934 priority patent/US20200335466A1/en
Priority to FR2003781A priority patent/FR3095297A1/en
Priority to CN202020592475.5U priority patent/CN211907429U/en
Priority to CN202010311806.8A priority patent/CN111834328A/en
Publication of FR3095298A1 publication Critical patent/FR3095298A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/05567Disposition the external layer being at least partially embedded in the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061Disposition
    • H01L2224/0612Layout
    • H01L2224/0614Circular array, i.e. array with radial symmetry
    • H01L2224/06142Circular array, i.e. array with radial symmetry being non uniform, i.e. having a non uniform pitch across the array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061Disposition
    • H01L2224/0612Layout
    • H01L2224/0614Circular array, i.e. array with radial symmetry
    • H01L2224/06143Circular array, i.e. array with radial symmetry with a staggered arrangement, e.g. depopulated array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301Shape
    • H01L2224/13012Shape in top view
    • H01L2224/13014Shape in top view being circular or elliptic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302Disposition
    • H01L2224/13022Disposition the bump connector being at least partially embedded in the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141Disposition
    • H01L2224/1412Layout
    • H01L2224/1414Circular array, i.e. array with radial symmetry
    • H01L2224/14142Circular array, i.e. array with radial symmetry being non uniform, i.e. having a non uniform pitch across the array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141Disposition
    • H01L2224/1412Layout
    • H01L2224/1414Circular array, i.e. array with radial symmetry
    • H01L2224/14143Circular array, i.e. array with radial symmetry with a staggered arrangement, e.g. depopulated array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141Disposition
    • H01L2224/1412Layout
    • H01L2224/1414Circular array, i.e. array with radial symmetry
    • H01L2224/14143Circular array, i.e. array with radial symmetry with a staggered arrangement, e.g. depopulated array
    • H01L2224/14144Circular array, i.e. array with radial symmetry with a staggered arrangement, e.g. depopulated array covering only portions of the surface to be connected
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16237Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81417Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/81424Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/38Effects and problems related to the device integration
    • H01L2924/381Pitch distance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/38Effects and problems related to the device integration
    • H01L2924/384Bump effects
    • H01L2924/3841Solder bridging
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • H05K3/3436Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007Surface contacts, e.g. bumps

Abstract

Disposition centripète de bossages et procédé La présente description concerne une matrice de bossages comprenant des bossages (200), chaque bossage (200) étant asymétrique en rotation dans le plan de la matrice de bossages, les bossages (200) étant orientés selon une disposition centripète, dans laquelle les bossages se trouvant dans une première partie de la matrice de bossages ont un premier pas dans un premier axe et les bossages se trouvant dans une deuxième partie de la matrice de bossages ont un deuxième pas dans le premier axe, le deuxième pas étant différent du premier pas. Figure pour l'abrégé : Fig. 4Centripetal Arrangement of Bosses and Method This description relates to a boss array comprising bosses (200), each boss (200) being rotationally asymmetric in the plane of the boss array, the bosses (200) being oriented in a centripetal arrangement. , wherein the bosses in a first part of the boss array have a first pitch in a first axis and the bosses in a second part of the boss array have a second pitch in the first axis, the second pitch being different from the first step. Figure for the abstract: Fig. 4

Description

Disposition centripète de bossages et procédéCentripetal arrangement of bosses and method

La présente description concerne de façon générale le domaine des puces de circuits intégrés, et en particulier un assemblage à puce retournée et un substrat utilisant des bossages pour former des connexions électriques avec la puce, et un procédé de conception de circuit pour produire une disposition de bossages.This disclosure relates generally to the field of integrated circuit chips, and in particular to a flip-chip assembly and substrate using bumps to form electrical connections to the chip, and a circuit design method to produce a flip-chip layout. bosses.

On utilise souvent une matrice de bossages pour connecter électriquement des puces de circuits intégrés à un substrat, comme une carte de circuit imprimé (PCB). La matrice de bossages comprend un réseau de bossages de soudure régulièrement espacés qui connectent électriquement des plots d’entrée/sortie (I/O) alignés se trouvant sur la puce de circuit intégré et sur le substrat. Dans la puce de circuit intégré, les plots I/O sont en général formés au-dessus des couches d’interconnexion métalliques de la puce, et la puce est ainsi retournée avant d’être montée sur le substrat. Un tel assemblage est par conséquent souvent appelé assemblage à puce retournée.A bump array is often used to electrically connect integrated circuit chips to a substrate, such as a printed circuit board (PCB). The bump array includes an array of evenly spaced solder bumps that electrically connect aligned input/output (I/O) pads on the integrated circuit die and on the substrate. In the integrated circuit chip, the I/O pads are usually formed above the metal interconnect layers of the chip, and the chip is thus flipped before being mounted on the substrate. Such an assembly is therefore often referred to as a flip-chip assembly.

Afin d’améliorer les performances électriques et thermiques, il serait souhaitable d’augmenter la densité des bossages de la matrice de bossages. Toutefois, une réduction du pas entre les bossages peut conduire à un taux élevé de courts-circuits entre bossages voisins, ce qui est non souhaitable. En outre, une réduction de la taille des bossages peut conduire à un risque plus élevé de ce qu’on appelle défaillances au "temps zéro" ou "défauts de fiabilité" liés un accroissement des contraintes dans chaque bossage et en dessous de chaque bossage, en d’autres termes dans le silicium de la puce de circuit intégré.In order to improve electrical and thermal performance, it would be desirable to increase the boss density of the boss array. However, a reduction in the pitch between the bosses can lead to a high rate of short circuits between neighboring bosses, which is undesirable. In addition, a reduction in the size of the bosses can lead to a higher risk of so-called "zero time" failures or "reliability defects" associated with increased stresses in each boss and below each boss, in other words in the silicon of the integrated circuit chip.

Il existe donc un besoin dans la technique d’un type amélioré de matrice de bossages et d’un procédé de conception d’une telle matrice de bossages.There is therefore a need in the art for an improved type of bump array and a method of designing such a bump array.

Un objet de modes de réalisation de la présente description est de répondre au moins partiellement à un ou plusieurs besoins dans la technique.An object of embodiments of this disclosure is to at least partially meet one or more needs in the art.

Selon un aspect, on prévoit une matrice de bossages comprenant des bossages, chaque bossage étant asymétrique en rotation dans le plan de la matrice de bossages, les bossages étant orientés selon une disposition centripète, dans laquelle les bossages se trouvant dans une première partie de la matrice de bossages ont un premier pas dans un premier axe et les bossages se trouvant dans une deuxième partie de la matrice de bossages ont un deuxième pas dans le premier axe, le deuxième pas étant différent du premier pas.According to one aspect, a matrix of bosses comprising bosses is provided, each boss being asymmetrical in rotation in the plane of the matrix of bosses, the bosses being oriented in a centripetal arrangement, in which the bosses being in a first part of the matrix of bosses have a first pitch in a first axis and the bosses in a second part of the matrix of bosses have a second pitch in the first axis, the second pitch being different from the first pitch.

Selon un mode de réalisation, les bossages sont formés dans des anneaux concentriques ou des anneaux partiels concentriques.According to one embodiment, the bosses are formed in concentric rings or concentric partial rings.

Selon un mode de réalisation, au moins certains des bossages sont formés dans une première zone annulaire et au moins certains des bossages sont formés dans une deuxième zone annulaire, les première et deuxième zones annulaires étant concentriques.According to one embodiment, at least some of the bosses are formed in a first annular zone and at least some of the bosses are formed in a second annular zone, the first and second annular zones being concentric.

Selon un mode de réalisation, chacune des première et deuxième zones annulaires comprend une pluralité d’anneaux, ou d’anneaux partiels, de bossages.According to one embodiment, each of the first and second annular zones comprises a plurality of rings, or partial rings, of bosses.

Selon un autre aspect, on prévoit un circuit comportant une surface de contact comprenant des plots de connexion à coupler à une matrice de bossages, dans lequel chaque plot de connexion a une région de sa surface exposée qui est asymétrique en rotation dans le plan de la surface de contact, les plots de connexion étant orientés selon un agencement centripète, dans lequel les plots de connexion se trouvant dans une première partie de la surface de contact ont un premier pas dans un premier axe et les plots de connexion se trouvant dans une deuxième partie de la surface de contact ont un deuxième pas dans le premier axe, le deuxième pas étant différent du premier pas.According to another aspect, a circuit is provided comprising a contact surface comprising bonding pads to be coupled to a matrix of bumps, in which each bonding pad has a region of its exposed surface which is rotationally asymmetrical in the plane of the contact surface, the connection pads being oriented in a centripetal arrangement, in which the connection pads located in a first part of the contact surface have a first pitch in a first axis and the connection pads located in a second part of the contact surface have a second pitch in the first axis, the second pitch being different from the first pitch.

Selon un mode de réalisation, le circuit est une puce de circuit intégré.According to one embodiment, the circuit is an integrated circuit chip.

Selon un mode de réalisation, le circuit est un substrat destiné à recevoir une puce de circuit intégré.According to one embodiment, the circuit is a substrate intended to receive an integrated circuit chip.

Selon encore un autre aspect, on prévoit un assemblage à puce retournée comprenant le circuit susmentionné, un autre circuit, et la matrice de bossages susmentionnée connectant les plots de connexion du circuit à des plots de connexion se trouvant sur une surface de contact de l’autre circuit.In yet another aspect, there is provided a flip chip assembly comprising the aforementioned circuit, another circuit, and the aforementioned bump array connecting the bond pads of the circuit to bond pads on a contact surface of the other circuit.

Selon un autre aspect, on prévoit un procédé de conception de circuit mis en œuvre par un dispositif de traitement sous le contrôle d’instructions logicielles, le procédé comprenant : définir des dimensions de chaque bossage dans le plan d’une surface de contact définie par une conception de circuit ; et réaliser de manière automatique un placement de bossages sur la surface de contact de telle sorte que les bossages sont orientés sur la surface de contact selon un agencement centripète, et de telle sorte que les bossages se trouvant dans une première partie de la surface de contact ont un premier pas dans un premier axe et les bossages se trouvant dans une deuxième partie de la surface de contact ont un deuxième pas dans le premier axe, le deuxième pas étant différent du premier pas.According to another aspect, there is provided a circuit design method implemented by a processing device under the control of software instructions, the method comprising: defining dimensions of each boss in the plane of a contact surface defined by circuit design; and automatically performing placement of dimples on the mating surface such that the dimples are oriented on the mating surface in a centripetal arrangement, and such that the dimples in a first portion of the mating surface have a first pitch in a first axis and the bosses located in a second part of the contact surface have a second pitch in the first axis, the second pitch being different from the first pitch.

Selon un mode de réalisation, les bossages sont placés dans des anneaux concentriques ou des anneaux partiels concentriques.According to one embodiment, the bosses are placed in concentric rings or concentric partial rings.

Selon un mode de réalisation, au moins certains des bossages sont placés dans une première zone annulaire et au moins certains des bossages sont placés dans une deuxième zone annulaire, les première et deuxième zones annulaires étant concentriques.According to one embodiment, at least some of the bosses are placed in a first annular zone and at least some of the bosses are placed in a second annular zone, the first and second annular zones being concentric.

Selon un mode de réalisation, chacune des première et deuxième zones annulaires comprend une pluralité d’anneaux concentriques, ou d’anneaux partiels concentriques, de bossages.According to one embodiment, each of the first and second annular zones comprises a plurality of concentric rings, or concentric partial rings, of bosses.

Selon un mode de réalisation, la deuxième zone annulaire est radialement à l’extérieur de la première zone annulaire et comprend un plus grand nombre d’anneaux concentriques ou d’anneaux partiels concentriques que la première zone annulaire.According to one embodiment, the second annular zone is radially outside the first annular zone and comprises a greater number of concentric rings or concentric partial rings than the first annular zone.

Selon encore un autre aspect, on prévoit un dispositif mémoire non transitoire lisible par un ordinateur mémorisant des instructions d’ordinateur qui amènent la mise en œuvre du procédé susmentionné lorsqu’elles sont exécutées par un dispositif de traitement.In yet another aspect, there is provided a non-transitory computer-readable memory device storing computer instructions that bring about the aforementioned method when executed by a processing device.

Selon un mode de réalisation, il y a un dimensionnement de sécurité variable autour des bossages.According to one embodiment, there is variable safety sizing around the bosses.

Selon un mode de réalisation, il y a une traduction des bossages en une forme 2D.According to one embodiment, there is a translation of the bosses into a 2D shape.

Selon un mode de réalisation, il y a une orientation circulaire des bossages.According to one embodiment, there is a circular orientation of the bosses.

Selon un mode de réalisation, le placement des bossages est automatisé.According to one embodiment, the placement of the bosses is automated.

Selon un aspect, on prévoit un substrat comprenant une surface de contact comportant des bossages formés dessus, chaque bossage étant asymétrique en rotation dans le plan de la surface de contact, les bossages étant par exemple orientés sur la surface de contact selon un agencement centripète, dans lequel les bossages se trouvant dans une première zone de la surface de contact ont un premier pas dans un premier axe et les bossages se trouvant dans une deuxième zone de la surface de contact ont un deuxième pas dans le premier axe, le deuxième pas étant différent du premier pas.According to one aspect, a substrate is provided comprising a contact surface comprising bosses formed thereon, each boss being asymmetrical in rotation in the plane of the contact surface, the bosses being for example oriented on the contact surface according to a centripetal arrangement, wherein the bosses in a first area of the mating surface have a first pitch in a first axis and the bosses in a second area of the mating surface have a second pitch in the first axis, the second pitch being different from the first step.

Selon un mode de réalisation, la densité des bossages dans la première zone est différente de la densité des bossages dans la deuxième zone.According to one embodiment, the density of the bosses in the first zone is different from the density of the bosses in the second zone.

Selon un mode de réalisation, il y a une zone d’exclusion autour de chacun des bossages dans laquelle aucun autre bossage n’est formé, la zone d’exclusion ayant par exemple une première largeur dans un premier axe et une deuxième largeur dans un deuxième axe perpendiculaire au premier axe, les première et deuxième largeurs étant différentes entre elles.According to one embodiment, there is an exclusion zone around each of the bosses in which no other boss is formed, the exclusion zone having for example a first width in a first axis and a second width in a second axis perpendicular to the first axis, the first and second widths being different from each other.

Selon un mode de réalisation, la zone d’exclusion est hexagonale ou sensiblement hexagonale.According to one embodiment, the exclusion zone is hexagonal or substantially hexagonal.

Selon un mode de réalisation, chaque bossage a une forme oblongue, ou sensiblement oblongue.According to one embodiment, each boss has an oblong or substantially oblong shape.

Selon un autre aspect, on prévoit un substrat comprenant une surface de contact comportant des bossages formés dessus, chaque bossage étant asymétrique en rotation dans le plan de la surface de contact, les bossages étant par exemple orientés sur la surface de contact selon un agencement centripète, dans lequel les centres des bossages sont disposés selon un premier motif dans une première zone de la surface de contact et selon un deuxième motif, différent du premier motif, dans une deuxième zone de la surface de contact, les premier et deuxième motifs définissant par exemple l’espacement entre les centres des bossages dans le plan de la surface de contact.According to another aspect, a substrate is provided comprising a contact surface comprising bosses formed thereon, each boss being asymmetrical in rotation in the plane of the contact surface, the bosses being for example oriented on the contact surface according to a centripetal arrangement , in which the centers of the bosses are arranged according to a first pattern in a first zone of the contact surface and according to a second pattern, different from the first pattern, in a second zone of the contact surface, the first and second patterns defining by example the spacing between the centers of the bosses in the plane of the mating surface.

Selon un mode de réalisation, la première zone est une zone centrale de la surface de contact, et la deuxième zone est une zone annulaire entourant la zone centrale.According to one embodiment, the first zone is a central zone of the contact surface, and the second zone is an annular zone surrounding the central zone.

Selon un autre aspect, on prévoit un substrat comprenant une surface de contact comportant des bossages formés dessus, chaque bossage étant asymétrique en rotation dans le plan de la surface de contact, les bossages étant par exemple orientés sur la surface de contact selon un agencement centripète, dans lequel les bossages sont disposés de telle sorte que les centres des bossages dans le plan de la surface de contact ne sont pas alignés.According to another aspect, a substrate is provided comprising a contact surface comprising bosses formed thereon, each boss being asymmetrical in rotation in the plane of the contact surface, the bosses being for example oriented on the contact surface according to a centripetal arrangement , wherein the bosses are arranged such that the centers of the bosses in the plane of the mating surface are not aligned.

Selon un autre aspect, on prévoit un procédé de conception de circuit mis en œuvre par un dispositif de traitement sous le contrôle d’instructions logicielles, le procédé comprenant :
- définir des dimensions de chaque bossage dans le plan d’une surface de contact définie par une conception de circuit ; et
- réaliser de manière automatique un placement de bossages sur la surface de contact de telle sorte que les bossages sont par exemple orientés sur la surface de contact selon un agencement centripète, et/ou de telle sorte que les bossages se trouvant dans une première zone de la surface de contact ont un premier pas dans un premier axe et les bossages se trouvant dans une deuxième zone de la surface de contact ont un deuxième pas dans le premier axe, le deuxième pas étant différent du premier pas.
According to another aspect, there is provided a circuit design method implemented by a processing device under the control of software instructions, the method comprising:
- define dimensions of each boss in the plane of a contact surface defined by a circuit design; And
- automatically performing a placement of bosses on the contact surface such that the bosses are for example oriented on the contact surface according to a centripetal arrangement, and/or such that the bosses located in a first zone of the contact surface have a first pitch in a first axis and the bosses located in a second zone of the contact surface have a second pitch in the first axis, the second pitch being different from the first pitch.

Selon un autre aspect, on prévoit un procédé de conception de circuit mis en œuvre par un dispositif de traitement sous le contrôle d’instructions logicielles, le procédé comprenant :
- définir des dimensions de chaque bossage dans le plan d’une surface de contact définie par une conception de circuit ; et
- réaliser de manière automatique un placement de bossages sur la surface de contact de telle sorte que les bossages sont par exemple orientés sur la surface de contact selon un agencement centripète, et/ou de telle sorte que les centres des bossages sont disposés selon un premier motif dans une première zone de la surface de contact et selon un deuxième motif, différent du premier motif, dans une deuxième zone de la surface de contact, les premier et deuxième motifs définissant par exemple l’espacement entre les centres des bossages dans le plan de la surface de contact.
According to another aspect, there is provided a circuit design method implemented by a processing device under the control of software instructions, the method comprising:
- define dimensions of each boss in the plane of a contact surface defined by a circuit design; And
- automatically performing a placement of bosses on the contact surface such that the bosses are for example oriented on the contact surface according to a centripetal arrangement, and/or such that the centers of the bosses are arranged according to a first pattern in a first zone of the contact surface and according to a second pattern, different from the first pattern, in a second zone of the contact surface, the first and second patterns defining for example the spacing between the centers of the bosses in the plane of the contact surface.

Selon un autre aspect, on prévoit un procédé de conception de circuit mis en œuvre par un dispositif de traitement sous le contrôle d’instructions logicielles, le procédé comprenant :
- définir des dimensions de chaque bossage dans le plan d’une surface de contact définie par une conception de circuit ; et
- réaliser de manière automatique un placement de bossages sur la surface de contact de telle sorte que les bossages sont par exemple orientés sur la surface de contact selon un agencement centripète, et/ou de telle sorte que les bossages sont disposés de telle sorte que les centres des bossages dans le plan de la surface de contact ne sont pas alignés.
According to another aspect, there is provided a circuit design method implemented by a processing device under the control of software instructions, the method comprising:
- define dimensions of each boss in the plane of a contact surface defined by a circuit design; And
- automatically perform a placement of bosses on the contact surface such that the bosses are for example oriented on the contact surface according to a centripetal arrangement, and / or such that the bosses are arranged such that the centers of the bosses in the plane of the mating surface are not aligned.

Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :These characteristics and advantages, as well as others, will be set out in detail in the following description of particular embodiments given on a non-limiting basis in relation to the attached figures, among which:

la figure 1 est une vue à plat d’une partie d’une matrice de bossages comportant des bossages oblongs régulièrement espacés orientés de manière centripète ; Figure 1 is a plan view of a portion of a boss array having evenly spaced oblong bosses oriented centripetally;

la figure 2 représente, en vue à plat, un bossage oblong et une zone d’exclusion selon un exemple de réalisation de la présente description ; FIG. 2 represents, in flat view, an oblong boss and an exclusion zone according to an embodiment of the present description;

la figure 3 est une vue à plat d’une matrice de bossages selon un exemple de réalisation de la présente description ; FIG. 3 is a flat view of a matrix of bosses according to an embodiment of the present description;

la figure 4 représente une partie de la matrice de bossages de la figure 3 plus en détail selon un exemple de réalisation de la présente description ; FIG. 4 represents a part of the matrix of bosses of FIG. 3 in more detail according to an exemplary embodiment of the present description;

la figure 5 est une vue en coupe d’un assemblage à puce retournée comprenant une matrice de bossages selon un exemple de réalisation de la présente description ; FIG. 5 is a cross-sectional view of a flip-chip assembly comprising a bump array according to an exemplary embodiment of the present description;

la figure 6 est une vue en coupe illustrant un bossage de la matrice de bossages de la figure 5 plus en détail ; Figure 6 is a cross-sectional view illustrating a boss of the boss array of Figure 5 in more detail;

la figure 7 illustre schématiquement un dispositif informatique de conception de circuit selon un exemple de réalisation de la présente description ; FIG. 7 schematically illustrates a circuit design computing device according to an exemplary embodiment of the present description;

la figure 8 est un organigramme représentant des étapes dans un procédé de conception de circuit selon un exemple de réalisation de la présente description ; et FIG. 8 is a flowchart representing steps in a circuit design method according to an exemplary embodiment of the present description; And

la figure 9 est une vue à plat d’une matrice de bossages divisée en zones dans un but de simulation. Figure 9 is a flat view of a boss matrix divided into zones for simulation purposes.

De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques.The same elements have been designated by the same references in the different figures. In particular, the structural and/or functional elements common to the various embodiments may have the same references and may have identical structural, dimensional and material properties.

Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés ou couplés entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés ou couplés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments.Unless otherwise specified, when reference is made to two elements connected together, it means directly connected without intermediate elements other than conductors, and when reference is made to two elements connected or coupled together, it means that these two elements can be connected or be linked or coupled through one or more other elements.

Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures.In the following description, when referring to absolute position qualifiers, such as "front", "rear", "up", "down", "left", "right", etc., or relative, such as the terms "above", "below", "upper", "lower", etc., or to qualifiers of orientation, such as the terms "horizontal", "vertical", etc., it reference is made unless otherwise specified to the orientation of the figures.

Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.Unless specified otherwise, the expressions “about”, “approximately”, “substantially”, and “of the order of” mean to within 10%, preferably within 5%.

La figure 1 est une vue à plat d’une partie d’une matrice de bossages 100 comportant des bossages oblongs régulièrement espacés 102 orientés de manière centripète.Figure 1 is a plan view of a portion of a boss array 100 having evenly spaced oblong bosses 102 oriented centripetally.

Les bossages 102 dans l’exemple de la figure 1 sont régulièrement espacés en ce que chacun est disposé à un point 104, les points 104 étant alignés sur des lignes de rangées 106 et des lignes de colonnes 108. Dans l’exemple de la figure 1, des bossages sont disposés au niveau d’intersections alternées des lignes de rangées et de colonnes 106, 108, autrement dit selon un motif en damier par rapport à ces intersections.The bosses 102 in the example of Figure 1 are evenly spaced in that each is disposed at a point 104, the points 104 being aligned on row lines 106 and column lines 108. In the example of Figure 1, bosses are arranged at alternate intersections of the row and column lines 106, 108, in other words in a checkerboard pattern with respect to these intersections.

Chacun des bossages 102 est de forme oblongue, et afin de réduire les contraintes, les bossages 102 sont orientés selon un agencement centripète autour d’un point central 110 de la matrice. Toutefois, une difficulté rencontrée dans un tel agencement est que, lorsque le pas des bossages est relativement faible, il y a un risque de courts-circuits entre bossages voisins. Un exemple d’un tel court-circuit est représenté par des bossages fusionnés 112 en figure 1.Each of the bosses 102 is oblong in shape, and in order to reduce stress the bosses 102 are oriented in a centripetal arrangement around a central point 110 of the die. However, a difficulty encountered in such an arrangement is that, when the pitch of the bosses is relatively small, there is a risk of short circuits between neighboring bosses. An example of such a short circuit is shown by fused bosses 112 in Figure 1.

Le pas de bossage Pb est par exemple défini comme étant la plus courte distance entre les centres de bossages adjacents, ce qui dans l’exemple de la figure 1 correspond à la distance entre des intersections adjacentes diagonalement de lignes de rangées et de colonnes.The boss pitch Pb is for example defined as being the shortest distance between the centers of adjacent bosses, which in the example of figure 1 corresponds to the distance between diagonally adjacent intersections of lines of rows and columns.

Les présents inventeurs ont trouvé que, pour un agencement du type de la figure 1, le risque de courts-circuits entre bossages est le plus grand à proximité des bords de la matrice, là où les bossages sont orientés de manière similaire dans une direction diagonale.The present inventors have found that, for an arrangement of the type of Figure 1, the risk of shorts between bumps is greatest near the edges of the die, where the bumps are similarly oriented in a diagonal direction. .

Afin d’assurer une densité de bossages relativement élevée et un faible risque de courts-circuits, les présents inventeurs proposent une matrice de bossages dans laquelle les bossages ne sont plus régulièrement espacés, mais sont espacés irrégulièrement tout en respectant une zone d’exclusion autour de chaque bossage, comme on va le décrire maintenant plus en détail en faisant référence à la figure 2.In order to ensure a relatively high density of bumps and a low risk of short circuits, the present inventors propose a matrix of bumps in which the bumps are no longer regularly spaced, but are spaced irregularly while respecting an exclusion zone around of each boss, as will now be described in more detail with reference to Figure 2.

La figure 2 représente, en vue à plat, un bossage oblong 200 entouré d’une zone d’exclusion 202 selon un exemple de réalisation de la présente description.FIG. 2 represents, in flat view, an oblong boss 200 surrounded by an exclusion zone 202 according to an embodiment of the present description.

Le bossage 200 dans l’exemple de la figure 2 a une forme de stade, en d’autres termes une forme correspondant à deux demi-cercles face-à-face reliés par des lignes droites.The boss 200 in the example of Figure 2 has a stadium shape, in other words a shape corresponding to two face-to-face semicircles connected by straight lines.

La zone d’exclusion 202 est par exemple définie comme étant une distance par rapport au centre 204 du bossage 200, bien que dans des variantes de réalisation elle puisse être définie comme étant une distance par rapport au bord du bossage 200. Dans des modes de réalisation décrits ci-après, la zone d’exclusion 202 est une zone dans laquelle aucun autre bossage ne doit être placé, et qui ne doit pas chevaucher la zone d’exclusion d’un autre bossage. Il serait aussi possible de définir une zone d’exclusion comme étant une zone dans laquelle aucun autre bossage ne doit être placé, mais qui peut chevaucher la zone d’exclusion d’un autre bossage. L’homme de l’art saura comment les exemples donnés ci-après pourraient être adaptés pour une telle variante de définition de la zone d’exclusion.The exclusion zone 202 is for example defined as a distance from the center 204 of the boss 200, although in alternative embodiments it could be defined as a distance from the edge of the boss 200. embodiment described below, the exclusion zone 202 is an area in which no other boss should be placed, and which should not overlap the exclusion zone of another boss. It would also be possible to define an exclusion zone as an area in which no other boss should be placed, but which can overlap the exclusion zone of another boss. Those skilled in the art will know how the examples given below could be adapted for such a variant definition of the exclusion zone.

La zone d’exclusion 202 a par exemple des dimensions différentes dans des axes différents. Dans certains modes de réalisation, la zone d’exclusion 202 a une longueur Lez suivant l’axe 205 du diamètre le plus long du bossage 200 qui est supérieure à la largeur Wez suivant l’axe (non illustré) perpendiculaire à l’axe 205, correspondant à l’axe du diamètre le plus court du bossage.The exclusion zone 202 for example has different dimensions in different axes. In certain embodiments, the exclusion zone 202 has a length Lez along the axis 205 of the longest diameter of the boss 200 which is greater than the width Wez along the axis (not shown) perpendicular to the axis 205 , corresponding to the axis of the shortest diameter of the boss.

Dans certains modes de réalisation, la zone d’exclusion est sensiblement hexagonale, comme cela est représenté par un hexagone 206 en trait interrompu en figure 2. Des bords opposés 208, 210 de l’hexagone sont alignés avec l’axe du diamètre le plus long du bossage 200, et sont séparés par la largeur de la zone d’exclusion Wez. Des sommets opposés 212, 214 de l’hexagone sont sur l’axe du diamètre le plus long du bossage 200 et sont séparés par la largeur de zone d’exclusion Lez.In some embodiments, the exclusion zone is substantially hexagonal, as shown by a dashed line hexagon 206 in FIG. 2. along the boss 200, and are separated by the width of the exclusion zone Wez. Opposite vertices 212, 214 of the hexagon are on the axis of the longest diameter of the boss 200 and are separated by the exclusion zone width Lez.

Dans des variantes de réalisation, la zone d’exclusion 202 est définie par une courbe qui respecte des distances minimum par rapport au centre 204 du bossage 200, ou par rapport au bord du bossage 200, les distances minimum étant différentes dans des secteurs différents. Par exemple, en définissant le 0° comme étant l’axe 205 sur un côté donné du bossage 200, la zone d’exclusion 202 a par exemple :
- une distance minimum D1, par rapport au centre 204, dans les secteurs compris entre 330° et 30° et compris entre 150° et 210° ;
- une distance minimum D2, par rapport au centre 204, dans les secteurs compris entre 30° et 60°, entre 120° et 150°, entre 210° et 240°, et entre 300° et 330° ; et
- une distance minimum D3, par rapport au centre 204, dans les secteurs compris entre 60° et 120° et entre 240° et 300°.
In variant embodiments, the exclusion zone 202 is defined by a curve which respects minimum distances with respect to the center 204 of the boss 200, or with respect to the edge of the boss 200, the minimum distances being different in different sectors. For example, by defining 0° to be the axis 205 on a given side of the boss 200, the exclusion zone 202 has for example:
- a minimum distance D1, relative to the center 204, in the sectors between 330° and 30° and between 150° and 210°;
- a minimum distance D2, relative to the center 204, in the sectors between 30° and 60°, between 120° and 150°, between 210° and 240°, and between 300° and 330°; And
- a minimum distance D3, relative to the center 204, in the sectors between 60° and 120° and between 240° and 300°.

Dans certains modes de réalisation, pour un bossage ayant un diamètre le plus long dl, la longueur Lez/2, et/ou la distance D1, sont par exemple comprises entre 0,7*dl et 1,1*dl, et pour un bossage ayant un diamètre le plus court ds, la largeur Wez/2, et/ou la distance D3, sont par exemple comprises entre 1,5*ds et 2*ds. La distance D2 est par exemple comprise entre les distances D1 et D3, en d’autres termes D3≤D2≤D1.In certain embodiments, for a boss having a longest diameter dl, the length Lez/2, and/or the distance D1, are for example between 0.7*dl and 1.1*dl, and for a boss having a shortest diameter ds, the width Wez/2, and/or the distance D3, are for example between 1.5*ds and 2*ds. The distance D2 is for example between the distances D1 and D3, in other words D3≤D2≤D1.

Dans un exemple, dl est compris entre 60 et 100 µm, et par exemple sensiblement égal à 80 µm, ds est compris entre 40 et 80 µm, et par exemple sensiblement égal à 62 µm, la longueur Lez/2, et/ou la distance D1, sont comprises entre 60 et 100 µm, et par exemple sensiblement égales à 76 µm, et la largeur Wez/2, et/ou la distance D3, sont comprises entre 90 et 120 µm et par exemple sensiblement égales à 101 µm.In one example, dl is between 60 and 100 μm, and for example substantially equal to 80 μm, ds is between 40 and 80 μm, and for example substantially equal to 62 μm, the length Lez/2, and/or the distance D1, are between 60 and 100 μm, and for example substantially equal to 76 μm, and the width Wez/2, and/or the distance D3, are between 90 and 120 μm and for example substantially equal to 101 μm.

La figure 3 est une vue à plat d’une matrice de bossages 300 selon un exemple de réalisation de la présente description. Par exemple, la figure 3 correspond à une surface de contact d’une puce de circuit intégré ou d’un substrat à connecter par l’intermédiaire d’une matrice de bossages. Les bossages (non représentés en figure 3) sont par exemple disposés dans une zone circulaire centrale Z1, et dans deux, ou plus, zones annulaires concentriques autour de la zone circulaire Z1, quatre zones de la sorte, Z2 à Z5 étant présentes dans l’exemple de la figure 3. Des bossages peuvent aussi être formés dans une zone comprise entre la zone annulaire la plus extérieure et les bords de la surface de contact, qui est par exemple rectangulaire. Une telle zone est notée Z6 en figure 3.FIG. 3 is a flat view of a matrix of bosses 300 according to an example embodiment of the present description. For example, figure 3 corresponds to a contact surface of an integrated circuit chip or a substrate to be connected via a matrix of bumps. The bosses (not shown in FIG. 3) are for example arranged in a central circular zone Z1, and in two or more concentric annular zones around the circular zone Z1, four zones of this kind, Z2 to Z5 being present in the example of Figure 3. Bosses can also be formed in a zone between the outermost annular zone and the edges of the contact surface, which is for example rectangular. Such a zone is denoted Z6 in figure 3.

Les bossages sont par exemple disposés dans des anneaux concentriques, ou des anneaux partiels concentriques, dans chacune des zones Z1 à Z6, comme on va le décrire maintenant en faisant référence à la figure 4.The bosses are for example arranged in concentric rings, or concentric partial rings, in each of the zones Z1 to Z6, as will now be described with reference to FIG. 4.

La figure 4 illustre une partie de la matrice de bossages de la figure 3 plus en détail selon un exemple de réalisation de la présente description. En particulier, la figure 4 illustre les bossages 200 avec des zones d’exclusion 202 disposées dans la partie de la zone annulaire Z5 de la figure 4.Figure 4 illustrates a portion of the boss array of Figure 3 in more detail according to an exemplary embodiment of the present description. In particular, FIG. 4 illustrates the bosses 200 with exclusion zones 202 arranged in the part of the annular zone Z5 of FIG. 4.

Les bossages 200 sont par exemple disposés de telle sorte que leurs points centraux sont disposés sur un ou plusieurs cercles ou arcs de cercle, six cercles ou arcs de cercle C1 à C6 étant présents dans l’exemple de la figure 4. Ainsi, les bossages 200 forment par exemple des anneaux complets ou partiels. Les bossages 200 sont par exemple orientés dans une disposition centripète, en d’autres termes avec l’axe du diamètre le plus long de chaque bossage passant par le centre, ou à proximité du centre, de la matrice de bossages et/ou de la puce de circuit intégré.The bosses 200 are for example arranged such that their central points are arranged on one or more circles or arcs of a circle, six circles or arcs of a circle C1 to C6 being present in the example of FIG. 4. Thus, the bosses 200 for example form complete or partial rings. The bosses 200 are for example oriented in a centripetal arrangement, in other words with the axis of the longest diameter of each boss passing through the center, or close to the center, of the matrix of bosses and/or of the integrated circuit chip.

Dans certains modes de réalisation, chaque zone annulaire Z2 à Z5 de la figure 3 comprend au moins deux anneaux de bossages, et par exemple entre deux et vingt anneaux de bossages.In certain embodiments, each annular zone Z2 to Z5 of FIG. 3 comprises at least two rings of bosses, and for example between two and twenty rings of bosses.

Les bossages 200 sont par exemple disposés de manière à respecter la zone d’exclusion 202 de chaque bossage.The bosses 200 are for example arranged so as to respect the exclusion zone 202 of each boss.

Par exemple, dans l’anneau le plus intérieur de bossages 200 dans chaque zone annulaire, comme l’anneau formé sur le cercle ou l’arc C1 en figure 4, les bossages sont disposés aussi près que possible du bord intérieur de la zone, et aussi près entre eux que possible dans la direction circonférentielle. Ainsi, on peut voir que, pour les bossages formés sur le cercle ou l’arc C1, les bords des zones d’exclusion de bossages adjacents se touchent, ou sont relativement proches.For example, in the innermost ring of bosses 200 in each annular zone, such as the ring formed on the circle or arc C1 in Figure 4, the bosses are disposed as close as possible to the inner edge of the zone, and as close to each other as possible in the circumferential direction. Thus, we can see that, for the bosses formed on the circle or the arc C1, the edges of the exclusion zones of adjacent bosses touch each other, or are relatively close.

Dans l’anneau de bossages 200 suivant, comme l’anneau formé sur le cercle ou l’arc C2 en figure 4, chaque bossage est par exemple disposé sur un cercle ou un arc qui est le plus proche possible du cercle ou de l’arc C1, tout en respectant la zone d’exclusion. Ainsi, vu la forme de la zone d’exclusion 202 de chaque bossage 200, les bossages se trouvant dans un anneau sont par exemple désalignés dans la direction circonférentielle par rapport à ceux se trouvant dans un anneau adjacent d’environ la moitié du pas des bossages dans la direction circonférentielle.In the following ring of bosses 200, like the ring formed on the circle or the arc C2 in FIG. 4, each boss is for example arranged on a circle or an arc which is as close as possible to the circle or the arc C1, while respecting the exclusion zone. Thus, given the shape of the exclusion zone 202 of each boss 200, the bosses located in a ring are for example misaligned in the circumferential direction with respect to those located in an adjacent ring by approximately half the pitch of the bosses in the circumferential direction.

Les présents inventeurs ont trouvé que, après qu’un certain nombre d’anneaux de bossages ont été placés dans une zone annulaire donnée, l’espacement entre bossages adjacents dans la direction circonférentielle a augmenté dans une telle mesure qu’une plus grande densité de bossages peut être obtenue en démarrant une nouvelle zone annulaire dans laquelle les bossages ne sont plus contraints par un anneau intérieur de bossages.The present inventors have found that after a number of rings of bosses have been placed in a given annular area, the spacing between adjacent bosses in the circumferential direction has increased to such an extent that a greater density of bosses can be achieved by starting a new annular area in which the bosses are no longer constrained by an inner ring of bosses.

La figure 5 est une vue en coupe d’un assemblage à puce retournée 500 comprenant une matrice de bossages 502 connectant des plots formés dans une surface de contact 504 d’une puce de circuit intégré 506 à des plots formés dans une surface de contact 508 d’un substrat 510, qui est par exemple un PCB. Ainsi, la matrice de bossages 502 est utilisée pour interconnecter les circuits 506 et 510.Figure 5 is a cross-sectional view of a flip chip assembly 500 comprising an array of bumps 502 connecting pads formed in a contact surface 504 of an integrated circuit chip 506 to pads formed in a contact surface 508 of a substrate 510, which is for example a PCB. Thus, bump array 502 is used to interconnect circuits 506 and 510.

La figure 6 est une vue en coupe illustrant un bossage 602 de la matrice de bossages 502 de la figure 6 plus en détail. Un bossage 602 contacte un plot 604 formé dans la surface de contact 504 de la puce de circuit intégré 506, et contacte aussi un plot 606 formé dans la surface de contact 508 du substrat 510. Les plots 604, 606 sont par exemple en Al, et le bossage 602 est par exemple en un alliage métallique, comprenant par exemple Sn, formant une soudure.Figure 6 is a cross-sectional view illustrating a boss 602 of the boss array 502 of Figure 6 in more detail. A boss 602 contacts a pad 604 formed in the contact surface 504 of the integrated circuit chip 506, and also contacts a pad 606 formed in the contact surface 508 of the substrate 510. The pads 604, 606 are for example made of Al, and the boss 602 is for example made of a metal alloy, comprising for example Sn, forming a weld.

Le plot 604 de la puce de circuit intégré 506 est par exemple partiellement enterré dans une couche 608, par exemple en nitrure de silicium. Le bossage 602 contacte par exemple le plot 604 dans une ouverture 610 de la couche 608, où la surface du plot 604 est exposée.The pad 604 of the integrated circuit chip 506 is for example partially buried in a layer 608, for example of silicon nitride. Boss 602 contacts pad 604, for example, in an opening 610 of layer 608, where the surface of pad 604 is exposed.

De façon similaire, sur le côté du substrat, un plot 606 est par exemple partiellement enterré dans une couche 612, par exemple en nitrure de silicium. Le bossage 602 contacte par exemple le plot 606 dans une ouverture 614 de la couche 612, où la surface du plot 606 est exposée.Similarly, on the side of the substrate, a pad 606 is for example partially buried in a layer 612, for example of silicon nitride. Boss 602 contacts pad 606, for example, in an opening 614 of layer 612, where the surface of pad 606 is exposed.

C’est par exemple la position de chaque plot 604, 606 qui définit la position du bossage. Par conséquent, le placement du centre d’un bossage à un emplacement donné est par exemple obtenu en positionnant un centre de chacun des plots 604, 606 à cet emplacement.It is for example the position of each stud 604, 606 which defines the position of the boss. Consequently, the placement of the center of a boss at a given location is for example obtained by positioning a center of each of the studs 604, 606 at this location.

En outre, les formes des ouvertures 610, 614 définissent par exemple la forme que le bossage 602 va prendre lorsqu’il sera soudé entre les plots 604 et 606. Dans certains modes de réalisation, les deux ouvertures 610, 614 sont agencées pour avoir une forme allongée de sorte que le bossage résultant a une forme oblongue ou une forme de stade dans une orientation centripète. Dans d’autres modes de réalisation, une seule des ouvertures, comme l’ouverture 614 sur le côté du substrat, a une forme allongée, l’ouverture 610 sur le côté du circuit intégré ayant par exemple une forme carrée, hexagonale, circulaire ou autre.In addition, the shapes of the openings 610, 614 define, for example, the shape that the boss 602 will take when it is welded between the studs 604 and 606. In certain embodiments, the two openings 610, 614 are arranged to have a elongated shape so that the resulting boss has an oblong or stadium shape in a centripetal orientation. In other embodiments, only one of the openings, such as the opening 614 on the side of the substrate, has an elongated shape, the opening 610 on the side of the integrated circuit having for example a square, hexagonal, circular or other.

La figure 7 illustre schématiquement un dispositif informatique 700 pour la conception de circuits selon un exemple de réalisation de la présente description.Figure 7 schematically illustrates a computing device 700 for designing circuits according to an exemplary embodiment of the present description.

Le dispositif 700 comprend par exemple un dispositif de traitement (P) comprenant un ou plusieurs processeurs sous le contrôle d’instructions stockées dans une mémoire d’instructions (INSTR MEM) 704 couplée au dispositif de traitement 702. Un stockage de données (DATA STORAGE) 706 est aussi par exemple couplé au dispositif de traitement 702 ou est accessible d’une autre manière par le dispositif de traitement 702. Le stockage de données 706 comprend par exemple un ou plusieurs dispositifs mémoires mémorisant une disposition de bossages ou de plots (BUMP/PAD LAYOUT) 708 définissant la position de bossages ou de plots sur une surface de contact d’une puce de circuit intégré et/ou d’un substrat. Le dispositif 700 comprend aussi par exemple une interface de communications (COMMS INTERFACE) 710 couplée au dispositif de traitement 702, par l’intermédiaire de laquelle la disposition de bossages peut par exemple être transmise à une usine de fabrication pour sa fabrication.The device 700 comprises for example a processing device (P) comprising one or more processors under the control of instructions stored in an instruction memory (INSTR MEM) 704 coupled to the processing device 702. A data storage (DATA STORAGE ) 706 is also, for example, coupled to the processing device 702 or is accessible in another way by the processing device 702. The data storage 706 comprises, for example, one or more memory devices storing a layout of bumps or pads (BUMP /PAD LAYOUT) 708 defining the position of bumps or pads on a contact surface of an integrated circuit chip and/or a substrate. The device 700 also comprises for example a communications interface (COMMS INTERFACE) 710 coupled to the processing device 702, via which the arrangement of bosses can for example be transmitted to a manufacturing plant for its manufacture.

La figure 8 est un organigramme représentant des étapes dans un procédé de conception de circuit selon un exemple de réalisation de la présente description. Sauf indication contraire, les étapes du procédé de la figure 8 sont par exemple mises en œuvre par le dispositif informatique 700 de la figure 7.Figure 8 is a flowchart representing steps in a circuit design method according to an exemplary embodiment of the present description. Unless otherwise indicated, the steps of the method of FIG. 8 are for example implemented by the computing device 700 of FIG. 7.

Dans une étape 801, au moins deux zones concentriques annulaires sont par exemple définies pour un placement de bossages. En variante, les zones annulaires sont définies de manière adaptative, comme cela est décrit plus en détail ci-après.In a step 801, at least two concentric annular zones are for example defined for a placement of bosses. Alternatively, the annular zones are defined adaptively, as described in more detail below.

Dans une étape 802, un placement de bossages est par exemple réalisé dans chaque zone concentrique annulaire, tout en respectant la zone d’exclusion autour de chaque bossage. Par exemple, comme cela a été décrit précédemment en faisant référence à la figure 4, cela est réalisé en plaçant les bossages dans des anneaux ou des portions d’anneaux, en commençant à partir d’un bord intérieur de chaque zone concentrique annulaire.In a step 802, a placement of bosses is for example carried out in each annular concentric zone, while respecting the exclusion zone around each boss. For example, as previously described with reference to Figure 4, this is achieved by placing the bosses in rings or portions of rings, starting from an inner edge of each annular concentric area.

Dans certains modes de réalisation, le dimensionnement et le nombre de zones concentriques annulaires est adaptatif. Par exemple, un premier anneau de bossages intérieur est placé, puis des anneaux additionnels sont ajoutés tout en assurant une distance minimale entre un anneau et le suivant. Toutefois, lorsque le pas des bossages dépasse un certain seuil, une nouvelle zone annulaire est définie comme comportant un bord intérieur situé juste à l’extérieur du dernier anneau de bossages à placer, et le placement de bossages reprend de nouveau dans la nouvelle zone. Un tel procédé a pour résultat par exemple des zones annulaires concentriques qui comprennent un plus grand nombre d’anneaux concentriques, ou d’anneaux partiels concentriques, de bossages au fur et à mesure qu’elles s’éloignent du centre de la matrice de bossages.In certain embodiments, the dimensioning and the number of annular concentric zones is adaptive. For example, a first inner ring of bosses is placed, then additional rings are added while ensuring a minimum distance between one ring and the next. However, when the boss pitch exceeds a certain threshold, a new ring area is set to have an inner edge just outside the last ring of bosses to be placed, and boss placement resumes again in the new area. Such a method results, for example, in concentric annular areas which include a greater number of concentric rings, or concentric partial rings, of bosses as they move away from the center of the matrix of bosses. .

Dans une étape 803, une disposition 2D de bossages ou de plots est générée sur la base du placement de bossages. Par exemple, cette disposition est un fichier définissant, en coordonnées x et y, la position du centre de chaque bossage, qui correspond à la position du centre du plot correspondant des surfaces de contact à connecter.In a step 803, a 2D layout of bosses or studs is generated based on the placement of bosses. For example, this layout is a file defining, in x and y coordinates, the position of the center of each boss, which corresponds to the position of the center of the corresponding pad of the contact surfaces to be connected.

Dans une étape 804, la disposition est par exemple transmise à un site de fabrication et la matrice de bossages est par exemple fabriquée sur la base de la disposition.In a step 804, the layout is for example transmitted to a manufacturing site and the matrix of bosses is for example manufactured on the basis of the layout.

La figure 9 est une vue à plat d’une matrice de bossages divisées en zones Z1 à Z7 dans un but de simulation. Le placement des bossages a été simulé sur la base d’un placement manuel de bossages dans des zones annulaires concentriques comprenant chacune cinq anneaux de bossages, et sur la base d’un dimensionnement de zones adaptatif comme décrit précédemment. Les résultats pour les zones Z1 à Z7 sont représentés dans le tableau suivant. Zone Nombre de bossages – Placement manuel Nombre de bossages – zones de cinq anneaux de bossages Nombre de bossages – Procédé adaptatif Z1 225 239 236 Z2 226 237 237 Z3 229 239 236 Z4 397 426 434 Z5 402 426 434 Z6 225 239 242 Z7 229 239 240 Total 1933 2045 2059 Figure 9 is a flat view of a matrix of bosses divided into zones Z1 to Z7 for simulation purposes. Boss placement was simulated based on manual boss placement in concentric annular zones each comprising five rings of bosses, and based on adaptive zone sizing as previously described. The results for zones Z1 to Z7 are shown in the following table. Area Number of Bosses - Manual Placement Number of bosses – areas of five rings of bosses Number of Bosses – Adaptive Process Z1 225 239 236 Z2 226 237 237 Z3 229 239 236 Z4 397 426 434 Z5 402 426 434 Z6 225 239 242 Z7 229 239 240 Total 1933 2045 2059

On peut voir qu’un placement automatique a eu pour résultat une augmentation significative du nombre de bossages qui peuvent être placés dans la totalité des zones, et que le procédé de dimensionnement de zones adaptatif a permis de placer un plus grand nombre global de bossages.It can be seen that automatic placement resulted in a significant increase in the number of bosses that can be placed across all zones, and that the adaptive zone sizing process resulted in a greater overall number of bosses being placed.

Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaitront à la personne du métier.Various embodiments and variants have been described. The person skilled in the art will understand that certain features of these various embodiments and variations could be combined, and other variations will occur to the person skilled in the art.

Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits ici est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus.Finally, the practical implementation of the embodiments and variants described here is within the abilities of those skilled in the art based on the functional indications given above.

Claims (14)

Matrice de bossages comprenant des bossages (200), chaque bossage (200) étant asymétrique en rotation dans le plan de la matrice de bossages, les bossages (200) étant orientés selon une disposition centripète, dans laquelle les bossages se trouvant dans une première partie de la matrice de bossages ont un premier pas dans un premier axe et les bossages se trouvant dans une deuxième partie de la matrice de bossages ont un deuxième pas dans le premier axe, le deuxième pas étant différent du premier pas.A matrix of bosses comprising bosses (200), each boss (200) being rotationally asymmetrical in the plane of the matrix of bosses, the bosses (200) being oriented in a centripetal arrangement, in which the bosses being in a first part of the matrix of bosses have a first pitch in a first axis and the bosses in a second part of the matrix of bosses have a second pitch in the first axis, the second pitch being different from the first pitch. Matrice de bossages selon la revendication 1, dans laquelle les bossages sont formés dans des anneaux concentriques ou des anneaux partiels concentriques (C1).Boss matrix according to claim 1, wherein the bosses are formed in concentric rings or concentric partial rings (C1). Matrice de bossages selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle au moins certains des bossages sont formés dans une première zone annulaire (Z2) et au moins certains des bossages sont formés dans une deuxième zone annulaire (Z3), les première et deuxième zones annulaires (Z2, Z3) étant concentrique.A boss array according to claim 1 or 2, wherein at least some of the bosses are formed in a first annular area (Z2) and at least some of the bosses are formed in a second annular area (Z3), the first and second annular areas (Z2, Z3) being concentric. Matrice de bossages selon la revendication 3, dans laquelle chacune des première et deuxième zones annulaires (Z2, Z3) comprend une pluralité d’anneaux, ou d’anneaux partiels, de bossages.A bump array according to claim 3, wherein each of the first and second annular areas (Z2, Z3) comprises a plurality of rings, or partial rings, of bumps. Circuit (506, 510) comportant une surface de contact (504) comprenant des plots de connexion (604) à coupler à une matrice de bossages, dans lequel chaque plot de connexion a une région de sa surface exposée qui est asymétrique en rotation dans le plan de la surface de contact (504), les plots de connexion (604) étant orientés selon un agencement centripète, dans lequel les plots de connexion se trouvant dans une première partie de la surface de contact ont un premier pas dans un premier axe et les plots de connexion se trouvant dans une deuxième partie de la surface de contact ont un deuxième pas dans le premier axe, le deuxième pas étant différent du premier pas.A circuit (506, 510) having a contact surface (504) comprising bond pads (604) to be coupled to a matrix of bumps, wherein each bond pad has a region of its exposed surface which is rotationally asymmetric in the plane of the contact surface (504), the bond pads (604) being oriented in a centripetal arrangement, wherein the bond pads in a first portion of the contact surface have a first pitch in a first axis and the connection pads located in a second part of the contact surface have a second pitch in the first axis, the second pitch being different from the first pitch. Circuit selon la revendication 5, dans lequel le circuit est une puce de circuit intégré (506).A circuit according to claim 5, wherein the circuit is an integrated circuit chip (506). Circuit selon la revendication 5, dans lequel le circuit est un substrat (510) destiné à recevoir une puce de circuit intégré (506).A circuit according to claim 5, wherein the circuit is a substrate (510) for receiving an integrated circuit chip (506). Assemblage à puce retournée comprenant :
- le circuit de l’une quelconque des revendications 5 à 7 ;
- un autre circuit ; et
- la matrice de bossages de l’une quelconque des revendications 1 à 4, la matrice de bossages connectant les plots de connexion du circuit à des plots de connexion se trouvant sur une surface de contact de l’autre circuit.
Flip chip assembly including:
- the circuit of any one of claims 5 to 7;
- another circuit; And
- the matrix of bumps of any one of claims 1 to 4, the matrix of bumps connecting the connection pads of the circuit to connection pads located on a contact surface of the other circuit.
Procédé de conception de circuit mis en œuvre par un dispositif de traitement sous le contrôle d’instructions logicielles, le procédé comprenant :
- définir des dimensions de chaque bossage dans le plan d’une surface de contact définie par une conception de circuit ; et
- réaliser de manière automatique un placement de bossages sur la surface de contact de telle sorte que les bossages sont orientés sur la surface de contact selon un agencement centripète, et de telle sorte que les bossages se trouvant dans une première partie de la surface de contact ont un premier pas dans un premier axe et les bossages se trouvant dans une deuxième partie de la surface de contact ont un deuxième pas dans le premier axe, le deuxième pas étant différent du premier pas.
A circuit design method implemented by a processing device under the control of software instructions, the method comprising:
- define dimensions of each boss in the plane of a contact surface defined by a circuit design; And
- automatically performing a placement of bosses on the contact surface such that the bosses are oriented on the contact surface in a centripetal arrangement, and such that the bosses being in a first part of the contact surface have a first pitch in a first axis and the bosses located in a second part of the contact surface have a second pitch in the first axis, the second pitch being different from the first pitch.
Procédé de conception de circuit selon la revendication 5, dans lequel les bossages sont placés dans des anneaux concentriques ou des anneaux partiels concentriques.A circuit design method according to claim 5, wherein the bosses are placed in concentric rings or concentric partial rings. Procédé de conception de circuit selon la revendication 6, dans lequel au moins certains des bossages sont placés dans une première zone annulaire (Z2) et au moins certains des bossages sont placés dans une deuxième zone annulaire (Z3), les première et deuxième zones annulaires étant concentriques.A circuit design method according to claim 6, wherein at least some of the bosses are placed in a first annular region (Z2) and at least some of the bosses are placed in a second annular region (Z3), the first and second annular regions being concentric. Procédé de conception de circuit selon la revendication 7, dans lequel chacune des première et deuxième zones annulaires (Z2, Z3) comprend une pluralité d’anneaux concentriques, ou d’anneaux partiels concentriques, de bossages.A method of circuit design according to claim 7, wherein each of the first and second annular areas (Z2, Z3) comprises a plurality of concentric rings, or concentric partial rings, of bumps. Procédé de conception de circuit selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la deuxième zone annulaire (Z3) est radialement à l’extérieur de la première zone annulaire (Z2) et comprend un plus grand nombre d’anneaux concentriques ou d’anneaux partiels concentriques que la première zone annulaire (Z2).Circuit design method according to claim 7 or 8, wherein the second annular zone (Z3) is radially outside the first annular zone (Z2) and comprises a greater number of concentric rings or partial rings concentric than the first annular zone (Z2). Dispositif mémoire non transitoire lisible par un ordinateur, mémorisant des instructions d’ordinateur qui amènent la mise en œuvre du procédé de l’une quelconque des revendications 9 à 13 lorsqu’elles sont exécutées par un dispositif de traitement.A non-transitory computer-readable memory device storing computer instructions which bring about the implementation of the method of any of claims 9 to 13 when executed by a processing device.
FR1913917A 2019-04-18 2019-12-09 Centripetal arrangement of bosses and method Pending FR3095298A1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1913917A FR3095298A1 (en) 2019-12-09 2019-12-09 Centripetal arrangement of bosses and method
US16/847,934 US20200335466A1 (en) 2019-04-18 2020-04-14 Centripetal bumping layout and method
FR2003781A FR3095297A1 (en) 2019-04-18 2020-04-15 Centripetal arrangement of bosses and method
CN202020592475.5U CN211907429U (en) 2019-04-18 2020-04-20 Bump substrate, circuit and flip chip assembly
CN202010311806.8A CN111834328A (en) 2019-04-18 2020-04-20 Centripetal bump layout and method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1913917 2019-12-09
FR1913917A FR3095298A1 (en) 2019-12-09 2019-12-09 Centripetal arrangement of bosses and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR3095298A1 true FR3095298A1 (en) 2020-10-23

Family

ID=69903380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1913917A Pending FR3095298A1 (en) 2019-04-18 2019-12-09 Centripetal arrangement of bosses and method

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR3095298A1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130062741A1 (en) * 2011-09-09 2013-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing and Packaging Thereof
US20160329293A1 (en) * 2012-08-17 2016-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonded Structures for Package and Substrate
US20180047692A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Amkor Technology, Inc. Method and System for Packing Optimization of Semiconductor Devices

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130062741A1 (en) * 2011-09-09 2013-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing and Packaging Thereof
US20160329293A1 (en) * 2012-08-17 2016-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonded Structures for Package and Substrate
US20180047692A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Amkor Technology, Inc. Method and System for Packing Optimization of Semiconductor Devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10002835B2 (en) Structure for establishing interconnects in packages using thin interposers
CN102214627B (en) There is the wafer-level chip scale package device of cam unit
US8957524B2 (en) Pillar structure for use in packaging integrated circuit products and methods of making such a pillar structure
US7811858B2 (en) Package and the method for making the same, and a stacked package
US7642132B2 (en) Three-dimensional package and method of making the same
CN106611756A (en) Wafer-to-wafer butt joint structure and manufacturing method thereof
US7969003B2 (en) Bump structure having a reinforcement member
US20200395325A1 (en) Multi-Pin-Wafer-Level-Chip-Scale-Packaging Solution for High Power Semiconductor Devices
KR20050067062A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20100102635A (en) Under bump routing layer method and apparatus
US20110269306A1 (en) Solder bump, electronic component and method for manufacturing the electronic component
CN103050473A (en) Wafer-level chip scale package with re-workable underfill
US10818583B2 (en) Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages
FR3095297A1 (en) Centripetal arrangement of bosses and method
FR3095298A1 (en) Centripetal arrangement of bosses and method
CN114078754A (en) Interconnect structure and method of making the same
US20180337116A1 (en) Semiconductor structure having bump on tilting upper corner surface
CN105575911A (en) Semiconductor package and fabrication method thereof
TWI559477B (en) Mps-c2 device having shortened supporting posts
CN101211792A (en) Semi-conductor package and its manufacture method and stacking structure
JP2004200197A (en) Semiconductor device
EP4141915A1 (en) Method of manufacturing an encapsulated electronic chip on a chip scale, and corresponding device
CN114551246B (en) Wafer and method for improving height uniformity of electroplating bumps
JP3242376U (en) Flip chip bonding structure and its circuit board
CN101281875A (en) Grain automatic positioning, and stack type encapsulation structure as well as manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PLSC Publication of the preliminary search report

Effective date: 20201023

RX Complete rejection

Effective date: 20210910