FR2916051A1

FR2916051A1 - METHOD AND DEVICE FOR ALIGNING A TESTING SYSTEM WITH AN ELECTRICAL ELEMENT TO BE TESTED

Info

Publication number: FR2916051A1
Application number: FR0703270A
Authority: FR
Inventors: Patrick Demars; Christophe Vaucher
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA; Beamind SAS
Current assignee: Beamind SAS; Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 2007-05-07
Filing date: 2007-05-07
Publication date: 2008-11-14
Also published as: WO2008135821A1; TW200905225A; JP2010526314A; EP2153207A1

Abstract

L'invention concerne un procédé de localisation d'un élément électriquement conducteur (5c) à la surface d'un circuit (5), comprenant des étapes consistant à : placer le circuit dans un dispositif de test ou de mesure d'éléments électriquement conducteurs, comprenant au moins une source (1a) d'un faisceau lumineux (2), et une unité de contrôle (CNTL) pour appliquer le faisceau lumineux en plusieurs points d'impact sur la surface du circuit, appliquer un faisceau lumineux (2) en plusieurs points d'impact sur la surface du circuit (5), afin de générer à la surface du circuit un flux de particules ayant une intensité détectable dépendant de la nature du matériau au point d'impact du faisceau lumineux, comparer des variations d'intensité du flux de particules généré à chaque point d'impact, et en déduire la position de l'élément conducteur à la surface du circuit. Application de l'invention à la localisation précise d'un circuit dans un dispositif de test utilisant de l'effet photoélectrique.A method of locating an electrically conductive member (5c) on the surface of a circuit (5), comprising steps of: placing the circuit in a device for testing or measuring electrically conductive elements , comprising at least one source (1a) of a light beam (2), and a control unit (CNTL) for applying the light beam at a plurality of impact points on the surface of the circuit, applying a light beam (2) at several points of impact on the surface of the circuit (5), in order to generate at the surface of the circuit a particle flux having a detectable intensity depending on the nature of the material at the point of impact of the light beam, to compare variations of intensity of the particle flux generated at each point of impact, and deduce the position of the conductive element at the surface of the circuit. Application of the invention to the precise location of a circuit in a test device using the photoelectric effect.

Description

PROCEDE ET DISPOSITIF D'ALIGNEMENT D'UN SYSTEME DE TEST AVEC UN ELEMENTMETHOD AND DEVICE FOR ALIGNING A TEST SYSTEM WITH AN ELEMENT

ELECTRIQUE A TESTERELECTRICAL TO TESTER

La ,présente invention concerne le test ou la mesure de caractéristiques d'éléments électriques, notamment de conducteurs électriques ou de groupes de conducteurs électriques, et de composants électriques. The present invention relates to testing or measuring the characteristics of electrical elements, in particular electrical conductors or groups of electrical conductors, and electrical components.

L'invention concerne par exemple le test de conducteurs présents sur des supports d'interconnexion comme les circuits imprimés, ainsi que ceux présents dans les circuits intégrés, dans les écrans plats à plasma ou à cristaux liquides LCD (Liquid Crystal Display) OLED (Organic light-Emitting Diode), LCOS (Liquid Crystal On Silicium), etc. Les composants électriques tels que les circuits intégrés, les écrans plats et les circuits imprimés sont soumis avant leur commercialisation à des étapes de test qui font partie intégrante de leur processus de fabrication. Parmi les tests effectués, certains tests permettent de déterminer la continuité, l'isolation, la résistance, l'impédance caractéristique (ZO), la capacité ou la self-inductance de conducteurs, voire de composants passifs ou actifs montés sur le circuit. Les conducteurs testés sont généralement des pistes conductrices réparties sur une ou plusieurs couches électriquement isolantes d'un substrat. Des pistes conductrices formées sur différentes couches isolantes peuvent être reliées par des trous métallisés appelés "vias" ou "microvias", traversant les couches isolantes. Avec la diminution des dimensions des composants électroniques, la densité des pistes des circuits imprimés augmente considérablement. Le test de tels circuits revêt alors un caractère crucial. Il s'agit notamment de vérifier l'absence de coupure sur des pistes The invention relates, for example, to the testing of conductors present on interconnect carriers such as printed circuits, as well as those present in integrated circuits, in flat-panel plasma or liquid crystal displays LCD (Liquid Crystal Display) OLED (Organic light-Emitting Diode), LCOS (Liquid Crystal On Silicon), etc. Electrical components such as integrated circuits, flat panel displays and printed circuit boards are submitted for testing prior to marketing as an integral part of their manufacturing process. Among the tests carried out, certain tests make it possible to determine the continuity, the insulation, the resistance, the characteristic impedance (ZO), the capacitance or the self-inductance of conductors, or even of passive or active components mounted on the circuit. The conductors tested are generally conductive tracks distributed over one or more electrically insulating layers of a substrate. Conductive tracks formed on different insulating layers can be connected by metallized holes called "vias" or "microvias", passing through the insulating layers. As the dimensions of the electronic components decrease, the density of printed circuit tracks increases considerably. The testing of such circuits is then crucial. These include checking the absence of cuts on tracks

conductrices ou de court-circuit entre des pistes conductrices dont le nombre peut atteindre plusieurs milliers, qui peuvent être réparties sur plusieurs dizaines de couches. Les mesures peuvent être effectuées entre des points dont la distance est de l'ordre de quelques dizaines de micromètres pour les circuits les plus denses. Il s'avère que les machines de test à contact traditionnelles faisant intervenir un "lit à clous" ont atteint leur limite à la fois du point de vue technologique et du point de vue économique. En effet, les lits à clous ne sont plus compatibles avec les distances séparant les points de tests des circuits les plus complexes. Les lits à clous présentent un coût qui augmente de manière exponentielle avec leur degré de miniaturisation et une fiabilité qui diminue d'autant. Certaines chaînes de fabrication de circuits imprimés comportent une inspection optique AOI (Automatic Optical Inspection), permettant à un opérateur de visualiser sur un écran de contrôle des coupures de pistes conductrices ou la présence de courts-circuits visibles. Toutefois, cette solution ne permet pas d'observer des pistes formées sur des couches internes du circuit, et de vérifier l'intégrité des vias, et ne permet pas d'effectuer d'autres mesures comme des mesures d'impédance (mesures de résistance, d'inductance ou de capacité). Pour pallier ces inconvénients, on a développé des méthodes de test d'isolement et de continuité sans contact dans lesquelles le potentiel électrique de conducteurs à tester est modifié par un faisceau lumineux ayant une énergie suffisante pour éjecter des électrons du conducteur par effet photoélectrique. Les électrons arrachés au conducteur sont accélérés par un champ électrique intense (plusieurs milliers à plusieurs conductive or short-circuit between conductive tracks whose number can reach several thousand, which can be spread over several tens of layers. The measurements can be made between points whose distance is of the order of a few tens of micrometers for the densest circuits. It turns out that traditional touch test machines involving a "nail bed" have reached their limit both technologically and economically. Indeed, the beds with nails are no longer compatible with the distances separating the test points of the most complex circuits. The beds with nails present a cost which increases exponentially with their degree of miniaturization and a reliability which diminishes accordingly. Some printed circuit manufacturing lines include an Automatic Optical Inspection (AOI) optical inspection, which allows an operator to view conductive line breaks or the presence of visible short circuits on a control screen. However, this solution does not make it possible to observe tracks formed on internal layers of the circuit, and to check the integrity of the vias, and does not make it possible to perform other measurements such as impedance measurements (resistance measurements). , inductance or capacitance). To overcome these drawbacks, non-contact insulation and continuity test methods have been developed in which the electrical potential of conductors to be tested is modified by a light beam having sufficient energy to eject electrons from the conductor by a photoelectric effect. The electrons torn from the driver are accelerated by an intense electric field (several thousand to several

millions de Volt par mètre). Avec des conducteurs tels que le cuivre, l'or ou des conducteurs étamés à l'étain-plomb, la source de lumière utilisée peut être une source de lumière cohérente de courte longueur d'onde, comme une source laser ultraviolette. Des sources de lumière non cohérentes peuvent également être utilisées. L'usage d'un faisceau d'électrons peu rapides peut également permettre de diminuer ou augmenter le potentiel d'un conducteur, suivant l'énergie des électrons primaires (incidents). million Volts per meter). With conductors such as copper, gold, or tin-lead tinned conductors, the light source used may be a coherent, short-wave light source, such as an ultraviolet laser source. Non-coherent light sources may also be used. The use of a low-speed electron beam may also make it possible to reduce or increase the potential of a conductor, depending on the energy of the primary (incident) electrons.

Certains outils de test combinent l'usage d'un faisceau lumineux associé à un réseau d'électrodes de collection d'électrons, à un moyen d'injection d'électrons par contact tel qu'une matrice de micro pointes ou un film à conduction anisotrope permettant d'injecter du courant dans le circuit à tester, comme cela est décrit dans la demande WO 01/38892. L'effet photoélectrique peut également être utilisé pour injecter des électrons dans le circuit à tester, comme cela est décrit dans la demande WO2006/082294. Some test tools combine the use of a light beam associated with an electron collection electrode array, a contact electron injection means such as a micro tip array or a conduction film. anisotropic device for injecting current into the circuit to be tested, as described in application WO 01/38892. The photoelectric effect can also be used to inject electrons into the circuit to be tested, as described in WO2006 / 082294.

Toutefois, les outils de test faisant intervenir un ou plusieurs faisceaux lumineux nécessitent un positionnement précis de l'outil de test par rapport au circuit à tester, ou réciproquement. En effet, les faisceaux lumineux doivent être appliqués précisément sur les éléments à tester pour permettre l'obtention de résultats de mesure significatifs. Habituellement, ce positionnement est effectué par un dispositif de localisation visuelle, tel qu'une caméra associée à des moyens d'analyse d'image permettant de localiser des repères prévus sur le circuit à tester. Cette solution nécessite d'assurer un alignement mécanique très stable entre la caméra et le support du circuit à tester qui est généralement agencé dans une chambre à vide partiel. Cet alignement est difficile à préserver pendant le pompage sous vide du fait des However, the test tools involving one or more light beams require precise positioning of the test tool with respect to the circuit to be tested, or vice versa. Indeed, the light beams must be applied precisely to the elements to be tested in order to obtain significant measurement results. Usually, this positioning is performed by a visual location device, such as a camera associated with image analysis means for locating pins provided on the circuit to be tested. This solution requires a very stable mechanical alignment between the camera and the support of the circuit to be tested which is generally arranged in a partial vacuum chamber. This alignment is difficult to preserve during vacuum pumping due to

déformations mécaniques induites par la baisse de la pression ambiante. Par ailleurs, il est parfois nécessaire d'ouvrir la chambre à vide pour aligner les références mécaniques de la caméra et du circuit à tester. Lors du rétablissement du vide partiel, l'alignement du circuit avec son support peut être perdu. Le positionnement du circuit ainsi obtenu est donc peu précis. Dans d'autres outils de test, on utilise le système optique de guidage du faisceau laser pour transmettre l'image du circuit à tester à une caméra externe. Or, la longueur d'onde du faisceau laser émis est située dans le domaine des ultraviolets et le système optique est généralement optimisé pour la longueur d'onde du faisceau laser, tandis qu'une caméra ordinaire capte des longueurs d'ondes du spectre visible. Cette solution nécessite donc qu'un système optique achromatique soit prévu, dont le coût est plus élevé qu'un système non achromatique. Par ailleurs, on peut observer des phénomènes de dilatation/contraction des substrats, qui peuvent être anamorphiques (différentes suivant les axes). Pour tenir compte de ces phénomènes, il peut être nécessaire de tenir compte de la position d'un grand nombre de points du circuit dans le positionnement du faisceau laser. mechanical deformations induced by the decrease of the ambient pressure. In addition, it is sometimes necessary to open the vacuum chamber to align the mechanical references of the camera and the circuit to be tested. When the partial vacuum is restored, the alignment of the circuit with its support may be lost. The positioning of the circuit thus obtained is therefore not very precise. In other test tools, the optical system for guiding the laser beam is used to transmit the image of the circuit to be tested to an external camera. However, the wavelength of the emitted laser beam is in the ultraviolet range and the optical system is generally optimized for the wavelength of the laser beam, while a regular camera captures wavelengths of the visible spectrum. . This solution therefore requires an achromatic optical system to be provided, the cost of which is higher than a non-achromatic system. Moreover, one can observe the phenomena of expansion / contraction of the substrates, which can be anamorphic (different along the axes). To account for these phenomena, it may be necessary to consider the position of a large number of circuit points in the positioning of the laser beam.

Ainsi, il peut être souhaité de prévoir un procédé et un dispositif de localisation d'un circuit à tester qui soient simples à mettre à oeuvre et n'augmentent pas la complexité et le coût d'un outil de test. L'invention se base sur l'observation que le nombre d'électrons arrachés par effet photoélectrique en présence d'un champ électrique de collection est voisin de zéro lorsqu'un faisceau lumineux est appliqué sur une zone électriquement isolante, et atteint une valeur maximum lorsqu'il est correctement centré sur une zone électriquement conductrice. Ainsi, un faisceau lumineux Thus, it may be desired to provide a method and a device for locating a circuit to be tested which are simple to implement and do not increase the complexity and cost of a test tool. The invention is based on the observation that the number of electrons uprooted by photoelectric effect in the presence of a collection electric field is close to zero when a light beam is applied to an electrically insulating zone, and reaches a maximum value. when properly centered on an electrically conductive area. Thus, a light beam

peut être utilisé non seulement pour effectuer des tests, par exemple des tests d'isolation et de continuité électrique, mais également pour localiser le circuit à tester par rapport à l'outil de test, et le cas échéant, le positionner par rapport à l'outil de test. Plus précisément, la présente invention prévoit un procédé de localisation d'un élément électriquement conducteur à la surface d'un circuit. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes consistant à : placer le circuit dans un dispositif de test ou de mesure d'éléments électriquement conducteurs, comprenant au moins une source d'un faisceau lumineux, et une unité de contrôle pour appliquer le faisceau lumineux en plusieurs points d'impact sur la surface du circuit, appliquer le faisceau lumineux en plusieurs points d'impact sur la surface du circuit, afin de générer à la surface du circuit un flux de particules ayant une intensité dépendant de la nature du matériau au point d'impact du faisceau lumineux, comparer des variations d'intensité du flux de particules généré à chaque point d'impact, et en déduire la position de l'élément conducteur à la surface du circuit. Selon un mode de réalisation, le faisceau lumineux génère un flux lumineux fluorescent à la surface du circuit, la position de l'élément conducteur à la surface du circuit étant déduite de variations de l'intensité du flux lumineux fluorescent généré. Selon un mode de réalisation, le faisceau lumineux génère un flux d'électrons entrant dans ou sortant d'un élément électriquement conducteur à la surface du circuit, la position de l'élément conducteur à la surface du circuit étant déduite de variations de quantités d'électrons du flux d'électrons généré. Selon un mode de réalisation, la position de 35 l'élément conducteur est déterminée à partir de la can be used not only to carry out tests, for example insulation and electrical continuity tests, but also to locate the circuit to be tested in relation to the test tool, and, if necessary, to position it in relation to the test tool. More specifically, the present invention provides a method of locating an electrically conductive element on the surface of a circuit. According to one embodiment, the method comprises steps of: placing the circuit in a device for testing or measuring electrically conductive elements, comprising at least one source of a light beam, and a control unit for applying the light beam at several points of impact on the surface of the circuit, apply the light beam at several impact points on the surface of the circuit, in order to generate at the surface of the circuit a stream of particles having an intensity depending on the nature of the material at the point of impact of the light beam, compare intensity variations of the particle flux generated at each point of impact, and deduce the position of the conductive element at the surface of the circuit. According to one embodiment, the light beam generates a fluorescent luminous flux at the surface of the circuit, the position of the conductive element at the surface of the circuit being deduced from variations in the intensity of the fluorescent luminous flux generated. According to one embodiment, the light beam generates a flow of electrons entering or leaving an electrically conductive element at the surface of the circuit, the position of the conductive element at the surface of the circuit being deduced from variations in the quantities of electrons from the generated electron flux. According to one embodiment, the position of the conductive element is determined from the

position d'un point d'impact où la quantité flux d'électrons généré atteint une valeur maximum. Selon un mode de réalisation, la position de l'élément conducteur est déterminée à partir de la position de points d'impact adjacents présentant entre eux des variations maximum de quantités d'électrons des flux d'électrons générés. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes consistant à : disposer à proximité d'une face du circuit une électrode de collecte d'électrons ; réaliser une mesure en plusieurs points de la surface du circuit, chaque mesure en un point comportant l'application du faisceau lumineux centré sur le point du circuit, la collecte par l'électrode des électrons du flux d'électrons éjecté du circuit, et la mesure d'une caractéristique d'un signal provenant de l'électrode ; et déterminer la position de l'élément conducteur à la surface du circuit en fonction de la caractéristique du signal mesurée durant chacune des mesures. position of an impact point where the amount of electron flow generated reaches a maximum value. According to one embodiment, the position of the conductive element is determined from the position of adjacent impact points having between them maximum variations of electron quantities of the generated electron fluxes. According to one embodiment, the method comprises the steps of: arranging, near a face of the circuit, an electron-collecting electrode; performing a measurement at several points of the circuit surface, each measurement at a point comprising the application of the light beam centered on the point of the circuit, the collection by the electron electrode of the electron flow ejected from the circuit, and the measuring a characteristic of a signal from the electrode; and determining the position of the conductive element at the surface of the circuit as a function of the characteristic of the signal measured during each of the measurements.

Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de réinitialisation du potentiel de l'élément conducteur entre des séquences d'au moins un tir de faisceau lumineux. Selon un mode de réalisation, les étapes de réinitialisation du potentiel de l'élément conducteur comprennent l'établissement d'un contact électrique entre l'élément conducteur et une source de tension ou une injection sans contact d'électrons dans l'élément conducteur. According to one embodiment, the method comprises steps of resetting the potential of the conductive element between sequences of at least one light beam firing. According to one embodiment, the steps of resetting the potential of the conductive element include establishing an electrical contact between the conductive element and a voltage source or a non-contact injection of electrons in the conductive element.

Selon un mode de réalisation, l'élément conducteur à localiser est métallique. Selon un mode de réalisation, les points d'impact à la surface du circuit sont répartis selon une configuration matricielle. According to one embodiment, the conductive element to be located is metallic. According to one embodiment, the impact points on the surface of the circuit are distributed in a matrix configuration.

Selon un mode de réalisation, les points d'impact à la surface du circuit sont répartis selon une configuration matricielle ayant un pas constant, la localisation de l'élément conducteur comportant plusieurs séries de mesures utilisant chacune une configuration matricielle, les configurations matricielles entre deux séries de mesures successives ayant des pas identiques ou décroissants. Selon un mode de réalisation, le faisceau lumineux 10 est un faisceau laser. Selon un mode de réalisation, le faisceau laser est émis de manière pulsée et présente une longueur d'onde inférieure à 240 nm. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend 15 une étape de calibration de moyens de positionnement du faisceau lumineux à la surface du circuit, au cours de laquelle une mire de calibration est mise en oeuvre et une table de correspondance est constituée entre des valeurs de signaux de commande fournis aux moyens de 20 positionnement et des positions de points d'impact du faisceau lumineux. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape de détermination de la configuration du circuit à partir de la position déterminée de l'élément 25 conducteur. L'invention concerne également un procédé de localisation d'un circuit, comprenant des étapes de détermination de la position d'au moins deux éléments conducteurs à la surface du circuit, conformément au 30 procédé défini précédemment, et de détermination de la configuration du circuit à l'aide des positions déterminées des deux éléments conducteurs. Selon un mode de réalisation, les deux éléments conducteurs sont choisis afin qu'ils soient éloignés le 35 plus possible l'un de l'autre. According to one embodiment, the impact points on the surface of the circuit are distributed in a matrix configuration having a constant pitch, the location of the conductive element comprising several series of measurements each using a matrix configuration, the matrix configurations between two series of successive measurements having identical or decreasing steps. According to one embodiment, the light beam 10 is a laser beam. According to one embodiment, the laser beam is pulsed and has a wavelength of less than 240 nm. According to one embodiment, the method comprises a step of calibrating means for positioning the light beam on the surface of the circuit, during which a calibration chart is implemented and a correspondence table is constituted between values of control signals provided to the positioning means and the positions of impact points of the light beam. According to one embodiment, the method comprises a step of determining the configuration of the circuit from the determined position of the conductive element. The invention also relates to a method for locating a circuit, comprising steps for determining the position of at least two conductive elements on the surface of the circuit, in accordance with the method defined above, and for determining the configuration of the circuit. using the determined positions of the two conductive elements. According to one embodiment, the two conductive elements are selected so that they are as far apart as possible.

Selon un mode de réalisation, la détermination de la configuration du circuit comprend la détermination d'un angle de rotation du circuit par rapport à un axe de référence. According to one embodiment, the determination of the configuration of the circuit comprises determining an angle of rotation of the circuit with respect to a reference axis.

Selon un mode de réalisation, la détermination de la configuration du circuit comprend la détermination de coefficients de correction pour déterminer la position d'un conducteur du circuit par rapport à un axe de référence. 1(- Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape d'ajustement de la position du circuit par rapport à un axe de référence. L'invention concerne également un procédé de test 15 d'un circuit, appliqué en conducteur du libérées sous dans lequel : un faisceau lumineux est un premier emplacement d'un élément circuit, des charges électriques sont l'effet de l'application du faisceau lumineux, collectées les charges électriques libérées sont une électrode collectrice, une 20 caractéristique d'un signal provenant de l'électrode est mesurée, et une caractéristique électrique de l'élément conducteur est déduite de la mesure. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes de détermination de la position du circuit, conformément au 25 procédé de localisation d'un circuit défini précédemment. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un circuit, comportant une étape de test conforme au procédé de test défini précédemment. L'invention concerne également un dispositif 30 de test ou de mesure d'éléments électriquement conducteurs d'un circuit, comprenant : au moins une source d'un faisceau lumineux, et une unité de contrôle pour appliquer le faisceau lumineux en plusieurs points d'impact sur la surface du circuit, afin de générer à la 35 surface du circuit un flux de particules ayant une par According to one embodiment, the determination of the configuration of the circuit comprises the determination of correction coefficients for determining the position of a conductor of the circuit with respect to a reference axis. According to one embodiment, the method comprises a step of adjusting the position of the circuit with respect to a reference axis.The invention also relates to a method for testing a circuit, applied as a driver of the released In which: a light beam is a first location of a circuit element, electric charges are the effect of the application of the light beam, collected the released electrical charges are a collector electrode, a characteristic of a signal from of the electrode is measured, and an electrical characteristic of the conductive element is deduced from the measurement According to one embodiment, the method comprises steps of determining the position of the circuit, in accordance with the method of locating a The invention also relates to a method of manufacturing a circuit, comprising a test step according to the final test method. The invention also relates to a device 30 for testing or measuring electrically conductive elements of a circuit, comprising: at least one source of a light beam, and a control unit for applying the light beam in several impact points on the circuit surface, in order to generate at the surface of the circuit a stream of particles having a

intensité dépendant de la nature du matériau au point d'impact du faisceau lumineux. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour comparer des variations d'intensité du flux de particules généré à chaque point d'impact, et en déduire la position de l'élément conducteur à la surface du circuit. Selon un mode de réalisation, le faisceau lumineux génère une lumière fluorescente à la surface du circuit, le dispositif de test étant configuré pour déduire la position de l'élément conducteur à la surface du circuit, de variations de l'intensité de la lumière fluorescente générée. Selon un mode de réalisation, un flux d'électrons entrant dans ou sortant d'un élément électriquement conducteur est généré à la surface du circuit par le faisceau lumineux, le dispositif de test étant configuré pour déduire la position de l'élément conducteur à la surface du circuit, de variations de quantités d'électrons du flux d'électrons généré. intensity depending on the nature of the material at the point of impact of the light beam. According to one embodiment, the device is configured to compare intensity variations of the particle flux generated at each point of impact, and to deduce the position of the conductive element at the surface of the circuit. According to one embodiment, the light beam generates a fluorescent light at the surface of the circuit, the test device being configured to derive the position of the conductive element at the surface of the circuit, variations in the intensity of the fluorescent light. generated. According to one embodiment, a flow of electrons entering or leaving an electrically conductive element is generated on the surface of the circuit by the light beam, the test device being configured to deduce the position of the conductive element at the circuit surface, electron quantity variations of the generated electron flux.

Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour déterminer la position de l'élément conducteur à partir de la position du point d'impact où la quantité d'électrons du flux d'électrons généré atteint une valeur maximum. According to one embodiment, the device is configured to determine the position of the conductive element from the position of the point of impact where the amount of electrons of the generated electron flux reaches a maximum value.

Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour déterminer la position de l'élément conducteur à partir de la position de points d'impact présentant entre eux des variations maximum de quantités d'électrons de flux d'électrons générés. According to one embodiment, the device is configured to determine the position of the conductive element from the position of impact points having between them maximum variations of quantities of electrons generated electron flux.

Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend : au moins une électrode de collecte d'électrons, et des moyens de mesure pour réaliser une mesure en plusieurs points de la surface du circuit, chaque mesure en un point comportant l'application du faisceau lumineux centré sur le point du circuit, la According to one embodiment, the device comprises: at least one electron-collecting electrode, and measuring means for making a measurement at several points of the surface of the circuit, each measurement at a point comprising the application of the light beam centered on the circuit point, the

collecte par l'électrode des électrons du flux d'électrons éjecté du circuit, et la mesure d'une caractéristique d'un signal provenant de l'électrode, l'unité de contrôle étant configurée pour déterminer la position de l'élément conducteur à la surface du circuit en fonction de la caractéristique du signal mesurée durant chacune des mesures. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour réinitialiser le potentiel de l'élément conducteur entre des séquences d'au moins un tir de faisceau lumineux. Selon un mode de réalisation, la réinitialisation du potentiel de l'élément conducteur est effectuée en établissant un contact électrique entre l'élément conducteur et une source de tension ou en injectant sans contact des électrons dans l'élément conducteur. Selon un mode de réalisation, l'élément conducteur à localiser est métallique. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour effectuer tirs de faisceau lumineux en des points d'impact à la surface du circuit, répartis selon une configuration matricielle. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour effectuer des tirs de faisceau lumineux en des points d'impact à la surface du circuit, répartis selon une configuration matricielle ayant un pas constant, les configurations matricielles entre deux séries de mesures successives ayant des pas identiques ou décroissants. collecting the electrons ejected from the circuit by the electron electrode, and measuring a characteristic of a signal from the electrode, the control unit being configured to determine the position of the conductive element at the circuit surface as a function of the signal characteristic measured during each measurement. According to one embodiment, the device is configured to reset the potential of the conductive element between sequences of at least one firing of the light beam. According to one embodiment, the resetting of the potential of the conductive element is effected by establishing an electrical contact between the conductive element and a voltage source or by contactlessly injecting electrons into the conductive element. According to one embodiment, the conductive element to be located is metallic. According to one embodiment, the device is configured to perform light beam shots at impact points on the surface of the circuit, distributed in a matrix configuration. According to one embodiment, the device is configured to perform light beam firing at impact points on the surface of the circuit, distributed in a matrix configuration having a constant pitch, the matrix configurations between two series of successive measurements having not identical or decreasing.

Selon un mode de réalisation, le faisceau lumineux est un faisceau laser. Selon un mode de réalisation, le faisceau laser est émis de manière pulsée et présente une longueur d'onde inférieure à 240 nm. According to one embodiment, the light beam is a laser beam. According to one embodiment, the laser beam is pulsed and has a wavelength of less than 240 nm.

Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour calibrer des moyens de positionnement du faisceau lumineux à la surface du circuit à l'aide d'une mire de calibration, et pour constituer une table de correspondance entre des valeurs de signaux de commande fournis aux moyens de positionnement et des positions de points d'impact du faisceau lumineux. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour déterminer la position du circuit à partir de la position déterminée de l'élément conducteur. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour déterminer la position de deux éléments conducteurs à la surface du circuit, et déterminer la position du circuit à l'aide des positions déterminées des deux éléments conducteurs. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour choisir les deux éléments conducteurs afin qu'ils soient éloignés le plus possible l'un de l'autre. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour déterminer un angle de rotation du circuit par rapport à un axe de référence, à partir des positions déterminées des deux éléments conducteurs. Selon un mode de réalisation, le dispositif est configuré pour déterminer des coefficients de correction permettant de déterminer la position d'un conducteur du circuit par rapport à un axe de référence. L'invention concerne également l'utilisation de moyens de test présents dans d'un dispositif de test ou de mesure d'éléments électriquement conducteurs, pour localiser un élément électriquement conducteur à la surface d'un circuit conformément au procédé selon l'une des revendications 1 à 21, le dispositif comprenant : au moins une source d'un faisceau lumineux, et une unité de contrôle pour appliquer le faisceau lumineux en plusieurs points d'impact sur la surface du circuit. According to one embodiment, the device is configured to calibrate means for positioning the light beam on the surface of the circuit using a calibration pattern, and to constitute a correspondence table between values of control signals provided. the positioning means and the positions of the light beam impact points. According to one embodiment, the device is configured to determine the position of the circuit from the determined position of the conductive element. According to one embodiment, the device is configured to determine the position of two conductive elements on the surface of the circuit, and determine the position of the circuit using the determined positions of the two conductive elements. According to one embodiment, the device is configured to select the two conductive elements so that they are as far apart as possible. According to one embodiment, the device is configured to determine an angle of rotation of the circuit with respect to a reference axis, from the determined positions of the two conductive elements. According to one embodiment, the device is configured to determine correction coefficients for determining the position of a conductor of the circuit relative to a reference axis. The invention also relates to the use of test means present in a device for testing or measuring electrically conductive elements, for locating an electrically conductive element on the surface of a circuit according to the method according to one of the Claims 1 to 21, the device comprising: at least one source of a light beam, and a control unit for applying the light beam at a plurality of impact points on the surface of the circuit.

Des exemples de mise en oeuvre de l'invention seront décrits dans ce qui suit en se référant à titre non limitatif aux figures jointes parmi lesquelles : - la figure la est une vue schématique d'un dispositif de test appliquant un faisceau laser sur une face d'un circuit à tester, - la figure lb est une vue schématique d'une variante d'une partie du dispositif de test représenté sur la 10 figure la, - la figure 2 est une vue schématique d'un dispositif de test appliquant un faisceau laser sur deux faces du circuit à tester, - la figure 3 est une vue schématique en coupe d'une 15 connexion traversante surmontée d'une bille de soudure, illustrant un procédé d'injection d'électrons dans un conducteur du circuit à tester, - la figure 4 représente la configuration du circuit à tester par rapport à des axes du dispositif de test, 20 - la figure 5 représente une configuration de mesures de localisation d'un conducteur sur une face du circuit à tester, et - la figure 6 représente une mire de calibration du dispositif de test. 25 Les figures la, lb, 2 représentent des dispositifs de test dans lequel le procédé de localisation selon l'invention peut être mis en oeuvre. Le dispositif de test représenté sur la figure la reçoit ici un circuit à tester 5 de type "chip carrier" 30 ou "I0 Package Substrate". Il s'agit d'un support d'interconnexion de type éclateur, permettant de ramener à un pas de circuit imprimé, de l'ordre du millimètre, le pas d'interconnexion d'un composant électronique de type puce à semi-conducteur présentant une densité de 35 connexion beaucoup plus élevée. Le circuit 5 comporte un Examples of implementation of the invention will be described in the following with reference to non-limiting illustrations to the attached figures among which: - Figure la is a schematic view of a test device applying a laser beam on one side FIG. 1b is a schematic view of a variant of a portion of the test device shown in FIG. 1a; FIG. 2 is a schematic view of a test device applying a test circuit; FIG. laser beam on two sides of the circuit to be tested, - Figure 3 is a schematic sectional view of a through connection surmounted by a solder ball, illustrating a method of injecting electrons into a conductor of the circuit to be tested. FIG. 4 represents the configuration of the circuit to be tested with respect to axes of the test device; FIG. 5 represents a configuration of measurements of the location of a conductor on one face of the circuit to be tested, and FIG. 6 th presents a test pattern of the test device. Figures 1a, 1b, 2 show test devices in which the locating method according to the invention can be implemented. The test device shown in FIG. 1a here receives a test circuit 5 of the "chip carrier" type 30 or "I0 Package Substrate". It is a gap-type interconnection support, making it possible to reduce the interconnection pitch of a semiconductor chip type electronic component to a printed circuit pitch of the order of a millimeter. a much higher connection density. Circuit 5 has a

substrat isolant 5a, des pistes conductrices agencées sur la face supérieure du substrat 5a, des pistes conductrices agencées sur la face inférieure du substrat 5a, et des pistes 5b traversant le substrat (pistes comportant des "vias"). Chaque piste peut comprendre au moins une plage de contact 5c sur la face supérieure du substrat et/ou au moins une plage de contact 5d sur la face inférieure du substrat. Les plages 5c sont par exemple du type C4 ("Controlled Collapsed Chip Connection") ou sont revêtues d'une couche métallique (Or, Nickel/Or, Palladium, étain avec ou sans plomb, etc.). Les plages 5d sont par exemple du type BGA ("Bail Grid Array"). Ces diverses plages peuvent être arrangées sous forme matricielle à la surface du substrat 5a. 5a insulating substrate, conductive tracks arranged on the upper face of the substrate 5a, conductive tracks arranged on the underside of the substrate 5a, and tracks 5b through the substrate (tracks with "vias"). Each track may comprise at least one contact pad 5c on the upper face of the substrate and / or at least one contact pad 5d on the underside of the substrate. The ranges 5c are for example of the C4 type ("Controlled Collapsed Chip Connection") or are coated with a metal layer (Gold, Nickel / Gold, Palladium, tin with or without lead, etc.). The ranges 5d are, for example, of the BGA ("Bail Grid Array") type. These various ranges can be arranged in matrix form on the surface of the substrate 5a.

Le dispositif de test comporte un dispositif 1 fournissant un faisceau de lumière laser 2, par exemple un faisceau laser ultraviolet, une plaque 3 collectrice d'électrons disposée au dessus du circuit 5, un réseau de plages conductrices 7, une feuille à conduction anisotrope 6 assurant la connexion de chacune des plages 5d à une plage respective 7a du réseau 7, et un dispositif d'instrumentation de mesure 4 connecté entre la plaque collectrice 3 et le réseau 7. Le dispositif 1 comprend une source la fournissant le faisceau laser 2 et des moyens de déflexion lb orientant le faisceau 2 vers une zone du circuit à tester 5. La plaque 3 est sensiblement transparente au faisceau laser 2 et comporte des zones conductrices 3a connectées au dispositif 4. Le dispositif 4 comprend une source de tension 4a et un appareil de mesure 4b pour mesurer une caractéristique électrique, par exemple un ampèremètre. Le réseau 7 permet d'adresser une plage 7a et de la connecter au dispositif d'instrumentation 4. Ces divers éléments sont commandés par un dispositif de contrôle CNTL pour appliquer le faisceau laser 2 en un emplacement d'une The test device comprises a device 1 providing a laser light beam 2, for example an ultraviolet laser beam, an electron collecting plate 3 disposed above the circuit 5, an array of conductive pads 7, an anisotropic conduction foil 6 connecting each of the pads 5d to a respective slot 7a of the grating 7, and a measuring instrumentation device 4 connected between the collector plate 3 and the grating 7. The device 1 comprises a source supplying the laser beam 2 and deflection means 1b directing the beam 2 towards a zone of the circuit to be tested 5. The plate 3 is substantially transparent to the laser beam 2 and has conductive zones 3a connected to the device 4. The device 4 comprises a voltage source 4a and a measuring apparatus 4b for measuring an electrical characteristic, for example an ammeter. The network 7 makes it possible to address a range 7a and to connect it to the instrumentation device 4. These various elements are controlled by a CNTL control device to apply the laser beam 2 at a location of a

piste conductrice du circuit à tester 5, ici une plage 5c. Le test d'un élément conducteur comprend par exemple une étape consistant à porter un élément conducteur à un potentiel électrique, via le réseau de plages conductrices 7 et la feuille à conduction anisotrope 6, et une étape consistant à appliquer le faisceau laser 2 sur une plage conductrice 5c. Les charges électriques sont arrachées à l'élément conducteur par effet photoélectrique et sont collectées par la plaque 3. Une caractéristique du signal provenant de la plaque collectrice 3 est mesurée, et une caractéristique électrique de l'élément conducteur, comme la continuité du conducteur, ou son isolement électrique relativement à un autre conducteur du circuit, est déduite de la mesure. Le dispositif de test représenté sur la figure lb se distingue du précédent en ce que le réseau 7 et la feuille 6 sont remplacés par un ensemble de sondes 6a (ou "clous"). Chaque sonde 6a est reliée d'une part, à une plage 5d du circuit à tester 5, et d'autre part, au dispositif d'instrumentation 4 via un interrupteur 6b commandé par le dispositif CNTL. Le dispositif de test représenté en figure 2 est entièrement optique et permet d'effectuer des tests sans aucun contact avec le circuit à tester 5. Il comprend d'une part un dispositif 1T pour appliquer un faisceau laser 2T sur la face supérieure du circuit 5, et une plaque collectrice 3T en regard de la face supérieure, et d'autre part, un dispositif 1B pour appliquer un faisceau laser 2B sur la face inférieure du circuit 5, et une plaque collectrice 3B en regard de la face inférieure. Un dispositif d'instrumentation 4T est connecté à la plaque 3T et un dispositif d'instrumentation 4B est connecté à la plaque 3B. Les plaques 3T, 3B sont maintenues espacées des faces du circuit 5 par des entretoises 8T, 8B. conductive track of the circuit to be tested 5, here a range 5c. The test of a conductive element comprises, for example, a step of bringing a conductive element to an electrical potential, via the network of conductive areas 7 and the anisotropic conduction sheet 6, and a step of applying the laser beam 2 on a conductive pad 5c. The electrical charges are torn off from the conductive element by photoelectric effect and are collected by the plate 3. A characteristic of the signal coming from the collector plate 3 is measured, and an electrical characteristic of the conductive element, such as continuity of the conductor, or its electrical isolation relative to another conductor of the circuit, is deduced from the measurement. The test device shown in Figure lb differs from the previous in that the network 7 and the sheet 6 are replaced by a set of probes 6a (or "nails"). Each probe 6a is connected on the one hand, to a range 5d of the circuit to be tested 5, and on the other hand, to the instrumentation device 4 via a switch 6b controlled by the CNTL device. The test device shown in FIG. 2 is entirely optical and makes it possible to perform tests without any contact with the circuit to be tested. It comprises on the one hand a device 1T for applying a laser beam 2T to the upper face of the circuit. , and a collector plate 3T opposite the upper face, and on the other hand, a device 1B for applying a laser beam 2B to the lower face of the circuit 5, and a collector plate 3B facing the lower face. An instrumentation device 4T is connected to the plate 3T and an instrumentation device 4B is connected to the plate 3B. The plates 3T, 3B are kept spaced from the faces of the circuit 5 by spacers 8T, 8B.

L'ensemble du dispositif est piloté par un dispositif de contrôle CNTL. Les faisceaux laser 2, 2T, 2B représentés sur les figures la et 2 peuvent aussi être utilisés pour injecter des électrons dans le circuit à tester, suivant l'enseignement de WO 2006/082 294. Une telle injection d'électrons est illustrée sur la figure 3, qui représente plus en détail une piste conductrice 5b traversant le circuit à tester 5 et reliant une plage de connexion inférieure 5d à une plage de connexion supérieure 5c surmontée d'une bille de soudure 5f. La plaque collectrice 3 est portée à un potentiel inférieur à celui de la plage 5c du circuit 5. Le faisceau laser 2 est ensuite appliqué sur la plage 5c de manière à y être réfléchi vers la plaque collectrice 3. Le faisceau réfléchi arrache alors de la plaque collectrice (qui est ici émettrice) des électrons qui sont injectés dans la plage 5c. Chaque électron injecté de charge dQ conduit à une baisse du potentiel de la plage de dV, avec dQ = C.dV, C étant la capacité de la plage par rapport à son environnement. Le potentiel flottant de la plage 5c est ainsi diminué en y injectant des électrons. Pour pouvoir appliquer précisément le faisceau laser 2, 2T, 2B sur une plage de connexion 5c, une bille de soudure 5f ou une plage arrière 5d, le circuit à tester 5 doit être précisément localisé par rapport aux axes de déplacement du faisceau laser 2. Selon un mode de réalisation de l'invention, le repérage des plages de connexion est basé sur le fait que le nombre d'électrons émis par effet photoélectrique est sensiblement nul si le faisceau laser atteint une zone électriquement isolante du circuit à tester. Inversement, si le faisceau est correctement centré sur une plage électriquement conductrice, le nombre d'électrons émis par effet photoélectrique est maximum. En d'autres The entire device is controlled by a CNTL control device. The laser beams 2, 2T, 2B shown in FIGS. 1a and 2 may also be used to inject electrons into the circuit to be tested, according to the teaching of WO 2006/082 294. Such an injection of electrons is illustrated on FIG. 3, which shows in greater detail a conductive track 5b passing through the circuit 5 to be tested and connecting a lower connection pad 5d to an upper connection pad 5c surmounted by a solder ball 5f. The collector plate 3 is brought to a potential lower than that of the range 5c of the circuit 5. The laser beam 2 is then applied to the beach 5c so as to be reflected towards the collector plate 3. The reflected beam then pulls out of the collector plate (which is here emitting) electrons which are injected in the range 5c. Each electron injected with charge dQ leads to a fall in the potential of the range of dV, with dQ = C.dV, C being the capacity of the range relative to its environment. The floating potential of the range 5c is thus reduced by injecting electrons therein. In order to be able to precisely apply the laser beam 2, 2T, 2B over a connection pad 5c, a solder ball 5f or a rear pad 5d, the circuit to be tested 5 must be precisely located with respect to the axes of displacement of the laser beam 2. According to one embodiment of the invention, the identification of the connection pads is based on the fact that the number of electrons emitted by photoelectric effect is substantially zero if the laser beam reaches an electrically insulating area of the circuit to be tested. Conversely, if the beam is correctly centered on an electrically conductive range, the number of electrons emitted by photoelectric effect is maximum. In others

termes, le nombre d'électrons émis augmente avec la surface électriquement conductrice couverte par le faisceau laser. Ainsi, en appliquant le faisceau laser en plusieurs points sur la surface du circuit, il est possible de reconstituer une image de la répartition des zones conductrices à la surface du circuit. La figure 4 illustre un exemple de mise en oeuvre de ce procédé de localisation. Le procédé vise ici à localiser le circuit à tester 5 par rapport à deux axes de déplacement X, Y du faisceau laser 2, ayant pour origine un point 0 et formant un repère OXY. Dans l'exemple représenté, la face du circuit à tester 5 soumise au faisceau 2 comprend des plages conductrices 11, 12, 13 réparties selon une configuration matricielle, c'est-à-dire alignées suivant un repère O'X'Y' d'axes X', Y'. Les axes X et X' forment un angle 0, ainsi que les axes Y et Y'. Initialement, le circuit à tester est disposé dans une position connue avec une marge d'erreur de quelques centaines de micromètres. Les motifs (plage, repère, etc.) à repérer pour la localisation du circuit se trouvent donc dans une fenêtre de quelques centaines de micromètres de large. Pour éviter de confondre deux motifs, les motifs à repérer choisissont suffisamment éloignés d'autres zones conductrices, ou situés en bordure d'une zone où la densité de conducteurs est trop élevée pour que les conducteurs soient distingués. La localisation du circuit 5 comprend ici la localisation successive dans le repère OXY de deux plages conductrices de référence. Les plages de référence sont par exemple les plages 11 et 12 (ou 11 et 13, 11 et 14, etc.). Le centre de l'une des plages de référence, ici le centre de la plage 11, est considéré comme formant le point origine 0' du repère O'X'Y' du circuit à tester, tandis que la position du centre de l'autre plage de In other words, the number of electrons emitted increases with the electrically conductive surface covered by the laser beam. Thus, by applying the laser beam at several points on the surface of the circuit, it is possible to reconstruct an image of the distribution of the conductive zones on the surface of the circuit. FIG. 4 illustrates an exemplary implementation of this localization method. The method aims here to locate the circuit to be tested with respect to two axes of displacement X, Y of the laser beam 2, originating from a point 0 and forming an OXY mark. In the example shown, the face of the circuit to be tested 5 subjected to the beam 2 comprises conductive areas 11, 12, 13 distributed in a matrix configuration, that is to say, aligned according to a reference O'X'Y 'd X 'axes, Y'. The X and X 'axes form an angle 0, as well as the Y and Y' axes. Initially, the circuit to be tested is placed in a known position with a margin of error of a few hundred micrometers. The patterns (range, marker, etc.) to be identified for the location of the circuit are therefore in a window of a few hundred micrometers wide. To avoid confusing two patterns, the patterns to be selected choose sufficiently far from other conductive areas, or located at the edge of an area where the density of conductors is too high for drivers to be distinguished. The location of the circuit 5 here comprises the successive location in the OXY frame of two reference conductive areas. The reference ranges are for example the ranges 11 and 12 (or 11 and 13, 11 and 14, etc.). The center of one of the reference ranges, here the center of the beach 11, is considered as forming the origin point 0 'of the O'X'Y' mark of the circuit to be tested, while the position of the center of the other beach of

référence 12 par rapport au point 0' permet d'orienter les axes X', Y', c'est-à-dire déterminer l'angle O. Les plages de référence peuvent être choisies de manière à être suffisamment éloignées l'une de l'autre pour permettre une localisation aussi précise que possible du circuit 5. Le centre de chacune des plages de référence 11, 12 est localisé par exemple en effectuant une succession de mesures dans une zone de recherche où la plage est supposée se trouver, cette zone étant connue grâce aux données topographiques du circuit à tester et compte tenu de l'erreur de positionnement du circuit 5 dans le dispositif de test. Chaque mesure comprend des étapes d'application du faisceau laser en un point du circuit 5, et de mesure d'une caractéristique du signal collecté par le collecteur 3. Le faisceau laser est déplacé entre chaque mesure de manière à localiser un point où la caractéristique mesurée du signal est maximum. Le point ainsi localisé correspond au point recherché. Les mesures effectuées pour localiser un élément sont par exemple réparties suivant une configuration matricielle de points de mesure couvrant la zone de recherche, comme illustré sur la figure 5. La configuration matricielle est représentée sous la forme d'un quadrillage de lignes horizontales et verticales dont les intersections déterminent les emplacements des points de mesure. Dans l'exemple représenté, la configuration matricielle comprend 81 points de mesure de coordonnées (xi, yj), i et j étant des nombres entiers variant de 1 à 9. Les points de mesure sont espacés les uns des autres suivant les axes X et Y de 10 à 50 pm, pour un faisceau laser ayant un diamètre compris entre 50 et 150 pm et une plage conductrice ayant une largeur du même ordre de grandeur que le diamètre du faisceau laser. reference 12 with respect to the point 0 'makes it possible to orient the axes X', Y ', that is to say to determine the angle O. The reference ranges can be chosen so as to be sufficiently distant one of the other to allow a location as accurate as possible of the circuit 5. The center of each of the reference ranges 11, 12 is located for example by performing a series of measurements in a search area where the range is supposed to be, this zone being known thanks to the topographic data of the circuit to be tested and taking into account the positioning error of the circuit 5 in the test device. Each measurement comprises steps of applying the laser beam at a point of the circuit 5, and measuring a characteristic of the signal collected by the collector 3. The laser beam is moved between each measurement so as to locate a point where the characteristic measured signal is maximum. The point thus located corresponds to the point sought. The measurements made to locate an element are for example distributed according to a matrix configuration of measurement points covering the search area, as illustrated in FIG. 5. The matrix configuration is represented in the form of a grid of horizontal and vertical lines of which the intersections determine the locations of the measurement points. In the example shown, the matrix configuration comprises 81 coordinate measurement points (xi, yj), i and j being integers varying from 1 to 9. The measurement points are spaced from each other along the X and Y 10 to 50 pm, for a laser beam having a diameter of between 50 and 150 pm and a conductive pad having a width of the same order of magnitude as the diameter of the laser beam.

Après chaque tir, le faisceau laser est déplacé d'un pas constant (égal à la distance entre deux lignes horizontales ou verticales adjacentes) suivant l'un et/ou l'autre des axes X, Y de déplacement du faisceau laser. After each firing, the laser beam is displaced by a constant pitch (equal to the distance between two adjacent horizontal or vertical lines) along one or both of the X, Y axes of displacement of the laser beam.

La réalisation et le traitement des mesures suivant la configuration matricielle de la figure 5 permet de mettre en évidence des zones 31, 32, 33 dans lesquelles les valeurs mesurées sont voisines, les valeurs les plus élevées étant obtenues dans la zone 33 au voisinage du centre de la plage 5c recherchée. Pour tenir compte de variations du signal mesuré qui peut provenir de plusieurs causes (bruit, précision des appareils de mesure, variabilité de l'énergie laser d'un tir à l'autre, The production and processing of the measurements according to the matrix configuration of FIG. 5 makes it possible to highlight zones 31, 32, 33 in which the measured values are close, the highest values being obtained in zone 33 in the vicinity of the center. from the desired 5c range. To take into account variations in the measured signal that can come from several causes (noise, accuracy of measurement devices, variability of laser energy from one shot to another,

.), la localisation d'une plage conductrice peut être réalisée sur la base de valeurs moyennes de mesures obtenues avec des tirs rapprochés spatialement. Il est également envisageable de procéder à plusieurs séries de mesures selon une même configuration de tirs, et de calculer une moyenne des mesures obtenues pour chacun des points de la configuration. Il sera noté que la résolution de l'image obtenue peut être limitée par le nombre de points de mesure et par l'étalement du spot laser. En effet, les faisceaux lasers utilisés présentent en général une répartition Gaussienne, de la forme E = exp (-ad2) , E représentant la quantité d'énergie du faisceau dans un cercle de diamètre d considéré, a étant une constante. Lorsque ad vaut 1, le cercle contient 87 % de l'énergie du faisceau. La répartition des zones conductrices à la surface du circuit est connue du dispositif de test grâce aux données topographiques (données de conception) du circuit qui sont introduites dans le dispositif de test. Ainsi, un algorithme approprié peut être mis en oeuvre pour retrouver l'image de chaque zone conductrice, éventuellement en prévoyant de renvoyer le faisceau laser sur une zone floue afin de collecter davantage. .DTD: d'informations permettant d'affiner l'image dans cette zone. Une localisation plus fine peut ensuite être effectuée en réitérant l'opération précédente avec une configuration matricielle dont le pas suivant les deux axes de déplacement X, Y du faisceau laser est réduit. Ainsi, une première configuration matricielle présentant un pas grossier, par exemple de l'ordre de 50 pm pour une taille de 9 x 9 points peut être utilisée pour localiser un premier point du circuit (par exemple le point 0'). Une seconde configuration matricielle plus fine, par exemple ayant un pas de 25 pm pour une taille de 5 x 5 points peut être ensuite utilisée pour préciser la position du premier point 0' et pour localiser 2 autres points (12) et (13). D'autres algorithmes peuvent être utilisés pour réduire le nombre de mesures nécessaires à la localisation d'un conducteur, comme par exemple des algorithmes dichotomiques faisant intervenir non pas des motifs de mesure matriciels, mais des motifs en croix. L'application du motif de mesure en croix comprend la réalisation d'une première série de mesures en déplaçant le faisceau laser suivant un premier axe. La position de la mesure maximum est ensuite repérée sur le premier axe. .), the location of a conducting range can be performed on the basis of average values of measurements obtained with spatially close shots. It is also conceivable to proceed to several series of measurements according to the same configuration of shots, and to calculate an average of the measurements obtained for each point of the configuration. It will be noted that the resolution of the obtained image may be limited by the number of measurement points and the spread of the laser spot. Indeed, the laser beams used generally have a Gaussian distribution, of the form E = exp (-ad2), E representing the amount of energy of the beam in a circle of diameter d considered, a being a constant. When ad is 1, the circle contains 87% of the energy of the beam. The distribution of the conductive areas on the surface of the circuit is known to the test device by the topographic data (design data) of the circuit which are introduced into the test device. Thus, an appropriate algorithm can be implemented to find the image of each conductive zone, possibly by providing to send the laser beam over a fuzzy area to collect more. .DTD: information to refine the image in this area. A finer localization can then be performed by repeating the previous operation with a matrix configuration whose pitch along the two axes of displacement X, Y of the laser beam is reduced. Thus, a first matrix configuration having a coarse pitch, for example of the order of 50 μm for a size of 9 × 9 points can be used to locate a first point of the circuit (for example the point 0 '). A second, finer matrix configuration, for example having a pitch of 25 μm for a size of 5 x 5 dots, can then be used to specify the position of the first point 0 'and to locate 2 further points (12) and (13). Other algorithms can be used to reduce the number of measurements necessary for the location of a conductor, such as, for example, dichotomic algorithms involving not matrix measurement patterns but cross patterns. The application of the cross measurement pattern comprises performing a first series of measurements by moving the laser beam along a first axis. The position of the maximum measurement is then marked on the first axis.

Une seconde série de mesures est ensuite réalisée suivant un second axe perpendiculaire au premier et passant par la position de la mesure maximum précédemment repérée. La position de la mesure maximum sur le second axe correspond à la position recherchée du conducteur. A second series of measurements is then performed along a second axis perpendicular to the first and passing through the position of the maximum measurement previously identified. The position of the maximum measurement on the second axis corresponds to the desired position of the driver.

Il peut être également prévu d'effectuer une recherche de contours de plages conductrices, en calculant des variations de mesures entre des points de mesure adjacents (dérivée spatiale du signal mesuré), les contours étant localisés aux points de mesure où les variations de mesure sont maximales. It can also be planned to conduct a search for conductive area contours by calculating measurement variations between adjacent measurement points (spatial derivative of the measured signal), the contours being located at the measurement points where the measurement variations are maximum.

Selon un mode de réalisation, il est prévu d'effectuer une calibration du dispositif de test, et en particulier, une calibration des commandes des miroirs galvanométriques assurant la déflexion du faisceau laser vers un point précis du circuit à tester. A cet effet, une mire de calibration est disposée dans le dispositif de test à l'emplacement d'un circuit à tester. La figure 6 représente un exemple de mire de calibration comprenant une surface conductrice percée de 16 x 16 trous de 200 pm de diamètre, espacés de 1 mm. Pour localiser des points de la mire, on utilise un repère Om,Xm,Ym centré sur la mire. Ainsi, un trou A situé en bas à gauche de la mire a pour coordonnées (-7.5, -7.5). Les galvanomètres qui assurent la déflexion du faisceau laser sont commandés par une tension pouvant aller par exemple de -10 à +10 V. Les galvanomètres sont tout d'abord soumis à des tensions nulles. Le faisceau laser se trouve donc appliqué au voisinage du centre Om de la mire. Ensuite, les centres de trous A, B, C, D situés en bas à gauche, en bas à droite, en haut à gauche et en haut à droite de la mire sont localisés en faisant varier les tensions appliquées aux galvanomètres de -10 à +10 V. Les coordonnées en Volt des centres des trous A, B, C, D sont mémorisées. Puis les coordonnées en Volt des emplacements des autres trous sont estimées par interpolation linéaire. A partir de ces estimations de coordonnées en Volt, les coordonnées en Volt des centres des trous de la mire sont déterminées en effectuant des tirs de faisceau laser autour de chaque trou. Les coordonnées en Volt ainsi déterminées sont mémorisées dans une table de calibration en association avec les coordonnées du centre du trou dans le repère Om,Xm,Ym. La table ainsi constituée permet de déterminer par interpolation les tensions à appliquer aux galvanomètres pour appliquer le faisceau laser en un point de coordonnées connues dans le repère Om,Xm,Ym. According to one embodiment, it is intended to carry out a calibration of the test device, and in particular, a calibration of the controls of the galvanometric mirrors ensuring the deflection of the laser beam to a precise point of the circuit to be tested. For this purpose, a calibration chart is placed in the test device at the location of a circuit to be tested. FIG. 6 represents an exemplary calibration pattern comprising a pierced conductive surface 16 × 16 holes 200 μm in diameter, spaced apart by 1 mm. To locate points of the target, we use a mark Om, Xm, Ym centered on the test pattern. Thus, a hole A located at the bottom left of the target has coordinates (-7.5, -7.5). The galvanometers which ensure the deflection of the laser beam are controlled by a voltage ranging for example from -10 to +10 V. Galvanometers are first subjected to zero voltages. The laser beam is therefore applied near the center Om of the test pattern. Then, the centers of holes A, B, C, D located at the bottom left, bottom right, top left and top right of the target are located by varying the voltages applied to the galvanometers from -10 to +10 V. The coordinates in Volt of the centers of the holes A, B, C, D are memorized. Then the coordinates in Volt of the locations of the other holes are estimated by linear interpolation. From these coordinates estimates in Volt, the coordinates in Volt of the centers of the holes of the test pattern are determined by firing laser beam around each hole. The coordinates in Volt thus determined are stored in a calibration table in association with the coordinates of the center of the hole in the frame Om, Xm, Ym. The table thus constituted makes it possible to determine by interpolation the voltages to be applied to the galvanometers for applying the laser beam at a point of known coordinates in the frame Om, Xm, Ym.

Le procédé de localisation décrit précédemment permet ensuite de déterminer la position du point origine 0' du circuit à tester et son angle de rotation 0 par rapport aux axes X et Y. The locating method described above then makes it possible to determine the position of the origin point 0 'of the circuit to be tested and its rotation angle θ with respect to the X and Y axes.

Ainsi dans l'exemple de la figure 4, les coordonnées en Volt du point 0' déterminées par une séquence de tirs de faisceau laser permettent de calculer à l'aide de la table de calibration les coordonnées en mm de ce point dans le repère OXY. Les coordonnées du point 0' permettent ensuite de calculer une estimation des coordonnées en mm et en Volt des centres des plages 12, 13, 14. Les coordonnées des centres des plages 12, 13,14 sont alors affinées en effectuant des tirs de faisceau laser. Les coordonnées en Volt obtenues sont mémorisées et sont utilisées pour calculer des écarts Ax, Ay entre les coordonnées estimées obtenues à la suite des distance entre les points et les coordonnées précises tirs de faisceau laser. La 0 et 0' et les écarts Ax, Ay rotation 0 du circuit à Une table de correction partir de la table de permettent de déduire 20 tester par rapport peut ensuite être l'angle de aux axes X,Y. constituée à calibration en établissant une correspondance entre les coordonnées de points à la surface du circuit à tester dans le repère O'X'Y' lié au circuit à tester et les 25 tensions à appliquer sur les galvanomètres pour que le faisceau laser atteigne ces points. Durant la localisation de plages conductrices, à chaque fois que l'on extrait par effet photoélectrique des électrons d'une plage conductrice, le potentiel de 3C-celle-ci augmente lorsque la plage n'est pas reliée à une source de tension. Si la quantité de charges à extraire de cette plage est importante, autrement dit, si sa capacité est importante, en regard du nombre de charges extraites à chaque tir, le potentiel de la plage 35 n'augmentera que faiblement d'un tir à l'autre. En Thus, in the example of FIG. 4, the coordinates in Volt of the point 0 'determined by a laser beam firing sequence make it possible to calculate, using the calibration table, the coordinates in mm of this point in the OXY coordinate system. . The coordinates of the point 0 'then make it possible to calculate an estimate of the coordinates in mm and in Volt of the centers of the areas 12, 13, 14. The coordinates of the centers of the areas 12, 13, 14 are then refined by carrying out laser beam shots. . The obtained Volt coordinates are stored and are used to calculate Ax, Ay discrepancies between the estimated coordinates obtained as a result of the distance between the points and the precise coordinates of the laser beam shots. The 0 and 0 'and the deviations Ax, Ay rotation 0 of the circuit to a correction table from the table of allow to deduce 20 test relative can then be the angle of the X, Y axes. constituted by calibration by establishing a correspondence between the coordinates of points on the surface of the circuit to be tested in the O'X'Y 'reference linked to the circuit to be tested and the voltages to be applied to the galvanometers so that the laser beam reaches these points . During the location of conductive pads, whenever the electrons of a conductive pad are electromagnetically extracted, the potential of 3C increases when the range is not connected to a voltage source. If the quantity of loads to be extracted from this range is large, in other words, if its capacity is large, compared to the number of charges extracted with each shot, the potential of the range 35 will only increase slightly from one shot to the next. 'other. In

revanche, si le faisceau laser est centré sur la plage, la quantité de charges collectées à chaque tir sera de plus en plus faible, entraînant une décroissance graduelle du signal résultant de la collecte des charges photoélectriques. Lorsque le potentiel de la plage sera proche de celui de la plaque collectrice 3, la charge effectivement collectée sera insuffisante pour obtenir une mesure significative. Il est dans ce cas nécessaire de diminuer à nouveau le potentiel de la plage considérée. Le potentiel des plages conductrices peut alors être réinitialisé après un ou plusieurs tirs de faisceau laser selon les circonstances. Lorsque le circuit comprend des plages de connexion haute densité sur la face recevant les tirs de faisceau laser, connectées à des plages de connexion basse densité sur l'autre face, la réinitialisation des plages de connexion entre chaque tir peut être effectuée par établissement d'un contact électrique avec les plages de connexion basse densité (dispositif de test de la figure la ou lb). Lorsque le dispositif de test ne comporte pas de moyens pour établir des contacts électriques avec le circuit à tester (cas de la figure 2), la réinitialisation du potentiel des plages conductrices peut également être effectuée par injection de charges électriques, par exemple comme décrit dans la demande de brevet WO 2006/082 294 et illustré par la figure 3. A cet effet, la plaque collectrice 3 est mise à la masse. Le faisceau laser est ensuite appliqué de manière à être 3(1 réfléchi sur des zones conductrices de la plaque collectrice au voisinage du conducteur à décharger électriquement, et à extraire des électrons de la plaque collectrice qui sont collectés par le conducteur dont le potentiel doit être initialisé. However, if the laser beam is centered on the range, the amount of charges collected at each shot will be increasingly low, resulting in a gradual decrease in the signal resulting from the collection of photoelectric charges. When the potential of the beach is close to that of the header plate 3, the load actually collected will be insufficient to obtain a significant measurement. In this case, it is necessary to reduce the potential of the range again. The potential of the conductive pads can then be reset after one or more laser beam shots depending on the circumstances. When the circuit includes high density connection pads on the face receiving the laser beam shots, connected to low density connection pads on the other side, the reset of the connection pads between each shot can be made by setting up an electrical contact with the low density connection pads (test device of Figure la or lb). When the test device does not have means for establishing electrical contacts with the circuit under test (the case of FIG. 2), the resetting of the potential of the conductive pads can also be carried out by injection of electric charges, for example as described in FIG. patent application WO 2006/082 294 and illustrated in FIG. 3. For this purpose, the collector plate 3 is grounded. The laser beam is then applied to be 3 (1 reflected on conductive areas of the collector plate in the vicinity of the conductor to be discharged electrically, and to extract electrons from the collector plate which are collected by the driver whose potential must be initialized.

La réinitialisation du potentiel de la plage conductrice peut être effectuée par un second faisceau laser avec le dispositif de test de la figure 2, le premier faisceau ne réalisant que des tirs de charge, et le second que des tirs de mise à la masse. Cette solution est particulièrement adaptée aux circuits comportant des pistes traversantes, les deux faisceaux étant appliqués sur des plages respectives reliées par une piste traversante, formées sur les faces respectives du circuit. Dans un mode de réalisation, on choisit de préférence pour les conducteurs visés ceux disposant d'au moins une extrémité de dimension sensiblement supérieure ou égale à la somme du diamètre du faisceau et du désalignement maximum du circuit 5. Le premier faisceau 2T est utilisé en configuration éjection d'électron , sur la plage 5c du conducteur, permettant la collecte de charges devant conduire à la localisation du conducteur au voisinage duquel le faisceau laser est appliqué. Le deuxième faisceau 2B est utilisé en configuration injection d'électrons sur une autre plage 5b du conducteur, soit simultanément, soit légèrement retardé par rapport au premier faisceau 2T. Le faisceau 2B dispose de suffisamment d'énergie de manière à pouvoir injecter un nombre d'électrons sensiblement équivalent à ceux qui ont pu être éjectés sur l'autre face du circuit par le faisceau 2T. Ainsi le potentiel du conducteur est ré-initialisé, et est alors prêt pour un autre prélèvement de charge, avec un "contraste" maximum en ce qui concerne la collecte de charge. Pour la localisation du circuit, on choisira donc un conducteur ayant une plage 5b, côté faisceau en configuration d'injection d'électrons, ayant une dimension sensiblement supérieur à la taille du faisceau 2, afin de pouvoir tirer systématiquement sur le The resetting of the potential of the conductive pad may be effected by a second laser beam with the test device of FIG. 2, the first beam performing only shots of charge, and the second only grounding shots. This solution is particularly suitable for circuits comprising through tracks, the two beams being applied to respective pads connected by a through track, formed on the respective faces of the circuit. In one embodiment, the conductors referred to preferably have those having at least one end of dimension substantially greater than or equal to the sum of the diameter of the beam and the maximum misalignment of the circuit 5. The first beam 2T is used in electron ejection configuration on the range 5c of the conductor, allowing the collection of charges to lead to the location of the driver in the vicinity of which the laser beam is applied. The second beam 2B is used in electron injection configuration on another range 5b of the conductor, either simultaneously or slightly delayed relative to the first beam 2T. The beam 2B has enough energy so as to inject a number of electrons substantially equivalent to those that could be ejected on the other side of the circuit by the beam 2T. Thus the potential of the driver is re-initialized, and is then ready for another charge pickup, with a maximum "contrast" in charge collection. For the localization of the circuit, a conductor having a range 5b, beam side in electron injection configuration, having a dimension substantially greater than the size of the beam 2, will therefore be chosen in order to systematically draw on the

conducteur, quel que soit le désalignement du circuit 5, pour obtenir une ré-initialisation de ce dernier. Pour limiter les opérations de réinitialisation du potentiel des plages conductrices, il est également envisageable de localiser une plage conductrice par une recherche de son contour de manière à minimiser l'augmentation du potentiel de la plage à chaque tir de faisceau laser. Une fois que le circuit a été localisé par le dispositif de test, une étape de correction d'alignement est réalisée soit mécaniquement par rotation du circuit à tester de l'angle 0, par rapport aux axes X, Y de déplacement du faisceau laser, soit à chaque positionnement du faisceau laser, en appliquant des coefficients de correction aux déplacements du faisceau laser. L'utilisation d'une table de correction obtenue à partir d'une mire de calibration permet de tenir compte de dérives notamment thermiques dans le positionnement du faisceau laser. driver, regardless of the misalignment of the circuit 5, to obtain a re-initialization of the latter. To limit the operations of resetting the potential of the conductive pads, it is also possible to locate a conductive pad by a search for its contour so as to minimize the increase of the potential of the range at each laser beam shot. Once the circuit has been located by the test device, an alignment correction step is performed either mechanically by rotation of the test circuit of the angle θ, with respect to the X, Y axes of displacement of the laser beam, or at each positioning of the laser beam, by applying correction coefficients to the displacements of the laser beam. The use of a correction table obtained from a calibration chart makes it possible to take account of particularly thermal drifts in the positioning of the laser beam.

Le procédé selon l'invention permet non seulement de déterminer la position du circuit par rapport aux axes X, Y de déplacement du faisceau laser, mais également de déterminer des corrections plus complexes à appliquer au positionnement du faisceau laser pour tenir compte de phénomènes de dilatation/contraction des substrats, qui peuvent être anamorphiques. Il suffit pour cela de déterminer la position de davantage de conducteurs à la surface du circuit, et d'en tenir compte dans l'élaboration de formules de correction de la position du faisceau laser. Comme les mêmes moyens de positionnement du faisceau laser à la surface du circuit sont utilisés à la fois pour localiser et tester le circuit, le procédé selon l'invention permet également d'auto-calibrer le dispositif de test, aussi bien au début que durant le The method according to the invention makes it possible not only to determine the position of the circuit relative to the X, Y axes of displacement of the laser beam, but also to determine more complex corrections to be applied to the positioning of the laser beam to take account of expansion phenomena. / contraction of substrates, which can be anamorphic. To do this, it suffices to determine the position of more conductors on the surface of the circuit, and to take this into account in the development of formulas for correcting the position of the laser beam. Since the same means of positioning the laser beam at the surface of the circuit are used both for locating and testing the circuit, the method according to the invention also makes it possible to self-calibrate the test device, both at the beginning and during the test. the

test d'un circuit, de manière à intégrer dans la localisation du faisceau laser par rapport au circuit, toutes les dérives diverses de positionnement du faisceau (axe optique du laser, bruit de commande de la position des miroirs galvanométriques défléchissant le faisceau, dérives thermiques de la position de ces miroirs). Ainsi, le procédé permet d'obtenir une grande précision d'impact, et donc une grande précision dans les mesures réalisées durant le test. test of a circuit, so as to integrate in the localization of the laser beam with respect to the circuit, all the various drifts of positioning of the beam (optical axis of the laser, control noise of the position of the galvanometric mirrors deflecting the beam, thermal drifts) the position of these mirrors). Thus, the method makes it possible to obtain a high accuracy of impact, and thus a high accuracy in the measurements made during the test.

Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que la présente invention est susceptible de diverses variantes de réalisation et d'applications. En particulier, l'invention n'est pas limitée à une localisation d'un circuit à partir de la localisation de deux conducteurs de ce circuit. Il peut en effet être envisagé de localiser un circuit à partir d'un seul élément conducteur à la surface du circuit, tel qu'une piste conductrice pouvant s'étendre sur une partie importante de la largeur ou de la longueur du circuit pour obtenir une bonne précision de localisation. Il n'est pas non plus indispensable que l'électrode qui capte les électrons éjectés du circuit à tester ait la forme d'une plaque disposée à proximité du circuit. Toute autre forme d'électrode est envisageable, comme par exemple une grille métallique. Par ailleurs, l'invention n'est pas limitée à la mesure d'un courant ou d'une charge électrique provenant de l'électrode. La caractéristique mesurée du signal provenant de l'électrode dépend du type du dispositif de test. Si le dispositif de test est du type de la figure la ou lb, la caractéristique mesurée peut être une amplitude de courant. Dans le cas d'un dispositif de test sans contact avec le circuit à tester, la caractéristique mesurée sera plutôt une charge électrique. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention is susceptible to various embodiments and applications. In particular, the invention is not limited to a location of a circuit from the location of two conductors of this circuit. It can indeed be envisaged to locate a circuit from a single conductive element to the surface of the circuit, such as a conductive track that can extend over a large part of the width or length of the circuit to obtain a good location accuracy. Nor is it essential that the electrode that captures the electrons ejected from the circuit to be tested has the shape of a plate disposed near the circuit. Any other form of electrode is conceivable, such as a metal grid. Moreover, the invention is not limited to the measurement of a current or an electric charge coming from the electrode. The measured characteristic of the signal from the electrode depends on the type of the test device. If the test device is of the type of Fig. 1a or 1b, the measured characteristic may be a current amplitude. In the case of a test device without contact with the circuit to be tested, the measured characteristic will rather be an electrical charge.

Pour localiser un élément conducteur, il peut être également envisagé sans sortir du cadre de l'invention, non pas d'éjecter des électrons de l'élément conducteur, mais d'injecter des électrons dans le conducteur à partir d'une électrode soumise à un tir de faisceau laser. Les potentiels de l'électrode et de l'élément conducteur sont ajustés de sorte que des électrons arrachés de l'électrode par le faisceau laser soient captés par l'élément conducteur. Si l'électrode ne se situe pas à proximité d'un élément conducteur susceptible de capter le flux d'électrons généré, les électrons arrachés retournent sur l'électrode, de sorte qu'aucun signal n'est détecté dans l'électrode. Dans les exemples décrits ci-dessus, le faisceau lumineux utilisé est un faisceau laser dont la longueur d'onde, choisie dans le domaine des ultraviolets, est suffisamment courte pour permettre l'éjection d'électrons par effet photoélectrique du matériau conducteur cible mais sans endommager le matériau ou la couche isolante par ablation. Typiquement, la longueur d'onde requise est située entre 200 et 300 nm. La longueur d'onde du faisceau laser peut ainsi être comprise entre 200 et 240 nm, suivant les métaux ou alliages concernés, de manière à obtenir un nombre suffisant d'électrons émis. To locate a conductive element, it may also be envisaged without departing from the scope of the invention, not to eject electrons from the conductive element, but to inject electrons into the conductor from an electrode subjected to a laser beam shot. The potentials of the electrode and the conductive element are adjusted so that electrons torn from the electrode by the laser beam are picked up by the conductive element. If the electrode is not in the vicinity of a conductive element capable of capturing the generated electron flux, the torn electrons return to the electrode, so that no signal is detected in the electrode. In the examples described above, the light beam used is a laser beam whose wavelength, chosen in the ultraviolet range, is short enough to allow the electron ejection by photoelectric effect of the target conductive material but without damage the material or insulating layer by ablation. Typically, the required wavelength is between 200 and 300 nm. The wavelength of the laser beam can thus be between 200 and 240 nm, depending on the metals or alloys concerned, so as to obtain a sufficient number of emitted electrons.

La fluence du faisceau laser peut être inférieure aux seuils d'ablation des matériaux à la surface du circuit à tester. Le faisceau laser peut également être émis sous forme d'impulsions ayant une durée de l'ordre de quelques nanosecondes. Le faisceau laser est par exemple généré par une source laser YAG multipliée en fréquence par un facteur cinq pour obtenir une longueur d'onde égale à 213 ns. L'invention n'est toutefois pas limitée à l'utilisation d'un faisceau laser. D'autres faisceaux 35 lumineux capables d'arracher des électrons d'un élément The fluence of the laser beam may be lower than the ablation thresholds of the materials on the surface of the circuit to be tested. The laser beam may also be emitted in the form of pulses having a duration of the order of a few nanoseconds. The laser beam is for example generated by a YAG laser source frequency multiplied by a factor of five to obtain a wavelength equal to 213 ns. The invention is however not limited to the use of a laser beam. Other light beams capable of tearing electrons out of an element

conducteur peuvent être utilisés sans sortir du cadre de la présente invention. Ainsi, des sources de lumière non cohérentes peuvent également être utilisées. Puisque le procédé selon l'invention recherche des zones où la quantité d'électrons du flux d'électrons généré ou la variation de cette quantité entre deux points adjacents est maximum, seules des mesures relatives ou indirectes de cette quantité sont nécessaires. D'autres moyens qu'une électrode collectrice peuvent être employés pour obtenir ces mesures relatives. Ainsi, par exemple la lumière fluorescente qui est produite par le faisceau laser peut être détectée à l'aide d'un photodétecteur sensible aux longueurs d'onde de la lumière fluorescente émise, et produisant un courant variant en fonction de l'intensité de la lumière produite. Divers matériaux émettent ainsi de la lumière par fluorescence s'ils sont irradiés par des photons UV. Ainsi, les verres et les céramiques sont en général très fluorescents. Les polymères émettent en général moins de lumière par fluorescence. Par contre, les métaux n'émettent pratiquement pas de lumière par fluorescence. L'effet de fluorescence est très amplifié en présence d'un flux lumineux intense comme celui du faisceau laser employé dans le dispositif de test précédemment décrit. Conductor can be used without departing from the scope of the present invention. Thus, non-coherent light sources can also be used. Since the method according to the invention seeks zones where the quantity of electrons of the generated electron flux or the variation of this quantity between two adjacent points is maximum, only relative or indirect measurements of this quantity are necessary. Other means than a collecting electrode can be used to obtain these relative measurements. Thus, for example, the fluorescent light that is produced by the laser beam can be detected with the aid of a photodetector sensitive to the wavelengths of the emitted fluorescent light, and producing a current varying according to the intensity of the light. light produced. Various materials thus emit fluorescent light if they are irradiated with UV photons. Thus, glasses and ceramics are in general very fluorescent. The polymers generally emit less light by fluorescence. On the other hand, the metals emit practically no light by fluorescence. The fluorescence effect is greatly amplified in the presence of an intense light flux such as that of the laser beam used in the test device described above.

Par conséquent, il est également possible de localiser les éléments conducteurs à la surface d'un circuit en localisant les zones noires sur le fond de lumière fluorescente émise par le vernis-épargne du circuit. A noter que la lumière fluorescente peut aisément être distinguée de celle du faisceau lumineux incident, puisque ce dernier présente une longueur d'onde située en dehors la plage de longueurs d'onde de la lumière émise par fluorescence. Ainsi, l'invention est basée sur la détection d'un 35 flux de particules (électrons ou photons) généré par un tir de faisceau lumineux en un point d'impact à la surface du circuit à localiser. Le procédé de localisation selon l'invention peut avoir d'autres applications comme la lecture d'une 5 inscription métallique imprimée sur une surface, ou la visualisation du contour d'une électrode pour contrôler sa présence et sa forme. Therefore, it is also possible to locate the conductive elements on the surface of a circuit by locating the black areas on the background of fluorescent light emitted by the varnish-saving circuit. It should be noted that the fluorescent light can easily be distinguished from that of the incident light beam, since the latter has a wavelength located outside the wavelength range of the light emitted by fluorescence. Thus, the invention is based on the detection of a stream of particles (electrons or photons) generated by firing a light beam at a point of impact on the surface of the circuit to be located. The locating method according to the invention may have other applications such as reading a printed metal inscription on a surface, or viewing the contour of an electrode to control its presence and shape.

Claims

1. A method of locating an electrically conductive element (5c) on the surface of a circuit (5), characterized in that it comprises the steps of: placing the circuit (5) in a test device or measuring electrically conductive elements, comprising at least one source (1a) of a light beam (2), and a control unit (CNTL) for applying the light beam at a plurality of impact points on the surface of the light beam circuit, applying the light beam (2) to a plurality of impact points on the surface of the circuit (5), in order to generate at the surface of the circuit a flux of particles having an intensity depending on the nature of the material at the point of the impact of the light beam, to compare variations in intensity of the particle flux generated at each point of impact, and to deduce the position of the conductive element at the surface of the circuit.

2. Method according to claim 1, wherein the light beam (2) generates a fluorescent luminous flux at the surface of the circuit (5), the position of the conductive element (5c) at the surface of the circuit being deduced from variations the intensity of the fluorescent light flux generated.

The method of claim 1, wherein the light beam (2) generates a flow of electrons entering or exiting an electrically conductive member (5c) at the surface of the circuit (5), the position of the The conductive element at the surface of the circuit is derived from electron quantity variations of the generated electron flux.

4. The method of claim 3, wherein the position of the conductive element (5c) is determined from the position of an impact point where the generated electron flow amount reaches a maximum value.

The method according to claim 3, wherein the position of the conductive element (5c) is determined from the position of adjacent impact points having between them maximum variations of electron quantities of the generated electron fluxes. .

6. Method according to one of claims 3 to 5, comprising the steps of: arranging, in the vicinity of a face of the circuit (5), an electrode (3) for collecting electrons; ù make a measurement at several points (xi, yj) of the circuit surface, each measurement at a point comprising the application of the light beam (2) centered on the point of the circuit, the collection by the electrode of the electrons of the flux electrons ejected from the circuit, and measuring a characteristic of a signal from the electrode; and determining the position of the conductive element (5c) at the surface of the circuit according to the characteristic of the signal measured during each of the measurements.

7. Method according to one of claims 3 to 6, comprising steps of resetting the potential of the conductive element (5c) between sequences of at least one firing of light beam.

The method of claim 7, wherein the steps of resetting the potential of the conductive element (5c) include establishing an electrical contact between the conductive element and a voltage source (4a) or an injection without electron contact in the conductive element.

9. Method according to one of claims 1 to 8, wherein the conductive element (5c) to locate is metallic.

10. Method according to one of claims 1 to 9, wherein the impact points (xi, yj) on the surface of the circuit (5) are distributed in a matrix configuration.

11. Method according to one of claims 1 to 10, wherein the impact points on the surface of the circuit are distributed in a matrix configuration having a constant pitch, the location of the conductive element comprising several series of measurements using each a matrix configuration, the matrix configurations between two series of successive measurements having identical or decreasing steps. 25

12. Method according to one of claims 1 to 11, wherein the light beam (2) is a laser beam. 30

The method of claim 12, wherein the laser beam is pulsed and has a wavelength of less than 240 nm.

14. Method according to one of claims 1 to 13, 35 comprising a calibration step of positioning means (lb) of the light beam on the surface of the circuit, during which a calibration chart is implemented and a table correspondence is formed between values of control signals supplied to the positioning means (1b) and the positions of impact points of the light beam (2).

15. Method according to one of claims 1 to 14, comprising a step of determining the configuration of the circuit (5) from the determined position of the conductive element (2).

16. A method of locating a circuit, characterized in that it comprises steps for determining the position of at least two conductive elements (11, 12) on the surface of the circuit (5), according to the method according to the invention. one of claims 1 to 15, and determining the configuration of the circuit using the determined positions of the two conductive elements.

17. The method of claim 16, wherein the two conductive elements (11, 12) are selected so that they are as far apart as possible.

The method of claim 16 or 17, wherein determining the configuration of the circuit (5) comprises determining a rotation angle (0) of the circuit relative to a reference axis (OX). 30

19. The method according to one of claims 16 to 18, wherein the determination of the configuration of the circuit (5) comprises the determination of correction coefficients for determining the position of a conductor of the circuit with respect to a reference axis. (OX) .25

20. The method of claim 19, comprising a step of adjusting the position of the circuit (5) relative to a reference axis (OX).

21. A method of testing a circuit, wherein: a light beam (2) is applied at a first location of a conductive element (5c) of the circuit, where electric charges are released under the effect of the application of the light beam, where the released electric charges are collected by a collector electrode (3), where a characteristic of a signal from the electrode is measured, and an electrical characteristic of the conductive element (5c) is deduced of the measurement, characterized in that it comprises steps of determining the position of the circuit, according to the method according to one of claims 16 to 20.

22. A method of manufacturing a circuit, characterized in that it comprises a test step according to claim 21.

23. A device for testing or measuring electrically conductive elements (5c) of a circuit (5), comprising: at least one source (1a) of a light beam (2), and a control unit ( CNTL) for applying the light beam at several impact points on the surface of the circuit, in order to generate at the surface of the circuit a stream of particles having an intensity depending on the nature of the material at the point of impact of the light beam, characterized in that it is configured to compare intensity variations of the particle flux generated at each point of impact, and to deduce therefrom the position of the conductive element (5c) at the surface of the circuit.

24. Test device according to claim 23, wherein the light beam (2) generates a fluorescent light on the surface of the circuit (5), the test device being configured to deduce the position of the conductive element (5c) to the surface of the circuit, variations in the intensity of the fluorescent light generated.

25. Test device according to claim 23, in which a flow of electrons entering or leaving an electrically conductive element (5c) is generated on the surface of the circuit (5) by the light beam (2), the device test device being configured to derive the position of the conductive element at the surface of the circuit from electron quantity variations of the generated electron flux.

The test device according to claim 25, configured to determine the position of the conductive element (5c) from the position of the point of impact where the amount of electrons of the generated electron flux reaches a maximum value.

Test device according to claim 25, configured to determine the position of the conductive element (5c) from the position of impact points having between them maximum variations of electron quantities of generated electron fluxes. .

28. Test device according to one of claims 25 to 27, comprising: at least one electron-collecting electrode (3), and measurement means for making a measurement at several points of the surface of the circuit ( 5), each measurement at a point including the application of the light beam (2) centered on the point. of the circuit, the collection by the electron electrode of the electron flow ejected from the circuit, and the measurement of a characteristic of a signal from the electrode, the control unit (CNTL) being configured to determine the position of the conductive element (5c) at the surface of the circuit as a function of the characteristic of the signal measured during each measurement.

29. Test device according to one of claims 25 to 28, configured to reset the potential of the conductive element (5c) between sequences of at least one beam of light.

The test device according to claim 29, wherein resetting the potential of the conductive element (5c) is performed by making electrical contact between the conductive element and a voltage source (4a) or by contactless injection of electrons in the conductive element (5c).

31. Test device according to one of claims 23 to 30, wherein the conductive element (5c) to be located is metallic.

32. Test device according to one of claims 23 to 31, configured to perform shots of light beam (2) at impact points on the surface of the circuit (5), distributed in a matrix configuration.

33. Test device according to one of claims 23 to 32, configured to perform light beam shots (2) at impact points on the surface of the circuit, distributed in a matrix configuration having a constant pitch, the configurations matrix between two series of successive measurements having identical or decreasing steps.

34. Test device according to one of claims 23 to 33, wherein the light beam (2) is a laser beam.

The test device of claim 34, wherein the laser beam is pulsed and has a wavelength of less than 240 nm. 20

36. Test device according to one of claims 1 to 35, configured to calibrate positioning means (Ib) of the light beam on the surface of the circuit using a calibration pattern, and to form a table of correspondence between values of control signals supplied to the positioning means and positions of impact points of the light beam (2).

37. A test device according to one of claims 23 to 36, configured to determine the position of the circuit (5) from the determined position of the conductive element (5c).

38. The test device according to one of claims 23 to 37, configured to determine the position of two conductive elements (11, 12) on the surface of the circuit (5), and to determine the position of the circuit using the determined positions of the two conductive elements.

39. Test device according to claim 38, configured to select the two conductive elements (11, 12) so that they are as far apart as possible. 10

40. Test device according to one of claims 23 to 39, configured to determine an angle of rotation (8) of the circuit with respect to a reference axis (OX), from the determined positions of the two conductive elements (11). , 12).

41. Test device according to one of claims 23 to 40, configured to determine correction coefficients for determining the position of a conductor of the circuit relative to a reference axis (OX).

42. Use of test means (1, 1T, 1B) present in a device for testing or measuring electrically conductive elements, for locating an electrically conductive element on the surface of a circuit (5) in accordance with Method according to one of Claims 1 to 21, the device comprising: at least one source (1a) of a light beam (2), and a control unit (CNTL) for applying the light beam at several points impact on the circuit surface.5