FR2959026A1 - Procede de lithographie a optimisation combinee de l'energie rayonnee et de la geometrie de dessin - Google Patents

Abstract

L'invention s'applique à un procédé de lithographie d'un motif à graver sur un support, notamment à un procédé utilisant un rayonnement d'électrons à écriture directe sur le support. Jusqu'à présent, les méthodes de correction des effets de proximité pour des géométries de réseaux denses (espacements interlignes de 10 à 30 nm) se traduisent par une augmentation significative des doses rayonnées et donc du temps d'exposition. Selon l'invention, les motifs à graver sont modifiés en fonction de la latitude en énergie du procédé, ce qui permet de réduire les doses rayonnées.

Description

PROCEDE DE LITHOGRAPHIE A OPTIMISATION COMBINEE DE L'ENERGIE RAYONNEE ET DE LA GEOMETRIE DE DESSIN La présente invention s'applique au domaine de la lithographie électronique. Pour permettre la gravure de motifs dont la dimension critique est inférieure à 50nm, il faut intégrer dans les procédés de photolithographie optique des méthodes de correction des distorsions optiques de plus en plus complexes à la fois au stade de la conception et de la production des masques et au io stade de l'exposition. Les coûts des équipements et des développements pour une nouvelle génération de technologie augmentent en conséquence dans des proportions très élevées. Aujourd'hui, les dimensions critiques accessibles en photolithographie sont supérieures ou égales à 65 nm. La génération 32-45 nm est en cours de développement et il n'existe pas de 15 solution viable envisagée pour les noeuds technologiques inférieurs à 22 nm. De son côté, la lithographie électronique permet dores et déjà la gravure de motifs de 22 nm ; elle ne nécessite pas de masque et offre un temps de développement assez court, ce qui permet une meilleure réactivité et flexibilité dans la réalisation d'améliorations aux technologies et aux designs. 20 En revanche, les temps de production sont structurellement sensiblement plus élevés qu'en photolithographie puisqu'il faut réaliser une exposition par pas (avec un « stepper »), alors que la photolithographie ne nécessite qu'une exposition par couche. De plus, en lithographie électronique comme en photolithographie, se produisent des effets de proximité, notamment entre 25 lignes voisines d'un motif qui ne sont séparées que de 10 à 30 nm. Pour garantir la fidélité du dessin, il est donc nécessaire de corriger ces effets de proximité. Les méthodes de l'art antérieur, notamment celle décrite dans le brevet US 6,107,207, réalisent ces corrections en augmentant les doses de rayonnement en bord de ligne. Cette augmentation de dose se traduit par 30 une nouvelle augmentation des temps d'exposition, ce qui constitue un handicap très important pour la diffusion industrielle de cette technologie. La présente invention résout ce problème en procurant une méthode d'optimisation combinée de l'énergie du rayonnement électronique appliqué et de la zone d'application qui permet de réduire dans des proportions 35 importantes l'augmentation nécessaire de la dose de rayonnement et donc des temps d'exposition.

A cet effet, l'invention prévoit un procédé de lithographie par rayonnement d'au moins un motif à graver sur un support résiné comprenant une étape de calcul de modulation d'au moins une dose rayonnée et une étape de calcul d'au moins un ajustement à apporter audit motif à graver selon au moins une direction du support, ledit procédé étant caractérisé en ce que ledit ajustement est fonction de la latitude en énergie du procédé au point où est reçue la dose rayonnée et en ce que la modulation de la dose rayonnée est modifiée en fonction dudit au moins un ajustement dudit au moins un motif.

io Avantageusement, l'étape de calcul de modulation d'au moins une dose rayonnée est opérée par convolution dudit motif avec une fonction de répartition de ladite dose rayonnée sur ledit support.

Avantageusement, ladite dose rayonnée est calculée avant modulation sous 15 contrainte que la dose moyenne rayonnée se situe sensiblement au niveau du seuil de sensibilité de la résine à 0,5.

Avantageusement, la latitude en énergie (EL) du procédé au point où est reçue la dose rayonnée est calculée comme étant la pente de la tangente en 20 ce point à la courbe des doses reçues.

Avantageusement, l'ajustement à apporter au motif centré sur un des points de réception d'une dose rayonnée selon la au moins une direction est calculé comme étant égal à la distance orientée sur la droite de seuil de sensibilité 25 de la résine à 0,5 du procédé entre l'intersection de ladite droite de seuil avec d'une part la tangente de pente EL à la courbe des doses reçues audit point de réception et d'autre part la courbe de dose rayonnée.

Avantageusement, les étapes de calcul de modulation de dose rayonnée et 30 d'ajustement du motif à graver sont répétées tant que la variation de dose rayonnée sur un point de réception d'un calcul de modulation au précédent reste supérieure à une valeur de seuil prédéterminée.

Avantageusement, l'étape de calcul de modulation d'au moins une dose 35 rayonnée est opérée en utilisant une table de paramètres.

Avantageusement, les doses rayonnées au milieu du motif avant ajustement sont toutes sensiblement égales à une dose normale.

s Avantageusement, les doses rayonnées au milieu du motif avant ajustement sont toutes sensiblement égales à 70% d'une dose normale.

Avantageusement, ledit ajustement comprend au moins un espacement sans rayonnement et au moins une dose rayonnée. i0 Pour mettre en oeuvre le procédé, l'invention prévoit également un programme d'ordinateur comprenant des instructions de code de programme permettant l'exécution du procédé de lithographie par rayonnement d'au moins un motif à graver sur un support résiné lorsque le programme est 15 exécuté sur un ordinateur, ledit programme comprenant un module de calcul de modulation d'au moins une dose rayonnée et un module de calcul d'au moins un ajustement à apporter audit motif à graver selon au moins une direction du support, ledit programme d'ordinateur étant caractérisé en ce que ledit calcul d'ajustement à apporter au motif est fonction de la latitude en 20 énergie du procédé au point où est reçue la dose rayonnée et en ce que la modulation de la dose rayonnée est modifiée en fonction dudit au moins un ajustement dudit au moins un motif.

L'invention présente en outre l'avantage de corriger les effets défavorables 25 des méthodes de correction des effets de proximité de l'art antérieur, tels que la perte de linéarité, l'augmentation de l'IDB (Isolated Dense Bias ie différence entre les dimensions critiques pour des structures isolées et denses), l'augmentation du raccourcissement des fins de ligne (Line End Shortening ou « LES »), la perte de précision due aux effets 30 d'arrondissement des coins (« corner rounding »), la réduction de la latitude en énergie («Energy Latitude ou « EL ») qui se produisent lorsque ces méthodes sont appliquées. Ces défauts des méthodes de correction des effets de proximité telles que celles décrites dans le brevet US 6,107,207 ont été exposés notamment dans la publication de S. Manakli, « New Electron Beam Proximity Effect Correction Approach for 45 and 32 nm Nodes », Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 45, N°8A, pp. 6462-6467.

En outre, compte tenu des modalités de calcul des corrections, une s automatisation des calculs de correction de manière intégrée aux outils de conception assistée par ordinateur est réalisable, ce qui procure l'avantage inestimable d'offrir aux utilisateurs du système et du procédé selon l'invention une conversion de leurs bibliothèques de composants standard à coût réduit.

io L'invention sera mieux comprise, ses différentes caractéristiques et avantages ressortiront de la description qui suit de plusieurs exemples de réalisation et de ses figures annexées dont : - Les figures 1 a et 1 b représentent respectivement de manière schématique un réseau de lignes denses à graver et une répartition 15 des doses rayonnées après application d'une méthode de correction de l'art antérieur aux doses rayonnées; - La figure 2 représente de manière graphique la fonction de correction des effets de proximité appliquée par une méthode de l'art antérieur ; - La figure 3 représente la distribution de la dose rayonnée selon une 20 direction par rapport à la dimension critique ; - La figure 4 représente la distribution de dose rayonnée avec et sans correction d'effets de proximité dans le cas d'un réseau de lignes denses ; - La figure 5 représente une vue transversale et une vue aérienne de la 25 répartition de dose rayonnée mettant en évidence la latitude en énergie ; - La figure 6 illustre le principe d'optimisation de la latitude en énergie sur les bords d'un réseau de lignes denses selon un mode de réalisation de l'invention; 30 - La figure 7 montre la nouvelle fenêtre de procédé résultant de l'application du procédé de l'invention dans un de ses modes de réalisation ; - Les figures 8a et 8b illustrent les résultats de l'application du procédé de l'invention à un réseau dense ; - La figure 9 représente un organigramme de la partie centrale du procédé pour mettre en oeuvre l'invention selon un de ses modes de réalisation ; - La figure 10 illustre de manière graphique la partie centrale du 5 procédé de correction des effets de proximité dans un mode de réalisation de l'invention.

Les figures 1 a et 1 b représentent respectivement de manière schématique un réseau de lignes denses à graver et une répartition des doses rayonnées io après application d'une méthode de correction de l'art antérieur aux doses rayonnées. La figure 1 a représente un réseau dense de lignes à graver sur une portion de wafer ou de masque. Dans les applications visées par le procédé de l'invention, l'espacement entre lignes du réseau sera typiquement de une à 15 quelques dizaines de nanomètres. Le ou les faisceaux d'électrons utilisés pour effectuer la gravure de ce réseau diffusent notamment sur courte distance (forward scattering ou blur) dans la résine et le substrat sur les bords du centre du faisceau, ce qui accroit la taille du faisceau et en réduit le contraste. De plus, les électrons sont complètement rétrodiffusés sur une 20 longue distance (backward scattering). La distribution de dose rayonnée autour de la dimension critique recherchée de la gravure dans un plan de coupe d'une ligne du réseau est illustrée sur la figure 3. Les régions alpha, 31, et bêta, 32, des différentes lignes se superposent, ce qui entraîne un écart entre le réseau gravé et le réseau dessiné créé par ces effets de 25 proximité résultant de ces diffusions qui se mélangent. En bout de ligne et en bord de réseau, il n'y a pas de superposition. Les motifs du réseau sont donc modifiés de manière dissymétrique comme illustré sur par la courbe 41 de la figure 4 : la dose reçue en bord de réseau est inférieure à celle qui est reçue au milieu du réseau. 30 Une méthode classique de correction des effets de proximité d'un procédé de lithographie consiste alors à moduler les doses rayonnées an augmentant celles appliquées aux lignes situées en bord de réseau pour compenser cette baisse relative d'exposition. Le résultat de l'application d'une telle méthode sur la distribution de dose rayonnée est illustré par la courbe 42 de la figure 35 4.

Des méthodes de correction de ce type sont décrites notamment dans le brevet US 6,107,207 (« Procedure for generating information for producing a pattern defined by design information », inventeurs Wass, Hartmann) et dans plusieurs publications, notamment H. Eisenmann, T. Waas, H. Hartmann, s « Proximity effect correction by convolution », J. Vac. Sci. Technol. B11 (6), 2741-2745 (1993). Dans le procédé décrit par ces publications, le dispositif de lithographie électronique applique pas à pas sur le substrat enduit de résine une dose de rayonnement électronique d'énergie réglée en fonction des caractéristiques du substrat, de la résine et des motifs à dessiner. Dans io les procédés décrits par ces publications, de même que dans le procédé de l'invention, on peut utiliser n'importe quel dispositif de lithographie électronique, par exemple une machine de marque SB 3054 de VISTECTM configuré avec un logiciel de modulation de dose de marque PROXECCOTM

15 On commence par fracturer le motif à reporter en éléments unitaires puis, pour chaque élément unitaire on calcule les modulations de doses rayonnées. On applique pour cela une fonction de convolution de la distribution des électrons dans la matière pour calculer la modulation à appliquer au 20 rayonnement à chaque pas de gravure. Ladite fonction de convolution est donnée par la figure 2 dans laquelle : - D(x, y) représente la répartition dans le plan du substrat (x, y) de la dose reçue sur le motif à graver ; - f(x, y) représente la répartition surfacique de la dose émise avec 25 modélisation des effets de proximité ; l'hypothèse d'une répartition gaussienne des effets de proximité est généralement faite, comme illustré sur la figure 3 ; la fonction de répartition est modélisée par double intégration de la fonction de proximité (Point Spread Function ou « PSF ») qui est elle-même une combinaison de fonctions d'erreurs 30 de Gauss (fonction ERF) ; f(x, y) est modélisée par la formule : o~ d f(x,y) ^o~lo 1~ea^ ed U /L Avec les notations suivantes : o a est la largeur du rayonnement direct; o R est la largeur de rétrodiffusion ; o h est le ratio des intensités des rayonnements direct et rétrodiffusé. Les valeurs des paramètres a, R et h sont déterminées expérimentalement s pour un procédé donné. Ces paramètres sont fonction de la tension d'accélération de la machine. Typiquement pour une tension d'accélération de l'ordre de 50KV, a est de l'ordre de 50nm, R de l'ordre de 10 lm et h de l'ordre de 0.5. Dans cet exemple de réalisation, on utilise une modélisation des erreurs io avec deux fonctions ERF. On peut également utiliser des modélisations d'erreurs avec une, trois, quatre voire plus fonctions ERF. On peut également utiliser d'autres types de modélisation, par exemple polynomiales. - R(x, y) est la géométrie du motif à dessiner. L'impact de la dose rayonnée (shot) par le dispositif électronique est donc 15 calculé par la formule : D(x, y) = f(x, y) O R(x, y) L'application de la transformation inverse (déconvolution) permet de calculer la modulation à appliquer à la dose rayonnée à chaque pas du process.

20 La figure 1 b illustre la répartition des doses rayonnées après application de la méthode de correction ci-dessus au réseau de lignes de la figure 1 a. L'augmentation significative des doses rayonnées à appliquer en bord de réseau accroît de manière significative la durée de l'exposition nécessaire, ce qui est une limitation de cet art antérieur que la présente invention permet 25 de surmonter. Typiquement, la durée d'exposition doit être multipliée par un facteur 2 à 4 sur les bords de réseau par rapport au centre.

La figure 5 représente de manière simplifiée, dans le cas d'application d'un procédé de l'art antérieur présenté ci-dessus, la distribution des doses 30 rayonnées sur toute la largeur du réseau dans le procédé de modulation décrit ci-dessus (barres 51 de la figure 5) ainsi qu'une vue aérienne de cette distribution (courbe 52 de la figure 5) qui représente la fenêtre de procédé. La droite 53 représente le seuil de sensibilité de la résine à 0,5 fois la dose en dimension normale. La droite 54 représente la pente de latitude en énergie du process au point du shot appliqué par le dispositif de rayonnement. La dimension d'un shot 55 situé au milieu du motif est dans l'exemple de réalisation décrit ici de 1,6 pm x 1,6 pm. Typiquement la dose appliquée en ces points éloignés des bords du motif sera égale à la dose standard (normalisée à 1). Pour corriger les effets des proximité particulièrement sensibles aux bords du motif, les dispositifs de l'art antérieur appliquent des doses beaucoup plus élevées (typiquement de 2 à 4 voire 6) avec des dimensions de shots plus réduites, typiquement 1 pm x 1 pm. L'augmentation io du temps d'exposition résulte donc à la fois de l'augmentation du nombre de shots liée à la fracturation physique spécifique effectuée aux bords (quasi doublement) et de l'augmentation des doses rayonnées sur ces shots des bords. Dans l'exemple de réalisation illustré sur la figure 5, on rajoute une dizaine de shots, chacun des shots ajoutés ayant une dose supérieure à 15 l'unité (jusqu'à atteindre 6). Le temps d'exposition (proportionnel à l'intégrale des doses sur le nombre de shots) est multiplié par environ 3,6 par rapport à une exposition uniforme (de 25 à 90 doses normales).

Le procédé de l'invention, et ses caractéristiques distinctives par rapport aux 20 procédés de l'art antérieur présentés précédemment sont illustrés par les figures 6 et 7 qui doivent être lues par comparaison avec la figure 5.

Sur la figure 6, sont représentées les augmentations de dose de rayonnement 611a, 612a, 613a, 614a, 615a, (ainsi que leurs symétriques sur 25 l'autre bord du réseau à graver) qui sont appliquées par un procédé de l'art antérieur et qui peuvent être éliminées par un procédé selon un premier mode de réalisation de l'invention des doses rayonnées 611, 612, 613, 614, 615 (ainsi que des doses rayonnées sur l'autre bord du réseau de lignes à graver). 30 Ces diminutions de doses à appliquer sont obtenues en élargissant la géométrie du dessin à graver dans des proportions illustrées par la droite 620 et en appliquant une dose 616 sur la partie extérieure du nouveau motif. Mais, selon l'invention, les shots sur les bords conservent les mêmes dimensions qu'au milieu du motif (1,6 pm x 1,6 pm dans l'exemple de la 35 figure), ce qui réduit le nombre de shots et donc le temps d'exposition, par exemple dans le cas de la figure, de l'ordre de 29% par rapport à une solution de l'art antérieur (de 90 à 64 doses normales), quand on réduit les surdosages de chacun des shots à modulation de dose d'environ 0,25. On constate en réalité expérimentalement que l'on peut supprimer les s surdosages réalisés sur les bords internes du motif à graver, 611 à 615, sans affecter la qualité du motif gravé. Dans ce cas, le gain en temps d'exposition est de l'ordre de 62% (de 90 à 34 doses normales). Aux coins des motifs, le gain est porté au carré et est donc dans l'exemple ci-dessus de l'ordre de 86%. Ainsi, avantageusement, selon un deuxième mode de réalisation de io l'invention, on applique la même dose sur tout le motif et on « surdose » sur la bande rajoutée. Ce phénomène avantageux est dû au fait que la bande ajoutée permet à la fois d'écarter et de redresser les flancs de la courbe de dose comme illustré sur la figure 7, ceci de manière plus efficace que les augmentations de doses sur plusieurs shots à l'intérieur du motif qui ont un 15 rendement plus faible en raison des pertes d'énergie créées par les effets de proximité qui se recoupent entre shots. Un autre mode de réalisation avantageux consiste à laisser un espace entre le motif à graver et la bande rajoutée et, éventuellement, à ajouter au moins une deuxième bande extérieure séparée également de la première par un 20 espace. Dans toutes les configurations, cet espacement améliore la latitude en énergie du procédé. Expérimentalement, on constate qu'un espacement compris entre 0,2 fois la largeur de bande et 3 fois la largeur de bande est efficace. On constate également que dans le cas où l'on applique une surdose sur 25 une bande à l'extérieur du motif, on peut diminuer la dose normale appliquée au milieu du motif, par exemple de 30%, à 0,7 fois la dose normale sans dégradation de la qualité de la gravure.

La figure 7 illustre l'impact du procédé de l'invention sur la courbe de fenêtre 30 de procédé qui est déplacée de 710 en 720. La fenêtre de procédé résultant de l'application du procédé de l'invention 720 présente ainsi, comme illustré, un front plus droit, légèrement décalé vers l'extérieur du réseau, ce qui traduit une élimination des effets de proximité. Les modalités du calcul conjoint des doses rayonnées à chaque shot, de l'élargissement des bords du réseau et de la latitude en énergie sont expliquées plus loin dans la description en commentaires aux figures 9 et 10.

Les figures 8a et 8b illustrent les résultats de l'application du procédé de 5 l'invention à un réseau dense. La figure 8a illustre d'une part le motif à graver, 810, d'autre part le motif corrigé par le procédé de l'invention, 820. La figure 8b illustre le motif réellement gravé. Il existe des cas où le resizing est réalisé vers l'extérieur et d'autres où il est io réalisé vers l'intérieur.

La figure 9 représente un organigramme de la partie centrale du procédé pour mettre en oeuvre l'invention selon un de ses modes de réalisation. L'exemple illustré est celui d'une combinaison d'un resizing des motifs à 15 graver et d'une modulation de dose tel que représenté sur la figure 6. De manière classique pour un homme de l'art, le procédé de l'invention commence par une lecture du design. Le lay-out des motifs à graver est classiquement encodé dans des fichiers au format GDS Il (Graphic Data System version2) ou OASIS (Open Artwork System Interchange Standard). 20 Les données sont normalement regroupées par cellule. Le motif à graver est ensuite pré-fracturé en sous-ensembles compatibles du dispositif de transfert (gravure électronique ou ionique directe, fabrication de masques pour gravure électronique ou optique...) Ensuite, à l'étape 910 du procédé de l'invention, on calcule la dose idéale du 25 shot de manière que, en moyenne, tous les points milieux des bords du shot émis soient ajustés au seuil de sensibilité de la résine à 0,5 fois la dose normale. A l'étape suivante, 920, on calcule la pente EL de la courbe de dose en ce point qui est égale à la fenêtre de procédé ou latitude en énergie. 30 A l'étape suivante, 930, on calcule une interpolation linéaire en ce point de la courbe de dose. A l'étape suivante, 940, on calcule le point d'intersection entre l'interpolation linéaire et le seuil à 0,5. A l'étape suivante, 950, on calcule l'erreur de placement (Edge Placement Error ou « EPE ») qui est égale à la distance orientée entre le point 35 d'intersection en sortie d'étape 940 et le bord du shot.

A l'étape suivante, 960, on corrige le bord du motif à graver en appliquant au motif initial la distance orientée en sortie de l'étape précédente. Ce procédé de base est ajusté pour tenir compte de la place disponible de part et d'autre du motif. S'il y a suffisamment de place pour pouvoir ajouter des bandes supplémentaires à l'extérieur du motif, c'est la solution qui est privilégiée. Dans ce cas, une dose normale uniforme (ou réduite à 0,7, comme indiqué plus haut) est appliquée à l'intérieur du motif en substitution aux modulations calculées partout sauf sur la ou les bordures à l'extérieur du motif. La dose appliquée à l'extérieur du motif du design initial peut être io calculée par application des formules de convolution exposées ci-dessus ou par utilisation d'une table de paramètres d'expérience. Dans le cas où la place est contrainte on limite le resizing et on utilise les résultats du calcul de modulation de dose.

15 On réajuste ensuite la modulation de dose à partir de la correction de design. On renouvelle le procédé de correction jusqu'à ce que la variation de dose d'une itération sur la boucle à la suivante soit inférieure à un seuil. Typiquement, on réitère le processus 2 ou 3 fois pour tenir compte des profils introduits sur les motifs voisins. On initialise par exemple avec un resizing de 20 500 nm et on s'arrête à 1 ou 1,5 pm. Dans ce cas-là la pente EL ne bouge pas d'une itération à l'autre.

Enfin, les données sont converties au format machine et l'exposition réalisée.

25 La figure 10 illustre de manière graphique le procédé de correction des effets de proximité dans un mode de réalisation de l'invention. Les segments 1010 représentent le shot initial. La courbe 1020 représente la dose reçue. La droite 1030 représente le seuil à 0,5.

30 La droite 1040 représente la droite interpolée en sortie de l'étape 930. Le segment orienté 1050 représente l'EPE qui donne la correction appliquée au motif initial à graver. La méthode de l'invention a été décrite dans un exemple d'application à un 35 procédé de lithographie électronique par écriture directe. Elle peut également être appliquée à un autre procédé d'écriture directe utilisant d'autres particules telles que des ions ou à des procédés de lithographie électronique ou optique utilisant des masques. Les exemples décrits ci-dessus sont donc donnés à titre d'illustration certains s de modes de réalisation de l'invention. Ils ne limitent en aucune manière le champ de l'invention qui est défini par les revendications qui suivent.

Claims (11)

1. REVENDICATIONS1. Procédé de lithographie par rayonnement d'au moins un motif à graver sur un support résiné comprenant une étape de calcul (910) de modulation d'au moins une dose rayonnée et une étape de calcul (920, 930, 940, 950, 960) d'au moins un ajustement à apporter audit motif à graver selon au moins une direction du support, ledit procédé étant caractérisé en io ce que ledit ajustement est fonction de la latitude en énergie du procédé au point où est reçue la dose rayonnée et en ce que la modulation de la dose rayonnée est modifiée en fonction dudit au moins un ajustement dudit au moins un motif. 15
2. 2. Procédé de lithographie selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de calcul (910) de modulation d'au moins une dose rayonnée est opérée par convolution dudit motif avec une fonction de répartition de ladite dose rayonnée sur ledit support. 20
3. 3. Procédé de lithographie selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite dose rayonnée est calculée avant modulation sous contrainte que la dose moyenne rayonnée se situe sensiblement au niveau du seuil de sensibilité de la résine à 0,5. 25
4. 4. Procédé de lithographie selon la revendication 3, caractérisé en ce que la latitude en énergie (EL) du procédé au point où est reçue la dose rayonnée est calculée comme étant la pente de la tangente en ce point à la courbe des doses reçues. 30
5. 5. Procédé de lithographie selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'ajustement à apporter au motif centré sur un des points de réception d'une dose rayonnée selon la au moins une direction est calculé comme étant égal à la distance orientée sur la droite de seuil de sensibilité de la résine à 0,5 du procédé entre l'intersection de ladite droite de seuil avec 35 d'une part la tangente de pente EL à la courbe des doses reçues audit point de réception et d'autre part la courbe de dose rayonnée.
6. 6. Procédé de lithographie selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que les étapes de calcul de modulation de dose rayonnée et d'ajustement du motif à graver sont répétées tant que la s variation de dose rayonnée sur un point de réception d'un calcul de modulation au précédent reste supérieure à une valeur de seuil prédéterminée.
7. 7. Procédé de lithographie selon la revendication 1, caractérisé en ce io que l'étape de calcul (910) de modulation d'au moins une dose rayonnée est opérée en utilisant une table de paramètres.
8. 8. Procédé de lithographie selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les doses rayonnées au milieu du motif avant 15 ajustement sont toutes sensiblement égales à une dose normale.
9. 9. Procédé de lithographie selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les doses rayonnées au milieu du motif avant ajustement sont toutes sensiblement égales à 70% d'une dose normale.
10. 10. Procédé de lithographie selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que ledit ajustement comprend au moins un espacement sans rayonnement et au moins une dose rayonnée. 25
11. 11. Programme d'ordinateur comprenant des instructions de code de programme permettant l'exécution du procédé de lithographie par rayonnement d'au moins un motif à graver sur un support résiné selon l'une des revendications 1 à 10 lorsque le programme est exécuté sur un ordinateur, ledit programme comprenant un module de calcul de modulation 30 d'au moins une dose rayonnée et un module de calcul d'au moins un ajustement à apporter audit motif à graver selon au moins une direction du support, ledit programme d'ordinateur étant caractérisé en ce que ledit calcul d'ajustement à apporter au motif est fonction de la latitude en énergie du procédé au point où est reçue la dose rayonnée et en ce que la modulation 20de la dose rayonnée est modifiée en fonction dudit au moins un ajustement dudit au moins un motif.5