i Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un procédé de surveillance d'au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible pendant son fonctionnement dans un véhicule automobile, s le transistor à effet champ chimiosensible ayant un contact de source, un contact de drain et une électrode de porte. L'invention se rapporte également à un appareil de surveillance d'au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible dans son application à un véhicule automobile. 10 Etat de la technique Les capteurs de gaz à semi-conducteur utilisant des transistors à effet de champ, c'est-à-dire des transistors à effet de champ chimiosensible, encore appelés transistors ChemFET, peuvent servir à détecter l'existence de certains types de gaz. Les molécules de ls gaz coopèrent en alternance avec l'électrode de porte à fonctionnement catalytique et produisent ainsi une modification du potentiel de porte, appliqué, et qui se mesure pendant une variation d'un courant drain-source représentant le signal du capteur. Les transistors ChemFET ont la capacité lorsqu'ils sont utilisés avec des matériaux d'électrode de 20 porte appropriés, de détecter dans un mélange gazeux, de façon sélective seulement certains composants du gaz présents en de très faibles concentrations, par exemple dans la plage des unités ppm. Une telle application de matériaux semi-conducteurs robustes avec un intervalle de bande important (par exemple SiC, GaN), permet d'utiliser des tran- 25 sistors ChemFET également à des températures élevées et ainsi à la mesure de gaz dans un environnement corrosif, tel que par exemple les gaz de combustion. Néanmoins, le développement et la réalisation d'un transistor robuste et fiable à long terme pour de telles applications, est une solution très compliquée car tous les composants du transistor tels 30 que le canal semi-conducteur, les contacts ohmiques, l'isolant de porte, l'électrode de porte entre autres, doivent être réalisés en un matériau très résistant aux températures élevées et stable à long terme. Pour garantir le fonctionnement correct du composant pendant son utilisation, il faut que des fonctions de diagnostic propre, appropriées, permettent 2 de contrôler la plausibilité des signaux de capteur mesurés et de conclure le cas échéant à l'existence d'un défaut du capteur. Exposé et avantages de l'invention A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de surveil- s lance d'au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible pendant son fonctionnement dans un véhicule automobile, et ayant un contact de source, un contact de drain et une électrode de porte, procédé caractérisé par les étapes suivantes : io - régler la tension électrique entre le contact de drain et le contact de source et la tension entre le contact de source et l'électrode de porte, et - déterminer le courant électrique entre le contact de drain et le con- tact de source pour surveiller le fonctionnement du transistor à effet ls de champ chimiosensible en utilisant le passage du courant. Selon un autre développement, le procédé est caractérisé en ce que dans l'étape de réglage, - on règle la tension entre le contact de source et l'électrode de porte, 20 de manière fixe, en faisant varier la tension entre le contact de drain et le contact de source, ou - on règle de manière fixe la tension entre le contact de drain et le con-tact de source, en faisant on fait varier la tension entre le contact de source et l'électrode de porte. 25 Suivant une autre caractéristique avantageuse, dans une étape supplémentaire on détermine l'intensité du courant électrique entre l'électrode de porte et le contact de source et/ou l'intensité du courant entre l'électrode de porte et le contact de drain. Suivant une autre caractéristique avantageuse, 30 - dans une première étape de réglage, on règle au moins une première valeur de tension, et * dans une première étape de détermination, si la première valeur de tension est réglée, on détermine au moins une première valeur de l'intensité, en comparant la première valeur d'intensité à une 35 première valeur de consigne d'intensité, et 3 - dans une seconde étape du réglage, on règle au moins une seconde valeur de tension, et * dans une seconde étape de détermination, si la seconde valeur de tension est réglée, on détermine au moins une seconde valeur de s l'intensité, en comparant cette seconde valeur de l'intensité à une seconde valeur de consigne de l'intensité. Suivant une autre caractéristique avantageuse, dans l'étape de détermination, à partir d'une première paire de valeurs composée d'une première valeur de tension et d'une première valeur d'intensité ainsi qu'à partir d'une seconde paire de valeurs composée d'une seconde valeur de tension et d'une seconde valeur d'intensité, on dé-termine la pente de la courbe caractéristique entre la première paire de valeurs et la seconde paire de valeurs. Suivant une autre caractéristique avantageuse, dans une ls autre étape du réglage, on règle au moins une autre valeur de la tension et dans une autre étape de détermination, si l'autre valeur de tension est réglée, on détermine au moins une autre valeur de l'intensité, et on compare cette autre valeur de l'intensité à une autre valeur de consigne de l'intensité. 20 Suivant une autre caractéristique avantageuse, - dans une étape supplémentaire de sollicitation du transistor à effet de champ chimiosensible par un gaz de composition connue, on met en contact un gaz de composition connue avec l'électrode de porte, et - dans l'étape de détermination, on compare une valeur de l'intensité à 25 une valeur enregistrée qui représente la composition connue des gaz d'échappement. L'invention a également pour objet un procédé de surveillance d'au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible ayant un contact de source, un contact de drain et une 30 électrode de porte, ce procédé étant caractérisé par les étapes sui- vantes : - déterminer la tension électrique entre l'électrode de porte et le con-tact de source et/ou le contact de drain, * la tension étant une tension alternative, avec une courbe de fré-35 quence variable, et 4 - déterminer l'intensité de courant électrique entre l'électrode de porte et le contact de source et/ou le contact de drain pour déterminer la capacité entre l'électrode de porte et le contact de source et/ou le contact de drain et surveiller le fonctionnement du transistor à effet s de champ chimiosensible en utilisant cette capacité. L'invention a également pour objet un procédé de surveillance d'au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible pendant son fonctionnement dans un véhicule automobile, et ayant un contact de source, un contact de drain et une électrode de io porte, selon lequel on exécute les étapes du procédé dans l'ordre ci- dessus ou on exécute dans l'ordre inverse. L'invention a également pour objet un appareil de surveillance pour surveiller au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible pendant son utilisation dans un véhicule auto- 15 mobile, cet appareil étant réalisé pour exécuter les étapes du procédé de l'invention. L'appareil peut en particulier comporter des installations exécutant les étapes du procédé. Cette variante de réalisation de l'invention sous la forme d'un appareil de surveillance permet de résoudre efficacement et rapidement le problème posé par l'invention. 20 L'appareil de surveillance peut être un appareil électrique qui traite les signaux des capteurs à partir desquels il génère des signaux de commande. L'appareil de surveillance peut comporter une interface réalisée sous la forme d'un circuit et/ou d'un programme. Dans le cas d'une réalisation sous la forme d'un programme, les interfaces 25 peuvent par exemple faire partie d'un système ASIC qui comporte les différentes fonctions d'un appareil de surveillance. Mais il est également possible que les interfaces soient des circuits intégrés, propres, ou se composent au moins en partie de composants discrets. Dans le cas d'une réalisation sous la forme d'un programme, les interfaces peuvent 30 être des modules de programme existant par exemple dans un micro- contrôleur à côté d'autres modules de programme. Il est également avantageux d'avoir un produit pro-gramme d'ordinateur pour surveiller au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible avec un code programme 35 enregistré sur un support lisible par une machine, notamment un sup- port semi-conducteur, une mémoire à disque dur ou une mémoire op-tique et qui sont utilisés pour exécuter le procédé lorsque le programme est appliqué par un appareil de commande. L'invention repose sur le fait que des dépôts catalytiques 5 à la surface de l'électrode de porte modifient le potentiel entre l'électrode de porte et le matériau semi-conducteur du transistor. La modification du potentiel modifie également la conductivité vis-à-vis du courant électrique entre le contact de source et le contact de drain du transistor. Les relations existantes ne sont pas linéaires et c'est pourquoi il est important de régler de manière optimum un point de fonctionnement du transistor ChemFET pour avoir une variation aussi grande que possible de l'intensité du courant pour des variations faibles de concentration de la matière à détecter. En modifiant les caractéristiques du transistor ChemFET pendant le fonctionnement, on peut modifier le point de fonc- 15 tionnement optimum. Le cas échéant, si on ne peut plus asservir le point de fonctionnement par des corrections que le transistor ChemFET est un capteur défectueux. Une mesure de la variation des propriétés est nécessaire pour asservir le point de fonctionnement dans la plage de tolérance. C'est pourquoi, il faut surveiller le fonctionnement du tran- 20 sistor à effet de champ chimiosensible dans le véhicule. Pendant son fonctionnement, le transistor à effet de champ chimiosensible est par exemple à une température supérieure à 50°C, notamment supérieure à 100°C ou encore supérieure à la température dans l'environnement du transistor à effet de champ, c'est-à-dire supérieure à la température 25 ambiante autour du transistor à effet de champ. Un transistor à effet de champ est un composant électrique ayant au moins trois branchements électriques, à savoir un con-tact de source, un contact de drain et une électrode de porte. Dans ce composant, à l'aide d'une tension de commande, on développe un 30 champ électrique, par exemple entre le contact de source et l'électrode de porte. Le champ électrique influence les caractéristiques électriques du matériau semi-conducteur du transistor à effet de champ. Comme un isolant interdit le passage du courant entre le contact de source et l'électrode de porte, on peut commander le passage du courant entre le 35 contact de source et le contact de drain à travers le matériau semi- 6 conducteur, pratiquement sans puissance. Si le transistor à effet de champ est chimiosensible, l'électrode de porte a généralement des propriétés chimiques à activité catalytique. Par exemple, les modules de gaz peuvent coopérer avec l'électrode de porte et influencer le champ s électrique entre l'électrode de porte et la zone de canal. Cela permet à des molécules de gaz coopérant avec l'électrode de porte, d'influencer le passage du courant entre le contact de source et le contact de drain. Le réglage de la tension électrique peut consister à appliquer une tension électrique ou à prédéfinir une valeur de tension électrique. La tension io électrique peut être par exemple une tension continue constante, une tension continue variable, une tension alternative à valeur moyenne constante ou une tension alternative à valeur moyenne variable. Si la tension est une tension alternative, elle peut avoir une fréquence variable. La valeur moyenne de la tension peut être de zéro volt. Détermi- is ner un passage de courant électrique peut consister à mesurer une intensité de courant électrique ou recevoir une valeur d'une intensité de courant électrique. La surveillance peut consister à comparer des va-leurs de consigne enregistrées à des valeurs effectivement obtenues. Le résultat de la comparaison peut être un écart entre les valeurs de con- 20 signe enregistrées et les valeurs effectivement obtenues. Pour déterminer si le capteur est suffisamment fonctionnel, on peut utiliser une limite de tolérance supérieure et une limite de tolérance inférieure de l'écart. La limite de tolérance supérieure et la limite de tolérance inférieure peuvent représenter différentes valeurs ou courbes de valeurs 25 d'une grandeur variable. Selon un autre développement de l'invention, dans l'étape de réglage on peut soit régler la tension entre le contact de source et l'électrode de porte de manière fixe, la tension variant entre le contact de drain et le contact de source ou encore régler de manière fixe la ten- 30 Sion entre le contact de drain et le contact de source et faire varier la tension entre le contact de source et l'électrode de porte. Par une tension constante entre le contact de source et l'électrode de porte et en même temps en faisant varier la tension entre le contact de drain et le contact de source, on peut obtenir une courbe caractéristique du tran- 35 sistor. La courbe caractéristique du transistor peut avoir une plage oh- 7 mique et au moins une plage de saturation. L'importance de la plage ohmique ou encore la pente de la courbe caractéristique du transistor dans la plage ohmique, permet d'évaluer la qualité des contacts ohmiques du transistor à effet de champ. Une tension constante entre le s contact de drain et le contact de source et en même temps une tension variable entre le contact de source et l'électrode de porte, permettent de surveiller la sensibilité du transistor à effet de champ chimiosensible. Comme une courbe de transfert résultante peut être monotone croissante ou décroissante avec une pente variable, la pente de la courbe de io transfert donne une indication relative à la sensibilité du transistor à effet de champ par rapport à de faibles variations du champ électrique, par exemple sous l'effet du dépôt de molécules sur l'électrode de porte. Selon un autre développement de l'invention, le procédé comporte en outre une étape supplémentaire consistant à déterminer ls un passage de courant électrique entre l'électrode de porte et le contact de source et/ou un passage de courant entre l'électrode de porte et le contact de drain. En saisissant le passage du courant électrique entre l'électrode de porte et le contact de source et/ou le contact de drain, on peut conclure à un défaut ou au moins à une détérioration de l'isolant, 20 car dans des conditions normales, le passage du courant est faible de manière négligeable. En outre, dans une première étape de réglage, on peut régler au moins une valeur de tension et dans une première étape de détermination, si la première valeur de tension est réglée, on peut dé- 25 terminer au moins une première valeur de l'intensité, cette première valeur étant alors comparée à une première valeur de consigne de l'intensité et dans une deuxième étape de réglage, on règle au moins une seconde valeur de tension et dans une seconde étape de détermination, si la seconde valeur de tension est réglée, on détermine au moins une 30 seconde valeur de l'intensité qui sera comparée à une seconde valeur de consigne de l'intensité. On peut ainsi surveiller rapidement et simple-ment une courbe caractéristique du transistor à effet de champ chimiosensible, par exemple en des points de fonctionnement prédéfinis du transistor à effet de champ. 8 Selon un autre développement, dans l'étape de détermination, à partir d'une première paire de valeurs composée d'une première valeur de tension et d'une première valeur d'intensité ainsi que d'une seconde paire de valeurs composée de la seconde valeur de ten- d Sion et de la seconde valeur de l'intensité, on détermine la pente de la courbe caractéristique entre la première paire de valeurs et la seconde paire de valeurs. Il en résulte un quotient différentiel dans l'intervalle entre la première valeur de tension et la seconde valeur de tension. On peut réduire l'intervalle par exemple à 0,2 V. I1 en résulte approximativement la pente au milieu de l'intervalle. La pente peut servir à surveiller le transistor à effet de champ chimiosensible. Selon un autre développement de l'invention, dans une autre étape de réglage, on peut régler au moins une autre valeur de la tension et dans une autre étape de détermination, si cette autre valeur ls de tension est réglée, on peut déterminer au moins une autre valeur de l'intensité et cette autre valeur de l'intensité sera comparée à une autre valeur de consigne de l'intensité. On peut ainsi surveiller la courbe caractéristique au moins à un autre endroit. Un nombre plus grand de paires de valeurs permet une surveillance plus précise du transistor à 20 effet de champ chimiosensible. Selon un autre développement de l'invention, dans une étape supplémentaire, on sollicite le transistor à effet de champ chimiosensible avec un gaz de composition connue, en mettant ce gaz en con-tact avec l'électrode de porte et dans l'étape de détermination, on 25 compare la valeur de l'intensité à une valeur enregistrée représentant la composition de gaz, connue. Un gaz de composition connue est un mélange gazeux tel que par exemple de l'air, de l'air additionné ou non du gaz de combustion. Par exemple, dans des étapes de fonctionnement déterminées d'un moteur, telles que par exemple le mode de poussée, 30 sans apport de carburant, on fait passer de l'air de l'environnement du moteur sans le modifier, à travers le moteur. De même, on peut mélanger à l'air, une quantité connue d'un additif, par exemple de l'urée. Dans ce cas, le gaz peut également être un mélange de matières gazeuses, liquides ou solides. En outre, on obtient des gaz de combustion 35 de composition connue lorsque le moteur connu se rapproche des 9 points de fonctionnement ou passe les points de fonctionnement. La coopération des éléments du gaz de composition connue avec l'électrode de porte sensible aux gaz, du transistor à effet de champ, permet d'influencer le passage du courant entre le contact de source et le contact s de drain. Si une variation du passage du courant (intensité) s'écarte de la variation enregistrée, prévisible, elle peut constituer une mesure de l'écart comme mesure d'une variation de la sensibilité vis-à-vis des gaz. Selon un autre développement de l'invention, dans l'étape de réglage de la tension électrique entre le contact de drain et le contact io de source et de la tension entre le contact de source et l'électrode de porte, on a une étape consistant à déterminer le passage du courant électrique entre le contact de drain et le contact de source et ensuite, passer par une étape de réglage de la tension électrique entre l'électrode de porte et le contact de source et/ou le contact de drain, cette tension ls étant une tension alternative avec une étape de détermination d'un pas-sage de courant électrique entre l'électrode de porte et l'électrode de source et/ou l'électrode de drain, ou dans une étape de réglage de la tension électrique entre l'électrode de porte et le contact de source et/ou le contact de drain, la tension est dans une tension alternative dans 20 l'étape consistant à déterminer un passage de courant électrique entre l'électrode de porte et le contact de source et/ou le contact de drain et ensuite, on passe à une étape de réglage de la tension électrique entre le contact de drain et le contact de source et de la tension entre le contact de source et l'électrode de porte dans l'étape consistant à déterminer un 25 passage de courant électrique entre le contact de drain et le contact de source. Les autres étapes selon la proposition développée ci-dessus, peuvent s'appliquer. En particulier, selon un mode de réalisation de l'invention, les différentes étapes du procédé ci-dessus peuvent être combinées. Cela permet de surveiller d'une manière sûre et particuliè- 30 rement efficace, les propriétés variables du transistor à effet de champ chimiosensible. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'un exemple de procédé de surveillance d'au 2971056 io moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible représenté dans les dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 montre un ordinogramme très simplifié d'un procédé de surveillance d'au moins une fonction d'un transistor à effet de s champ chimiosensible selon un exemple de réalisation de la présente invention, - la figure 2 est un schéma par blocs, très simplifié, d'un appareil de commande pour surveiller au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible selon un exemple de réalisation de io l'invention, - la figure 3 est une vue en coupe selon un schéma de principe d'un transistor à effet de champ chimiosensible avec un circuit électrique selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 4 est un diagramme de la courbe caractéristique de trans- is fert d'un transistor à effet de champ chimiosensible pour une commande selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 5 est un diagramme d'un faisceau de courbe caractéristique de transistor pour un transistor à effet de champ chimiosensible pour de la commande selon un exemple de réalisation de l'invention, 20 - la figure 6 est un diagramme d'une courbe caractéristique de transistor avec deux paires de valeurs intensité/tension d'un transistor à effet de champ chimiosensible commandé selon un exemple de réalisation de la présente invention, - la figure 7 est un diagramme d'une courbe caractéristique de tran- 25 sistor avec quatre paires de valeurs intensité/tension d'un transistor à effet de champ chimiosensible commandé selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 8 est un diagramme d'une capacité maximale calculée et d'une courbe caractéristique de capacité d'un transistor à effet de 30 champ chimiosensible commandé selon un autre exemple de réalisation de l'invention, - la figure 9 est une vue en coupe d'un transistor à effet de champ chimiosensible avec représentation d'un modèle de remplacement capacitif-inductif de l'électrode de porte selon un exemple de réalisa- is tion de l'invention,
ii - la figure 10 est une représentation d'un transistor à effet de champ chimiosensible avec un appareil de commande selon un exemple de réalisation de la solution selon l'invention installé dans la conduite des gaz d'échappement d'un moteur à combustion interne.
Description de modes de réalisation de l'invention La figure 1 montre un ordinogramme d'un procédé de surveillance d'au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible (ChemFET) selon un exemple de réalisation de la pré-sente invention. Le procédé comprend une étape de réglage 102 d'une io tension électrique et une étape de détermination 104 d'un passage de courant électrique. Le transistor ChemFET comporte un contact de source, un contact de drain et une électrode de porte. Dans l'étape de réglage 102 de la tension électrique, on règle la tension entre le contact de drain et le contact de source, ainsi que la tension entre le contact de 15 source et l'électrode de porte ; le réglage de la tension électrique se fait à une température du transistor à effet de champ, supérieure à 50°C. Dans l'étape de détermination 104 d'un courant électrique passant entre le contact de drain et le contact de source, on peut tirer des conclusions concernant la sensibilité du transistor ChemFET si on fait va- 20 rier la tension entre le contact de source et l'électrode de porte en maintenant constante la tension entre le contact de drain et le contact de source. Une variation des contacts ohmiques du transistor ChemFET au contact de drain et au contact de source, permet de conclure qu'il y a un passage de courant si la tension entre le contact de drain et le con- 25 tact de source varie et que la tension entre le contact de source et l'électrode de porte est maintenue constante. Si pour une tension constante entre le contact de drain et le contact de source, on fait varier la tension entre le contact de source et l'électrode de porte par une variation brusque, on peut déterminer la vitesse du capteur suivant le retard du 30 passage du courant entre le contact de drain et le contact de source. La figure 2 montre un schéma par blocs d'un appareil de surveillance 200 servant à surveiller au moins une fonction d'un transistor à effet de champ chimiosensible selon un exemple de réalisation de la présente invention. L'appareil de surveillance 200 comporte une 35 installation 202 pour régler la tension électrique et une installation 204 12 pour déterminer le passage d'un courant électrique. Le transistor ChemFET a un contact de source, un contact de drain et une électrode de porte. L'installation 202 pour régler la tension électrique règle la tension entre le contact de drain et le contact de source ainsi que la ten- s Sion entre le contact de source et l'électrode de porte ; le réglage de la tension électrique se fait à une température du transistor à effet de champ qui est supérieure à 50°C. L'installation 204 pour déterminer le passage du courant électrique détermine l'intensité du courant entre le contact de drain et le contact de source. Si l'installation 202 fait varier 10 la tension entre le contact de source et l'électrode de porte et si l'on maintient constante la tension entre le contact de drain et le contact de source, alors l'appareil de surveillance 200 peut déterminer la sensibilité du transistor ChemFET par l'installation 204 à partir du passage du courant. Si l'installation 202 fait varier la tension entre le contact de 15 drain et le contact de source en maintenant constante la tension entre le contact de source et l'électrode de porte, l'appareil de surveillance 200 peut tirer des conclusions relatives à une variation des contacts ohmiques au niveau du contact de drain et du contact de source du transistor ChemFET par l'installation 204 en s'appuyant sur le passage 20 du courant. La figure 3 est un schéma d'un transistor à effet de champ chimiosensible (ChemFET) ayant des branchements électriques et servant au fonctionnement et au diagnostic de la fonction électrique du transistor à effet de champ selon un exemple de réalisation de la 25 présente invention. Le transistor ChemFET a une électrode de porte 300, un contact de source 302 et un contact de drain 304 ainsi qu'un isolant de porte 306 et des contacts ohmiques 308. Le matériau du support est un matériau semi-conducteur 310. Le principe d'un fonctionnement correct du capteur de gaz à transistor ChemFET, est le 30 comportement de son transistor à effet de champ. Pour le juger, on peut représenter les caractéristiques électriques dans les intervalles de temps prédéfinis pendant le fonctionnement et les comparer à des valeurs de consigne préalablement enregistrées. Cela consiste à appliquer des tensions différentes UG, UDS aux contacts de la source 302, du drain 304 et 35 de la porte 300 en mesurant l'intensité IDS du courant passant entre le 13 drain et la source. Le cas échéant, on peut fixer une plage de tolérance des valeurs de consigne. Si la courbe caractéristique mesurée pendant le fonctionnement se situe au-delà de la plage de tolérance, cela signifie que le capteur a un défaut. Les procédés présentés ici permettent de s surveiller et de juger à la fois le comportement électrique et aussi la fonction de sensibilité aux gaz d'un capteur de gaz ChemFET pendant son fonctionnement. Cela est notamment important car lorsque les capteurs à semi-conducteurs sont utilisés comme capteurs pour le diagnostic interne au véhicule ou capteurs de diagnostic embarqué 10 (capteurs OBD), il faut garantir selon la réglementation, l'aptitude au fonctionnement du capteur et ainsi celle du système de post-traitement des gaz d'échappement. Cela signifie que le capteur doit permettre de constater lui-même ses propres défauts et de les signaler à l'électronique embarquée. 15 Une caractéristique de la présente invention est l'évaluation des procédés de mesure qui sont appliqués de façon à obtenir des informations concernant la plausibilité du comportement des capteurs et celle des signaux mesurés. Pour cela, on juge d'une part la fonction électrique propre du composant. D'autre part, on surveille la sensibilité 20 de l'électrode de porte 300, sensible aux gaz, à nanostructure. Les avantages de l'invention sont de pouvoir déceler suffisamment à temps des défauts dans l'élément de capteur, par exemple à cause d'une trop forte dégradation des matériaux du capteur et de permettre le remplacement suffisamment à temps du capteur par un nouveau composant, en 25 transmettant l'indication à l'ordinateur embarqué du véhicule. L'utilisation du capteur dans la conduite des gaz d'échappement du véhicule automobile permet ainsi d'éviter l'émission de trop fortes concentrations de gaz polluant à cause de signaux d'un capteur défectueux. La figure 4 montre un diagramme de la caractéristique de 30 transfert 400 d'un transistor ChemFET comme représentation graphique résultant du procédé présenté ci-dessus d'un exemple de réalisation de l'invention. On fait varier la tension de porte UG en maintenant constante la tension drain-source UDs à 7V. On mesure alors l'intensité ID dans le canal et on l'enregistre. La courbe caractéris- as tique 400 fournit une mesure de la sensibilité du capteur ; en d'autres 14 termes, plus la courbe caractéristique est pentue en son point de fonctionnement 402 et meilleure sera la conversion des variations de la tension de porte UG en un signal de capteur. Sur le plan du calcul, la pente de la courbe caractéristique 400 s'obtient en différentiant la courbe ca- s ractéristique 400 au point de fonctionnement 402. Si la pente est au-delà de la plage de tolérance, la sensibilité du capteur n'est plus assurée en particulier vis-à-vis des faibles concentrations en gaz. La figure 5 est un diagramme d'un faisceau de courbes caractéristiques d'un transistor ChemFET comme représentation graphique d'un évènement du procédé selon un exemple de réalisation de la présente invention. Pour décrire l'exemple de réalisation de l'invention, on utilisera ci-après les références introduites dans les figures précédentes. La tension de porte UG est maintenue constante pour une courbe caractéristique, alors que l'on fait varier la tension drain-source 15 UDS. On mesure l'intensité du courant de canal IDS et on l'enregistre. La dégradation des contacts ohmiques 308 se reconnaîtrait par un étale-ment de la plage ohmique 500 du faisceau de courbes. Le point de fonctionnement 402 auquel on fait fonctionner le capteur, est choisi de façon générale dans la plage de saturation 504 des courbes caractéris- 20 tiques. Si la plage ohmique 500 s'élargit à cause de la dégradation des contacts ohmiques, le point de fonctionnement 402 peut passer de la plage de saturation 504 à la plage ohmique 500 et alors il ne serait plus indépendant des variations de la tension source-drain UDS. Cette courbe caractéristique permet ainsi de contrôler la position correcte du point de 25 fonctionnement 402. En outre, on peut saisir un courant électrique de porte. Pour cela, on mesure le courant continu entre l'électrode de porte 300 et le semi-conducteur 310, c'est-à-dire entre les contacts de porte 300 et de source 302 ou de porte 300 et de drain 304. Une élévation du courant de fuite de porte est synonyme de dommage dans le cas ex- 30 trême du claquage électrique d'un isolant de porte 306. La figure 6 montre un diagramme d'une courbe caractéristique d'un transistor ChemFET comme représentation graphique d'un évènement d'un procédé selon un exemple de réalisation de la pré-sente invention. Le fonctionnement du transistor ChemFET se compose 35 fondamentalement d'une fonction électrique et d'une fonction sensible
15 du composant. La fonction électrique se saisit par une analyse de caractéristiques. Pour cela, dans le cas le plus général, on a une grandeur analogique multidimensionnelle que l'on doit exploiter de manière appropriée. Pour caractériser de manière extensive la fonction électrique, il peut suffire non de mesurer l'ensemble de la courbe caractéristique, mais seulement deux points de tension ou points de tension de référence TP1, TP2 déterminés dans le champ des caractéristiques et d'exploiter. Pour un diagnostic propre de la fonction électrique, on peut enregistrer des données de référence dans l'appareil de commande, c'est-à-dire des valeurs de consigne spécifiques du capteur et les utiliser ultérieurement pour les équilibrer avec des valeurs de diagnostic pendant le fonctionnement du capteur. Les valeurs de référence possibles sont par exemple la pente de la courbe caractéristique dans la plage ohmique 500, la pente de la courbe caractéristique dans la plage de sa- turation 504, la valeur absolue de l'intensité dans la plage ohmique 500 ou encore la valeur absolue du courant de saturation 504. La tolérance entre la valeur de mesure au point de tension auquel on est arrivé et la valeur de référence correspondante sur une caractéristique modèle, peuvent se situer entre 0 et 50 %, notamment entre 0 et 20 % et de pré- férence entre 0 et 5 %. A titre d'exemple, on a représenté l'exploitation d'un point d'essai TP1 dans la plage ohmique 500. La plage ohmique 500 de la caractéristique du transistor décrit un tracé linéaire de la caractéristique jusqu'au rétrécissement du canal. L'intensité du courant de canal IDs est définie pour l'essentiel par les résistances ohmiques de contact au niveau de la source et du drain. On a également représenté à titre d'exemple l'exploitation d'un point d'essai TP2 dans la plage de saturation 504. Dans la plage de saturation 504 de la courbe caractéristique, c'est-à-dire pour des tensions UDS > UG-Uth, L'intensité du courant de canal est indépendante de la tension source-drain UDS, appliquée. L'intensité du courant de canal IDs est définie pour l'essentiel par la résistance du canal. La tension Uth est une tension de seuil, c'est-à-dire la tension qu'il faut appliquer à la porte pour qu'un courant de canal passe. 16 A l'aide des valeurs que l'on a déterminé au cours du diagnostic propre et à l'aide des données de référence enregistrées, on peut par exemple avoir les différences suivantes entre les cas et diagnostiquer l'état actuel du capteur électrique. s Si la pente au point d'essai 1 (TP1) est inférieure à la va-leur de référence enregistrée pour la pente au point d'essai 1 (TP1), et si en même temps la valeur absolue au point d'essai 2 (TP2) est égale à la valeur de référence enregistrée au point d'essai 2 (TP2), cela signifie qu'il y a une dégradation des contacts ohmiques. Cela signifie qu'il faut 10 une tension drain-source UDs plus importante jusqu'à la chute de ten- sion initiale par le canal semi-conducteur. Si la pente au point d'essai 1 (TP1) est supérieure à la va-leur de référence enregistrée de la pente au point d'essai 1 (TP1), et si en même temps la valeur absolue au point d'essai 2 (TP2) est égale à la 15 valeur de référence enregistrée au point d'essai 2 (TP2), cela signifie qu'il y a une réduction de la résistance des contacts ohmiques. Cela signifie que les contacts électriques se sont améliorés, par exemple du fait de l'amélioration des points de perturbation. Si la pente au point d'essai 1(TP 1) est égale à la valeur de 20 référence enregistrée de la pente au point d'essai 1 (TP1) et si en même temps la valeur absolue au point d'essai 2 (TP2) est inférieure à la va-leur de référence enregistrée au point d'essai 2 (TP2), cela signifie une dégradation du canal semi-conducteur. Cela signifie que le courant de saturation du transistor est limité par la plus forte résistance du canal. 25 Si la pente au point d'essai 1 (TP1) est égale à la valeur de référence enregistrée de la pente au point d'essai 1 (TP1), et si en même temps la valeur absolue du point d'essai 2 (TP2) est supérieure à la valeur de référence enregistrée au point d'essai 2 (TP2), cela signifie que la résistance du canal a diminué, par exemple par suite de l'amélio- 30 ration des points perturbés. Si la pente au point d'essai 2 (TP2) est supérieure à la va-leur de référence enregistrée de la pente au point d'essai 2 (TP2), cela signifie que le transistor n'est pas rétréci et qu'il n'est pas possible d'avoir un mode de fonctionnement stable en saturation. 17 Si la pente au point d'essai 2 (TP2) est inférieure à la va-leur de référence enregistrée de la pente au point d'essai 2 (TP2), cela indique que le transistor n'est pas bouclé et qu'ainsi il n'est pas possible d'avoir un fonctionnement stable en saturation. s Si la valeur absolue au point d'essai 1 (TP1) et 2 (TP2) est inférieure aux valeurs de référence enregistrées, et si en même temps toutefois le rapport de la valeur absolue au point d'essai 2 (TP2) et de la valeur absolue au point d'essai 1 (TP1) est égal au rapport de la valeur de référence enregistrée au point d'essai 2 (TP2) vis-à-vis de la valeur de 10 référence au point d'essai 1 (TP1) et si en même temps la tension au point d'essai 1 (TP1) est égale à la valeur de référence enregistrée de la pente au point d'essai 1 (TP1), et si en même temps la pente au point d'essai 2 (TP2) est égale à la valeur de référence de la pente enregistrée au point 2 (TP2), cela indique que le contact ohmique et le canal semi- 15 conducteur sont dégradés dans les mêmes conditions. C'est pourquoi, le niveau d'intensité dans le capteur diminue mais la fonction électrique reste maintenue. Le moindre niveau de courant doit toutefois être pris en compte en permanence pour l'exploitation quantitative des signaux du canal. 20 La figure 7 montre la courbe caractéristique de la figure 6 avec la détermination métrologique de la pente au point d'essai x et de la valeur absolue au point d'essai x (x étant la variable d'un point d'essai quelconque) à partir d'autres points d'essai selon un exemple de réalisation de l'invention. Pour pouvoir déterminer les grandeurs néces- 25 saires pour distinguer un cas, on peut par exemple utiliser quatre paires de valeur de mesure. Pour cela, dans la plage ohmique 500 et dans la plage de saturation 504 de la courbe caractéristique, on mesure chaque fois deux paires de valeurs UDS/IDS qui sont écartées respecti- vement par exemple de 0,2V. On a par exemple 30 UDS (TP1.1) + 0,2V = UDS (TP1.2). La valeur absolue abs (TPx) du courant de canal IDS au point TP1 et au point TP2 s'obtient par exemple en formant la valeur moyenne de IDS (TP1.1) et de IDS (TP1.2) ou de IDS (TP2.1) et de IDS (TP2.2). Les pentes m(TPx) peuvent se calculer directe-ment à partir de deux paires de valeur : m(TP1) _ (IDS (TP1.1) - IDS 18 (TP1.2» / (UDS (TP1.1) - UDS (TP1.2». On procède de façon analogue pour le point TP2. Dans ces formules, m(TPx) représente la pente au point d'essai x et abs(TPx) représente la valeur absolue au point d'essai x. s Selon une autre variante de réalisation, on peut prendre les points d'essai TP1 et TP2 pour d'autres tensions de porte UG. Comme autre caractéristique de diagnostic, si la valeur absolue au point d'essai 2 (TP2) pour la tension de porte 1 (UG1) est égale à la va-leur absolue au point d'essai 2 (TP2) pour la tension de porte 2 (UG2), le 10 transistor ne pourra pas se commander électriquement. Une cause possible de défaut est la rupture de la liaison du chemin conducteur à l'électrode de porte ou encore l'absence de l'électrode de porte. Selon une autre variante de réalisation, on maintient par exemple constant le point d'essai TP2 pendant la durée t l en appliquant 15 par exemple la tension UDS = 3V, UG = OV pour appliquer alors une impulsion de tension de porte pendant la durée t2. Cette variation de tension de porte simule ainsi une variation brusque de la concentration du gaz d'essai. A l'aide de la courbe du courant de canal qui en résulte, c'est-à-dire à l'aide de la vitesse à laquelle l'intensité dans le canal réagit 20 à la variation de la tension de porte on pourra vérifier si les temps de réponse et d'amortissement requis sont encore satisfaits. La figure 8 montre un diagramme d'une courbe de capa-cité d'un transistor ChemFET comme représentation graphique d'un évènement d'un procédé selon un exemple de réalisation de la présente 25 invention. L'élément décisif pour la sensibilité d'un capteur de gaz est le revêtement nanoporeux de l'électrode de porte 300 de la figure 3. Ce revêtement est directement exposé aux gaz d'échappement et peut subir, dans ces conditions, différentes dégradations conduisant à la défaillance de la sensibilité du capteur. Le procédé décrit ci-dessus permet de 30 vérifier le fonctionnement du revêtement pendant le fonctionnement du capteur et de surveiller ainsi le vieillissement de l'électrode. A l'aide de la capacité entre l'électrode de porte 300 et le semi-conducteur 310, on juge de la qualité du revêtement nanoporeux. Pour cela, on applique le potentiel nul/masse commune entre le contact 35 de source 302 et le contact de drain 304 en choisissant une tension continue appliquée à l'électrode de porte 300 pour que le semi-conducteur soit en phase d'accumulation. En appliquant une tension alternative combinée, de faible amplitude, par exemple de 10 mV-500 mV, de préférence entre 20 mV et 100 mV, on peut mesurer dans cet état la capacité du condensateur à plaques formé par l'électrode de porte 300/1'isolant 306/le semi-conducteur 310 ; d'éventuelles adsorptions de gaz ne jouent aucun rôle dans ces conditions car une densité de porteur de charge dans le canal semi-conducteur est supérieure de plusieurs ordres de grandeurs à la densité de particules de gaz adsor- bées. Les dimensions géométriques de l'électrode de porte telles que la surface A de l'électrode de gaz, l'épaisseur (d) de la couche d'isolant et les constantes diélectriques Er de l'isolant utilisé, permettent de calculer la capacité géométrique de ce condensateur à plaques en appliquant la formule suivante : A Cg =Er.£o.d Comme l'électrode de porte est toutefois formée d'une métallisation nanoporeuse, on ne métallise pas toute la surface de sorte que des zones partielles ne participent pas à la capacité totale. La différence AC entre la capacité géométrique calculée et la capacité effective-ment mesurée, constitue ainsi une mesure de la porosité du revêtement. Si l'on compare les valeurs mesurées à l'état neuf aux me-sures faites pendant le fonctionnement et après avoir déterminé des in- tervalles de fonctionnement, on peut conclure à la dégradation de l'électrode de porte. Réduire la capacité mesurée et ainsi augmenter la différence, signifie une délamination de parties du revêtement sensible aux gaz. L'élément décisif est une augmentation de la capacité mesurée et ainsi une réduction de la différence pour le frittage de la nanostruc- ture et une moindre porosité. La figure 9 représente le schéma équivalent de l'électrode de porte d'un transistor ChemFET selon un exemple de réalisation de l'invention. La condition d'une électrode de porte à commande électrique 300 est une bonne conductivité électrique, c'est-à-dire que mal- gré la porosité, le réseau métallique de l'électrode 300 doit être relié 20 électriquement. Une mesure de cette percolation électrique de la nanocouche, fournit la relation de dépendance en fréquence de la capacité mesurée dans l'accumulation. Pour cela, selon un autre développement, on mesure la capacité du condensateur à plaques électrode de porte s 300/isolant 306/semi-conducteur 310 dans l'accumulation pour différentes fréquences de la tension d'excitation, par exemple 1kHz, 100kHz, 1mHz. Le schéma équivalent permet de modéliser une nanocouche à percolation insuffisante à partir d'un réseau de très faible capacité et de résistance. Au lieu d'une électrode 300 purement ohmique, on a une io partie capacitive dans l'électrode 300. I1 en résulte que pour une excitation à haute fréquence, on aura un déphasage. Cela signifie qu'au ni-veau de l'électrode 300, à aucun instant déterminé, les potentiels sont différents. Cela apparaît de nouveau dans la relation de dépendance de la fréquence avec la capacité mesurée : plus la percolation de la nano- is couche est mauvaise et plus fortement les valeurs des capacités diffèreront les unes des autres aux différentes fréquences. Le procédé utilise cet effet pour juger de la qualité électrique du revêtement sensible aux gaz. Du fait de la dégradation et de l'empoisonnement, la percolation électrique de la nanocouche se détériore pendant le fonctionnement du 20 capteur. Cela se traduirait en ce que le point de fonctionnement du capteur prédéfini électriquement, ne pourra être respecté exactement, ce qui peut conduire à une distorsion ou à une perte de la sensibilité pré-vue. L'application régulière du procédé de mesure décrit ci-dessus, par exemple pour l'initialisation et pour compenser les résultats de mesure 25 avec une plage de tolérance acceptable, permet de détecter un tel vieillissement de l'électrode de porte. Si le vieillissement ou les variations du capteur se situent à l'extérieur de la plage de tolérance fixée préalablement, il est en outre possible pour le capteur à semi-conducteur (c'est-à-dire le transistor 30 ChemFET), de s'ajuster de lui-même ultérieurement. Cela signifie que le capteur (composant ChemFET) réglera une tension plus élevée ou plus basse sur la porte 300 ou entre la source et le drain ce qui règle de nouveau le point de fonctionnement pour retrouver l'intensité initiale du courant et ainsi la pente souhaitée au niveau du transistor. Cette valeur 35 peut être enregistrée dans l'électronique d'exploitation comme nouveau 21 point de fonctionnement ce qui est possible d'une façon limitée aussi longtemps que toutes les autres fonctions de diagnostic propre sont dans leur plage de tolérance. I1 en résulte une durée d'utilisation plus longue du capteur. La commande du capteur avec une tension alterna- s tive et des fréquences différentes, peut s'obtenir par le réseau embarqué dans le véhicule ou par le réseau multimédia. On peut également avoir son propre circuit électronique pour le capteur. La figure 10 est une représentation d'un transistor à effet de champ chimiosensible 1000 avec un appareil de commande 200 selon un exemple de réalisation, installé dans une conduite de gaz d'échappement d'un moteur à combustion interne 1002. Pour le diagnostic de la sensibilité aux gaz du transistor à effet de champ chimiosensible 1000, on peut appliquer plusieurs procédés. Pour juger de la sensibilité aux gaz du capteur de gaz à transistor ChemFET 1000, on 15 peut utiliser le capteur 1000 installé dans les gaz d'échappement pour un certain point de fonctionnement du moteur 1002 pour lequel à la fois la composition des gaz d'échappement et la valeur de consigne correspondante du capteur sont des éléments connus. Par exemple en mode de poussée du moteur 1002, c'est-à-dire dans les phases pendant 20 lesquelles il n'y a pas injection de carburant, l'air ambiant arrive sur le capteur 1000. Dans ce cas, le signal de capteur mesuré peut être comparé à un signal de référence déterminé préalablement mesuré dans l'air ambiant, par exemple lors du montage ou de la première mise en route du capteur. En variante, on peut également utiliser un capteur de 25 gaz à transistor ChemFET 1004 supplémentaire installé de façon à ce qu'il ne soit pas au contact des gaz d'échappement du moteur 1002 mais fonctionne comme capteur de référence installé dans l'air 1004 en étant uniquement en contact de l'air ambiant du véhicule. De ce fait, ce capteur 1004 n'est pas détérioré par les gaz d'échappement corrosifs, 30 mais du fait du fonctionnement électrique, il est uniquement à la température de fonctionnement. Le transistor ChemFET installé dans les gaz d'échappement comme capteur de gaz d'échappement 1000, subit en revanche à la fois la dégradation par le fonctionnement électrique et aussi celle causée par les gaz d'échappement corrosifs. Comme les deux 35 capteurs 1000, 1004 fonctionnent de manière semblable du point de 22 vue électrique et qu'ils peuvent ainsi avoir le même comportement dé-gradé lié au fonctionnement, on pourra associer les différences de sensibilité des deux capteurs 1000, 1004, à la dégradation occasionnée par les gaz d'échappement corrosifs. Pour déterminer les différences de sen- s sibilité, on peut faire des mesures comparatives entre le capteur de référence à l'air 1004 et le capteur des gaz d'échappement 1000 lorsque le moteur 1002 est en mode de poussée et que la conduite des gaz d'échappement est traversée exclusivement par l'air ambiant. Si les deux capteurs 1000, 1004 donnent le même signal, il n'y a pas de dé-gradation du capteur de gaz d'échappement 1000 causée par la corrosion. Si les deux capteurs 1000, 1004 génèrent des signaux différents, on peut supposer que du fait des conditions brutales qui règnent dans la conduite des gaz d'échappement, le capteur de gaz d'échappement 1000 est dégradé. Dans ce cas, on peut utiliser la différence entre les ls deux capteurs 1000, 1004 pour compenser le décalage ou recalibrer le capteur de gaz d'échappement 1000 et en tenir compte pour les ana-lyses de gaz d'échappement au cours de la suite du fonctionnement. Si la différence des signaux fournis par les deux capteurs 1000, 1004, dé-passe une valeur critique (seuil), l'appareil de commande 200 génère un 20 message de défaut demandant le cas échéant le remplacement du capteur de gaz d'échappement 1000. Selon un autre développement, on juge de la sensibilité vis-à-vis des gaz du capteur à transistor ChemFET 1000 en comparant la concentration en oxygène avec une sonde Lambda. Les valeurs de la 25 concentration instantanée en oxygène sont envoyées par la sonde Lambda à l'appareil de commande 200 dans une plage de l'ordre des millisecondes. Une électrode de mesure d'oxygène disponible unique-ment sur la puce du capteur à transistor ChemFET 1000 mesure également la concentration en oxygène dans les gaz d'échappement et 30 l'appareil de commande 200 compare les valeurs reçues. Comme le vieillissement de cette électrode de référence d'oxygène exposée aux gaz d'échappement se produit de manière connue par rapport aux autres électrodes de mesure, par exemple pour des oxydes d'azote NOX, le cas échéant l'ammoniac NH3, ou les hydrocarbures HC, on peut évaluer la 35 sensibilité des autres électrodes de mesure, par exemple pour les 23 oxydes d'azote NOX, le cas échéant pour l'ammoniac NH3 et les hydrocarbures HC. Selon un autre développement, en mode de poussée, on peut effectuer un surdosage de la solution aqueuse d'urée 1008 dans le s système SCR. Comme en mode de poussée le moteur n'émet pas de gaz d'échappement mais laisse simplement passer de l'air ambiant dans la conduite des gaz d'échappement, il n'y aura pas d'oxydes d'azote à convertir dans le catalyseur SCR 1010 avec de l'ammoniac de la solution aqueuse d'urée 1008. Ainsi, l'ammoniac s'échappe du catalyseur SCR io 1010 sans être consommé et il est en conséquence mis en corrélation directement avec la concentration de la solution aqueuse d'urée 1008 introduite préalablement de manière dosée. L'ammoniac qui s'échappe peut être détecté par exemple sous la forme d'ammoniac NH3 ou encore sous la forme d'un oxyde d'azote NOX, par exemple par conversion par ls un catalyseur d'oxydation à la surface du capteur 1000. La mesure du surdosage de la solution aqueuse d'urée 1008 est une mesure de l'amplitude du signal et ainsi de la sensibilité du capteur à transistor ChemFET 1000 et elle peut se comparer à des valeurs de référence dé-terminées préalablement. 20 En variante, pour surveiller la sensibilité vis-à-vis des gaz, on peut utiliser des valeurs de référence obtenues lors d'un changement entre différents points de charge du moteur 1002. Par exemple, un changement de charge du moteur 1002 passant du point de fonctionnement A au point de fonctionnement B se traduit par une variation 25 caractéristique de la composition des gaz d'échappement et ainsi dans le cas d'un capteur 1000 fonctionnant correctement, par un signal d'une amplitude de signal caractéristique dans les gaz détectés. Si plu-sieurs variations de charge caractéristiques sont enregistrées, on pourra vérifier pendant le fonctionnement du capteur, que l'électrode de gaz 30 fonctionne dès que l'on effectue un changement de charge connu : si l'appareil de commande 200 détecte un changement de charge pour le-quel une valeur de référence de capteur aura été enregistrée, on peut comparer directement la valeur de référence et la valeur fournie par le capteur et mesurée pendant le changement actuel de charge. Si la va- 35 leur de référence et la valeur du capteur se correspondent ou si la diffé- 24 rence entre les deux valeurs se situe dans une plage de tolérance acceptable, on peut estimer que la sensibilité du capteur 1000 est correcte. Si la différence dépasse la plage de tolérance, on pourra tout d'abord vérifier s'il y a une perturbation du moteur 1002 qui correspondrait à des s conditions de combustion modifiées et ainsi à des valeurs différentes des gaz d'échappement ne correspondant plus aux valeurs de référence préalablement obtenues. A titre d'exemple, on peut avoir un diagnostic propre ou une mémoire de défauts du moteur 1002 dans l'appareil de commande 200. En l'absence de perturbation du moteur 1002, on peut io conclure que la sensibilité du capteur de gaz d'échappement 1000 est défectueuse. La combinaison appropriée des procédés évoqués ci-dessus, permet de délimiter la cause du défaut et de décider si le capteur 1000 doit continuer à fonctionner après un calcul de compensation ls approprié. Cela est par exemple le cas si la comparaison en mode de poussée entre le capteur de gaz d'échappement 1000 et le capteur de référence d'air 1004, donne une différence pour laquelle la sensibilité du capteur en cas de surdosage de la solution aqueuse d'urée 1008 reste néanmoins dans la plage de consigne. Cela signifie également une 20 modification de la ligne de base du capteur pour une sensibilité restée égale vis-à-vis de l'ammoniac NH3 ou des oxydes NOX. Après une compensation par décalage, le capteur de gaz d'échappement 1000 pourra continuer à fonctionner. A l'aide de mesures d'impédance ou de mesures de cou- 25 rant continu dans un environnement de gaz différent, on peut présenter directement l'efficacité des fonctions de diagnostic propre, ainsi présentée. 30
25 NOMENCLATURE
102 étape de réglage d'une tension électrique selon le procédé 104 étape de détermination d'un courant électrique 200 appareil de commande 202 installation de réglage d'une tension électrique 204 installation déterminant une intensité de courant électrique 300 électrode de porte 302 contact de source io 304 contact de drain 306 isolant de porte 308 contact ohmique 310 matériau semi-conducteur 400 caractéristiques de transfert d'un transistor ChemFET 15 402 point de fonctionnement 500 plage ohmique d'un faisceau de courbes caractéristiques 504 plage de saturation 1000 capteur de gaz d'échappement 1002 moteur 20 1004 capteur d'air de référence 25