FR2994022A1 - Procede de mise en contrat d'une matiere semi-conductrice avec une couche de contact et composant semi-conducteur obtenu - Google Patents

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Abstract

Procédé pour la mise en contrat d'une matière semiconductrice avec une couche de contact, la matière semi-conductrice comportant du carbure de silicium. Le procédé consiste à : a) appliquer une couche de contact sur la matière semi-conductrice, la couche de contact comportant de l'oxyde de nickel et le cas échéant du nickel, et b) traiter au moins la surface limite entre la couche de contact et la matière semi-conductrice à hautes températures Ce procédé réalise un contact ohmique ayant une meilleure stabilité à long terme grâce au meilleur accrochage du nickel au carbure de silicium. L'invention se rapporte également à un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur et du composant obtenu.

Description

Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un procédé de mise en contact d'une matière semi-conductrice avec une couche de contact, la matière semi-conductrice comportant du carbure de silicium.
L'invention se rapporte également à un procédé de réalisation d'un composant semi-conducteur et au composant semiconducteur obtenu. Etat de la technique Les contacts tels que les contacts ohmiques sont utilisés dans un grand nombre d'applications si bien que ce type de contact est très largement répandu. Les domaines d'application des contacts ohmiques comprennent par exemple des éléments semi-conducteurs tels que des transistors à effet de champ. Un contact ohmique est par exemple réalisé avec du carbure de silicium à dopage de type n sur lequel on applique un contact comprenant du nickel. En particulier, l'utilisation de nickel pour du carbure de silicium à dopage n est intéressant à cause de sa résistance spécifique de contact, faible. Dans de tels contacts ou mises en contact, le risque connu est que le nickel réagit avec le silicium de la matière semi- conductrice ou avec le carbure de silicium pour donner du nickel- siliciure, dégageant du carbone élémentaire. Le carbone élémentaire dégagé réduit l'accrochage des autres couches métalliques sur la couche de contact ou encore de la couche de contact telle que la couche de nickel sur la matière semi-conductrice.
Exposé et avantages de l'invention La présente invention à pour but de remédier à ces inconvénients et a ainsi pour objet un procédé pour la mise en contrat d'une matière semi-conductrice avec une couche de contact, la matière semi-conductrice comportant du carbure de silicium, ce procédé consistant à: a) appliquer une couche de contact sur la matière semi-conductrice, la couche de contact comporte de l'oxyde de nickel et le cas échéant du nickel, et b) traiter à haute température au moins la surface limite entre la couche de contact et la matière semi-conductrice.
L'expression « mise en contact » dans le sens de la présente invention signifie notamment l'application d'une couche ou d'une nappe sur le semi-conducteur pour développer un contact physique direct. La couche ou la nappe appliquées peuvent être appelées notamment nappe ou couche de contact. Un traitement à température élevée dans le sens de la présente invention signifie notamment un traitement effectué à une température supérieure à la température ambiante. Cette température peut être par exemple de plusieurs centaines de degrés.
En outre, le traitement au moins de la surface limite entre la couche de contact et la matière semi-conductrice à température élevée dans le sens de la présente invention signifie qu'au moins le passage direct de la matière semi-conductrice, c'est-à-dire le passage du carbure de silicium dans la couche appliquée qui se compose essentiellement seulement d'oxyde de nickel ou d'un mélange d'oxyde de nickel et de nickel est traité à température élevée ou à une température élevée concernant notamment cette zone, dont le rayonnement peut se développer dans les couches correspondantes. Ainsi la température agit au moins en partie dans les deux couches voisines. Par exemple, seule la surface limite en tant que telle sera traitée à température élevée ou encore la température élevée sera appliquée uniquement à la couche limite et le cas échéant l'environnement ou encore une région étendue de la couche de contact ou du semi-conducteur ; cette région dépend des exigences auxquelles doit répondre le produit qui sera fabriqué telles que la résistance de contact ou les propriétés d'accrochage. Par exemple, l'ensemble du dispositif formé du semi-conducteur et de la couche de contact appliquée sur celui-ci pourra être soumis à un traitement thermique. Dans le cas de l'application d'un mélange de nickel et d'oxyde de nickel dans la couche de contact le procédé selon l'invention permet de réaliser un contact ohmique avec un accrochage particulièrement bon du métal sur le semi-conducteur. Cela permet d'améliorer significativement la fiabilité de tels contacts ou leur stabilité à long terme. En outre, la résistance de contact entre le métal et le semi-conducteur n'augmentera pas ou seulement de façon limitée de sorte que le fonctionnement du contact ohmique ainsi réalisé ne sera pas limité ou ne le sera pas fortement. Le fonctionnement du contact ohmique ou d'un composant réalisé avec un tel contact ohmique peut ainsi rester pratiquement inchangé.
L'expression « contact ohmique » désigne notamment une surface limite ou une transition entre métal et un semi-conducteur et cette transition à notamment une faible résistance électrique. Ce contact ohmique se comportera comme une résistance ohmique. Il peut par exemple servir à brancher des composants électroniques sur une lo base semi-conductrice pour relier ceux-ci par exemple électriquement à d'autres composants. Dans le cas présent, le contact ohmique est par exemple réalisé en carbure de silicium et en nickel et oxyde de nickel. Dans le cas de l'utilisation d'un oxyde de nickel pur dans la couche de contact on peut en outre réaliser également un contact qui 15 sera très fiable grâce à son accrochage particulier et le cas échéant il pourra avoir une résistance de contact particulièrement réduite. Un tel procédé servira avantageusement à réaliser le contact d'au moins une zone partielle d'une matière semi-conductrice avec une couche de contact. 20 Un tel procédé comprend comme indiqué ci-dessus, dans l'étape a), l'application d'une couche de contact sur la matière semiconductrice, cette couche de contact contenant de l'oxyde de nickel (NiO) et le cas échéant du nickel (Ni). Mais en principe on peut avoir de l'oxyde de nickel pur ou un mélange de nickel et l'oxyde de nickel que 25 l'on applique sur la matière semi-conductrice. La couche de contact ou le mélange de nickel et d'oxyde de nickel est en principe dans un rapport de mélange approprié. Avec l'oxyde de nickel ou le mélange contenant du nickel et de l'oxyde de nickel on peut avoir d'autres composants tels que du silicium. En particulier on peut avoir d'autres 30 métaux tels que par exemple du titane (Ti) de l'aluminium (Al) et/ou du cobalt (Co). L'oxyde de nickel ou le mélange de nickel et d'oxyde de nickel sont appliqués de différentes manières sur la matière semiconductrice ou sur une zone partielle limitée dans l'espace sur la matière semi-conductrice comme cela sera détaillé ci-après.
Ainsi après l'étape a) du procédé la matière semiconductrice c'est-à-dire le carbure de silicium est en contact direct avec la couche de contact c'est-à-dire avec l'oxyde de nickel ou avec un mélange de nickel et d'oxyde de nickel.
Selon l'autre étape b) du procédé on fait le traitement au moins de la surface limite entre la couche de contact, c'est-à-dire l'oxyde de nickel et le cas échéant le nickel et la matière semiconductrice, à température élevée. Par le traitement à température élevée, l'oxyde de nickel ou des parties d'oxyde de nickel de la couche métallique réagissent avec le carbure de silicium pour donner du siliciure de nickel. En outre l'oxygène de l'oxyde de nickel sera libéré et le carbone du carbure de silicium du semi-conducteur sera dégagé comme carbone élémentaire. L'oxygène libéré peut alors réagir directement avec le carbone dégagé et donner de l'oxyde de carbone tel que du monoxyde de carbone ou du dioxyde de carbone comme produits gazeux dégagés de la matière solide ou diffusant hors de la matière solide. En conséquence, le procédé décrit ci-dessus pour réaliser le contact tel que le contact ohmique permet d'éliminer le carbone qui se développe de la matière solide, de façon que notamment la surface limite entre la matière semi-conductrice et la couche de contact c'est-à-dire le contact ohmique en tant que tel ne produira pas de carbone ou la teneur en carbone sera significativement réduite. Au moins la réduction de la teneur en carbone ou l'élimination totale de la teneur en carbone de la surface limite ou de la transition entre la matière semi- conductrice et la couche de contact appliquée permettent ainsi d'améliorer significativement l'accrochage de la couche sur le semiconducteur. Le carbone sera éliminé en fonction de l'exécution du procédé seulement sur la surface limite sous la couche appliquée comprenant de l'oxyde de nickel et le cas échéant du nickel et aussi la surface transitoire avec le semi-conducteur ou encore dans des régions plus étendues de la couche de contact de façon à améliorer l'application d'un autre métal ou d'un autre couche métallique sur la couche de contact, ce qui se réalise notamment par la teneur et la traversée de l'oxyde de nickel appliquée dans la couche de contact. Cela est avantageux car suivant les conditions de réaction, le carbone se développe non seulement dans la surface limite directe dans la mesure où en outre, on peut avoir du carbone également à l'intérieur de la couche de contact ou sur la surface de la couche de contact à l'opposé du semi-conducteur. Par exemple, le carbone peut se trouver en présence de carbure de silicium. Ainsi en particulier dans une structure à plusieurs couches, la traversée du nickel avec de l'oxyde de nickel, avant le traitement thermique, peut être avantageux pour réaliser une structure à plusieurs couches particulièrement stable et fiable. Grâce à l'utilisation d'oxyde de nickel dans le développement du contact ohmique par exemple on aura une résistance plus élevée ou une résistance de contact de la jonction entre le semiconducteur et le métal et la quantité d'oxyde de nickel utilisée sera adaptée avantageusement aussi précisément que possible aux conditions de chaque application. Par exemple la quantité d'oxyde de nickel utilisée ou appliquée peut être faite en fonction de l'exigence d'un accrochage minimum ou d'une résistance électrique maximale. En d'autres termes, l'introduction d'oxyde de nickel sera limitée à une quantité telle que le contact ohmique réalisé dans la couche métallique c'est-à-dire notamment la couche de nickel assurera un accrochage suffisant mais sans augmenter la résistance pour que le fonctionnement ne présente pas de difficultés. Par exemple on n'introduira que la quantité suffisante d'oxyde de nickel ou il y aura une telle quantité avant le traitement thermique, suffisante pour qu'après le traitement thermique et la réaction avec l'oxygène de l'oxyde de nickel et du carbone dégagé, pour que la transformation soit pratiquement complète et que le contact ohmique ainsi réalisé n'aura pratiquement que du carbure de silicium et du nickel métallique. Dans ce cas, il n'y a pas d'augmentation de la résistance de contact ; l'accrochage sera néanmoins amélioré de façon significative par la réduction de la teneur en carbone. Contrairement au procédé de fabrication selon l'état de la technique pour les contacts ohmiques, par exemple pour lesquels on veut précisément éviter l'oxydation du nickel, on prévoit de manière ciblée et définie, de l'oxyde de nickel dans le procédé décrit ci-dessus précisément pour améliorer l'accrochage de la couche de nickel sur le semi-conducteur et obtenir les propriétés améliorées notamment une meilleure stabilité à long terme.
Cela s'obtient par exemple en ce que l'accrochage d'une métallisation par de l'aluminium sur le contact terminé augmente de plus d'un coefficient 1,5. Cela se détermine par des essais avec des liaisons d'aluminium appliquées sur des régions d'oxyde de silicium et sur des régions de contact en nickel. Dans les deux cas l'accrochage est approprié. Selon un développement dans l'étape a) du procédé, on applique une couche de contact sur la matière semi-conductrice par une pulvérisation cathodique d'oxyde de nickel et le cas échéant de nickel. Dans ce développement on peut appliquer par exemple un mélange de nickel et d'oxyde de nickel par une seule étape de procédé sur la matière semi-conductrice ou au moins dans une région partielle définie de la matière semi-conductrice ce qui permet de réaliser le procédé d'une manière particulièrement simple et économique. En particulier ce développement permet de commander d'une manière très précise la quantité d'oxyde de nickel et le cas échéant de nickel ou par exemple la traversée de la couche métallique avec l'oxyde de nickel pour définir d'une manière très précise le produit obtenu. En outre, en particulier lors de l'application par pulvérisation cathodique, il y a une surface limite entre le semi- conducteur et la couche de contact et cette surface limite a une résistance de contact particulièrement basse donnant par exemple un contact ohmique ayant une résistance particulièrement faible ce qui permet de bien l'utiliser dans un grand nombre d'applications.
En particulier par application en commun de nickel et d'oxyde de nickel, pour obtenir un mélange de nickel et d'oxyde de nickel, il est avantageux de pulvériser le mélange sur la matière semiconductrice ou carbure de silicium par un procédé de pulvérisation appelé pulvérisation cathodique qui est une opération physique connue en soit consistant à faire passer des atomes d'un corps solide (dans ce cas notamment du nickel ou de l'oxyde de nickel) en particulier par l'action d'ions à forte énergie tels que par exemple des ions de gaz rares qui se détachent pour passer en phase gazeuse et se déposer sur la matière semi-conductrice. Des paramètres appropriés du procédé de pulvérisation cathodique pour appliquer un mélange d'oxyde de nickel et le cas échéant de nickel sur la surface du carbure de silicium sont à titre d'exemple non limitatif, une puissance d'entrée de 1000 W en tension continue et des pressions de pulvérisation de 2.10-2 mbar. Selon un développement, dans l'étape a) du procédé on applique sur la matière semi-conductrice un mélange de nickel et d'oxyde de nickel : al) en appliquant une couche contenant du nickel sur la matière semiconductrice, et a2) en oxydant au moins partiellement le nickel appliqué dans l'étape ai). Selon ce développement, ainsi dans la première étape al) on applique notamment une couche essentiellement formée de nickel pur sur la matière semi-conductrice ou sur une région partielle définie de la matière semi-conductrice. Cette étape de réaction consistant à appliquer seulement notamment du nickel pur sur la matière semi- conductrice ou sur le carbure de silicium est par exemple connue par la fabrication des contacts ohmiques classiques. Selon une autre étape de procédé a2), dans ce développement qui suit l'étape al), on oxyde au moins partiellement la couche de nickel appliquée ou du moins on peut oxyder une partie du nickel. Par l'oxydation définie du nickel appliqué dans l'étape al), cela permet de générer une quantité définie d'oxyde de nickel. Dans le détail, une telle quantité de nickel sera oxydée en provenant d'oxyde de nickel comme par exemple dans l'étape de traitement thermique suivante ou dans l'étape de mise en température suivante, par la réaction de l'oxygène avec le carbone dégagé comme selon est décrit ci-dessus. Dans ce développement on utilise un procédé de fabrication connu en soit pour réaliser le contact ohmique et qui pourra être modifié de façon à oxyder le nickel par une réaction intermédiaire. Cela permet pour l'essentiel d'utiliser les moyens utilisés dans les procédés connus, ce qui rend le procédé particulièrement simple. Ainsi dans ce développement on n'oxyde pas le nickel comme cela est habituel dans l'état de la technique mais on évite et même on veille à avoir des propriétés meilleures pour le contact électrique réalisé.
Selon un autre développement, dans l'étape de procédé al) on applique une couche contenant du nickel sur la matière semiconductrice par une pulvérisation cathodique ou par un dépôt à la vapeur. La pulvérisation cathodique permet d'appliquer le nickel d'une manière particulièrement définie et ainsi simple et économique. De plus, entre le semi-conducteur et le métal, c'est-à-dire entre le carbure de silicium et le nickel notamment lors de l'application du nickel par une pulvérisation cathodique on aura une surface limite qui aura, sensiblement après un équilibrage de température, une résistance de contact particulièrement basse. Dans cette réalisation, le contact ohmique aura une résistance de contact faible ce qui le rend particulièrement bien applicable pour un grand nombre d'applications. En outre les exemples positifs possibles, d'applications de nickel pur comprennent le dépôt à la vapeur tel que par exemple le dépôt à la vapeur le dépôt par rayonnement d'électrons ou le dépôt à la vapeur ou par faisceau laser. Le dépôt à la vapeur permet d'appliquer une couche très définie de nickel ce qui génère un contact avec des propriétés définies et une résistance de contact particulièrement basse. Selon un autre développement, l'étape a2) du procédé se fera par un traitement au plasma, une oxydation en chimie humide ou par le stockage dans des conditions oxydantes du nickel appliqué dans l'étape de procédé al). Dans ce développement, le nickel appliqué dans l'étape al) sera au moins partiellement oxydé, par exemple par l'action d'un plasma oxydant tel que notamment un plasma d'oxygène. L'action du plasma permet d'améliorer successivement l'accrochage des différentes couches. De plus, grâce au plasma l'oxydation du nickel se fera d'une manière particulièrement précise ce qui permet de réaliser des couches ayant une teneur particulièrement définie ou présentant une traversée particulièrement définie d'oxyde de nickel. En outre l'oxydation par le plasma se fait de manière simple et économique si bien que dans ce développement l'ensemble du procédé est particulièrement économique et simple. Des paramètres de réaction appropriés pour oxyder de manière très définie le nickel sur le substrat semi-conducteur consistent à utiliser un plasma d'une puissance de 800 W dans de l'oxygène débité à 600 cm3 standard par minute (sccm). Le plasma utilisé est notamment le plasma d'oxygène. D'autres variantes de plasma utilisable sont par exemple un mélange d'oxygène avec d'autres gaz tels que de l'argon (Ar) ou de l'azote (N2).
Une oxydation en chimie humide ou un stockage dans des conditions oxydantes réalisent également une oxydation définie de manière très précise et de tels procédés s'appliquent d'une manière particulièrement simple et économique. Dans le cadre d'un autre développement, dans l'étape a2), on oxyde le nickel suivant une teneur comprise entre 0 % atomique et au plus égale à 100 `)/0 atomique. Dans ce développement, la quantité d'oxyde de nickel introduite sera particulièrement réduite de sorte que l'oxydation peu se faire en douceur et en peu de temps ce qui permet d'exécuter ce procédé d'une manière particulièrement économique.
Selon un développement, dans l'étape de procédé a), on applique de l'oxyde de nickel sur la matière semi-conductrice suivant une épaisseur inférieure ou égale à 1 gin, par exemple une épaisseur de l'ordre 30 nm. Selon ce développement, l'oxyde de nickel est toujours au voisinage direct de la matière semi-conductrice de sorte que l'oxyde de nickel se développe uniquement au contact de la matière semi- conductrice et du métal, c'est-à-dire du carbure de silicium et du nickel avec dégagement de carbone comme cela a été décrit dessus. La traversée du nickel avec de l'oxyde de nickel dans toute l'épaisseur n'est pas nécessaire et ne se produit pas ce qui améliore la conductivité du contact réalisé ou de la couche de nickel et permet de réduire l'oxyde de nickel introduit en quantité minimale et de plus l'accrochage du nickel sur le carbure de silicium est amélioré sans limitation et notamment au mieux. Pour ce développement on applique simultanément du nickel et de l'oxyde de nickel par une pulvérisation cathodique jusqu'à obtenir l'épaisseur ci-dessus. Ensuite on dépose uniquement du nickel. En variante on utilise un plasma n'agissant que sur une épaisseur de nickel comme celle décrite ci-dessus. L'épaisseur de l'oxyde de nickel sera par exemple rapportée à l'épaisseur d'une couche d'oxyde de nickel pur, à l'épaisseur d'un mélange de nickel et d'oxyde de nickel ou à l'épaisseur de la présence d'oxyde de nickel dans un mélange de nickel et d'oxyde de nickel. Selon un autre développement, dans l'étape b), on chauffe au moins la surface limite entre la couche de contact et la matière semi-conductrice à une température dans une plage supérieure ou égale à 600°C jusqu'à une température inférieure ou égale à 1500°C notamment dans une plage supérieure ou égale à 850°C jusqu'à inférieure ou égale à 1050°C. Une telle température garantit que la réaction de l'oxyde de nickel avec le carbure de silicium et dégagement de carbone comme combinaison gazeuse se feront d'une manière particulièrement complète et garantie. De plus, dans ce développement on peut choisir une température sans être tenu à une condition importante imposée à l'élément chauffant et de plus, les matières utilisées ne seront pas endommagées. Selon un autre développement, on effectue par exemple un traitement thermique pour une durée supérieure ou égale à 0,5 min et inférieure ou égale à 5 min, par exemple une durée 2 min. Pour les autres caractéristiques et avantages du procédé de l'invention pour la mise en contact d'une matière semi-conductrice avec une couche de contact on réfèrera explicitement aux explications données en liaison avec le procédé de l'invention pour la fabrication d'un composant semi-conducteur et du composant semi-conducteur obtenu.
La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur comprenant comme décrit ci-dessus, un procédé de mise en contact d'une matière semiconductrice avec une couche de contact. Un tel procédé de réalisation d'un composant semi-conducteur peut notamment servir à réaliser un composant semi-conducteur ayant un contact ohmique particulièrement stable à long terme par exemple une surface limite entre le métal et le composant semi-conducteur De tels composants semi-conducteurs sont par exemples des composants semi-conducteurs de puissance tels que les transistors MOS ou des transistors MOS à tranchée. Le procédé de réalisation d'un composant semiconducteur a l'avantage que le contact métallique s'accroche particulièrement bien sur la matière semi-conductrice ce qui donne un composant semi-conducteur particulièrement stable à long terme dans des conditions d'utilisation brutales et permet son fonctionnement particulièrement fiable. La résistance du contact ohmique du composant semi-conducteur ne sera par exemple augmentée ou ne le sera que faiblement si bien qu'un composant semi-conducteur réalisé comme décrit ci-dessus fonctionnera sans être très limité. En conséquence, le procédé décrit ci-dessus s'applique à un grand nombre de composants semi-conducteurs qui doivent répondre à des exigences très élevées concernant leur mode de fonctionnement. Pour les autres caractéristiques et avantages du procédé de l'invention pour la fabrication d'un composant semi-conducteur il est explicitement fait référence aux explications aux liaisons avec le procédé selon l'invention pour la mise en contact d'une matière semiconductrice avec une couche de contact ainsi qu'avec le composant semi-conducteur. L'invention a également pour objet un composant semi- conducteur réalisé comme décrit ci-dessus. Ce composant semi- conducteur a l'avantage que grâce au meilleur accrochage du contact métallique notamment d'un contact de nickel le composant semiconducteur fonctionnera d'une manière particulièrement fiable et stable à long terme.
Le meilleur accrochage résulte notamment de ce que le contact ohmique du composant semi-conducteur par exemple notamment la surface limite entre la couche de contact et les autres métallisations aura une teneur en carbone significativement réduire. Une telle teneur en carbone ou teneur en carbone élémentaire au niveau du contact ou de la surface de la couche de contact se traduit par une couverture du contact ou de la couche de contact par le carbone qui est significativement inférieure à 100 % et de manière caractéristique, inférieure à 1 %. Des exemples de tels composants semi-conducteurs sont les composants semi-conducteurs de puissance tels que les transistors MOS ou les transistors MOS à tranchée.10

Claims (10)

  1. REVENDICATIONS1°) Procédé pour la mise en contrat d'une matière semi-conductrice avec une couche de contact, la matière semi-conductrice comportant du carbure de silicium, caractérisé par les étapes suivantes consistant à: a) appliquer une couche de contact sur la matière semi-conductrice, la couche de contact comportant de l'oxyde de nickel et le cas échéant du nickel, et b) traiter au moins la surface limite entre la couche de contact et la matière semi-conductrice à haute température.
  2. 2°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape de procédé a) on applique une couche de contact sur la matière semi-conductrice par pulvérisation cathodique d'oxyde de nickel et le cas échéant de nickel.
  3. 3°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape de procédé a) on applique sur la matière semi-conductrice un mélange de nickel et d'oxyde de nickel par les étapes suivantes consistant à: al) appliquer une couche contenant du nickel sur la matière semiconductrice, et a2) oxyder au moins partiellement le nickel appliqué dans l'étape al).
  4. 4°) Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que dans l'étape al) on applique une couche contenant du nickel sur la matière semi-conductrice par pulvérisation cathodique ou par dépôt à la vapeur.
  5. 5°) Procédé selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce qu'on effectue l'étape a2) par un traitement au plasma, par une oxydation en chimie humide ou par stockage dans des conditions oxydantes du nickel appliqué selon l'étape de procédé al).
  6. 6°) Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que dans l'étape a2) on oxyde le nickel suivant un pourcentage supérieur à 0 `)/0 atomique jusqu'à inférieur ou égal à 100 `)/0 atomique.
  7. 7°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape a) on applique l'oxyde de nickel sur la matière semiconductrice suivant une épaisseur inférieure ou égale à 1 gm.
  8. 8°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape b) on chauffe la surface limite entre la couche de contact et la matière semi-conductrice à une température supérieure ou égale à 600°C et inférieure ou égale à 1500°C.
  9. 9°) Procédé de réalisation d'un composant semi-conducteur comprenant un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, pour la mise en contrat d'une matière semi-conductrice avec une couche de contact, la matière semi-conductrice comportant du carbure de silicium, et consistant à: a) appliquer une couche de contact sur la matière semi-conductrice, la couche de contact comportant de l'oxyde de nickel et le cas échéant du nickel, et b) traiter au moins la surface limite entre la couche de contact et la matière semi-conductrice à haute température.
  10. 10°) Composant semi-conducteur obtenu par le procédé de la revendication 9.35
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