FR2991121A1 - Load supply control circuit for measuring load current to diagnose overload in electrical circuit of LED bulb used in instrument panel of car, has interconnection point between transistor and resistor and including measuring circuit output - Google Patents

Load supply control circuit for measuring load current to diagnose overload in electrical circuit of LED bulb used in instrument panel of car, has interconnection point between transistor and resistor and including measuring circuit output Download PDF

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Abstract

The circuit has a measurement circuit (10) including two transistors (Q2, Q3) mounted in a current mirror. One of the transistors is mounted in a diode and connected in series with an output transistor (Q1), and the other transistor delivers image charging current to an output resistor (R1). The resistor is connected in series between the latter transistor and electric ground. An interconnection point between the latter transistor and resistor includes a measuring circuit output, where potential of output corresponds to measurement representative of charging current of a microcontroller (2).

Description

CIRCUIT DE PILOTAGE DE L'ALIMENTATION D'UNE CHARGE, NOTAMMENT D'UNE DIODE D'AFFICHAGE ELECTROLUMINESCENTE La présente invention concerne de façon générale un circuit de pilotage 5 de l'alimentation d'une charge, apte à mesurer un courant de charge en vue de diagnostiquer une absence de charge ou une surcharge dans un circuit électrique. Un domaine d'application non limitatif particulièrement concerné par la présente invention est celui du contrôle de l'éclairage d'une ampoule de type 10 LED utilisée au niveau d'un tableau de bord d'un véhicule automobile pour informer le conducteur de l'activation ou non d'une fonctionnalité. Les fonctionnalités concernées étant souvent liées à la sécurité (par exemple activation de la sécurité enfant par condamnation des portes arrière), il est crucial que le conducteur dispose d'une information fiable. 15 Dans le domaine de l'automobile, il est déjà connu d'utiliser des interrupteurs de puissance intelligents pour contrôler le bon fonctionnement des différents dispositifs d'éclairage et/ou de signalisation (feux de route, de croisement ou de détresse, indicateurs de dépassement, feux stop...). De tels interrupteurs de puissance intelligents, connus sous différentes 20 appellations telles que la marque déposée SmartMOS, la dénomination anglo-saxonne Smart FET, ou l'acronyme IPS (Initiales anglo-saxonnes mises pour Intelligent Power Switch), intègrent une fonctionnalité de mesure des courants de charge et de diagnostic permettant de détecter d'une part, toute surcharge due à un court-circuit, et d'autre part, une absence de charge, due par 25 exemple à un défaut dans la lampe utilisée ou à la déconnexion d'un fil d'alimentation. Un interrupteur de puissance intelligent est utilisé en association avec un convertisseur courant/tension chargé de convertir le courant de charge mesuré par l'interrupteur en une valeur de tension, et un microcontrôleur recevant et analysant la valeur ainsi convertie de tension pour 30 identifier une absence de charge ou un court-circuit. Une connexion d'entrée de l'interrupteur intelligent reçoit du microcontrôleur des ordres dont la nature est fonction du diagnostic réalisé, comme par exemple un ordre de coupure de l'alimentation d'une charge en cas de détection d'une surcharge. The present invention generally relates to a control circuit 5 of the power supply of a load, able to measure a charging current in a circuit. to diagnose no load or overload in an electrical circuit. A non-limiting field of application particularly concerned by the present invention is that of controlling the illumination of a type 10 LED bulb used at the level of a dashboard of a motor vehicle to inform the driver of the activation or not of a feature. The features concerned are often related to safety (eg activation of child safety by locking the rear doors), it is crucial that the driver has reliable information. In the field of the automobile, it is already known to use intelligent power switches to control the proper functioning of the various lighting and / or signaling devices (high beam, crossing or distress, overtaking, stop lamps ...). Such intelligent power switches, known by various names such as the SmartMOS trademark, the Smart FET, or the acronym IPS (English initials for Intelligent Power Switch), integrate a functionality of measurement of charging and diagnostic currents making it possible to detect, on the one hand, any overload due to a short-circuit, and, on the other hand, a lack of charge, due for example to a defect in the lamp used or to the disconnection of a power wire. An intelligent power switch is used in conjunction with a current / voltage converter to convert the load current measured by the switch into a voltage value, and a microcontroller receiving and analyzing the thus converted voltage value to identify an absence. charging or short circuit. An input connection of the intelligent switch receives orders from the microcontroller, the nature of which is a function of the diagnosis made, such as, for example, a command to cut off the supply of a load in the event of detection of an overload.

Ces solutions intégrées sont parfaitement adaptées au contrôle de dispositifs d'éclairage et/ou de signalisation pour lesquels les courants à mesurer peuvent varier sur une plage importante, allant de quelques dizaines de milliampères dans le cas d'une absence de charge, jusqu'à quelques ampères en cas de court-circuit. Néanmoins, ces solutions sont surdimensionnées et par là-même trop coûteuses pour des applications telles que le contrôle d'une diode d'affichage du tableau de bord, pour lesquelles le courant ne dépasse pas quelques dizaines de milliampères. These integrated solutions are perfectly adapted to the control of lighting and / or signaling devices for which the currents to be measured can vary over a large range, ranging from a few tens of milliamperes in the case of a lack of charge, up to a few amperes in case of short circuit. Nevertheless, these solutions are oversized and therefore too expensive for applications such as the control of a display diode of the dashboard, for which the current does not exceed a few tens of milliamperes.

La présente invention a pour but de proposer une solution très économique, à base de composants discrets, dans laquelle l'alimentation de la charge est pilotée par un simple transistor faisant office d'interrupteur d'un circuit de pilotage offrant en outre les mêmes capacités d'aide au diagnostic que les interrupteurs intelligents. The object of the present invention is to propose a very economical solution, based on discrete components, in which the power supply of the load is controlled by a simple transistor acting as a switch of a control circuit that also offers the same capabilities. diagnostic assistance as smart switches.

Plus précisément, l'invention a pour objet un circuit de pilotage de l'alimentation d'une charge, notamment d'une diode d'affichage électroluminescente, comprenant: un transistor de sortie monté en interrupteur entre une tension d'alimentation continue et la charge, apte à commuter entre un état bloqué dans lequel la charge n'est pas alimentée et un état passant dans lequel la charge est alimentée, un circuit de mesure apte à délivrer une mesure représentative du courant de charge à un microcontrôleur, et un circuit de commande de la commutation du transistor de sortie piloté par une commande du microcontrôleur en fonction de ladite mesure, caractérisé en ce que le circuit de mesure comprend deux transistors montés en miroir de courant, un premier transistor du miroir de courant monté en diode et connecté en série avec ledit transistor de sortie, et un deuxième transistor du miroir de courant apte à délivrer une image du courant de charge à une résistance de sortie en série entre le deuxième transistor et une masse électrique, le point d'interconnexion entre le deuxième transistor et la résistance de sortie constituant une sortie du circuit de mesure dont le potentiel correspond à ladite mesure. More specifically, the subject of the invention is a control circuit for powering a load, in particular an electroluminescent display diode, comprising: an output transistor mounted as a switch between a DC supply voltage and the load, able to switch between a blocked state in which the load is not energized and an on state in which the load is fed, a measuring circuit capable of delivering a measurement representative of the charging current to a microcontroller, and a circuit for controlling the switching of the output transistor controlled by a control of the microcontroller according to said measurement, characterized in that the measuring circuit comprises two transistors mounted in current mirror, a first transistor of the current mirror connected in diode and connected in series with said output transistor, and a second transistor of the current mirror capable of delivering an image of the charging current at a resistance of series output between the second transistor and an electrical ground, the interconnection point between the second transistor and the output resistor constituting an output of the measurement circuit whose potential corresponds to said measurement.

Selon d'autres caractéristiques possibles du circuit selon l'invention : - le circuit de commande comporte un transistor de commande dont le passage à l'état bloqué, respectivement passant, entraîne le passage à l'état bloqué, respectivement passant, du transistor de sortie ; - le circuit de pilotage comporte en outre un dispositif de limitation du courant de charge connecté entre ladite sortie du circuit de mesure et une entrée du circuit de commande, apte à commander la commutation du transistor de sortie de l'état passant à l'état bloqué, indépendamment de la commande du microcontrôleur, dès que ledit potentiel devient supérieur à une valeur seuil prédéterminée et la commutation du transistor de sortie de l'état bloqué à l'état passant dès que ledit potentiel devient inférieur à ladite valeur seuil. - le dispositif de limitation du courant de charge comprend l'association série d'une diode Zener et d'une résistance de protection, connectée en parallèle sur la résistance de sortie et dont la borne commune est connectée électriquement à un transistor de commutation dont le collecteur est connecté au transistor de commande de sorte qu'un passage du transistor de commutation à un état passant entraîne le blocage du transistor de commande. - le transistor de commande et le transistor de commutation sont des transistors bipolaires de type NPN ; - le transistor de sortie et le premier et deuxième transistor montés en miroir de courant sont des transistors bipolaires de type PNP. L'invention et les avantages qu'elle procure seront mieux compris au 25 vu de la description suivante d'un exemple de réalisation, faite en référence aux figures annexées, dans lesquelles : - la figure 1 illustre un schéma fonctionnel d'un circuit de pilotage de l'alimentation d'une charge conforme à l'invention ; - la figure 2 représente un mode de réalisation possible du circuit de 30 pilotage de la figure 1. Dans la suite de l'exposé, et pour en faciliter la compréhension, les éléments communs à l'ensemble des figures portent les mêmes références. La description sera faite en outre en référence à l'exemple non limitatif d'application du pilotage d'une diode d'affichage pour tableau de bord d'un véhicule automobile. According to other possible characteristics of the circuit according to the invention: the control circuit comprises a control transistor whose passage to the off state, respectively passing, causes the transition to the off state, respectively, of the transistor of exit ; - The control circuit further comprises a load current limiting device connected between said output of the measuring circuit and an input of the control circuit, adapted to control the switching of the output transistor from the on state to the state. blocked, regardless of the control of the microcontroller, as soon as said potential becomes greater than a predetermined threshold value and the switching of the output transistor from the off state to the on state as soon as said potential becomes lower than said threshold value. the device for limiting the charging current comprises the series association of a Zener diode and a protection resistor, connected in parallel to the output resistor and the common terminal of which is electrically connected to a switching transistor whose The collector is connected to the control transistor so that a transition from the switching transistor to a on state causes the control transistor to be turned off. the control transistor and the switching transistor are bipolar transistors of the NPN type; the output transistor and the first and second current-mirrored transistors are bipolar transistors of the PNP type. The invention and the advantages that it provides will be better understood from the following description of an exemplary embodiment, with reference to the appended figures, in which: FIG. 1 illustrates a block diagram of a circuit of FIG. controlling the supply of a load according to the invention; FIG. 2 represents a possible embodiment of the control circuit of FIG. 1. In the rest of the description, and to facilitate understanding thereof, the elements common to all the figures bear the same references. The description will be made in addition with reference to the non-limiting example of application of the control of a display diode for a dashboard of a motor vehicle.

Conformément à la figure 1, un circuit de pilotage 1 de l'alimentation d'une charge, par exemple d'une diode d'affichage électroluminescente (non représentée), à base de composants discrets, est illustré en coopération avec un microcontrôleur 2. Le circuit de pilotage 1 comprend tout d'abord un transistor de sortie Q1 monté en interrupteur entre une tension d'alimentation continue VBAT, typiquement la tension délivrée par la batterie du véhicule, et la charge électrique connectée en VouT, apte à commuter entre un état bloqué dans lequel la charge n'est pas alimentée et un état passant dans lequel la charge est alimentée. A titre d'exemple non limitatif, le transistor de sortie est ici un transistor bipolaire de type PNP dont l'émetteur est connecté du côté de l'alimentation continue, et le collecteur est connecté à la charge. Le circuit de pilotage 1 comporte en outre un circuit 10 de mesure apte à délivrer une mesure VADC représentative du courant de charge au microcontrôleur 2, et un circuit 11 de commande de la commutation du transistor de sortie piloté par une tension de commande Vcom du microcontrôleur 2 en fonction notamment de la mesure VADC. Conformément à l'invention, le circuit 10 de mesure comprend deux transistors, par exemple de type PNP, montés en miroir de courant. Plus précisément, une branche d'entrée du miroir de courant comprend un premier transistor Q2 monté en diode et connecté en série avec le transistor de sortie Q1, ici entre la tension d'alimentation VBAT et l'émetteur du transistor de sortie Qi. Le transistor Q2 est ainsi traversé par le courant de charge. Une branche de sortie du miroir de courant comprend l'association série d'un deuxième transistor Q3 et d'une résistance de sortie R1. Le deuxième transistor Q3 délivre ainsi une image du courant de charge à la résistance de sortie R1. According to FIG. 1, a control circuit 1 of the power supply of a load, for example of a light-emitting diode (not shown), based on discrete components, is illustrated in cooperation with a microcontroller 2. The control circuit 1 firstly comprises an output transistor Q1 mounted as a switch between a DC supply voltage VBAT, typically the voltage delivered by the vehicle battery, and the electrical load connected in VouT, able to switch between a blocked state in which the load is not energized and a state in which the load is energized. By way of non-limiting example, the output transistor is here a PNP bipolar transistor whose emitter is connected to the DC supply side, and the collector is connected to the load. The control circuit 1 further comprises a measurement circuit 10 capable of delivering a VADC measurement representative of the charging current to the microcontroller 2, and a circuit 11 for controlling the switching of the output transistor controlled by a control voltage Vcom of the microcontroller 2 in particular according to the VADC measure. According to the invention, the measuring circuit 10 comprises two transistors, for example of the PNP type, mounted in current mirrors. More precisely, an input branch of the current mirror comprises a first diode-connected transistor Q2 connected in series with the output transistor Q1, here between the supply voltage VBAT and the emitter of the output transistor Qi. The transistor Q2 is thus crossed by the charging current. An output branch of the current mirror comprises the series association of a second transistor Q3 and an output resistor R1. The second transistor Q3 thus delivers an image of the charging current to the output resistor R1.

Cette dernière est connectée entre le collecteur du deuxième transistor Q3 et la masse électrique. Ainsi, le point d'interconnexion entre le deuxième transistor Q3 et la résistance de sortie R1 constitue une sortie du circuit de mesure dont le potentiel VADC correspond à la mesure représentative du courant de charge. Le fonctionnement du circuit de pilotage est le suivant : Tant que la charge, ici la diode d'affichage, doit être éteinte, le 5 microcontrôleur 2 contrôle le circuit 11 de commande de sorte que le transistor de sortie Q1 soit dans un état bloqué. Aucun courant ne sort du transistor de sortie Q1 et le potentiel de sortie VouT est nul. Lorsque la diode doit au contraire être allumée, en vue par exemple de signaler au conducteur l'activation d'une fonction, la tension de commande 10 Vcom délivrée par le microcontrôleur 2 permet au circuit 11 de commande de faire basculer et maintenir le transistor de sortie Q1 dans son état passant. Dans ce cas, un courant passe dans le premier transistor Q2 et dans le transistor de sortie Q1 pour alimenter la charge. La tension de sortie VouT est alors sensiblement égale à la tension continue VBAT, soit de l'ordre de 12 Volts. 15 Grâce au miroir de courant, le courant de charge est recopié dans le deuxième transistor Q3, à un ratio près dû à la présence d'une résistance R2 de limitation de courant. Comme indiqué précédemment, cette image du courant de charge va développer aux bornes de la résistance de sortie R1 une tension VADC proportionnelle au courant de charge. 20 A partir d'échantillons de cette tension VADC, relevés périodiquement par un circuit convertisseur analogique/numérique (non représenté) du microcontrôleur 2, ce dernier va être en mesure de diagnostiquer tout problème dans l'alimentation de la charge, tel qu'une absence de charge ou un court-circuit. 25 Plus précisément, en cas d'absence de charge, un faible courant va être recopié dans la deuxième branche du circuit de mesure, et développer une faible tension VADC en sortie du circuit de mesure. Au contraire, en cas de surcharge due à un court-circuit, un courant beaucoup plus important va être recopié par le transistor Q3, provoquant une importante augmentation de la 30 tension VADC- Dans les deux cas, le microcontrôleur pourra diagnostiquer un problème, et commander par suite le blocage du transistor de sortie Q1. The latter is connected between the collector of the second transistor Q3 and the electrical earth. Thus, the point of interconnection between the second transistor Q3 and the output resistor R1 constitutes an output of the measuring circuit whose potential VADC corresponds to the measurement representative of the charging current. The operation of the control circuit is as follows: As long as the load, here the display diode, is to be off, the microcontroller 2 controls the control circuit 11 so that the output transistor Q1 is in a blocked state. No current exits the output transistor Q1 and the output potential VouT is zero. When, on the contrary, the diode is to be turned on, in order, for example, to signal to the driver the activation of a function, the control voltage Vcom delivered by the microcontroller 2 enables the control circuit 11 to switch and maintain the transistor of output Q1 in its on state. In this case, a current flows in the first transistor Q2 and in the output transistor Q1 to supply the load. The output voltage VOUT is then substantially equal to the DC voltage VBAT, ie of the order of 12 volts. With the current mirror, the load current is copied into the second transistor Q3 at a ratio due to the presence of a current limiting resistor R2. As indicated above, this image of the charging current will develop across the output resistor R1 a voltage VADC proportional to the charging current. From samples of this voltage VADC, periodically read by an analog / digital converter circuit (not shown) of the microcontroller 2, the latter will be able to diagnose any problem in the power supply of the load, such as a no load or short circuit. More precisely, in the absence of a load, a small current will be copied into the second branch of the measurement circuit, and develop a low VADC voltage at the output of the measuring circuit. On the contrary, in case of overload due to a short circuit, a much larger current will be copied by the transistor Q3, causing a significant increase in voltage VADC- In both cases, the microcontroller can diagnose a problem, and consequently, to control the blocking of the output transistor Q1.

L'intérêt du miroir de courant est qu'il offre une possibilité d'obtenir une mesure de courant suffisamment précise pour permettre au microcontrôleur 2 d'identifier les situations anormales (absence de charge et courts-circuits) tout en permettant à la charge, en fonctionnement normal, de 5 bénéficier de la quasi-totalité de la tension d'alimentation VBAT. En effet, la chute de tension entre l'émetteur et le collecteur du transistor Q1 est quasi nulle lorsque ce dernier est passant tandis que Q2 est monté en diode, de sorte que la tension VouT correspond pratiquement à la tension d'alimentation continue VBAT. Un tel résultat ne serait pas possible avec un circuit de mesure 10 de type résistance shunt pour lequel un compromis doit être fait entre précision des mesures et la chute de tension. Dans un mode de réalisation préféré de l'invention, le circuit de pilotage 1 comporte en outre un dispositif 12 de limitation du courant de charge connecté entre la sortie du circuit 10 de mesure et une entrée du 15 circuit 11 de commande, dont la fonction est de protéger le transistor de sortie Q1. Pour ce faire, le dispositif 12 de limitation de courant, dont un exemple de mise en oeuvre sera décrit en référence à la figure 2, est apte à commander la commutation du transistor de sortie Q1 de l'état passant à l'état bloqué, indépendamment de la commande du microcontrôleur 2, dès que le potentiel 20 VADc devient supérieur à une valeur seuil prédéterminée et la commutation du transistor de sortie de l'état bloqué à l'état passant dès que le potentiel VADc devient inférieur à ladite valeur seuil. Grâce à la présence du dispositif 12 de limitation de courant, le transistor de sortie Q1 est protégé contre les surintensités. En cas de situation de surcharge, le dispositif de limitation de 25 courant protège le transistor Q1 pendant le laps de temps nécessaire pour que le microcontrôleur 2 diagnostique effectivement la surcharge et génère par suite une commande Vcom de blocage. Un exemple de mise en oeuvre d'un circuit de pilotage disposant de 30 l'ensemble des fonctionnalités décrites en référence à la figure 1 va à présent être décrit à l'aide de la figure 2 : On retrouve, dans le circuit de pilotage 1, le transistor de sortie Q1 monté en interrupteur et le circuit 10 de mesure à miroir de courant délivrant sur sa sortie une mesure VADC représentative du courant de charge. Le circuit 11 de commande de la commutation du transistor de sortie Q1 est ici composé essentiellement d'un transistor de commande Q4, dans l'exemple, d'un transistor bipolaire de type NPN, et de trois résistances R3, R4 et R5. Le collecteur du transistor de commande Q4 est ici connecté à la base du transistor de sortie Q1, tandis que sa base est connectée à la borne d'entrée du circuit de pilotage au travers de la résistance R3 et son émetteur est connectée à la masse via la résistance R5. Le montage est tel qu'un potentiel non nul, par exemple à 5 Volts, de la tension de commande Vcom délivrée par le microcontrôleur maintient le transistor de commande Q4, et par suite le transistor de sortie Q1 à l'état passant. En revanche, si la tension de commande Vcom provenant du microcontrôleur est nulle, le transistor de commande Q4 et par suite, le transistor de sortie Q1, sont maintenus dans un état bloqué. Conformément aux principes décrits ci-dessus en référence à la figure 1, le circuit de mesure 10 va aider à diagnostiquer soit une absence de charge, soit une surcharge. En effet, en cas d'absence de charge alors que le transistor de commande Q4 et le transistor de sortie Q1 sont passants, le courant qui passe dans le transistor de sortie Q1 équivaut au courant, même faible, qui passe dans le transistor de commande Q4. Le courant image généré dans la branche de sortie du miroir de courant va permettre de développer une tension VADC aux bornes de la résistance de sortie R1 dont la valeur est très faible par rapport à la valeur qui correspondrait à une situation normale. Ainsi, le microcontrôleur va pouvoir en conclure l'absence de charge. A l'inverse, une situation de surcharge se traduira par une forte augmentation de la tension VADC- Le microcontrôleur conclura alors à la présence d'un court-circuit et commandera la coupure du transistor de sortie Q1 par l'intermédiaire de la commande VcoM- Le dispositif 12 de limitation du courant de charge est quant à lui composé de l'association série d'une diode Zener Z1 et d'une résistance de protection R7, connectée en parallèle sur la résistance de sortie R1 du circuit de mesure 10, et dont la borne commune est connectée électriquement à la base d'un transistor de commutation Q5, ici de type NPN. Le collecteur du transistor Q5 est relié à la base du transistor de commande Q4, et son émetteur est relié à la masse. Grâce à ce montage, tant que la tension VADC aux bornes de la résistance de sortie R1 est inférieure à la tension Zener, typiquement de l'ordre de 5,6 Volts, il ne se passe rien de particulier, le transistor Q5 étant maintenu à l'état bloqué. En revanche, dès que la tension VADC devient supérieure à un seuil déterminé égal à la somme de la tension Zener et de la tension seuil du transistor Q5, soit 6,2 Volts dans notre exemple, le transistor Q5 devient passant. Comme le collecteur du transistor Q5 est connecté à la base du transistor de commande Q4, le potentiel sur cette base va être ramené à la masse. Cela conduit au blocage du transistor de commande Q4, et ce, même si le potentiel Vcom est non nul, et par suite, au blocage du transistor de sortie Q1. La tension VADC aux bornes de la résistance de sortie R1 va alors diminuer jusqu'à passer à nouveau en-deçà du seuil prédéterminé de 6,2 Volts, provoquant le blocage du transistor Q5, et le déblocage des transistors Q4 et Q1. Le système étant bouclé, on arrive à un certain équilibre qui va protéger le transistor de sortie Q1 le temps que le microcontrôleur diagnostique, à partir de la valeur VADC qu'il reçoit par ailleurs, qu'il y a un problème de surcharge, et qu'il décide de couper le transistor de sortie Q1 par un ordre spécifique. Une constante de temps dans le mécanisme de rebouclage est introduite grâce à la présence d'un condensateur C1 en parallèle avec la résistance R6, de manière à ralentir le temps de réaction de la boucle de rétroaction. L'invention permet ainsi d'obtenir un circuit de pilotage à composants discrets présentant à moindre coût les fonctionnalités d'un interrupteur intelligent relatives à l'aide au diagnostic des courts-circuits et absence de charge, et à la protection du circuit de pilotage. The advantage of the current mirror is that it offers a possibility of obtaining a sufficiently precise current measurement to enable the microcontroller 2 to identify the abnormal situations (absence of load and short circuits) while allowing the load, in normal operation, to benefit from almost all of the supply voltage VBAT. Indeed, the voltage drop between the emitter and the collector of the transistor Q1 is almost zero when the latter is conducting while Q2 is diode-mounted, so that the voltage VouT substantially corresponds to the DC supply voltage VBAT. Such a result would not be possible with a measuring circuit of the shunt resistor type for which a compromise must be made between the accuracy of the measurements and the voltage drop. In a preferred embodiment of the invention, the control circuit 1 further comprises a device 12 for limiting the charging current connected between the output of the measurement circuit 10 and an input of the control circuit 11, the function of which is to protect the output transistor Q1. To do this, the current limiting device 12, an exemplary implementation of which will be described with reference to FIG. 2, is able to control the switching of the output transistor Q1 from the off state to the off state, independently of the control of the microcontroller 2, as soon as the potential VADc becomes greater than a predetermined threshold value and the switching of the output transistor from the off state to the on state as soon as the potential VADc becomes lower than said threshold value. Due to the presence of the current limiting device 12, the output transistor Q1 is protected against overcurrent. In the event of an overload situation, the current limiting device protects transistor Q1 for the time necessary for microcontroller 2 to effectively diagnose overload and thereby generate a Vcom blocking command. An exemplary implementation of a control circuit having all the functionalities described with reference to FIG. 1 will now be described using FIG. 2: In the control circuit 1 , the output transistor Q1 mounted in switch and the current mirror measuring circuit 10 delivering on its output a VADC measurement representative of the charging current. The switching control circuit 11 of the output transistor Q1 is essentially composed of a control transistor Q4, in the example of a bipolar transistor NPN, and three resistors R3, R4 and R5. The collector of the control transistor Q4 is here connected to the base of the output transistor Q1, while its base is connected to the input terminal of the control circuit through the resistor R3 and its emitter is connected to ground via the resistance R5. The assembly is such that a non-zero potential, for example at 5 volts, of the control voltage Vcom delivered by the microcontroller keeps the control transistor Q4, and consequently the output transistor Q1 in the on state. On the other hand, if the control voltage Vcom coming from the microcontroller is zero, the control transistor Q4 and consequently the output transistor Q1 are kept in a blocked state. In accordance with the principles described above with reference to Figure 1, the measuring circuit 10 will help to diagnose either no load or overload. Indeed, in case of absence of charge while the control transistor Q4 and the output transistor Q1 are on, the current flowing in the output transistor Q1 is equivalent to the current, even a small one, which passes into the control transistor. Q4. The image current generated in the output branch of the current mirror will make it possible to develop a voltage VADC across the output resistor R1 whose value is very small compared to the value that corresponds to a normal situation. Thus, the microcontroller will be able to conclude the absence of charge. Conversely, an overload situation will result in a sharp increase in voltage VADC- The microcontroller will then conclude to the presence of a short circuit and will control the cutoff of the output transistor Q1 via the command VcoM - The device 12 for limiting the charging current is composed of the series combination of a Zener diode Z1 and a protection resistor R7, connected in parallel with the output resistor R1 of the measuring circuit 10, and whose common terminal is electrically connected to the base of a switching transistor Q5, here NPN type. The collector of the transistor Q5 is connected to the base of the control transistor Q4, and its emitter is connected to ground. Thanks to this arrangement, as long as the voltage VADC across the output resistor R1 is lower than the Zener voltage, typically of the order of 5.6 volts, nothing special happens, transistor Q5 being maintained at the blocked state. On the other hand, as soon as the voltage VADC becomes greater than a determined threshold equal to the sum of the Zener voltage and the threshold voltage of the transistor Q5, ie 6.2 volts in our example, the transistor Q5 becomes on. Since the collector of the transistor Q5 is connected to the base of the control transistor Q4, the potential on this base will be reduced to ground. This leads to the blocking of the control transistor Q4, even if the potential Vcom is non-zero, and consequently to the blocking of the output transistor Q1. The voltage VADC across the output resistor R1 will then decrease to pass again below the predetermined threshold of 6.2 volts, causing the blocking of transistor Q5, and the release of transistors Q4 and Q1. The system being closed, we arrive at a certain balance that will protect the output transistor Q1 the time that the microcontroller diagnosed, from the value VADC it receives, that there is a problem of overload, and that he decides to cut the output transistor Q1 by a specific order. A time constant in the feedback mechanism is introduced due to the presence of a capacitor C1 in parallel with the resistor R6, so as to slow the reaction time of the feedback loop. The invention thus makes it possible to obtain a discrete component control circuit presenting, at a lower cost, the functionalities of an intelligent switch relating to the aid in the diagnosis of short circuits and the absence of a load, and to the protection of the control circuit. .

Claims (6)

REVENDICATIONS1. Circuit de pilotage de l'alimentation d'une charge, notamment d'une diode d'affichage électroluminescente, comprenant: un transistor de sortie (Q1) monté en interrupteur entre une tension d'alimentation continue (VBAT) et la charge, apte à commuter entre un état bloqué dans lequel la charge n'est pas alimentée et un état passant dans lequel la charge est alimentée, un circuit (10) de mesure apte à délivrer une mesure représentative du courant de charge à un microcontrôleur (2), et un circuit (11) de commande de la commutation du transistor de sortie piloté par une commande du microcontrôleur (2) en fonction de ladite mesure, caractérisé en ce que le circuit (10) de mesure comprend deux transistors montés en miroir de courant, un premier transistor (Q2) du miroir de courant monté en diode et connecté en série avec ledit transistor de sortie (Q1), et un deuxième transistor (Q3) du miroir de courant apte à délivrer une image du courant de charge à une résistance (R1) de sortie en série entre le deuxième transistor (Q3) et une masse électrique, le point d'interconnexion entre le deuxième transistor (Q3) et la résistance de sortie (R1) constituant une sortie du circuit de mesure dont le potentiel correspond à ladite mesure. REVENDICATIONS1. Circuit for controlling the power supply of a load, in particular of an electroluminescent display diode, comprising: an output transistor (Q1) mounted as a switch between a DC supply voltage (VBAT) and the load, suitable for switching between a blocked state in which the load is not energized and an on state in which the load is fed, a measurement circuit (10) capable of delivering a measurement representative of the charging current to a microcontroller (2), and a circuit (11) for controlling the switching of the output transistor controlled by a control of the microcontroller (2) as a function of said measurement, characterized in that the measuring circuit (10) comprises two transistors mounted in a current mirror, a first transistor (Q2) of the diode-mounted current mirror connected in series with said output transistor (Q1), and a second transistor (Q3) of the current mirror capable of supplying an image of the charging current at a resistor (R1) series output between the second transistor (Q3) and a ground, the interconnection point between the second transistor (Q3) and the output resistor (R1) constituting an output of the measuring circuit whose potential corresponds to said measurement. 2. Circuit de pilotage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit (11) de commande comporte un transistor de commande (Q4) dont le passage à l'état bloqué, respectivement passant, entraîne le passage à l'état bloqué, respectivement passant, du transistor de sortie (Q1). 2. Control circuit according to claim 1, characterized in that the control circuit (11) comprises a control transistor (Q4) whose passage to the off state, respectively, causes the transition to the off state, respectively passing, of the output transistor (Q1). 3. Circuit de pilotage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un dispositif (12) de limitation du courant de charge connecté entre ladite sortie du circuit (10) de mesure et une entrée du circuit (11) de commande, apte à commander la commutation du transistor de sortie (Q1) de l'étatpassant à l'état bloqué, indépendamment de la commande du microcontrôleur, dès que ledit potentiel devient supérieur à une valeur seuil prédéterminée et la commutation du transistor de sortie de l'état bloqué à l'état passant dès que ledit potentiel devient inférieur à ladite valeur seuil. 3. Control circuit according to any one of the preceding claims, characterized in that it further comprises a device (12) for limiting the charging current connected between said output of the measuring circuit (10) and an input of the circuit. (11) for controlling the switching of the output transistor (Q1) from the off state to the off state, independently of the control of the microcontroller, as soon as said potential becomes greater than a predetermined threshold value and the switching of the output transistor from the off state to the on state as soon as said potential becomes lower than said threshold value. 4. Circuit de pilotage selon les revendications 2 et 3 prises en combinaison, caractérisé en ce que le dispositif (12) de limitation du courant de charge comprend l'association série d'une diode Zener (Z1) et d'une résistance de protection (R7), connectée en parallèle sur la résistance de sortie (R1) et dont la borne commune est connectée électriquement à un transistor de commutation (Q5) dont le collecteur est connecté au transistor de commande (Q4) de sorte qu'un passage du transistor de commutation (Q5) à un état passant entraîne le blocage du transistor de commande (Q4). 4. Control circuit according to claims 2 and 3 taken in combination, characterized in that the device (12) for limiting the charging current comprises the series combination of a Zener diode (Z1) and a protection resistor (R7), connected in parallel to the output resistor (R1) and whose common terminal is electrically connected to a switching transistor (Q5) whose collector is connected to the control transistor (Q4) so that a passage of switching transistor (Q5) in a on state causes the control transistor (Q4) to lock. 5. Circuit de pilotage selon la revendication 4, caractérisé en ce que le transistor de commande (Q4) et le transistor de commutation (Q5) sont des transistors bipolaires de type NPN. 5. Control circuit according to claim 4, characterized in that the control transistor (Q4) and the switching transistor (Q5) are bipolar transistors NPN type. 6. Circuit de pilotage selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le transistor de sortie et le premier et deuxième transistor montés en miroir de courant sont des transistors bipolaires de type PNP. 6. Control circuit according to any one of the preceding claims, characterized in that the output transistor and the first and second transistor mounted in current mirror are bipolar transistors PNP type.
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