FR2950080A1 - METHOD AND DEVICE FOR GAS PHASE CHEMICAL DEPOSITION OF A POLYMER FILM ON A SUBSTRATE - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse d'un film polymère sur un substrat (6), ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte les deux étapes successives distinctes suivantes : - une étape d'activation photonique de la phase gazeuse dans laquelle une énergie d'activation photonique (42, 43) est fournie à au moins un précurseur de polymère gazeux présent dans une composition principalement gazeuse, et - une étape de dépôt en phase gazeuse dans laquelle on dépose le précurseur de polymère gazeux activé, issu de l'étape d'activation photonique, sur un substrat (6) de façon à former un film polymère sur le substrat. L'invention concerne aussi un dispositif (1) de mise en oeuvre d'un tel procédé.The invention relates to a process for chemical vapor deposition of a polymer film on a substrate (6), said method being characterized in that it comprises the following two distinct successive steps: a photonic activation step of the a gaseous phase in which a photon activation energy (42,43) is provided to at least one gaseous polymer precursor present in a gaseous composition, and - a gaseous phase deposition step in which the gaseous polymer precursor is deposited activated, resulting from the photonic activation step, on a substrate (6) so as to form a polymer film on the substrate. The invention also relates to a device (1) for implementing such a method.
Description
L'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse, appelé aussi dépôt chimique en phase vapeur (« chemical vapor deposition » ou CVD), par lequel le dépôt d'un film de polymère (ou film polymère) s'effectue par activation photonique d'une phase gazeuse réactive. The invention relates to a method of chemical vapor deposition, also called chemical vapor deposition (CVD), by which the deposition of a polymer film (or polymer film) is effected by activation photonics of a reactive gas phase.
Le dépôt CVD de films polymères, généralement en couche mince (par exemple de 50 nanomètres à 100 ou 200 micromètres) sur différents substrats, intéresse tout particulièrement les industries électroniques, de techniques médicales, de défense, d'horlogerie, pharmaceutiques, de micro- et de nanotechnologies. The CVD deposition of polymer films, generally in a thin layer (for example from 50 nanometers to 100 or 200 micrometers) on different substrates, is of particular interest to the electronic, medical, defense, watchmaking, pharmaceutical, and nanotechnologies.
Ainsi, le revêtement de parylène®, ou poly-p-xylylène, déposé par CVD, possède de nombreuses caractéristiques très intéressantes pour ces industries. Le dépôt est effectué en évaporation sous vide à température ambiante, en l'absence de solvant, et donne lieu à la production d'un film transparent semicristallin. Le procédé de dépôt est connu comme le procédé Gorham (Gorham W.F., « A new general synthetic method for the preparation of linear poly-pxylylenes », J. Polym. Sci. A-1, 4 (1996) 3027) et est généralement mis en oeuvre par la société COMELEC, selon l'enseignement du brevet EP 1 672 394 B1 dont elle est co-titulaire. D'autres techniques de dépôt chimique en phase gazeuse ont aussi été étudiées sans l'utilisation de solvants. Ainsi, l'article de K. Chan et K. Gleason, "Photoinitiated chemical vapor deposition of polymeric thin films using a volatile photo initiator", Langmuir 2005, 21, pages 11773-11779, décrit le dépôt de films fins de polymères, à partir de monomères, par mécanisme à radicaux libres. Le procédé de dépôt, ou photo-CVD, est effectué en phase sèche, en une seule étape, et utilise la photolyse d'un photo-initiateur gazeux en présence d'un monomère gazeux. Dans ce procédé, la phase gazeuse, le dépôt en formation et le substrat sont simultanément irradiés par les photons. Dans cet article, un exemple de réalisation décrit un procédé CVD opéré en présence d'un monomère gazeux, le glycidyl méthacrylate (GMA), et d'un photo-initiateur gazeux, le 2,2'-azobis (2-méthylpropane) (ABMP). Un film de poly(glycidyl méthacrylate) (PGMA) est ainsi déposé sur un substrat de silice. La photo-initiation est effectuée dans une chambre sous vide qui contient le substrat, équipée d'une source externe de lumière UV, à une intensité de 350 à 400 nanomètres. Tous les procédés décrits ci-dessus présentent cependant l'inconvénient d'être réalisés à une très basse pression de travail. Dans le cas où le film polymère est destiné à encapsuler un liquide, cette basse pression de travail limite la nature des liquides à encapsuler à ceux qui ont une tension de vapeur très basse à la température de dépôt. La température de dépôt est généralement la température régnant au voisinage du substrat. En outre, un des inconvénients de ces procédés de l'art antérieur est que la pression de travail n'est généralement pas contrôlée. En effet, cette pression de travail varie au cours de la croissance du film polymère. Un autre de ces inconvénients est que la vitesse de dépôt n'est pas constante. C'est pourquoi l'épaisseur des dépôts est généralement difficile à contrôler. Ainsi, un inconvénient majeur des procédés de l'art antérieur est l'absence de reproductibilité du dépôt de film polymère. La présente demande de brevet vise à remédier aux inconvénients de l'art antérieur. A cet effet, l'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse d'un film polymère sur un substrat, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte les deux étapes successives distinctes suivantes : - une étape d'activation photonique de la phase gazeuse, dans laquelle une énergie d'activation photonique est fournie à au moins un précurseur de polymère gazeux présent dans une composition principalement gazeuse, et - une étape de dépôt en phase gazeuse, dans laquelle on dépose le précurseur de polymère gazeux activé, issu de l'étape d'activation photonique, sur un substrat, de façon à former un film polymère sur le substrat. Par suite, l'activation photonique selon l'invention n'est pas réalisée au voisinage du substrat. Le substrat et le film en croissance sur le substrat sont avantageusement protégés d'une éventuelle dégradation par l'activation photonique. Thus, the coating of parylene®, or poly-p-xylylene, deposited by CVD, has many characteristics very interesting for these industries. The deposition is carried out under vacuum evaporation at room temperature, in the absence of a solvent, and gives rise to the production of a semicrystalline transparent film. The deposition process is known as the Gorham method (Gorham WF, "A new general synthetic method for the preparation of linear poly-pxylylenes", J. Polym Sci.A-1, 4 (1996) 3027) and is generally implemented by the COMELEC company, according to the teaching of the patent EP 1 672 394 B1 of which it is co-holder. Other chemical vapor deposition techniques have also been studied without the use of solvents. Thus, the article by K. Chan and K. Gleason, "Photoinitiated chemical vapor deposition of polymeric thin films using a volatile photo initiator", Langmuir 2005, 21, pages 11773-11779, describes the deposition of thin films of polymers, from monomers, by free radical mechanism. The deposition process, or photo-CVD, is carried out in the dry phase, in a single step, and uses the photolysis of a gaseous photoinitiator in the presence of a gaseous monomer. In this process, the gas phase, the formation deposit and the substrate are simultaneously irradiated by the photons. In this article, an exemplary embodiment describes a CVD process operated in the presence of a gaseous monomer, glycidyl methacrylate (GMA), and a gaseous photoinitiator, 2,2'-azobis (2-methylpropane) ( ABMP). A poly (glycidyl methacrylate) film (PGMA) is thus deposited on a silica substrate. Photo-initiation is performed in a vacuum chamber that contains the substrate, equipped with an external source of UV light, at an intensity of 350 to 400 nanometers. All the processes described above, however, have the disadvantage of being performed at a very low working pressure. In the case where the polymer film is intended to encapsulate a liquid, this low working pressure limits the nature of the liquids to be encapsulated to those with a very low vapor pressure at the deposition temperature. The deposition temperature is generally the temperature prevailing in the vicinity of the substrate. In addition, one of the disadvantages of these methods of the prior art is that the working pressure is generally not controlled. Indeed, this working pressure varies during the growth of the polymer film. Another of these disadvantages is that the deposition rate is not constant. This is why the thickness of the deposits is generally difficult to control. Thus, a major disadvantage of the processes of the prior art is the lack of reproducibility of the polymer film deposition. The present patent application aims to remedy the disadvantages of the prior art. For this purpose, the invention relates to a process for the chemical vapor deposition of a polymer film on a substrate, said process being characterized in that it comprises the following two distinct successive steps: a photonic activation step of the gaseous phase, in which a photon activation energy is supplied to at least one gaseous polymer precursor present in a predominantly gaseous composition, and a gaseous phase deposition step, in which the gaseous polymer precursor is deposited, from the photonic activation step, on a substrate, so as to form a polymer film on the substrate. As a result, the photon activation according to the invention is not carried out in the vicinity of the substrate. The substrate and the film growing on the substrate are advantageously protected from possible degradation by photon activation.
Ainsi, de manière particulièrement avantageuse selon l'invention, l'activation photonique permet d'apporter sélectivement de l'énergie de façon à décomposer les précurseurs de polymères, sans pour autant perturber le substrat et la phase gazeuse au voisinage du substrat. Thus, in a particularly advantageous manner according to the invention, the photonic activation makes it possible to selectively supply energy so as to decompose the polymer precursors, without disturbing the substrate and the gas phase in the vicinity of the substrate.
Un autre des avantages de l'invention est que le procédé est particulièrement fiable et industrialisable. D'autre part, il est possible de déposer, selon le procédé de l'invention, une très grande variété de films polymères sur des substrats. Les rayonnements d'activation photonique sont généralement des rayonnements UV (ou Ultra Violet), le plus souvent à une longueur d'onde de 200 à 400 nm. Le substrat est généralement solide et en silice, en verre, en quartz, en polymère, ou en métal. Le substrat peut même être photosensible puisque, dans le procédé de l'invention, le substrat n'est pas irradié par les rayonnements d'activation photonique. Le substrat peut aussi comporter au moins une cavité dans laquelle du liquide peut être déposé, qui est généralement une microcuve. Une telle microcuve comprend au moins une paroi le plus souvent en polymère (organique, inorganique ou hybride, i.e. mélange inorganique û organique), silice, verre ou quartz, de préférence en polymère. Ce polymère est aussi appelé résine. Dans un mode particulièrement préféré de réalisation de l'invention, le film polymère recouvre au moins partiellement du liquide déposé sur le substrat et de préférence au moins en partie du substrat attenant audit liquide. Another advantage of the invention is that the process is particularly reliable and industrializable. On the other hand, it is possible to deposit, according to the method of the invention, a very large variety of polymeric films on substrates. Photon activation radiation is generally UV (or Ultra Violet) radiation, most often at a wavelength of 200 to 400 nm. The substrate is generally solid and silica, glass, quartz, polymer, or metal. The substrate can even be photosensitive since, in the method of the invention, the substrate is not irradiated by photon activation radiation. The substrate may also include at least one cavity in which liquid may be deposited, which is generally a microcuvette. Such a microcuvette comprises at least one wall, most often made of polymer (organic, inorganic or hybrid, i.e. inorganic-organic mixture), silica, glass or quartz, preferably of polymer. This polymer is also called resin. In a particularly preferred embodiment of the invention, the polymer film at least partially covers the liquid deposited on the substrate and preferably at least partly the substrate adjacent to said liquid.
C'est le cas en particulier quand le film polymère est déposé sur un substrat comportant au moins une microcuve dans laquelle au moins un liquide est déposé. Ainsi, le procédé selon l'invention permet d'encapsuler un liquide qui est initialement présent sur le substrat, c'est-à-dire d'envelopper totalement ledit liquide par un film polymère et par une partie du substrat. Le plus souvent, le liquide est enfermé dans une enveloppe constituée d'une partie du film polymère et d'une partie du substrat. Cette enveloppe peut être étanche ou non. En particulier, le substrat peut être formé d'une pluralité de microcuves, chaque microcuve ayant au moins une paroi commune avec une autre microcuve, et le film déposé selon l'invention peut être étanche et venir sceller l'ensemble des microcuves dans lequel repose au moins un liquide, ou seulement au moins deux microcuves. Il est aussi possible que le film déposé selon l'invention ne soit pas étanche, les liquides des différentes microcuves pouvant se mélanger entre eux. This is the case in particular when the polymer film is deposited on a substrate comprising at least one microcuvette in which at least one liquid is deposited. Thus, the method according to the invention makes it possible to encapsulate a liquid that is initially present on the substrate, that is to say to completely wrap said liquid with a polymer film and a portion of the substrate. Most often, the liquid is enclosed in an envelope consisting of a portion of the polymer film and a portion of the substrate. This envelope can be waterproof or not. In particular, the substrate may be formed of a plurality of microcups, each microcuvette having at least one common wall with another microcuvette, and the deposited film according to the invention may be sealed and seal all the microcuvettes in which rests at least one liquid, or only at least two microcuvettes. It is also possible that the film deposited according to the invention is not waterproof, the liquids of the different microcuvettes can be mixed together.
Avantageusement, le procédé selon l'invention, dans lequel on ne procède pas à une activation photonique au voisinage du substrat, permet d'effectuer un dépôt de film polymère sur un liquide ayant une faible pression de vapeur saturante de liquide à la température de dépôt. De préférence, selon l'invention, ledit liquide présente une pression de vapeur saturante inférieure à 100 Pa, de préférence inférieure à 10 Pa, à la température de dépôt. Or, le brevet EP 1 672 394 B1 mentionne une pression totale dans la chambre de dépôt de 7 Pa à la température de dépôt, et indique que la pression de vapeur saturante du liquide à encapsuler doit être inférieure à cette pression, et idéalement inférieure à 0,7 Pa à la température de dépôt. Selon l'invention, la pression de travail peut donc être notablement et avantageusement supérieure à la pression de travail du procédé de dépôt de parylène selon l'art antérieur. Ainsi, le procédé selon l'invention peut avantageusement être mis en oeuvre à une pression de dépôt proche de la pression atmosphérique et/ou à une température proche de la température ambiante (environ 20°C). En particulier, le procédé selon l'invention est tel que la température de la phase gazeuse est comprise dans une fourchette de 20 à 100°C, de préférence de 50 à 70°C, dans l'étape d'activation photonique, et que, dans l'étape de dépôt en phase gazeuse, la pression totale de la phase gazeuse est comprise dans une fourchette de 102 à 105 Pa, de préférence de 102 à 4.103 Pa, et la température du substrat est comprise dans une fourchette de -10 à 50°C, de préférence de 20 à 30°C. Le précurseur de polymère est généralement un monomère photo-polymérisable à la longueur d'onde de l'activation UV, et il peut généralement être utilisé avec ou sans photo-initiateur de polymérisation. Selon l'invention, le précurseur est de préférence choisi dans le groupe formé par les monomères : dérivés acryliques (tels que des époxy acrylates, des uréthanes acrylates, des polyesters acrylates), dérivés méthacryliques, dérivés parylènes, dérivés du styrène, dérivés itaconiques, dérivés fumariques, halogénures de vinyle, esters vinyliques, éthers vinyliques, et vinyles hétéroaromatiques ; et de façon encore plus préférée choisi dans le groupe formé par le poly(éthylène glycol) diacrylate (PEGDA), le poly(éthylène glycol) méthacrylate (PEGMA), le 2-hydroxy éthyl méthacrylate (HEMA), l'acide acrylique (AA), l'éthyl acrylate (EA), le méthyl méthacrylate (MMA) et le di-chloro-di-p-xylylène (dichloro [2,2]paracyclophane). Advantageously, the process according to the invention, in which a photon activation is not carried out in the vicinity of the substrate, makes it possible to deposit a polymer film on a liquid having a low saturation vapor pressure of liquid at the deposition temperature. . Preferably, according to the invention, said liquid has a saturation vapor pressure of less than 100 Pa, preferably less than 10 Pa, at the deposition temperature. However, patent EP 1 672 394 B1 mentions a total pressure in the deposition chamber of 7 Pa at the deposition temperature, and indicates that the saturated vapor pressure of the liquid to be encapsulated must be less than this pressure, and ideally less than 0.7 Pa at the deposition temperature. According to the invention, the working pressure can therefore be significantly and advantageously greater than the working pressure of the parylene deposition process according to the prior art. Thus, the process according to the invention can advantageously be carried out at a deposition pressure close to atmospheric pressure and / or at a temperature close to ambient temperature (approximately 20 ° C.). In particular, the process according to the invention is such that the temperature of the gaseous phase is in a range of 20 to 100 ° C, preferably 50 to 70 ° C, in the photonic activation step, and that in the gas phase deposition step, the total pressure of the gas phase is in the range of 102 to 105 Pa, preferably 102 to 4.103 Pa, and the temperature of the substrate is in a range of -10 at 50 ° C, preferably 20 to 30 ° C. The polymer precursor is generally a photopolymerizable monomer at the wavelength of UV activation, and can generally be used with or without a polymerization photoinitiator. According to the invention, the precursor is preferably chosen from the group formed by the monomers: acrylic derivatives (such as epoxy acrylates, acrylate urethanes, acrylate polyesters), methacrylic derivatives, parylene derivatives, styrene derivatives, itaconic derivatives, fumaric derivatives, vinyl halides, vinyl esters, vinyl ethers, and heteroaromatic vinyls; and still more preferably selected from the group consisting of poly (ethylene glycol) diacrylate (PEGDA), poly (ethylene glycol) methacrylate (PEGMA), 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA), acrylic acid (AA ), ethyl acrylate (EA), methyl methacrylate (MMA) and di-chloro-di-p-xylylene (dichloro [2,2] paracyclophane).
Mais ce peut aussi être un mélange, par exemple de thiol et de polyène, ou un monomère multifonctionnel tel qu'un di ou tri acrylate comme le 1,6 hexanediol diacrylalate (HDDA) ou le pentaerythritol triacrylate (PETA), ou diénique comme le divinyl benzène ou le butadiène ou l'isoprène. Bien entendu, tout autre précurseur de polymère que pourrait envisager l'homme du métier est aussi compris dans le cadre de l'invention. Selon l'invention, le précurseur de polymère peut être sous forme gazeuse, auquel cas il alimente directement, seul ou en mélange gazeux, l'étape d'activation photonique. Mais ledit précurseur de polymère peut aussi être sous forme liquide ou solide, auquel cas le procédé de l'invention comporte au moins une étape supplémentaire, destinée à fournir le précurseur de polymère, seul ou en mélange, sous forme gazeuse pour l'étape d'activation photonique. Ainsi, le procédé selon l'invention peut comporter en outre au moins une étape de vaporisation, de bullage ou de sublimation, qui permet l'alimentation en précurseur de polymère gazeux. Le précurseur de polymère peut être sous forme liquide quand il est soit sous forme liquide, soit solubilisé dans un solvant lui-même liquide. But it can also be a mixture, for example thiol and polyene, or a multifunctional monomer such as a di or tri acrylate such as 1,6 hexanediol diacrylalate (HDDA) or pentaerythritol triacrylate (PETA), or diene as the divinyl benzene or butadiene or isoprene. Of course, any other polymer precursor that could be envisaged by those skilled in the art is also included within the scope of the invention. According to the invention, the polymer precursor may be in gaseous form, in which case it feeds directly, alone or as a gas mixture, the photonic activation step. But said polymer precursor can also be in liquid or solid form, in which case the process of the invention comprises at least one additional step, intended to provide the polymer precursor, alone or as a mixture, in gaseous form for step d photonic activation. Thus, the method according to the invention may further comprise at least one vaporization step, bubbling or sublimation, which allows the supply of gaseous polymer precursor. The polymer precursor may be in liquid form when it is either in liquid form or solubilized in a solvent itself liquid.
Selon l'invention, lorsque le précurseur de polymère est sous forme liquide, le procédé comporte en outre, de préférence, au moins une étape de vaporisation, ladite étape de vaporisation étant réalisée préalablement à l'étape d'activation photonique, et permettant l'alimentation en précurseur de polymère gazeux. Ladite étape de vaporisation peut éventuellement être précédée d'une étape d'injection liquide, qui permet l'injection du précurseur de polymère liquide. Ainsi, selon un mode de réalisation de l'invention, lorsque le précurseur de polymère est sous forme liquide, le procédé peut comporter en outre, de préférence, au moins une étape d'injection liquide suivie d'une étape de vaporisation, lesdites étapes d'injection liquide et de vaporisation étant réalisées préalablement à l'étape d'activation photonique, et ladite étape de vaporisation permettant l'alimentation en précurseur de polymère gazeux. According to the invention, when the polymer precursor is in liquid form, the method preferably further comprises at least one vaporization step, said vaporization step being carried out prior to the photonic activation step, and allowing the supply of gaseous polymer precursor. Said vaporization step may optionally be preceded by a liquid injection step, which allows the injection of the liquid polymer precursor. Thus, according to one embodiment of the invention, when the polymer precursor is in liquid form, the process may further comprise, preferably, at least one liquid injection step followed by a vaporization step, said steps liquid injection and vaporization being carried out prior to the photonic activation step, and said vaporization step for feeding gaseous polymer precursor.
L'étape d'injection liquide peut être une étape d'injection liquide pulsée. Selon un mode de réalisation de l'invention, lorsque le précurseur de polymère est sous forme liquide, le procédé peut comporter en outre, au moins une étape de bullage, ladite étape de bullage étant réalisée par passage d'au moins un gaz vecteur dans du précurseur de polymère liquide préalablement à l'étape d'activation photonique, et ladite étape de bullage permettant l'alimentation en précurseur de polymère gazeux. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, lorsque le précurseur de polymère est sous forme solide, le procédé comporte en outre au moins une étape de sublimation, qui permet l'alimentation en précurseur de polymère gazeux. Ladite étape de sublimation est réalisée préalablement à l'étape d'activation photonique. Le procédé selon l'invention permet donc, avantageusement, l'alimentation en précurseur de polymère gazeux à partir d'un composé gazeux, liquide ou solide. Le précurseur de polymère prêt à subir une activation photonique se trouve généralement sous forme gazeuse,. Dans tous les cas, la composition principalement gazeuse, de préférence totalement gazeuse, peut comporter un autre composé en plus du précurseur de polymère. Cet autre composé, qui est par exemple un photo initiateur, peut être fourni en même temps et dans la même phase que le précurseur de polymère alimentant l'étape d'activation photonique. Cet autre composé est le plus souvent choisi dans le groupe formé par 5 des solvants du précurseur de polymère, des photo initiateurs et des gaz vecteurs. Ainsi, l'invention concerne aussi le cas où la composition gazeuse comporte, outre le précurseur de polymère, au moins un élément choisi dans le groupe formé par des solvants du précurseur de polymère, des photo initiateurs 10 et des gaz vecteurs. Parmi les gaz vecteurs, inertes ou non, on peut citer l'azote. Le photo-initiateur est généralement un composé qui peut être activé par les UV à la longueur d'onde choisie, et former des radicaux réactifs afin d'amorcer la réaction de polymérisation. Le photo initiateur peut être choisi, par 15 exemple, dans la famille des cétals benzyliques, des benzoïnes, des cétones aamino aromatiques, des oxydes d'acylphosphines, des a-hydroxycétones, et des phénylglyoxylates. Le photoinitiateur est de façon particulièrement préférée choisi parmi les composés suivants : le 1-hydroxy-cyclohexyl-phényl-cétone (IRGACURE® 184 commercialisé par la société CIBA) et le 2-hydroxy-2- 20 méthyl-1-phényl-1-propanone (DAROCUR® 1173 commercialisé par la société CIBA). Dans une variante préférée de l'invention, l'étape de dépôt en phase gazeuse s'effectue de telle façon que le précurseur de polymère gazeux, seul ou en mélange, arrive sur le substrat en un flux de phase gazeuse 25 perpendiculaire à la surface du substrat. Avantageusement, cela permet de mieux contrôler l'épaisseur du film polymère ainsi que la reproductibilité d'un tel dépôt. De façon particulièrement préférée, le substrat effectue en outre un mouvement dans une direction perpendiculaire audit flux de phase gazeuse, ce 30 qui permet de déposer en continu une grande surface de film polymère, et ce qui permet un meilleur contrôle du dépôt. The liquid injection step may be a pulsed liquid injection step. According to one embodiment of the invention, when the polymer precursor is in liquid form, the method may further comprise at least one bubbling step, said bubbling step being carried out by passing at least one carrier gas in liquid polymer precursor prior to the photonic activation step, and said bubbling step for feeding gaseous polymer precursor. In another embodiment of the invention, when the polymer precursor is in solid form, the method further comprises at least one sublimation step, which allows the supply of gaseous polymer precursor. Said sublimation step is performed prior to the photonic activation step. The method according to the invention therefore advantageously allows the supply of gaseous polymer precursor from a gaseous compound, liquid or solid. The polymer precursor ready for photonic activation is generally in gaseous form. In all cases, the mainly gaseous composition, preferably completely gaseous, may comprise another compound in addition to the polymer precursor. This other compound, which is for example an initiator photo, can be provided at the same time and in the same phase as the polymer precursor feeding the photonic activation step. This other compound is most often selected from the group consisting of solvents of the polymer precursor, photoinitiators and carrier gases. Thus, the invention also relates to the case where the gaseous composition comprises, in addition to the polymer precursor, at least one element selected from the group consisting of solvents of the polymer precursor, photoinitiators and carrier gases. Among the carrier gases, inert or not, mention may be made of nitrogen. The photoinitiator is generally a compound that can be activated by UV at the selected wavelength, and form reactive radicals to initiate the polymerization reaction. The initiator photo may be selected, for example, from the family of benzylic ketals, benzoines, aromatic amino ketones, acylphosphine oxides, α-hydroxyketones, and phenylglyoxylates. The photoinitiator is particularly preferably chosen from the following compounds: 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl ketone (IRGACURE® 184 marketed by CIBA) and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-one propanone (DAROCUR® 1173 sold by the company CIBA). In a preferred variant of the invention, the gas phase deposition step is carried out in such a way that the gaseous polymer precursor, alone or as a mixture, arrives on the substrate in a gaseous phase flow perpendicular to the surface. of the substrate. Advantageously, this makes it possible to better control the thickness of the polymer film as well as the reproducibility of such a deposit. Particularly preferably, the substrate further moves in a direction perpendicular to said gaseous phase flow, thereby continuously depositing a large area of polymeric film, and allowing for better deposit control.
De même, de façon particulièrement préférée, le substrat effectue en outre un mouvement de rotation dans un plan perpendiculaire audit flux de phase gazeuse, ce qui permet de déposer en continu une grande surface de film polymère, et ce qui permet un meilleur contrôle du dépôt. Also, in a particularly preferred manner, the substrate further rotates in a plane perpendicular to said gaseous phase flow, thereby continuously depositing a large area of polymer film, and which allows better control of the deposit. .
Le liquide partiellement recouvert par le film polymère déposé selon le procédé de l'invention est par exemple choisi dans le groupe formé par des huiles, des solvants organiques, à haut ou bas point d'ébullition, des liquides contenant au moins un colorant sensible à la température et aux UV, de préférence un colorant sensible aux UV, par exemple un colorant photochromique. L'invention concerne aussi un dispositif tout particulièrement utile pour la mise en oeuvre du procédé tel que décrit précédemment. Selon l'invention, un tel dispositif est un dispositif de dépôt chimique en phase gazeuse comportant au moins une chambre d'activation photonique, au moins une chambre de dépôt en phase gazeuse, au moins un moyen d'alimentation de réactif de la chambre d'activation photonique, le dispositif étant tel que les deux chambres sont distinctes et qu'il comporte au moins un moyen de circulation de gaz depuis la chambre d'activation photonique jusqu'à la chambre de dépôt en phase gazeuse. The liquid partially coated with the polymer film deposited according to the process of the invention is for example selected from the group consisting of oils, organic solvents, high or low boiling liquids containing at least one dye sensitive to the temperature and UV, preferably a UV-sensitive dye, for example a photochromic dye. The invention also relates to a device that is particularly useful for carrying out the method as described above. According to the invention, such a device is a chemical vapor deposition device comprising at least one photonic activation chamber, at least one gas phase deposition chamber, at least one reagent supplying means of the reaction chamber. photonic activation, the device being such that the two chambers are distinct and that it comprises at least one gas circulation means from the photonic activation chamber to the deposition chamber in the gas phase.
Le moyen de circulation de gaz depuis la chambre d'activation photonique jusqu'à la chambre de dépôt en phase gazeuse peut être un conduit. Ce conduit peut être apte à être chauffé, c'est-à-dire associé à au moins un moyen de chauffage. La chambre d'activation photonique est apte à être chauffée. Cela peut 25 permettre de contrôler la température des composés présents dans cette chambre. La chambre de dépôt en phase gazeuse est apte à être chauffée ou refroidie. Cela peut permettre de contrôler la température des composés présents dans ces chambres. 30 De préférence, ledit dispositif comporte en outre une chambre de mélange située en amont de la chambre d'activation, dans le sens de circulation de gaz, ladite chambre de mélange étant reliée à au moins un moyen d'alimentation de réactif de la chambre de mélange et au moins un moyen d'alimentation de gaz vecteur, ladite chambre de mélange étant en outre apte à mélanger au moins un gaz et au moins un réactif. La présence d'au moins deux moyens distincts d'alimentation permet avantageusement l'ajustement des proportions et débit total des espèces présentes dans la chambre de mélange. La chambre de mélange est apte à être chauffée. Cela peut permettre de contrôler la température des composés présents dans cette chambre. Le moyen d'alimentation de réactif, qu'il alimente la chambre de mélange ou la chambre d'activation photonique, peut être un moyen d'injection liquide, pulsée ou non, de préférence un moyen d'injection liquide pulsée, et être associé à un moyen de vaporisation. Mais le moyen d'alimentation de réactif peut aussi être un simple conduit d'alimentation, par exemple de liquide, associé audit moyen de vaporisation. The gas flow means from the photonic activation chamber to the gas phase deposition chamber may be a conduit. This duct may be able to be heated, that is to say associated with at least one heating means. The photonic activation chamber is able to be heated. This can control the temperature of the compounds present in this chamber. The gas phase deposition chamber is capable of being heated or cooled. This can control the temperature of the compounds present in these chambers. Preferably, said device further comprises a mixing chamber located upstream of the activation chamber, in the gas flow direction, said mixing chamber being connected to at least one reagent supplying means of the chamber. mixture and at least one carrier gas supply means, said mixing chamber being further capable of mixing at least one gas and at least one reagent. The presence of at least two distinct means of feeding advantageously allows the adjustment of the proportions and total flow of the species present in the mixing chamber. The mixing chamber is able to be heated. This can help control the temperature of the compounds present in this chamber. The reagent supply means, which feeds the mixing chamber or the photonic activation chamber, may be a liquid injection means, pulsed or not, preferably a pulsed liquid injection means, and be associated to a vaporization means. But the reagent supply means may also be a simple supply line, for example liquid, associated with said vaporization means.
Le moyen d'alimentation de réactif peut aussi être un moyen d'alimentation gazeuse. De préférence, le moyen d'alimentation gazeuse est alimenté par au moins un moyen de vaporisation, de bullage ou de sublimation. Par exemple un moyen de sublimation permet d'alimenter le moyen d'alimentation gazeuse, qui est un simple conduit, chauffé ou non, débouchant dans la chambre d'activation photonique ou la chambre de mélange. Ainsi, selon l'invention, le dispositif peut comprendre en outre au moins un moyen parmi les moyens de vaporisation, les moyens de bullage et les moyens de sublimation, et de préférence le dispositif comprend en outre un moyen de vaporisation. En particulier, selon l'invention, le dispositif comporte en outre au moins un moyen de régulation de la pression totale dans la chambre de dépôt. Avantageusement, cela permet une homogénéité structurale et des propriétés du dépôt. The reagent supply means may also be a gas supply means. Preferably, the gaseous feed means is fed with at least one means of vaporization, bubbling or sublimation. For example, a sublimation means makes it possible to feed the gas supply means, which is a simple duct, heated or not, opening into the photonic activation chamber or the mixing chamber. Thus, according to the invention, the device may further comprise at least one of the vaporization means, the bubbling means and the sublimation means, and preferably the device further comprises a vaporization means. In particular, according to the invention, the device further comprises at least one means for regulating the total pressure in the deposition chamber. Advantageously, this allows a structural homogeneity and properties of the deposit.
L'invention sera mieux comprise à la lecture des figures suivantes, parmi lesquelles : - la figure 1 représente schématiquement un dispositif selon l'invention comportant une chambre R de mélange; - la figure 2 représente schématiquement la chambre R, dans le cas où le précurseur de polymère est liquide et où la chambre R est une chambre RL de mélange et de vaporisation, ainsi que le dispositif d'alimentation en amont de cette chambre RL; et - la figure 3 représente schématiquement la chambre R, ici RG, dans le cas où le précurseur de polymère est gazeux, et le dispositif d'alimentation en amont de cette chambre RG. The invention will be better understood on reading the following figures, among which: FIG. 1 schematically represents a device according to the invention comprising a mixing chamber R; - Figure 2 shows schematically the chamber R, in the case where the polymer precursor is liquid and where the chamber R is a chamber RL mixing and vaporization, and the supply device upstream of the chamber RL; and FIG. 3 schematically represents the chamber R, here RG, in the case where the polymer precursor is gaseous, and the supply device upstream of this chamber RG.
Deux variantes du dispositif selon l'invention sont représentées aux figures 1 à 3, selon que le précurseur de polymère est liquide (combinaison des figures 1 et 2, première variante) ou gazeux (combinaison des figures 1 et 3, seconde variante). Le dispositif 1 comporte un conduit d'alimentation 10 en espèces, en particulier réactives, un conduit d'alimentation 11 en au moins un gaz vecteur, par exemple tel que de l'azote N2, ces deux conduites 10 et 11 alimentant une chambre R de mélange. Le gaz vecteur est un gaz inerte de transport, et permet avantageusement d'ajuster la dilution et le débit total de la phase gazeuse qui traverse la zone d'activation UV. Two variants of the device according to the invention are shown in FIGS. 1 to 3, depending on whether the polymer precursor is liquid (combination of FIGS. 1 and 2, first variant) or gaseous (combination of FIGS. 1 and 3, second variant). The device 1 comprises a supply duct 10 in cash, in particular reactive, a supply duct 11 in at least one carrier gas, for example such as nitrogen N2, these two ducts 10 and 11 feeding a chamber R mixture. The carrier gas is an inert gas of transport, and advantageously makes it possible to adjust the dilution and the total flow rate of the gaseous phase which passes through the UV activation zone.
Un conduit 12 de sortie de la chambre R effectue l'alimentation d'une zone Z d'activation UV. La zone Z comprend quatre lampes, parmi lesquelles deux lampes UV 42 et 43 sont représentées sur la figure 1, destinées à activer tout composé réactif (aux UV à la longueur d'onde mise en oeuvre) qui traverse une chambre 4 située au sein de la zone Z. La chambre 4 est la chambre d'activation photonique selon l'invention. La chambre 4 est constituée d'un tube de quartz. Les quatre lampes de la zone Z travaillent en général à 250 nanomètres. Mais une autre quantité de lampes et une autre valeur de longueur d'onde peuvent aussi être choisies par l'homme du métier. La chambre 4 est alimentée par les espèces, en particulier réactives, issues de la chambre R, par le conduit 12. An outlet duct 12 of the chamber R feeds a zone Z of UV activation. Zone Z comprises four lamps, among which two UV lamps 42 and 43 are shown in FIG. 1, intended to activate any reactive compound (with UV at the wavelength used) which passes through a chamber 4 located within the zone Z. The chamber 4 is the photonic activation chamber according to the invention. The chamber 4 consists of a quartz tube. The four lamps in Zone Z typically work at 250 nanometers. But another quantity of lamps and another wavelength value may also be chosen by those skilled in the art. The chamber 4 is fed with the species, in particular the reactive species, coming from the chamber R, via the conduit 12.
Du gaz circule par un moyen de circulation de gaz (non représenté), qui est par exemple un conduit, depuis la chambre 4 jusqu'à une chambre 5 de dépôt qui est la chambre de dépôt en phase gazeuse de l'invention. Selon la représentation de la figure 1, la chambre 5 est située en aval et au-dessous, à la verticale, de la chambre 4. Un substrat 6, généralement sous forme de plaque, est placé au sein de la chambre de dépôt 5, de façon à ce que le flux gazeux de matières, en particulier activées par les UV, qui provient de la chambre 4 arrive perpendiculairement au plan du substrat 6. Une flèche F indique une possibilité de déplacement en translation du substrat 6 de façon à ce que le film polymère soit déposé le plus régulièrement possible et sur une surface la plus étendue possible du substrat 6. Une vanne de remise à l'air 7 est associée à la chambre de dépôt 5. Un conduit 8 permet d'alimenter une chambre de régulation de pression 9 à partir de la chambre 5. La chambre 9 est alimentée par un conduit de pompage 14 et est reliée en sortie à un conduit de régulation de pression 13, qui permet au surplus de gaz d'être évacué. L'ensemble (8, 9, 13, 14) constitue un moyen de régulation de la pression totale dans la chambre 5, sous la forme d'un système de pompage avec régulation automatique de la pression. Avantageusement selon l'invention, le dispositif 1 permet de réaliser des films minces de polymères, en particulier à une pression proche de 1 Torr (soit 100 Pa), et avec un mode d'activation de la phase gazeuse et uniquement de la phase gazeuse. Gas flows through a gas flow means (not shown), which is for example a conduit, from the chamber 4 to a deposition chamber 5 which is the gas phase deposition chamber of the invention. According to the representation of FIG. 1, the chamber 5 is located downstream and below, vertically, of the chamber 4. A substrate 6, generally in the form of a plate, is placed within the deposition chamber 5, so that the gaseous flow of materials, in particular activated by the UV, which comes from the chamber 4 arrives perpendicularly to the plane of the substrate 6. An arrow F indicates a possibility of displacement in translation of the substrate 6 so that the polymer film is deposited as regularly as possible and over as wide a surface as possible of the substrate 6. An air release valve 7 is associated with the deposition chamber 5. A conduit 8 makes it possible to feed a control chamber pressure 9 from the chamber 5. The chamber 9 is fed by a pumping conduit 14 and is connected at the output to a pressure regulating conduit 13, which allows the excess gas to be evacuated. The assembly (8, 9, 13, 14) constitutes a means of regulating the total pressure in the chamber 5, in the form of a pumping system with automatic regulation of the pressure. Advantageously according to the invention, the device 1 makes it possible to produce thin films of polymers, in particular at a pressure close to 1 Torr (ie 100 Pa), and with a mode of activation of the gaseous phase and only of the gaseous phase .
La figure 2 représente schématiquement la chambre RL de mélange et de vaporisation, dans le cas où le précurseur de polymère est liquide, ainsi que le dispositif d'alimentation en amont de cette chambre RL, dans le cadre de la première variante du dispositif selon l'invention combinant les figures 1 et 2. Par rapport à la chambre R, la chambre RL comporte au moins un moyen de vaporisation (non représenté), constitué en général par au moins un moyen de chauffage. Le conduit 10 débouche sur un système d'injection liquide pulsée 37. FIG. 2 diagrammatically represents the mixing and vaporization chamber RL, in the case where the polymer precursor is liquid, as well as the supply device upstream of this chamber RL, in the context of the first variant of the device according to FIG. The invention combines FIGS. 1 and 2. With respect to the chamber R, the chamber RL comprises at least one vaporization means (not shown), generally constituted by at least one heating means. The conduit 10 opens onto a pulsed liquid injection system 37.
Dans le cas représenté sur la figure 2, le liquide d'alimentation de la chambre RL comprend soit un solvant de nettoyage soit un monomère (qui est le réactif). En effet, un réservoir de solvant pressurisé 15 et un réservoir de monomère liquide (ou en solution) pressurisé 16 peuvent alimenter, respectivement par un conduit 20 régulé par une vanne 17 et par un conduit 21 régulé par une vanne 18, un conduit 10. Le conduit 10 débouche sur l'injecteur 37 qui alimente la chambre de mélange et de vaporisation RL. La chambre RL fournit par le conduit 12 un flux gazeux alimentant la chambre 4. Ledit flux gazeux comprend le réactif à l'état gazeux. In the case shown in FIG. 2, the liquid supplying the chamber RL comprises either a cleaning solvent or a monomer (which is the reagent). Indeed, a pressurized solvent tank 15 and a liquid monomer reservoir (or in solution) pressurized 16 can supply, respectively via a conduit 20 regulated by a valve 17 and a conduit 21 regulated by a valve 18, a conduit 10. The conduit 10 opens on the injector 37 which feeds the mixing and vaporization chamber RL. The chamber RL provides via the duct 12 a gas flow supplying the chamber 4. Said gas flow comprises the reagent in the gaseous state.
Selon l'invention, l'injecteur 37 est de préférence nettoyé par un produit liquide approprié, tel que le solvant de nettoyage, après chaque essai. La figure 3 représente schématiquement la chambre RG de mélange, dans le cas où le précurseur de polymère est gazeux, et le dispositif d'alimentation en amont de cette chambre RG, dans le cadre de la seconde variante du dispositif selon l'invention combinant les figures 1 et 3. Le moyen d'alimentation de réactif est le conduit 10, qui est alimenté par un moyen de sublimation (23, 24, 25, 26, 27, 28). La composition gazeuse comprenant le réactif comporte généralement d'autres espèces telles que du ou des solvants, un ou plusieurs gaz vecteurs, un ou plusieurs photo initiateurs. According to the invention, the injector 37 is preferably cleaned with a suitable liquid product, such as the cleaning solvent, after each test. FIG. 3 diagrammatically represents the mixing chamber RG, in the case where the polymer precursor is gaseous, and the supply device upstream of this chamber RG, in the context of the second variant of the device according to the invention combining the Figures 1 and 3. The reagent supplying means is the conduit 10, which is fed by a sublimation means (23, 24, 25, 26, 27, 28). The gaseous composition comprising the reagent generally comprises other species such as solvent (s), one or more carrier gases, or one or more photoinitiators.
Dans le cas représenté sur la figure 3, le flux gazeux d'alimentation comprend un photo initiateur, un gaz vecteur et un monomère. Sur la figure 3, un réservoir 29 de photo initiateur solide 31, régulé par des vannes 26, 27, et 28, et un conduit 33 d'alimentation en gaz vecteur alimentent respectivement en gaz vecteur et en photo initiateur sublimé, par un conduit 35, régulé par une vanne 19, un conduit de mélange 10. De la même façon, un réservoir 30 de monomère solide 32, régulé par des vannes 23, 24, et 25, et un conduit 34 d'alimentation en gaz vecteur alimentent respectivement en gaz vecteur et en monomère sublimé, par un conduit 36, régulé par une vanne 22, le conduit de mélange 10. In the case shown in FIG. 3, the feed gas stream comprises an initiator photo, a carrier gas and a monomer. In FIG. 3, a reservoir 29 of solid initiator photo 31, regulated by valves 26, 27, and 28, and a conduit 33 for supplying carrier gas respectively supply carrier gas and sublimated photoinitiator, via a conduit 35. , regulated by a valve 19, a mixing pipe 10. In the same way, a solid monomer reservoir 32, regulated by valves 23, 24, and 25, and a conduit 34 for supplying carrier gas respectively supply vector gas and sublimed monomer, through a conduit 36, regulated by a valve 22, the mixing duct 10.
Le conduit 10 débouche sur la chambre de mélange RG. La composition gazeuse qui sort de ladite chambre RG par le conduit 12 comprend le réactif monomère, le gaz vecteur et le photo initiateur à l'état gazeux. The conduit 10 opens on the mixing chamber RG. The gaseous composition that leaves said chamber RG through line 12 comprises the monomer reagent, the carrier gas and the initiator photo in the gaseous state.
De façon générale, l'homme du métier est à même d'adapter le dispositif selon l'invention, tel que représenté selon les deux variantes des figures 1 à 3, sans sortir du cadre de l'invention. Les exemples qui suivent illustrent l'invention sans en limiter la portée. 5 In general, the skilled person is able to adapt the device according to the invention, as shown in the two variants of Figures 1 to 3, without departing from the scope of the invention. The examples which follow illustrate the invention without limiting its scope. 5
Exemples L'invention a été mise en oeuvre selon des exemples illustratifs, et non 10 limitatifs, par la première variante du dispositif selon l'invention représentée sur les figures 1 et 2. Dans le cadre de ces exemples, le ou les produits réactifs étaient liquides. Ils ont été placés initialement dans le réservoir 16. Une pression a été appliquée pour les amener par le conduit 10 vers l'injecteur pulsé 37. Cet 15 injecteur 37 a permis de générer un spray, qui a ensuite été complètement vaporisé dans la chambre RL de vaporisation et de mélange. Les espèces réactives gazeuses arrivant dans la chambre RL ont été brassées par l'arrivée de gaz vecteur N2 par le conduit 11 et vaporisées grâce à un système de chauffage de ladite chambre RL, à une température en général 20 de 40 à 80°C. Les vapeurs réactives ont ensuite été entraînées par le gaz vecteur dans le conduit 12 puis dans le tube 4 de quartz transparent aux rayonnements utilisés, où elles ont subi une activation photonique à 254 nm, par les quatre lampes (42, 43) disposées autour de la chambre 4. 25 Les vapeurs activées par les radiations ont ensuite été conduites dans la chambre 5 de dépôt où elles se sont condensées et ont polymérisé sur le substrat 6 placé au centre de la chambre 5. La chambre 5 de dépôt a été laissée à température ambiante (environ 20°C). Le dispositif 1 était équipé d'un système de pompage et d'une régulation 30 automatique de pression (8, 9, 13, 14). Les vapeurs réactives qui n'ont pas réagi ont été piégées dans un piège à azote liquide (non représenté sur la Figure 1) situé en sortie de la chambre 5 de dépôt. EXAMPLES The invention was implemented according to illustrative and nonlimiting examples, by the first variant of the device according to the invention shown in FIGS. 1 and 2. In the context of these examples, the reactive product or products were liquids. They were initially placed in the reservoir 16. Pressure was applied to bring them via the conduit 10 to the pulsed injector 37. This injector 37 made it possible to generate a spray, which was then completely vaporized in the chamber RL Spraying and mixing. The reactive gaseous species arriving in the chamber RL were stirred by the arrival of carrier gas N2 via line 11 and vaporized by means of a heating system of said chamber RL, at a temperature in general of 40 to 80.degree. The reactive vapors were then entrained by the carrier gas in the conduit 12 and then in the quartz tube 4 transparent to the radiation used, where they underwent a photonic activation at 254 nm, by the four lamps (42, 43) arranged around the chamber 4. The radiation-activated vapors were then conducted to the deposition chamber 5 where they condensed and polymerized on the substrate 6 placed in the center of the chamber 5. The deposition chamber 5 was left at room temperature (about 20 ° C). Device 1 was equipped with a pumping system and automatic pressure regulation (8, 9, 13, 14). Unreacted reactive vapors were trapped in a liquid nitrogen trap (not shown in Figure 1) at the outlet of the deposition chamber.
Selon ces exemples, le procédé de dépôt selon l'invention a été appliqué avec succès à quelques cas. 1. Le polymère déposé a été le poly (acide acrylique) (PAA). Il a été réalisé à partir du monomère liquide : acide acrylique (tension de vapeur : 5,33 Torr soit 711 Pa à 20°C, viscosité 1,3 cp à 25°C) et sans ajout de photo-initiateur. Le substrat de silicium était à température ambiante et la pression de dépôt était de 20 Torr (2667 Pa), le débit de gaz vecteur (N2) étant de 500 sccm (soit 0,845 Pa.m3.s-'). 2. Le polymère déposé a été le poly (méthacrylate de méthyle) (PMMA). According to these examples, the deposition process according to the invention has been successfully applied to a few cases. 1. The deposited polymer was poly (acrylic acid) (PAA). It was made from the liquid monomer: acrylic acid (vapor pressure: 5.33 Torr or 711 Pa at 20 ° C., viscosity 1.3 cp at 25 ° C.) and without the addition of a photoinitiator. The silicon substrate was at room temperature and the deposition pressure was 20 Torr (2667 Pa), the carrier gas flow rate (N2) being 500 sccm (0.845 Pa.m.sup.-3). 2. The deposited polymer was poly (methyl methacrylate) (PMMA).
Il a été déposé à partir du monomère liquide : méthacrylate de méthyle (tension de vapeur : 38,7 Torr (5147 Pa) à 20°C, viscosité 0,7 cp à 25°C) et d'un photo-initiateur : l'IRGACURE®184, solubilisé dans le monomère (2% en masse). Les substrats de silicium et de verre étaient à température ambiante et la pression de dépôt était de 6 Torr (800 Pa). Le débit de gaz vecteur (N2) était de 250 sccm (soit 0,422 Pa.m3.s-'). Les deux films obtenus sur ces deux substrats étaient transparents pour une épaisseur moyenne de 400 nm. 3. L'hexadécane a été encapsulé avec le poly (hydroxyéthyl méthacrylate) (PHEMA). L'hexadécane ne solubilise pas le poly (hydroxyéthyl méthacrylate) ni son monomère. L'hexadécane a pu être encapsulé avec succès dans les conditions décrites dans l'exemple 2. de dépôt avec le PMMA. L'hexadécane est un liquide trop volatil (pression de vapeur de 0,01 Torr, soit 1,33 Pa, à 40°C) pour être encapsulé par le procédé parylène de COMELEC (où la pression de fonctionnement est de 3,7 mTorr soit 0,5 Pa à 40°C ). It was deposited from the liquid monomer: methyl methacrylate (vapor pressure: 38.7 Torr (5147 Pa) at 20 ° C., viscosity 0.7 cp at 25 ° C.) and a photoinitiator: IRGACURE®184, solubilized in the monomer (2% by mass). The silicon and glass substrates were at room temperature and the deposition pressure was 6 Torr (800 Pa). The carrier gas flow (N 2) was 250 sccm (0.422 Pa.m.sup.-3). The two films obtained on these two substrates were transparent for an average thickness of 400 nm. 3. Hexadecane was encapsulated with poly (hydroxyethyl methacrylate) (PHEMA). Hexadecane does not solubilize poly (hydroxyethyl methacrylate) or its monomer. Hexadecane could be successfully encapsulated under the conditions described in Example 2 for deposition with PMMA. Hexadecane is a liquid that is too volatile (0.01 Torr vapor pressure, ie 1.33 Pa, at 40 ° C) to be encapsulated by the parylene process of COMELEC (where the operating pressure is 3.7 mTorr 0.5 Pa at 40 ° C).
Le dépôt CVD selon l'invention a donc permis de réaliser un film de PHEMA encapsulant de l'hexadécane, ce qui est nouveau. Il en découle un intérêt majeur envers le procédé et le dispositif selon l'invention. The CVD deposit according to the invention therefore made it possible to produce a film of PHEMA encapsulating hexadecane, which is new. This results in a major interest in the method and the device according to the invention.
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