FR2966268A1 - Procédé comprenant une détection d'une remise en boitier d'un circuit intégré après une mise en boitier initiale, et circuit intégré correspondant. - Google Patents
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Abstract
Procédé comprenant une détection d'une remise en boîtier d'un circuit intégré (CI) après une mise en boîtier initiale. Ladite détection de remise en boîtier comprend une détection d'une énergie électrique produite à partir d'au moins un matériau thermoélectrique (MTH) contenu dans au moins une région soumise à un gradient de température lors de ladite remise en boîtier alors que le circuit intégré (CI) n'est pas en fonctionnement.
Description
B10-3254FR 1 Procédé comprenant une détection d'une remise en boîtier d'un circuit intégré après une mise en boîtier initiale, et circuit intégré correspondant.
L'invention concerne les circuits intégrés, et plus particulièrement la détection d'une remise en boîtier d'un circuit intégré après une mise en boîtier initiale. I1 est constaté des actes illicites sur des circuits intégrés consistant en une remise en boîtier du circuit intégré avec une référence différente mentionnant généralement un circuit intégré de version plus avancé possédant de meilleurs caractéristiques. Ces actes illicites ne peuvent être détecté généralement qu'après une analyse optique des boîtiers, ou après une analyse par rayonnement X pour vérifier que le circuit intégré à l'intérieur du boîtier correspond bien à la référence inscrite sur le boîtier. Ces détections réalisées à posteriori sont coûteuses. Selon un mode de mise en oeuvre et de réalisation, il est proposé un procédé et un circuit intégré permettant une détection automatique et autonome d'une remise en boîtier du circuit intégré. Classiquement, un circuit intégré comporte une partie communément désignée par l'homme du métier sous la dénomination anglosaxonne « front-end-of-line » (FEOL) surmontée d'une deuxième partie communément désignée par l'homme du métier sous la dénomination anglosaxonne « back-end-of-line » (BEOL). La partie FEOL est en fait la première partie fabriquée du circuit intégré dans laquelle se trouvent les composants actifs habituels tels que par exemple des transistors, des résistances,... La partie FEOL englobe généralement tous les différents éléments du circuit intégré jusqu'à la première couche de métallisation. La partie supérieure du circuit intégré, à savoir la partie BEOL, est la partie du circuit intégré dans laquelle les composants actifs sont interconnectés par l'intermédiaire d'un réseau d'interconnexion comportant des niveaux de métallisation formant des pistes ou lignes d'interconnexion, et des vias. Cette partie BEOL commence généralement avec le premier niveau de métallisation et elle inclut également les vias, les couches isolantes ainsi que les plots de contact disposés sur la partie supérieure du circuit intégré.
Les inventeurs ont observés que lors d'une mise en boîtier, et donc d'une remise en boîtier, du circuit intégré, certaines étapes sont effectuées à haute température et une quantité importante de chaleur est dégagée au voisinage du circuit intégré, et que par conséquent cette énergie calorifique ainsi dégagée peut être détectée par des matériaux thermoélectriques placés dans le circuit intégré et ainsi être transformée en un courant électrique révélateur d'une remise en boîtier du circuit intégré. En effet, un matériau thermoélectrique permet alors de produire de l'énergie électrique, et plus précisément un courant électrique, à partir du gradient thermique auquel il est soumis. Selon un aspect, il est ainsi proposé un procédé comprenant une détection d'une remise en boîtier d'un circuit intégré après une mise en boîtier initiale. Selon une caractéristique générale de cet aspect, ladite détection de remise en boîtier comprend une détection d'une énergie électrique produite à partir d'au moins un matériau thermoélectrique contenu dans au moins une région soumise à un gradient de température lors de ladite remise en boîtier alors que le circuit intégré n'est pas en fonctionnement.
Le procédé peut également comprendre en outre une mise hors fonctionnement définitive du circuit intégré lorsqu'une remise en boîtier est détectée. Avantageusement, le procédé peut en outre comprendre une désactivation de la détection d'une remise en boîtier lors du fonctionnement du circuit intégré. Au moins un matériau thermoélectrique est préférentiellement installé dans la partie d'interconnexion du circuit intégré. Et plus particulièrement, au moins un matériau thermoélectrique peut avantageusement être installé sous des plots de connexion du circuit intégré, et/ou dans une zone adjacente à la surface périphérique du circuit intégré. Ainsi le matériau thermoélectrique est au plus prés des l'échauffement localisés lors d'une remise en boîtier.
Selon un autre aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant des moyens de détection de remise en boîtier configurés pour détecter une remise en boîtier dudit circuit intégré après une mise en boîtier initiale, et comportant au moins un matériau thermoélectrique disposé dans au moins une région configurée pour être soumise à au moins un gradient de température résultant d'une remise en boîtier du circuit intégré alors que le circuit intégré n'est pas en fonctionnement, et des moyens de détection aptes à détecter une énergie électrique délivrée par ledit au moins un matériau thermoélectrique soumis audit ou auxdits gradients de température.
Les moyens de détection de remise en boîtier peuvent comprendre des moyens de mémorisation aptes à mémoriser l'énergie produite par une première mise en boîtier correspondant à la mise en boîtier initiale. Les moyens de détection peuvent également comprendre des moyens de comparaison aptes à comparer les énergies produites ultérieurement alors que le circuit intégré n'est pas en fonctionnement à l'énergie mémorisée lors de la première mise en boîtier afin de déterminer s'il s'agit d'une énergie produite à la suite d'une remise en boîtier. De préférence, le circuit intégré comprend entre autre des moyens de commande configurés pour mettre hors fonctionnement le circuit intégré à la suite d'une détection d'une remise en boîtier. Avantageusement le circuit intégré comprend des moyens de désactivation configurés pour désactiver les moyens de détection de remise en boîtier lors d'une mise en fonctionnement du circuit intégré.
Le ou les matériaux thermoélectriques peuvent avantageusement être installés sous des plots de connexion du circuit intégré, et/ou dans une zone adjacente à la surface périphérique du circuit intégré afin d'être au plus prés des échauffements localisés lors d'une remise en boîtier.
D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de mise en oeuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : - La figure 1 illustre de façon schématique un exemple de structure d'un circuit intégré ; - les figures 2 à 6 illustrent un exemple de réalisation de régions thermoélectriques dans un circuit intégré selon l'invention ; - la figure 7 illustre les principales étapes d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention ; - la figure 8 illustre des étapes supplémentaires de désactivation de la détection lors du fonctionnement du circuit intégré ; - la figure 9 présente un exemple de moyens de détection d'une remise en boîtier selon un premier mode réalisation ; - la figure 10 représente un exemple de moyens de détection d'une remise en boîtier selon un second mode réalisation. Sur la figure 1 a été représenté un circuit intégré, référencé CI, comprenant une partie active comportant des composants actifs, par exemple un transistor T. Cette partie active est communément désignée par l'homme du métier sous la dénomination anglosaxonne de « frontend-of-line » (FEOL). Cette partie active est surmontée par un réseau d'interconnexion RICX destiné à interconnecter les différents composants actifs du circuit intégré CI entre eux et avec des plots de contact P situés sur la partie supérieure du circuit intégré CI. Ce réseau d'interconnexion RICX comporte de façon classique un ensemble de pistes électriquement conductrices, par exemple en cuivre ou en aluminium, référencé PST, et se répartissant sur plusieurs niveaux de métallisation M;, dont cinq sont représentés sur la figure 1. Le réseau d'interconnexion comporte également des vias V qui sont des orifices électriquement conducteurs reliant certaines des pistes d'un niveau de métallisation à certaines pistes du niveau de métallisation adjacent. Enfin, l'ensemble des pistes PST et de vias V sont mutuellement électriquement isolés par un enrobage isolant ENR ou diélectrique intercouche ILD. Un tel diélectrique peut être par exemple du dioxyde de silicium. Lors d'une mise en boîtier de ce circuit intégré CI, certaines étapes de la mise en boîtier dégagent une quantité importante de chaleur créant l'apparition d'un gradient de température au moins à la surface du circuit intégré. I1 s'agit notamment d'étapes de soudure entre la grille et le circuit intégré, de préchauffage de la grille, et d'encapsulation du circuit intégré dans un boîtier. Aussi, est-il prévu de disposer au moins un matériau thermoélectrique, et en pratique un même matériau thermoélectrique, dans une voire plusieurs régions soumises à un tel gradient de température, afin de détecter une éventuelle remise en boîtier Le circuit intégré CI comprend donc également icides matériaux thermoélectriques MTH montés dans la partie d'interconnexion (BEOL). En pratique, selon un mode de réalisation, les régions dans lesquelles sera déposé le matériau thermoélectrique avoisinent les surfaces externes du circuit intégré CI et notamment les plots de connexions P au niveau desquels une forte élévation de température se produit lors de la soudure des connexions pendant une remise en boîtier. Tout matériau thermoélectrique convient pour produire l'énergie résultant du gradient de température auquel est soumis le matériau. On peut citer notamment le tellurure de bismuth (Bi2Te3) ou bien des alliages de silicium germanium ou encore un matériau de la famille des skutterudites. Ces derniers composés ont une structure cubique formée d'un réseau de type MX3 (avec M désignant un métal de transition et X pouvant être de l'arsenic, du phosphore ou de l'antimoine) avec au centre de ce réseau une grande cage dans laquelle peuvent être insérés des atomes lourds, notamment des terres rares. Sur les figures 2 à 6 ont été illustrées des étapes d'un exemple de réalisation de région contenant un matériau thermoélectrique MTH, par exemple dans les niveaux de métallisation supérieurs du circuit intégré.
Sur la figure 2 la référence P désigne la partie déjà réalisée du circuit intégré, juste avant la réalisation du niveau de métallisation Mx. La partie P comporte notamment à son sommet une couche d'arrêt de gravure. La réalisation du niveau de métal Mx est alors effectuée de façon classique. Plus précisément, comme illustré sur la figure 2, on dépose sur la couche d'arrêt de gravure une couche isolante Cl, par exemple du dioxyde de silicium, qui sera destinée à former l'enrobage ENR entre les futures pistes.
Puis, après avoir déposé une couche de résine RS et effectué une délimitation par photolithographie et insolation de la résine, des emplacements des futures pistes métalliques PST, on procède à une gravure classique et connue en soi de la couche Cl à travers le masque de résine RS de façon à former des cavités CV (figure 3).
Puis, on dépose une couche de métal C3, par exemple du cuivre, de façon à remplir les cavités CV (figure 4). Puis, après polissage mécanochimique, on obtient la configuration illustrée sur la figure 5 avec la réalisation du niveau de métal Mx comportant les pistes métalliques PST enrobées par l'enrobage isolant ENR. La réalisation des régions RG ou tranchées contenant le matériau métallique MTH au niveau de métallisation Mx peut s'effectuer par des étapes analogues à celles qui viennent d'être décrites. Plus précisément dans une telle éventualité, pour définir les emplacements des différentes tranchées, on procède également à une nouvelle étape de photolithographie et gravure du matériau de la couche Cl disposée entre les listes PST de façon à former des cavités destinées à recevoir le matériau thermoélectrique MTH. Puis, on procède au dépôt d'une couche de ce matériau thermoélectrique de façon à remplir les cavités et à un polissage mécanochimique de façon à obtenir les cavités remplies avec le matériau MTH (figure 6). Dans l'exemple qui vient d'être décrit, les pistes métalliques ont été formées par gravure du matériau diélectrique et remplissage par du métal. En variante, ces pistes pourraient être formées par dépôt d'un métal puis gravure du métal, en particulier lorsqu'on utilise de l'aluminium. I1 pourrait en être de même pour la réalisation des régions de matériau thermoélectrique, à savoir formation d'une couche du matériau thermoélectrique puis gravure de ce matériau. Une telle solution peut être envisagée par exemple lorsqu'on utilise du tellurure de bismuth. Plus précisément, la formation d'une couche de tellurure de bismuth peut s'effectuer par un dépôt chimique en phase vapeur classique ou bien par une technique connue d'épitaxie moléculaire habituellement connue de l'homme du métier sous la dénomination anglosaxonne MBE (Molecular Beam Epitaxy). Les motifs de matériau thermoélectrique peuvent alors être définis de façon classique par photolithographie puis gravure plasma. Les pistes métalliques et les motifs de matériau thermoélectriques sont ensuite recouverts d'un enrobage isolant tel qu'un matériau diélectrique. Comme cela est illustré sur la figure 7, lors d'une remise en boîtier 70, il se produit donc à au moins une étape de la mise en boîtier une élévation de température (étape 71), c'est-à-dire un gradient de température, détectable par un matériau thermoélectrique. Ce matériau thermoélectrique produit alors un courant électrique (étape 72) indiquant la détection d'une remise en boîtier 73. Et ce, alors que le circuit intégré CI n'est pas alimenté. Une indication représentative de la présence de ce courant électrique peut alors être par exemple stockée dans une mémoire non volatile. I1 serait également possible en réponse à cette détection de mettre le circuit intégré hors service (étape 74). Par ailleurs, bien que cela ne soit pas indispensable, on peut également désactiver la détection de la production d'énergie électrique, lorsque le circuit intégré est en fonctionnement, de façon à ce qu'une détection éventuelle de chaleur lors du fonctionnement du circuit intégré ne soit pas interprétée comme une remise en boîtier (étape 80 et 81, figure 8).
Sur la figure 9 a été représenté un exemple de moyens de détection d'une remise en boîtier selon un premier mode réalisation. Les moyens de détection d'une remise en boîtier comprennent au moins un matériau thermoélectrique MTH produisant un courant électrique lors de la détection d'un gradient de température. Un condensateur CC est connecté entre le matériau MTH et la masse. I1 est par ailleurs connecté à des moyens de traitement MT comportant une logique LG, un compteur CPT et des moyens de contrôle CTRL, par exemple un microcontrôleur.
Lorsque le circuit intégré n'est pas alimenté car non en fonctionnement (tension Vdd non disponible), la logique LG se comporte comme un interrupteur ouvert. La production d'énergie électrique par le matériau thermoélectrique MTH permet alors de charger le condensateur CC.
En fonctionnement, la logique LG se comporte comme un interrupteur fermé permettant au condensateur de se décharger et d'incrémenter le compteur. Une fois le compteur incrémenté, le microcontrôleur ouvre à nouveau l'interrupteur LG, désactivant aussi une prise en compte d'une éventuelle production d'énergie par le matériau thermoélectrique MTH durant le fonctionnement du circuit intégré. Le microcontrôleur lit alors la valeur du compteur CPT. Lors de la mise en boîtier initiale, le compteur est initialisée à une valeur de référence. Lors d'une remise en boîtier, la valeur du compteur est différente de la valeur initiale. Une présence d'une valeur différente de la valeur initiale est représentative d'une remise en boîtier. Le microcontrôleur peut alors mettre le circuit intégré hors service en coupant l'alimentation par claquage d'un fusible par exemple.
Sur la figure 10 a été représenté un exemple de moyens de détection d'une remise en boîtier selon un second mode réalisation. Les moyens de détection d'une remise en boîtier comprennent au moins un matériau thermoélectrique MTH produisant un courant électrique lors de la détection d'un gradient de température. La taille de la zone thermoélectrique est choisie de façon à produire un courant important, bien supérieur au courant consommé par le circuit intégré en fonctionnement, lors d'une production de chaleur lors d'une remise en boîtier. Les moyens de détection comprennent un premier fusible fi et un second fusible fz montés ensemble en parallèle, l'ensemble étant couplé à la sortie du matériau thermoélectrique MTH. Le fusible fi possède une tension de claquage plus petite que celle de fz. Le circuit intégré peut être initialisé, lors de la mise en boîtier initiale par le claquage du fusible fi provoquée par la production d'un premier courant électrique produit par le matériau thermoélectrique MTH à la suite de la détection d'un gradient de température. L'alimentation VDD est couplée au circuit intégré via l'ensemble constitué par les deux fusibles en parallèle fi et fz. Une fois l'initialisation réalisée, le circuit intégré peut toujours fonctionner, le courant d'alimentation étant délivré via le fusible fz, le fusible fz étant configuré pour ne pas claquer pour des courants électriques de fonctionnement du circuit intégré. Lors d'une remise en boîtier, le matériau thermoélectrique détecte un gradient de température et produit alors un courant électrique important qui induira le claquage du fusible fz. Le claquage de ce second fusible coupe alors le circuit d'alimentation du circuit intégré qui est par conséquent mis définitivement hors fonctionnement. Les fusibles fi et fz sont choisis de manière à respectivement claquer pour un courant de valeur IMTH/2 et IMTH, le courant IMTH correspondant au courant délivré par le matériau thermoélectrique MTH et étant supérieur au courant de fonctionnement standard du circuit intégré.
Claims (9)
- REVENDICATIONS1. Procédé comprenant une détection d'une remise en boîtier d'un circuit intégré après une mise en boîtier initiale, caractérisé en ce que ladite détection de remise en boîtier comprend une détection d'une énergie électrique produite à partir d'au moins un matériau thermoélectrique (MTH) contenu dans au moins une région soumise à un gradient de température lors de ladite remise en boîtier alors que le circuit intégré (CI) n'est pas en fonctionnement.
- 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre une mise hors fonctionnement définitive du circuit intégré (CI) lorsqu'une remise en boîtier est détectée.
- 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, comprenant en outre une désactivation de la détection d'une remise en boîtier lors du fonctionnement du circuit intégré (CI).
- 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel au moins un matériau thermoélectrique (MTH) est installé dans la partie d'interconnexion du circuit intégré.
- 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel au moins un matériau thermoélectrique (MTH) est installé sous des plots de connexion (P) du circuit intégré (CI), et/ou dans une zone adjacente à la surface périphérique du circuit intégré (CI).
- 6. Circuit intégré (CI), caractérisé en ce qu'il comprend des moyens de détection de remise en boîtier configurés pour détecter une remise en boîtier dudit circuit intégré (CI) après une mise en boîtier initiale, et comportant au moins un matériau thermoélectrique (MTH) disposé dans au moins une région configurée pour être soumise à au moins un gradient de température résultant d'une remise en boîtier du circuit intégré (CI) alors que le circuit intégré (CI) n'est pas en fonctionnement, et des moyens de détection aptes à détecter une énergie électrique délivrée par ledit au moins un matériau thermoélectrique (MTH) soumis audit ou auxdits gradients de température.
- 7. Circuit intégré (CI) selon la revendication 6, comprenant entre autre des moyens de commande configurés pour mettre hors fonctionnement le circuit intégré (CI) à la suite d'une détection d'une remise en boîtier.
- 8. Circuit intégré (CI) selon l'une des revendications 6 ou 7, comprenant des moyens de désactivation configurés pour désactiver les moyens de détection de remise en boîtier lors d'une mise en fonctionnement du circuit intégré (CI).
- 9. Circuit intégré selon l'une des revendications 6 à 8, dans lequel le ou les matériaux thermoélectriques (MTH) sont installés sous des plots de connexion (P) du circuit intégré (CI), et/ou dans une zone adjacente à la surface périphérique du circuit intégré (CI).
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8779592B2 (en) * | 2012-05-01 | 2014-07-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Via-free interconnect structure with self-aligned metal line interconnections |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10104219A1 (de) * | 2001-01-31 | 2002-08-22 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur aktiven Kühlung eines Halbleiterbausteins |
| US20050178423A1 (en) * | 2004-02-12 | 2005-08-18 | Shriram Ramanathan | Microelectronic assembly having thermoelectric elements to cool a die and a method of making the same |
| US20050236683A1 (en) * | 2002-06-04 | 2005-10-27 | Yigal Shapiro | Prevention of tampering in electronic devices |
| JP2007214285A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| EP2259319A1 (fr) * | 2009-06-04 | 2010-12-08 | STMicroelectronics (Rousset) SAS | Procédé de génération d'énergie électrique dans un circuit intégré lors du fonctionnement de celui-ci, circuit intégré correspondant et procédé de fabrication. |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2577338B1 (fr) * | 1985-02-12 | 1987-03-06 | Eurotechnique Sa | Procede de fabrication d'une memoire dynamique en circuit integre et memoire obtenue par ce procede |
| US5191405A (en) * | 1988-12-23 | 1993-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Three-dimensional stacked lsi |
| US6069312A (en) * | 1994-01-28 | 2000-05-30 | California Institute Of Technology | Thermoelectric materials with filled skutterudite structure for thermoelectric devices |
| US5955781A (en) * | 1998-01-13 | 1999-09-21 | International Business Machines Corporation | Embedded thermal conductors for semiconductor chips |
| US6188011B1 (en) * | 1998-01-20 | 2001-02-13 | Marlow Industries, Inc. | Thermoelectric materials fabricated from clathrate compounds and other materials which form an inclusion complex and method for optimizing selected thermoelectric properties |
| US6316801B1 (en) * | 1998-03-04 | 2001-11-13 | Nec Corporation | Semiconductor device having capacitive element structure and multilevel interconnection structure and method of fabricating the same |
| EP1055980B1 (fr) * | 1998-12-14 | 2009-06-10 | Seiko Epson Corporation | Dispositif electronique et procede de commande associe |
| JP2002107224A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Toshiba Corp | 赤外線センサ及びその製造方法 |
| US6559538B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-05-06 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Integrated circuit device having a built-in thermoelectric cooling mechanism |
| US6518661B1 (en) * | 2001-04-05 | 2003-02-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for metal stack thermal management in semiconductor devices |
| US6639242B1 (en) * | 2002-07-01 | 2003-10-28 | International Business Machines Corporation | Monolithically integrated solid-state SiGe thermoelectric energy converter for high speed and low power circuits |
| US7406185B2 (en) * | 2003-04-16 | 2008-07-29 | Ligh Tuning Technology Inc. | Thermoelectric sensor for fingerprint thermal imaging |
| US7291878B2 (en) * | 2003-06-03 | 2007-11-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Ultra low-cost solid-state memory |
| US7638705B2 (en) * | 2003-12-11 | 2009-12-29 | Nextreme Thermal Solutions, Inc. | Thermoelectric generators for solar conversion and related systems and methods |
| JP5201780B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2013-06-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 光検出器および光検出装置 |
| TWI395321B (zh) * | 2005-03-31 | 2013-05-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其驅動方法 |
| US20080277778A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-13 | Furman Bruce K | Layer Transfer Process and Functionally Enhanced Integrated Circuits Products Thereby |
| US7888794B2 (en) * | 2008-02-18 | 2011-02-15 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and method |
| US8264055B2 (en) * | 2008-08-08 | 2012-09-11 | Texas Instruments Incorporated | CMOS thermoelectric refrigerator |
| DE102008049726B4 (de) * | 2008-09-30 | 2012-02-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Gestapelte Chipkonfiguration mit stromgespeistem Wärmeübertragungssystem und Verfahren zum Steuern der Temperatur in einem Halbleiterbauelement |
| US8395191B2 (en) * | 2009-10-12 | 2013-03-12 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
| US8461035B1 (en) * | 2010-09-30 | 2013-06-11 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
| CN102356305A (zh) * | 2010-05-27 | 2012-02-15 | 松下电器产业株式会社 | 热电变换器件和辐射检测器以及使用它的辐射检测方法 |
-
2010
- 2010-10-18 FR FR1058474A patent/FR2966268B1/fr active Active
-
2011
- 2011-09-23 US US13/243,620 patent/US8502383B2/en active Active
-
2013
- 2013-08-05 US US13/959,496 patent/US9331027B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10104219A1 (de) * | 2001-01-31 | 2002-08-22 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur aktiven Kühlung eines Halbleiterbausteins |
| US20050236683A1 (en) * | 2002-06-04 | 2005-10-27 | Yigal Shapiro | Prevention of tampering in electronic devices |
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