FR2826951A1 - Nouveau compose derive de la variete spinelle de sulfure d'indium, ses procedes de fabrication et ses applications - Google Patents
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- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical class [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 82
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 15
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 14
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 14
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 14
- 150000003388 sodium compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 9
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 3
- SIXIBASSFIFHDK-UHFFFAOYSA-N indium(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[In+3].[In+3] SIXIBASSFIFHDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- -1 soda compound Chemical class 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910014103 Na-S Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910014147 Na—S Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003283 colorimetric indicator Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/0264—Inorganic materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
L'invention concerne un nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium de formule générale (I) (In6 )Oh (In2-x/3 , Nax )Td S12 x étant compris dans la plage ] 0 - 1],Oh signifiant octaédrique, Td tétraédrique. Application : Fabrication de photopiles en couches minces.
Description
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Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium. ses procédés de fabrication et ses applications La présente invention concerne un nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium, un conducteur ionique et une couche mince incorporant un tel composé ainsi qu'un procédé de fabrication de ce composé sous forme de couche mince ou de monocristal.
Dans de nombreux domaines d'application, en particulier le domaine de l'optoélectronique et plus particulièrement celui des semi-conducteurs, on est aujourd'hui à la recherche de composés dont la largeur de la bande interdite est ajustée à volonté en fonction de la teneur atomique d'au moins l'un des éléments du composé. Les tentatives de mise au point de composés répondant à la définition précitée sont mentionnées dans la littérature et concernent notamment un composé à base d'arsenic, de gallium et d'aluminium répondant à la formule AlAsyGa, ce composé étant obtenu par épitaxie par jet moléculaire, technique complexe et onéreuse difficile à mettre en oeuvre dans le
cadre d'une fabrication industrielle. Par ailleurs, un tel produit dérivé de l'arsenic est toxique et polluant. Enfin, la largeur de la bande interdite présente des valeurs d'énergie non compatibles avec une application au domaine
cadre d'une fabrication industrielle. Par ailleurs, un tel produit dérivé de l'arsenic est toxique et polluant. Enfin, la largeur de la bande interdite présente des valeurs d'énergie non compatibles avec une application au domaine
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des semi-conducteurs et en particulier celui des couches tampons des photopiles. Enfin, les variations de la largeur de la bande interdite ne peuvent être obtenues qu'à l'intérieur d'une plage étroite.
Un but de la présente invention est de proposer un composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium non polluant dont la largeur de la bande interdite peut être adaptée à la demande par simple variation du pourcentage atomique d'au moins un des éléments du composé.
Un autre but de la présente invention est de proposer un composé du type précité dont la largeur de la bande interdite est élevée et peut varier à l'intérieur d'une large plage de manière à permettre notamment une application de tels composés dans la fabrication des photopiles.
Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication du composé du type précité sous forme de couches minces, les étapes de ce procédé permettant de synthétiser le composé par voie physique sèche à une température voisine de 2000C sans recourir à un dépôt par voie chimique susceptible de rompre la chaîne physique des dépôts.
A cet effet, l'invention a pour objet un nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium de formule générale (I) :
x étant compris dans la plage] 0-l], Oh signifiant octaédrique, Td tétraédrique.
x étant compris dans la plage] 0-l], Oh signifiant octaédrique, Td tétraédrique.
L'invention a encore pour objet un conducteur ionique dans un environnement gazeux ou liquide, caractérisé en ce que le conducteur ionique est constitué d'au moins un composé
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du type précité, L'invention a encore pour objet une couche mince telle qu'une couche tampon de photopile en couches minces, caractérisée en ce que la couche mince est constituée d'au moins un composé du type précité.
L'invention a encore pour objet une utilisation d'un composé de formule générale (I) du type précité pour la fabrication de couches minces telles que la couche tampon de photopile en couches minces.
L'invention a encore pour objet une utilisation d'un composé de formule (I) du type précité pour la fabrication d'un conducteur ionique, L'invention a encore pour objet un procédé de fabrication d'un composé du type précité sous forme d'une couche mince telle que la couche tampon d'une photopile en couches minces, caractérisé en ce qu'on dispose, dans une enceinte fermée équipée de moyens de mise sous vide, au moins une source solide d'indium, une source solide de soufre une source solide d'un composé sodé et au moins un substrat tel qu'une couche absorbante dans le spectre solaire d'une photopile, en ce qu'on dépose le soufre sur le substrat à une vitesse de l'ordre de 1 nm s-'en fort excès et en ce qu'on chauffe alternativement la source d'indium et la source de composé sodé pour provoquer, par évaporation thermique, le dépôt sur le substrat de couches d'indium et de composé sodé réagissant in situ pour former le composé de formule (I) et en ce qu'on détermine la valeur de x en fonction du rapport des épaisseurs de couche d'indium et de composé sodé.
L'invention a encore pour objet un procédé de fabrication d'un composé du type précité sous forme d'un monocristal, caractérisé en ce qu'on place, dans une enceinte fermée scellée sous vide primaire, un mélange de sulfure d'indium
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et de sulfure de sodium dans le rapport molaire 4 : 0,5, en ce qu'on porte l'enceinte à une température de 800 C et en ce qu'on maintient cette température durant une période d'au moins sept jours.
L'invention sera bien comprise à la lecture de la description suivante d'exemples de réalisation, en référence aux dessins annexés dans lesquels : la figure 1 représente un graphique illustrant l'évolution de la largeur de la bande interdite des
couches minces de (InojJIng. Na-S en fonction de leur teneur atomique en sodium et la figure 2 représente, sous forme de graphique, le spectre d'absorption du composé en fonction de la teneur atomique en sodium du composé.
couches minces de (InojJIng. Na-S en fonction de leur teneur atomique en sodium et la figure 2 représente, sous forme de graphique, le spectre d'absorption du composé en fonction de la teneur atomique en sodium du composé.
Comme mentionné ci-dessus, le nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium, objet de l'invention, répond à la formule générale (I) :
(InJ(In, . NaJS (I) x étant strictement supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1, Oh signifiant octaédrique, Td tétraédrique.
(InJ(In, . NaJS (I) x étant strictement supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1, Oh signifiant octaédrique, Td tétraédrique.
En ce qui concerne les propriétés chimiques d'un tel composé, on note que le sodium est lié au soufre. Il est intercalé dans les sites tétraédriques vacants de la structure du ss-In2S3 et substitué à l'indium en sites tétraédriques. Il y a formation d'une solution solide dont
la composition limite est (In) (InNa) S. D'un point de vue structurel, le composé, quand il se présente sous forme de couches minces, présente des couches minces polycristallines. Les grains les constituant cristallisent dans la structure quadratique du B-InSg. Le volume de la maille unitaire augmente quand le taux de sodium présent au sein des couches augmente.
la composition limite est (In) (InNa) S. D'un point de vue structurel, le composé, quand il se présente sous forme de couches minces, présente des couches minces polycristallines. Les grains les constituant cristallisent dans la structure quadratique du B-InSg. Le volume de la maille unitaire augmente quand le taux de sodium présent au sein des couches augmente.
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Divers procédés de fabrication peuvent permettre d'aboutir à la réalisation d'un tel composé, Ce composé peut se présenter sous forme d'un monocristal. Ce monocristal peut être préparé à partir d'un précurseur contenant de l'indium, tel que In, InSg, InCl... et d'un composé sodé tel que Na2S, Na... Ainsi, à titre d'exemple, il peut être procédé tel que suit : Un mélange de In2S3 et Na2S dans le rapport molaire 4 : 0,5 est placé dans un tube de quartz scellé sous vide primaire, Ce tube est porté à 8000C (10 C/heure) et maintenu à cette température durant une semaine. L'analyse chimique par EDX
des cristaux obtenus est In, 36, 5 % ; Na. 5, 4 % et S : 57, 12 % en bon accord avec les résultats de l'affinement structural. On note, sur le plan de la structure, que le composé cristallise dans le système Fd-3m (n 227) avec un paramètre de maille a = 10,8323 (12) A. La densité est de 1, 681. Sa structure est dérivée du type spinelle AB204 dans lequel les sites octaédriques (Oh) sont occupés par l'indium tandis que l'occupation des sites tétraédriques (Td) se répartit selon In, 66 ; []O. 33' [] symbolise un site lacunaire.
des cristaux obtenus est In, 36, 5 % ; Na. 5, 4 % et S : 57, 12 % en bon accord avec les résultats de l'affinement structural. On note, sur le plan de la structure, que le composé cristallise dans le système Fd-3m (n 227) avec un paramètre de maille a = 10,8323 (12) A. La densité est de 1, 681. Sa structure est dérivée du type spinelle AB204 dans lequel les sites octaédriques (Oh) sont occupés par l'indium tandis que l'occupation des sites tétraédriques (Td) se répartit selon In, 66 ; []O. 33' [] symbolise un site lacunaire.
Ce composé peut encore constituer au moins l'un des composés d'une couche mince déposée à la surface d'un substrat de nature quelconque. Une telle couche mince peut ainsi être obtenue par évaporation thermique d'indium, de soufre et d'un composé sodé (NaF) sur un substrat dont la température est voisine de 473 K. La couche mince est donc constituée d'une pluralité de couches respectivement d'indium, de soufre et de composé sodé formées par évaporation thermique sous vide de sources solides d'indium, de soufre et de composé sodé. Le dépôt est effectué dans une enceinte où règne une pression résiduelle inférieure à 10-'Torr. Le soufre est déposé à une vitesse de l'ordre de 1 nm. S en fort excès. Le rapport des épaisseurs d'indium et du composé sodé NaF détermine la valeur de x. Il est donc possible de contrôler aisément la teneur en sodium des couches minces. Ce composé peut encore
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se présenter sous forme d'une poudre, Dans le cas où ce composé se présente sous forme d'une couche mince, ses propriétés le rendent particulièrement attractif pour une application à la fabrication de photopiles, en particulier à la fabrication de la couche tampon de cette photopile. Il convient de rappeler ici que l'intérêt suscité par l'énergie solaire a conduit depuis de nombreuses années à la réalisation de photopiles en couches minces. Cette technologie permet d'obtenir des modules photovoltaïques performants sur de grandes surfaces à un faible coût. La conversion photovoltaïque met en jeu une jonction entre deux semi-conducteurs ou encore entre un semi-conducteur et un métal. Cette conversion photovoltaïque nécessite l'utilisation d'une couche photoconductrice, d'une couche absorbante qui transforme le rayonnement lumineux en paires électrons-trous. Par la suite, ces porteurs créés sont collectés réalisant une jonction à la surface de cette couche absorbante. Cette jonction peut être une homojonction, c'est le cas de la filière classique mono (multi) silicium, soit une hétérojonction, c'est-à-dire une jonction avec deux semi-conducteurs différents, soit une jonction Schottky, c'est-à-dire un contact métal/semiconducteur. Dans le domaine des couches minces, il existe trois filières.
- la filière du silicium polycristallin et/ou amorphe dont les limites sont liées aux températures d'obtention élevées ou au rendement limité des cellules (Si amorphe), - la filière tellure de cadmium/sulfure de cadmium dont le principal inconvénient est la présence de cadmium qui est très nocif et dangereux pour l'environnement, - la filière des composés à structure chalcopyrite basée sur le Cu (In, Ga) Se2 (CIGS) qui nécessite une couche tampon (ou fenêtre optique) pour réaliser la jonction collectrice des porteurs.
Le composé, objet de l'invention, trouve une application particulière dans la réalisation de cette couche tampon. La couche tampon est donc une couche située entre la couche
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absorbante et la couche d'oxyde transparent conducteur (TCO). La couche absorbante est constituée d'un semiconducteur de type p (les porteurs majoritaires sont des trous) dont la conductivité est de l'ordre de 1 Q. cm et dont la bande interdite est comprise entre [1, 1-1, 7] eV suivant sa composition. La couche transparente conductrice de TCO doit laisser passer la lumière (bande interdite > 3,5 eV), elle doit être conductrice, conductivité > 103 Q-\ cm-1 et doit de plus être de type n pour assurer la jonction p/n nécessaire à la collection des porteurs des charges.
Si une jonction semi-conducteur absorbant/oxyde transparent conducteur est directement réalisée, une jonction photovoltaïque existera. Cependant, son rendement sera limité par l'inadaptation des bandes interdites. La trop grande différence (1, 1-1, 7 eV contre 3, 5-4 eV) entraîne la parution d'effets parasites (effets de Pics) au niveau des bandes de conduction et de valance lors du passage d'une couche à l'autre. Ces effets sont très pénalisants pour les performances des cellules. Des courants de fuite dus à la présence de zones désordonnées aux joints de grains sont également pénalisants. Les deux composés étant relativement conducteurs, l'inter-diffusion au niveau des joints de grain peut aller jusqu'à annuler tout l'effet photovoltaïque spécialement lors du dépôt de l'oxyde sur la couche absorbante. De ce fait, il est nécessaire d'introduire une couche dite couche tampon entre ces deux composés afin d'optimiser les performances de la photopile.
Cette couche doit avoir les propriétés suivantes : - une largeur de bande interdite intermédiaire permettant une transition souple entre celle du semi-conducteur et celle de l'oxyde transparent conducteur, soit une valeur comprise entre 2,5 et 3,2 eV, - une conductivité de type n pour former la jonction avec la couche absorbante qui est elle de type p. De plus, afin d'éviter les effets de fuites de courant, sa conductivité
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doit être plus faible que celle de la couche absorbante, soit de l'ordre de 10Q1 cm', - elle doit être morphologiquement très homogène pour éviter tout effet de court-circuit au niveau des joints de grain. Pour ce faire, sa conductivité doit être limitée mais la couche doit aussi avoir des propriétés de recouvrement et d'homogénéité qui permettent d'éviter les fuites couches absorbante/couche d'oxyde transparent pour des épaisseurs de l'ordre de 10 à 50 nm car sa faible conductivité, si elle évite les effets de court-circuit, peut devenir un obstacle au courant créé si la couche est plus épaisse.
La couche tampon idéale doit donc être constituée par une couche homogène d'une épaisseur de 10 nm qui a une conductivité de type n de l'ordre de 10-3 0-1 cm-1 et une bande interdite proche de 2,8 eV. Bien que ces propriétés soient justement celles des couches minces de sulfure de cadmium (CdS) déposées par voie chimique sur les composés absorbants à base de Cu (InGA) Se2, ces couches présentent divers inconvénients : - la présence de cadmium, qui est un polluant, ce qui est contraire à l'objectif énergie non polluante apportée par l'énergie des photopiles ; - la technique dite de dépôt chimique, qui. est une technique artisanale de dépôt par voie chimique, qui rompt la chaîne de dépôt physique. Ce qui constitue un handicap majeur dans le cas de la production industrielle de ces photopiles. De plus, sa bande interdite est relativement faible (2,45 eV).
A l'inverse, le composé, objet de l'invention, présente sous forme de couche mince des propriétés idéales pour être utilisé comme couche tampon au sein des photopiles. En effet, sa bande interdite peut être choisie entre 2,6 et 2,9 eV. Elle a une conductivité électrique de type n. Elle est très homogène. Elle est synthétisée par voie physique
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sèche à 200 C. Les premiers essais d'utilisation du composé objet de l'invention ont permis d'atteindre des rendements de conversion photovoltaïque supérieure à 10 %. Ainsi, le composé objet de l'invention présente une largeur de la bande interdite Eg qui varie en fonction de la teneur atomique x en sodium. Il présente ainsi une largeur de la bande interdite qui varie linéairement d'environ 2,10 eV pour x proche de 0 à 2,95 eV pour x = 1 comme l'illustre la figure 1. Le spectre d'absorption du composé est compris dans la plage de longueur d'onde environ 400 nm-environ 650 nm] comme l'illustre la figure 2. Comme le spectre d'absorption du composé est dans le spectre de la lumière visible, il en résulte la possibilité d'utiliser ce composé pour d'autres applications. En effet, l'aptitude de ce composé à changer de couleur en fonction de la teneur atomique x en sodium du composé permet notamment d'utiliser ce composé notamment en tant qu'indicateur colorimétrique.
Par ailleurs, du fait de la présence de sodium, ce composé peut être utilisé comme conducteur ionique dans un environnement gazeux ou liquide. Ainsi, dans le cas où ce conducteur ionique est placé dans un environnement gazeux, tel que du sulfure d'hydrogène, ou dans un environnement liquide constitué de solutions soufrées, il peut être constaté un déplacement d'ions sodium en fonction de la température et/ou de la composition des environnements gazeux ou liquides. On peut alors constater un changement de couleur du conducteur qui peut être interprété. Un tel conducteur ionique peut ainsi trouver une application en tant qu'organe de détection dans un capteur de pression de gaz.
Bien évidemment, d'autres applications de ce composé, en tant que conducteur ionique, pourront être envisagées.
Il est à noter que ce nouveau composé est également un composé luminescent. A nouveau, les caractéristiques de luminescence de ce composé pourront être utilisées dans de nombreuses applications.
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Dans le cas d'une application de ce composé, sous forme d'une couche mince, à la réalisation de la couche tampon d'une photopile en couche mince, la couche tampon sera disposée entre une couche photoconductrice, dite absorbante, et une couche d'oxyde transparent conducteur. La couche tampon est ainsi constituée d'une pluralité de couches, respectivement d'indium, de soufre et de composé sodé, formées par évaporation thermique sous vide de sources solides d'indium, de soufre et de composé sodé. Ces couches réagissent ensuite in situ pour former le composé objet de l'invention. Le fait que le processus de synthèse de tels composés ne requiert pas de température supérieure à 250 C, permet d'envisager la synthèse de couches minces sur des substrats flexibles tels que le téflon qui seront, dans un futur proche, le support de nombreux composants électroniques.
Le résultat obtenu ci-dessus permet d'envisager sérieusement de substituer le sulfure de cadmium par le composé objet de l'invention notamment dans le cadre de la fabrication de couche tampon pour les cellules photovoltaïques. Ce qui permettrait non seulement d'éliminer les problèmes de pollution dus au cadmium mais aussi d'éviter la rupture de chaîne de fabrication liée au dépôt par voie chimique, tout ceci avec un procédé de fabrication classique et peu onéreux.
Claims (17)
- x étant compris dans la plage ]0 - 1].
REVENDICATIONS 1. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium de formule générale (1).Oh signifiant octaédrique, Td tétraédrique. - 2. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il présente une largeur de la bande interdite Eg qui varie en fonction de la teneur atomique x en sodium.
- 3. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il présente une largeur de la bande interdite qui varie linéairement d'environ 2, 10 eV pour x proche de 0 à 2, 95 eV pour x = 1.
- 4. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le spectre d'absorption du composé est compris dans la plage de longueur d'onde environ 400 nm-environ 650 nm].
- 5. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il se présente sous forme d'un monocristal.
- 6. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il se présente sous forme d'une poudre.<Desc/Clms Page number 12>
- 7, Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il constitue au moins l'un des composés d'une couche mince déposée à la surface d'un substrat de nature quelconque.
- 8. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il constitue la couche tampon de conductivité électrique de type n d'une photopile en couches minces, la couche tampon étant de préférence disposée entre une couche photoconductrice, dite absorbante, et une couche d'oxyde transparent conducteur.
- 9. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon l'une des revendications 7 et 8, caractérisé en ce que la couche mince est constituée d'une pluralité de couches respectivement d'indium, de soufre et de composé sodé formées par évaporation thermique sous vide de sources solides d'indium, de soufre et de composé sodé.
- 10. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il est un conducteur ionique.
- 11. Nouveau composé dérivé de la variété spinelle de sulfure d'indium selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'il est luminescent.
- 12. Conducteur ionique dans un environnement gazeux ou liquide, caractérisé en ce que le conducteur ionique est constitué d'au moins un composé conforme à l'une des revendications 1 à 11.
- 13. Couche mince telle que couche tampon de photopile en couches minces, caractérisée en ce que la couche mince est constituée d'au<Desc/Clms Page number 13>moins un composé conforme à l'une des revendications 1 à 11.
- 14. Utilisation d'un composé de formule générale (I) conforme à l'une des revendications 1 à 4 pour la fabrication de couches minces telles que la couche tampon de photopile en couches minces.
- 15. Utilisation d'un composé de formule (I) conforme à l'une des revendications 1 à 11 pour la fabrication d'un conducteur ionique.
- 16. Procédé de fabrication d'un composé conforme à la revendication 1 sous forme d'une couche mince telle que la couche tampon d'une photopile en couches minces, caractérisé en ce qu'on dispose, dans une enceinte fermée équipée de moyens de mise sous vide, au moins une source solide d'indium, une source solide de soufre une source solide d'un composé sodé et au moins un substrat tel qu'une couche absorbante dans le spectre solaire d'une photopile, en ce qu'on dépose le soufre sur le substrat à une vitesse de l'ordre de 1 nm s-'en fort excès et en ce qu'on chauffe alternativement la source d'indium et la source de composé sodé pour provoquer, par évaporation thermique, le dépôt sur le substrat de couches d'indium et de composé sodé réagissant in situ pour former le composé de formule (I) et en ce qu'on détermine la valeur de x en fonction du rapport des épaisseurs de couche d'indium et de composé sodé.
- 17. Procédé de fabrication d'un composé conforme à la revendication 1 sous forme d'un monocristal, caractérisé en ce qu'on place, dans une enceinte fermée scellée sous vide primaire, un mélange de sulfure d'indium et de sulfure de sodium dans le rapport molaire 4 : 0, 5, en ce qu'on porte l'enceinte à une température de 8000C et en ce qu'on maintient cette température durant une période d'au moins sept jours.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| FR2826951A1 true FR2826951A1 (fr) | 2003-01-10 |
| FR2826951B1 FR2826951B1 (fr) | 2003-09-26 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
|---|---|
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