FR3086724A1 - Source lumineuse matricielle pilotee en tension a circuit diagnostic pour un vehicule automobile - Google Patents
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Abstract
L'invention propose une source lumineuse matricielle destinée à être alimentée en tension électrique et ayant une pluralité de sources lumineuses élémentaires à élément semi-conducteur électroluminescent et un substrat commun en contact avec un circuit intégré. Le circuit intégré comprend pour chaque source lumineuse élémentaire un dispositif interrupteur permettant de la connecter de manière sélective à une source de tension électrique en fonction d'un premier signal de commande. Le substrat comprend, pour au moins une des sources lumineuses élémentaires, un circuit de détection d'un défaut en circuit ouvert de la source lumineuse élémentaire.
Description
SOURCE LUMINEUSE MATRICIEEEE PIEOTEE EN TENSION A CIRCUIT DIAGNOSTIC POUR UN VEHICUUE AUTOMOBIEE
E’invention se rapporte aux sources lumineuses matricielles à éléments semi-conducteurs électroluminescents, notamment pour véhicules automobiles. En particulier, l’invention se rapporte à une source lumineuse matricielle pilotée en tension, à circuit diagnostic.
Une diode électroluminescente, UED, est un composant électronique semi-conducteur capable d’émettre de la lumière lorsqu’il est parcouru par un courant électrique. Dans le domaine automobile, on a de plus en plus recours à la technologie UED pour diverses solutions de signalisation lumineuse. Ees EEDs sont utilisées afin d’assurer des fonctions lumineuses telles que les feux diurnes, les feux de signalisation etc... E’intensité lumineuse émise par une UED est en général dépendante de l’intensité du courant électrique qui la traverse. Entre autres, une UED est caractérisée par une valeur seuil d’intensité de courant électrique. Ce courant direct (« forward current ») maximal est en général décroissant à température croissante. De même, lorsqu’une UED émet de la lumière, on observe à ses bornes une chute de tension égale à sa tension directe ou nominale (« forward voltage »).
E’utilité de matrices de EEDs comprenant un nombre important de sources lumineuses électroluminescentes élémentaires est intéressante dans de nombreux domaines d’application, et notamment aussi dans le domaine d’éclairage et de la signalisation des véhicules automobiles. Une matrice de EEDs peut par exemple être utilisée pour créer des formes de faisceaux lumineux intéressantes pour des fonctions lumineuses telles que les feux de route ou les feux diurnes. En plus, plusieurs fonctions lumineuses différentes peuvent être réalisées à l’aide d’une matrice unique, réduisant ainsi l’encombrement physique dans l’espace restreint d’un feu de véhicule automobile.
De manière connue, des sources lumineuses matricielles ou, de manière équivalente, pixelisées, sont commandées par une unité de commande physiquement déportée et électriquement connectée à la source lumineuse. Cette unité peut également réaliser des fonctions diagnostiques par rapport au fonctionnement de la source matricielle et/ou des sources lumineuses élémentaires qui la constituent. Dans le cas de sources lumineuses matricielles pilotées en tension, il est difficile de diagnostiquer un défaut en circuit-ouvert d’une source lumineuse élémentaire. En effet, une telle source fait intervenir un transistor de type MOSFET a faible chute de tension entre ses bornes drain et source, pour connecter/déconnecter un source lumineuse élémentaire de manière sélective à/de la source de tension. Il devient donc difficile de discerner entre une source non-défectueuse et une source en défaut de circuit-ouvert ayant par exemple une borne d’anode et/ou de cathode défectueuse. Pour assurer le bon fonctionnement d’une source lumineuse matricielle, il est néanmoins important de pouvoir diagnostiquer un défaut en circuit-ouvert de ses sources lumineuses élémentaires. Ceci est d’autant plus important dans le domaine de la signalisation pour véhicules automobiles. Les intensités lumineuses réalisées par différentes fonctions lumineuses d’un véhicule automobile sont soumises à une réglementation qu’une source lumineuse matricielle ayant des sources lumineuses en circuitouvert est susceptible de ne plus pouvoir assurer.
L’invention a pour objectif de pallier à au moins un des problèmes posés par l’art antérieur. Plus précisément, l’invention a pour objectif de proposer une source lumineuse matricielle ou pixelisée pilotée en tension, capable de diagnostiquer un défaut en circuit-ouvert d’une de ses sources lumineuses électroluminescente constituantes.
Selon un premier aspect de l’invention, une source lumineuse matricielle destinée à être alimentée en tension électrique et comprenant un circuit intégré ainsi qu’une matrice de sources lumineuses élémentaires à élément semi-conducteur électroluminescent est proposée. La source matricielle est remarquable en ce que le circuit intégré est en contact avec la matrice et comprend pour chaque source lumineuse élémentaire un dispositif interrupteur permettant de la connecter de manière sélective à une source de tension électrique en fonction d’un premier signal de commande. Le circuit intégré comprend en outre, pour au moins une des sources lumineuses élémentaires, un circuit de détection d’un défaut en circuit ouvert de la source lumineuse élémentaire.
Selon un autre aspect de l’invention, un circuit intégré pour une source lumineuse matricielle est proposé. Le circuit intégré est destiné à être en contact mécanique et électrique avec une matrice de sources lumineuses élémentaires de la source lumineuse matricielle. Le circuit intégré est remarquable en ce qu’il comprend pour chaque source lumineuse élémentaire un dispositif interrupteur permettant de la connecter de manière sélective à une source de tension électrique en fonction d’un premier signal de commande. Le circuit intégré comprend en outre, pour au moins une des sources lumineuses élémentaires, un circuit de détection d’un défaut en circuit ouvert de la source lumineuse élémentaire.
La matrice de sources lumineuse élémentaire peut de préférence comprendre un substrat commun supportant les sources lumineuses élémentaires. Le substrat commun de la matrice peut de préférence comprendre du SiC.
Le circuit intégré peut de préférence comprendre un substrat en Si. De préférence, le circuit intégré est soudé ou collé à la matrice de sources lumineuses élémentaires, par exemple à un substrat commun supportant les sources lumineuses élémentaires. Le circuit intégré est de préférence soudé ou collé à la face inférieure du substrat commun, opposée à la face qui comprend les sources lumineuses élémentaires. De préférence, le circuit intégré est en contact mécanique, par exemple par le biais de moyens de fixation, et électrique avec le substrat commun, qui présente des zones de connexion électriques sur sa face inférieure.
De préférence, le circuit de détection peut être configuré pour générer une information binaire de détection d’un défaut en circuit ouvert de ladite source lumineuse élémentaire.
Le circuit de détection peut préférentiellement comprendre un élément de mémoire, le circuit de détection étant configuré pour stocker l’information de détection dans ledit élément de mémoire.
Le circuit de détection peut de préférence comprendre une charge montée en parallèle avec le dispositif interrupteur, de manière à ce qu’un courant électrique d’une intensité non-négligeable traverse la charge si la source matricielle est alimentée en électricité, sauf si la source lumineuse élémentaire présente un défaut en circuit ouvert.
De préférence, le circuit de détection peut comprendre une unité de comparaison, configurée de manière à comparer la chute de tension aux bornes de ladite charge à une valeur seuil prédéterminée.
Ladite charge peut de manière préférée comprendre une résistance montée en parallèle avec le dispositif interrupteur.
De préférence, la charge peut comprendre un transistor commandé par un deuxième signal de commande, le transistor représentant une résistance non-négligeable lorsqu’il est dans l’état fermé, et caractérisée en ce que le circuit de détection comprend une unité de commande pour générer ledit deuxième signal de commande.
Le deuxième signal de commande peut préférentiellement dépendre du premier signal de commande.
Le circuit intégré peut de préférence comprendre un circuit de détection de défaut en circuit ouvert dédié pour chacune des sources lumineuses élémentaires.
De préférence, les sources lumineuses élémentaires peuvent êtres agencés en au moins deux branches de sources parallèles.
Selon un autre aspect de l’invention, un module lumineux pour un véhicule automobile comprenant une source lumineuse matricielle et un circuit de pilotage de l’alimentation électrique de ladite source est proposé. Le module lumineux est remarquable en ce que la source lumineuse matricielle est conforme à un aspect de l’invention.
Selon encore un autre aspect de l’invention, un procédé de détection d’un défaut en circuit ouvert d’une source lumineuse élémentaire à élément semi-conducteur électroluminescent d’une source lumineuse matricielle alimentée en tension électrique et ayant une pluralité de telles sources lumineuses élémentaires ainsi qu’un substrat commun est proposé. Le substrat est en contact avec un circuit intégré qui comprend pour chaque source lumineuse élémentaire un dispositif interrupteur permettant de la connecter de manière sélective à la source de tension en fonction d’un premier signal de commande. Le procédé est remarquable en ce qu’il comprend les étapes suivantes :
alimenter en tension la source lumineuse matricielle moyennant un dispositif de commande de la source lumineuse matricielle, générer au moins un premier signal permettant de commander l’état du dispositif interrupteur de façon à connecter de manière sélective au moins une source lumineuse élémentaire de la source lumineuse matricielle à la source de tension ;
lorsque ladite source lumineuse élémentaire n’est pas connectée à la source de tension moyennant son dispositif interrupteur, comparer la chute de tension aux bornes d’une charge montée en parallèle avec le dispositif interrupteur à une tension seuil prédéterminée ;
détecter la présence d’un défaut en circuit ouvert de ladite source lumineuse élémentaire en fonction du résultat de cette comparaison.
La source lumineuse pixélisée, ou de manière équivalente, la source lumineuse matricielle, peut de préférence comprendre au moins une matrice d’éléments électroluminescents - les sources lumineuse élémentaires - (appelée en anglais monolithic array) agencés selon au moins deux colonnes par au moins deux lignes. De préférence, la source électroluminescente comprend au moins une matrice d’éléments électroluminescents monolithique, aussi appelée matrice monolithique.
Dans une matrice monolithique, les éléments électroluminescents sont crûs depuis un substrat commun et sont connectés électriquement de manière à être activables sélectivement, individuellement ou par sous-ensemble d’éléments électroluminescents. Ainsi chaque élément électroluminescent ou groupe d’éléments électroluminescents peut former l’un des émetteurs élémentaires de ladite source lumineuse pixélisée qui peut émettre de la lumière lorsque son ou leur matériau est alimenté en électricité
Différents agencements d’éléments électroluminescents peuvent répondre à cette définition de matrice monolithique, dès lors que les éléments électroluminescents présentent l’une de leurs dimensions principales d’allongement sensiblement perpendiculaire à un substrat commun et que l’écartement entre les émetteurs élémentaires, formés par un ou plusieurs éléments électroluminescents regroupés ensemble électriquement, est faible en comparaison des écartements imposés dans des agencements connus de chips carrés plates soudés sur une carte de circuits imprimés.
Le substrat peut être majoritairement en matériau semi-conducteur. Le substrat peut comporter un ou plusieurs autres matériaux, par exemple non semi-conducteurs. Ces éléments électroluminescents, de dimensions submillimétriques, sont par exemple agencés en saillie du substrat de manière à former des bâtonnets de section hexagonale. Les bâtonnets électroluminescents prennent naissance sur une première face d’un substrat. Chaque bâtonnet électroluminescent, ici formé par utilisation de nitrure de gallium (GaN), s’étend perpendiculairement, ou sensiblement perpendiculairement, en saillie du substrat, ici réalisé à base de silicium, d’autres matériaux comme du carbure de silicium pouvant être utilisés sans sortir du contexte de l’invention. A titre d’exemple, les bâtonnets électroluminescents pourraient être réalisés à partir d’un alliage de nitrure d’aluminium et de nitrure de gallium (AlGaN), ou à partir d’un alliage de phosphures d’aluminium, d’indium et de gallium (AlInGaP). Chaque bâtonnet électroluminescent s’étend selon un axe d’allongement définissant sa hauteur, la base de chaque bâtonnet étant disposée dans un plan de la face supérieure du substrat.
Les bâtonnets électroluminescents d’une même matrice monolithique présentent avantageusement la même forme et les mêmes dimensions. Ils sont chacun délimités par une face terminale et par une paroi circonférentielle qui s’étend le long de l’axe d’allongement du bâtonnet. Lorsque les bâtonnets électroluminescents sont dopés et font l’objet d’une polarisation, la lumière résultante en sortie de la source à semi-conducteurs est émise essentiellement à partir de la paroi circonférentielle, étant entendu que des rayons lumineux peuvent sortir également de la face terminale. Il en résulte que chaque bâtonnet électroluminescent agit comme une unique diode électroluminescente et que la luminance de cette source est améliorée d’une part par la densité des bâtonnets électroluminescents présents et d’autre part par la taille de la surface éclairante définie par la paroi circonférentielle et qui s’étend donc sur tout le pourtour, et toute la hauteur, du bâtonnet. La hauteur d’un bâtonnet peut être comprise entre 2 et 10 pm. préférentiellement 8 pm: la plus grande dimension de la face terminale d’un bâtonnet est inférieure à 2 pm, préférentiellement inférieure ou égale à 1 pm.
On comprend que, lors de la formation des bâtonnets électroluminescents, la hauteur peut être modifiée d’une zone de la source lumineuse pixélisée à l’autre, de manière à accroître la luminance de la zone correspondante lorsque la hauteur moyenne des bâtonnets la constituant est augmentée. Ainsi, un groupe de bâtonnets électroluminescents peut avoir une hauteur, ou des hauteurs, différentes d’un autre groupe de bâtonnets électroluminescents, ces deux groupes étant constitutifs de la même source lumineuse à semi-conducteur comprenant des bâtonnets électroluminescents de dimensions submillimétriques. La forme des bâtonnets électroluminescents peut également varier d’une matrice monolithique à l’autre, notamment sur la section des bâtonnets et sur la forme de la face terminale. Les bâtonnets présentent une forme générale cylindrique, et ils peuvent notamment présenter une forme de section polygonale, et plus particulièrement hexagonale. On comprend qu’il importe que de la lumière puisse être émise à travers la paroi circonférentielle, que celle-ci présente une forme polygonale ou circulaire.
Par ailleurs, la face terminale peut présenter une forme sensiblement plane et perpendiculaire à la paroi circonférentielle, de sorte qu’elle s’étend sensiblement parallèlement à la face supérieure du substrat, ou bien elle peut présenter une forme bombée ou en pointe en son centre, de manière à multiplier les directions d’émission de la lumière sortant de cette face terminale.
Les bâtonnets électroluminescents peuvent de préférence être agencés en matrice à deux dimensions. Cet agencement pourrait être tel que les bâtonnets soient agencés en quinconce. De manière générale, les bâtonnets sont disposés à intervalles réguliers sur le substrat et la distance de séparation de deux bâtonnets électroluminescents immédiatement adjacents, dans chacune des dimensions de la matrice, doit être au minimum égale à 2 pm, préférentiellement comprise entre 3 pm et 10 pm, afin que la lumière émise par la paroi circonférentielle de chaque bâtonnet puisse sortir de la matrice de bâtonnets électroluminescents. Par ailleurs, on prévoit que ces distances de séparation, mesurées entre deux axes d’allongement de bâtonnets adjacents, ne soient pas supérieures à 100 pm.
Alternativement, la matrice monolithique peut comporter des éléments électroluminescents formés par des couches d’éléments électroluminescents épitaxiées, notamment une première couche en GaN dopée n et une seconde couche en GaN dopée p, sur un substrat unique, par exemple en carbure de silicium, et que l’on découpe (par meulage et/ou ablation) pour former une pluralité d’émetteurs élémentaires respectivement issus d’un même substrat. Il résulte d’une telle conception une pluralité de blocs électroluminescents tous issus d’un même substrat et connectés électriquement pour être activables sélectivement les uns des autres.
Dans un exemple de réalisation selon cet autre mode, le substrat de la matrice monolithique peut présenter une épaisseur comprise entre 10 pm et 800 pm, notamment égale à 200 pm ; chaque bloc peut présenter une longueur et une largeur, chacune étant comprise entre 50 pm et 500 pm, préférentiellement comprise entre 100 pm et 200 pm. Dans une variante, la longueur et la largeur sont égales. La hauteur de chaque bloc est inférieure à 500 pm, préférentiellement inférieur à 300 pm. Enfin la surface de sortie de chaque bloc peut être faite via le substrat du côté opposée à l’épitaxie. La distance de séparation entre deux émetteurs élémentaires. La distance entre chaque émetteur élémentaire contigu peut être inférieure à 1 mm, notamment inférieure à 500 pm, et elle est préférentiellement inférieure à 200 pm.
Alternativement, aussi bien avec des bâtonnets électroluminescents s’étendant respectivement en saillie d’un même substrat, tels que décrit ci-dessus, qu’avec des blocs électroluminescents obtenus par découpage de couches électroluminescentes superposées sur un même substrat, la matrice monolithique peut comporter en outre une couche d’un matériau polymère dans laquelle les éléments électroluminescents sont au moins partiellement noyés. La couche peut ainsi s’étendre sur toute l’étendue du substrat ou seulement autour d’un groupe déterminé d’éléments électroluminescents. Le matériau polymère, qui peut notamment être à base de silicone, crée une couche protectrice qui permet de protéger les éléments électroluminescents sans gêner la diffusion des rayons lumineux. En outre, il est possible d’intégrer dans cette couche de matériau polymère des moyens de conversion de longueur d’onde, et par exemple des luminophores, aptes à absorber au moins une partie des rayons émis par l’un des éléments et à convertir au moins une partie de ladite lumière d’excitation absorbée en une lumière d’émission ayant une longueur d’onde différente de celle de la lumière d’excitation. On pourra prévoir indifféremment que les luminophores sont noyés dans la masse du matériau polymère, ou bien qu’ils soient disposés en surface de la couche de ce matériau polymère.
La source lumineuse pixélisée peut comporter en outre un revêtement de matériau réfléchissant pour dévier les rayons lumineux vers les surfaces de sorties de la source lumineuse.
Les éléments électroluminescents de dimensions submillimétriques définissent dans un plan, sensiblement parallèle au substrat, une surface de sortie déterminée. On comprend que la forme de cette surface de sortie est définie en fonction du nombre et de l’agencement des éléments électroluminescents qui la composent. On peut ainsi définir une forme sensiblement rectangulaire de la surface d’émission, étant entendu que celle-ci peut varier et prendre n’importe quelle forme sans sortir du contexte de l’invention.
En utilisant les mesures proposées par la présente invention, il devient possible de proposer une source lumineuse pixelisée, ou de manière équivalente une source lumineuse matricielle, destinée à être pilotée en tension, et capable de diagnostiquer un défaut en circuit-ouvert d’une de ses sources élémentaires ou pixels constituants. En utilisant une charge montée en parallèle avec le transistor qui permet de connecter/déconnecter une source lumineuse élémentaire de la source lumineuse matricielle à sa source de tension, un courant de fuite mesurable est généré à travers la charge, la mesure de l’intensité duquel permet de diagnostiquer un défaut en circuit-ouvert de la source lumineuse élémentaire en question. Lorsque cette charge comprend en plus un transistor commandé, le courant de fuite ne circule que lorsqu’un diagnostique est en cours, ce qui évite des fuites de courant superflues ayant un impact potentiel sur le fonctionnement normal de la source lumineuse matricielle. Comme le circuit de diagnostic et de réaction est intégré à la source lumineuse matricielle, il est capable d’être activé de manière rapide.
D’autres caractéristiques et avantages de la présente invention seront mieux compris à l’aide de la description des exemples et des dessins parmi lesquels :
la figure 1 montre de manière schématique une source lumineuse matricielle selon un mode de réalisation préféré de l’invention ;
la figure 2 montre de manière schématique une source lumineuse matricielle selon un mode de réalisation préféré de l’invention ;
la figure 3 montre de manière schématique une source lumineuse matricielle selon un mode de réalisation préféré de l’invention ;
la figure 4 montre de manière schématique une source lumineuse matricielle selon un mode de réalisation préféré de l’invention ;
la figure 5 montre de manière schématique une source lumineuse matricielle selon un mode de réalisation préféré de l’invention.
Sauf indication spécifique du contraire, des caractéristiques techniques décrites en détail pour un mode de réalisation donné peuvent être combinées aux caractéristiques techniques décrites dans le contexte d’autres modes de réalisation décrits à titre d’exemples et de manière non limitative. Des numéros de référence similaires seront utilisés pour décrire des concepts semblables à travers différents modes de réalisation de l’invention. Par exemple, les références 100, 200, 300, 400 et 500 désignent cinq modes de réalisation d’une source lumineuse matricielle selon l’invention.
L’illustration de la figure 1 montre une source lumineuse pixelisée ou matricielle 100 selon un mode de réalisation préféré de l’invention. La source lumineuse matricielle 100 est destinée à être pilotée en tension et comprend une pluralité de sources lumineuses élémentaires à élément semi-conducteur électroluminescent 110 et un substrat commun non-illustré, en contact électrique et mécanique avec, et fonctionnellement relié à un circuit intégré 120. Les sources lumineuses élémentaires sont typiquement des diodes électroluminescentes, LED.
La source lumineuse matricielle 100 comprend de préférence un composant matriciel monolithique, dans lequel les couches semi-conductrices des sources lumineuses élémentaires 110 sont, par exemple, disposées sur le substrat commun. La matrice de sources lumineuses élémentaires 110 comprend de préférence un montage en parallèle d’une pluralité de branches, chaque branche comprenant des sources lumineuses semi-conductrices électroluminescentes 110.
La matrice de sources lumineuses élémentaires comprend à titre d’exemple et non-limitatif, selon l’épaisseur du substrat et commençant par l’extrémité opposée à l’emplacement des sources élémentaires 110, une première couche électriquement conductrice déposée sur un substrat électriquement isolant. Il suit une couche semi-conductrice dopée n, dont l’épaisseur se situe entre 0.1 et 2 μτη. Cette épaisseur est nettement inférieure à celles de diodes électroluminescentes connues, pour lesquelles la couche correspondante présente une épaisseur de l’ordre de 1 à 2 μιη. La couche suivante est la couche active de puits quantiques d’une épaisseur d’environ 30 nm, suivie d’une couche bloquant des électrons, et finalement une couche semi-conductrice dopée p, cette dernière ayant une épaisseur d’environ 300nm. De préférence, la première couche est une couche de (Al)GaN:Si, la deuxième couche une couche de n-GaN:Si, la couche active comprend des puits quantiques en InGaN alternant avec des barrières en GaN. La couche bloquante est de préférence en AlGaN:Mg et la couche dopée p est de préférence en p-GaN:Mg. Le nitrure de Galium dopé n présente une résistivité de 0.0005 Ohm/cm tandis que le nitrure de Galium dopé p présente une résistivité de 1 Ohm/cm. Les épaisseurs des couches proposées permettent notamment d’augmenter la résistance série interne de la source élémentaire, tout en réduisant de manière significative son temps de fabrication, comme la couche dopée n est moins épaisse comparée à des LEDs connues et nécessite un temps de dépôt moins important. A titre d’exemple, typiquement 5 heures de temps de dépôts en MOCVD est nécessaire pour une LED de configuration standard avec 2μ de couche n, et ce temps peut être réduit de 50% si l’épaisseur de la couche n est réduite à 0.2μ.
Afin d’obtenir des sources lumineuses élémentaires 110 présentant des couches semi-conductrices ayant des épaisseurs homogènes, le composant monolithique 100 est de préférence fabriqué en déposant les couches de manière homogène et uniforme sur au moins une partie de la surface du substrat, de manière à la recouvrir. Le dépôt des couches est par exemple réalisé par un procédé d’épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (« metal oxide chemical vapor deposition »), MOCVD. De tels procédés ainsi que des réacteurs pour leur mise en œuvre sont connus pour déposer des couches semi-conductrices sur un substrat, par exemple depuis les documents de brevet WO 2010/072380 Al ou WO 01/46498 Al. Les détails de leur mise en œuvre ne seront par conséquent pas détaillés dans le cadre la présente invention. Ensuite, les couches ainsi formées sont pixélisées. A titre d’exemple et non-limitatif, les couches sont enlevées par des procédés lithographiques connus et par etching aux endroits qui correspondent par la suite aux espaces séparant les sources lumineuses élémentaires 110 les unes des autres sur le substrat. Ainsi, une pluralité de plusieurs dizaines ou centaines ou milliers de pixels 110 de surface inférieure à un millimètre-carré pour chaque pixel individuel, et de surface totale supérieure à 2 millimètre-carré ayant des couches semi-conductrices à épaisseurs homogènes, et présentant donc des résistances série internes homogènes et élevées peuvent être produites sur le substrat d’une source lumineuse matricielle 100. De manière générale, plus la taille de chaque pixel de LED diminue, plus sa résistance série augmente, et plus ce pixel est adapté à être piloté par une source de tension. Alternativement, le substrat comprenant les couches épitaxiées recouvrant au moins une partie de la surface du substrat est scié ou coupé en sources lumineuses élémentaires, chacune des sources lumineuses élémentaires ayant des caractéristiques similaires au niveau de leur résistance série interne.
L’invention se rapporte à même titre à des types de sources lumineuses élémentaires à éléments semiconducteurs impliquant d’autres configurations de couches semi-conductrices. Notamment les substrats, les matériaux semi-conducteurs des couches, l’agencement des couches, leurs épaisseurs et d’éventuels vias entre les couches peuvent être différents de l’exemple qui vient d’être décrit, pour autant que la structure des couches semi-conductrices soit telle que la résistance série interne de la source lumineuse élémentaire qui en résulte soit d’au moins 1 Ohm, et de préférence d’au moins 5 ou 10 Ohm, ou encore comprise entre 1 et 100 Ohm.
Le circuit intégré 120 est de préférence soudé au substrat de la source monolithique et comprend en outre pour au moins une mais de préférence pour toutes les sources lumineuses élémentaires 110, un circuit de détection de défaut en circuit-ouvert 130. La source lumineuse matricielle 100 est destinée à être pilotée en tension par un circuit de pilotage de l’alimentation électrique 10. De tels circuits sont en soi connus dans l’art et leur fonctionnement ne sera pas décrit en détails dans le cadre de la présente invention. Ils impliquent au moins un circuit convertisseur apte à convertir une tension d’entrée, fourni par exemple par une source de tension interne à un véhicule automobile, telle qu’une batterie, en une tension de sortie, d’intensité adaptée à alimenter la source lumineuse matricielle. Lorsque la source lumineuse matricielle est pilotée en tension électrique, le pilotage de chaque source élémentaire, ou de manière équivalente, de chaque pixel, se réduit à la commande d’un dispositif interrupteur 132 tel qu’il est schématisé sur la figure 1. En commandant l’état du dispositif 132, la source lumineuse élémentaire 110 peut être connectée de manière sélective à la source de tension 10. Le dispositif interrupteur est par exemple réalisé par un transistor à effet de champ de type MOSFET caractérisé de préférence par une chute de tension faible entre ses bornes drain et source, et commandée par un signal de commande en provenance d’une unité de commande externe à la source lumineuse matricielle.
De préférence, non-seulement les éléments interrupteurs 132, mais également un circuit d’alimentation peut être intégré dans le substrat 120 lors de la fabrication du composant monolithique 100.
L’illustration de la figure 2 montre une source lumineuse pixelisée ou matricielle 200 selon un autre mode de réalisation préféré de l’invention. La source lumineuse matricielle 200 est destinée à être pilotée en tension et comprend une pluralité de sources lumineuses élémentaires à élément semiconducteur électroluminescent 210 et un substrat commun non-illustré, en contact avec un circuit intégré 220 auquel le substrat et fonctionnellement relié.. Les sources lumineuses élémentaires sont typiquement des diodes électroluminescentes, LED.
Le circuit intégré 220 comprend en outre pour au moins une source lumineuse élémentaire 210, un circuit de détection de défaut en circuit-ouvert 230. Lorsque la source lumineuse matricielle est pilotée en tension électrique, le pilotage de chaque source élémentaire, ou de manière équivalente, de chaque pixel, se réduit à la commande d’un dispositif interrupteur 232. En commandant l’état du dispositif 232, la source lumineuse élémentaire 210 peut être connectée de manière sélective à la source de tension 10. Le dispositif interrupteur 232 est par exemple réalisé par un transistor à effet de champ de type MOSFET caractérisé de préférence par une chute de tension faible entre ses bornes drain et source, et commandé par un signal de commande 12 en provenance d’une unité de commande externe à la source lumineuse matricielle. La figure 2 montre un signal de commande 12 destiné à une pluralité de sources lumineuse élémentaires 210. Cependant, il va de soi que l’invention s’étend au cas ou chaque source lumineuse élémentaire 210 est commandée par un signal de commande 12 qui lui est spécifique.
Le circuit de détection d’un défaut en circuit ouvert 230 comprend en outre une charge 234, montée en parallèle avec le dispositif interrupteur 232. Lorsque la source lumineuse matricielle est sous tension et que la source lumineuse élémentaire 210 n’est pas connectée à la source de tension (interrupteur 232 ouvert) et qu’un courant électrique de fuite circule à travers la charge, on peut conclure à ce que la source lumineuse 210 n’est pas en défaut en circuit-ouvert. Si par contre le courant électrique qui traverse la charge 234 est d’intensité nulle ou négligeable, il faut conclure à ce que la source lumineuse 210 présente un défaut en circuit-ouvert. Une indication de détection de défaut est dans ce dernier cas enregistrée dans un élément de mémoire 236 prévu à cet effet. Ceci rend l’information, qui est de préférence une information binaire, accessible à une entité externe qui est agencée pour lire le contenu de l’élément de mémoire 236.
L’illustration de la figure 3 montre une source lumineuse pixelisée ou matricielle 300 selon un autre mode de réalisation préféré de l’invention. La source lumineuse matricielle 300 est destinée à être pilotée en tension et comprend une pluralité de sources lumineuses élémentaires à élément semiconducteur électroluminescent 310 et un substrat commun non-illustré en contact avec un circuit intégré 320.
Le circuit intégré 320 comprend en outre pour au moins une source lumineuse élémentaire 310, un circuit de détection de défaut en circuit-ouvert 330. Lorsque la source lumineuse matricielle est pilotée en tension électrique, le pilotage de chaque source élémentaire, ou de manière équivalente, de chaque pixel, se réduit à la commande d’un dispositif transistor à effet de champ de type MOSFET 332. En commandant l’état du transistor 332, la source lumineuse élémentaire 310 peut être connectée de manière sélective à la source de tension 10. Le transistor se caractérise de préférence par une chute de tension faible entre ses bornes drain et source. Il est et commandé par un signal de commande 12 en provenance d’une unité de commande externe à la source lumineuse matricielle. Si le transistor 232 est passant, la source lumineuse élémentaire 310 est sous tension et elle s’allume si elle n’est pas défectueuse. Si par contre le transistor est dans son état bloquant, la source lumineuse élémentaire 310 n’est pas connectée à la source de tension.
Le circuit de détection d’un défaut en circuit ouvert 330 comprend en outre une charge 334 comprenant une résistance, par exemple de 700 Ohm, montée en parallèle avec le dispositif interrupteur 332. Lorsque la source lumineuse matricielle est sous tension et que la source lumineuse élémentaire 310 n’est pas connectée à la source de tension (transistor 332 bloquant) et qu’un courant électrique de fuite d’une intensité non-négligeable circule à travers la charge, on peut conclure à ce que la source lumineuse 310 n’est pas en défaut en circuit-ouvert. Si par contre le courant électrique qui traverse la charge 334 est d’intensité nulle ou négligeable, il faut conclure à ce que la source lumineuse 310 présente un défaut en circuit-ouvert. Un circuit de comparaison 338 compare la chute de tension aux bornes de la résistance 334 à une valeur seuil prédéterminée. La valeur seuil peut par exemple être de 0.7 V. Si la chute de tension aux bornes de la résistance 334 est inférieure à 0.7 V, une indication de détection de défaut est enregistrée dans un élément de mémoire 336 prévu à cet effet. Ceci rend l’information de détection, qui est de préférence une information binaire, accessible à une entité externe qui est agencée pour lire le contenu de l’élément de mémoire 336. Ce mode de réalisation résout le problème de diagnostic d’un défaut en circuit-ouvert. Pourtant il engendre une fuite de courant constante.
L’illustration de la figure 4 montre une source lumineuse pixelisée ou matricielle 400 selon un autre mode de réalisation préféré de l’invention. La source lumineuse matricielle 400 est destinée à être pilotée en tension et comprend une pluralité de sources lumineuses élémentaires à élément semiconducteur électroluminescent 410 et un substrat commun 420.
Le substrat 420 comprend en outre pour au moins une source lumineuse élémentaire 410, un circuit de détection de défaut en circuit-ouvert 430. Lorsque la source lumineuse matricielle est pilotée en tension électrique, le pilotage de chaque source élémentaire, ou de manière équivalente, de chaque pixel, se réduit à la commande d’un dispositif transistor à effet de champ de type MOSFET 432. En commandant l’état du transistor 432, la source lumineuse élémentaire 410 peut être connectée de manière sélective à la source de tension 10. Le transistor 432 se caractérise de préférence par une chute de tension faible entre ses bornes drain et source. Il est et commandé par un signal de commande 12 en provenance d’une unité de commande externe à la source lumineuse matricielle.
Le circuit de détection d’un défaut en circuit ouvert 440 comprend en outre une charge 434 comprenant un deuxième transistor caractérisé de préférence par une chute de tension important entre ses bornes drain et source, par exemple de l’ordre de 0.7V, monté en parallèle avec le premier transistor 432. L’état du transistor 434 est commandé par un signal de commande 14 provenant dans le cas illustré par la figure 4 d’une unité de commande externe à la source lumineuse matricielle. Cet agencement permet de commander le transistor 434 uniquement en mode passant lorsqu’un diagnostic de défaut en circuit-ouvert a lieu.
Un défaut en circuit-ouvert de la source lumineuse élémentaire 410 est détectable lorsque le premier transistor (interrupteur) 432 est bloquant, alors que le deuxième transistor (charge) 434 est passant. De fait, le deuxième transistor 434 peut par exemple être commandé en mode passant brièvement avant que le premier transistor ne devienne passant. Ou bien, le deuxième transistor 434 peut être commandé en mode passant brièvement avant que le premier transistor 432 est basculé de son mode passant vers le mode bloquant, le deuxième transistor 434 restant par la suite passant pour un laps de temps prédéterminé. D’autres combinaisons sont envisageables sans pour autant sortir du cadre de la présente invention et sans créer des effets optiquement perceptibles au niveau du flux lumineux émis par la source lumineuse matricielle.
Lors d’un diagnostic d’un défaut en circuit-ouvert, le circuit de comparaison 438 compare la chute de tension aux bornes de de la charge 434 à une valeur seuil prédéterminée. La valeur seuil peut par exemple être de 0.7 V. Si la chute de tension aux bornes de la résistance 434 est inférieure à 0.7 V, une indication de détection de défaut est enregistrée dans un élément de mémoire 436 prévu à cet effet. Ceci rend l’information de détection, qui est de préférence une information binaire, accessible à une entité externe qui est agencée pour lire le contenu de l’élément de mémoire 436. Ce mode de réalisation résout le problème de diagnostic d’un défaut en circuit-ouvert. Pourtant il engendre une fuite de courant constante.
La figure 5 montre de manière schématisée un autre mode de réalisation préféré de l’invention, qui est une variant du mode de réalisation qui vient d’être décrit en rapport avec l’illustration de la figure 4.
La source lumineuse matricielle 500 est destinée à être pilotée en tension et comprend une pluralité de sources lumineuses élémentaires à élément semi-conducteur électroluminescent 510 et un substrat commun non-illustré relié fonctionnellement à un circuit intégré 520.
Le circuit intégré 520 comprend en outre pour au moins une source lumineuse élémentaire 510, un circuit de détection de défaut en circuit-ouvert 530. Lorsque la source lumineuse matricielle est pilotée en tension électrique, le pilotage de chaque source élémentaire, ou de manière équivalente, de chaque pixel, se réduit à la commande d’un dispositif transistor à effet de champ de type MOSFET 532. En commandant l’état du transistor 532, la source lumineuse élémentaire 510 peut être connectée de manière sélective à la source de tension 10. Le transistor 532 se caractérise de préférence par une chute de tension faible entre ses bornes drain et source. Il est et commandé par un signal de commande 12 en provenance d’une unité de commande externe à la source lumineuse matricielle.
Le circuit de détection d’un défaut en circuit ouvert 540 comprend en outre une charge 534 montée en parallèle avec le transistor interrupteur 532. La charge 543 comprend un deuxième transistor ainsi qu’une résistance montée en série avec le deuxième transistor. L’intensité du courant de fuite pouvant circuler dans cette branche est principalement défini par la valeur de la résistance. De fait, le deuxième transistor, faisant partie de la branche de charge 534, peut présenter une chute de tension faible entre ses bornes drain et source. L’état du transistor 534 est commandé par un signal de commande 14 provenant dans le cas illustré par la figure 5 d’une unité de commande qui le génère à partir du signal de commande 12 destiné à commander l’état du transistor interrupteur 532. Le signal de commande 12 est dans cet exemple généré par une unité de commande externe à la source lumineuse matricielle. Cet agencement permet de commander le deuxième, et donc de brancher la charge entière 534, uniquement en mode passant lorsqu’un diagnostic de défaut en circuit-ouvert a lieu.
Un défaut en circuit-ouvert de la source lumineuse élémentaire 510 est détectable lorsque le premier transistor (interrupteur) 532 est bloquant, alors que le deuxième transistor (charge) 534 est passant. De fait, l’unité de commande ayant comme entrée le signal de commande 12 qui est relayé au premier transistor interrupteur 532, et générant le signal de commande 14 pour le deuxième transistor de la charge 543, est de préférence configurée pour générer le signal de commande 14 de manière à ce que le deuxième transistor devienne passant au moment ou le premier transistor 532 bascule vers son état bloquant. Le flanc descendant du signal binaire 12 coïncide ainsi avec le flanc montant du signal binaire 14. Des circuits électroniques permettant de réaliser la fonctionnalité décrite pour l’unité de commande sont à la portée de l’homme de l’art, sans pour autant sortir du cadre de la présente invention. De préférence ce circuit de commande est intégré dans le circuit intégré 520 de la source lumineuse matricielle.
Lors d’un diagnostic d’un défaut en circuit-ouvert, le circuit de comparaison 538 compare la chute de tension aux bornes de de la charge 534 à une valeur seuil prédéterminée. La valeur seuil peut par exemple être de 0.7 V. Si la chute de tension aux bornes de la charge 534 est inférieure à 0.7 V, une indication de détection de défaut est enregistrée dans un élément de mémoire 536 prévu à cet effet. Ceci rend l’information de détection, qui est de préférence une information binaire, accessible à une entité externe qui est agencée pour lire le contenu de l’élément de mémoire 536. Ce mode de réalisation n’engendre un courant de fuite à travers la charge 532 que lorsqu’un diagnostic de défaut en circuit-ouvert a lieu. Si ceci n’est pas le cas, aucune énergie électrique n’est dissipée par la charge.
Il va de soi que le circuit intégré peut comprendre d’autres circuits électroniques et/ou éléments de mémoire utilisés pour d’autres fonctions en rapport avec la source lumineuse matricielle et/ou avec les sources lumineuses élémentaires.
L’étendue de la protection est déterminée par les revendications.
Claims (12)
- Revendications1. Source lumineuse matricielle (100, 200, 300, 400, 500) destinée à être alimentée en tension électrique et comprenant un circuit intégré (120, 220, 420, 520) ainsi qu’une matrice de sources lumineuses élémentaires à élément semi-conducteur électroluminescent (110, 210, 310, 410, 510), caractérisée en ce que le circuit intégré est en contact avec la matrice et comprend pour chaque source lumineuse élémentaire un dispositif interrupteur (132, 232, 332, 432, 532) permettant de la connecter de manière sélective à une source de tension électrique (10) en fonction d’un premier signal de commande (12), et en ce que le circuit intégré comprend, pour au moins une des sources lumineuses élémentaires, un circuit de détection d’un défaut en circuit ouvert (130, 230, 330, 430, 530) de la source lumineuse élémentaire.
- 2. Source lumineuse selon la revendication 1, caractérisée en ce que le circuit de détection est configuré pour générer une information binaire de détection d’un défaut en circuit ouvert de ladite source lumineuse élémentaire.
- 3. Source lumineuse selon la revendication 2, caractérisée en ce que le circuit de détection comprend un élément de mémoire (236, 336, 436, 536), le circuit de détection étant configuré pour stocker l’information de détection dans ledit élément de mémoire.
- 4. Source lumineuse selon une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que ledit circuit de détection comprend une charge (234, 334, 434, 534) montée en parallèle avec le dispositif interrupteur (232, 332, 432, 532), de manière à ce qu’un courant électrique d’une intensité non-négligeable traverse la charge si la source matricielle (200, 300, 400, 500) est alimentée en électricité, sauf si la source lumineuse élémentaire (210, 310, 410, 510) présente un défaut en circuit ouvert.
- 5. Source lumineuse selon la revendication 4, caractérisée en ce que ledit circuit de détection comprend une unité de comparaison (338, 438, 538), configurée de manière à comparer la chute de tension aux bornes de ladite charge à une valeur seuil prédéterminée.
- 6. Source lumineuse selon une des revendications 4 ou 5, caractérisée en ce que ladite charge comprend une résistance (334, 534) montée en parallèle avec le dispositif interrupteur.
- 7. Source lumineuse selon une des revendications 4 à 6, caractérisée en ce que ladite charge comprend un transistor (434, 534) commandé par un deuxième signal de commande (14), le transistor représentant une résistance non-négligeable lorsqu’il est dans l’état fermé, et caractérisée en ce que le circuit de détection comprend une unité de commande pour générer ledit deuxième signal de commande.
- 8. Source lumineuse selon la revendication 7, caractérisée en ce que le deuxième signal de commande (14) dépend du premier signal de commande (12).
- 9. Source lumineuse selon une des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que le circuit intégré comprend un circuit de détection de défaut en circuit ouvert dédié pour chacune des sources lumineuses élémentaires.
- 10. Source lumineuse selon une des revendications 1 à 9, caractérisée en ce que les sources lumineuses élémentaires sont agencées en au moins deux branches de sources parallèles.
- 11. Module lumineux pour un véhicule automobile comprenant une source lumineuse matricielle et un circuit de pilotage de l’alimentation électrique de ladite source, caractérisé en ce que la source lumineuse matricielle est conforme à une des revendications 1 à 10.
- 12. Procédé de détection d’un défaut en circuit ouvert d’une source lumineuse élémentaire à élément semi-conducteur électroluminescent d’une source lumineuse matricielle alimentée en tension électrique et ayant une pluralité de telles sources lumineuses élémentaires ainsi qu’un substrat commun en contact avec un circuit intégré comprenant pour chaque source lumineuse élémentaire un dispositif interrupteur permettant de la connecter de manière sélective à la source de tension en fonction d’un premier signal de commande, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes suivantes :alimenter en tension la source lumineuse matricielle moyennant un dispositif de commande de la source lumineuse matricielle, générer au moins un premier signal permettant de commander l’état du dispositif interrupteur de façon à connecter de manière sélective au moins une source lumineuse élémentaire de la source lumineuse matricielle à la source de tension ;lorsque ladite source lumineuse élémentaire n’est pas connectée à la source de tension moyennant son dispositif interrupteur, comparer la chute de tension aux bornes d’une charge montée en parallèle avec le dispositif interrupteur à une tension seuil prédéterminée ;détecter la présence d’un défaut en circuit ouvert de ladite source lumineuse élémentaire en fonction du résultat de cette comparaison.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046498A2 (fr) | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Aixtron Ag | Reacteur de depot chimique en phase vapeur et chambre de traitement destinee a ce reacteur |
| US20070159750A1 (en) * | 2006-01-09 | 2007-07-12 | Powerdsine, Ltd. | Fault Detection Mechanism for LED Backlighting |
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| US20170325300A1 (en) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | Texas Instruments Incorporated | Configurable Switch Array |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9131557B2 (en) * | 2009-12-03 | 2015-09-08 | Led Net Ltd. | Efficient illumination system for legacy street lighting systems |
| WO2011073096A1 (fr) | 2009-12-16 | 2011-06-23 | St-Ericsson Sa | Circuit destiné à commander le courant fourni à une diode électroluminescente |
| US8773038B2 (en) * | 2011-08-26 | 2014-07-08 | Infineon Technologies Ag | Driver circuit for efficiently driving a large number of LEDs |
| JP2015026604A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-02-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体光源駆動装置及び投写型表示装置 |
| US9918367B1 (en) * | 2016-11-18 | 2018-03-13 | Infineon Technologies Ag | Current source regulation |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001046498A2 (fr) | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Aixtron Ag | Reacteur de depot chimique en phase vapeur et chambre de traitement destinee a ce reacteur |
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