FR2942533A1

FR2942533A1 - DEVICE AND METHOD FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR WAFERS

Info

Publication number: FR2942533A1
Application number: FR0900862A
Authority: FR
Inventors: Philippe Gastaldo
Original assignee: Altatech Semiconductor
Current assignee: Unity Semiconductor SAS
Priority date: 2009-02-25
Filing date: 2009-02-25
Publication date: 2010-08-27
Anticipated expiration: 2029-02-25
Also published as: FR2942533B1; WO2010097523A1; EP3211367A1; IL214829A0; US8654324B2; EP2401574A1; EP3211367B1; IL214829A; JP2012518798A; US20120057155A1; EP2401574B1

Abstract

Un dispositif d'inspection de bord de plaquettes semi-conductrices, comprend un microscope confocal chromatique (7) pourvu d'une voie d'éclairage (10) et d'une voie d'analyse (20), la voie d'éclairage (10) comprenant une source lumineuse polychromatique (11), une fente (12) et un objectif (15) à chromatisme axial comportant une lentille au moins réalisée dans un matériaux dont le nombre d'Abbe est inférieur à 50, et la voie d'analyse (20) comprenant ledit objectif, une fente de filtrage chromatique (22) et un capteur d'intensité lumineuse (24) dans cet ordre, la fente de la voie d'éclairage et la fente de la voie d'analyse étant disposées sensiblement à la même distance optique du bord de plaquette à inspecter.A semiconductor wafer edge inspection device comprises a chromatic confocal microscope (7) having a light path (10) and an analysis path (20), the light path ( 10) comprising a polychromatic light source (11), a slit (12) and an axial chromatic lens (15) having at least one lens made of a material whose Abbe number is less than 50, and the an analysis (20) comprising said objective, a color filter slot (22) and a light intensity sensor (24) in that order, the slot of the illumination channel and the slot of the analysis channel being disposed substantially at the same optical distance from the wafer edge to be inspected.

Description

ALTATECH 7.FRD Dispositif et procédé d'inspection de plaquettes semi-conductrices L'invention relève du domaine de l'inspection et du contrôle de plaquettes semi-conductrices ou substrats en cours ou en fin de fabrication, ou lors de la réalisation de circuit intégrés. La tendance à l'accroissement des diamètres des plaquettes semi-conductrices fait que 10 celles-ci doivent être manipulées avec un soin extrême et sont de plus en plus fragiles. Par ailleurs, la gravure de plus en plus fine des motifs d'une plaquette semi-conductrice rend chaque composant de la plaquette de plus en plus sensible aux défauts de fabrication. L'augmentation du diamètre des substrats, la réduction de la taille des motifs et la 15 recherche d'un rendement élevé lors de la fabrication de circuits intégrés poussent les fabricants et les utilisateurs de substrat à inspecter l'ensemble de la surface du substrat comprenant la face supérieure, la face inférieure et la tranche. L'invention vise à améliorer la situation. Un dispositif d'inspection de bord de plaquettes semi-conductrices comprend un 20 microscope confocal chromatique pourvu d'une voie d'éclairage et d'une voie d'analyse. La voie d'éclairage comprend une source lumineuse polychromatique, une fente et un objectif à chromatisme axial choisi pour présenter une aberration chromatique, comportant au moins une lentille réalisée dans un matériau avec un nombre d'Abbe inférieur à 50. La voie d'analyse comprend ledit objectif, une fente de filtrage 25 chromatique et un capteur d'intensité lumineuse dans cet ordre. La fente de la voie d'éclairage et la fente de la voie d'analyse sont disposées sensiblement à la même distance optique du bord de la plaquette à inspecter. En d'autres termes, lesdites fentes peuvent se situer à la même distance optique du bord de l'objectif. On parvient ainsi à filtrer spatialement les longueurs d'ondes non focalisées sur le bord de la plaquette semi- 30 conductrice en cours d'inspection. Le procédé d'inspection de bord de plaquettes semi-conductrices comprend des étapes au cours desquelles on éclaire le bord par une source lumineuse polychromatique, le faisceau incident passant par une fente et par un objectif présentant une aberration, comportant au moins une lentille réalisée dans un matériau avec un nombre d'Abbe 35 inférieur à 50, et on recueille le faisceau réfléchi après qu'il a passé par ledit objectif puis par une fente de filtrage chromatique configurée pour filtrer spatialement les o' longueurs d'ondes non focalisées sur le bord de la plaquette semi-conductrice. Le recueil est effectué par un capteur d'intensité lumineuse. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée de quelques modes de réalisation pris à titre d'exemple nullement limitatif et illustrés par les dessins 5 annexés sur lesquels : - la figure 1 est une vue schématique d'une plaquette semi-conductrice ; - la figure 2 est une vue de détail de la figure 1 ; - la figure 3 est une vue schématique d'un dispositif d'inspection de bord de plaquettes semi-conductrices ; 10 - la figure 4 est une variante de la figure 3 ; - la figure 5 est une vue schématique d'un dispositif d'inspection selon un mode de réalisation ; - la figure 6 est une vue schématique d'une unité de traitement. De façon générale, l'inspection de la tranche d'un substrat semi-conducteur 1 se fait en 15 faisant tourner le substrat devant un système de vision, de type caméra matricielle ou linéaire. Par tranche de substrat, on entend le côté 4 sensiblement perpendiculaire aux surfaces supérieure et inférieure du substrat, le biseau supérieur 3 ou chanfrein, le biseau inférieur 5 ou chanfrein, la zone proche du bord supérieur 2 et la zone proche du bord inférieur 6, cf figures 1 et 2. Les surfaces opposées du substrat sont dites 20 supérieures et inférieures par convention, même lorsque le substrat est en position verticale, par référence à une position horizontale du substrat lorsqu'il est supporté par un organe de manipulation telle qu'une fourche. La limite des systèmes classiques réside principalement dans la profondeur de champ. En effet, la limite de diffraction optique fait qu'il est très difficile d'avoir un fort 25 grossissement et une grande profondeur de champ avec un système optique classique. Ceci est particulièrement pénalisant lors du contrôle de la tranche d'un substrat. D'une part, la tranche étant courbée, la distance entre le système d'observation et la surface à contrôler n'est pas constante. Ceci limite le grandissement possible. D'autre part, le contrôle de la surface est fait lors d'une rotation de substrat. Afin d'assurer une distance 30 entre l'objet et l'objectif la plus stable possible, le mouvement est fait à faible vitesse avec un système de manipulation extrêmement précis et stable. Ceci exige une cadence faible de mesure et des équipements de contrôle coûteux. Pour des contrôles par prélèvement ou échantillonnage ou pour l'analyse de zones limitées à une faible partie de la surface du bord, on peut utiliser des systèmes 35 d'inspection lents très performants avec un faible champ d'observation et un fort grossissement. Parmi ces systèmes lents, la microscopie confocale peut être choisie. ALTATECH 7.FRD Device and method for inspecting semiconductor wafers The invention relates to the field of inspection and control of semiconductor wafers or substrates in progress or at the end of manufacture, or during the production of circuit integrated. The tendency to increase the diameters of the semiconductor wafers means that they must be handled with extreme care and are increasingly fragile. Furthermore, the increasingly fine etching of the grounds of a semiconductor wafer makes each component of the wafer more and more sensitive to manufacturing defects. Increasing the diameter of the substrates, reducing the size of the patterns, and seeking high efficiency in the fabrication of integrated circuits is driving manufacturers and substrate users to inspect the entire surface of the substrate comprising the upper face, the lower face and the edge. The invention aims to improve the situation. A semiconductor wafer edge inspection device comprises a chromatic confocal microscope provided with a light path and an analysis path. The lighting path comprises a polychromatic light source, a slot and an axial chromatic lens chosen to present a chromatic aberration, comprising at least one lens made of a material with an Abbe number of less than 50. The analysis path comprises said lens, a chromatic filtering slot and a light intensity sensor in that order. The slit of the illumination channel and the slit of the analysis channel are disposed substantially at the same optical distance from the edge of the wafer to be inspected. In other words, said slots may be at the same optical distance from the edge of the lens. It is thus possible to spatially filter unfocused wavelengths on the edge of the semiconductor wafer being inspected. The method of edge inspection of semiconductor wafers comprises steps in which the edge is illuminated by a polychromatic light source, the incident beam passing through a slot and an objective having an aberration, comprising at least one lens made in a material with an Abbe number of less than 50, and the reflected beam is collected after it has passed through said objective and then by a chromatic filtering slit configured to spatially filter the unfocused wavelengths on the edge of the semiconductor wafer. The collection is performed by a light intensity sensor. The invention will be better understood on reading the detailed description of some embodiments taken by way of nonlimiting example and illustrated by the appended drawings in which: FIG. 1 is a diagrammatic view of a semiconductor wafer; conductive; Figure 2 is a detail view of Figure 1; FIG. 3 is a schematic view of an edge inspection device of semiconductor wafers; Figure 4 is a variant of Figure 3; FIG. 5 is a schematic view of an inspection device according to one embodiment; - Figure 6 is a schematic view of a processing unit. In general, the inspection of the wafer of a semiconductor substrate 1 is done by rotating the substrate in front of a vision system, of the matrix or linear camera type. By substrate slice means the side 4 substantially perpendicular to the upper and lower surfaces of the substrate, the upper bevel 3 or chamfer, the lower bevel 5 or chamfer, the zone near the upper edge 2 and the zone near the lower edge 6, 1 and 2. The opposite surfaces of the substrate are said to be upper and lower by convention, even when the substrate is in a vertical position, with reference to a horizontal position of the substrate when supported by a manipulator such as a fork. The limit of conventional systems lies mainly in the depth of field. Indeed, the optical diffraction limit makes it very difficult to have a high magnification and a large depth of field with a conventional optical system. This is particularly disadvantageous when controlling the slice of a substrate. On the one hand, the slice being curved, the distance between the observation system and the surface to be controlled is not constant. This limits the possible magnification. On the other hand, the control of the surface is done during a rotation of the substrate. In order to ensure a distance between the object and the lens as stable as possible, the movement is done at low speed with an extremely precise and stable handling system. This requires a low measurement rate and expensive control equipment. For sampling or sampling checks or for the analysis of areas limited to a small portion of the edge area, high performance slow inspection systems with a low field of view and high magnification can be used. Among these slow systems, confocal microscopy may be chosen.

Toutefois, la vitesse d'acquisition des équipements de microscopie confocale ne permet pas de les utiliser en contrôle systématique de production de masse telle que la pratique l'industrie du semi-conducteur. Or, la demanderesse a constaté que l'augmentation du diamètre des substrats augmente les contraintes mécaniques internes qu'ils subissent et augmente, par voie de conséquence, le risque de propagation de défauts, par exemple de microfissures situées sur le bord du substrat. Par ailleurs, l'augmentation du rendement, au sens du nombre de puces par substrat à diamètre égal, conduit à disposer des puces à proximité des bords. L'inspection des bords présente donc un intérêt de plus en plus grand. However, the acquisition speed of confocal microscopy equipment does not allow them to be used in systematic control of mass production as practiced by the semiconductor industry. However, the Applicant has found that increasing the diameter of the substrates increases the internal mechanical stresses they undergo and increases, consequently, the risk of propagation of defects, for example microcracks located on the edge of the substrate. Moreover, the increase in yield, in the sense of the number of chips per substrate of equal diameter, leads to having chips near the edges. Edge inspection is therefore of increasing interest.

Les documents WO 88/10406 et EP 0142464 montrent une technique d'analyse chromatique à travers une optique dispersive pour mesurer la ou les distances entre un capteur et un objet. Ces techniques sont très lentes. Le document FR 2 805 342 concerne le contrôle de surface de substrats semi-conducteurs, avec une fonction de mesure de reliefs de surface. WO 88/10406 and EP 0142464 show a chromatic analysis technique through dispersive optics for measuring the distance or distances between a sensor and an object. These techniques are very slow. The document FR 2 805 342 relates to the surface control of semiconductor substrates, with a surface relief measurement function.

Le codage chromatique est utilisé dans le cadre de la mesure de distance pour régler le focus sur des équipements destinés à la photolithographie dans le domaine du semi-conducteur. La mesure d'épaisseur ou de distance nécessite une analyse chromatique de la lumière réfléchie afin de convertir cette information en paramètre géométrique de l'objet mesuré. Cette conversion est lente. Chromatic coding is used in distance measurement to focus the focus on equipment for photolithography in the semiconductor field. The measurement of thickness or distance requires a chromatic analysis of the reflected light in order to convert this information into a geometrical parameter of the measured object. This conversion is slow.

L'invention fait appel à la microscopie confocale chromatique basée sur la microscopie confocale et l'exploitation de l'aberration chromatique du système optique utilisé. En général, un microscope confocal réajuste mécaniquement le point de focalisation de l'optique et en déduit la morphologie de la surface. Ce réajustement mécanique est lent et susceptible de provoquer des pannes. De plus, les mouvements étant généralement associés à des frottements, ils se révèlent souvent sources de particules, ce qui est à proscrire dans un environnement de production de composants micro électroniques. Grâce à l'invention, on utilise une étroite plage de longueur d'ondes bien focalisée grâce à laquelle on obtient une image nette. L'analyse de la longueur d'ondes permet de déterminer, si cela est souhaité, la distance entre le capteur chromatique confocal et l'objet analysé. Avec un système optique à aberration chromatique forte, comportant au moins une lentille réalisée dans un matériau avec un nombre d'Abbe inférieur à 50, voire 35, des focalisations différentes se produisent pour des longueurs d'ondes différentes. Il en résulte un étalement spatial du point focal et une grande profondeur de champ. La profondeur de champ pourra atteindre plusieurs millimètres. The invention uses confocal chromatic microscopy based on confocal microscopy and the exploitation of the chromatic aberration of the optical system used. In general, a confocal microscope mechanically adjusts the focal point of the optics and deduces the morphology of the surface. This mechanical readjustment is slow and likely to cause breakdowns. In addition, the movements are generally associated with friction, they are often sources of particles, which is to be avoided in a production environment of micro electronic components. Thanks to the invention, a narrow, well-focused wavelength range is used thanks to which a sharp image is obtained. The analysis of the wavelength makes it possible to determine, if desired, the distance between the confocal chromatic sensor and the analyzed object. With a strong chromatic aberration optical system, having at least one lens made of a material with an Abbe number of less than 50, or even 35, different focusing occurs at different wavelengths. This results in spatial spreading of the focal point and a large depth of field. The depth of field can reach several millimeters.

En conservant la longueur d'ondes ou une étroite plage de longueur d'ondes correspondant à la longueur d'ondes bien focalisée, on obtient un système autofocus optique. Ce système autofocus peut se passer de mouvement mécanique. Ceci est obtenu grâce aux fentes disposées à la même distance optique de la surface à inspecter ou encore de l'objectif, dans la mesure où l'objectif appartient à la fois à la voie d'éclairage et à la voie d'analyse. On peut ainsi réaliser une acquisition multipoint chacun ayant les propriétés avantageuses ci-dessus. La séparation des voies d'éclairage et d'analyse peut être effectuée par une lame semi-réfléchissante disposée entre la fente et l'objectif pour la voie d'éclairage et entre l'objectif et la fente de filtrage chromatique pour la voie d'analyse. La fente forme un organe de linéarisation. La source lumineuse peut comprendre un ensemble de diodes électroluminescentes, par exemple sous la forme d'une barrette, et un organe de diffusion. L'organe de diffusion peut comprendre un verre dépoli. By keeping the wavelength or a narrow range of wavelengths corresponding to the well-focused wavelength, an optical autofocus system is obtained. This autofocus system can do without mechanical movement. This is achieved by slots disposed at the same optical distance from the surface to be inspected or from the lens, since the lens belongs to both the light path and the scan path. It is thus possible to perform a multipoint acquisition each having the advantageous properties above. The separation of the lighting and analysis channels can be effected by a semi-reflective plate arranged between the slot and the lens for the lighting path and between the lens and the chromatic filtering slot for the beam path. analysis. The slot forms a linearization member. The light source may comprise a set of light-emitting diodes, for example in the form of a bar, and a diffusion member. The diffusion member may comprise a frosted glass.

Le dispositif peut comprendre une unité de traitement reliée à une sortie du capteur pour recevoir et analyser un signal d'intensité lumineuse. On peut prévoir une pluralité de capteurs d'intensité lumineuse pour inspecter une pluralité de facettes dudit bord, l'unité de traitement pouvant comprendre un assembleur de données de sortie des capteurs d'intensité lumineuse générant un fichier des résultats d'inspection pour ladite pluralité de capteurs. L'unité de traitement peut comprendre un discriminateur de défaut du bord générant un classement par type de défaut, par position, réflectivité, forme ou dimension. Dans un mode de réalisation, le dispositif comprend un analyseur chromatique de la lumière rétrodiffusée ou réfléchie par un bord de la plaquette semi-conductrice avec une sortie reliée à l'unité de traitement. L'unité de traitement comprenant alors un extracteur générant des données de distance entre l'objectif et le bord de la plaquette semi-conductrice. L'objectif peut présenter un diamètre optique inférieur à 100mm, ce qui permettra par un encombrement plus faible d'intégrer le système dans un environnement restreint. The device may include a processing unit connected to an output of the sensor for receiving and analyzing a light intensity signal. A plurality of light intensity sensors may be provided to inspect a plurality of facets of said edge, the processing unit may include an output data assembler of light intensity sensors generating a file of inspection results for said plurality of sensors. The processing unit may comprise an edge defect discriminator generating classification by type of defect, position, reflectivity, shape or size. In one embodiment, the device comprises a chromatic analyzer of the light backscattered or reflected by an edge of the semiconductor wafer with an output connected to the processing unit. The processing unit then comprises an extractor generating distance data between the objective and the edge of the semiconductor wafer. The objective may have an optical diameter of less than 100mm, which will allow a smaller footprint to integrate the system in a restricted environment.

La surface à inspecter est disposée à une distance comprise dans la zone d'aberration chromatique, en d'autres termes à une distance comprise entre la longueur d'ondes de la lumière incidente présentant la focalisation la plus courte et la longueur d'ondes de la lumière incidente présentant la focalisation la plus longue. Le dispositif permet de faire un contrôle d'une tranche du bord de substrat et ce indépendamment d'un mécanisme de réglage de focalisation. Par une mesure continue de la tranche lors de la rotation du substrat, une image de la périphérie complète du substrat peut être réalisée. Le dispositif d'inspection utilise l'information d'amplitude lumineuse fournie par le capteur pour offrir une image en niveau de gris avec un équipement économique et une acquisition très rapide permettant ainsi de proposer un système compatible avec une production de masse. Le dispositif présente une fonction d'autofocus automatique le rendant particulièrement simple, fiable et rapide, notamment par rapport aux systèmes d'imageries classiques. Le dispositif permet l'observation d'un grand champ avec des Y points dont la distance par rapport à l'objectif optique peut varier plus qu'avec un système d'imagerie classique présentant le même agrandissement. A titre optionnel, la mesure de topographie par analyse chromatique de la lumière réfléchie peut être effectuée pour des applications plus précises et à plus faible cadence telle que l'analyse a posteriori de défauts détectés. La mesure de topographie peut aussi être utilisée pour quantifier la tombée de bord information particulièrement intéressante pour les substrats qui ont été reconditionnés et donc repolis. La position de l'objectif par rapport à la surface à inspecter pourra se situer entre quelques millimètres et quelques centimètres de distance. Ceci permet de dégager le volume à proximité du substrat, volume généralement utilisé pour la manipulation du substrat par un ou plusieurs robots. Afin de collecter un maximum de lumière pour l'ouverture numérique donnée, on cherchera néanmoins à maintenir une faible distance entre la surface à contrôler et l'objectif. La vitesse de rotation du substrat peut être comprise entre 0,1 et 10 tours par minute pour un substrat de 300 mm de diamètre, par exemple entre 1 et 10 tours par minute pour l'analyse d'intensité lumineuse. Cette vitesse de rotation sera à ajuster pour un substrat de diamètre différent afin de conserver une vitesse linéaire proche, par exemple dans une plage comprise entre 0,1 et 10 mètres par seconde, plus particulièrement entre 1 et 10 mètres par seconde pour l'analyse d'intensité lumineuse. The surface to be inspected is disposed at a distance in the chromatic aberration zone, in other words at a distance between the wavelength of the incident light having the shortest focusing and the wavelength of the incident light having the longest focus. The device makes it possible to control a slice of the substrate edge independently of a focusing adjustment mechanism. By a continuous measurement of the wafer during the rotation of the substrate, an image of the complete periphery of the substrate can be made. The inspection device uses the light amplitude information provided by the sensor to provide a grayscale image with economical equipment and a very fast acquisition thus making it possible to propose a system compatible with mass production. The device has an automatic autofocus function making it particularly simple, reliable and fast, especially compared to conventional imaging systems. The device allows the observation of a large field with Y points whose distance to the optical objective may vary more than with a conventional imaging system having the same magnification. Optionally, the topography measurement by chromatic analysis of the reflected light can be performed for more precise applications and at a lower rate such as the post-analysis of detected defects. The topography measurement can also be used to quantify the information edge-slip that is particularly interesting for substrates that have been reconditioned and therefore repolished. The position of the lens relative to the surface to inspect may be between a few millimeters and a few centimeters away. This makes it possible to disengage the volume close to the substrate, volume generally used for the manipulation of the substrate by one or more robots. In order to collect a maximum of light for the given numerical aperture, we will nevertheless try to maintain a small distance between the surface to be controlled and the objective. The rotation speed of the substrate may be between 0.1 and 10 revolutions per minute for a substrate of 300 mm in diameter, for example between 1 and 10 revolutions per minute for the analysis of luminous intensity. This rotation speed will be adjusted for a substrate of different diameter in order to maintain a close linear velocity, for example in a range between 0.1 and 10 meters per second, more particularly between 1 and 10 meters per second for the analysis. of luminous intensity.

La résolution du capteur peut être comprise entre 128 et 10 000 pixels. La résolution peut être adaptée à la taille des défauts recherchés et à la cadence souhaitée. La source lumineuse peut comprendre une lampe à arc de type xénon, une lampe à incandescence, halogène ou une source à diodes électroluminescentes. Les diodes électroluminescentes sont avantageuses en termes de durée de vie, de faible consommation et de faible échauffement. La lumière incidente générée par la source passe ensuite par la fente de la voie d'éclairage pour linéariser le faisceau. L'ensemble constitué par la source lumineuse et la fente de la voie incidente constitue une source lumineuse linéaire. Le faisceau incident passe ensuite par une lame semi-réfléchissante puis par l'objectif avant d'atteindre la surface à inspecter. Le faisceau réfléchi par la surface à inspecter passe par l'objectif puis par la lame semi-réfléchissante et en ressort selon un axe distinct de l'axe de la voie incidente. Le faisceau réfléchi passe ensuite par la fente de filtrage chromatique assurant un filtrage spatial des longueurs d'ondes non focalisées sur la surface à inspecter d'où une amélioration de la netteté de l'image. En aval de la fente de filtrage chromatique, le faisceau réfléchi est essentiellement constitué par la longueur d'ondes ou l'étroite plage de longueur d'ondes focalisées et offre donc une image nette. Plus le chromatisme axial de l'objectif est élevé, plus une différence de longueur d'ondes se traduit par une différence élevée de distance de focalisation. Le faisceau réfléchi atteint ensuite le capteur d'intensité lumineuse. La sortie du capteur d'intensité lumineuse est reliée à l'unité de traitement. Comme on peut le voir sur la figure 3, le microscope confocal chromatique 7 comprend une voie d'éclairage 10 pour éclairer un objet 30 à inspecter, par exemple le bord d'un substrat semi-conducteur et une voie d'analyse 20 fournissant un signal de sortie pour une unité de traitement et d'analyse 25. La voie d'éclairage 10 et la voie d'analyse 20 comprennent des parties communes notamment une lame serai-réfléchissante 14 et un objectif 15. The resolution of the sensor can be between 128 and 10,000 pixels. The resolution can be adapted to the size of the desired defects and the desired rate. The light source may comprise a xenon arc lamp, an incandescent lamp, a halogen lamp or a light emitting diode source. Light-emitting diodes are advantageous in terms of service life, low power consumption and low heating. The incident light generated by the source then passes through the slit of the lighting path to linearize the beam. The assembly constituted by the light source and the slot of the incident path constitutes a linear light source. The incident beam then passes through a semi-reflective plate and then through the objective before reaching the surface to be inspected. The beam reflected by the surface to be inspected passes through the objective then by the semi-reflective plate and emerges along an axis distinct from the axis of the incident path. The reflected beam then passes through the chromatic filtering slot providing spatial filtering of unfocused wavelengths on the surface to be inspected resulting in improved image sharpness. Downstream of the chromatic filtering slot, the reflected beam essentially consists of the wavelength or the narrow range of focused wavelengths and thus provides a sharp image. The higher the axial chromaticity of the objective, the more a difference in wavelength results in a high difference in focusing distance. The reflected beam then reaches the light intensity sensor. The output of the light intensity sensor is connected to the processing unit. As can be seen in FIG. 3, the chromatic confocal microscope 7 comprises a lighting path 10 for illuminating an object 30 to be inspected, for example the edge of a semiconductor substrate and an analysis channel 20 providing a output signal for a processing and analysis unit 25. The lighting path 10 and the analysis path 20 comprise common parts, in particular a serra-reflecting blade 14 and a lens 15.

La voie d'éclairage 10 peut comprendre une source à large spectre 11 émettant un faisceau lumineux, une fente de filtrage spatial 12 recevant ledit faisceau lumineux, une optique de collimation 13 comprenant une ou plusieurs lentilles, ladite lame semiréfléchissante 14 et ledit objectif 15. La lame semi-réfléchissante 14 reçoit le faisceau incident en provenance de l'optique de collimation 13. Le faisceau incident est dirigé vers l'objectif 15 à partie de la sortie de la lame semi-réfléchissante 14. L'objectif 15 présente un fort chromatisme axial, par exemple dont une lentille au moins est réalisé dans un matériau caractérisé par une aberration chromatique de nombre d'Abbe inférieur à 50. A titre d'exemple, le nombre d'Abbe peut être égal à 35. Le faisceau incident atteint l'objet à inspecter 30 après la sortie de l'objectif 15. La source 11 peut comprendre une barrette de diodes 1 la, un diffuseur 1 la et une lentille de sortie 11 c. La voie d'analyse 20 comprend ledit objectif à fort chromatisme axial 15, la lame semiréfléchissante 14 transmettant le faisceau réfléchi selon un axe différent de l'axe d'entrée du faisceau incident, vers une optique de focalisation qui rempliera la fonction inverse de l'optique de collimation 13, respectant le principe du retour inverse de la lumière. La voie d'analyse 20 comprend également une fente de filtrage spatial 22 disposée en aval de l'optique de focalisation 21. La fente 22 est disposée également à une distance de l'objet à inspecter 30 égale à la distance entre la fente de filtrage spatial 12 de la voie d'éclairage 10 et ledit objet à inspecter 30. En aval de la fente de filtrage spatial 22, la voie d'analyse 20 comprend un capteur linéaire 24, disposé sur le trajet du faisceau réfléchi. Le capteur linéaire 24 peut se présenter sous la forme d'un ensemble d'éléments capteurs disposés en barrette. Les éléments capteurs peuvent être du type CCD ou encore CMOS. La sortie du microscope 7 en aval du capteur 24 est reliée à une unité de traitement et d'analyse 25 illustrée plus en détail sur la figure 6. Grâce à la présence des fentes de filtrage spatial 12 et 22 et au fort chromatisme axial de l'objectif 15, les longueurs d'ondes non focalisées sur la surface de l'objet à inspecter 30 sont filtrées en raison de leur décalage spatial rapport à la longueur d'onde focalisée, ce décalage étant d'autant plus grand que le chromatisme axial de l'objectif 15 est élevé. En sortie de la fente de filtrage spatial 22 de la voie d'analyse 20, le faisceau réfléchi filtré comprend une étroite plage de longueurs d'ondes sensiblement centrée sur la longueur d'onde focalisée, d'où une image d'une grande netteté et le fait que le faisceau réfléchi filtré est représentatif des défauts de la surface inspectée de l'objet 30. Dans ce mode de réalisation, le microscope 7 effectue une mesure de réflectivité de la surface à inspecter de l'objet 30. Des variations de la réflectivité sont représentatives de défauts de la surface inspectée. Il est possible d'en déduire des informations relativement précises sur la taille et le type de défauts. Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 4, la voie d'analyse 20 du microscope 7 comprend, en outre, un élément dispersif 23 disposé entre la fente de filtrage spatial 22 et le capteur 24 sur le trajet du faisceau réfléchi filtré. L'élément dispersif 23 aura pour fonction de séparer spatialement les longueurs d'ondes. Le spectre ainsi obtenu sera projeté sur un capteur, et l'information de la longueur d'onde la plus intense sera alors disponible, et donnera une image de la distance de focalisation optimale. L'élément dispersif 23 peut être un réseau de diffraction. Le microscope 7 fournit alors en sortie un signal représentatif de la distance locale du microscope 7 par rapport à la surface inspectée de l'objet 30 dont est déduite la topographie de la surface inspectée. Une unité de traitement de l'information chromatique réalise une conversion de la longueur d'onde en distance entre le bord de plaquette à inspecter et l'objectif du capteur. Ce mode de réalisation fournit un signal relativement lourd à traiter. Il s'avère intéressant pour un contrôle sur échantillon ou sur des substrats semi-conducteurs présentant des défauts détectés par d'autres moyens, par exemple par un microscope 7 selon le mode de réalisation de la figure 3 susceptible d'être intégré dans une chaîne de fabrication de substrats semi-conducteurs. On peut donc prévoir un microscope selon le mode de réalisation de la figure 3 disposé sur la chaîne de fabrication et inspectant un grand nombre, voire la totalité, des substrats semi-conducteurs fabriqués et un microscope selon le mode de réalisation de la figure 4 pour inspecter des substrats semi-conducteurs présentant des défauts précédemment détectés, cette inspection pouvant être 2 à 10 fois plus lente que la précédente. Le microscope selon le mode de réalisation de la figure 4 est alors disposé à part de la chaîne de fabrication afin de recevoir les substrats semi-conducteurs sélectionnés en raison de leurs défauts. The illumination channel 10 may comprise a broad-spectrum source 11 emitting a light beam, a spatial filtering slot 12 receiving said light beam, a collimation optics 13 comprising one or more lenses, said semireflective plate 14 and said objective lens 15. The semi-reflecting plate 14 receives the incident beam from the collimation optics 13. The incident beam is directed towards the objective 15 from the exit of the semi-reflective plate 14. The objective 15 has a strong axial chromatism, for example of which at least one lens is made in a material characterized by a chromatic aberration Abbe number of less than 50. By way of example, the Abbe number may be equal to 35. The incident beam reaches the object to be inspected 30 after the exit of the objective 15. The source 11 may comprise a diode array 1a, a diffuser 1a and an output lens 11c. The analysis channel 20 comprises said objective with high axial chromaticism 15, the semireflective plate 14 transmitting the beam reflected along an axis different from the input axis of the incident beam, towards a focusing optics which will fulfill the reverse function of the collimation optics 13, respecting the principle of the inverse return of light. The analysis channel 20 also comprises a spatial filter slot 22 disposed downstream of the focusing optic 21. The slot 22 is also disposed at a distance from the object to be inspected 30 equal to the distance between the filter slot 12 of the lighting channel 10 and said object to be inspected 30. Downstream of the spatial filtering slot 22, the analysis channel 20 comprises a linear sensor 24 disposed in the path of the reflected beam. The linear sensor 24 may be in the form of a set of sensor elements arranged in a bar. The sensor elements may be of the CCD or CMOS type. The output of the microscope 7 downstream of the sensor 24 is connected to a processing and analysis unit 25, illustrated in greater detail in FIG. 6. Thanks to the presence of the spatial filtering slots 12 and 22 and the high axial chromaticism of the 15, wavelengths unfocused on the surface of the object to be inspected 30 are filtered due to their spatial shift in relation to the focused wavelength, this shift being even greater than the axial chromaticism of Goal 15 is high. At the output of the spatial filtering slot 22 of the analysis channel 20, the filtered reflected beam comprises a narrow range of wavelengths substantially centered on the focused wavelength, hence an image of great sharpness. and the fact that the filtered reflected beam is representative of defects in the surface inspected by the object 30. In this embodiment, the microscope 7 performs a reflectivity measurement of the surface to be inspected from the object 30. Variations in Reflectivity are representative of defects in the inspected surface. It is possible to deduce relatively accurate information on the size and type of defects. In the embodiment illustrated in FIG. 4, the analysis path 20 of the microscope 7 further comprises a dispersive element 23 disposed between the spatial filtering slot 22 and the sensor 24 in the path of the filtered reflected beam. The dispersive element 23 will have the function of spatially separating the wavelengths. The spectrum thus obtained will be projected on a sensor, and the information of the most intense wavelength will then be available, and will give an image of the optimal focusing distance. The dispersive element 23 may be a diffraction grating. The microscope 7 then outputs a signal representative of the local distance of the microscope 7 from the inspected surface of the object 30 from which the topography of the inspected surface is deduced. A color information processing unit converts the wavelength into a distance between the wafer edge to be inspected and the objective of the sensor. This embodiment provides a relatively heavy signal to process. It is interesting for a sample control or on semiconductor substrates with defects detected by other means, for example by a microscope 7 according to the embodiment of Figure 3 may be integrated in a chain manufacturing of semiconductor substrates. It is therefore possible to provide a microscope according to the embodiment of FIG. 3 arranged on the production line and inspecting a large number or even all of the semiconductor substrates produced and a microscope according to the embodiment of FIG. inspecting semiconductor substrates with previously detected defects, this inspection being 2 to 10 times slower than the previous one. The microscope according to the embodiment of FIG. 4 is then arranged apart from the production line in order to receive the selected semiconductor substrates because of their defects.

Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 5, une pluralité de microscopes 7, 37 et 47 sont disposés pour inspecter le bord d'un substrat semi-conducteur (1). Les microscopes 7, 37 et 47 peuvent être conformes au mode de réalisation de la figure 3. Le microscope 7 est positionné en face du côté 4 du substrat 1. Le microscope 37 est disposé au-dessus du substrat 1 pour inspecter le biseau supérieur 3 et la zone proche du bord supérieur 2. Le microscope 47 est disposé sous le substrat 1 pour inspecter le biseau inférieur 5 et la zone proche du bord inférieur 6. Les sorties des microscopes 7, 37 et 47 peuvent être reliées à une unité de traitement et d'analyse commune, voire figure 6. In the embodiment illustrated in FIG. 5, a plurality of microscopes 7, 37 and 47 are arranged to inspect the edge of a semiconductor substrate (1). The microscopes 7, 37 and 47 may be in accordance with the embodiment of FIG. 3. The microscope 7 is positioned opposite the side 4 of the substrate 1. The microscope 37 is disposed above the substrate 1 to inspect the upper bevel 3 and the area near the upper edge 2. The microscope 47 is disposed under the substrate 1 to inspect the lower bevel 5 and the area near the lower edge 6. The outputs of the microscopes 7, 37 and 47 can be connected to a processing unit and common analysis, see figure 6.

L'unité de traitement et d'analyse 25 comprend une pluralité de cartes d'acquisition, ici au nombre de trois. Chaque carte d'acquisition 51, 52, 53 est reliée à la sortie d'un microscope confocal chromatique 7, 37, 47. L'unité de traitement et d'analyse 25 comprend également un organe de reconstruction d'images 54 configuré pour générer une image à partir des images fournies en sortie par les cartes d'acquisition 51, 52, 53. L'organe de reconstruction d'images procède à une comparaison de l'extrémité supérieure de l'image du côté 4 avec l'extrémité inférieure de l'image du biseau supérieur 3 et une comparaison du bord inférieur de l'image du côté 4 avec le bord supérieur de l'image du biseau inférieur 5. L'organe de reconstruction d'images 54 effectue une détection d'un recouvrement éventuel à partir du résultat de la comparaison et un assemblage. The processing and analysis unit 25 comprises a plurality of acquisition cards, here three in number. Each acquisition card 51, 52, 53 is connected to the output of a chromatic confocal microscope 7, 37, 47. The processing and analysis unit 25 also comprises an image reconstruction device 54 configured to generate an image from the images output by the acquisition cards 51, 52, 53. The image reconstruction member compares the upper end of the side 4 image with the lower end of the image of the upper bevel 3 and a comparison of the lower edge of the image of the side 4 with the upper edge of the image of the lower bevel 5. The image reconstruction member 54 performs detection of a recovery possible from the result of the comparison and an assembly.

L'unité de traitement et d'analyse 25 comprend un ou plusieurs organes de traitement d'images 55, par exemple sous forme logicielle, pour faciliter la détection des défauts. Les organes de traitement d'images 55 peuvent effectuer des opérations de dilatation, d'érosion, de contour, etc... Par ailleurs, les organes de traitement d'images 55 peuvent comprendre une bibliothèque de défauts et un comparateur pour comparer les défauts suspectés à des défauts connus et répertoriés dans la bibliothèque. L'organe de traitement d'images 55 est configuré pour générer en sortie un fichier de résultats, notamment sous la forme d'un fichier image. Dans un autre mode de réalisation, on pourra avoir un traitement des images avant reconstruction, permettant ainsi d'avoir un traitement facilité par une taille d'image plus petite. Une combinaison des résultats permettra de produire un fichier résultat de :30 synthèse. The processing and analysis unit 25 comprises one or more image processing elements 55, for example in software form, to facilitate the detection of defects. The image processing members 55 may perform expansion, erosion, contour, etc. operations. Furthermore, the image processing members 55 may comprise a defect library and a comparator to compare the defects. suspected to have known defects and listed in the library. The image processor 55 is configured to output a result file, especially in the form of an image file. In another embodiment, it will be possible to process the images before reconstruction, thus allowing easier processing with a smaller image size. A combination of the results will produce a result file of: synthesis.

Claims

REVENDICATIONS1. Device for edge inspection of semiconductor wafers (1), characterized in that it comprises a chromatic confocal microscope (7) provided with a lighting path (10) and an analysis channel ( 20), the lighting path (10) comprising a polychromatic light source (11), a slit (12) and an axial chromatic lens (15) having at least one lens made of a material whose Abbe number is less than 50, and the scan path (20) comprising said lens, a color filter slot (22) and a light intensity sensor (24) in that order, the slot of the light path and the slot of the analysis channel being disposed substantially at the same optical distance from the wafer edge to be inspected.

2. Device according to claim 1, wherein the slot (12) of the lighting path forms a linearization member.

3. Device according to one of the preceding claims, wherein the light source 15 (11) comprises a set of light-emitting diodes (11a) and a diffusion member (1 lb).

4. Device according to one of the preceding claims, comprising a processing unit (25) connected to an output of the sensor (24) for receiving and analyzing a light intensity signal. 20

5. Device according to one of the preceding claims, comprising a plurality of microscopes (7, 37, 47) for inspecting a plurality of facets of said edge, a processing unit (25) comprising an assembler of the output data of said sensors. light intensity generating an inspection result file for said plurality of sensors. 25

6. Device according to claim 4 or 5, wherein the processing unit (25) comprises a defect discriminator of said edge generating a classification by type of defect, by position and by dimension.

7. Device according to one of claims 4 to 6, comprising a chromatic analyzer (23, 24) of the light backscattered or reflected by a semiconductor wafer edge with an output connected to the processing unit, the processing unit comprising an extractor generating distance data between the objective and the semiconductor wafer edge. 9

8. Device according to one of the preceding claims, wherein said objective (15) has an optical diameter of less than 100 mm.

9. Device according to one of the preceding claims, comprising a semi-reflecting plate (14) disposed between the slots and the lens.

10. Device according to one of the preceding claims wherein the analysis channel comprises a dispersive element for spatially discriminating the light collected according to the wavelength.

Apparatus according to claim 10, including a chromatic information processing unit forming a wavelength converter in a distance between the wafer edge to be inspected and the objective of the sensor.

12. A method of edge inspection of semiconductor wafers, wherein said edge is illuminated by a polychromatic light source (11), the incident beam passing through a slot (12) and a lens (15) whose material at least one lens has an abbe number chromatic aberration of less than 50, and the reflected beam is collected after it has passed through said lens (15) and then by a color filter slot (22) configured to filter spatially unfocused wavelengths on the edge of the semiconductor wafer, the collection being performed by a light intensity sensor (25). 20

13. The method of claim 12, wherein analyzing the intensity of the collected beam to deduce defects of said edge.

The method according to one of claims 12 or 13, wherein the reflected light passes through a dispersive element producing a spatial spread of the light collected according to the wavelength. 25

The method of claim 14, wherein a color information processing unit converts at least one wavelength in a distance between the wafer edge to be inspected and the objective of the light intensity sensor.