FR3041115A1 - Modulateur electro-optique integre - Google Patents

Abstract

L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique (31) comprenant un guide d'onde (41) comportant, sur un support isolant (37), une bande de silicium monocristallin (33) et une bande de silicium polycristallin (35) de même épaisseur et dopées de types de conductivité opposés, lesdites bandes étant adjacentes et séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante (43), chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension (47, 51) couplée à un contact électrique (49, 53).

Description

MODULATEUR ÉLECTRO-OPTIQUE INTÉGRÉ

Domaine

La présente demande concerne un modulateur électrooptique et son procédé de fabrication.

Exposé de l'art antérieur

Les modulateurs électro-optiques sont des dispositifs utilisés dans des systèmes de transmission optique pour faire varier la phase ou l'amplitude d'un faisceau laser. Les variations de phase ou d'amplitude du faisceau laser permettent de coder des informations qui sont alors transmises par l'intermédiaire du faisceau laser. Des modulateurs de phase peuvent être utilisés dans des systèmes de modulation d'amplitude d'un faisceau laser, par exemple des modulateurs de type Mach-Zehnder.

La figure IA est une reproduction partielle et schématique de la figure 3.1.A de la thèse de Xiaotie Wu intitulée "High performance optical transmitter for next génération superconducting and data communication" et accessible à l'adresse http://repository.upenn.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1978&con text=edissertations. Cette figure représente un exemple de modulateur d'amplitude électro-optique de type Mach-Zehnder.

Le modulateur de type Mach-Zehnder 1 comprend un premier guide d'onde 3 se séparant en deux guides d'ondes, ou bras, 5 et 7 de même longueur, les bras 5 et 7 se rejoignant ensuite en un guide d'onde 9. Dans chacun des bras 5 et 7 est inséré un modulateur de phase électro-optique 11. Les guides d'onde 3, 5, 7 et 9 sont en silicium et sont réalisés à partir d'une couche de silicium de type SOI ("Silicon On Insulator" - silicium sur isolant).

En fonctionnement, un faisceau laser d'entrée est injecté dans le guide d'onde 3. Le faisceau laser d'entrée est ensuite séparé en un premier faisceau laser secondaire se propageant dans le bras 5 et en un deuxième faisceau laser secondaire, de même phase et de même amplitude que le premier, se propageant dans le bras 7. Le modulateur de phase 11 de l'un et/ou l'autre des bras 5 et 7 permet d'introduire un déphasage entre les deux faisceaux secondaires. Ainsi, lorsque les deux faisceaux secondaires sont réunis en un même faisceau de sortie dans le guide d'onde 9, il se produit des interférences optiques, d'où il résulte une modulation de l'amplitude du faisceau de sortie.

La figure IB est une reproduction partielle et schématique de la figure 3.1.B de la thèse susmentionnée. La figure IB est une vue en coupe selon le plan BB de la figure IA représentant un exemple de modulateur de phase électro-optique de type SISCAP ("Silicon Insulator Silicon CAPacitor" - condensateur-silicium-isolant-silicium) .

Le modulateur de phase 11 comprend une bande de silicium monocristallin 13 dopé d'un premier type de conductivité. La bande 13 repose sur une couche isolante (non représentée) elle-même reposant sur un substrat (non représenté) et constitue une partie d'une couche de type SOI. Le modulateur 11 comprend, en outre, une bande de silicium polycristallin 15 dopé du deuxième type de conductivité. Une portion 17 de la bande 15 recouvre une portion 19 de la bande 13, les portions 17 et 19 étant séparées l'une de l'autre par une couche d'interface en un matériau diélectrique (non représentée) ce qui forme un condensateur. Chacune des bandes 13 et 15 est couplée à un contact électrique, respectivement 21 et 22. L'ensemble des bandes 13 et 15 est encapsulé dans un matériau diélectrique (non représenté) dont l'indice optique est inférieur à celui des bandes 13 et 15. Les portions 17 et 19 forment ainsi un guide d'onde 23 adapté à propager un faisceau laser selon une direction orthogonale au plan de la feuille.

Le modulateur de phase est fabriqué par dépôt et gravure d'une couche de silicium polycristallin sur la face supérieure d'une couche de silicium monocristallin revêtue d'une couche d'interface isolante. Il en résulte que la face supérieure de la bande de silicium polycristallin et la face supérieure de la bande de silicium monocristallin ne sont pas au même niveau.

En fonctionnement, la densité de charges dans les portions 17 et 19 est modifiée en appliquant une différence de potentiel entre les contacts 21 et 22. Il en résulte une modification de l'indice optique du guide d'onde et donc un déphasage du faisceau laser se propageant dans le guide d'onde.

Un modulateur du type de celui de la figure IB présente divers inconvénients à au moins certains desquels il serait souhaitable de pallier. Résumé

Ainsi, un mode de réalisation prévoit un modulateur de phase électro-optique comprenant un guide d'onde comportant, sur un support isolant, une bande de silicium monocristallin et une bande de silicium polycristallin de même épaisseur et dopées de types de conductivité opposés, lesdites bandes étant adjacentes et séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante, chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension couplée à un contact électrique.

Selon un mode de réalisation, les faces adjacentes desdites bandes sont ondulées.

Selon un mode de réalisation, l'extension de chacune des bandes comprend une première portion adjacente à la bande et moins épaisse que la bande.

Selon un mode de réalisation, les premières portions ont sensiblement la même épaisseur.

Selon un mode de réalisation, chaque extension comprend une deuxième portion adjacente à la première portion, de même épaisseur que les bandes et surmontée d'un contact électrique.

Selon un mode de réalisation, une couche de silicium-germanium est intercalée entre la couche d'interface isolante et la bande de silicium monocristallin.

Selon un mode de réalisation, la couche d'interface isolante est de l'oxyde de silicium et a une épaisseur inférieure à 10 nm.

Selon un mode de réalisation, un isolant revêt les bandes et les extensions, l'indice optique de l'isolant et l'indice optique du support isolant étant inférieurs à l'indice optique des bandes.

Un autre mode de réalisation prévoit un modulateur d'amplitude électro-optique comprenant un premier guide d'onde se séparant en un deuxième guide d'onde et un troisième guide d'onde, les deuxième et troisième guides d'onde se réunissant en un quatrième guide d'onde, l'un et/ou l'autre des deuxième et troisième guides d'onde comprenant un modulateur de phase électrooptique tel que susmentionné.

Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un modulateur de phase électro-optique comprenant les étapes suivantes : a) prévoir une couche de silicium monocristallin dopé d'un premier type de conductivité reposant sur un support isolant ; b) graver une première cavité traversant la couche de silicium monocristallin jusqu'au support isolant ; c) former une couche d'interface isolante sur les flancs de la première cavité ; d) remplir la première cavité de silicium polycristallin dopé du deuxième type de conductivité, jusqu'au niveau supérieur de la couche de silicium monocristallin ; e) définir une bande de silicium monocristallin (33) se prolongeant latéralement en une portion moins épaisse en gravant une deuxième cavité sur une partie de l'épaisseur de la couche de silicium monocristallin ; f) définir une bande de silicium polycristallin, adjacente à la bande de silicium monocristallin et se prolongeant latéralement en une portion moins épaisse, en gravant une troisième cavité sur une partie de l'épaisseur du silicium polycristallin ; g) remplir les deuxième et troisième cavités et recouvrir les bandes d'un isolant.

Selon un mode de réalisation, la gravure de la deuxième cavité et la gravure de la troisième cavité sont arrêtées à un même niveau.

Selon un mode de réalisation, l'étape d) comprend le dépôt d'une couche de silicium polycristallin suivie d'une étape de gravure aplanissante jusqu'à la surface supérieure de la couche de silicium monocristallin.

Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, entre les étapes b) et c) , la formation d'une couche de silicium-germanium sur les flancs de la première cavité, par épitaxie à partir la couche de silicium monocristallin.

Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, la formation à travers l'isolant de contacts électriques couplés aux portions moins épaisses.

Brève description des dessins

Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures IA et IB, décrites précédemment, sont des reproductions partielles des figures 3.1.A et 3.1.B de la thèse susmentionnée ; la figure 2 est une vue en coupe et en perspective représentant schématiquement un mode de réalisation d'un modulateur de phase électro-optique ; les figures 3A à 3F sont des vues en coupe schématiques d'une structure à des étapes successives d'un procédé de fabrication d'un modulateur du type de celui de la figure 2 ; et les figures 4A à 4C sont des vues en coupe schématiques représentant diverses variantes d'un modulateur du type de celui de la figure 2.

Description détaillée

De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, le dépôt et la gravure de certaines couches de masquage n'ont pas été décrits. Dans la description qui suit, les termes "dessus", "supérieur", "inférieur", "vertical" et "latéral" se réfèrent à l'orientation des éléments concernés dans les figures correspondantes. Sauf précision contraire, l'expression "de l'ordre de" et le terme "sensiblement" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près, lorsqu'ils concernent une valeur, et à 5 nm près, de préférence à 1 nm près, lorsqu'ils concernent un niveau. En outre, sauf indication contraire, un premier élément "reposant sur", "revêtant", ou "recouvrant" un deuxième élément signifie que les premier et deuxième éléments sont en contact 1'un avec 1'autre.

La figure 2 est une vue en coupe et en perspective représentant schématiquement une partie d'un mode de réalisation d'un modulateur de phase électro-optique. La figure 2 correspond à une vue en coupe selon un plan orthogonal à la direction de propagation d'un faisceau laser dans le modulateur.

Le modulateur 31 comprend une bande de silicium monocristallin 33 dopé d'un premier type de conductivité, par exemple le type P, et une bande de silicium polycristallin 35 dopé du deuxième type de conductivité, par exemple le type N. Les bandes 33 et 35 reposent toutes deux sur une couche isolante 37 disposée sur un substrat semiconducteur 39. Les bandes 33 et 35 sont adjacentes et s'étendent longitudinalement dans une même direction correspondant à la direction de propagation du faisceau laser, les bandes 33 et 35 formant ainsi un guide d'onde 41. Une couche d'interface isolante 43 est intercalée entre les faces adjacentes des bandes 33 et 35. Cette couche d'interface isolante 43 a une épaisseur inférieure à 10 nm quand elle est en oxyde de silicium, et a une épaisseur correspondante quand elle est en un autre matériau isolant pour tenir compte de la permittivité électrique de cet autre matériau isolant vis-à-vis de celle de l'oxyde de silicium. Entre les bandes 33 et 35, la couche d'interface isolante 43 s'étend de manière sensiblement orthogonale à la face supérieure de la couche isolante 37. Dans cet exemple, une couche optionnelle 45 de silicium germanium est intercalée entre la bande 33 et la couche d'interface isolante 43. Du côté opposé à la bande de silicium polycristallin 35, la bande de silicium monocristallin 33 se prolonge latéralement en une extension 47 couplée à un contact électrique 49. De manière symétrique, du côté opposé à la bande de silicium monocristallin 33, la bande de silicium polycristallin 35 se prolonge latéralement en une extension 51 couplée à un contact électrique 53. Un isolant 55 recouvre les bandes 33 et 35 et les extensions 47 et 51, l'indice optique de l'isolant étant inférieur à celui des bandes 33 et 35.

Dans cet exemple, l'extension 47 comprend une portion 57 et une portion 59, la portion 57 étant moins épaisse que la bande 33 et s'étendant latéralement de la bande 33 jusqu'à la portion 59 sur laquelle repose le contact électrique 49. La portion 59 a la même épaisseur que la bande 33. La portion 59 est fortement dopée du premier type de conductivité (P+) pour réduire la résistance entre le contact 49 et la bande 33. De manière symétrique, dans cet exemple, l'extension 51 comprend une portion 61, de même épaisseur que la portion 57, s'étendant latéralement jusqu'à une portion 63 sur laquelle repose le contact 53, la portion 63 ayant la même épaisseur que la portion 59. La portion 63 est fortement dopée du deuxième type de conductivité (N+).

En fonctionnement, lorsqu'une différence de potentiel est appliquée entre les contacts 49 et 53, la densité de charges dans les bandes 33 et 35 est modifiée, d'où il résulte une variation de l'indice optique du guide d'onde et un déphasage du faisceau laser se propageant dans le guide d'onde.

Selon un avantage, le guide d'onde 41 est symétrique, d'où il résulte que les modes transverses électriques du faisceau laser se propageant dans le guide d'onde 41 ne subissent pas de rotation, contrairement au cas d'un guide d'onde du type de celui de la figure IB.

Selon un autre avantage, du fait que les portions 57 et 61 bordant latéralement le guide d'onde 41 ont une épaisseur inférieure à ce dernier, et que le guide d'onde 41 est symétrique, le faisceau laser est mieux confiné dans ce guide d'onde 41 que dans un guide d'onde du type de celui de la figure IB.

Les avantages susmentionnés entraînent que les dimensions d'un modulateur du type de celui de la figure 2 peuvent être diminuées par rapport à celles d'un modulateur du type de celui de la figure IB. En effet, le guide d'onde d'un modulateur du type de celui de la figure IB doit avoir une largeur importante afin que le faisceau laser soit correctement confiné dans le guide d'onde et que ses modes transverses électriques ne subissent pas de rotation. Par exemple, pour un faisceau laser dont la longueur d'onde est comprise entre 1 et 2 pm, un guide d'onde du type de celui de la figure IB a une largeur d'au moins 800 nm contre 400 nm environ pour un guide d'onde du type de celui de la figure 2.

Les figures 3A à 3F sont des vues en coupe schématiques représentant une structure à des étapes successives d'un procédé de fabrication d'un modulateur de phase électro-optique du type de celui de la figure 2.

La figure 3A représente une structure comprenant une couche, ou une portion de couche, de silicium monocristallin 65 dopé du premier type de conductivité (P) reposant sur une couche isolante 37 elle-même reposant sur un substrat semiconducteur 39, les couches 65 et 37 constituant une structure de type SOI. Une cavité 67 a été gravée dans la couche 65. La cavité 67 pénètre sur une partie de l'épaisseur de la couche 65 de manière à y définir une portion 69 se prolongeant latéralement en une portion 57 moins épaisse. Dans cet exemple, la gravure de la cavité 67 est effectuée de sorte que la portion 57 s'étende latéralement de la portion 69 jusqu'à une portion 59 de la couche de silicium monocristallin 65, les portions 59 et 69 ayant la même épaisseur. Une couche d'un matériau isolant 55 a ensuite été déposée puis retirée par gravure aplanissante, par exemple par polissage mécano-chimique (CMP de l'anglais Chemical-Mecanical Polishing), de manière à remplir la cavité 67. Comme cela est représenté ici, une étape d'implantation peut être réalisée pour que la portion 59 soit fortement dopée du premier type de conductivité (P+). A titre d'exemple, l'isolant 55 est de l'oxyde de silicium. La couche isolante 37 peut également être de l'oxyde de silicium.

La figure 3B représente la structure de la figure 3A après le dépôt d'une couche de masquage 71, par exemple en nitrure de silicium, et la gravure d'une cavité 73 traversant la portion 69 jusqu'à la couche isolante 37 de manière à laisser en place une bande 33 de silicium monocristallin adjacente à la portion 57.

La figure 3C représente la structure de la figure 3B après la formation d'une couche optionnelle de silicium germanium 45 sur les flancs de la cavité 73, par épitaxie à partir de la couche de silicium monocristallin 65. Une couche d'interface isolante 43 est ensuite déposée sur la surface exposée de la structure de manière à recouvrir les flancs de la cavité 73. A titre d'exemple, l'épaisseur de la couche de silicium germanium 45 est comprise entre 5 et 20 nm, par exemple égale à 10 nm, et cette couche 45 peut comprendre de 20 à 40 % de germanium, par exemple 30 %. La couche d'interface isolante 43 peut avoir une épaisseur inférieure à 10 nm, par exemple égale à 3,5 nm, quand elle est en oxyde de silicium. Le matériau de la couche d'interface isolante 43 peut également être du nitrure de silicium, de l'oxynitrure de silicium ou un matériau à forte constante diélectrique tel que de l'oxyde d'hafnium. Dans le cas où la couche d'interface isolante est en un matériau à forte constante diélectrique, son épaisseur pourra être plus importante que dans le cas où elle est en oxyde de silicium.

La figure 3D représente la structure de la figure 3C après le dépôt d'une couche de silicium polycristallin et une étape de gravure aplanissante ou de polissage mécano-chimique (CMP) jusqu'à la face supérieure de la couche de silicium monocristallin 65 de manière à remplir la cavité 73 et y former une région 75 de silicium polycristallin. Le silicium polycristallin de la région 75 est dopé du deuxième type de conductivité (N) lors de son dépôt ou lors d'une étape d'implantation réalisée après son dépôt.

La figure 3E représente la structure de la figure 3D après la gravure d'une cavité 77 dans la région 75 de silicium polycristallin. La cavité pénètre sur une partie de l'épaisseur, de la région 75 de manière à y définir une bande 35 se prolongeant latéralement en une portion 61 moins épaisse, la bande 35 étant adjacente à la bande 33 de silicium monocristallin. Dans cet exemple, la gravure de la cavité 77 est effectuée de sorte qu'une portion 63 de la région 75 de silicium polycristallin est laissée en place et que la portion 61 s'étende latéralement de la bande 35 jusqu'à la portion 63. La portion 63 a alors la même épaisseur que les bandes 33 et 35 et que la portion 59. De préférence, la cavité 77 est gravée de manière que la largeur et l'épaisseur de la portion 61 de silicium polycristallin soient sensiblement identiques à celles de la portion 57 de silicium monocristallin. Une étape d'implantation peut être réalisée pour que la portion 63 de silicium polycristallin soit fortement dopée du deuxième type de conductivité (N+).

La figure 3F représente la structure de la figure 3E après le dépôt d'une couche de l'isolant 55 sur la surface exposée de la structure et une étape d'aplanissement de la face supérieure de l'isolant 55 de manière à remplir la cavité 77 et à recouvrir les bandes 33 et 35 et les portions 57, 59, 61 et 63. Des contacts électriques 49 et 53 sont alors réalisés à travers l'isolant 55, respectivement jusqu'aux faces supérieures des portions 59 et 63.

On obtient ainsi un modulateur de phase du type de celui de la figure 2 comprenant un guide d'onde 41 adapté à propager un faisceau laser. L'épaisseur du guide d'onde 41, c'est-à-dire l'épaisseur des bandes 33 et 35, est sensiblement égale à celle de la couche 65 de silicium monocristallin de type SOI initiale. Cela simplifie la fabrication d'autres composants à partir de cette couche de type SOI par rapport au cas d'un modulateur du type de celui de la figure IB. Cela permet également de simplifier et d'améliorer le couplage d'un guide d'onde formé dans cette couche de type SOI avec le modulateur de la figure 3F par rapport au cas d'un modulateur du type de celui de la figure IB. A titre d'exemple, on considère le cas où la longueur d'onde du faisceau laser à propager est comprise entre 1 et 2 pm, plus particulièrement entre 1,3 et 1,5 pm, ce qui correspond aux longueurs d'onde couramment utilisées dans les systèmes de transmission optique. Dans ce cas, les niveaux de dopage peuvent être compris entre 1C)15 et 10^ at.cm-^ par exemple 10-*-^ at.cm-^ pour les bandes 33 et 35, et le modulateur a, par exemple, les dimensions suivantes : une épaisseur de 200 à 400 nm, par exemple comprise entre 300 et 310 nm, pour la couche de silicium de type SOI, et donc les bandes 33 et 35 ; une épaisseur de 0,2 à 2,5 pm, par exemple de l'ordre de 700 nm pour la couche isolante 37 ; une épaisseur supérieure à 50 nm, par exemple de l'ordre de 50 à 160 nm, pour les portions 57 et 61, une épaisseur de 50 nm permettant un meilleur confinement du faisceau dans le guide d'onde qu'une épaisseur supérieure à 50 nm ; et une largeur comprise entre 320 et 600 nm, par exemple 400 nm, pour la partie active du modulateur, c'est-à-dire l'ensemble comprenant les bandes 33 et 35, la couche d'interface isolante 43 et éventuellement la couche de silicium germanium 45.

Les figures 4A à 4C sont des vues de dessus dans le plan BB de la figure 3F illustrant des variantes du modulateur de phase électro-optique de la figure 3F.

Ces figures représentent les bandes 33 et 35 séparées par la couche d'interface isolante 43 et la couche optionnelle de silicium germanium 45, et bordées par l'isolant 55.

En figure 4A, comme en figure 2, la couche d'interface isolante 43 et la couche de silicium germanium 45 s'étendent de manière rectiligne dans la direction de propagation d'un faisceau laser dans le guide d'onde 41 du modulateur.

En figures 4B et 4C, les faces adjacentes des bandes 33 et 35, et donc les couches 43 et 45 intercalées entre ces faces adjacentes, présentent des ondulations dans la direction de propagation du faisceau laser. Ces ondulations ont une forme sinusoïdale en figure 4B et une forme de créneau en figure 4C. Ces ondulations peuvent également avoir d'autres formes, par exemple en dent de scie. Dans ces exemples, les ondulations sont périodiques. La période T des ondulations est alors choisie pour que le guide d'onde ait une réflectivité minimale lors de la propagation d'un faisceau laser d'une longueur d'onde donnée.

De manière avantageuse, la surface du condensateur constitué à partir des bandes 33 et 35 séparées l'une de l'autre par la couche d'interface isolante 43 augmente lorsque la couche d'interface isolante 43 présente des ondulations. Ainsi, pour une même tension appliquée au modulateur, la variation d'indice optique, et donc le déphasage en résultant, sera plus important dans un modulateur du type de celui des figures 4B et 4C que dans un modulateur du type de celui de la figure 4A.

Les modes de réalisation et les variantes décrits précédemment en relation avec les figures 2 à 4C pourront être modifiés par l'homme de l'art. En particulier, les types de conductivité des diverses couches, bandes, portions et régions indiqués précédemment pourront tous être inversés. Les dimensions indiquées à titre d'exemple pourront être adaptées à des technologies particulières. Dans le procédé décrit en relation avec les figures 3A à 3F, selon le type de gravure utilisée pour graver la cavité 73, les flancs de cette cavité 73 pourront être inclinés par rapport à une direction orthogonale à la face supérieure de la couche isolante 37, par exemple d'un angle pouvant aller jusqu'à 15°. Cet angle est de préférence choisi pour correspondre à l'angle de Brewster. L'ordre et le nombre des étapes du procédé décrit précédemment pourront être modifiés. On pourra prévoir une étape supplémentaire de siliciuration de la face supérieure des portions 59 et 63 avant la formation des contacts 49 et 53. Bien que l'on ait décrit un mode de réalisation d'un procédé dans lequel la cavité 67 est gravée avant la cavité 73 et avant la formation de la région 75 de silicium polycristallin, cette cavité 67 peut être gravée à d'autres étapes, par exemple après la formation de la région 75 de silicium polycristallin, avant ou après la gravure de la cavité 77 dans le silicium polycristallin. En outre, à l'étape illustrée par la figure 3C la couche d'interface isolante 43 peut n'être formée que sur les flancs de la cavité 73 par oxydation thermique de la couche de silicium monocristallin 65 ou de la couche de silicium germanium lorsque cette dernière est présente. On pourra également prévoir de remplacer la couche d'interface isolante 43 par un empilement de couches isolantes.

Bien que l'on ait décrit un procédé comprenant le dépôt de silicium sous forme polycristalline, on peut également prévoir de déposer du silicium sous forme amorphe puis de le recristalliser ultérieurement.

Claims (14)

1. REVENDICATIONS

   1. Modulateur de phase électro-optique (31) comprenant un guide d'onde (41) comportant, sur un support isolant (37), une bande de silicium monocristallin (33) et une bande de silicium polycristallin (35) de même épaisseur et dopées de types de conductivité opposés, lesdites bandes étant adjacentes et séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante (43), chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension (47, 51) couplée à un contact électrique (49, 53).
2. 2. Modulateur de phase selon la revendication 1, dans lequel les faces adjacentes desdites bandes (33, 35) sont ondulées.
3. 3. Modulateur de phase selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'extension (47, 51) de chacune des bandes (33, 35) comprend une première portion (57, 61) adjacente à la bande et moins épaisse que la bande.
4. 4. Modulateur de phase selon la revendication 3, dans lequel les premières portions (57, 61) ont sensiblement la même épaisseur.
5. 5. Modulateur de phase selon la revendication 3 ou 4, dans lequel chaque extension (47, 51) comprend une deuxième portion (59, 63) adjacente à la première portion (57, 61), de même épaisseur que les bandes (33, 35) et surmontée d'un contact électrique (49, 53).
6. 6. Modulateur de phase selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel une couche de silicium-germanium (45) est intercalée entre la couche d'interface isolante (43) et la bande de silicium monocristallin (33).
7. 7. Modulateur de phase selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche d'interface isolante (43) est de l'oxyde de silicium et a une épaisseur inférieure à 10 nm.
8. 8. Modulateur de phase selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel un isolant (55) revêt les bandes (33, 35) et les extensions (47, 51), l'indice optique de l'isolant et l'indice optique du support isolant (37) étant inférieurs à l'indice optique des bandes.
9. 9. Modulateur d'amplitude électro-optique comprenant un premier guide d'onde (3) se séparant en un deuxième guide d'onde (5) et un troisième guide d'onde (7), les deuxième et troisième guides d'onde se réunissant en un quatrième guide d'onde (9), l'un et/ou l'autre des deuxième et troisième guides d'onde comprenant un modulateur de phase électro-optique (31) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8.
10. 10. Procédé de fabrication d'un modulateur de phase électro-optique comprenant les étapes suivantes : a) prévoir une couche de silicium monocristallin (65) dopé d'un premier type de conductivité reposant sur un support isolant (37) ; b) graver une première cavité (73) traversant la couche de silicium monocristallin jusqu'au support isolant ; c) former une couche d'interface isolante (43) sur les flancs de la première cavité ; d) remplir la première cavité de silicium poly-cristallin (75) dopé du deuxième type de conductivité, jusqu'au niveau supérieur de la couche de silicium monocristallin ; e) définir une bande de silicium monocristallin (33) se prolongeant latéralement en une portion (57) moins épaisse en gravant une deuxième cavité (67) sur une partie de l'épaisseur de la couche de silicium monocristallin (65) ; f) définir une bande de silicium polycristallin (35), adjacente à la bande de silicium monocristallin (33) et se prolongeant latéralement en une portion (61) moins épaisse, en gravant une troisième cavité (77) sur une partie de l'épaisseur du silicium polycristallin ; g) remplir les deuxième et troisième cavités (67, 77) et recouvrir les bandes (33, 35) d'un isolant (55).
11. 11. Procédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel, la gravure de la deuxième cavité (67) et la gravure de la troisième cavité (77) sont arrêtées à un même niveau.
12. 12. Procédé de fabrication selon la revendication 10 ou 11, dans lequel l'étape d) comprend le dépôt d'une couche de silicium polycristallin suivie d'une étape de gravure aplanissante jusqu'à la surface supérieure de la couche de silicium monocristallin (65).
13. 13. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 10 à 12 comprenant, en outre, entre les étapes b) et c) , la formation d'une couche de silicium-germanium (45) sur les flancs de la première cavité (73) , par épitaxie à partir la couche de silicium monocristallin.
14. 14. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 10 à 13 comprenant, en outre, la formation à travers l'isolant (55) de contacts électriques (49, 53) couplés aux portions moins épaisses (57, 61).