FR3076916A1 - Modulateur de phase electro-optique - Google Patents
Modulateur de phase electro-optique Download PDFInfo
- Publication number
- FR3076916A1 FR3076916A1 FR1850290A FR1850290A FR3076916A1 FR 3076916 A1 FR3076916 A1 FR 3076916A1 FR 1850290 A FR1850290 A FR 1850290A FR 1850290 A FR1850290 A FR 1850290A FR 3076916 A1 FR3076916 A1 FR 3076916A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- strip
- layer
- modulator
- silicon
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 8
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/06—Materials and properties dopant
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/104—Materials and properties semiconductor poly-Si
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/105—Materials and properties semiconductor single crystal Si
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/50—Phase-only modulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique comprenant un guide d'onde (100) comportant un empilement d'une première bande (101) en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, d'une deuxième bande (103) en matériau conducteur ou en un matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité, et d'une troisième bande (105) en un matériau semiconducteur dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande étant séparée de la première bande par une première couche d'interface (107) en un matériau diélectrique et de la troisième bande par une deuxième couche d'interface (109) en un matériau diélectrique.
Description
Domaine
La présente demande concerne un modulateur de phase électro-optique et un procédé de fabrication d'un tel modulateur. Exposé de l'art antérieur
Les modulateurs de phase électro-optiques sont des dispositifs utilisés dans des systèmes de communication optique pour faire varier la phase d'un faisceau lumineux, par exemple un faisceau laser. Les variations de phase du faisceau lumineux permettent de coder des informations qui sont alors transmises sous la forme d'un signal optique. Des modulateurs de phase peuvent par exemple être utilisés dans des systèmes de modulation d'amplitude d'un faisceau lumineux, par exemple des modulateurs de type Mach-Zehnder, pour transmettre des informations sous la forme d'un signal optique modulé en amplitude.
On a déjà proposé, par exemple dans la demande de brevet français N°FR3041116 et dans la demande de brevet américain correspondante N°US2017075148, un modulateur de phase électrooptique comprenant un empilement d'une bande de silicium dopé d'un premier type de conductivité et d'une bande de silicium dopé du deuxième type de conductivité, les deux bandes étant séparées l'une de l'autre par une couche d'interface en un matériau diélectrique de façon à former un condensateur. Dans un tel
B16623 - 17-GR3-0520 modulateur, aussi appelé modulateur capacitif, chacune des bandes est reliée à un contact électrique, et l'ensemble des deux bandes est entouré d'un matériau diélectrique d'indice optique inférieur à celui du silicium, de façon à former un guide d'onde adapté à propager un faisceau lumineux selon la direction longitudinale des bandes. En fonctionnement, un faisceau optique, par exemple un faisceau laser, est injecté dans le guide d'onde. La densité de porteurs libres dans les deux bandes de silicium est modulée en appliquant une différence de potentiel entre les deux bandes. Il en résulte une modification de l'indice optique effectif du guide d'onde, et donc un déphasage du faisceau laser fonction de la tension appliquée.
Il serait souhaitable d'améliorer au moins en partie certains aspects des modulateurs de phase électro-optiques connus. En particulier, il serait souhaitable de pouvoir améliorer le rendement de conversion électro-optique, c'est-à-dire, le rapport entre le niveau de tension de commande appliqué au modulateur et le déphasage correspondant du faisceau optique, de façon à réduire la consommation électrique du modulateur.
Résumé
Ainsi, un mode de réalisation prévoit un modulateur de phase électro-optique comprenant un guide d'onde comportant un empilement d'une première bande en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, d'une deuxième bande en matériau conducteur ou en un matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité, et d'une troisième bande en un matériau semiconducteur dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande étant séparée de la première bande par une première couche d'interface en un matériau diélectrique et de la troisième bande par une deuxième couche d'interface en un matériau diélectrique.
Selon un mode de réalisation, les première et troisième bandes sont reliées à un même premier noeud d'application d'une tension de commande du modulateur, et la deuxième bande est reliée
B16623 - 17-GR3-0520 à un deuxième noeud d'application de la tension de commande du modulateur.
Selon un mode de réalisation :
la première bande se prolonge latéralement par une première région d'extension en le même matériau que la première bande, reliant électriquement la première bande au premier noeud d'application de la tension de commande ;
la deuxième bande se prolonge latéralement par une deuxième région d'extension en le même matériau que la deuxième bande, reliant électriquement la deuxième bande au deuxième noeud d'application de la tension de commande ; et la troisième bande se prolonge latéralement par une troisième région d'extension en le même matériau que la troisième bande, reliant électriquement la troisième bande premier noeud d'application de la tension de commande.
Selon un mode de réalisation, au moins l'une des première et troisième régions d'extension présente une épaisseur inférieure à celle de la bande avec laquelle elle est en contact.
Selon un mode de réalisation, le modulateur comprend une première métallisation de connexion électrique en contact avec la première région d'extension, une deuxième métallisation de connexion électrique en contact avec la deuxième région d'extension et une troisième métallisation de connexion électrique en contact avec la troisième région d'extension.
Selon un mode de réalisation, le modulateur comporte en outre une piste conductrice connectant entre elles les première et troisième métallisations de connexion électrique.
Selon un mode de réalisation, chacune des première, deuxième et troisième bandes est en un matériau choisi parmi le silicium et le silicium-germanium.
Selon un mode de réalisation, la première bande est en silicium monocristallin dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande est en silicium polycristallin dopé du deuxième type de conductivité, et la troisième bande est en silicium
B16623 - 17-GR3-0520 polycristallin dopé du premier type de conductivité ou en silicium-germanium.
Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la deuxième bande est inférieure au cinquième de l'épaisseur de la première bande et de l'épaisseur de la troisième bande.
Selon un mode de réalisation, les première et troisième bandes ont sensiblement la même épaisseur.
Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un modulateur de phase électro-optique tel que défini ci-dessus, dans lequel la première bande est formée dans la couche supérieure d'une structure de type SOI comprenant une couche de silicium monocristallin reposant sur une couche isolante elle-même disposée sur un substrat de support.
Brève description des dessins
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
la figure 1 est une vue en coupe schématique d'un exemple d'un modulateur de phase électro-optique selon un mode de réalisation ; et les figures 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F, 2G, 2H et 21 sont des vues en coupe illustrant un exemple d'un procédé de fabrication d'un modulateur de phase électro-optique selon un mode de réalisation.
Description détaillée
De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les circuits de commande et autres composants optiques ou électroniques susceptibles d'être couplés aux modulateurs décrits n'ont pas été détaillés, les modulateurs décrits étant compatibles avec les composants usuels des systèmes
B16623 - 17-GR3-0520 de communication optique, moyennant d'éventuelles adaptations à la portée de l'homme du métier à la lecture de la présente description. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes avant, arrière, haut, bas, gauche, droite, etc., ou relative, tels que les termes dessus, dessous, supérieur, inférieur, etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes horizontal, vertical, à l'aplomb de, etc., il est fait référence à l'orientation des figures, étant entendu que, dans la pratique, les dispositifs décrits peuvent être orientés différemment. Sauf précision contraire, les expressions approximativement, sensiblement, et de l'ordre de signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.
La figure 1 est une vue en coupe illustrant de façon schématique un exemple d'un modulateur de phase électro-optique selon un mode de réalisation.
Le modulateur de la figure 1 comprend un guide d'onde 100 comportant un empilement vertical de trois bandes 101, 103 et 105 sensiblement de même largeur. La figure 1 est une vue en coupe selon un plan orthogonal aux directions longitudinales des bandes 101, 103 et 105, c'est-à-dire selon un plan orthogonal à la direction de propagation de la lumière dans le guide d'onde 100. Dans la vue en coupe de la figure 1, la largeur de chaque bande correspond à sa dimension horizontale et l'épaisseur de chaque bande correspond à sa dimension verticale.
La bande 101 est en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, de type P dans l'exemple représenté, la bande 103 est en un matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité (de type N dans cet exemple) ou en un matériau conducteur, et la bande 105 est en un matériau semiconducteur dopé du premier type de conductivité. La bande 103 est séparée de la bande 101 par une couche d'interface 107 en un matériau diélectrique, et de la bande 105 par une couche d'interface 109 en un matériau diélectrique. A titre d'exemple, la couche 107 est
B16623 - 17-GR3-0520 disposée sur et en contact avec la face supérieure de la bande 101, la bande 103 est disposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche 107, à l'aplomb de la bande 101, la couche 109 est disposée sur et en contact avec la face supérieure de la bande 103, et la bande 105 est disposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche 109, à l'aplomb des bandes 101 et 103.
Les bandes 101 et 105 sont reliées électriquement à un même premier noeud GND d'application d'une tension de commande du modulateur, et la bande 103 est reliée électriquement à un deuxième noeud Vg d'application de la tension de commande du modulateur.
Dans l'exemple représenté, Chacune des bandes 101, 103 et 105 se prolonge latéralement (c'est-à-dire dans la direction de sa largeur, à savoir une direction horizontale dans l'orientation de la figure 1) par une région d'extension 111, respectivement 113, respectivement 115 en le même matériau que la bande, sur laquelle est formée un contact électrique (non détaillé sur la figure 1) permettant de relier électriquement la bande au noeud de commande correspondant (le noeud GND pour les bandes 101 et 105 et le noeud Vg pour la bande 103) . Dans cet exemple, la région d'extension 111 de la bande 101 et la région d'extension 115 de la bande 105 sont situées du même côté de l'empilement (côté droit dans l'orientation de la figure 1), et la région d'extension 113 de la bande 103 est située du côté opposé de l'empilement (côté gauche dans l'orientation de la figure 1) . Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. De plus, dans cet exemple, la région d'extension 111 de la bande 101 est moins épaisse que la bande 101, et la région d'extension 115 de la bande 105 est moins épaisse que la bande 105, la face inférieure de la région 111 étant située au niveau de la face inférieure de la bande 101 et la face supérieure de la région 115 étant située au niveau de la face supérieure de la bande 105. Là encore, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à cette configuration particulière. A titre de
B16623 - 17-GR3-0520 variante, seule l'une des régions d'extension 111 et 115 est moins épaisse que la bande 101 ou 105 correspondante. Dans une autre variante, toutes ou certaines des régions d'extension peuvent être omises, les contacts électriques étant alors disposés directement sur les bandes 101, 103 et/ou 105.
Le guide d'onde 100 est entouré d'un matériau diélectrique (non visible sur la figure 1) d'indice de réfraction inférieur à celui des bandes 101, 103 et 105, par exemple de l'oxyde de silicium. A titre d'exemple, le matériau diélectrique recouvre entièrement les faces supérieure et inférieure du guide d'onde, ainsi que les faces latérales du guide non revêtues par les régions d'extension 111, 113 et 115.
Les bandes 101, 103 et 105 sont par exemple en silicium.
A titre de variante, les bandes 101 et 105 sont en silicium et la bande 103 est en métal. A titre d'exemple, les bandes 101 et 105 ont un niveau de dopage de type P supérieur à 1017 atomes/cm^, par exemple de l'ordre de 2*10^θ atomes/cm^. Dans le cas où la bande 103 est en silicium, celle-ci peut avoir un niveau de dopage de type N supérieur à 10^θ atomes/cm^, par exemple supérieur à 5*1q18 atomes/cm^. Les couches d'interface 107 et 109 sont par exemple en oxyde de silicium. La bande 103 est de préférence relativement mince par rapport aux bandes 101 et 105. A titre d'exemple, l'épaisseur de la bande 103 est inférieure au cinquième, et de préférence au dixième, de l'épaisseur de la bande 101 et de l'épaisseur de la bande 105. Les bandes 101 et 105 ont par exemple sensiblement la même épaisseur. A titre d'exemple, les bandes 101 et 105 ont chacune une épaisseur comprise entre 50 et 200 nm, par exemple de l'ordre de 150 nm, et la bande 103 a une épaisseur comprise entre 5 et 20 nm. L'épaisseur des couches d'interface diélectriques 107 et 109 est par exemple inférieure à l'épaisseur de la bande 103. A titre d'exemple, les couches 107 et 109 ont chacune une épaisseur inférieure à 10 nm, par exemple de l'ordre de 8 nm. Les bandes 101, 103 et 105 ont par exemple sensiblement la même largeur, définissant la largeur du guide d'onde 100, par exemple comprise entre 300 et 600 nm, par exemple
B16623 - 17-GR3-0520 de l'ordre de 350 nm. Les bandes 101, 103 et 105 peuvent en outre avoir sensiblement la même longueur, définissant la longueur du guide d'onde 100, par exemple comprise entre 0,5 et 2 mm, par exemple de l'ordre de 1 mm.
En fonctionnement, un faisceau optique, par exemple un faisceau laser (non représenté) , est injecté dans le guide d'onde, et une tension de commande est appliquée entre les noeuds de commande Vg et GND du modulateur. La densité de porteurs libres dans les deux bandes semiconductrices 101 et 105 et, le cas échéant, dans la bande intermédiaire 103, est modifiée en fonction de la tension de commande appliquée. Il en résulte une modification de l'indice optique effectif du guide d'onde, et donc un déphasage du faisceau laser fonction de la tension appliquée.
Par rapport aux modulateurs de phase capacitifs du type décrit dans les demandes de brevet FR3041116 et US2017075148 susmentionnées, le modulateur de la figure 1 présente l'avantage de bénéficier d'un meilleur rendement de conversion électrooptique. Autrement dit, un déphasage donné peut être obtenu en appliquant une tension de commande moins élevée que dans un modulateur classique.
Ceci résulte du fait que la bande intermédiaire 103 permet de moduler plus efficacement la densité de porteurs libres au coeur du guide d'onde 100, là où l'impact sur l'indice optique effectif du guide est le plus fort, et en particulier au voisinage de la face supérieure de la portion inférieure 101 du guide, et au voisinage de la face inférieure de la portion supérieure 105 du guide.
Les figures 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F, 2G, 2H et 21 sont des vues en coupe illustrant des étapes successives d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un modulateur de phase électrooptique du type décrit en relation avec la figure 1. Les figures 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F, 2G, 2H et 21 sont des vues en coupe dans le même plan que la figure 1.
La figure 2A représente une structure de départ de type SOI (semiconducteur sur isolant) comprenant une couche 201 de
B16623 - 17-GR3-0520 silicium monocristallin dopé de type P, reposant sur une couche isolante 203 elle-même disposée sur un substrat de support 205, par exemple en silicium. Dans cet exemple, la couche isolante 203 est une couche d'oxyde de silicium, par exemple d'épaisseur comprise entre et 1 et 2 pm. La couche de silicium 201 a par exemple une épaisseur de l'ordre de 300 nm.
La figure 2B illustre la réalisation, dans la couche de silicium 201, d'une portion inférieure du modulateur, comprenant notamment la bande inférieure 101 du guide d'onde 100 et la région d'extension latérale correspondante 111. Plus particulièrement, dans cet exemple, trois étapes de gravure successives (non détaillées) sont prévues pour délimiter dans la couche 201 une structure à trois épaisseurs comprenant :
une première région présentant une première épaisseur, par exemple de l'ordre de 150 nm, correspondant à la bande inférieure 101 du guide d'onde 100 ;
une deuxième région moins épaisse que la bande 101, par exemple d'épaisseur de l'ordre de 50 nm, s'étendant latéralement depuis la partie inférieure d'une face latérale (la face droite dans l'orientation de la figure 1) de la bande 101, et formant la région d'extension 111 du modulateur ; et une troisième région 207 plus épaisse que la bande 101, par exemple d'épaisseur égale à l'épaisseur d'origine de la couche 201, prolongeant latéralement la région d'extension 111 par sa face opposée à la bande 101, et formant une région de reprise de contact destinée à relier électriquement la bande 101 (par l'intermédiaire de la région 111) à un noeud d'application d'une tension de commande du modulateur.
Dans le sens de la longueur (non visible sur la figure), les régions 111 et 207 s'étendent par exemple sur la même longueur que la bande 101.
A l'issue des étapes de gravure de la couche de silicium 201, une étape de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium 209 est prévue, suivie d'une étape de planarisation de la couche 209, par exemple par polissage mécano-chimique (CMP). A l'issue des étapes
B16623 - 17-GR3-0520 de la figure 2B, la structure en silicium constituée par les régions 101, 111 et 207 est entièrement encapsulée dans de l'oxyde de silicium. Plus particulièrement, les faces latérales et la face supérieure de la structure sont en contact avec la couche d'oxyde de silicium 209, et la face inférieure de la structure est en contact avec la face supérieure de la couche d'oxyde de silicium 203.
La figure 2C illustre une étape de réalisation d'une ouverture 211 dans la couche 209, l'ouverture 211 débouchant sur la face supérieure de la bande 101. L'ouverture 211 s'étend, en largeur, non seulement en vis-à-vis de la bande 101, mais aussi de part et d'autre de la bande 101, et notamment en vis-à-vis d'une partie de la région d'extension latérale 111 (à droite de la bande 101) , sans toutefois déboucher sur la région 111, dont la face supérieure reste protégée par la couche 209 à l'issue de cette étape. L'ouverture 211 ne s'étend en revanche pas en vis-àvis de la région de silicium 207. Dans le sens de la longueur (non visible sur la figure), l'ouverture 211 s'étend sur sensiblement toute la longueur de la bande 101. Pour réaliser l'ouverture 211, un masque de gravure 213 est d'abord formé sur la face supérieure de la couche d'oxyde de silicium 209, par exemple par photolithographie. Le masque 213 comprend une ouverture définissant, en vue de dessus, la région de formation de l'ouverture 211. Une étape de gravure de la région de la couche 209 non revêtue par le masque 213 est ensuite mise en oeuvre, la gravure étant interrompue sur la face supérieure de la bande de silicium 101. Le masque 213 peut ensuite être retiré.
La figure 2D illustre une étape d'oxydation de la face supérieure de la bande de silicium 101, libérée par l'étape précédente de gravure partielle de la couche 209, conduisant à la formation, sur la face supérieure de la bande 101, de la couche d'interface inférieure 107 du guide d'onde 100. A titre de variante, la couche 107 peut être formée par dépôt d'une couche d'oxyde de silicium sur la face supérieure de la bande 101.
B16623 - 17-GR3-0520
La figure 2D illustre en outre une étape de dépôt, sur la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes précédentes, d'une couche 215 en le matériau de formation de la bande intermédiaire 103 du guide d'onde, du silicium polycristallin dopé de type N dans cet exemple. Dans cet exemple, la couche 215 est déposée sur sensiblement toute la surface supérieure de la structure. La couche 215 revêt notamment les parois latérales et le fond de l'ouverture 211. En particulier, au fond de l'ouverture 211, la couche 215 est en contact avec la face supérieure de la couche d'interface 107 à l'aplomb de la bande 101, et avec la face supérieure de la couche 209 de part et d'autre de la bande 101.
La figure 2D illustre de plus une étape de formation, sur la face supérieure de la couche 215, d'un masque de gravure 217 définissant, en vue de dessus, la bande intermédiaire 103 et la région d'extension correspondante 113 du modulateur. Le masque 217 est par exemple formé par photolithographie. Le masque 217 recouvre la face supérieure de la couche 215 à l'aplomb des régions 103 et 113 du modulateur, et laisse exposée la face supérieure de la couche 215 dans les autres régions du modulateur.
La figure 2E illustre une étape ultérieure de gravure des parties de la couche 215 non revêtues par le masque 217, de façon à délimiter les régions 103 et 113 du modulateur. La figure 2E illustre en outre une étape de retrait du masque 217. On notera que dans cet exemple, les régions 103 et 113 ont sensiblement la même épaisseur.
La figure 2E illustre de plus une étape d'oxydation de la face supérieure et des faces latérales de la portion restante de la couche 215 (formant les régions 103 et 113 du modulateur), conduisant à la formation de la couche d'interface supérieure 109 du guide d'onde. A titre de variante, la couche 109 peut être formée par dépôt d'une couche d'oxyde de silicium sur la face supérieure de la bande 103.
La figure 2F illustre une étape de dépôt, sur la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes
B16623 - 17-GR3-0520 précédentes, d'une couche 219 en le matériau de formation de la bande supérieure 105 du guide d'onde, par exemple du silicium polycristallin dopé de type P, ou du silicium-germanium polycristallin. Dans cet exemple, la couche 219 est déposée sur sensiblement toute la surface supérieure de la structure. La couche 215 revêt notamment la face supérieure de la couche d'interface 109 à l'aplomb des bandes 101 et 103, et s'étend en outre latéralement de part et d'autre des bandes 101 et 103.
La figure 2F illustre de plus la formation, sur la face supérieure de la couche 219, d'un masque de gravure 221 définissant, en vue de dessus, la bande supérieure 105 et la région d'extension correspondante 115 du modulateur. Le masque 221 est par exemple formé par photolithographie. Le masque 221 recouvre la face supérieure de la couche 219 à l'aplomb des régions 105 et 115 du modulateur, et laisse exposée la face supérieure de la couche 219 dans les autres régions du modulateur.
La figure 2G illustre une étape ultérieure de gravure des parties de la couche 219 non revêtues par le masque 221, de façon à délimiter les régions 105 et 115 du modulateur. La figure 2F illustre en outre une étape de retrait du masque 221. On notera que dans cet exemple, les régions 105 et 115 ont sensiblement la même épaisseur.
La figure 2G illustre de plus une étape de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium 223 sur toute la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes précédentes, puis une étape de planarisation de la couche 223, par exemple par polissage mécano-chimique (CMP). La couche d'oxyde de silicium 223 présente une épaisseur supérieure à celle de l'empilement des bandes 107, 103, 109 et 105, de façon que, à l'issue de l'étape de planarisation, une épaisseur d'oxyde de silicium de la couche 223 subsiste au-dessus de la face supérieure de la bande 105.
La figure 2H illustre une étape ultérieure de réalisation d'ouvertures de reprise de contact 225, 227 et 229, respectivement en regard de la région d'extension 113, en regard de la région d'extension 115, et en regard de la région de reprise
B16623 - 17-GR3-0520 de contact 207 du modulateur. L'ouverture 225 s'étend verticalement à travers les couches 223 et 109 en vis-à-vis de d'une partie de la région d'extension 113 du modulateur, et débouche sur la face supérieure de la région d'extension 113. L'ouverture 227 s'étend verticalement à travers la couche 223 en vis-à-vis d'une partie de la région d'extension 115 du modulateur, et débouche sur la face supérieure de la région d'extension 115. L'ouverture 229 s'étend verticalement à travers les couches 223 et 209 en vis-à-vis de la région de reprise de contact 207 du modulateur, et débouche sur la face supérieure de la région 207.
Dans cet exemple, pour réaliser les ouvertures de reprise de contact 225, 227 et 229, une couche de protection 231, par exemple en nitrure de silicium, est d'abord déposée sur toute la surface supérieure de la structure. La couche de protection 231 est ensuite retirée localement, par exemple par photolithographie et gravure, en regard des zones de formation des ouvertures 225, 227 et 229. Les couches d'oxyde de silicium 223, 109 et 209 sont ensuite gravées, par exemple par gravure humide, en regard des ouvertures préalablement formées dans la couche de protection 231, de façon à former les ouvertures 225, 227 et 229.
Après la formation des ouvertures 225, 227 et 229, une étape de siliciuration de la face supérieure des régions 113, 115 et 207 au fond des ouvertures 225, 227 et 229 peut être prévue, visant à faciliter la reprise ultérieure de contacts électriques sur les régions 113, 115 et 207.
La figure 21 illustre une étape de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium 233 sur toute la face supérieure de la structure obtenue à l'issue des étapes précédentes, puis de planarisation de la couche 233, par exemple par polissage mécanochimique (CMP) .
Des vias conducteurs 235, 237 et 239, par exemple en tungstène, sont ensuite formés dans la couche d'oxyde de silicium 233. Du côté de leur face inférieure, les vias 235, 237 et 239 sont en contact électrique respectivement avec la face supérieure
B16623 - 17-GR3-0520 de la région 113, avec la face supérieure de la région 115, et avec la face supérieure de la région 207. Les vias 235, 237 et 239 forment des bornes de connexion électrique du modulateur à un circuit de commande extérieur, non représenté. Dans cet exemple, les vias 237 et 239 sont destinés à être connectés à même premier noeud GND du circuit de commande, et le via 235 est destiné à être connecté à un deuxième noeud Vg du circuit de commande. Dans cet exemple, le modulateur comprend, sur la face supérieure de la couche d'oxyde de silicium 233, une piste conductrice 241 connectant la face supérieure du via 237 à la face supérieure du via 239.
Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, on notera qu'un fonctionnement similaire à ce qui a été décrit ci-dessus peut être obtenu en inversant tous les types de conductivité des régions semiconductrices.
De plus, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples de dimensions et de matériaux mentionnés dans la présente description.
En outre, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à l'exemple de procédé de fabrication décrit en relation avec les figures 2A à 21. Plus généralement, l'homme du métier saura prévoir d'autres procédés de fabrication d'un modulateur de phase du type décrit en relation avec la figure 1, basés sur des techniques connues de fabrication de circuits photoniques intégrés.
B16623 - 17-GR3-0520
Claims (11)
- REVENDICATIONS1. Modulateur de phase électro-optique comprenant un guide d'onde (100) comportant un empilement d'une première bande (101) en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, d'une deuxième bande (103) en matériau conducteur ou en un matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité, et d'une troisième bande (105) en un matériau semiconducteur dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande étant séparée de la première bande par une première couche d'interface (107) en un matériau diélectrique et de la troisième bande par une deuxième couche d'interface (109) en un matériau diélectrique.
- 2. Modulateur selon la revendication 1, dans lequel les première (101) et troisième (105) bandes sont reliées à un même premier noeud (GND) d'application d'une tension de commande du modulateur, et la deuxième bande (103) est reliée à un deuxième noeud (Vg) d'application de la tension de commande du modulateur.
- 3. Modulateur selon la revendication 2, dans lequel :la première bande (101) se prolonge latéralement par une première région d'extension (111) en le même matériau que la première bande, reliant électriquement la première bande au premier noeud (GND) d'application de la tension de commande ;la deuxième bande (103) se prolonge latéralement par une deuxième région d'extension (113) en le même matériau que la deuxième bande, reliant électriquement la deuxième bande au deuxième noeud (Vg) d'application de la tension de commande ; et la troisième bande (105) se prolonge latéralement par une troisième région d'extension (115) en le même matériau que la troisième bande, reliant électriquement la troisième bande premier noeud (GND) d'application de la tension de commande.
- 4. Modulateur selon la revendication 3, dans lequel au moins l'une des première (111) et troisième (115) régions d'extension présente une épaisseur inférieure à celle de la bande (101, 105) avec laquelle elle est en contact.B16623 - 17-GR3-0520
- 5. Modulateur selon la revendication 3 ou 4, comprenant une première métallisation de connexion électrique (237) en contact avec la première région d'extension (111), une deuxième métallisation de connexion électrique (235) en contact avec la deuxième région d'extension (113) et une troisième métallisation de connexion électrique (239) en contact avec la troisième région d'extension (115).
- 6. Modulateur selon la revendication 5, comportant en outre une piste conductrice (241) connectant entre elles les première (237) et troisième (239) métallisations de connexion électrique.
- 7. Modulateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chacune des première (101), deuxième (103) et troisième (105) bandes est en un matériau choisi parmi le silicium et le silicium-germanium.
- 8. Modulateur selon la revendication 7, dans lequel la première bande (101) est en silicium monocristallin dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande (103) est en silicium polycristallin dopé du deuxième type de conductivité, et la troisième bande (105) est en silicium polycristallin dopé du premier type de conductivité ou en silicium-germanium.
- 9. Modulateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l'épaisseur de la deuxième bande (103) est inférieure au cinquième de l'épaisseur de la première bande (101) et de l'épaisseur de la troisième bande (105).
- 10. Modulateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les première (101) et troisième (105) bandes ont sensiblement la même épaisseur.
- 11. Procédé de fabrication d'un modulateur de phase électro-optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la première bande (105) est formée dans la couche supérieure d'une structure de type SOI comprenant une couche de silicium monocristallin (201) reposant sur une couche isolante (203) elle-même disposée sur un substrat de support (205).B1662317-GR3-0520
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1850290A FR3076916B1 (fr) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | Modulateur de phase electro-optique |
| CN202310116215.9A CN115903281A (zh) | 2018-01-15 | 2019-01-14 | 电光相位调制器 |
| CN201910033040.9A CN110045520B (zh) | 2018-01-15 | 2019-01-14 | 电光相位调制器 |
| US16/247,096 US10795189B2 (en) | 2018-01-15 | 2019-01-14 | Electro-optical phase modulator |
| CN201920056890.6U CN209471312U (zh) | 2018-01-15 | 2019-01-14 | 电光相位调制器 |
| US17/009,468 US11822164B2 (en) | 2018-01-15 | 2020-09-01 | Electro-optical phase modulator |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1850290 | 2018-01-15 | ||
| FR1850290A FR3076916B1 (fr) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | Modulateur de phase electro-optique |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR3076916A1 true FR3076916A1 (fr) | 2019-07-19 |
| FR3076916B1 FR3076916B1 (fr) | 2020-09-04 |
Family
ID=62067666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1850290A Active FR3076916B1 (fr) | 2018-01-15 | 2018-01-15 | Modulateur de phase electro-optique |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10795189B2 (fr) |
| CN (3) | CN209471312U (fr) |
| FR (1) | FR3076916B1 (fr) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3076916B1 (fr) | 2018-01-15 | 2020-09-04 | St Microelectronics Crolles 2 Sas | Modulateur de phase electro-optique |
| US20230030971A1 (en) * | 2021-07-28 | 2023-02-02 | Cisco Technology, Inc. | Silicon germanium-based semiconductor-insulator-semiconductor capacitor (siscap) modulator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170075148A1 (en) * | 2015-09-16 | 2017-03-16 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Integrated electro-optic modulator |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5530777A (en) * | 1992-09-28 | 1996-06-25 | Matsushita Industrial Electric Co., Ltd. | Optical modulation device |
| US6965128B2 (en) * | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
| US7127128B2 (en) * | 2005-03-03 | 2006-10-24 | Avanex Corporation | Electro-optical device |
| US8362494B2 (en) * | 2007-08-08 | 2013-01-29 | Agency For Science, Technology And Research | Electro-optic device with novel insulating structure and a method for manufacturing the same |
| US7747122B2 (en) * | 2008-09-30 | 2010-06-29 | Intel Corporation | Method and apparatus for high speed silicon optical modulation using PN diode |
| KR101239134B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2013-03-07 | 한국전자통신연구원 | 흡수 광변조기 및 그것의 제조 방법 |
| SG173939A1 (en) * | 2010-03-01 | 2011-09-29 | Nec Corp | Silicon-based electro-optic device |
| US8559769B2 (en) * | 2011-01-27 | 2013-10-15 | Alcatel Lucent | All-optical phase shifter in silicon |
| JP6314972B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2018-04-25 | 日本電気株式会社 | シリコンベース電気光学変調装置 |
| US9766484B2 (en) * | 2014-01-24 | 2017-09-19 | Cisco Technology, Inc. | Electro-optical modulator using waveguides with overlapping ridges |
| EP3123239B1 (fr) * | 2014-04-18 | 2023-05-31 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Modulateur optique de condensateur mos doté de grille transparente conductrice et à faible indice de réfraction |
| FR3041115A1 (fr) * | 2015-09-16 | 2017-03-17 | St Microelectronics Crolles 2 Sas | Modulateur electro-optique integre |
| US9798166B1 (en) * | 2017-01-24 | 2017-10-24 | Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. | Attenuator with improved fabrication consistency |
| FR3076916B1 (fr) * | 2018-01-15 | 2020-09-04 | St Microelectronics Crolles 2 Sas | Modulateur de phase electro-optique |
-
2018
- 2018-01-15 FR FR1850290A patent/FR3076916B1/fr active Active
-
2019
- 2019-01-14 CN CN201920056890.6U patent/CN209471312U/zh not_active Withdrawn - After Issue
- 2019-01-14 CN CN202310116215.9A patent/CN115903281A/zh active Pending
- 2019-01-14 CN CN201910033040.9A patent/CN110045520B/zh active Active
- 2019-01-14 US US16/247,096 patent/US10795189B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-01 US US17/009,468 patent/US11822164B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170075148A1 (en) * | 2015-09-16 | 2017-03-16 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Integrated electro-optic modulator |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| A. G ROJAS-HERNÁNDEZ ET AL: "Modulator for a micro Mach-Zhender spectrometer", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 8785, 18 November 2013 (2013-11-18), 1000 20th St. Bellingham WA 98225-6705 USA, pages 878523 - 878523-6, XP055503943, ISSN: 0277-786X, ISBN: 978-1-5106-1533-5, DOI: 10.1117/12.2019447 * |
| CHEN SHAOWU ET AL: "On the design and simulation of high speed electro-optic modulator based on SOI waveguide MOS dual capacitor structure", GROUP IV PHOTONICS, 2005. NUD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ANTWERPEN, BELGIUM 21-23 SEPT., 2005, PISCATAWAY, NJ, USA,IEEE, 21 September 2005 (2005-09-21), pages 54 - 56, XP010841325, ISBN: 978-0-7803-9070-6, DOI: 10.1109/GROUP4.2005.1516401 * |
| LING LIAO ET AL: "Silicon photonic modulator and integration for high-speed applications", IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 2008 : IEDM 2008 ; SAN FRANCISCO, CA, USA, 15 - 17 DEC. 2008, IEEE, PISCATAWAY, NJ, USA, 15 December 2008 (2008-12-15), pages 1 - 4, XP031434481, ISBN: 978-1-4244-2377-4 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190219847A1 (en) | 2019-07-18 |
| US20200400978A1 (en) | 2020-12-24 |
| CN110045520A (zh) | 2019-07-23 |
| CN110045520B (zh) | 2023-02-28 |
| CN209471312U (zh) | 2019-10-08 |
| US11822164B2 (en) | 2023-11-21 |
| FR3076916B1 (fr) | 2020-09-04 |
| CN115903281A (zh) | 2023-04-04 |
| US10795189B2 (en) | 2020-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2411863B1 (fr) | Modulateur optique à haut débit en semi-conducteur sur isolant | |
| EP1730560B1 (fr) | Modulateur optoelectronique haute frequence integre sur silicium | |
| EP3716345B1 (fr) | Procédé de fabrication d'une puce photonique comprenant une photodiode sacm-apd couplée optiquement à un guide d'ondes intégré | |
| FR3024910A1 (fr) | Procede de fabrication d'un circuit integre photonique couple optiquement a un laser en un materian iii-v | |
| EP3577683B1 (fr) | Structure pour application radiofréquence | |
| EP0645654A1 (fr) | Procédé de réalisation d'une structure intégrée monolithique incorporant des composants opto-électroniques et structure ainsi réalisée | |
| EP2843451A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une jonction PIN en arête et à zones dopées espacées, application à la fabrication de modulateurs électro-optiques et de photodétecteurs | |
| FR3076916A1 (fr) | Modulateur de phase electro-optique | |
| FR3078437A1 (fr) | Jonction pn | |
| EP0145567A2 (fr) | Transistor à effet de champ à structure verticale | |
| WO2021004930A1 (fr) | Assemblage d'un composant semi-conducteur actif et d'un composant optique passif à base de silicium | |
| FR3123151A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique | |
| EP0310184A1 (fr) | Elément de commutation optique incluant deux guides de lumière parallèles et matrice de commutation constituée de tels éléments | |
| EP3767376B1 (fr) | Modulateur optique capacitif | |
| FR3103288A1 (fr) | Transmetteur photonique | |
| EP4148470A1 (fr) | Procede de fabrication d'un systeme optoelectronique en photonique sur silicium comportant un dispositif optique couple a un circuit photonique integre | |
| FR2805081A1 (fr) | Procede de fabrication de transistor bipolaire a double heterojonction sur materiau iii-v | |
| EP3772145B1 (fr) | Source laser hybride comportant un guide d'onde integre a reseau de bragg intercalaire | |
| FR3041116A1 (fr) | Modulateur electro-optique integre | |
| GB2603178A (en) | A capacitor resonator modulator | |
| FR3078440A1 (fr) | Jonction pn | |
| FR2786279A1 (fr) | Composant optique a base d'amplificateurs optiques a semi-conducteur comportant un nombre reduit d'electrodes independantes | |
| FR3085369A1 (fr) | Modulateur electro-optique | |
| FR3041115A1 (fr) | Modulateur electro-optique integre | |
| EP4148919B1 (fr) | Procede de fabrication d'une diode semiconductrice par gravures seche et humide |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
| PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20190719 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 5 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 6 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 7 |