FR3071103B1 - Pixel photosensible et capteur d'image associe - Google Patents

Abstract

Capteur d'image comprenant une matrice de pixels photosensibles associée à un dispositif à transfert de charges, chaque pixel comprenant une cellule photosensible apte à convertir des photons de lumière incidente en des charges libres et une cellule de stockage (ST) apte à stocker ces charges, le dispositif à transfert de charges acheminant les charges collectées vers un étage de lecture, chaque pixel comprenant deux électrodes (G21, G22) commandant le transfert des charges de la cellule de stockage vers un puits de potentiel (TRout), les deux électrodes étant des électrodes de commande de deux puits de potentiel disposés en série entre la cellule de stockage du pixel et le puits de potentiel, la première électrode étant commandée par une source de tension constante et la seconde électrode étant commandée par une source de tension périodique définissant l'instant et la durée de transfert des charges vers le puits de potentiel.

Description

La présente invention concerne les capteurs d’image comprenant des pixels photosensibles dans lesquels on collecte des charges de manière périodique, charges que l'on exploite ensuite en lecture le plus souvent grâce à un dispositif de transfert de charges (CCD en anglais). Plus particulièrement, l’invention concerne notamment des capteurs d’image dans lesquels on utilise un procédé nommé « ébasage » et/ou des capteurs d’image dans lesquels on prévoit une fonction anti-éblouissement (connue dans le métier sous le terme anglais « anti-blooming »).

Dans les capteurs d’image, on dispose une pluralité de pixels photosensibles chacun accumulant des charges libres (pendant un temps correspondant sensiblement à la période de trame image), en proportion du flux lumineux reçu, dans une cellule de stockage. Pour fixer les idées, la fréquence de trame image peut être considérée comprise entre 10 Hz et 100 Hz, c'est-à-dire entre 10 images par seconde et 100 images par seconde, sans exclure pour autant les caméras vidéo rapides. À la fin d'une période d'exposition image donnée, les charges collectées dans la cellule de stockage sont transférées en aval vers le dispositif à transfert de charges, et ceci est réalisé par l'ouverture d'une porte formée par une électrode qui commande un niveau de puits de potentiel. À la fin de cette phase de transfert, l’électrode est commandée à nouveau à un niveau de blocage, et on peut procéder alors à la captation de l'image suivante.

Toutefois, il s'avère que lorsque l’on veut contrôler finement la tension de commande de l'électrode en question pour le transfert de charges vers l’aval, la répétabilité d'une image à l'autre est imparfaite, ce qui pose notamment un problème de manque de précision lorsque le dispositif vidéo utilisant ces images travaille en différentiel, c'est-à-dire surveille les écarts entre les images consécutives.

Par ailleurs, lorsque l’on veut contrôler finement la tension de commande de l'électrode en question pour une fonction ébasage, cela se fait au détriment de la performance anti-éblouissement.

Les inventeurs ont par conséquent identifié un besoin de proposer des solutions d'amélioration. À cet effet, il est proposé, selon un premier aspect de l’invention, un capteur d’image comprenant une matrice de pixels photosensibles associée à un dispositif à transfert de charge, chaque pixel photosensible comprenant une cellule photosensible apte à convertir des photons de lumière incidente en des charges libres et au moins une cellule de stockage apte à stocker les charges générées par la cellule photosensible, le dispositif à transfert de charges étant destiné à acheminer les charges collectées par la cellule de stockage vers un étage de lecture dans lequel les charges acheminées sont converties en une tension représentative du nombre de charges, caractérisé en ce que chaque pixel photosensible comprenant deux électrodes aptes à commander le transfert des charges de la cellule de stockage du pixel photosensible vers un puits de potentiel d’un dispositif à transfert de charges, les deux électrodes étant des électrodes de commande de deux puits de potentiel disposés en série entre la cellule de stockage du pixel photosensible et le puits de potentiel du dispositif à transfert de charge, la première électrode étant commandée par une source de tension constante et la seconde électrode étant commandée par une source de tension périodique définissant l’instant et la durée de transfert des charges vers le puits de potentiel du dispositif à transfert de charge.

Grâce à ces dispositions, la première électrode peut être commandée en niveau avec précision, alors que la deuxième électrode est commandée en mode tout ou rien comme un interrupteur ; ceci permet, en découplant l'aspect temporel de l'aspect recherche de précision de niveau de commande, d'obtenir un niveau d’ébasage très précis et répétable d'une image à l'autre, tout en maîtrisant parfaitement le timing de la séquence de transfert vers l'aval des charges accumulées.

Dans divers modes de réalisation de l’invention, on peut éventuellement avoir recours en outre à l’une et/ou à l’autre des dispositions suivantes : • la première électrode est interposée entre la cellule de stockage du pixel photosensible et la seconde électrode ; ainsi l'électrode commandée précisément à un niveau désiré (la première) précède l'électrode en mode type interrupteur dans l'écoulement des charges de la cellule de stockage vers un puits de potentiel en sortie ; • la première électrode fixe un niveau d’ébasage d’une quantité de charges transférées depuis la cellule de stockage du pixel photosensible vers le puits de potentiel du dispositif à transfert de charge ; moyennant quoi il est possible d'éliminer une quantité précise de charges accumulées à chaque image, cette quantité de charges ne représentant pas d'information significative, • ledit niveau d’ébasage peut être déterminé en fonction de l’éclairement moyen reçu sur la cellule photosensible sur plusieurs images consécutives ; il est ainsi possible d'adapter le niveau d’ébasage de manière contextuelle en vis-à-vis de l'éclairage ambiant ; • la seconde électrode peut avantageusement former une barrière antiéblouissement ; cette électrode étant commandée en tout ou rien, à l'état bloqué elle forme une barrière élevée qui s'oppose efficacement à l'écoulement d'un trop-plein de charges dans la cellule de stockage ; • la cellule photosensible peut être une photodiode et le pixel photosensible comprend un transistor à effet de champ compris entre la cellule de stockage et la cellule photosensible ; moyennant quoi il est possible d'amplifier le signal lumineux reçu ; • la cellule photosensible peut être un photosite ; ce qui forme une solution particulièrement simple ; • le pixel photosensible peut comprendre en outre un dispositif d’injection de charges apte à injecter les charges produites par la cellule photosensible dans la cellule de stockage à un instant déterminé et sur une durée déterminée de manière répétitive, ladite durée déterminée étant inférieure au temps d’acquisition de la cellule photosensible ; moyennant quoi il est possible de maîtriser le temps d'ouverture d'exposition à l'intérieur du temps de trame image ; • le pixel photosensible peut comprendre une cellule photosensible, quatre cellules de stockage et quatre dispositifs d’injection de charge, chacun des dispositifs d’injection de charge définissant l’instant et la durée d’injection de charges dans la cellule de stockage associée ; cet agencement est en particulier utilisé pour les caméras 3D dites caméras « Time of flight ». D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description suivante donnée à titre d'exemple non limitatif, en regard des dessins joints, sur lesquels : - la figure 1 représente d'une manière schématique le fonctionnement d’un capteur d’image comprenant un dispositif à transfert de charge (CCD) à transfert interligne, - les figures 2A et 2B représentent de manière schématique un pixel photosensible selon l’invention, avec respectivement un photosite MOS à électrode transparente et un montage à photodiode, - les figures 3Aet 3B illustrent de manière schématique selon l’invention le mode de fonctionnement d’un pixel photosensible pourvu d’une double grille de transfert pour transférer les charges accumulées vers l'aval, - la figure 4 illustre un premier exemple de réalisation d’un capteur d’image comprenant un pixel photosensible pourvu d’une double grille de transfert, - la figure 5 illustre un exemple de réalisation d’un pixel photosensible pourvu d’une double grille de transfert selon un second mode de réalisation, - la figure 6 montre un chronogramme illustrant le timing de commande des deux électrodes de sortie du pixel photosensible, - la figure 7 est analogue aux figures 3A-3B et illustre un mode complémentaire de réalisation.

Sur les différentes figures, les mêmes références désignent des éléments identiques ou similaires. Pour des raisons de clarté de l'exposé, certains détails ne sont pas représentés à l'échelle.

La figure 1 représente un capteur d’image 9 comprenant une matrice de i*j pixels photosensibles Px associée à un dispositif à transfert de charges. Le dispositif à transfert de charges, couramment appelé CCD pour « Charge Coupled Device » en anglais, permet de transférer les charges générées par les pixels photosensibles Px vers un étage de lecture Rout, dans lequel les charges transférées sont converties en une tension. Cette tension générée est ensuite utilisée pour coder une image selon des moyens connus de l’homme du métier, de manière analogique ou numérique. Les charges sont par exemple converties à l’aide d’une diode flottante.

Dans le mode de réalisation décrit ici, les charges générées par le pixel photosensible Px (iPx, jPx) sont transférées à l’un des éléments du dispositif à transfert de charges adjacents correspondant à un puits de potentiel commandable électriquement. Les charges ainsi récoltées sont ensuite transférées de proche en proche verticalement au sein d’un registre à décalage vertical SRv jusqu’à atteindre un puits de potentiel commandable électriquement d’un registre à décalage horizontal SRh.

Le mode de réalisation décrit ici correspond à un dispositif à transfert de charges à transfert interligne. Il existe par ailleurs d’autres types de dispositifs à transfert de charges composés d’une matrice de puits de potentiels, dont certains des puits de potentiels du dispositif à transfert de charge sont formés par des photosites.

Dans le mode de réalisation décrit ici, chaque registre à décalage vertical SRv se trouve entre deux colonnes de pixels photosensibles Px. Les charges générées par les pixels photosensibles Px sont associées à un puits de potentiel d’un registre à décalage vertical SRv correspondant. Dans une variante de réalisation, chaque puits de potentiel du registre à décalage vertical SRv est apte à recevoir des charges provenant de pixels photosensibles Px situés de part et d’autre de ce puits de potentiel. Dans cette variante de réalisation, un registre à décalage vertical SRv est suivi de deux colonnes de pixels photosensibles Px.

Les charges accumulées dans la cellule de stockage ST sont ensuite transférées à un instant défini par une grille de transfert 2 vers l’étage de lecture Rout, par exemple via le registre à décalage vertical SRv et le registre à décalage horizontal SRh du dispositif à transfert de charges comme décrit précédemment en référence à la figure 1.

Les figures 2A2B représentent de manière schématique un pixel photosensible Px. Au sens de l’invention, un pixel photosensible Px comprend une cellule photosensible PH et au moins une cellule de stockage ST, qui peuvent être distinctes ou confondues.

Sur la figure 2A une électrode transparente notée G3 est commandée pour fournir un puits de potentiel disponible pour loger des électrons qui y sont amenés par l'interaction des photons reçus comme connu en soi et non détaillé ici. Dans ce cas, il y a donc identité de lieu entre la cellule photosensible PH et la cellule de stockage, on appelle cela un « photosite ». Le photosite est formé par un empilement de couches Métal Oxyde Semi-conducteur (appelé par la suite structure MOS) recouvert d’une électrode transparente. Les photons de lumière arrivant sur le photosite sont convertis en charges qui sont directement stockées dans le photosite. En effet, la structure MOS joue également le rôle d’un puits de potentiel dont la profondeur est commandée par le potentiel électrique appliquée sur l’électrode G3.

La cellule photosensible PH peut être alternativement formée par une photodiode.

Selon une autre configuration illustrée à la figure 2B, les photons sont retenus par une photodiode D-ln disposée en série avec un transistor à effet de champ commandé par une grille notée Ginj qui dirige les électrons vers une capacité de stockage qui forme la cellule de stockage ST. Généralement, la cellule photosensible PH est donc prévue pour convertir des photons de lumière incidente en des charges libres.

Les figures 3A 3B illustrent de manière schématique le mode de fonctionnement d’un capteur d’image comprenant un pixel photosensible Px pourvu d’une double grille de sortie. On entend ici par « grille de sortie » des éléments qui se trouvent juste en aval de la cellule de stockage ST.

Les figures 3A et 3B illustrent de manière schématique le mode de fonctionnement d’un capteur d’image comprenant un pixel photosensible Px, du type photosite, pourvu d’une double grille de transfert, qui forme l’étage de sortie de la cellule de stockage.

Le dispositif de transfert 2 vers la sortie comprend deux électrodes G21, G22 aptes à commander l'évacuation, totale ou partielle, des charges stockées dans la cellule de stockage ST vers le puits de potentiel TRout d’un dispositif à transfert de charges CCD.

La profondeur du puits de potentiel formé par la cellule de stockage ST est commandée par le niveau de tension de l’électrode de commande G3.

Les deux électrodes G21, G22, aussi appelée grilles de transfert, permettent de contrôler deux puits de potentiel disposés en série pour le transfert des charges de la cellule de stockage ST vers le puits de potentiel TRout. Le transfert des charges de la cellule de stockage ST vers l’étage de lecture intervient à la fin de la pause image, comme ceci est illustré à la figure 6 (ligne « G22 »).

Le transfert se produit à une fréquence de trame F_lm (c'est-à-dire 1/T_lm) de l’ordre de 10 à 100 Hz, toutefois, il n'est pas exclu d'utiliser le dispositif et le procédé associé présentés ici pour des caméras vidéo rapides qui présentent des fréquences d'images supérieures, voire très supérieures. Il faut noter ici que plus les commutations sont rapides, plus l'influence des capacités parasites devient gênante et affecte la précision de répétabilité des signaux de commande.

Il est aussi prévu une fonction de remise à zéro (RAZ) de la cellule de stockage ST. Cette fonction de remise à zéro est activée juste après le transfert des charges vers le puits de potentiel du CCD comme illustré à la ligne du bas sur la figure 6. La remise à zéro est effectuée en commandant le transistor noté RAZ et en annulant simultanément le potentiel précédemment créé à l'électrode G3.

Plus en aval, les charges accumulées sont dirigées vers l’étage de lecture Rout par l’intermédiaire des registres à décalage verticaux SRv et horizontaux SRh du dispositif à transfert de charges. Les charges accumulées y sont ensuite converties en tension. On peut ensuite effectuer des traitements numériques, à l’aide d’un circuit FPGA, pour identifier des variations significatives constatées dans les images captées (mode différentiel utilisé par exemple en mode vidéosurveillance) ou pour extraire dans les images des contours particuliers représentatifs de la présence par exemple d'un visage (fonction appareil photo intelligente) ou d'un objet cible en particulier, ou encore pour effectuer un comptage d'items ou d’individus.

Dans une variante de réalisation non représentée aux figures, les charges accumulées par la cellule de stockage ne sont pas transférées vers l’étage de lecture Rout à l’aide d’un dispositif à transfert de charge généralisé, mais chaque cellule de stockage est reliée à son propre étage de lecture intégré au pixel, qui forme alors l'espace de sortie TRout.

Par analogie avec un système d’écoulement hydraulique, les électrodes G21, G22 correspondent à des vannes ou des robinets permettant de régler le déversement d’un fluide provenant d’un bassin ST vers un espace de sortie TRout, l’électrode G4 permettant de déverser le contenu de TRout plus en aval.

Dans un mode de réalisation, le bassin TRout correspond à un puits de potentiel d’un registre à décalage vertical du dispositif de transfert de charges.

Dans une variante de réalisation, le bassin TRout correspond à une diode flottante permettant de convertir les charges accumulées par la cellule de stockage ST en une tension. L’électrode G21 correspond à un robinet précis pour régler le débit de fluide s’écoulant vers le bassin ST et l’électrode G22 correspond à une vanne à boule, pouvant être ouverte et refermée rapidement, et avec une section de passage très supérieure à celle du robinet de réglage de débit. On remplace donc un robinet qui a du mal à être précis en commutant rapidement par un robinet précis et une vanne s’ouvrant et se refermant rapidement.

Le transfert des charges depuis la cellule de stockage ST est donc fiabilisé et se fait de manière reproductible permettant de réduire ainsi significativement le rapport signal sur bruit sur le signal ébasé.

Dans la figure 3A, l’électrode G22 bloque le transfert des charges depuis la cellule de stockage ST, et forme ainsi une barrière anti-éblouissement (« anti-blooming ») avantageusement efficace.

Dans la figure 3B, l’électrode G22 permet le transfert des charges depuis la cellule de stockage ST vers le puits de potentiel TRout, sous condition du niveau d’ébasage Ebas.

La figure 4 illustre un premier exemple de réalisation d’un capteur d’image comprenant un pixel photosensible Px pourvu d’un dispositif de transfert de charges selon l’invention. Dans cet exemple de réalisation, la cellule photosensible PH est formée par un photosite PHSI associé à un dispositif à transfert de charges 2. Comme évoqué précédemment, le photosite PHSI et les différents puits de potentiel formant les cellules de stockage ST et les registres à décalage SRv et SRh sont fondés sur une structure CMOS.

Dans l’exemple de réalisation décrit ici, la structure CMOS comporte une première couche de substrat semi-conducteur 3, typiquement du silicium dopé P, sur lequel on a ajouté une couche 4 du même substrat semi-conducteur dopé N. Puis une couche d’oxyde isolante électriquement 5 et enfin des électrodes G3, G21, G22, et G4. La structure CMOS comprend également une couche isolante 6 en Oxyde de Silicium (SiO2) visant à empêcher aux charges générées par le photosite de déborder sur un autre pixel photosensible Px.

Les électrodes G3 et G4 sont destinées à commander les profondeurs des puits de potentiel formés dans le photosite PHSI (ici la cellule de stockage ST) et le puits de potentiel du registre à décalage vertical SRv adjacent, respectivement.

Les électrodes G21, G22 de la grille de transfert sont destinées à commander sélectivement le passage des charges depuis la zone sous l'électrode G3 jusqu'à la zone sous l'électrode G4.

De manière connue, le transfert de charges entre deux puits de potentiel se fait en abaissant la barrière de potentiel de la structure CMOS entre les deux puits de potentiel. D’une certaine manière, on peut considérer que les zones sous les électrodes G21 et G22 sont également des puits de potentiel dont les barrières de potentiel se chevauchent. Cependant, les potentiels appliqués à certains instants sur ces électrodes visent à favoriser le transfert des charges d’un puits de potentiel à un autre en faisant varier la barrière de potentiel entre les puits de potentiel. Les électrodes G21, G22 et G4 ne sont donc pas nécessairement planes et peuvent être de forme adaptée et partiellement se chevaucher afin de former un gradient de potentiel au sein de la structure facilitant le transfert de charges d’un puits de potentiel à un autre. L’électrode G3 est transparente afin de permettre aux photons de lumière incidente de pouvoir pénétrer le photosite. Les électrodes G21, G22 sont opaques à la lumière afin d’éviter la génération de charges au sein de puits de potentiels.

La première électrode G21 est connectée à une source de tension constante d’une amplitude par exemple de l’ordre de 2V et permet d’abaisser localement de manière fiabilisée une partie de la barrière de potentiel présente entre la cellule de stockage ST et l'espace de sortie TRout. Dans la présente description, on entend par tension constante une tension n’évoluant pas pendant le temps d’acquisition d’une image, mais qui peut toutefois évoluer au fil de l'acquisition des images.

La tension de la première électrode G21 est de préférence établie avec une très bonne précision, c'est-à-dire de l'ordre de 0,01 % ; le circuit de polarisation utilise des composants passifs ajustés (trimmés au laser, par exemple). Grâce à cela, on améliore la performance en termes de rapport signal sur bruit (SNR) d'un facteur 3 à un facteur 10.

La première électrode G21 matérialise un niveau d’ébasage souhaité. Par exemple, il peut s'agir d'évacuer un bruit de fond ou une fuite intrinsèque. Selon un autre exemple, ce niveau permet d'éliminer une composante quasi-continue d’éclairement pour ne s'intéresser qu'à une composante variable, c'est-à-dire à en mode différentiel.

La seconde électrode G22 est connectée à une source de tension périodique et permet d’abaisser ou de relever localement l’autre partie de la barrière de potentiel présente entre la cellule de stockage et le puits de potentiel TRout. La tension de la seconde électrode G22 est établie avec une précision moindre que celle de la première électrode G21, de préférence de l'ordre de 1 % comme connu en soi.

Puisque cette électrode G22 est commandée en tout ou rien, le niveau de blocage (illustré à la figure 3A) peut être bien maîtrisé ce qui augmente les performances d'anti-éblouissement de ce montage ; en effet, l'efficacité d'une telle barrière évite qu’un trop-plein de charges ne déborde dans la cellule TRout d'une part, pendant le temps d'acquisition de l'image, mais aussi, d'autre part, pendant le défilement des charges capturées dans les cellules voisines qui circulent dans le registre à décalage vertical SRv au moment du déchargement de l'image.

En utilisant deux électrodes différentes, l’une pour définir de manière précise une barrière de potentiel, et l’autre avec une fréquence de variation élevée pour commander temporellement l’instant et la durée d’injection, le transfert des charges est fiabilisé par rapport aux dispositifs de l’art antérieur ne comprenant qu’une électrode. En effet, avec un dispositif de l’art antérieur à une électrode, le niveau de la barrière de potentiel d’ébasage n’était pas stable (peu répétable d’une commande à l’autre en raison de l'influence des capacités parasites) et le nombre de charges transférées depuis la cellule de stockage pouvait varier d’un cycle à l’autre (à iso conditions d'éclairage). Selon l’invention, bien que le niveau de la barrière de potentiel sous l’électrode G22 ne soit pas stable, cette barrière de potentiel n’a pas d’influence sur la quantité de charges transférées vers la cellule de sortie TRout.

La figure 5 illustre un second exemple de réalisation d’un capteur d’image comprenant un pixel photosensible Px pourvu d’un dispositif d’injection de charges selon l’invention. Dans cet exemple de réalisation, la cellule photosensible PH est formée par une photodiode D_ln. De telles photodiodes sont utilisées lorsque l’on travaille avec des longueurs d’ondes autres que celles accessibles à l’aide d’une structure telle que celle décrite précédemment, par exemple. Elles peuvent aussi être utilisées lorsque l’on souhaite amplifier le nombre de charges produites par la photodiode à l’aide d’un transistor.

Le pixel photosensible Px se compose d’une photodiode D_ln à laquelle on associe un transistor G1 d'injection des charges dans la cellule de stockage, une cellule de stockage ST et, en aval, deux transistors à effet de champ T21, T22 mis bout à bout. La cellule de stockage est formée par un condensateur. Les transistors T21, T22 correspondent aux fonctions des électrodes G21 G22 mentionnées ci-dessus.

Dans cet exemple de réalisation, chaque pixel photosensible Px comporte son propre étage de lecture apte à convertir les charges en tension et à calculer le décalage temporel.

Le pixel photosensible Px présente également un transistor Reset connecté sur la cellule de stockage ST et permettant d’évacuer les charges qui ne sont pas destinées à être stockées dans la cellule de stockage ST et/ou de remettre à zéro le condensateur de la cellule de stockage ST entre deux trames images.

Le transistor G1 est relié à la cathode de la photodiode D_ln et le drain du transistor G1 est relié à la cellule de stockage ST.

Le transistor T21 est relié à la cellule de stockage ST et le drain du transistor T21 est relié à la source du transistor T22. Le drain du transistor T22 est relié à la cellule de sortie.

Comme décrit précédemment, la première électrode G21 est connectée à une source de tension constante d’une amplitude, par exemple, de l’ordre de 2V et permet de définir le taux d’injection des charges. La seconde électrode G22 est connectée à une source de tension périodique définissant l’instant et la durée de transfert des charges dans la cellule de sortie d’une amplitude de 1V.

La figure 7 illustre en complément des figures 3A et 3B un dispositif de double grille G11 G12 au niveau de l'injection des charges depuis le photosite PH à destination de la cellule de stockage ST.

Comme pour le cas de la double grille en sortie, il est prévu entre le photosite PH et la cellule de stockage ST un dispositif d'injection de charges avec deux électrodes pour commander respectivement deux puits de potentiel disposés en série entre le photosite PH et la cellule de stockage ST.

Dans un cas particulier des caméras dites « Time of flight » (« temps de vol » en Français), il est prévu quatre cellules de stockage et quatre dispositifs d’injection de charge, chacun des dispositifs d’injection de charge définissant l’instant et la durée d’injection de charges dans la cellule de stockage associée.

Claims (7)

1. REVENDICATIONS

   1. Capteur d’image (9) comprenant une matrice de pixels photosensibles (Px) associée à un dispositif à transfert de charge (CCD), chaque pixel photosensible (Px) comprenant une cellule photosensible (PH) apte à convertir des photons de lumière incidente en des charges libres, et au moins une cellule de stockage (ST) apte à stocker les charges générées par la cellule photosensible (PH), le dispositif à transfert de charges (CCD) étant destiné à acheminer les charges collectées par la cellule de stockage (ST) vers un étage de lecture dans lequel les charges acheminées sont converties en une tension représentative du nombre de charges, chaque pixel photosensible (Px) comprenant deux électrodes (G21, G22) aptes à commander le transfert des charges de Sa cellule de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) vers un puits de potentiel (TRout) d’un dispositif à transfert de charges (CCD), les deux électrodes (G21, G22) étant des électrodes de commande de deux puits de potentiel disposés en série entre ia ceiîule de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) et le puits de potentiel (TRout) du dispositif à transfert de charge (CCD), ia première éiectrode (G21) définissant une barrière de potentiel et étant commandée par une source de tension constante et la seconde électrode (G22) étant commandée par une source de tension périodique définissant l’instant et ia durée de transfert des charges vers le puits de potentiel du dispositif à transfert de charge, caractérisé en ce que la première éiectrode (G21) fixe un niveau d’ébasage (Ebas) d’une quantité de charges transférées depuis la ceiluie de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) vers le puits de potentiel (TRout) du dispositif à transfert de charge (CCD), déterminé en fonction de l’éclairement moyen reçu sur ia cellule photosensible (PH) sur plusieurs images consécutives.
2. 2. Capteur d’image selon Sa revendication 1, caractérisé en ce que la première électrode (G21) est interposée entre Sa cellule de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) et la seconde électrode (G22).
3. 3. Capteur d’image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde électrode (G22) forme une barrière anti-éblouissement.
4. 4. Capteur d’image selon ia revendication 1, caractérisé en ce que la cellule photosensible (PH) est une photodiode, et en ce que le pixel photosensible (Px) comprend un transistor à effet de champ compris entre la cellule de stockage (ST) et la cellule photosensible (PH).
5. 5. Capteur d’image selon Sa revendication 1, caractérisé en ce que la cellule photosensible (PH) est un photosite.
6. 6. Capteur d’image selon la revendication 1, caractérisé en ce que le pixel photosensible (Px) comprend en outre un dispositif d’injection de charges apte à injecter les charges produites par la cellule photosensible (PH) dans la cellule de stockage (ST) à un instant déterminé et sur une durée déterminée de manière répétitive, ladite durée déterminée étant inférieure au temps d’acquisition de la cellule photosensible (PH).
7. 7. Capteur d’image selon la revendication 6, caractérisé en ce que le pixel photosensible (Px) comprend une cellule photosensible (PH), quatre cellules de stockage (ST) et quatre dispositifs d’injection de charge, chacun des dispositifs d’injection de charge définissant l’instant et la durée d’injection de charges dans la cellule de stockage (ST) associée.