FR3043248A1 - Procede d'elimination de defauts dans un film semiconducteur comprenant la formation d'une couche de piegeage d'hydrogene - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé de traitement d'un film mince (1) transféré d'un substrat donneur vers un substrat récepteur par fracture au niveau d'une zone du substrat donneur fragilisée par implantation ionique d'hydrogène, le procédé comprenant une étape d'amincissement du film mince transféré (1) pour éliminer une région de défauts résiduels (11) induits par l'implantation ionique d'hydrogène, et étant caractérisé en ce qu'il comprend, directement après la fracture et avant l'étape d'amincissement du film mince transféré, une étape de formation d'une couche de piégeage d'hydrogène (13) dans la région de défauts résiduels du film mince transféré (1). Un traitement thermique peut être mis en œuvre après formation de la couche de piégeage d'hydrogène et avant amincissement du film mince.
Description
PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE DÉFAUTS DANS UN FILM SEMICONDUCTEUR COMPRENANT LA FORMATION D'UNE COUCHE DE PIÉGEAGE D'HYDROGÈNE
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE
Le domaine de l'invention est celui de la fabrication de substrats semi-conducteurs. L'invention concerne plus particulièrement les traitements de finition appliqués à un film mince transféré sur un substrat receveur conformément au procédé Smart Cut™, lesdits traitements ayant pour objectif d'éliminer une région de défauts résiduels induits par l'implantation ionique mise en oeuvre dans ce procédé.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE
La technologie Smart Cut™ permet le détachement d'un film mince depuis un substrat donneur et son transfert sur un substrat receveur par la mise en œuvre des étapes suivantes : bombardement ionique d'une face du substrat donneur avec des espèces gazeuses (hydrogène et/ou gaz rares) en une concentration suffisante pour créer une couche de microcavités enterrée dans le substrat donneur, à une profondeur qui dépend principalement de l'énergie d'implantation (pour un substrat et une espèce implantée donnés) ; mise en contact intime de cette face du substrat donneur avec un substrat receveur, par exemple par adhésion moléculaire ; et fracture au niveau de la couche de microcavités enterrée, par l'application d'un traitement thermique et/ou d'une contrainte mécanique.
Après fracture, on obtient d'une part un substrat composite constitué d'un film mince (dont l'épaisseur correspond à la profondeur de la couche de microcavités enterrée dans le substrat donneur) reporté sur le substrat receveur, et d'autre part le reliquat du substrat donneur.
Des traitements de finition du substrat composite sont par la suite classiquement mis en œuvre. Ces traitements comprennent typiquement les étapes suivantes : un polissage mécano-chimique qui permet d'ajuster finement l'épaisseur du film mince transféré tout en éliminant les défauts et/ou espèces gazeuses résiduels induits par l'implantation et situés à proximité de la surface fracturée. Ce polissage permet par ailleurs de recouvrer une excellente qualité de surface, typiquement un lissage à l'échelle atomique ; un traitement thermique, en général à haute température (dans la gamme des 200 °C à 1100 °C), qui permet à la fois de consolider l'interface de collage (en particulier dans le cas de l'adhésion moléculaire) et d'éliminer les défauts et/ou espèces gazeuses résiduels éventuellement présents dans le volume du film mince transféré ; un nettoyage qui vise à éliminer les particules et la contamination métallique induites par les étapes précédentes. Certains nettoyages peuvent aussi être spécifiques à l'application, par exemple pour réaliser une passivation de surface permettant d'exécuter une opération ultérieure d'épitaxie.
Dans le cas de certains substrats donneurs implantés en hydrogène, notamment ceux de Si, Ge ou de GaN, la région de défauts résiduels après fracture est située à proximité immédiate de la surface, typiquement jusqu'à une profondeur inférieure à 100 nm sous la surface fracturée. Par ailleurs le traitement thermique entraîne une exo-diffusion de l'hydrogène résiduel, principalement à travers la surface de fracture, qui est ainsi éliminé du film transféré. Les traitements de finition n'entraînent alors pas la formation de nouveaux défauts.
Dans d'autres cas néanmoins, par exemple pour des films d'InP, de GaAs ou d'alliages {In, P, Ga, As}, on observe après fracture une quantité d'hydrogène résiduel importante et très étendue. Cette zone dite « riche en hydrogène » s'étend depuis la surface fracturée jusqu'à une profondeur qui peut correspondre dans certains cas à 60% voire à 90% de l'épaisseur du film transféré. La concentration en hydrogène dans cette zone riche en hydrogène peut être supérieure à 2.1020ions/cm3.
Compte-tenu de l'épaisseur de cette zone riche en hydrogène, il n'est pas toujours possible de l'éliminer totalement par amincissement du film transféré (par exemple par polissage), l'épaisseur restante étant effectivement trop faible et/ou inadaptée pour les applications visées. Or l'hydrogène résiduel présent dans les films après fracture peut, lors d'un recuit ultérieur de consolidation de l'interface de collage à une température supérieure à 300 °C, diffuser et venir se piéger au niveau de l'interface de collage. La présence d'hydrogène à l'interface de collage peut alors entraîner des détachements microscopiques suffisamment importants entre le film mince transféré et le substrat récepteur pour provoquer la formation de cloques en surface des films transférés.
Sur les figures la et lb qui illustrent cette problématique, la figure la représente plus particulièrement la concentration en hydrogène [H] en fonction de la profondeur Pf au sein d'un film transféré d'InP de 780 nm d'épaisseur pour différents cas de figure. La figure la représente plus précisément des profils obtenus par spectrométrie de masse à ionisation secondaire qui permet de mesurer la quantité d'hydrogène interstitiel (« dilué » dans la maille cristalline du substrat) mais pas l'hydrogène moléculaire (sous forme gazeuse H2).
La courbe A illustre ainsi la concentration en hydrogène, mesurée directement après la fracture. La surface S du film se trouve à la profondeur « 0 nm » et la zone riche en hydrogène correspond globalement à 70 % de l'épaisseur du film.
La courbe B représente quant à elle la concentration en hydrogène après réalisation de traitements de finition comprenant un polissage mécano-chimique d'une épaisseur de 400 nm pour obtenir l'épaisseur finale souhaitée d'InP de 380 nm (la surface du film aminci se trouve ainsi à la profondeur « 400 nm » sur la figure la) et un recuit à 600 °C réalisé pour consolider le collage.
La zone hachurée QHr représente de manière schématique la quantité d'hydrogène résiduel éliminée du film transféré par le recuit à 600 °C. On constate que cet hydrogène résiduel n'exo-diffuse pas complètement par la surface libre du film, mais qu'au moins une partie vient se piégera l'interface de collage le.
Cette présence d'hydrogène à l'interface de collage, sous forme gazeuse, conduit à la formation de cloques en surface du film transféré comme en atteste la microphotographie reproduite en figure lb.
EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention a pour objectif d'améliorer la qualité des films minces obtenus par transfert selon le procédé Smart Cut™, et vise plus particulièrement à éviter la formation de cloques en surface de tels films minces consécutive d'une quantité résiduelle d'hydrogène après fracture importante et étendue. A cet effet, l'invention propose un procédé de traitement d'un film mince transféré d'un substrat donneur vers un substrat récepteur par fracture au niveau d'une zone du substrat donneur fragilisée par implantation ionique d'hydrogène, le procédé comprenant une étape d'amincissement du film mince transféré pour éliminer une région de défauts résiduels, et étant caractérisé en ce qu'il comprend, directement après la fracture et avant l'étape d'amincissement du film mince transféré, une étape de formation d'une couche de piégeage d'hydrogène dans la région de défauts résiduels du film mince transféré, l'amincissement s'étendant au moins depuis la surface du film mince jusqu'à la couche de piégeage d'hydrogène.
Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants : la formation de la couche de piégeage d'hydrogène comprend l'introduction d'une substance dans le film mince transféré choisie par exemple parmi Li, B, C, N, F, Si, P et S; l'introduction de la substance de piégeage d'hydrogène dans le film mince transféré est réalisée par implantation ionique ; il comprend, entre l'étape de formation de la couche de piégeage d'hydrogène et l'étape d'amincissement du film mince transféré, une étape de traitement thermique appliqué au film mince transféré sur le substrat récepteur ; l'étape de traitement thermique est réalisée à une température comprise entre 300°C et 700°C ; l'étape de traitement thermique est réalisée sous une atmosphère dépourvue d'hydrogène ; l'étape d'amincissement du film mince transféré comprend un retrait de la couche de piégeage d'hydrogène ; l'étape d'amincissement du film mince transféré comprend un polissage mécano-chimique ; le film transféré est réalisé en un ou plusieurs matériaux choisis parmi InP ou GaAs ou un alliage à base des matériaux suivants In, P, Ga, As.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels, outre les figures la et lb déjà discutées précédemment : - les figures 2a-2d sont des schémas illustrant les différentes étapes d'un mode de réalisation possible du procédé selon l'invention ; - la figure 3 est un schéma comparant la concentration en hydrogène dans la profondeur d'un film transféré selon différents traitements appliqués après fracture ; - les figures 4a et 4b sont des microphotographies illustrant l'état de surface d'un film mince transféré selon que l'invention est ou non mise en oeuvre ; - la figure 5 est un autre schéma comparant la concentration en hydrogène dans la profondeur d'un film transféré selon différents traitements appliqués après fracture.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS L'invention a pour objet un procédé de traitement de finition d'un film mince transféré sur un substrat receveur conformément au procédé Smart Cut™ par fracture au niveau d'une zone d'un substrat donneur fragilisée par implantation ionique d'hydrogène.
Le procédé selon l'invention fait ainsi suite à des opérations consistant à former par implantation ionique d'hydrogène une zone fragilisée dans le substrat donneur, à mettre en contact intime le substrat donneur et le substrat receveur, par exemple par collage direct (i.e. sans couche de collage), et à fracturer le substrat donneur au niveau de la zone fragilisée, par exemple par application d'un traitement thermique accompagné ou non de contraintes mécaniques.
En référence à la figure 2a, immédiatement après fracture, le film mince transféré 1 présente une région 11 de défauts résiduels induits par l'implantation ionique d'hydrogène (région généralement qualifiée de « riche en hydrogène ») qui s'étend en profondeur depuis la surface fracturée. Le film mince transféré 1 comprend ainsi la région de défauts résiduels 11 et une région 12, globalement dénuée de tels défauts structurels, qui s'étend entre la région de défauts structurels 11 et le substrat receveur 2.
Sans que cela soit pour autant limitatif, l'invention trouve avantageusement application aux traitements de finition de substrats composites comportant un film mince superficiel en un matériau X transféré par Smart Cut™ sur un substrat récepteur en un matériau Y, au moyen d'une implantation d'hydrogène, d'un collage direct (i.e. sans couche de collage) et d'un traitement de fracture thermique (assisté ou non de contraintes mécaniques). Les matériaux X et Y sont par exemple InP ou GaAs ou un alliage à base d'{ln, P, Ga, As} ou un empilement de ces matériaux.
Le procédé selon l'invention comprend une étape qui consiste à former au sein de la région de défauts résiduels 11 une couche de piégeage d'hydrogène 13. Cette couche de piégeage va notamment permettre d'éviter que l'hydrogène présent se concentre au niveau de l'interface de collage. La création de cette couche de piégeage est mise en oeuvre immédiatement après fracture du substrat donneur en ce sens qu'aucun budget thermique qui entraînerait la migration de l'hydrogène vers l'interface de collage n'est appliqué entre ces deux étapes.
Cette étape de formation de la couche de piégeage d'hydrogène 13 est représentée sur la figure 2b. Elle comprend l'introduction d'une substance dans le film mince transféré, par exemple au moyen d'une implantation ionique Bi de ladite substance à travers la surface du film mince transféré 1. Ladite substance est introduite en une concentration suffisante pour créer une couche de piégeage dans la région riche en hydrogène 11 (cette région pouvant même s'amorphiser pour de fortes concentrations implantées). La capacité de piégeage de cette couche 13 peut résulter de la capacité de piégeage de la substance implantée elle-même et/ou des défauts liés à l'implantation de cette substance. Elle peut s'accompagner, notamment lorsque cette couche de piégeage s'étend depuis la surface fracturée, d'une capacité à faciliter l'exo-diffusion de l'hydrogène vers cette surface fracturée. Le piégeage a lieu principalement au niveau du pic de concentration de la substance ainsi introduite. Dans le cas d'une implantation ionique Bi, la position de ce pic dépend principalement de l'énergie d'implantation (pour un matériau implanté et une espèce implantée donnés).
La couche de piégeage d'hydrogène 13 est formée dans la région de défauts résiduels 11 comme représenté sur la figure 2b, de préférence à proximité de la surface fracturée et ce afin de récupérer comme on le verra une zone utile dénuée de défauts plus importante.
Les substances de piégeage d'hydrogène pouvant être introduite par implantation ionique sont par exemple des ions parmi Li, B, C, N, F, Si, P et S qui présentent une forte affinité avec l'hydrogène. Les substances de piégeage d'hydrogène sont introduites à de fortes doses dans le film mince transféré, typiquement comprises entre 1013 et 1016 ions/cm2. L'invention n'est pas limitée à la formation d'une unique couche de piégeage d'hydrogène, mais couvre également la formation de plusieurs couches de piégeage d'hydrogène, par exemple en ayant recours à plusieurs implantations d'une ou plusieurs substances de piégeage d'hydrogène. L'effet de la couche de piégeage d'hydrogène a été observé lors d'expériences dont la figure 3 donne un aperçu. Comme pour la figure la, la figure 3 représente la concentration en hydrogène [H] en fonction de la profondeur Pf au sein d'un film transféré d'InP de 780nm d'épaisseur pour différents cas de figure. La courbe C illustre ainsi la concentration en hydrogène, mesurée directement après la fracture, tandis que la courbe D représente la concentration en hydrogène après formation de la couche de piégeage d'hydrogène par implantation de P à une dose de 5xl015 P+/cm2 et une énergie de 230 keV (le pic Rp est alors situé à 235 nm de la surface). On constate de la comparaison de ces deux courbes un effet de piégeage de l'hydrogène au niveau du pic en concentration Rp du phosphore implanté. Ce piégeage s'accompagne d'une augmentation de la taille de la région utile 12 dénuée de défauts structurels (de l'ordre de 200 nm contre 150 nm sans réalisation de la couche de piégeage).
On peut alors procéder à une étape d'amincissement du film mince transféré 1 pour ne conserver que cette région 12 exempte de défauts.
Comme représenté sur la figure 2c, le procédé selon l'invention comprend avantageusement, entre l'étape de formation de la couche de piégeage d'hydrogène 13 et l'étape d'amincissement du film mince transféré 1, une étape de traitement thermique appliqué au film mince 1 transféré sur le substrat récepteur 2. Cette étape facilite la diffusion de l'hydrogène résiduel après fracture par la surface de fracture (exo-diffusion symbolisée par la référence ExD sur la figure 2c) et/ou vers la couche de piégeage (et le pic d'implantation) en évitant ainsi qu'il ne vienne diffuser vers l'interface de collage.
Cette étape de traitement thermique peut être réalisée à une température comprise entre 300°C et 700°C. Sa durée peut être comprise entre quelques secondes et quelques heures. Elle est de préférence réalisée sous une atmosphère contrôlée dépourvue d'hydrogène (par exemple sous vide, sous N2 ou Ar).
La courbe E sur la figure 3 illustre la concentration d'hydrogène après mise en oeuvre d'un tel traitement thermique à 400°C pendant une heure. On observe le piégeage de l'hydrogène au niveau du pic en concentration Rp du phosphore implanté, ainsi qu'une réduction significative de la quantité résiduelle d'hydrogène. La taille région utile 12 dénuée de défauts est ainsi significativement augmentée (autour de 400 nm contre 200 nm sans traitement thermique) : elle s'étend désormais depuis l'interface de collage jusqu'à la couche de piégeage. A titre de comparaison, la courbe F sur la figure 3 illustre la concentration d'hydrogène après mise en oeuvre d'un traitement thermique à 400°C pendant une heure, directement après fracture, sans formation d'une couche de piégeage d'hydrogène. Sur la courbe E, le piégeage d'hydrogène au niveau du pic en concentration Rp fait que la quantité piégée ne peut conduire à la formation de bulles à l'interface de collage.
On a par ailleurs reproduit sur les figures 4a et 4b des microphotographies de surface du film mince transféré correspondant respectivement aux courbes F et E de la figure 3. La quantité de défauts (cloques) formé dans le cadre de l'invention (figure 4b) est ainsi bien inférieure à la référence (figure 4a), ce qu'indique que l'hydrogène est bien piégé dans la couche de piégeage et/ou exo-diffusé du film mince, plutôt que diffusé vers l'interface de collage.
Le procédé selon l'invention comprend par ailleurs en référence à la figure 2d, après formation de la couche de piégeage d'hydrogène et éventuelle application d'un traitement thermique, un amincissement du film mince transféré 1 pour ne conserver que la région 12 exempte de défauts. Avantageusement, l'amincissement s'opère ainsi depuis la surface fracturée jusqu'à éliminer totalement la couche de piégeage 13. Il peut bien entendu être poursuivi pour atteindre une épaisseur souhaitée pour la région 12 exempte de défauts, et est de préférence arrêté avant l'interface initiale post-fracture entre les régions 11 et 12. Cet amincissement est typiquement réalisé par polissage ou gravure.. L'amincissement peut être suivi de l'application d'un nouveau traitement thermique, par exemple à une température comprise entre 300 et 700°C. Ce nouveau traitement thermique contribue à renforcer l'interface de collage et à éliminer des défauts induits par l'implantation.
Deux exemples de réalisation de l'invention sont les suivants.
Exemple 1
Le substrat donneur est un substrat InP (100) de diamètre 100mm, dopé n avec des atomes de soufre en concentration de 1.1017 à 1.1019/cm3. Ce substrat donneur est implanté avec des ions hydrogène à une énergie de lOOkeV, une dose de 6,5.1016/cm2 et une température de 140°C. La surface implantée est collée sur un substrat GaAs de diamètre 100mm par collage direct, après un nettoyage chimique et une mise en contact intime des surfaces. La fracture est provoquée par un recuit à 275°C comprenant des rampes et des paliers pour une durée totale de 8h. Le film d'InP ainsi transféré sur le substrat GaAs présente une épaisseur de 780nm. La zone riche en hydrogène de ce film s'étend depuis la surface jusqu'à une profondeur de 550 nm. La quantité d'hydrogène résiduel est d'environ 2,6.1016H/cm2. Conformément à l'invention, le film d'InP est alors implanté avec des ions Bore à une énergie de 230keV et une dose de 3.1015B/cm2. Le pic des atomes de Bore est alors situé à 515 nm sous la surface fracturée. Un recuit à 400°C pendant lh permet de piéger jusqu'à l,3.1016H/cm2 entre la surface et le pic de Bore. Le film d'InP est ensuite poli par polissage mécano-chimique jusqu'à l'épaisseur finale souhaitée de 380nm. Un recuit à haute température peut ensuite être appliqué pour consolider le collage et guérir les défauts liés à l'implantation.
Sur la figure 5, la courbe G représente la concentration en hydrogène [H] en fonction de la profondeur Pf au sein du film transféré directement après la fracture, tandis que la courbe H représente la concentration en hydrogène après formation de la couche de piégeage d'hydrogène par l'implantation de Bore. La courbe I représente quant à elle la concentration en hydrogène après formation de la couche de piégeage d'hydrogène par l'implantation de Bore et application d'un recuit à 400°C pendant une heure. Cette courbe I montre la rétention d'une dose de 1,3.1016 H/cm2 à la profondeur 350 nm. Enfin, la courbe J représente quant à elle la concentration en hydrogène après application post-fracture d'un recuit à 400°C pendant une heure, en l'absence de formation d'une couche de piégeage d'hydrogène. On constate que l'hydrogène a entièrement diffusé, en grande majorité vers l'interface de collage, donnant lieu à la formation de cloques en surface.
Exemple 2
Un substrat donneur GaAs (100) dopé Zn est implanté avec des ions H2+ à une énergie de 240keV, une dose de 3,4.1016/an2 et à une température de 275°C. Ce substrat donneur est collé sur un substrat récepteur d'InP par collage direct, et la fracture est provoquée par un recuit à 200°C pendant 2h. Le film de GaAs transféré présente une épaisseur de 500nm, et sa zone riche en H s'étend depuis la surface jusqu'à une profondeur de 400nm.
Le substrat récepteur GaAs est alors implanté avec des ions B à une énergie de 100 keV et une dose de 3.1015/cm2. Le pic des atomes de B est alors situé à environ 250 nm sous la surface fracturée. Un recuit à 600°C pendant lh est réalisé pour piéger l'hydrogène résiduel dans le film de GaAs transféré. Le film de GaAs est ensuite poli sur environ 250nm pour obtenir l'épaisseur finale souhaitée de 250nm.
Claims (10)
- REVENDICATIONS1. Procédé de traitement d'un film mince (1) transféré d'un substrat donneur vers un substrat récepteur (2) par fracture au niveau d'une zone du substrat donneur fragilisée par implantation ionique d'hydrogène, le procédé comprenant une étape d'amincissement- du film mince transféré (1) pour éliminer une région de défauts résiduels (11), et étant caractérisé en ce qu'il comprend, directement après la fracture et avant l'étape d'amincissement, une étape de formation d'une couche de piégeage d'hydrogène (13) dans la région de défauts résiduels (11) du film mince transféré (1), et en ce que l'amincissement s'étend au moins depuis la surface du film mince jusqu'à la couche de piégeage d'hydrogène.
- 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche de piégeage d'hydrogène (13) comprend l'introduction d'une substance de piégeage d'hydrogène dans le film mince transféré.
- 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la substance de piégeage d'hydrogène est choisie parmi U, B, C, N, F, Si, P et S.
- 4. Procédé selon l'une des revendications 2 et 3, dans lequel l'introduction de la substance de piégeage d'hydrogène dans le film mince transféré est réalisée par implantation ionique.
- 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant, entre l'étape de formation de la couche de piégeage d'hydrogène (13) et l'étape d'amincissement du film mince transféré (1), une étape de traitement thermique appliqué au film mince (1) transféré sur le substrat récepteur.
- 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel l'étape de traitement thermique est réalisée à une température comprise entre 300°C et 700^.
- 7. Procédé selon Tune des revendications 5 et 6, dans lequel rétape de traitement thermique est réalisée sous une atmosphère dépourvue d'hydrogène.
- 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape d'amincissement du film mince transféré (1) comprend un retrait de la couche de piégeage d'hydrogène (13).
- 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'étape d'amincissement du film mince transféré comprend un polissage mécano-chimique.
- 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel le film transféré est réalisé en un ou plusieurs matériaux choisis parmi InP ou GaAs ou un alliage à base des matériaux suivants In, P/Ga, As.
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2968121A1 (fr) * | 2010-11-30 | 2012-06-01 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert d'une couche a haute temperature |
| US20140113434A1 (en) * | 2011-05-02 | 2014-04-24 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Ene Alt | Process for forming a crack in a material |
-
2015
- 2015-10-30 FR FR1560418A patent/FR3043248B1/fr active Active
-
2016
- 2016-10-28 EP EP16788111.9A patent/EP3369110A1/fr not_active Withdrawn
- 2016-10-28 WO PCT/EP2016/076033 patent/WO2017072276A1/fr active Application Filing
- 2016-10-28 US US15/771,557 patent/US20180315644A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2968121A1 (fr) * | 2010-11-30 | 2012-06-01 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert d'une couche a haute temperature |
| US20140113434A1 (en) * | 2011-05-02 | 2014-04-24 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Ene Alt | Process for forming a crack in a material |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| BARBIER G ET AL: "Effects of lithium-implantation on the hydrogen retention in both a-C:H and a-SiC:H materials submitted to deuterium bombardment", JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, ELSEVIER BV, NL, vol. 241-243, 11 February 1997 (1997-02-11), pages 1036 - 1040, XP027327607, ISSN: 0022-3115, [retrieved on 19970211] * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017072276A1 (fr) | 2017-05-04 |
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| EP3369110A1 (fr) | 2018-09-05 |
| US20180315644A1 (en) | 2018-11-01 |
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