FR2906077B1 - Procede et appareillages associes, destine a la fabrication de substrats semiconducteurs poly ou monocristallins minces - Google Patents
Procede et appareillages associes, destine a la fabrication de substrats semiconducteurs poly ou monocristallins mincesInfo
- Publication number
- FR2906077B1 FR2906077B1 FR0608210A FR0608210A FR2906077B1 FR 2906077 B1 FR2906077 B1 FR 2906077B1 FR 0608210 A FR0608210 A FR 0608210A FR 0608210 A FR0608210 A FR 0608210A FR 2906077 B1 FR2906077 B1 FR 2906077B1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- manufacture
- semiconductor substrates
- monocrystalline semiconductor
- thin poly
- poly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0608210A FR2906077B1 (fr) | 2006-09-18 | 2006-09-18 | Procede et appareillages associes, destine a la fabrication de substrats semiconducteurs poly ou monocristallins minces |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0608210A FR2906077B1 (fr) | 2006-09-18 | 2006-09-18 | Procede et appareillages associes, destine a la fabrication de substrats semiconducteurs poly ou monocristallins minces |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2906077A1 FR2906077A1 (fr) | 2008-03-21 |
FR2906077B1 true FR2906077B1 (fr) | 2009-03-06 |
Family
ID=39111414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0608210A Expired - Fee Related FR2906077B1 (fr) | 2006-09-18 | 2006-09-18 | Procede et appareillages associes, destine a la fabrication de substrats semiconducteurs poly ou monocristallins minces |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2906077B1 (fr) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009092926A1 (fr) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Michel Roche | Procédé et appareillages associés, destiné à la fabrication de substrats semiconducteurs, poly ou monocristallins minces |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2752768B1 (fr) * | 1996-08-27 | 2003-04-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention d'une plaquette de materiau semiconducteur de grandes dimensions et utilisation de la plaquette obtenue pour realiser des substrats du type semiconducteur sur isolant |
US5877070A (en) * | 1997-05-31 | 1999-03-02 | Max-Planck Society | Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate |
FR2807074B1 (fr) * | 2000-04-03 | 2002-12-06 | Soitec Silicon On Insulator | Procede et dispositif de fabrication de substrats |
FR2828428B1 (fr) * | 2001-08-07 | 2003-10-17 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de decollement de substrats et procede associe |
JP4455804B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2010-04-21 | 株式会社ワイ・ワイ・エル | インゴットの切断方法と切断装置及びウェーハ並びに太陽電池の製造方法 |
JP4708185B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2011-06-22 | エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 特に光学、電子工学、または光電子工学における基板を製造する方法 |
-
2006
- 2006-09-18 FR FR0608210A patent/FR2906077B1/fr not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2906077A1 (fr) | 2008-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI347985B (en) | Silicon single crystal wafer for igbt and method for manufacturing silicon single crystal wafer for igbt | |
EP1981085A4 (fr) | Substrat tft, substrat tft reflechissant et leur procede de fabrication | |
TWI369728B (en) | Substrate processing apparatus, liquid film freezing method and substrate processing method | |
HK1117270A1 (en) | Substrate and method of fabricating the same, and semiconductor device and method of fabricating the same | |
EP1950177A4 (fr) | Couche mince de semi-conducteur, procede de production de celle-ci et transistor a couches minces | |
EP2128088A4 (fr) | Appareil et procédé de fabrication d'un substrat de silicium et substrat de silicium | |
EP1902460A4 (fr) | Appareil d'alignement de substrat a haute vitesse | |
FR2898431B1 (fr) | Procede de fabrication de film mince | |
SG115843A1 (en) | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer | |
FR2872343B1 (fr) | Substrat semi-conducteur et son procede de preparation | |
EP2068352A4 (fr) | Film pour semi-conducteur, procédé de production de film pour semi-conducteur et dispositif à semiconducteurs | |
EP2017375A4 (fr) | Procédé de fabrication d'un cristal de nitrure du groupe iii, substrat cristallin de nitrure du groupe iii et dispositif semi-conducteur de nitrure du groupe iii | |
EP2177485A4 (fr) | Substrat de verre durci et son procédé de fabrication | |
EP2031647A4 (fr) | Procédé de fabrication d'une tranche de silicium et tranche de silicium fabriquée selon ce procédé | |
FR2908406B1 (fr) | Couche poreuse, son procede de fabrication et ses applications. | |
DE602008005987D1 (de) | Substrate für zellkultur und herstellungsverfahren dafür | |
FR2913262B1 (fr) | Plaque vitroceramique et son procede de fabrication. | |
FR2950062B1 (fr) | Solution et procede d'activation de la surface d'un substrat semi-conducteur | |
EP1970946A4 (fr) | SUBSTRAT CRISTALLIN À L AlxGayIn1-x-yN, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION | |
EP1892323A4 (fr) | Procede de croissance de monocristal de silicium, galette de silicium et substrat utilisant une telle galette de silicium | |
GB0906330D0 (en) | Method for manufacturing semiconductor epitaxial crystal substrate | |
TWI347379B (en) | Silicon wafer and method for producing same | |
FR2950633B1 (fr) | Solution et procede d'activation de la surface oxydee d'un substrat semi-conducteur. | |
EP2065924A4 (fr) | Procédé de traitement thermique de plaquettes en silicium | |
EP1975990A4 (fr) | Procédé de fabrication de tranche de monocristal de silicium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |
Effective date: 20120531 |