FR3022697A1 - ELECTRICAL CONNECTION DEVICE WITH CONNECTING ELEMENTS COMPRISING DEFORMABLE MEMBRANES - Google Patents

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    • H01L2224/13124Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/13144Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/13173Rhodium [Rh] as principal constituent
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    • H01L2224/13184Tungsten [W] as principal constituent
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    • H01L2224/1356Disposition
    • H01L2224/13562On the entire exposed surface of the core
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    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/38Effects and problems related to the device integration
    • H01L2924/381Pitch distance

Abstract

Dispositif de connexion électrique (100) destiné à être hybridé à un dispositif électronique, comportant un ou plusieurs premiers éléments de connexion électrique (112) disposés sur une face avant (102) du dispositif de connexion électrique tels que chaque premier élément de connexion électrique comporte : - au moins une première membrane (114) électriquement conductrice délimitant, avec la face avant du dispositif de connexion électrique, au moins une première cavité (118), la première membrane étant solidarisée à la face avant du dispositif de connexion électrique au moins au niveau de la périphérie de la première cavité, - au moins un élément électriquement conducteur (116) disposé sur la première membrane dudit premier élément de connexion électrique et destiné à être en contact avec au moins un plot de contact du dispositif électronique.An electrical connection device (100) for hybridization to an electronic device, having one or more first electrical connection members (112) disposed on a front face (102) of the electrical connection device such that each first electrical connection member comprises at least a first electrically conductive membrane delimiting, with the front face of the electrical connection device, at least one first cavity, the first membrane being secured to the front face of the electrical connection device at least level of the periphery of the first cavity, - at least one electrically conductive element (116) disposed on the first membrane of said first electrical connection element and intended to be in contact with at least one contact pad of the electronic device.

Description

1 DISPOSITIF DE CONNEXION ELECTRIQUE A ELEMENTS DE CONNEXION COMPORTANT DES MEMBRANES DEFORMABLES DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne le domaine de l'hybridation permanente ou temporaire entre des dispositifs ou circuits électroniques. L'invention s'applique avantageusement pour réalisation d'un circuit électronique de test destiné à être hybridé temporairement à un dispositif électronique à tester, ou pour la réalisation d'un circuit électronique comportant deux dispositifs électroniques hybridés l'un à l'autre de façon permanente. Dans le domaine des circuits électroniques dits « 3D », c'est-à-dire des circuits électroniques comportant des dispositifs empilés les uns sur les autres, des connexions électriques verticales de faible pas, ou période, (inférieur ou égal à environ 100 um) sont souvent utilisées pour relier électriquement entre eux les dispositifs superposés. Ces connexions sont généralement réalisées sur une face d'un des dispositifs sous la forme de pointes, ou inserts, ces pointes étant destinées à être insérées dans des plots de contact formés sur une face d'un autre des dispositifs. Plusieurs contraintes sont prises en compte pour la réalisation de ces connexions. Tout d'abord, les connexions réalisées doivent avoir une bonne conductivité électrique. Les matériaux des pointes doivent également avoir une certaine dureté afin de permettre leur pénétration dans les plots de contact. Enfin, le circuit comportant les pointes doit présenter une certaine souplesse mécanique afin de tenir compte des différences d'épaisseurs, de géométrie et de matériaux avec les plots de contact.TECHNICAL FIELD AND PRIOR ART The invention relates to the field of permanent or temporary hybridization between electronic devices or circuits. The invention is advantageously applied for producing an electronic test circuit intended to be temporarily hybridized to an electronic device to be tested, or for producing an electronic circuit comprising two electronic devices hybridized to each other. permanently. In the field of so-called "3D" electronic circuits, that is to say electronic circuits comprising devices stacked on top of one another, low-pitch vertical electrical connections, or period, (less than or equal to about 100 μm). ) are often used to electrically connect the superimposed devices together. These connections are generally made on one side of one of the devices in the form of points, or inserts, these points being intended to be inserted into contact pads formed on one side of another of the devices. Several constraints are taken into account for the realization of these connections. First, the connections made must have good electrical conductivity. The materials of the tips must also have a certain hardness to allow their penetration into the contact pads. Finally, the circuit comprising the tips must have a certain mechanical flexibility to account for differences in thickness, geometry and materials with the contact pads.

De telles connexions sont par exemple utilisées pour réaliser une structure de test à faible pas pour des circuits 3D ou photoniques. Dans ce contexte, un composant appelé « space transformer », ou interposeur, est généralement utilisé pour faire le lien, ou l'adaptation, entre le pas des plots de connexion du dispositif testé (comportant généralement un wafer de silicium, les plots de contact étant réalisés avec 3022697 2 un pas de l'ordre de 100 um ou moins) et celui des éléments de connexion de l'interface de test (généralement réalisé sur un circuit intégré et qui comporte des éléments de connexion réalisés avec un pas supérieur à celui des plots du dispositif à tester). Ce composant peut être réalisé en silicium et intègre des pointes de test réalisées avec un 5 faible pas correspondant à celui des plots de contact du dispositif testé. Une force est appliquée entre le dispositif testé et le composant afin d'avoir une pénétration mécanique des pointes dans les plots de contact du dispositif testé. Une difficulté liée à la réalisation de ces pointes concerne leurs propriétés mécaniques, chacune des pointes devant présenter une certaine souplesse de déplacement vertical (overdrive) en dépit de 10 leur faible pas et des défauts d'uniformité de hauteur des pointes de test ou des plots de contact du dispositif testé. La pénétration des pointes dans les plots de contact doit être assez profonde pour réaliser un bon contact ohmique, mais pas trop profonde pour éviter d'endommager les plots de contact et permettre aux pointes d'être détachées des plots de contact après le test.Such connections are for example used to achieve a low-step test structure for 3D or photonic circuits. In this context, a component called "space transform", or interposer, is generally used to make the link, or the adaptation, between the pitch of the connection pads of the device under test (generally comprising a silicon wafer, the contact pads being made with a step of the order of 100 μm or less) and that of the connection elements of the test interface (generally made on an integrated circuit and which comprises connection elements made with a pitch greater than that studs of the device to be tested). This component can be made of silicon and incorporates test tips made with a small pitch corresponding to that of the contact pads of the device under test. A force is applied between the device under test and the component in order to have a mechanical penetration of the points in the contact pads of the device under test. A difficulty related to the achievement of these tips concerns their mechanical properties, each of the tips having to have a certain flexibility of vertical displacement (overdrive) despite their small pitch and the defects of uniformity of height of the test tips or studs. contact of the device tested. The penetration of the tips into the contact pads must be deep enough to achieve good ohmic contact, but not too deep to avoid damaging the contact pads and allow the tips to be detached from the contact pads after the test.

15 Un autre exemple de besoin de telles connexions concerne la réalisation de connexions électriques dites « 3D » permanentes et sélectives. Lors de l'assemblage 3D de composants micro-électroniques, des connexions électriques sont réalisées entre les plots opposés des deux composants. Une possibilité consiste à placer des pointes sur l'un des deux composants et des plots de contact sur l'autre des deux composants, et 20 d'insérer les pointes dans les plots opposés pendant un assemblage des deux composants en exerçant une pression entre eux. Ces pointes forment ici des « micro-inserts ». Si les pointes sont présentes sur toute la face du composant, en exerçant ladite pression, les pointes se trouvant en face de zones isolantes et non de plots de contact s'écrasent dans l'isolant de l'autre composant sans y pénétrer totalement, et risquent de l'endommager.Another example of the need for such connections is the production of permanent and selective "3D" electrical connections. During the 3D assembly of microelectronic components, electrical connections are made between the opposite studs of the two components. One possibility is to place tips on one of the two components and contact pads on the other of the two components, and to insert the tips into the opposing studs during assembly of the two components by exerting pressure between them. . These tips form "micro-inserts" here. If the tips are present on the entire face of the component, by exerting said pressure, the tips facing insulating areas and not contact pads crash into the insulation of the other component without penetrating completely, and may damage it.

25 II est donc utile d'avoir des pointes ayant une certaine tolérance et une souplesse mécanique pour éviter d'abimer la face du composant comportant les plots de contact. Le document US 2012/0249173 Al décrit un exemple de réalisation d'un composant comportant des pointes de test réalisées avec un faible pas. Les pointes sont réalisées par structuration d'un matériau (dépôt et gravure, ou électrodéposition) sur un interposeur en silicium. L'inconvénient de cette solution est qu'elle n'offre aucune 3022697 3 réponse aux problèmes de la souplesse mécanique et de la tolérance à l'overdrive qui sont recherchées. Les documents US 2002/0053734 Al et US 2006/0006889 Al décrivent la réalisation de pointes de test sous la forme de structures mécaniques répondant à la 5 problématique de la souplesse mécanique et de la tolérance à l'overdrive. Toutefois, ces structures nécessitent soit une insertion dans le composant, soit un attachement mécanique qui empêche leur réalisation avec un faible pas, c'est-à-dire inférieur à environ 100 um. Les documents US 7 868 636 B2, US 2010/0164526 Al et US 10 2010/0308855 Al décrivent la réalisation de pointes de test sous la forme de tiges souples. Bien que répondant à la problématique de la souplesse mécanique et de la tolérance à l'overdrive, ces tiges ont des dimensions, dans le plan du substrat, qui sont importantes et qui empêchent leur réalisation sous la forme d'une matrice avec un faible pas.It is therefore useful to have tips having a certain tolerance and mechanical flexibility to avoid damaging the face of the component comprising the contact pads. Document US 2012/0249173 A1 describes an exemplary embodiment of a component comprising test points made with a small pitch. The tips are made by structuring a material (deposition and etching, or electrodeposition) on a silicon interposer. The disadvantage of this solution is that it offers no answer to the problems of mechanical flexibility and overdrive tolerance that are desired. Documents US 2002/0053734 A1 and US 2006/0006889 A1 describe the production of test tips in the form of mechanical structures that address the problem of mechanical flexibility and overdrive tolerance. However, these structures require either an insertion into the component or a mechanical attachment which prevents their realization with a small pitch, that is to say less than about 100 μm. US 7,868,636 B2, US 2010/0164526 A1 and US 2010/0308855 A1 disclose making test tips in the form of flexible rods. Although answering the problem of the mechanical flexibility and the overdrive tolerance, these rods have dimensions, in the plane of the substrate, which are important and which prevent their realization in the form of a matrix with a weak pitch .

15 EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer un nouveau dispositif de connexion électrique destiné à être hybridé à un dispositif électronique, dont des éléments de connexion électrique présentent une bonne souplesse mécanique et une bonne tolérance en termes de déplacement vertical (overdrive), tout en étant compatible 20 avec une réalisation des éléments de connexion électrique avec un faible pas, par exemple inférieur à environ 100 um. Pour cela, la présente invention propose un dispositif de connexion électrique destiné à être hybridé à un dispositif électronique, comportant un ou plusieurs premiers éléments de connexion électrique disposés sur une face avant du dispositif de 25 connexion électrique tels que chaque premierélément de connexion électrique comporte: - au moins une première membrane électriquement conductrice délimitant, avec la face avant du dispositif de connexion électrique, au moins une première cavité, la première membrane étant solidarisée à la face avant du dispositif de connexion électrique au moins au niveau de la périphérie de la première cavité, 3022697 4 - au moins un élément électriquement conducteur disposé sur la première membrane dudit premier élément de connexion électrique et destiné à être en contact avec au moins un plot de contact du dispositif électronique. Ainsi, chaque premier élément de connexion électrique comporte une 5 première membrane électriquement conductrice définissant une cavité, avantageusement fermée, sur laquelle est disposé au moins un élément électriquement conducteur, la première membrane étant ancrée à un support correspondant à la face avant du dispositif de connexion électrique. La cavité présente sous chaque élément électriquement conducteur confère une bonne souplesse mécanique aux premiers 10 éléments de connexion électrique. Ainsi, lorsque les éléments électriquement conducteur du dispositif de connexion électrique sont disposés contre les plots de contact du dispositif électronique destiné à être hybridé au dispositif de connexion électrique, un bon contact électrique est obtenu entre les premiers éléments de connexion électrique et les plots de contact grâce à la souplesse conférée par les cavités au niveau de chacun des 15 premiers éléments de connexion électrique, même en présence de différences d'épaisseurs et/ou de hauteur et/ou de géométrie et/ou de matériaux au niveau des plots de contact et/ou des premiers éléments électriquement conducteurs. Cette souplesse permet également, dans le cas où certains premiers éléments de connexion électrique ne sont pas disposés en face de plots de contact, de ne pas endommager le dispositif 20 électronique qui est hybridé au dispositif de connexion électrique. La souplesse mécanique obtenue permet également de réaliser une pénétration des éléments électriquement conducteurs dans les plots de contact qui soit assez profonde pour réaliser un bon contact ohmique, mais pas trop profonde pour éviter d'endommager les plots de contact et permettre aux premiers éléments électriquement 25 conducteurs d'être détachées des plots de contact dans le cas d'un dispositif de connexion électrique destiné à former un circuit de test. Enfin, par rapport aux pointes de test réalisées avec des tiges souples, les structures formées par les premières membranes ne nécessitent pas la réalisation de piliers d'ancrage nécessaires à la réalisation des tiges souples de l'art antérieur, ce qui 3022697 5 permet de réaliser les premiers éléments de connexion électrique avec un faible pas, par exemple inférieur à environ 100 um. La liaison entre la membrane et la face avant du dispositif de connexion électrique est avantageusement continue, mais peut, pour des raisons de procédé de 5 mise en oeuvre, avoir une ou plusieurs ouvertures au niveau de cette périphérie qui rendent cette solidarisation discontinue ou partiellement continue. Pour chaque premier élément de connexion électrique, la première membrane peut être solidarisée à la face avant du dispositif de connexion électrique au niveau de toute la périphérie de la première cavité.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to propose a new electrical connection device intended to be hybridized to an electronic device, whose electrical connection elements have good mechanical flexibility and good tolerance in terms of vertical displacement. (Overdrive) while being compatible with one embodiment of the electrical connection elements with a small pitch, for example less than about 100 μm. For this, the present invention proposes an electrical connection device intended to be hybridized to an electronic device, comprising one or more first electrical connection elements disposed on a front face of the electrical connection device such that each first electrical connection element comprises: at least one first electrically conductive membrane delimiting, with the front face of the electrical connection device, at least one first cavity, the first membrane being secured to the front face of the electrical connection device at least at the periphery of the first cavity, 3022697 4 - at least one electrically conductive element disposed on the first membrane of said first electrical connection element and intended to be in contact with at least one contact pad of the electronic device. Thus, each first electrical connection element comprises a first electrically conductive membrane defining a cavity, advantageously closed, on which is disposed at least one electrically conductive element, the first membrane being anchored to a support corresponding to the front face of the connection device. electric. The cavity present under each electrically conductive element imparts good mechanical flexibility to the first 10 electrical connection elements. Thus, when the electrically conductive elements of the electrical connection device are arranged against the contact pads of the electronic device intended to be hybridized with the electrical connection device, a good electrical contact is obtained between the first electrical connection elements and the contact pads. thanks to the flexibility conferred by the cavities at each of the first 15 electrical connection elements, even in the presence of differences in thickness and / or height and / or geometry and / or materials at the contact pads and / or first electrically conductive elements. This flexibility also makes it possible, in the case where certain first electrical connection elements are not arranged opposite contact pads, not to damage the electronic device which is hybridized with the electrical connection device. The mechanical flexibility obtained also makes it possible to achieve penetration of the electrically conductive elements in the contact pads which is deep enough to achieve a good ohmic contact, but not too deep to avoid damaging the contact pads and to allow the first elements electrically 25 conductors to be detached from the contact pads in the case of an electrical connection device for forming a test circuit. Finally, compared with the test tips made with flexible rods, the structures formed by the first membranes do not require the creation of anchoring pillars necessary for the production of the flexible rods of the prior art, which makes it possible to to make the first electrical connection elements with a small pitch, for example less than about 100 μm. The connection between the membrane and the front face of the electrical connection device is advantageously continuous, but may, for reasons of implementation method, have one or more openings at this periphery which make this connection discontinuous or partially continuous. . For each first electrical connection element, the first membrane may be secured to the front face of the electrical connection device at the entire periphery of the first cavity.

10 Le dispositif de connexion électrique peut comporter des dispositifs passifs (capacités, inductances, résistances) permettant d'améliorer la qualité des signaux recueillis par les premiers éléments de connexion électrique, et/ou des éléments actifs (par exemple des transistors) formant par exemple des dispositifs de protection tels que des dispositifs ESD (« Electro-Static Discharge »), et/ou de multiplexage et/ou de 15 traitement des signaux analogiquement ou numériquement collectés par les premiers éléments de connexion électrique. Les premiers éléments de connexion électrique peuvent être disposés en matrice avec un pas inférieur à environ 100 um. Chaque élément électriquement conducteur peut comporter au moins 20 une portion de matériau électriquement conducteur dont une extrémité forme une ou plusieurs pointes, chaque pointe pouvant être de forme sensiblement bombée ou plane ou pointue. Chaque élément électriquement conducteur peut avantageusement former trois pointes. Une forme est dite bombée lorsqu'elle représente une portion d'une 25 sphère, telle qu'un hémisphère, ou qu'elle est de forme arrondie. Contrairement à une forme bombée, une forme est dite plane lorsqu'elle est définie dans un plan. Chaque première membrane peut former un capot de la première cavité qui est délimitée par ladite première membrane, le capot étant de forme sensiblement plane ou bombée. L'ancrage du capot à la base de la cavité peut avoir une forme 3022697 6 sensiblement circulaire (telle qu'un cercle ou une ellipse) ou une forme sensiblement polygonale ou rectangulaire (telle qu'un rectangle ou un carré ou un losange, etc.). Chaque pointe ou multi-pointe ou sommet de la portion de matériau électriquement conducteur peut avantageusement être placé sur un axe central de la 5 première membrane. Chaque première membrane peut être reliée à au moins un plot électriquement conducteur formé dans le dispositif de connexion électrique et lui-même relié à au moins un deuxième élément de connexion électrique disposé sur une face arrière du dispositif de connexion électrique.The electrical connection device may comprise passive devices (capacitors, inductances, resistors) making it possible to improve the quality of the signals collected by the first electrical connection elements, and / or active elements (for example transistors) forming, for example protection devices such as ESD devices ("Electro-Static Discharge"), and / or multiplexing and / or signal processing analogically or numerically collected by the first electrical connection elements. The first electrical connection elements may be arranged in a matrix with a pitch less than about 100 μm. Each electrically conductive element may comprise at least one portion of electrically conductive material, one end of which forms one or more points, each point being of substantially convex or flat or pointed shape. Each electrically conductive element can advantageously form three points. A shape is said to be curved when it represents a portion of a sphere, such as a hemisphere, or is of rounded shape. Unlike a curved shape, a shape is said to be flat when it is defined in a plane. Each first membrane may form a cover of the first cavity which is delimited by said first membrane, the cover being of substantially flat or curved shape. The hood anchor at the base of the cavity may have a substantially circular shape (such as a circle or an ellipse) or a substantially polygonal or rectangular shape (such as a rectangle or a square or a rhombus, etc. .). Each tip or multi-tip or top of the portion of electrically conductive material may advantageously be placed on a central axis of the first membrane. Each first membrane may be connected to at least one electrically conductive pad formed in the electrical connection device and itself connected to at least one second electrical connection element disposed on a rear face of the electrical connection device.

10 Le pas des premiers éléments de connexion électrique peut être différent du pas des deuxièmes éléments de connexion électrique. Le dispositif de connexion électrique peut dans ce cas permettre une adaptation des pas des plots de contact du dispositif destiné à être hybridé au dispositif de connexion électrique avec celui de plots de contact d'un autre dispositif destiné à être hybridé au niveau de la face 15 arrière du dispositif de connexion électrique. Dans ce cas, chaque deuxième élément de connexion électrique peut comporter au moins une portion de matériau électriquement conducteur dont un sommet est de forme sensiblement bombée ou plane ou pointue. Le dispositif de connexion électrique peut comporter en outre au moins: 2 0 - un substrat, - une ou plusieurs couches diélectriques superposées et disposées sur le substrat et formant la face avant du dispositif de connexion électrique, - au moins une couche d'interconnexion électrique disposée sous la couche diélectrique ou entre les couches diélectriques, chaque plot électriquement 25 conducteur étant relié à la couche d'interconnexion électrique, - un ou plusieurs vias électriquement conducteurs traversant au moins le substrat et reliant électriquement chaque deuxième élément de connexion électrique à la couche d'interconnexion électrique. La ou les couches diélectriques peuvent comporter au moins un 30 matériau diélectrique minéral ou polymère.The pitch of the first electrical connection elements may be different from the pitch of the second electrical connection elements. In this case, the electrical connection device can enable the steps of the contact pads of the device to be hybridized to be matched to the electrical connection device with that of contact pads of another device intended to be hybridized at the face 15. rear of the electrical connection device. In this case, each second electrical connection element may comprise at least one portion of electrically conductive material whose apex is substantially domed or flat or pointed. The electrical connection device may furthermore comprise at least: a substrate, one or more superposed dielectric layers and disposed on the substrate and forming the front face of the electrical connection device, at least one electrical interconnection layer; disposed beneath the dielectric layer or between the dielectric layers, each electrically conductive pad being connected to the electrical interconnection layer; one or more electrically conductive vias traversing at least the substrate and electrically connecting each second electrical connection element to the dielectric layer; electrical interconnection. The dielectric layer (s) may comprise at least one mineral or polymer dielectric material.

3022697 7 Le dispositif de connexion électrique peut comporter en outre au moins une deuxième cavité formée à travers le substrat et telle qu'au moins une partie de la ou des couches diélectriques sur lesquelles est disposé au moins un premier élément de connexion électrique forme au moins une deuxième membrane au niveau de la deuxième 5 cavité. Cette ou ces deuxièmes cavités confèrent au dispositif de connexion électrique un degré de souplesse mécanique supplémentaire. En variante, le dispositif de connexion électrique peut comporter en outre plusieurs deuxièmes cavités formées à travers le substrat et telles que des parties de la ou des couches diélectriques sur chacune desquelles est disposé un premier 10 élément de connexion électrique forment des deuxièmes membranes au niveau des deuxièmes cavités. L'invention concerne également un circuit électronique de test comportant au moins un dispositif de connexion électrique tel que décrit ci-dessus, dans lequel le dispositif électronique est destiné à être testé par le circuit électronique de test, 15 et dans lequel la face arrière du dispositif de connexion est hybridée à une interface électronique de test par l'intermédiaire des deuxièmes éléments de connexion électrique. Dans ce cas, le dispositif de connexion électrique peut former un interposeur permettant d'adapter le pas des plots de contact du dispositif testé avec celui des plots de l'interface électronique de test.The electrical connection device may further comprise at least one second cavity formed through the substrate and such that at least a part of the dielectric layer or layers on which at least one first electrical connection element is formed forms at least a second membrane at the second cavity. This or these second cavities give the electrical connection device a degree of additional mechanical flexibility. Alternatively, the electrical connection device may further comprise a plurality of second cavities formed through the substrate and such that portions of the dielectric layer (s) on each of which is disposed a first electrical connection member form second membranes at the second cavities. The invention also relates to an electronic test circuit comprising at least one electrical connection device as described above, in which the electronic device is intended to be tested by the electronic test circuit, and in which the rear face of the The connection device is hybridized to an electronic test interface via the second electrical connection elements. In this case, the electrical connection device can form an interposer to adapt the pitch of the contact pads of the device tested with that of the pads of the electronic test interface.

20 L'invention concerne également un circuit électronique comportant au moins un dispositif de connexion électrique tel que décrit ci-dessus et hybridé au dispositif électronique tel que les éléments électriquement conducteurs du dispositif de connexion électrique sont ancrés dans les plots de contact du dispositif électronique. Un tel circuit électronique peut correspondre à un circuit 3D.The invention also relates to an electronic circuit comprising at least one electrical connection device as described above and hybridized to the electronic device such that the electrically conductive elements of the electrical connection device are anchored in the contact pads of the electronic device. Such an electronic circuit can correspond to a 3D circuit.

25 L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un dispositif de connexion électrique destiné à être hybridé à un dispositif électronique, comportant la réalisation d'un ou plusieurs premiers éléments de connexion électrique sur une face avant du dispositif de connexion électrique au moins par la mise en oeuvre, pour chaque premier élément de connexion électrique, des étapes de : 3022697 8 - réalisation d'au moins une portion de matériau sacrificiel sur la face avant du dispositif de connexion électrique ; - réalisation d'au moins une première membrane électriquement conductrice telle qu'elle recouvre au moins la portion de matériau sacrificiel et est 5 solidarisée à la face avant du dispositif de connexion électrique au moins au niveau de la périphérie de la portion de matériau sacrificiel ; - réalisation d'au moins un trou de libération à travers la première membrane ; - élimination de la portion de matériau sacrificiel à travers le trou de 10 libération, formant au moins une première cavité délimitée par la première membrane et la face avant du dispositif de connexion électrique ; - réalisation d'au moins un élément électriquement conducteur sur la première membrane tel qu'il soit destiné à être en contact avec au moins un plot de contact du dispositif électronique.The invention also relates to a method for producing an electrical connection device intended to be hybridized to an electronic device, comprising the production of one or more first electrical connection elements on a front face of the electrical connection device at least by implementing, for each first electrical connection element, steps of: - producing at least a portion of sacrificial material on the front face of the electrical connection device; - Making at least a first electrically conductive membrane such that it covers at least the sacrificial material portion and is secured to the front face of the electrical connection device at least at the periphery of the portion of sacrificial material; - Making at least one release hole through the first membrane; removing the portion of sacrificial material through the release hole, forming at least a first cavity delimited by the first membrane and the front face of the electrical connection device; - Making at least one electrically conductive element on the first membrane such that it is intended to be in contact with at least one contact pad of the electronic device.

15 Le procédé peut comporter en outre, préalablement à la réalisation du ou des premiers éléments de connexion électrique, la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation, à travers au moins une partie de l'épaisseur d'un substrat, d'un ou plusieurs vias électriquement conducteurs ; 20 - réalisation d'au moins une couche d'interconnexion électrique entre le substrat et une couche diélectrique ou entre plusieurs couches diélectriques, - réalisation d'un ou plusieurs plots électriquement conducteurs dans le dispositif de connexion électrique et auxquels la ou les premières membranes sont destinées à être reliées ; 25 et comportant en outre, après la réalisation du ou des premiers éléments de connexion électrique, la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation d'un ou plusieurs deuxièmes éléments de connexion électrique sur une face arrière du dispositif de connexion électrique tels que chaque première membrane est reliée à au moins un des deuxièmes éléments de connexion 3022697 9 électrique par l'intermédiaire du ou d'un des plots électriquement conducteurs, de la couche d'interconnexion électrique et du ou d'un des vias électriquement conducteurs. Le procédé peut comporter en outre, entre la réalisation du ou des premiers éléments de connexion électrique et la réalisation du ou des deuxièmes 5 éléments de connexion électrique, la réalisation d'au moins une deuxième cavité à travers le substrat et telle qu'au moins une partie de la ou des couches diélectriques sur lesquelles est disposé au moins un premier élément de connexion électrique forme au moins une deuxième membrane au niveau de la deuxième cavité. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 10 La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 représente schématiquement une vue en coupe de profil d'un dispositif de connexion électrique, objet de la présente invention, selon un premier 15 mode de réalisation ; - la figure 2 représente schématiquement une vue de dessus d'un premier élément de connexion électrique du dispositif de connexion électriquement selon le premier mode de réalisation ; - la figure 3 représente schématiquement une vue en coupe de profil 20 d'un dispositif de connexion électrique, objet de la présente invention, selon un deuxième mode de réalisation ; - la figure 4 représente schématiquement une vue en coupe de profil d'une partie d'un dispositif de connexion électrique, objet de la présente invention, selon un troisième mode de réalisation ; 25 - la figure 5 représente schématiquement une vue en coupe de profil d'une partie d'un dispositif de connexion électrique, objet de la présente invention, selon un quatrième mode de réalisation ; 3022697 10 - la figure 6 représente schématiquement une vue en coupe de profil d'un dispositif de connexion électrique, objet de la présente invention, selon un cinquième mode de réalisation ; - la figure 7 représente schématiquement une vue en coupe de profil 5 d'une partie d'un dispositif de connexion électrique, objet de la présente invention, selon un sixième mode de réalisation ; - la figure 8 représente schématiquement une vue en coupe de profil d'un circuit électronique de test, également objet de la présente invention, selon un mode de réalisation particulier ; 10 - la figure 9 représente schématiquement une vue en coupe de profil d'un circuit électronique, également objet de la présente invention, selon un mode de réalisation particulier ; - les figures 10A à 10K représentent schématiquement des étapes d'un procédé de réalisation d'un dispositif de connexion électrique, objet de la présente 15 invention, selon un mode de réalisation particulier. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas 2 0 nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS 25 On se réfère tout d'abord à la figure 1 qui représente schématiquement un dispositif de connexion électrique 100 selon un premier mode de réalisation. Dans ce premier mode de réalisation, le dispositif 100 correspond à un interposeur comprenant une face avant 102 destinée à être couplée à un dispositif à tester, et une face arrière 104 destinée à être couplée à une interface de test. Le dispositif 100 est destiné à relier 3022697 11 électriquement le dispositif à tester avec l'interface de test, et permet avantageusement d'adapter le pas de plots de contact du dispositif à tester à celui de plots de contact de l'interface de test. Le dispositif 100 comporte un substrat 106 comprenant par exemple du 5 semi-conducteur tel que du silicium. Une ou plusieurs couches d'interconnexions électriques 108 (BEOL, ou « Back-end Of Line ») sont disposées sur le substrat 106, du côté de la face avant 102, et forment, dans plusieurs couches diélectriques 110 comportant au moins un matériau minéral tel que du Si02, du SiON, du SiN, etc., et déposées sur le substrat 106, un ou plusieurs niveaux d'interconnexions électriques reliés 10 entre eux par des vias 111. L'accès électrique aux couches d'interconnexions électriques 108 depuis la face avant 102 est réalisé par des plots électriquement conducteur 113 formés dans les couches diélectriques 110 et au niveau de la face avant 102. Des premiers éléments de connexion électrique 112 sont disposés sur la face avant 102 et sont reliés électriquement aux couches 108 par l'intermédiaire des plots 15 113. Chaque élément 112 comporte une première membrane 114 formée d'au moins un matériau électriquement conducteur tel que du silicium dopé ou siliciure (par exemple du SiNi ou du SiPt), et/ou de métal (par exemple du cuivre, de l'aluminium, du tungstène ou du nickel) et/ou du graphite. La première membrane 114 peut également être formée d'au moins un matériau diélectrique tel que du Si02, la conductivité électrique de cette 20 membrane étant dans ce cas assurée par une couche électriquement conductrice supplémentaire de la membrane. Un élément électriquement conducteur 116, correspondant à une pointe de test dans ce premier mode de réalisation, est disposé sur chacune des membranes 114. Les éléments 116 comportent avantageusement du métal tel que du cuivre, du tungstène, de l'aluminium, du nickel ou encore du rhodium, ou bien 25 un semi-conducteur recouvert de métal. Ces éléments 116 sont destinés à être appliqués contre les plots de contact du dispositif testé avec une force permettant une pénétration mécanique des éléments 116 dans les plots de contact du dispositif testé. Le ou les matériaux des éléments 116 sont choisis notamment en fonction de la dureté désirée pour former le contact avec les plots de contact du dispositif testé, et donc en fonction 30 notamment de la fragilité de ces plots de contact.The method may further comprise, prior to the production of the first electrical connection element or elements, the implementation of the following steps: - production, through at least a portion of the thickness of a substrate, of a or more electrically conductive vias; - Making at least one electrical interconnection layer between the substrate and a dielectric layer or between several dielectric layers, - Making one or more electrically conductive pads in the electrical connection device and to which the first membrane or membranes are intended to be connected; And further comprising, after completion of the first one or more electrical connection elements, the implementation of the following steps: - making one or more second electrical connection elements on a rear face of the electrical connection device such as each The first membrane is connected to at least one of the second electrical connection elements via one or one of the electrically conductive pads, the electrical interconnection layer, and one or more electrically conductive vias. The method may furthermore comprise, between the production of the first electrical connection element or elements and the production of the second or fifth electrical connection elements, the production of at least a second cavity through the substrate and such that at least a part of the dielectric layer or layers on which at least one first electrical connection element is arranged forms at least one second membrane at the level of the second cavity. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention will be better understood on reading the description of exemplary embodiments given purely by way of indication and in no way limiting, with reference to the appended drawings in which: FIG. 1 schematically represents a sectional view of profile of an electrical connection device, object of the present invention, according to a first embodiment; - Figure 2 schematically shows a top view of a first electrical connection element of the electrically connecting device according to the first embodiment; - Figure 3 schematically shows a sectional sectional view 20 of an electrical connection device, object of the present invention, according to a second embodiment; - Figure 4 shows schematically a sectional sectional view of a portion of an electrical connection device, object of the present invention, according to a third embodiment; Figure 5 schematically shows a sectional sectional view of a portion of an electrical connection device, object of the present invention, according to a fourth embodiment; FIG. 6 schematically represents a profile sectional view of an electrical connection device, object of the present invention, according to a fifth embodiment; - Figure 7 schematically shows a sectional sectional view 5 of a portion of an electrical connection device, object of the present invention, according to a sixth embodiment; - Figure 8 schematically shows a profile sectional view of an electronic test circuit, also object of the present invention, according to a particular embodiment; Figure 9 schematically shows a profile sectional view of an electronic circuit, also object of the present invention, according to a particular embodiment; FIGS. 10A to 10K schematically represent steps of a method for producing an electrical connection device, object of the present invention, according to a particular embodiment. Identical, similar or equivalent parts of the different figures described below bear the same numerical references so as to facilitate the passage from one figure to another. The different parts shown in the figures are not necessarily in a uniform scale, to make the figures more readable. The different possibilities (variants and embodiments) must be understood as not being exclusive of each other and can be combined with one another. DETAILED DESCRIPTION OF PARTICULAR EMBODIMENTS Referring first to FIG. 1, which schematically shows an electrical connection device 100 according to a first embodiment. In this first embodiment, the device 100 corresponds to an interposer comprising a front face 102 intended to be coupled to a device to be tested, and a rear face 104 intended to be coupled to a test interface. The device 100 is intended to electrically connect the device to be tested with the test interface, and advantageously makes it possible to adapt the pitch of contact pads of the device to be tested to that of contact pads of the test interface. The device 100 comprises a substrate 106 comprising, for example, a semiconductor such as silicon. One or more electrical interconnection layers 108 (BEOL, or "Back-end Of Line") are disposed on the substrate 106, on the side of the front face 102, and form, in several dielectric layers 110 comprising at least one mineral material such as SiO 2, SiON, SiN, etc., and deposited on the substrate 106, one or more levels of electrical interconnections interconnected by vias 111. Electrical access to the electrical interconnection layers 108 from the front face 102 is formed by electrically conductive pads 113 formed in the dielectric layers 110 and at the front face 102. First electrical connection elements 112 are arranged on the front face 102 and are electrically connected to the layers 108 by the Intermediate pads 113. Each element 112 comprises a first membrane 114 formed of at least one electrically conductive material such as doped silicon or silicide (for example SiNi or SiPt), and / or metal (eg copper, aluminum, tungsten or nickel) and / or graphite. The first membrane 114 may also be formed of at least one dielectric material such as SiO 2, the electrical conductivity of this membrane being in this case provided by an additional electrically conductive layer of the membrane. An electrically conductive element 116, corresponding to a test tip in this first embodiment, is disposed on each of the membranes 114. The elements 116 advantageously comprise metal such as copper, tungsten, aluminum, nickel or still rhodium, or a semiconductor coated with metal. These elements 116 are intended to be applied against the contact pads of the device under test with a force allowing mechanical penetration of the elements 116 in the contact pads of the device under test. The material or materials of the elements 116 are chosen in particular as a function of the desired hardness to form the contact with the contact pads of the device under test, and therefore in particular as a function of the fragility of these contact pads.

3022697 12 Sur la figure 1, trois premiers éléments de connexion électrique 112 sont représentés. Toutefois, le dispositif 100 comporte généralement plusieurs centaines, ou plusieurs milliers ou plusieurs dizaines de milliers d'éléments 112. Afin d'obtenir une certaine souplesse mécanique en termes de 5 déplacement vertical des éléments 116 en dépit de leur faible pas et des éventuels défauts d'uniformité de hauteur des éléments 116 et/ou des plots de contact du dispositif testé, tout en ayant une pénétration des éléments 116 dans les plots de contact du dispositif testé qui soit assez profonde pour réaliser un bon contact ohmique entre les éléments 116 et les plots de contact, mais pas trop profonde pour éviter d'endommager 10 les plots de contact et permettre aux éléments 116 d'être détachés des plots de contact après le test, chaque élément 116 est disposé sur une partie de la membrane 114 formant, entre la face avant 102 et une face inférieure de la membrane 114 se trouvant du côté de la face avant 102, une cavité 118. Sur l'exemple de la figure 1, chacune des cavités 118 comporte une paroi de fond formée par la face avant 102, c'est-à-dire une 15 face supérieure des couches diélectriques 110. Les parois latérales et la paroi supérieure de chaque cavité 118 sont formées par la membrane 114 qui repose sur les couches diélectriques 110. Les parties des membranes 114 formant les parois des cavités 118 ont, par rapport à la face avant 102, une forme bombée convexe. Les cavités 118 sont ici fermées, et les parties des membranes 114 délimitant les cavités 118 sont ancrées à la 20 face avant 102 sur toute la périphérie des cavités 118. Ainsi, lorsque les éléments 116 sont appliqués contre les plots de contact du dispositif testé, les membranes 114 qui sont soumises à une force trop importante, dans la direction perpendiculaire à la face avant 102, peuvent se déformer selon cette direction et absorber ainsi une partie de cette force. Ces membranes 114 25 forment des supports des éléments 116 présentant une bonne souplesse mécanique (bon overdrive). La figure 2 représente une vue schématique de dessus d'un des premiers éléments de connexion 112. Les éléments 112 sont disposés les uns à côté des autres, par exemple sous la forme d'une matrice, avec un pas par exemple compris entre environ 20 um et 3022697 13 100 um, voire inférieur à 20 um. Les dimensions des côtés du dispositif 100 sont par exemple comprises entre 1 mm et 10 mm Le dispositif 100 comporte, au niveau de sa face arrière 104, des deuxièmes éléments de connexion électrique 120 reliés électriquement aux couches 108 5 par l'intermédiaire de vias conducteurs 122 traversant le substrat 106 depuis sa face avant jusqu'à sa face arrière. Les vias conducteurs 122 traversent également une autre couche diélectrique 123 disposée sur la face arrière du substrat 106 et formant la face arrière 104 du dispositif 100. Les élément 120 comportent chacun une portion de matériau électriquement conducteur 121 disposée sur une partie d'une couche de 10 nucléation 125 et, au niveau de leur sommet, une autre portion de matériau électriquement conducteur 124, par exemple de forme bombée ou plate, comprenant par exemple un métal de fluage tel que du SnAg, du NiAu ou tout autre alliage adapté, et destinée à être en contact avec les plots de contact de l'interface de test. La portion 124 peut également comporter un métal plus dur tel que du tungstène. L'épaisseur de 15 l'ensemble formé du substrat 106 et des couches 110, 123 est par exemple comprise entre environ 200 um et 400 um. La compensation de la déformation en hauteur pouvant être réalisée par le dispositif 100, c'est-à-dire la différence de position en hauteur maximale entre deux éléments 112 du dispositif 100 peut être de quelques dizaines de microns, par exemple 20 entre environ 10 um et 200 um. Entre deux éléments 112 adjacents, cette différence peut être de l'ordre du micron voire moins, par exemple entre environ 0,5 um et 1 um. En variante de l'exemple décrit en liaison avec les figures 1 et 2, le dispositif 100 peut comporter, sur et/ou dans le substrat 106, des dispositifs passifs (capacités, inductances, résistances) permettant d'améliorer la qualité des signaux 25 mesurés par les éléments 116, et/ou des dispositifs actifs comprenant par exemple des transistors et pouvant former des dispositifs de protection du dispositif à tester, par exemple des dispositifs ESD (« Electro-Static Discharge »), et/ou des dispositifs de multiplexage et/ou de traitement numérique ou analogique des signaux mesurés. Dans l'exemple de réalisation précédemment décrit, les membranes 114 30 sont en silicium dopé ou siliciure, ou plus généralement en un matériau électriquement 3022697 14 conducteur permettant aux membranes 114 de présenter une certaine flexibilité ou souplesse. En variante, les membranes 114 peuvent être formées par la superposition de plusieurs couches de matériau, par exemple un semi-conducteur recouvert d'une couche métallique.In FIG. 1, three first electrical connection elements 112 are shown. However, the device 100 generally comprises several hundreds, or several thousands or tens of thousands of elements 112. In order to obtain a certain mechanical flexibility in terms of vertical displacement of the elements 116 despite their small pitch and possible defects uniformity of height of the elements 116 and / or contact pads of the device under test, while having a penetration of the elements 116 in the contact pads of the device under test which is deep enough to achieve a good ohmic contact between the elements 116 and the contact pads, but not too deep to avoid damaging the contact pads and allowing the elements 116 to be detached from the contact pads after the test, each element 116 is disposed on a portion of the membrane 114 forming, between the front face 102 and a lower face of the membrane 114 located on the side of the front face 102, a cavity 118. On the example of the fi 1, each of the cavities 118 has a bottom wall formed by the front face 102, i.e., an upper face of the dielectric layers 110. The side walls and the top wall of each cavity 118 are formed by the membrane 114 which rests on the dielectric layers 110. The portions of the membranes 114 forming the walls of the cavities 118 have, with respect to the front face 102, a convex convex shape. The cavities 118 are here closed, and the portions of the membranes 114 defining the cavities 118 are anchored to the front face 102 over the entire periphery of the cavities 118. Thus, when the elements 116 are applied against the contact pads of the device under test, the membranes 114 which are subjected to a too great force, in the direction perpendicular to the front face 102, can deform in this direction and thus absorb a part of this force. These membranes 114 form support elements 116 having good mechanical flexibility (good overdrive). FIG. 2 represents a schematic view from above of one of the first connection elements 112. The elements 112 are arranged next to each other, for example in the form of a matrix, with a pitch for example between about 20.degree. um and 3022697 13 100 um, or even less than 20 um. The dimensions of the sides of the device 100 are, for example, between 1 mm and 10 mm. The device 100 comprises, at its rear face 104, second electrical connection elements 120 electrically connected to the layers 108 via conductive vias. 122 passing through the substrate 106 from its front face to its rear face. The conductive vias 122 also pass through another dielectric layer 123 disposed on the rear face of the substrate 106 and forming the rear face 104 of the device 100. The elements 120 each comprise a portion of electrically conductive material 121 disposed on a portion of a layer of Nucleation 125 and, at their apex, another portion of electrically conductive material 124, for example curved or flat, comprising for example a creep metal such as SnAg, NiAu or any other suitable alloy, and intended to be in contact with the contact pads of the test interface. Portion 124 may also include a harder metal such as tungsten. The thickness of the assembly formed of the substrate 106 and the layers 110, 123 is for example between about 200 μm and 400 μm. The compensation for the height distortion that can be achieved by the device 100, that is to say the maximum height position difference between two elements 112 of the device 100 may be a few tens of microns, for example between about 10 um and 200 μm. Between two adjacent elements 112, this difference may be of the order of one micron or less, for example between about 0.5 μm and 1 μm. In a variant of the example described with reference to FIGS. 1 and 2, the device 100 may comprise, on and / or in the substrate 106, passive devices (capacitors, inductances, resistors) making it possible to improve the quality of the signals 25 measured by the elements 116, and / or active devices comprising, for example, transistors and capable of forming devices for protecting the device to be tested, for example ESD devices ("Electro-Static Discharge"), and / or multiplexing devices. and / or digital or analog processing of the measured signals. In the previously described embodiment, the membranes 114 are doped silicon or silicide, or more generally a electrically conductive material allowing the membranes 114 to have a certain flexibility or flexibility. Alternatively, the membranes 114 may be formed by the superposition of several layers of material, for example a semiconductor coated with a metal layer.

5 La figure 3 représente schématiquement le dispositif 100 selon un deuxième mode de réalisation. Par rapport au premier mode de réalisation, chaque élément 112 comporte, à la place de l'élément 116 en forme de pointe, un élément 116 formant une multi-pointe, ici trois pointes (seules deux pointes sont visibles sur la figure 3 car la 10 troisième pointe se trouve en dehors du plan de coupe). Un tel élément 116 est bien adapté pour réaliser un contact avec des plots de contact du dispositif testé de forme bombée et durs, correspondant par exemple à des billes métalliques, car dans ce cas, de tels plots de contact peuvent aisément s'insérer entre les pointes de chacun des éléments 116. Les éléments 116 sont ainsi bien centrés par rapport aux plots de contact du 15 dispositif testé et évitent de dégrader de tels plots de contact arrondis et durs. La distance « a » entre les sommets de deux pointes d'un élément multi-pointes est par exemple inférieure à environ 15 um. La figure 4 représente schématiquement une partie du dispositif 100 selon un troisième mode de réalisation. Sur cette figure, bien que le dispositif 100 20 comporte plusieurs éléments 112, un seul de ces éléments 112 est représenté. Par rapport au premier mode de réalisation, chaque élément 112 comporte, à la place de l'élément 116 en forme de pointe, un élément 116 comportant une portion 128 de matériau électriquement conducteur surmontée d'une portion conductrice 130 (qui est bombée sur la figure 4, mais qui pourrait être plane), par 25 exemple similaire aux portions 121 et 124 des deuxièmes éléments 120 se trouvant sur la face arrière 104 du dispositif 100. La portion 130 forme une pointe dont le sommet est bombé. La portion conductrice 130 comporte par exemple un métal de fluage tel que du SnAg ou du NiAu, dont la dureté est inférieure au métal formant les éléments 116 en forme de pointe ou de multi-pointes comme dans les premier et deuxième modes de 30 réalisation, ou bien un métal plus dur tel que du tungstène. De tels éléments 112 sont 3022697 15 bien adaptés pour réaliser un contact électrique avec des plots de contact du dispositif testé qui ne sont pas adaptés à un contact par des pointes, comme par exemple des plots en cuivre entourés d'isolant en formant une surface plane par exemple destinée à être reportée sur une puce par collage direct. De tels éléments 116 permettent de conserver 5 l'intégrité des plots de contact du dispositif testé. Dans ce troisième mode de réalisation, le facteur de forme, ou ratio d'aspect, de la pointe 116 peut être supérieur à 1 voire supérieur à 10 ou 30. Un tel facteur de forme élevé est avantageux lorsqu'une grande souplesse mécanique est requise, ou lorsque l'espacement entre la pointe de test et le plot de contact à tester est 10 variable ou élevé. Le facteur de forme, appelé AR, de la pointe 116 est défini par la formule suivante : AR = H / (4nA)1n avec H correspondant à la hauteur de la pointe 116 (dimension selon l'axe Z), et A correspondant à la surface de sa projection dans le plan du substrat 15 (parallèle au plan (X,Y)). La figure 5 représente schématiquement une partie du dispositif 100 selon un quatrième mode de réalisation. Sur cette figure, bien que le dispositif 100 comporte plusieurs éléments 112, un seul de ces éléments 112 est représenté. Par rapport au premier mode de réalisation dans lequel les membranes 20 114 forment des cavités 118 de forme bombée, les membranes 114 selon ce quatrième mode de réalisation délimitent des cavités 118 planes, dont la vue en coupe (telle que représentée sur la figure 5) est de forme rectangulaire ou carrée, c'est-à-dire des cavités 118 de forme sensiblement parallélépipédique, et avantageusement parallélépipédique rectangle. La forme de la zone d'ancrage à la base de la cavité est avantageusement 25 sensiblement rectangulaire (telle qu'un rectangle ou un carré ou un losange) mais peut également avoir une forme différente, par exemple polygonale ou autre. Une telle configuration avantageuse permet de conférer plus de souplesse aux membranes 114 lorsqu'elles sont soumises à une force de pression depuis les éléments 116 en contact avec les plots de contact du dispositif testé.Figure 3 schematically shows the device 100 according to a second embodiment. With respect to the first embodiment, each element 112 comprises, in place of the element 116 in the form of a tip, an element 116 forming a multi-point, here three points (only two points are visible in FIG. The third tip is outside the section plane). Such an element 116 is well adapted to make contact with contact pads of the tested device of curved and hard shape, corresponding for example to metal balls, because in this case, such contact pads can easily be inserted between the The elements 116 are thus well centered with respect to the contact pads of the device under test and avoid degrading such rounded and hard contact pads. The distance "a" between the peaks of two points of a multi-point element is, for example, less than about 15 μm. Figure 4 schematically shows a part of the device 100 according to a third embodiment. In this figure, although the device 100 has several elements 112, only one of these elements 112 is shown. With respect to the first embodiment, each element 112 comprises, in place of the element 116 in the form of a point, an element 116 comprising a portion 128 of electrically conductive material surmounted by a conductive portion 130 (which is curved on the FIG. 4, but which could be planar), for example similar to the portions 121 and 124 of the second members 120 on the rear face 104 of the device 100. The portion 130 forms a tip whose crown is curved. The conductive portion 130 comprises, for example, a creep metal such as SnAg or NiAu, the hardness of which is lower than the metal forming the elements 116 in the form of tips or multi-tips as in the first and second embodiments, or a harder metal such as tungsten. Such elements 112 are well suited to make electrical contact with contact pads of the device under test which are not suitable for contact with points, such as for example copper pads surrounded by insulation, forming a flat surface. for example intended to be carried on a chip by direct bonding. Such elements 116 make it possible to maintain the integrity of the contact pads of the device under test. In this third embodiment, the aspect ratio, or aspect ratio, of the tip 116 may be greater than 1 or even greater than 10 or 30. Such a high form factor is advantageous when a great deal of mechanical flexibility is required. or when the spacing between the test tip and the contact pad to be tested is variable or high. The form factor, called AR, of the tip 116 is defined by the following formula: AR = H / (4nA) 1n with H corresponding to the height of the tip 116 (dimension along the Z axis), and A corresponding to the surface of its projection in the plane of the substrate 15 (parallel to the plane (X, Y)). Figure 5 shows schematically a part of the device 100 according to a fourth embodiment. In this figure, although the device 100 has several elements 112, only one of these elements 112 is shown. With respect to the first embodiment in which the membranes 114 form cavities 118 of curved shape, the membranes 114 according to this fourth embodiment delimit flat cavities 118, the sectional view (as shown in Figure 5) is of rectangular or square shape, that is to say cavities 118 of substantially parallelepipedal shape, and advantageously parallelepiped rectangle. The shape of the anchoring zone at the base of the cavity is advantageously substantially rectangular (such as a rectangle or a square or a rhombus) but may also have a different shape, for example polygonal or other. Such an advantageous configuration makes it possible to give the membranes 114 more flexibility when they are subjected to a pressing force from the elements 116 in contact with the contact pads of the device under test.

3022697 16 En variante de ce quatrième mode de réalisation, les cavités 118 peuvent avoir une forme autre que rectangulaire. En outre, l'élément 116 en forme de pointe de chaque élément 112 du dispositif 100 selon le quatrième mode de réalisation peut être remplacé par un élément 116 de type multi-pointes comme précédemment 5 décrit pour le deuxième mode de réalisation, ou par un élément 116 comportant les portions 128 et 130 comme précédemment décrit pour le troisième mode de réalisation. La figure 6 représente schématiquement le dispositif de connexion 100 selon un cinquième mode de réalisation. Par rapport au premier mode de réalisation, une ou plusieurs deuxièmes 10 cavités 132 sont réalisées au niveau de la face arrière 104 du dispositif 100, à travers le substrat 106 et la couche diélectrique 123. Les parties des couches diélectriques 110 et des couches d'interconnexions électriques 108 disposées au niveau de cette ou ces cavités 132 forment des deuxièmes membranes apportant une plus grande souplesse au dispositif 100. Une telle cavité 132 peut être réalisée telle que plusieurs éléments 112 15 soient présents sur la deuxième membrane formée par cette cavité 132, par exemple en regard du centre de la matrice formée des éléments 112. Dans ce cinquième mode de réalisation, la ou les couches diélectriques 110 comportent avantageusement un matériau élastique tel qu'un polymère, afin que la souplesse apportée par la présence de la ou des cavités 132 soit couplée à une deuxième 20 membrane moins rigide que dans le cas de couches diélectriques 110 comportant du Si02 ou du SiN. Les couches diélectriques 110 peuvent également être formées à la fois par une ou plusieurs couches de matériau minéral, et une ou plusieurs couches de matériau polymère. En variante, plusieurs cavités 132 peuvent être réalisées dans le 25 dispositif 100 telles qu'un seul élément de connexion soit présent sur la deuxième membrane formée par cette cavité 132, comme sur l'exemple de la figure 7. La réalisation d'une ou plusieurs cavités 132 peut également s'appliquer aux dispositifs de connexion 100 précédemment décrits en liaison avec les figures 1 à 5. La figure 8 représente un circuit électronique de test 1000 comportant 30 un dispositif de connexion électrique 100 selon l'un des modes de réalisation 3022697 17 précédemment décrits. Le circuit 1000 est disposé en regard d'un dispositif électronique 1002 destiné à être testé par le circuit électronique de test 1000. Le dispositif 1002 comporte des plots de contact 1004 dans lesquels les éléments 116 en forme de pointes sont destinés à être insérés. Le circuit 1000 est destiné à être hybridé temporairement au 5 dispositif 1002 durant le test du dispositif 1002. La face arrière 104 du dispositif 100 est hybridée à une interface électronique de test 1006 par l'intermédiaire des deuxièmes éléments de connexion électrique 120. Ainsi, différents tests électriques du dispositif 1002 peuvent être réalisés par l'interface électronique de test 1006 via les connexions électriques réalisées entre le dispositif 1002 et l'interface 1006 par l'intermédiaire des 10 plots de contact 1004, et du dispositif 100. La figure 9 représente un circuit électronique 1100 formé par un assemblage « 3D » entre le dispositif de connexion électrique 100 et un dispositif électronique 1102. Le dispositif 100 est hybridé de manière permanente au dispositif 1102 grâce aux éléments 112 insérés dans des plots de contact 1104 du dispositif 1102, 15 formant ainsi les liaisons électriques entre le dispositif 100 et le dispositif 1102. En variante, le dispositif 100 pourrait être couplé, au niveau de sa face arrière, à un autre dispositif électronique et/ou le dispositif 1102 pourrait être couplé à un autre dispositif électronique. On décrit maintenant, en liaison avec les figures 10A à 10K, un procédé 20 de réalisation du dispositif de connexion électrique 100 selon le premier mode de réalisation, correspondant à celui représenté sur la figure 1. Sur ces figures, la réalisation d'un seul premier élément de connexion électrique 112 est représentée. Le procédé est mis en oeuvre à partir du substrat 106 comportant sur sa face avant une première des couches diélectriques 110, par exemple en Si02 ou SiN 25 (figure 10A). Les vias conducteurs 122 sont ensuite réalisés à travers au moins une partie de l'épaisseur du substrat 106, au niveau de sa face avant (figure 10B). Pour cela, une gravure profonde est mise en oeuvre à travers la face avant du substrat 106, formant des trous à travers la partie de l'épaisseur du substrat 106 et au niveau desquels vont être 30 formés les vias 122. Une couche diélectrique d'isolation, par exemple une couche de Si02, 3022697 18 est ensuite déposée sur les parois des trous, puis une couche d'adhésion et de nucléation est déposée sur la couche diélectrique d'isolation par exemple via un dépôt électrolytique (couches non représentées sur la figure 10B). Le matériau conducteur des vias 122, par exemple du cuivre, est ensuite déposé en remplissant les trous. Le substrat 106 peut par 5 exemple avoir une épaisseur égale à 500 um ou 750 um, et les vias 122 peuvent être réalisés sur une hauteur égale à environ 100 um. Les couches d'interconnexion 108, les vias 111, les couches diélectriques 110 et les plots 113 sont ensuite réalisés sur la couche diélectrique disposée sur la face avant du substrat 106, par exemple via des dépôts de type damascène. Ces étapes 10 forment en outre la face avant 102 du dispositif 100 (figure 10C). Une couche sacrificielle, comportant par exemple du polymère ou une résine, est ensuite déposée sur la face avant 102. Cette couche sacrificielle est ensuite structurée par gravure afin que des portions restantes 134 de cette couche correspondent aux volumes des cavités 118 destinées à être réalisées (figure 10D). Dans 15 le cas d'une couche sacrificielle en polymère, une gravure de type plasma 02 peut être mise en oeuvre pour former des portions de polymère de forme bombée pour la réalisation de cavités 118 telles que représentées sur la figure 1. La forme bombée des portions de matériau sacrificiel peut également être obtenue par la mise en oeuvre d'un reflux.As a variant of this fourth embodiment, the cavities 118 may have a shape other than rectangular. Further, the tip-shaped member 116 of each member 112 of the device 100 according to the fourth embodiment may be replaced by a multi-tip member 116 as previously described for the second embodiment, or by a element 116 having portions 128 and 130 as previously described for the third embodiment. Figure 6 shows schematically the connection device 100 according to a fifth embodiment. With respect to the first embodiment, one or more second cavities 132 are formed at the rear face 104 of the device 100, through the substrate 106 and the dielectric layer 123. The portions of the dielectric layers 110 and the layers of electrical interconnections 108 arranged at this or these cavities 132 form second membranes providing a greater flexibility to the device 100. Such a cavity 132 may be made such that several elements 112 15 are present on the second membrane formed by this cavity 132, for example, facing the center of the matrix formed by elements 112. In this fifth embodiment, the dielectric layer or layers 110 advantageously comprise an elastic material such as a polymer, so that the flexibility provided by the presence of the one or more cavities 132 is coupled to a second, less rigid membrane than in the case of dielectric layers s 110 having SiO 2 or SiN. The dielectric layers 110 may also be formed by one or more layers of inorganic material, and one or more layers of polymeric material. In a variant, a plurality of cavities 132 may be made in the device 100 such that only one connection element is present on the second membrane formed by this cavity 132, as in the example of FIG. several cavities 132 can also be applied to connection devices 100 previously described in connection with FIGS. 1 to 5. FIG. 8 represents an electronic test circuit 1000 comprising an electrical connection device 100 according to one of the embodiments 3022697 17 previously described. The circuit 1000 is arranged opposite an electronic device 1002 intended to be tested by the electronic test circuit 1000. The device 1002 comprises contact pads 1004 in which the elements 116 in the form of tips are intended to be inserted. The circuit 1000 is intended to be temporarily hybridized to the device 1002 during the test of the device 1002. The rear face 104 of the device 100 is hybridized to an electronic test interface 1006 via the second electrical connection elements 120. Thus, various electrical tests of the device 1002 can be performed by the electronic test interface 1006 via the electrical connections made between the device 1002 and the interface 1006 via the contact pads 1004 and the device 100. FIG. 9 represents an electronic circuit 1100 formed by a "3D" assembly between the electrical connection device 100 and an electronic device 1102. The device 100 is permanently hybridized to the device 1102 thanks to the elements 112 inserted into contact pads 1104 of the device 1102 , Thus forming the electrical connections between the device 100 and the device 110 2. Alternatively, the device 100 could be coupled, at its back side, to another electronic device and / or the device 1102 could be coupled to another electronic device. With reference to FIGS. 10A to 10K, a method 20 for producing the electrical connection device 100 according to the first embodiment, corresponding to that shown in FIG. 1, is described. In these figures, the production of a single first electrical connection element 112 is shown. The method is implemented from the substrate 106 having on its front face a first of the dielectric layers 110, for example of SiO 2 or SiN 25 (FIG. 10A). The conductive vias 122 are then made through at least a portion of the thickness of the substrate 106, at its front face (Figure 10B). For this, a deep etching is carried out through the front face of the substrate 106, forming holes through the portion of the thickness of the substrate 106 and at which the vias 122 will be formed. insulation, for example an SiO 2 layer, is then deposited on the walls of the holes, and then an adhesion and nucleation layer is deposited on the insulating dielectric layer, for example via an electrolytic deposition (layers not shown in FIG. Figure 10B). The conductive material vias 122, for example copper, is then deposited by filling the holes. The substrate 106 may for example have a thickness of 500 μm or 750 μm, and the vias 122 may be made to a height of about 100 μm. The interconnection layers 108, the vias 111, the dielectric layers 110 and the pads 113 are then made on the dielectric layer disposed on the front face of the substrate 106, for example via damascene-type deposits. These steps 10 further form the front face 102 of the device 100 (FIG. 10C). A sacrificial layer, comprising for example polymer or resin, is then deposited on the front face 102. This sacrificial layer is then structured by etching so that the remaining portions 134 of this layer correspond to the volumes of the cavities 118 intended to be made ( Figure 10D). In the case of a sacrificial polymer layer, a plasma-type etching 02 may be used to form convex-shaped polymer portions for producing cavities 118 as shown in FIG. Portions of sacrificial material may also be obtained by carrying out reflux.

20 Les membranes 114 sont ensuite réalisées via un dépôt d'une couche électriquement conductrice, par exemple en métal tel que Cu, de l'AI, du W, du Rh, du Rt, etc., et/ou du silicium dopé ou siliciure, recouvrant les portions restantes de la couche sacrificielle. Cette ou ces couches électriquement conductrices sont ensuite gravées afin que les portions restantes de cette ou des couches forment les premières membranes 25 114, et forment les capots des futures cavités 118 (figure 10E). Des trous de libération sont ensuite réalisés à travers ces capots, puis le matériau sacrificiel recouvert par les membranes 114 est ensuite gravé à travers ces trous de libération, par exemple via une gravure sèche et/ou humique, formant les cavités 118 (figure 10F).The membranes 114 are then made by depositing an electrically conductive layer, for example metal such as Cu, AI, W, Rh, Rt, etc., and / or doped silicon or silicide , covering the remaining portions of the sacrificial layer. This or these electrically conductive layers are then etched so that the remaining portions of this or the layers form the first membranes 114, and form the covers of the future cavities 118 (FIG. 10E). Release holes are then made through these covers, and then the sacrificial material covered by the membranes 114 is then etched through these release holes, for example via dry and / or humic etching, forming the cavities 118 (FIG. 10F). .

3022697 19 Le ou les matériaux, par exemple un métal, destinés à former les éléments 116 sont ensuite déposés sur les membranes 114 et structurés par gravure humide pour former les éléments 116 (figure 10G). Il est possible que les éléments 116 bouchent les trous de libération précédemment réalisés à travers les membranes 114.The material or materials, for example a metal, intended to form the elements 116 are then deposited on the membranes 114 and structured by wet etching to form the elements 116 (FIG. 10G). It is possible that the elements 116 block the clearance holes previously made through the membranes 114.

5 Ces trous peuvent être bouchés ou non, avec le ou les matériaux des éléments 116 voir avec d'autres matériaux (polymère par exemple). La structure obtenue est ensuite collée temporairement, au niveau de sa face avant 102, à un support formant une poignée mécanique (non visible sur les figures 10H à 10K). La face arrière de la structure, c'est-à-dire la face arrière du substrat 10 106, est ensuite amincie jusqu'à obtenir l'épaisseur souhaitée et atteindre notamment les vias 122. Une passivation de la face arrière peut ensuite être réalisée via le dépôt d'une couche de passivation 123, puis des ouvertures sont réalisées à travers la couche 123 pour réaliser des reprises de contact des vias 122 (figure 10H). Un dépôt électrochimique ECD, par exemple par électrolyse, de la 15 couche de nucléation 125 est ensuite réalisé au niveau de la face arrière 104. Une croissance électrolytique forme ensuite les portions 121. Les portions 124 sont ensuite réalisées par dépôt sur les portions 121 (figure 101). La couche de nucléation est ensuite gravée afin de ne conserver que certaines portions faisant partie des éléments de connexion 120 (figure 10J). Un éventuel reflux peut être mis en oeuvre lorsque le 20 matériau des portions 124 est un matériau de fluage tel que du SnAg, comme représenté sur la figure 10K. Enfin, le dispositif 100 obtenu est séparé de la poignée temporaire solidarisée à la face avant 102 du dispositif 100. Pour la réalisation du dispositif 100 comportant une ou plusieurs cavités 25 132 telles que précédemment décrites en liaison avec les figures 6 et 7, des étapes similaires à celles précédemment décrites pour la réalisation du dispositif 100 selon le premier mode de réalisation sont mises en oeuvre. La ou les cavités 132 sont toutefois réalisées par gravure à travers la face arrière de la structure, juste après l'étape de solidarisation de la structure avec la poignée mécanique temporaire.These holes can be plugged or not, with the material or materials of the elements 116 or other materials (eg polymer). The structure obtained is then glued temporarily, at its front face 102, to a support forming a mechanical handle (not visible in Figures 10H to 10K). The rear face of the structure, that is to say the rear face of the substrate 106, is then thinned to obtain the desired thickness and in particular to reach the vias 122. A passivation of the rear face can then be performed via the deposition of a passivation layer 123, then openings are made through the layer 123 to make resumption of contact vias 122 (Figure 10H). An ECD electrochemical deposition, for example by electrolysis, of the nucleation layer 125 is then carried out at the rear face 104. An electrolytic growth then forms the portions 121. The portions 124 are then produced by depositing on the portions 121 ( Figure 101). The nucleation layer is then etched so as to keep only certain portions forming part of the connection elements 120 (FIG. 10J). A possible reflux may be implemented when the material of the portions 124 is a creep material such as SnAg, as shown in Figure 10K. Finally, the device 100 obtained is separated from the temporary handle secured to the front face 102 of the device 100. For the embodiment of the device 100 comprising one or more cavities 132 as previously described in connection with FIGS. 6 and 7, steps similar to those previously described for the realization of the device 100 according to the first embodiment are implemented. The cavity or cavities 132, however, are made by etching through the rear face of the structure, just after the step of securing the structure with the temporary mechanical handle.

3022697 20 Dans tous les modes de réalisation et exemples précédemment décrits, les premières membranes 114 sont disposées directement sur la première face 102 et les premières cavités 118 sont délimitées par les premières membranes 114 et la face avant 102. En variante, les premières membranes 114 peuvent être réalisées non pas 5 directement sur la première face 102 mais sur des supports qui sont disposés sur la face avant 102. Ainsi, les cavités 118 sont dans ce cas formées entre les premières membranes 114 et ces supports. De tels supports peuvent correspondre à de simples supports mécaniques, ou peuvent comporter d'autres éléments comme par exemple un matériau piézoélectrique disposé entre deux électrodes, ce qui permet de commander 10 électriquement la position du support en appliquant une tension électrique appropriée aux bornes des électrodes.In all the embodiments and examples previously described, the first membranes 114 are arranged directly on the first face 102 and the first cavities 118 are delimited by the first membranes 114 and the front face 102. In a variant, the first membranes 114 can be made not directly on the first face 102 but on supports which are arranged on the front face 102. Thus, the cavities 118 are in this case formed between the first membranes 114 and these supports. Such supports may correspond to simple mechanical supports, or may comprise other elements such as, for example, a piezoelectric material placed between two electrodes, which makes it possible to electrically control the position of the support by applying a suitable electrical voltage across the electrodes. .

Claims (16)

REVENDICATIONS1. Dispositif de connexion électrique (100) destiné à être hybridé à un dispositif électronique (1002, 1102), comportant un ou plusieurs premiers éléments de connexion électrique (112) disposés sur une face avant (102) du dispositif de connexion électrique (100) tels que chaque premier élément de connexion électrique (112) comporte : - au moins une première membrane (114) électriquement conductrice délimitant, avec la face avant (102) du dispositif de connexion électrique (100), au moins une première cavité (118), la première membrane (114) étant solidarisée à la face avant (102) du dispositif de connexion électrique (100) au moins au niveau de la périphérie de la première cavité (118), - au moins un élément électriquement conducteur (116) disposé sur la première membrane (114) dudit premier élément de connexion électrique (112) et destiné à être en contact avec au moins un plot de contact (1004, 1104) du dispositif électronique (1002, 1102).REVENDICATIONS1. An electrical connection device (100) for hybridization to an electronic device (1002, 1102), having one or more first electrical connection elements (112) disposed on a front face (102) of the electrical connection device (100) such as each first electrical connection element (112) comprises: - at least a first electrically conductive membrane (114) delimiting, with the front face (102) of the electrical connection device (100), at least a first cavity (118), the first membrane (114) being secured to the front face (102) of the electrical connection device (100) at least at the periphery of the first cavity (118), - at least one electrically conductive element (116) disposed on the first membrane (114) of said first electrical connection element (112) and intended to be in contact with at least one contact pad (1004, 1104) of the electronic device (1002, 1102). 2. Dispositif de connexion électrique (100) selon la revendication 1, dans lequel, pour chaque premier élément de connexion électrique (112), la première 2 0 membrane (114) est solidarisée à la face avant (102) du dispositif de connexion électrique (100) au niveau de toute la périphérie de la première cavité (118).2. Electrical connection device (100) according to claim 1, wherein, for each first electrical connection element (112), the first membrane (114) is secured to the front face (102) of the electrical connection device. (100) at the entire periphery of the first cavity (118). 3. Dispositif de connexion électrique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les premiers éléments de connexion électrique 25 (112) sont disposés en matrice avec un pas inférieur à environ 100 um.The electrical connection device (100) according to one of the preceding claims, wherein the first electrical connection elements (112) are arranged in a matrix with a pitch less than about 100 μm. 4. Dispositif de connexion électrique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chaque élément électriquement conducteur (116) comporte au moins une portion de matériau électriquement conducteur dont une 3022697 22 extrémité forme une ou plusieurs pointes, chaque pointe étant de forme sensiblement bombée ou plane ou pointue.4. Electrical connection device (100) according to one of the preceding claims, wherein each electrically conductive element (116) comprises at least one portion of electrically conductive material one end of which forms one or more tips, each tip being substantially curved or flat or pointed shape. 5. Dispositif de connexion électrique (100) selon l'une des 5 revendications précédentes, dans lequel chaque première membrane (114) forme un capot de la première cavité (118) qui est délimitée par ladite première membrane (114), le capot étant de forme sensiblement plane ou bombée.5. Electrical connection device (100) according to one of the preceding claims, wherein each first membrane (114) forms a cover of the first cavity (118) which is delimited by said first membrane (114), the hood being of substantially flat or curved shape. 6. Dispositif de connexion électrique (100) selon l'une des 10 revendications précédentes, dans lequel chaque première membrane (114) est reliée à au moins un plot électriquement conducteur (113) formé dans le dispositif de connexion électrique (100) et lui-même relié à au moins un deuxième élément de connexion électrique (120) disposé sur une face arrière (104) du dispositif de connexion électrique (100). 156. Electrical connection device (100) according to one of the preceding claims, wherein each first membrane (114) is connected to at least one electrically conductive pad (113) formed in the electrical connection device (100) and it - Even connected to at least one second electrical connection element (120) disposed on a rear face (104) of the electrical connection device (100). 15 7. Dispositif de connexion électrique (100) selon la revendication 6, dans lequel chaque deuxième élément de connexion électrique (120) comporte au moins une portion de matériau électriquement conducteur (121, 124) dont un sommet est de forme sensiblement bombée ou plane ou pointue.7. Electrical connection device (100) according to claim 6, wherein each second electrical connection element (120) comprises at least one portion of electrically conductive material (121, 124) whose apex is substantially convex or flat or pointed. 8. Dispositif de connexion électrique (100) selon l'une des revendications 6 ou 7, comportant en outre au moins : - un substrat (106), - une ou plusieurs couches diélectriques (110) superposées et disposées sur le substrat (106) et formant la face avant (102) du dispositif de connexion électrique (100), - au moins une couche d'interconnexion électrique (108) disposée sous la couche diélectrique (110) ou entre les couches diélectriques (110), chaque plot électriquement conducteur (113) étant relié à la couche d'interconnexion électrique (108), 3022697 23 - un ou plusieurs vias électriquement conducteurs (122) traversant au moins le substrat (106) et reliant électriquement chaque deuxième élément de connexion électrique (120) à la couche d'interconnexion électrique (108). 58. Electrical connection device (100) according to one of claims 6 or 7, further comprising at least: - a substrate (106), - one or more dielectric layers (110) superimposed and arranged on the substrate (106) and forming the front face (102) of the electrical connection device (100), - at least one electrical interconnection layer (108) disposed under the dielectric layer (110) or between the dielectric layers (110), each electrically conductive pad (113) being connected to the electrical interconnection layer (108), one or more electrically conductive vias (122) passing through at least the substrate (106) and electrically connecting each second electrical connection element (120) to the electrical interconnect layer (108). 5 9. Dispositif de connexion électrique (100) selon la revendication 8, dans lequel la ou les couches diélectriques (110) comportent au moins un matériau diélectrique minéral ou polymère.An electrical connection device (100) according to claim 8, wherein the one or more dielectric layers (110) comprise at least one mineral or polymeric dielectric material. 10. Dispositif de connexion électrique (100) selon l'une des 10 revendications 8 ou 9, comportant en outre au moins une deuxième cavité (132) formée à travers le substrat (106) et telle qu'au moins une partie de la ou des couches diélectriques (110) sur lesquelles est disposé au moins un premier élément de connexion électrique (112) forme au moins une deuxième membrane au niveau de la deuxième cavité (132). 15The electrical connection device (100) according to one of claims 8 or 9, further comprising at least a second cavity (132) formed through the substrate (106) and such that at least a portion of the dielectric layers (110) on which at least one first electrical connection element (112) is arranged forms at least one second membrane at the second cavity (132). 15 11. Dispositif de connexion électrique (100) selon l'une des revendications 8 ou 9, comportant en outre plusieurs deuxièmes cavités (132) formées à travers le substrat (106) et telles que des parties de la ou des couches diélectriques (110) sur chacune desquelles est disposé un premier élément de connexion électrique (112) forment des deuxièmes membranes au niveau des deuxièmes cavités (132). 20The electrical connection device (100) according to one of claims 8 or 9, further comprising a plurality of second cavities (132) formed through the substrate (106) and such as portions of the dielectric layer (s) (110). each of which is provided with a first electrical connection element (112) form second membranes at the second cavities (132). 20 12. Circuit électronique de test (1000) comportant au moins un dispositif de connexion électrique (100) selon l'une des revendications 6 à 11, dans lequel le dispositif électronique (1002) est destiné à être testé par le circuit électronique de test 25 (1000), et dans lequel la face arrière (104) du dispositif de connexion (100) est hybridée à une interface électronique de test (1006) par l'intermédiaire des deuxièmes éléments de connexion électrique (120). 3022697 2412. An electronic test circuit (1000) comprising at least one electrical connection device (100) according to one of claims 6 to 11, wherein the electronic device (1002) is intended to be tested by the electronic test circuit 25. (1000), and wherein the rear face (104) of the connecting device (100) is hybridized to an electronic test interface (1006) via the second electrical connection elements (120). 3022697 24 13. Circuit électronique (1100) comportant au moins un dispositif de connexion électrique (100) selon l'une des revendications 1 à 11 hybridé au dispositif électronique (1102) tel que les éléments électriquement conducteurs (116) du dispositif de connexion électrique (100) sont ancrés dans les plots de contact (1104) du dispositif 5 électronique (1102).13. An electronic circuit (1100) comprising at least one electrical connection device (100) according to one of claims 1 to 11 hybridized to the electronic device (1102) such that the electrically conductive elements (116) of the electrical connection device (100). ) are anchored in the contact pads (1104) of the electronic device (1102). 14. Procédé de réalisation d'un dispositif de connexion électrique (100) destiné à être hybridé à un dispositif électronique (1002, 1102), comportant la réalisation d'un ou plusieurs premiers éléments de connexion électrique (112) sur une face avant 10 (102) du dispositif de connexion électrique (100) au moins par la mise en oeuvre, pour chaque premier élément de connexion électrique (112), des étapes de : - réalisation d'au moins une portion de matériau sacrificiel (134) sur la face avant (102) du dispositif de connexion électrique (100) ; - réalisation d'au moins une première membrane (114) électriquement 15 conductrice telle qu'elle recouvre au moins la portion de matériau sacrificiel (134) et est solidarisée à la face avant (102) du dispositif de connexion électrique (100) au moins au niveau de la périphérie de la portion de matériau sacrificiel (134) ; - réalisation d'au moins un trou de libération à travers la première membrane (114) ; 20 - élimination de la portion de matériau sacrificiel (134) à travers le trou de libération, formant au moins une première cavité (118) délimitée par la première membrane (114) et la face avant (102) du dispositif de connexion électrique (100) ; - réalisation d'au moins un élément électriquement conducteur (116) sur la première membrane (114) tel qu'il soit destiné à être en contact avec au moins un 25 plot de contact (1004, 1104) du dispositif électronique (1002, 1102).14. A method of producing an electrical connection device (100) intended to be hybridized to an electronic device (1002, 1102), comprising the production of one or more first electrical connection elements (112) on a front face. (102) of the electrical connection device (100) at least by the implementation, for each first electrical connection element (112), of steps of: - producing at least a portion of sacrificial material (134) on the front face (102) of the electrical connection device (100); - Making at least a first electrically conductive membrane (114) such that it covers at least the portion of sacrificial material (134) and is secured to the front face (102) of the electrical connection device (100) at least at the periphery of the portion of sacrificial material (134); - providing at least one release hole through the first membrane (114); Removing the portion of sacrificial material (134) through the release hole, forming at least a first cavity (118) delimited by the first membrane (114) and the front face (102) of the electrical connection device (100). ); - Making at least one electrically conductive element (116) on the first membrane (114) such that it is intended to be in contact with at least one contact pad (1004, 1104) of the electronic device (1002, 1102). ). 15. Procédé selon la revendication 14, comportant en outre, préalablement à la réalisation du ou des premiers éléments de connexion électrique (112), la mise en oeuvre des étapes suivantes : 3022697 25 - réalisation, à travers au moins une partie de l'épaisseur d'un substrat (106), d'un ou plusieurs vias électriquement conducteurs (122) ; - réalisation d'au moins une couche d'interconnexion électrique (108) entre le substrat (106) et une couche diélectrique (110) ou entre plusieurs couches 5 diélectriques (110), - réalisation d'un ou plusieurs plots électriquement conducteurs (113) dans le dispositif de connexion électrique (100) et auxquels la ou les premières membranes (114) sont destinées à être reliées ; et comportant en outre, après la réalisation du ou des premiers 10 éléments de connexion électrique (112), la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation d'un ou plusieurs deuxièmes éléments de connexion électrique (120) sur une face arrière (104) du dispositif de connexion électrique (100) tels que chaque première membrane (114) est reliée à au moins un des deuxièmes éléments de connexion électrique (120) par l'intermédiaire du ou d'un des plots électriquement 15 conducteurs (113), de la couche d'interconnexion électrique (108) et du ou d'un des vias électriquement conducteurs (122).15. The method of claim 14, further comprising, prior to the production of the first electrical connection elements (112), the implementation of the following steps: - realization, through at least a part of the a thickness of a substrate (106), one or more electrically conductive vias (122); - Making at least one electrical interconnection layer (108) between the substrate (106) and a dielectric layer (110) or between several dielectric layers (110), - Making one or more electrically conductive pads (113). ) in the electrical connection device (100) and to which the first membrane or membranes (114) are intended to be connected; and further comprising, after the making of the first 10 electrical connection elements (112), carrying out the following steps: - producing one or more second electrical connection elements (120) on a rear face (104); ) of the electrical connection device (100) such that each first membrane (114) is connected to at least one of the second electrical connection elements (120) via the or one of the electrically conductive pads (113), the electrical interconnect layer (108) and the one or more electrically conductive vias (122). 16. Procédé selon la revendication 15, comportant en outre, entre la réalisation du ou des premiers éléments de connexion électrique (112) et la réalisation du 20 ou des deuxièmes éléments de connexion électrique (120), la réalisation d'au moins une deuxième cavité (132) à travers le substrat (106) et telle qu'au moins une partie de la ou des couches diélectriques (110) sur lesquelles est disposé au moins un premier élément de connexion électrique (112) forme au moins une deuxième membrane au niveau de la deuxième cavité (132). 2516. The method of claim 15, further comprising, between the production of the first electrical connection elements (112) and the production of the second or second electrical connection elements (120), the production of at least a second cavity (132) through the substrate (106) and such that at least a portion of the at least one dielectric layer (110) on which at least one first electrical connection element (112) is disposed forms at least one second level of the second cavity (132). 25
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