FR2981497A1 - Energy beam irradiation system i.e. ion implantation system, for irradiating ionic beam as e.g. electron beam on work plate, has irradiation regions partially overlapping with each other in direction perpendicular to orbital surfaces - Google Patents

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Abstract

The system (100) has an energy beam emitting mechanism emitting an energy beam (IB) to preset irradiation regions for irradiating two work plates (W1, W2) as objects. Two orbiting mechanisms (1, 2) place the plates on respective preset orbits including the irradiation regions, where the two regions surrounded by the respective orbits partially overlap with each other in a direction perpendicular to orbital surfaces formed by the orbits. One of the orbiting mechanisms includes a control unit comprising an electrical circuit to control a rotation unit (13) and a linear displacement unit (15).

Description

SYSTEME D'IRRADIATION PAR FAISCEAU D'ENERGIE ET MECANISME DE TRANSFERT D'OUVRAGE Domaine technique La présente invention concerne un système d'irradiation par faisceau d'énergie pour irradier un faisceau d'énergie, tel qu'un dispositif d'implantation ionique ou un dispositif d'irradiation par faisceau d'électrons, et un mécanisme de transport d'ouvrage utilisé pour celui-ci. Art associé Dans un dispositif d'implantation ionique de type d'une seule pièce divulgué dans le document de brevet 1, deux mécanismes d'entraînement de plaquettes sont fournis de manière à mettre en orbite des plaquettes indépendamment les unes des autres. En outre, les orbites de deux plaquettes sont adaptées pour correspondre l'une à l'autre dans une région d'irradiation par faisceau ionique et la vitesse d'orbite ou la phase d'orbite de chaque plaquette est commandée. De cette manière, l'une quelconque des deux plaquettes passe toujours à travers la région d'irradiation par faisceau ionique. Il est donc possible d'accroître le rendement d'irradiation du faisceau ionique sur les plaquettes. Et, dans le document de brevet 1, les orbites des plaquettes correspondent l'une à l'autre dans une portion d'orbite droite comprenant une région d'irradiation par faisceau et une portion autre que la portion d'orbite droite est divisée en deux parties des deux côtés de la portion d'orbite droite. Field of the Invention The present invention relates to an energy beam irradiation system for irradiating a beam of energy, such as an ion implantation device or an ion beam implant. an electron beam irradiation device, and a work transport mechanism used therefor. Associated Art In a one-piece ion implantation device disclosed in Patent Document 1, two platelet driving mechanisms are provided to orbit platelets independently of one another. In addition, the orbits of two platelets are adapted to match each other in an ion beam irradiation region and the orbit rate or the orbit phase of each platelet is controlled. In this way, any one of the two platelets always passes through the ion beam irradiation region. It is therefore possible to increase the irradiation efficiency of the ion beam on the wafers. And, in patent document 1, the platelet orbits correspond to each other in a right orbit portion comprising a beam irradiation region and a portion other than the right orbit portion is divided into two parts on both sides of the right orbit portion.

Document de brevet 1 : JP-A-10-134 761 Résumé Néanmoins, selon cette configuration, il y a un 5 problème en ce qu'un espace suffisant pour assurer deux orbites est nécessaire et il est donc difficile d'obtenir un dispositif d'implantation ionique compact au-delà d'un certain niveau. Et, un tel problème est généralement commun à un système d'irradiation par 10 faisceau d'énergie pour irradier un faisceau d'énergie sur un ouvrage ainsi qu'au système d'implantation ionique. La présente invention a été faite pour résoudre le problème susmentionné, et un objet de la présente 15 invention consiste à prévoir un système d'irradiation par faisceau d'énergie capable de permettre une configuration remarquablement compacte tout en irradiant efficacement un faisceau d'énergie sur un ouvrage. 20 C'est-à-dire, un système d'irradiation par faisceau d'énergie selon la présente invention comprend un mécanisme d'émission de faisceau d'énergie et des premier et deuxième mécanismes de mise en orbite. Le mécanisme d'émission de faisceau d'énergie émet un 25 faisceau d'énergie vers une région d'irradiation prédéterminée pour irradier au moins un premier ouvrage et au moins un deuxième ouvrage en tant qu'objets. Le premier mécanisme de mise en orbite met en orbite l'au moins un premier ouvrage le long d'une première orbite 30 prédéterminée comprenant la région d'irradiation. Le deuxième mécanisme de mise en orbite met en orbite l'au moins un deuxième ouvrage le long d'une deuxième orbite prédéterminée comprenant la région d'irradiation. Une première région entourée par la première orbite et une deuxième région entourée par la deuxième orbite se 5 chevauchent au moins partiellement, comme on le voit à partir d'une direction perpendiculaire aux surfaces orbitales formées par les première et deuxième orbites. Dans les présentes, le terme « chevauchement » n'inclut pas un état dans lequel la première région 10 entourée par la première orbite et la deuxième région entourée par la deuxième orbite sont en contact l'une avec l'autre. Dans un mode de réalisation spécifique, chacune des première et deuxième orbites comprend des orbites 15 droites parallèles l'une à l'autre et des orbites semi-circulaires reliant des extrémités des orbites droites. Dans la première orbite, une orbite semi-circulaire a un premier centre et l'autre orbite semi-circulaire a un deuxième centre. Dans la deuxième orbite, une orbite 20 semi-circulaire a un troisième centre et l'autre orbite semi-circulaire a un quatrième centre. Le premier centre de la première orbite correspond au troisième centre de la deuxième orbite, et le deuxième centre de la première orbite correspond au quatrième centre de la 25 deuxième orbite, comme on le voit à partir de la direction perpendiculaire aux surfaces orbitales des première et deuxième orbites. Selon cette configuration, les deux orbites correspondent l'une à l'autre, et il est ainsi possible 30 de contribuer à la compacité. En outre, des rayons de rotation d'orbites semi-circulaires des deux orbites peuvent être approximés l'un à l'autre même si les deux orbites ne correspondent pas l'une à l'autre. Il est donc possible de contribuer en outre à la compacité. Un mode de réalisation préféré avec la plus grande 5 contribution à la compacité a une configuration dans laquelle chacune des première et deuxième orbites correspondent l'une à l'autre. Pour accroître le rendement d'irradiation du faisceau d'énergie en utilisant deux orbites, il est 10 préférable que l'au moins un deuxième ouvrage entre dans la région d'irradiation avant que l'au moins un premier ouvrage qui est entré dans la région d'irradiation ne traverse complètement la région d'irradiation. 15 Dans ce cas, lorsque l'au moins un premier ouvrage et l'au moins un deuxième ouvrage sont agencés tous deux côte à côte selon des directions orbitales respectivement de la première orbite et de la deuxième orbite, le faisceau d'énergie peut être irradié sur un 20 ouvrage de l'au moins un premier ouvrage ou de l'au moins un deuxième ouvrage pendant une plus longue durée. Pendant ce temps, on peut se permettre de mettre en orbite et de déplacer l'autre ouvrage à une position derrière l'ouvrage en question. Il est donc facile 25 d'irradier continuellement le faisceau d'énergie. Dans ce cas où chacun de l'au moins un premier ouvrage et de l'au moins un deuxième ouvrage revient à son angle de rotation initial en orbitant une fois sur une orbite correspondante, comme on le voit dans la 30 direction perpendiculaire aux surfaces orbitales, la torsion ou la déconnexion du câblage à cause de la torsion peut être empêchée. En plus des effets susmentionnés, pour réduire l'influence du faisceau d'énergie en traversant le côté arrière de la région d'irradiation du faisceau d'énergie, chacun de l'au moins un premier ouvrage et de l'au moins un deuxième ouvrage a un côté d'irradiation par faisceau d'énergie faisant face à une direction d'irradiation par faisceau d'énergie et un côté arrière du côté d'irradiation par faisceau d'énergie, et tourne de 180 degrés tout en se déplaçant de la région d'irradiation à une région de côté arrière lorsque le côté arrière fait face à la direction d'irradiation par faisceau d'énergie. Et, chacun de l'au moins un premier ouvrage et de l'au moins un deuxième ouvrage tourne de moins 180 degrés tout en se déplaçant de la région de côté arrière à la région d'irradiation de sorte que chacun de l'au moins un premier ouvrage et de l'au moins un deuxième ouvrage tourne à son angle de rotation initial. Effet de l'invention Selon la présente invention ainsi configurée, deux mécanismes de mise en orbite sont prévus et il est ainsi possible d'améliorer le rendement d'irradiation du faisceau d'énergie. De plus, puisqu'une région de la première orbite et une région de la deuxième orbite dans deux mécanismes de mise en orbite se chevauchent au moins partiellement, le dimensionnement d'une taille correspondant aux deux orbites n'est pas nécessaire et il est ainsi possible de réduire les dimensions par la région de chevauchement. Une configuration compacte peut donc être réalisée. Brève description des dessins La figure 1 est une vue en perspective schématique illustrant un système d'irradiation par faisceau d'énergie selon un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 2 est une vue frontale illustrant un 10 mécanisme de mise en orbite dans le mode de réalisation ; la figure 3 est une vue en plan illustrant une orbite dans le mode de réalisation ; les figures 4A, 4B et 4C sont des vues 15 explicatives schématiques illustrant un déplacement de plaquettes dans le mode de réalisation ; les figures 5D, 5E et 5F sont des vues explicatives schématiques illustrant un déplacement de plaquettes dans le mode de réalisation ; 20 la figure 6 est une vue en plan illustrant un déplacement de plaquettes dans un autre mode de réalisation de la présente invention ; la figure 7 est une vue explicative illustrant un mécanisme de mise en orbite en vue frontale et une 25 orbite en vue en plan dans encore un autre mode de réalisation de la présente invention ; la figure 8 est une vue explicative illustrant un mécanisme de mise en orbite en vue frontale et une orbite en vue en plan dans encore un autre mode de 30 réalisation de la présente invention ; la figure 9 est une vue en plan schématique illustrant des aspects de maintien de plaquettes d'un plateau selon la présente invention. However, according to this configuration, there is a problem in that sufficient space to provide two orbits is required and it is therefore difficult to obtain a device which can compact ion implantation beyond a certain level. And, such a problem is generally common to an energy beam irradiation system for irradiating a beam of energy on a structure as well as to the ion implantation system. The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and it is an object of the present invention to provide an energy beam irradiation system capable of providing a remarkably compact configuration while effectively irradiating a beam of energy on the beam. a book. That is, an energy beam irradiation system according to the present invention comprises an energy beam emitting mechanism and first and second orbiting mechanisms. The energy beam emitting mechanism emits a beam of energy to a predetermined irradiation region to irradiate at least a first structure and at least a second structure as objects. The first orbiting mechanism orbits the at least one first structure along a first predetermined orbit including the irradiation region. The second orbiting mechanism orbits the at least one second structure along a second predetermined orbit including the irradiation region. A first region surrounded by the first orbit and a second region surrounded by the second orbit overlap at least partially, as seen from a direction perpendicular to the orbital surfaces formed by the first and second orbits. As used herein, the term "overlap" does not include a state in which the first region 10 surrounded by the first orbit and the second region surrounded by the second orbit are in contact with each other. In a specific embodiment, each of the first and second orbits comprises straight orbits parallel to each other and semicircular orbits connecting ends of the right orbits. In the first orbit, a semicircular orbit has a first center and the other semicircular orbit has a second center. In the second orbit, a semicircular orbit has a third center and the other semicircular orbit has a fourth center. The first center of the first orbit corresponds to the third center of the second orbit, and the second center of the first orbit corresponds to the fourth center of the second orbit, as seen from the direction perpendicular to the orbital surfaces of the first orbit. second orbits. According to this configuration, the two orbits correspond to one another, and it is thus possible to contribute to the compactness. In addition, rotation rays of semicircular orbits of the two orbits can be approximated to each other even if the two orbits do not correspond to each other. It is therefore possible to contribute to the compactness. A preferred embodiment with the greatest contribution to compactness has a configuration in which each of the first and second orbits correspond to each other. To increase the irradiation efficiency of the energy beam using two orbits, it is preferable that the at least one second work enters the irradiation region before the at least one first work that entered the irradiation region does not completely cross the irradiation region. In this case, when the at least one first structure and the at least one second structure are arranged side by side in orbital directions respectively of the first orbit and the second orbit, the energy beam may be irradiated on a work of the at least one first work or the at least one second work for a longer duration. During this time, one can afford to put into orbit and move the other work to a position behind the work in question. It is therefore easy to continuously irradiate the energy beam. In this case where each of the at least one first work and the at least one second work returns to its initial angle of rotation by orbiting once in a corresponding orbit, as seen in the direction perpendicular to the orbital surfaces the twisting or disconnecting of the wiring due to twisting can be prevented. In addition to the aforementioned effects, to reduce the influence of the energy beam through the rear side of the irradiation region of the energy beam, each of the at least one first structure and the at least one second structure has an energy beam irradiation side facing an energy beam irradiation direction and a rear side of the energy beam irradiation side, and rotates 180 degrees while moving from the irradiation region to a backside region when the backside faces the beam irradiation direction of energy. And, each of the at least one first work and the at least one second work rotates minus 180 degrees while moving from the back side region to the irradiation region so that each of the at least a first work and at least a second work rotates at its initial angle of rotation. Effect of the invention According to the present invention thus configured, two orbiting mechanisms are provided and it is thus possible to improve the irradiation efficiency of the energy beam. In addition, since a region of the first orbit and a region of the second orbit in two orbital mechanisms overlap at least partially, sizing of a size corresponding to both orbits is not necessary and so is possible to reduce the dimensions by the region of overlap. A compact configuration can therefore be achieved. Brief Description of the Drawings Fig. 1 is a schematic perspective view illustrating an energy beam irradiation system according to one embodiment of the present invention; Fig. 2 is a front view illustrating an orbiting mechanism in the embodiment; Fig. 3 is a plan view illustrating an orbit in the embodiment; Figs. 4A, 4B and 4C are schematic explanatory views illustrating platelet displacement in the embodiment; Figs. 5D, 5E and 5F are schematic explanatory views illustrating platelet displacement in the embodiment; Fig. 6 is a plan view illustrating platelet displacement in another embodiment of the present invention; Fig. 7 is an explanatory view illustrating an orbiting mechanism in front view and an orbit in plan view in yet another embodiment of the present invention; Figure 8 is an explanatory view illustrating an orbiting mechanism in front view and an orbit in plan view in still another embodiment of the present invention; Fig. 9 is a schematic plan view illustrating platelet holding aspects of a platen according to the present invention.

Description détaillée Un système d'irradiation par faisceau d'énergie selon la présente invention va être décrit ci-après en référence aux dessins annexés. Comme cela est illustré sur la figure 1, le système d'irradiation par faisceau d'énergie 100 irradie un faisceau ionique IB en tant que faisceau d'énergie sur des plaquettes W en tant qu'ouvrages sur lesquels implanter des ions. Le système d'irradiation par faisceau d'énergie 100 comprend un mécanisme d'émission de faisceau ionique (non illustré) pour émettre le faisceau ionique IB dans une salle d'implantation d'ions prévue dans une chambre sous vide (non illustrée) et un mécanisme de transport de plaquettes 10 pour transporter les plaquettes W à une position à laquelle le faisceau ionique IB peut être irradié. Le mécanisme d'émission de faisceau ionique est configuré pour émettre un faisceau ionique en forme de ruban IB, par exemple, vers une région d'irradiation P (cf. figures 4A à 4C, etc.) qui est établie dans la salle d'implantation d'ions. Le mécanisme d'émission de faisceau ionique est bien connu et ne va donc pas être décrit en détail dans les présentes. Le mécanisme de transport de plaquettes 10 30 comprend un mécanisme de chargement et déchargement (non illustré), des mécanismes de mise en orbite 1, 2 et un mécanisme de transfert. Le mécanisme de chargement et de déchargement déplace les plaquettes entre un sas de chargement (non illustré) prévu adjacent à la salle d'implantation ionique et une 5 position d'attente prévue dans la salle d'implantation ionique. Les mécanismes de mise en orbite 1, 2 mettent en orbite les plaquettes W1 (W2) au milieu de la région d'irradiation P du faisceau ionique IB. Le mécanisme de transfert transfère les plaquettes W1 (W2) entre le 10 mécanisme de chargement et de déchargement et les mécanismes de mise en orbite 1, 2. Les configurations du mécanisme de chargement et de déchargement et du mécanisme de transfert sont bien connues à partir de JP-B-4 766 156 par exemple, et on 15 omettra donc de les illustrer et de les décrire. Les mécanismes de mise en orbite 1, 2 en tant que configuration spécifique du système d'irradiation par faisceau d'énergie 100 de la présente invention vont être décrits en détail ci-après. 20 Dans le présent mode de réalisation, deux mécanismes de mise en orbite 1, 2 sont prévus. Chacun des mécanismes de mise en orbite 1, 2 comprend respectivement des montants 11, 21, des bras 12, 22 faisant saillie dans une direction radiale à partir des 25 montants 11, 21, des unités de rotation 13, 23 pour tourner les bras 12, 22 autour d'un axe des montants 11, 21, des organes de support de plaquettes en forme de plaques 14, 24 attachés à une portion d'extrémité des bras 12, 22 et s'étendant parallèlement à l'axe des 30 montants 11, 21 et des unités de déplacement linéaire 15, 25 pour déplacer linéairement les montants 11, 21 avec les bras 12, 22 et les organes de support de plaquettes 14, 24 dans une direction perpendiculaire à leur axe. Le premier mécanisme de mise en orbite 1 va 5 d'abord être décrit en détail en référence aux figures 1 et 2. Le montant 11 du premier mécanisme de mise en orbite 1 est en forme de colonne qui se dresse à partir d'une base 16. 10 Le bras 12 est en forme de plaques faisant saillie dans une direction radiale à partir d'une portion d'extrémité 11b du montant 11. L'unité de rotation 13 est par exemple un moteur et elle comporte un arbre d'entraînement (non illustré) 15 relié à une portion de base 11a du montant 11. Et, l'unité de rotation est configurée pour tourner le bras 12 par la rotation du montant 11 autour d'un axe de celui-ci. L'unité de rotation peut être configurée pour tourner directement le bras 12 sans rotation du montant 20 11. L'organe de support de plaquettes 14 (auquel il est fait ci-après référence en tant que plateau) est par exemple en forme approximativement de plaque longue. L'organe de support de plaquettes 14 supporte une 25 pluralité de plaquettes W1 sur une surface de celui-ci par un mandrin électrostatique par exemple. L'organe de support de plaquettes 14 est suspendu à une portion d'extrémité du bras 12 de manière à ce qu'une direction longitudinale de celui-ci soit parallèle à l'axe du 30 montant 11 et une portion de plaque de surface de celui-ci soit placée perpendiculairement à une direction d'extension du bras 12. Dans le présent mode de réalisation, puisque le plateau 14 est supporté de manière à pouvoir pivoter sur le bras 12, le plateau peut être tourné entre un état suspendu dans lequel le plateau 14 est suspendu par rapport au bras 12 et un état parallèle dans lequel le plateau 14 est placé parallèlement au bras 12, comme cela est illustré sur la figure 1, etc. Cela est destiné à transférer les plaquettes entre le mécanisme de transfert et l'organe de support de plaquettes. Spécifiquement, le plateau 14 est placé dans l'état parallèle lors du transfert des plaquettes W1 entre le mécanisme de transfert et l'organe de support de plaquettes et il est placé dans l'état suspendu lors de la mise en orbite des plaquettes W1. Par exemple, l'unité de déplacement linéaire 15 comprend un trou de vis 151, un organe de vis 152 vissé dans le trou de vis 151 et un actionneur 153 tel qu'un moteur pour faire tourner l'organe de vis 152. Le trou de vis 151 est formé pour pénétrer à travers la base 16 supportant la portion de base 11a du montant 11 dans une direction perpendiculaire à l'axe du montant 11. L'unité de déplacement linéaire 15 est configurée par un type d'alimentation de vis dans lequel la base 16 est déplacée linéairement vers l'avant et vers l'arrière dans une direction d'extension de l'organe de vis 152 en faisant tourner l'organe de vis 152 dans une direction vers l'avant et vers l'arrière. L'unité de déplacement linéaire 15 n'est pas limitée au type d'alimentation de vis, mais elle peut employer divers mécanismes tels qu'un type d'alimentation par courroie. DETAILED DESCRIPTION An energy beam irradiation system according to the present invention will be described hereinafter with reference to the accompanying drawings. As illustrated in FIG. 1, the energy beam irradiation system 100 irradiates an ion beam IB as a beam of energy on wafers W as arrays on which to implant ions. The energy beam irradiation system 100 includes an ion beam emitting mechanism (not shown) for emitting the ion beam IB into an ion implantation chamber provided in a vacuum chamber (not shown) and a platelet transport mechanism 10 for transporting platelets W to a position at which the ion beam IB may be irradiated. The ion beam emitting mechanism is configured to emit a band-shaped ion beam IB, for example, to an irradiation region P (see Figs. 4A-4C, etc.) which is established in the room. ion implantation. The ion beam emitting mechanism is well known and therefore will not be described in detail herein. The wafer transport mechanism 10 includes a loading and unloading mechanism (not shown), orbiting mechanisms 1, 2, and a transfer mechanism. The loading and unloading mechanism moves the pads between a loading lock (not shown) provided adjacent to the ion implantation room and a waiting position provided in the ion implantation room. The orbiting mechanisms 1, 2 orbit W1 platelets (W2) in the middle of the irradiation region P of the ion beam IB. The transfer mechanism transfers platelets W1 (W2) between the loading and unloading mechanism and the orbiting mechanisms 1, 2. The configurations of the loading and unloading mechanism and the transfer mechanism are well known from JP-B-4,766,156 for example, and it will therefore be omitted to illustrate and describe them. The orbiting mechanisms 1, 2 as a specific configuration of the energy beam irradiation system 100 of the present invention will be described in detail hereinafter. In the present embodiment, two orbiting mechanisms 1, 2 are provided. Each of the orbiting mechanisms 1, 2 comprises respectively uprights 11, 21, arms 12, 22 projecting in a radial direction from the uprights 11, 21, rotation units 13, 23 to turn the arms 12. , 22 about an axis of the uprights 11, 21, platelet-shaped support members 14, 24 attached to an end portion of the arms 12, 22 and extending parallel to the axis of the uprights 11, 21 and linear displacement units 15, 25 for linearly moving the uprights 11, 21 with the arms 12, 22 and the wafer support members 14, 24 in a direction perpendicular to their axis. The first orbiting mechanism 1 will first be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. The amount 11 of the first orbiting mechanism 1 is in the form of a column that stands from a base 16. The arm 12 is in the form of plates protruding in a radial direction from an end portion 11b of the upright 11. The rotation unit 13 is for example a motor and it comprises a drive shaft (Not shown) connected to a base portion 11a of the post 11. And, the rotation unit is configured to turn the arm 12 by the rotation of the post 11 about an axis thereof. The rotation unit can be configured to turn the arm 12 directly without rotating the upright 11. The platelet support member 14 (hereinafter referred to as a platen) is, for example, approximately shaped long plate. The wafer support member 14 supports a plurality of W1 wafers on a surface thereof by an electrostatic chuck for example. The pad support member 14 is suspended from an end portion of the arm 12 so that a longitudinal direction thereof is parallel to the axis of the post 11 and a surface plate portion it is placed perpendicular to a direction of extension of the arm 12. In the present embodiment, since the plate 14 is pivotally supported on the arm 12, the plate can be rotated between a suspended state in which the plate 14 is suspended relative to the arm 12 and a parallel state in which the plate 14 is placed parallel to the arm 12, as shown in Figure 1, etc. This is for transferring the wafers between the transfer mechanism and the wafer support member. Specifically, the tray 14 is placed in the parallel state during the transfer of the wafers W1 between the transfer mechanism and the wafer support member and is placed in the suspended state when the platelets W1 are placed in orbit. For example, the linear displacement unit 15 comprises a screw hole 151, a screw member 152 screwed into the screw hole 151 and an actuator 153 such as a motor for rotating the screw member 152. The hole screw 151 is formed to penetrate through the base 16 supporting the base portion 11a of the upright 11 in a direction perpendicular to the axis of the upright 11. The linear displacement unit 15 is configured by a screw feed type wherein the base 16 is moved linearly forwardly and rearwardly in an extension direction of the screw member 152 by rotating the screw member 152 in a forward and a forward direction. back. The linear displacement unit 15 is not limited to the type of screw feed, but it can employ various mechanisms such as a belt feed type.

En outre, le premier mécanisme de mise en orbite 1 comprend une unité de commande (non illustrée) comportant un circuit électrique pour commander l'unité de rotation 13 et l'unité de déplacement linéaire 15. In addition, the first orbiting mechanism 1 comprises a control unit (not shown) comprising an electric circuit for controlling the rotation unit 13 and the linear displacement unit 15.

Plus spécifiquement, l'unité de commande commande les moteurs 13, 153 prévus dans chaque unité 13, 15. L'unité de commande est configurée pour mettre en orbite et déplacer les plaquettes W1 en effectuant à répétition quatre opérations, comme cela est illustré sur la figure 3. Dans les présentes, les quatre opérations comprennent une opération de déplacement en ligne droite des plaquettes W1 dans une direction, une opération de rotation des plaquettes W1 de 180 degrés, une opération de déplacement en ligne droite des plaquettes W1 dans une direction inverse et une opération de rotation des plaquettes W1 de moins 180 degrés, comme on le voit dans une direction axiale du montant 11. Comme cela est représenté sur la figure 3, une orbite (première orbite) 01 du premier mécanisme de mise en orbite 1 est une orbite formée par la mise en orbite du plateau 14 du premier mécanisme de mise en orbite 1, en vue dans la direction axiale. C'est-à-dire, l'orbite (première orbite) 01 du premier mécanisme de mise en orbite 1 comprend des orbites droites L11, L12 de longueur égale qui sont parallèles entre elles et des orbites semi-circulaires C11, C12 qui relient des extrémités des orbites droites L11, L12. L'orbite semi-circulaire C11 a un premier centre et l'orbite semi- circulaire C12 a un deuxième centre respectivement. More specifically, the control unit controls the motors 13, 153 provided in each unit 13, 15. The control unit is configured to orbit and move the wafers W1 by repetitively performing four operations, as illustrated on FIG. 3. In the present, the four operations comprise a step of moving in a straight line platelets W1 in one direction, a platter rotation operation W1 of 180 degrees, an operation of moving in a straight line platelets W1 in one direction. inverse and a platelet rotation operation W1 of minus 180 degrees, as seen in an axial direction of the upright 11. As shown in Figure 3, an orbit (first orbit) 01 of the first orbiting mechanism 1 is an orbit formed by the orbiting of the plate 14 of the first orbiting mechanism 1, in view in the axial direction. That is to say, the orbit (first orbit) 01 of the first orbiting mechanism 1 comprises straight orbits L11, L12 of equal length which are parallel to each other and semicircular orbits C11, C12 which connect ends of right orbits L11, L12. The semicircular orbit C11 has a first center and the semicircular orbit C12 has a second center respectively.

Plus spécifiquement, lorsque les plaquettes W1 sont déplacées en ligne droite, l'unité de commande actionne l'unité de déplacement linéaire 15 et commande en outre à l'unité de rotation 13 de fixer un angle du 5 bras 12 perpendiculairement à la direction de déplacement en ligne droite afin que des surfaces des plaquettes soient face à l'extérieur de l'orbite 01. Le faisceau ionique IB est irradié verticalement sur les surfaces des plaquettes W1 pendant que les plaquettes 10 sont déplacées en ligne droite sur un côté. C'est-à-dire, la région d'irradiation P du faisceau ionique IB progressant verticalement sur les surfaces des plaquettes W1 est prévue au milieu de l'orbite droite L11 sur un côté. 15 Pendant ce temps, lorsque les plaquettes W1 sont tournées, l'unité de commande arrête l'unité de déplacement linéaire 15 et actionne en outre l'unité de rotation 13 pour tourner le bras 12 de 180 degrés dans une direction vers l'avant ou dans une direction vers 20 l'arrière. De cette manière, l'angle de rotation du bras au cours de l'opération de rotation est réglé à plus 180 degrés sur un côté et à moins 180 degrés sur l'autre côté. Cela est destiné à empêcher la rotation des plaquettes W1 en raison de l'orbite des plaquettes 25 W1 lorsque les plaquettes W1 sont mises en orbite une fois. C'est-à-dire, par une telle configuration, un angle de rotation de l'organe de support de plaquettes 14 supportant les plaquettes W1, le bras 12 et le montant 11 est réglé de sorte que les plaquettes 30 reviennent à leur position d'origine lorsqu'elles sont mises en orbite une fois. En outre, il n'y a pas de problème de torsion ni de déconnexion de câbles électriques connectés à l'organe de support de plaquettes 14, au bras 12 et au montant 11 en raison de leur rotation même lorsque les plaquettes W1 sont mises en orbite plusieurs fois. Ensuite, le deuxième mécanisme de mise en orbite 2 va être décrit en détail ci-après en référence aux figures 1 et 2. Le montant 21 du deuxième mécanisme de mise en orbite 2 est suspendu à une structure suspendue 27 et est placé de sorte qu'un axe de celui-ci corresponde à l'axe du montant 11 et qu'une surface d'extrémité de celui-ci soit opposée à une surface d'extrémité du montant 11 du premier mécanisme de mise en orbite 1, vu dans la direction de déplacement en ligne droite. La structure suspendue 27 a une forme approximativement de L et elle comprend une base 26, un organe droit 271 s'étendant à partir de la base 26 et un corps de suspension 272 s'étendant verticalement à partir d'une portion d'extrémité de l'organe droit 271. Le montant 21 est suspendu vers le bas à une portion d'extrémité du corps de suspension 272 par l'intermédiaire de l'unité de rotation 23 (qui va être décrite ci-après). Le bras 22 est en forme de plaque faisant saillie 25 dans une direction radiale à partir d'une portion d'extrémité du montant 21. L'unité de rotation 23 est par exemple un moteur et elle comporte un arbre d'entraînement relié à une portion de base 21a du montant 21. Et, comme pour le 30 premier mécanisme de mise en orbite 1, l'unité de rotation est configurée pour tourner le bras 22 et en outre l'organe de support de plaquettes 24 en faisant tourner le montant 21 autour d'un axe de celui-ci. Dans le présent mode de réalisation, le rayon de rotation de l'organe de support de plaquettes 24 est réglé pour être égal à celui de l'organe de support de plaquettes 14 du premier mécanisme de mise en orbite 1. Comme pour le premier mécanisme de mise en orbite 1, le plateau 24 a approximativement une forme de plaque longue par exemple. Le plateau 24 supporte une pluralité de plaquettes W2 sur une surface de celui-ci par un mandrin électrostatique, par exemple. Le plateau 24 est suspendu de manière à pouvoir tourner à une portion d'extrémité du bras 22 de sorte qu'une direction longitudinale de celui-ci soit parallèle à l'axe du montant 21 et qu'une portion de plaque de surface de celui-ci soit placée perpendiculairement à une direction d'extension du bras 22. Une région de support de plaquettes 24a du plateau 24 est réglée pour être à niveau avec une région de support de plaquettes 14a du plateau 14 du premier mécanisme de mise en orbite 1. L'unité de déplacement linéaire 25 comprend un trou de vis 251, un organe de vis 252 vissé dans le trou de vis 251 et un actionneur 253 tel qu'un moteur pour faire tourner l'organe de vis 252. Le trou de vis 151 est formé pour pénétrer à travers la base 26 supportant le montant 21 par l'intermédiaire de la structure suspendue 27. Comme pour le premier mécanisme de mise en orbite 1, l'unité de déplacement linéaire 25 est configurée de sorte que la base 26 soit déplacée linéairement vers l'avant et vers l'arrière dans une direction d'extension de l'organe de vis 252 en faisant tourner l'organe de vis 252 dans une direction vers l'avant et vers l'arrière. La direction d'extension de l'organe de vis 252 est réglée pour être parallèle à la direction d'extension de l'organe de vis 152 du premier mécanisme de mise en orbite 1. En outre, comme pour le premier mécanisme de mise en orbite 1, le deuxième mécanisme de mise en orbite 2 comprend une unité de commande comportant un circuit électrique pour commander l'unité de rotation 23 et l'unité de déplacement linéaire 25. Dans les présentes, l'unité de commande est configurée pour mettre en orbite les plaquettes W1, W2 sur la même orbite et de la même manière que pour le premier mécanisme de mise en orbite 1. Comme cela est illustré sur la figure 3, une orbite (deuxième orbite) 02 du deuxième mécanisme de mise en orbite 2 est une orbite formée par la mise en orbite du plateau 24 du deuxième mécanisme de mise en orbite 2, en vue dans la direction axiale. C'est-à- dire, l'orbite (deuxième orbite) 02 du deuxième mécanisme de mise en orbite 2 comprend des orbites droites L21, L22 de longueur égale qui sont parallèles entre elles et des orbites semi-circulaires C21, C22 qui relient des extrémités des orbites droites L21, L22. More specifically, when the wafers W1 are moved in a straight line, the control unit actuates the linear displacement unit 15 and further controls the rotation unit 13 to set an angle of the arm 12 perpendicular to the direction of rotation. moving in a straight line so that platelet surfaces are facing the outside of the orbit 01. The ion beam IB is irradiated vertically on the surfaces of the wafers W1 while the wafers 10 are moved in a straight line on one side. That is, the irradiation region P of the ion beam IB progressing vertically on the platelet surfaces W1 is provided in the middle of the right orbit L11 on one side. Meanwhile, when the wafers W1 are rotated, the control unit stops the linear motion unit 15 and further actuates the rotation unit 13 to turn the arm 12 180 degrees in a forward direction or in a backward direction. In this way, the angle of rotation of the arm during the rotation operation is set to plus 180 degrees on one side and minus 180 degrees on the other side. This is intended to prevent platelet rotation W1 due to the orbit of W1 platelets when W1 platelets are orbited once. That is, by such a configuration, an angle of rotation of the wafer support member 14 supporting the wafers W1, the arm 12 and the post 11 is adjusted so that the wafers 30 return to their position. of origin when put into orbit once. In addition, there is no problem of torsion or disconnection of electrical cables connected to the pad support member 14, the arm 12 and the upright 11 due to their rotation even when the wafers W1 are put into operation. orbits several times. Then, the second orbiting mechanism 2 will be described in detail hereinafter with reference to FIGS. 1 and 2. The amount 21 of the second orbiting mechanism 2 is suspended from a suspended structure 27 and is placed so that an axis thereof corresponds to the axis of the upright 11 and an end surface thereof is opposed to an end surface of the upright 11 of the first orbiting mechanism 1, as seen in FIG. direction of travel in a straight line. The suspended structure 27 has a shape of approximately L and it comprises a base 26, a straight member 271 extending from the base 26 and a suspension body 272 extending vertically from an end portion of the upright member 271. The upright 21 is suspended downwardly at an end portion of the suspension body 272 through the rotation unit 23 (which will be described hereinafter). The arm 22 is plate-shaped projecting in a radial direction from an end portion of the post 21. The rotation unit 23 is for example a motor and has a drive shaft connected to a base portion 21a of the post 21. And, as with the first orbiting mechanism 1, the rotation unit is configured to turn the arm 22 and further the pad support member 24 by rotating the post 21 around an axis of it. In the present embodiment, the radius of rotation of the wafer support member 24 is adjusted to be equal to that of the wafer support member 14 of the first orbiting mechanism 1. As for the first mechanism in orbit 1, the plate 24 has approximately a long plate shape for example. The plate 24 supports a plurality of platelets W2 on a surface thereof by an electrostatic mandrel, for example. The plate 24 is pivotally suspended at an end portion of the arm 22 so that a longitudinal direction thereof is parallel to the axis of the upright 21 and a surface plate portion of that it is placed perpendicularly to an extension direction of the arm 22. A platelet support region 24a of the plate 24 is set to be level with a platelet support region 14a of the platen 14 of the first orbiting mechanism 1 The linear displacement unit 25 comprises a screw hole 251, a screw member 252 screwed into the screw hole 251 and an actuator 253 such as a motor for rotating the screw member 252. The screw hole 151 is formed to penetrate through the base 26 supporting the upright 21 via the suspended structure 27. As for the first orbiting mechanism 1, the linear displacement unit 25 is configured so that the base 26 be moved linearly forwardly and rearwardly in a direction of extension of the screw member 252 by rotating the screw member 252 in a forward and a rearward direction. The extension direction of the screw member 252 is set to be parallel to the extension direction of the screw member 152 of the first orbiting mechanism 1. In addition, as with the first setting mechanism orbit 1, the second orbiting mechanism 2 comprises a control unit comprising an electrical circuit for controlling the rotation unit 23 and the linear displacement unit 25. In the present, the control unit is configured to in orbit the wafers W1, W2 in the same orbit and in the same manner as for the first orbiting mechanism 1. As illustrated in FIG. 3, an orbit (second orbit) 02 of the second orbiting mechanism 2 is an orbit formed by the orbiting of the plate 24 of the second orbiting mechanism 2, in view in the axial direction. That is to say, the orbit (second orbit) 02 of the second orbiting mechanism 2 comprises straight orbits L21, L22 of equal length which are parallel to each other and semicircular orbits C21, C22 which connect ends of straight orbits L21, L22.

L'orbite semi-circulaire C21 a un troisième centre et l'orbite semi-circulaire C22 a un quatrième centre respectivement. Cette unité de commande peut être physiquement commune au premier mécanisme de mise en orbite 1 ou 30 elle peut être fournie en tant que corps distinct. The semicircular orbit C21 has a third center and the semicircular orbit C22 has a fourth center respectively. This control unit may be physically common to the first orbiting mechanism 1 or it may be provided as a separate body.

Ensuite, un fonctionnement du système d'irradiation par faisceau d'énergie 100 ainsi configuré va être décrit. Par exemple, une description commence à un état avant que les plaquettes (auxquelles il est fait ci-après référence en tant que premières plaquettes) W1 mises en orbite par le premier mécanisme de mise en orbite 1 ne traversent complètement la région d'irradiation P et dans lequel les plaquettes (auxquelles il est fait ci-après référence en tant que deuxièmes plaquettes) W2 mises en orbite par le deuxième mécanisme de mise en orbite 2 commencent à entrer dans la région d'irradiation P, comme cela est illustré sur la figure 4A. Next, an operation of the energy beam irradiation system 100 thus configured will be described. For example, a description begins at a state before the platelets (to which reference is made hereinafter as first platelets) W1 put into orbit by the first orbiting mechanism 1 do not completely pass through the irradiation region P and wherein the platelets (referred to hereinafter as second platelets) W2 orbited by the second orbiting mechanism 2 begin to enter the irradiation region P, as shown in FIG. Figure 4A.

Dans un état illustré sur la figure 4A, chacune des plaquettes W1, W2 se déplace à une vitesse d'implantation ionique prédéterminée, égale à celle des autres. Après cela, les premières plaquettes W1 quittent d'abord la région d'irradiation P et se mettent en orbite à une vitesse de déplacement accrue, comme cela est illustré sur les figures 4A et 4B. Pendant ce temps, les deuxièmes plaquettes W2 restant dans la région d'irradiation P se déplacent continuellement à la vitesse d'implantation ionique. In a state illustrated in Figure 4A, each of platelets W1, W2 moves at a predetermined ion implantation rate, equal to that of the others. After that, the first wafers W1 first leave the irradiation region P and go into orbit at an increased movement speed, as illustrated in FIGS. 4A and 4B. Meanwhile, the second wafers W2 remaining in the irradiation region P move continuously at the ion implantation rate.

Et, les premières plaquettes W1 rattrapent les deuxièmes plaquettes W2 avant que les deuxièmes plaquettes W2 ne traversent complètement la région d'irradiation P, comme cela est illustré sur la figure 5D. Et ensuite, les premières plaquettes W1 entrent dans la région d'irradiation P et leur vitesse revient à la vitesse d'implantation ionique. Puis les deuxièmes plaquettes W2 quittent la région d'irradiation P et se mettent en orbite à une vitesse de déplacement accrue, comme cela est illustré sur les figures 5E et 5F. Pendant ce temps, les premières plaquettes W1 restant 5 dans la région d'irradiation P se déplacent continuellement à la vitesse d'implantation ionique. Et, les deuxièmes plaquettes W2 rattrapent les premières plaquettes W1 et ce procédé revient à l'état de la figure 4A. 10 De cette manière, chacune des plaquettes W1, W2 est mise en orbite un nombre de fois prédéterminé et une dose prédéterminée d'ions est ainsi implantée sur les plaquettes W1, W2. Chaque plaquette W1 a un côté d'irradiation par 15 faisceau d'énergie face à une direction d'irradiation par faisceau d'énergie du faisceau ionique IB et un côté arrière du côté d'irradiation par faisceau d'énergie. En vue dans la direction perpendiculaire à la surface orbitale de l'orbite 01, les plaquettes W1 20 tournent de 180 degrés tout en se déplaçant de la région d'irradiation P à une région de côté arrière dans laquelle le côté arrière est face à la direction d'irradiation par faisceau d'énergie. Et, les plaquettes W1 tournent de moins 180 degrés en se 25 déplaçant de la région de côté arrière à la région d'irradiation de sorte que les plaquettes W1 tournent à leur angle de rotation initial. Plus spécifiquement, le plateau 14 a un côté d'irradiation par faisceau d'énergie sur lequel se 30 trouvent les plaquettes W1 et qui est face à la direction d'irradiation par faisceau d'énergie du faisceau ionique IB. Et, le plateau 14 a un côté arrière du côté d'irradiation par faisceau d'énergie. Lorsque le plateau 14 comportant les plaquettes W1 se déplace dans la région de côté arrière, les plaquettes W1 sur le côté d'irradiation par faisceau d'énergie ne sont pas irradiées par le faisceau ionique IB puisque le faisceau ionique IB est irradié sur le côté arrière du plateau 14, et non pas irradié sur le côté d'irradiation par faisceau d'énergie. Chaque plaquette W2 a un côté d'irradiation par faisceau d'énergie face à la direction d'irradiation par faisceau d'énergie du faisceau ionique IB et un côté arrière du côté d'irradiation par faisceau d'énergie. En vue dans la direction perpendiculaire à la surface orbitale de l'orbite 02, les plaquettes W2 tournent de 180 degrés en se déplaçant de la région d'irradiation P à une région de côté arrière dans laquelle le côté arrière est face à la direction d'irradiation par faisceau d'énergie. Et, les plaquettes W2 tournent de moins 180° tout en se déplaçant de la région de côté arrière à la région d'irradiation de sorte que les plaquettes W2 tournent à leur angle de rotation initial. Plus spécifiquement, le plateau 24 a un côté d'irradiation par faisceau d'énergie sur lequel se trouvent les plaquettes W2 et qui est face à la direction d'irradiation par faisceau d'énergie du faisceau ionique IB. Et, le plateau 24 a un côté arrière du côté d'irradiation par faisceau d'énergie. Lorsque le plateau 24 comportant les plaquettes W2 se déplace dans la région de côté arrière, les plaquettes W2 sur le côté d'irradiation par faisceau d'énergie ne sont pas irradiées par le faisceau ionique IB puisque le faisceau ionique IB est irradié sur le côté arrière du plateau 24, et non pas irradié sur le côté d'irradiation par faisceau d'énergie. And, the first plates W1 catch the second plates W2 before the second plates W2 completely cross the irradiation region P, as shown in Figure 5D. And then, the first platelets W1 enter the irradiation region P and their speed returns to the ion implantation rate. Then the second wafers W2 leave the irradiation region P and go into orbit at an increased movement speed, as illustrated in FIGS. 5E and 5F. Meanwhile, the first platelets W1 remaining in the irradiation region P move continuously at the ion implantation rate. And, the second wafers W2 catch the first wafers W1 and this process returns to the state of Figure 4A. In this way, each of the wafers W1, W2 is put into orbit a predetermined number of times and a predetermined dose of ions is thus implanted on the wafers W1, W2. Each wafer W1 has an energy beam irradiation side facing a beam energy irradiation direction of the ion beam IB and a back side of the energy beam irradiation side. In view in the direction perpendicular to the orbital surface of the orbit 01, the wafers W1 rotate 180 degrees while moving from the irradiation region P to a rear side region in which the rear side is facing the beam irradiation direction. And, platelets W1 turn minus 180 degrees moving from the back side region to the irradiation region so that platelets W1 rotate at their initial rotational angle. More specifically, the tray 14 has an energy beam irradiation side on which the wafers W1 are and which faces the energy beam irradiation direction of the ion beam IB. And, the tray 14 has a back side of the energy beam irradiation side. When the platen 14 having the platelets W1 moves in the backside region, the platelets W1 on the energy beam irradiation side are not irradiated by the ion beam IB since the ion beam IB is irradiated on the side. back of the tray 14, and not irradiated on the beam irradiation side energy. Each wafer W2 has an energy beam irradiation side facing the energy beam irradiation direction of the ion beam IB and a back side of the energy beam irradiation side. In view in the direction perpendicular to the orbital surface of orbit 02, platelets W2 rotate 180 degrees moving from irradiation region P to a backside region in which the rear side is facing the direction of rotation. irradiation with energy beam. And, platelets W2 turn minus 180 ° while moving from the back side region to the irradiation region so that platelets W2 rotate at their initial rotation angle. More specifically, the plate 24 has an energy beam irradiation side on which the W2 plates are located and which faces the energy beam irradiation direction of the ion beam IB. And, the tray 24 has a back side of the energy beam irradiation side. When the platen 24 having the platelets W2 moves in the backside region, the platelets W2 on the energy beam irradiation side are not irradiated by the ion beam IB since the ion beam IB is irradiated on the side. back of the tray 24, and not irradiated on the beam irradiation side of energy.

Dans cette configuration, puisque deux mécanismes de mise en orbite 1, 2 sont utilisés pour envoyer continuellement les plaquettes W1, W2 dans la région d'irradiation P du faisceau ionique IB, des effets de base d'amélioration du rendement d'implantation peuvent être obtenus. En outre, bien que deux mécanismes de mise en orbite 1, 2 soient fournis, la première orbite 01 et la deuxième orbite 02 correspondent l'une et l'autre et les deux mécanismes de mise en orbite peuvent donc être prévus à des dimensions correspondant à une orbite, en vue dans une direction perpendiculaire aux surfaces orbitales. Il est donc possible d'obtenir une configuration remarquablement compacte. Plus spécifiquement, le premier centre de l'orbite semi-circulaire C11 et le troisième centre de l'orbite semi-circulaire C21 correspondent l'un à l'autre, en vue dans la direction perpendiculaire aux surfaces orbitales. Et, le deuxième centre de l'orbite semi-circulaire C12 et le quatrième centre de l'orbite semi- circulaire C22 correspondent l'un à l'autre, en vue dans la direction perpendiculaire aux surfaces orbitales. C'est-à-dire, un axe de rotation de l'orbite semi-circulaire C11 et un axe de rotation de l'orbite semi-circulaire C21 correspondent l'un à l'autre, comme cela est représenté sur les figures 2 et 3. Et, un axe de rotation de l'orbite semi-circulaire C12 et un axe de rotation de l'orbite semi-circulaire C22 correspondent l'un à l'autre, comme cela est représenté sur les figures 2 et 3. La présente invention n'est pas limitée au mode de 5 réalisation ci-dessus. Par exemple, le nombre de plaquettes placées sur le plateau peut être seulement égal à un. En variante, une pluralité de plaquettes peuvent être placées sur le plateau. Dans ce cas, la capacité de traitement est 10 accrue. De plus, les plaquettes W1 ou les plaquettes W2 peuvent être disposées en pluralité côte à côte dans la direction axiale des montants 11, 21, comme cela est représenté sur les figures 1, 2, 7 et 8. Les plaquettes W1 ou les plaquettes W2 peuvent être disposées en 15 pluralité côte à côte dans une direction orbitale de la première orbite 01 ou de la deuxième orbite 02, qui est perpendiculaire à la direction axiale des montants, comme cela est représenté sur la figure 9. En outre, lorsque le nombre de plaquettes montées 20 sur un plateau est accru, un temps nécessaire pour le traitement des plaquettes montées sur chaque plateau augmente. On peut donc se permettre de déplacer un plateau vers une position derrière l'autre plateau et ainsi on réalise facilement un traitement 25 d'implantation continu. Dans ce cas, une direction longitudinale du plateau peut être perpendiculaire à l'axe du montant, dans une configuration du plateau. Puisque le nombre de plateaux à transporter peut être supérieur ou égal à deux, la présente invention 30 peut prendre une configuration dans laquelle une pluralité de plateaux sont transportés. De cette manière, il est possible d'améliorer la capacité de traitement et de réaliser facilement le traitement d'implantation continu. Le nombre de faisceaux ioniques n'est pas limité à 5 un. Par exemple, deux faisceaux ioniques IB ou plus peuvent être irradiés, comme cela est illustré sur la figure 6. Lorsque deux faisceaux ioniques IB sont irradiés, il est préférable que le nombre de plateaux soit supérieur ou égal à trois pour utiliser 10 efficacement le faisceau ionique IB. Dans les présentes, la figure 6 illustre trois plateaux 14, 24, 34 et trois plaquettes W1, W2, W3 montées sur les plateaux. En outre, une région entourée par la première orbite 01 et une région entourée par la deuxième orbite 15 02 peuvent se chevaucher au moins partiellement. Dans ce cas, il n'est pas nécessaire que les axes de rotation de chaque mécanisme de mise en orbite 1, 2 correspondent l'un à l'autre. Par exemple, comme cela est illustré sur la figure 7, l'axe de rotation peut 20 être différent pour chaque mécanisme de mise en orbite, en vue dans la direction de déplacement droit. En outre, comme cela est illustré sur la figure 8, une position de l'axe de rotation est égale à l'autre, mais les rayons de rotation peuvent être différents l'un de 25 l'autre. Dans les deux cas, puisqu'une région entourée par la première orbite 01 et une région entourée par la deuxième orbite 02 se chevauchent au moins partiellement, il est possible d'obtenir une configuration compacte par la région de chevauchement.In this configuration, since two orbiting mechanisms 1, 2 are used to continuously send platelets W1, W2 into the irradiation region P of the ion beam IB, basic effects of improving the implantation efficiency can be obtained. In addition, although two orbiting mechanisms 1, 2 are provided, the first orbit 01 and the second orbit 02 correspond to each other and the two orbiting mechanisms can therefore be provided at corresponding dimensions. to an orbit, in a direction perpendicular to the orbital surfaces. It is therefore possible to obtain a remarkably compact configuration. More specifically, the first center of the semicircular orbit C11 and the third center of the semicircular orbit C21 correspond to each other, seen in the direction perpendicular to the orbital surfaces. And, the second center of the semicircular orbit C12 and the fourth center of the semicircular orbit C22 correspond to each other, seen in the direction perpendicular to the orbital surfaces. That is, an axis of rotation of the semicircular orbit C11 and an axis of rotation of the semicircular orbit C21 correspond to each other, as shown in FIGS. and 3. And, an axis of rotation of the semicircular orbit C12 and an axis of rotation of the semicircular orbit C22 correspond to each other, as shown in Figures 2 and 3. The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the number of platelets placed on the platter may be only one. Alternatively, a plurality of platelets may be placed on the platen. In this case, the processing capacity is increased. In addition, the wafers W1 or the wafers W2 may be arranged in a plurality side by side in the axial direction of the uprights 11, 21, as shown in FIGS. 1, 2, 7 and 8. W1 wafers or W2 wafers may be arranged in a plurality side by side in an orbital direction of the first orbit 01 or the second orbit 02, which is perpendicular to the axial direction of the uprights, as shown in FIG. As platelets mounted on a tray are increased, a time required for treatment of the platelets mounted on each tray increases. It is therefore possible to move a tray to a position behind the other tray and thus a continuous implantation treatment is easily achieved. In this case, a longitudinal direction of the plate may be perpendicular to the axis of the upright, in a tray configuration. Since the number of trays to be transported may be greater than or equal to two, the present invention may take a configuration in which a plurality of trays are transported. In this way, it is possible to improve the processing capacity and to easily perform the continuous implantation treatment. The number of ion beams is not limited to one. For example, two or more ion beams IB may be irradiated, as illustrated in Figure 6. When two IB ion beams are irradiated, it is preferable that the number of trays be greater than or equal to three to effectively use the beam. ionic IB. In the present, Figure 6 illustrates three trays 14, 24, 34 and three plates W1, W2, W3 mounted on the trays. In addition, a region surrounded by the first orbit 01 and a region surrounded by the second orbit 02 may overlap at least partially. In this case, it is not necessary that the axes of rotation of each orbiting mechanism 1, 2 correspond to each other. For example, as illustrated in FIG. 7, the axis of rotation may be different for each orbiting mechanism, in view in the right direction of travel. In addition, as illustrated in FIG. 8, one position of the axis of rotation is equal to the other, but the rotational radii may be different from each other. In both cases, since a region surrounded by the first orbit 01 and a region surrounded by the second orbit 02 overlap at least partially, it is possible to obtain a compact configuration by the overlap region.

30 La présente invention peut être appliquée à un système d'irradiation d'un faisceau d'énergie (par exemple, un faisceau d'électrons, un faisceau de lumière ou un faisceau quantique aussi bien qu'un faisceau ionique) sur un ouvrage. Par exemple, la présente invention peut être appliquée à un système d'irradiation par faisceau d'électrons, à un instrument de pulvérisation ou à un système de dopage plasma, etc. Dans ce cas, les mêmes effets peuvent être obtenus. Pour accroître le rendement d'irradiation du faisceau d'énergie, il est très souhaitable qu'au moins une plaquette se trouve dans la région d'irradiation. Néanmoins, la présente invention n'est pas limitée à cette configuration. Par exemple, il y a un cas où au moins une plaquette ne se trouve pas dans la région d'irradiation en fonction de la taille du faisceau d'énergie ou d'une configuration du plateau. Dans ce cas, il est souhaitable de déplacer continuellement chaque plaquette à travers le faisceau d'énergie le plus longtemps possible. La forme du faisceau n'est pas particulièrement limitée. Par exemple, le faisceau peut avoir une forme en coupe transversale d'un carré ou d'un point. En outre, la forme des plaquettes peut être circulaire ou rectangulaire, par exemple. Dans les présentes, le transport des plaquettes jusqu'au plateau peut être effectué manuellement. En outre, la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus et elle peut être modifiée de diverses manières sans sortir du cadre de la présente invention.30 The present invention can be applied to an irradiation system of an energy beam (e.g., an electron beam, a light beam or a quantum beam as well as an ion beam) on a structure. For example, the present invention may be applied to an electron beam irradiation system, a sputtering instrument or a plasma doping system, etc. In this case, the same effects can be obtained. To increase the irradiation efficiency of the energy beam, it is highly desirable that at least one wafer be in the irradiation region. Nevertheless, the present invention is not limited to this configuration. For example, there is a case where at least one wafer is not in the irradiation region depending on the size of the energy beam or a plateau configuration. In this case, it is desirable to continuously move each wafer through the energy beam as long as possible. The shape of the beam is not particularly limited. For example, the beam may have a cross-sectional shape of a square or point. In addition, the shape of the wafers may be circular or rectangular, for example. Herein, the transportation of the pads to the tray can be done manually. In addition, the present invention is not limited to the embodiments described above and may be varied in a variety of ways without departing from the scope of the present invention.

Claims (4)

REVENDICATIONS1. Système d'irradiation par faisceau d'énergie (100), caractérisé en ce qu'il comprend : un mécanisme d'émission de faisceau d'énergie qui émet un faisceau d'énergie (IB) vers une région d'irradiation (P) prédéterminée pour irradier au moins un premier ouvrage (W1) et au moins un deuxième ouvrage (W2) en tant qu'objets ; un premier mécanisme de mise en orbite (1) qui met en orbite l'au moins un premier ouvrage (W1) sur une première orbite (01) prédéterminée comprenant la région d'irradiation (P) ; et un deuxième mécanisme de mise en orbite (2) qui 15 met en orbite l'au moins un deuxième ouvrage (W2) sur une deuxième orbite (02) prédéterminée comprenant la région d'irradiation (P), dans lequel une première région entourée par la première orbite (01) et une deuxième région entourée 20 par la deuxième orbite (02) se chevauchent au moins partiellement, en vue dans une direction perpendiculaire à des surfaces orbitales formées par les première et deuxième orbites (01, 02). 25 REVENDICATIONS1. Energy beam irradiation system (100), characterized in that it comprises: an energy beam emitting mechanism which emits a beam of energy (IB) to an irradiation region (P) predetermined for irradiating at least one first work (W1) and at least one second work (W2) as objects; a first orbiting mechanism (1) which orbits the at least one first structure (W1) to a first predetermined orbit (01) comprising the irradiation region (P); and a second orbiting mechanism (2) which orbits the at least one second structure (W2) to a second predetermined orbit (02) comprising the irradiation region (P), wherein a first region surrounded by by the first orbit (01) and a second region surrounded by the second orbit (02) overlap at least partially in a direction perpendicular to orbital surfaces formed by the first and second orbits (01, 02). 25 2. Système d'irradiation par faisceau d'énergie (100) selon la revendication 1, dans lequel chacune des première et deuxième orbites (01, 02) comprend des orbites droites (L21, L22) parallèles entre elles et des orbites semi-circulaires (C21, C22) 30 reliant des extrémités des orbites droites (L21, L22),dans la première orbite (01), une orbite semi-circulaire (C21, C22) a un premier centre et l'autre orbite semi-circulaire (C21, C22) a un deuxième centre, dans la deuxième orbite (02), une orbite semi- circulaire (C21, C22) a un troisième centre et l'autre orbite semi-circulaire (C21, C22) a un quatrième centre, et le premier centre de la première orbite (01) et le troisième centre de la deuxième orbite (02) correspondent l'un à l'autre, et le deuxième centre de la première orbite (01) et le quatrième centre de la deuxième orbite (02) correspondent l'un à l'autre, en vue dans la direction perpendiculaire aux surfaces orbitales des première et deuxième orbites (01, 02). An energy beam irradiation system (100) according to claim 1, wherein each of the first and second orbits (01, 02) comprises straight orbits (L21, L22) parallel to each other and semicircular orbits. (C21, C22) connecting ends of the right orbits (L21, L22), in the first orbit (01), a semicircular orbit (C21, C22) has a first center and the other semicircular orbit (C21 , C22) has a second center, in the second orbit (02), a semicircular orbit (C21, C22) has a third center and the other semicircular orbit (C21, C22) has a fourth center, and the first center of the first orbit (01) and the third center of the second orbit (02) correspond to each other, and the second center of the first orbit (01) and the fourth center of the second orbit (02 ) correspond to each other, in view in the direction perpendicular to the orbital surfaces of the first and second orbits (01, 02). 3. Système d'irradiation par faisceau d'énergie (100) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chacune des première orbite (01) et deuxième orbite (02) correspondent l'une à l'autre. An energy beam irradiation system (100) according to claim 1 or 2, wherein each of the first orbit (01) and second orbit (02) correspond to each other. 4. Système d'irradiation par faisceau d'énergie (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'au moins un deuxième ouvrage (W2) entre dans la région d'irradiation (P) avant que l'au moins un premier ouvrage (W1) qui est entré dans la région d'irradiation (P) ne traverse complètement la région d'irradiation (P). . Système d'irradiation par faisceau d'énergie (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'au moins un premier ouvrage (W1) et l'au moins 5 un deuxième ouvrage (2) sont agencés en pluralité côte à côte dans des directions d'orbite respectivement de la première orbite (01) et de la deuxième orbite (02). 6. Système d'irradiation par faisceau d'énergie (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chacun de l'au moins un premier ouvrage (W1) et de l'au moins un deuxième ouvrage (W2) revient à son angle de rotation initial lorsqu'il est mis en orbite une fois sur une orbite correspondante, en vue dans la direction perpendiculaire aux surfaces orbitales. 7. Système d'irradiation par faisceau d'énergie (100) selon la revendication 6, dans lequel, en vue 20 dans la direction perpendiculaire aux surfaces orbitales, chacun de l'au moins un premier ouvrage (W1) et l'au moins un deuxième ouvrage (W2) a un côté d'irradiation par faisceau d'énergie face à une 25 direction d'irradiation par faisceau d'énergie et un côté arrière du côté d'irradiation par faisceau d'énergie, et tourne de 180 degrés tout en se déplaçant de la région d'irradiation (P) à une région de côté arrière dans laquelle le côté arrière est face à la 30 direction d'irradiation par faisceau d'énergie, etchacun de l'au moins un premier ouvrage (W1) et l'au moins un deuxième ouvrage (W2) tourne de moins 180 degrés en se déplaçant de la région de côté arrière à la région d'irradiation (P) de sorte que chacun de l'au moins un premier ouvrage (W1) et de l'au moins un deuxième ouvrage (W2) tourne à son angle de rotation initial. 8. Mécanisme de transport d'ouvrage (10), caractérisé en ce qu'il comprend : un premier mécanisme de mise en orbite (1) qui met en orbite au moins un premier ouvrage (W1) le long d'une première orbite (01) prédéterminée comprenant une région d'irradiation (P) d'un faisceau d'énergie (IB) ; et un deuxième mécanisme de mise en orbite (2) qui met en orbite au moins un deuxième ouvrage (W2) le long d'une deuxième orbite (02) prédéterminée comprenant la région d'irradiation (P), dans lequel une première région entourée par la première orbite (01) et une deuxième région entourée par la deuxième orbite (02) se chevauchent au moins partiellement, en vue dans une direction perpendiculaire à des surfaces orbitales formées par les première et deuxième orbites (01, 02). The energy beam irradiation system (100) according to any one of claims 1 to 3, wherein the at least one second structure (W2) enters the irradiation region (P) before the at least a first structure (W1) which has entered the irradiation region (P) does not completely cross the irradiation region (P). . An energy beam irradiation system (100) according to any of claims 1 to 4, wherein the at least one first work (W1) and the at least one second work (2) are arranged in plurality side by side in orbit directions respectively of the first orbit (01) and the second orbit (02). An energy beam irradiation system (100) according to any one of claims 1 to 5, wherein each of the at least one first structure (W1) and the at least one second structure (W2) ) returns to its initial angle of rotation when it is orbited once in a corresponding orbit, in view in the direction perpendicular to the orbital surfaces. An energy beam irradiation system (100) according to claim 6, wherein, in the direction perpendicular to the orbital surfaces, each of the at least one first structure (W1) and the at least one a second structure (W2) has an energy beam irradiation side facing an energy beam irradiation direction and a back side of the energy beam irradiation side, and rotates 180 degrees while moving from the irradiation region (P) to a backside region in which the backside is facing the energy beam irradiation direction, andeach of the at least one first work (W1 ) and the at least one second work (W2) rotates at least 180 degrees moving from the back side region to the irradiation region (P) so that each of the at least one first work (W1) and the at least one second work (W2) rotates at its initial angle of rotation. Structure transport mechanism (10), characterized in that it comprises: a first orbiting mechanism (1) which orbits at least a first structure (W1) along a first orbit ( 01) comprising an irradiation region (P) of an energy beam (IB); and a second orbiting mechanism (2) which orbits at least one second structure (W2) along a second predetermined orbit (02) comprising the irradiation region (P), wherein a first region surrounded by by the first orbit (01) and a second region surrounded by the second orbit (02) overlap at least partially in a direction perpendicular to orbital surfaces formed by the first and second orbits (01, 02).
FR1257893A 2011-10-17 2012-08-20 Energy beam irradiation system i.e. ion implantation system, for irradiating ionic beam as e.g. electron beam on work plate, has irradiation regions partially overlapping with each other in direction perpendicular to orbital surfaces Pending FR2981497A1 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04202778A (en) * 1990-11-30 1992-07-23 Mitsubishi Electric Corp Ion implantation device
JPH10134761A (en) * 1996-10-30 1998-05-22 Ebara Corp Ion implantation device and method
US6987272B2 (en) * 2004-03-05 2006-01-17 Axcelis Technologies, Inc. Work piece transfer system for an ion beam implanter
JP4766156B2 (en) * 2009-06-11 2011-09-07 日新イオン機器株式会社 Ion implanter

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