FR2805085A1 - NON-RECIPROCAL CIRCUIT DEVICE AND TELECOMMUNICATIONS DEVICE USING THE SAME - Google Patents
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Abstract
Il est proposé un dispositif à circuit non réciproque qui possède des caractéristiques de réflexion améliorées pour le port (P3) du conducteur central (53) disposé parallèlement à un côté d'un corps magnétique (55). Dans ce dispositif à circuit non réciproque, on forme un assemblage magnétique en disposant trois conducteurs centraux sur un corps magnétique (55) ayant la forme d'un parallélépipède rectangle. On rend la largeur de conducteur du conducteur central (53) qui est disposée parallèlement à un côté du corps magnétique plus grande que celle de chacun des deux autres conducteurs centraux (51, 52).A non-reciprocal circuit device is proposed which has improved reflection characteristics for the port (P3) of the central conductor (53) arranged parallel to one side of a magnetic body (55). In this non-reciprocal circuit device, a magnetic assembly is formed by placing three central conductors on a magnetic body (55) having the shape of a rectangular parallelepiped. The conductor width of the central conductor (53) which is arranged parallel to one side of the magnetic body is made larger than that of each of the other two central conductors (51, 52).
Description
SITUATION DE L'INVENTION PAR RAPPORT A LA TECHNIQUE ANTERIEURESITUATION OF THE INVENTION IN RELATION TO THE PRIOR ART
1. Domaine de l'invention La présente invention concerne un dispositif à circuit non réciproque, comme par exemple un isolateur ou un circulateur, utilisé dans une bande haute fréquence, par exemple la bande des hyperfréquences, ainsi qu'un dispositif de 1. Field of the Invention The present invention relates to a device with a non-reciprocal circuit, such as for example an isolator or a circulator, used in a high frequency band, for example the microwave band, as well as a device for
télécommunications utilisant ce dispositif à circuit non réciproque. telecommunications using this non-reciprocal circuit device.
2. Description de la technique antérieure 2. Description of the prior art
Ces dernières années, du fait de la tendance des dispositifs de télécommunications mobiles à aller vers une miniaturisation de plus en plus en grande, une réduction supplémentaire de la taille des dispositifs à circuit non réciproque utilisés dans ces dispositifs de télécommunications est apparue comme fortement nécessaire. Pour réaliser cette réduction de taille, la publication de demande de brevet japonais non examinée n 11-97 908 décrit un dispositif à circuit non réciproque utilisant un corps magnétique qui présente une forme de parallélépipède rectangle. Lorsque l'on utilise un tel corps magnétique présentant une forme de parallélépipède rectangle, un conducteur central est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique, les deux autres conducteurs centraux sont disposés de façon à être inclinés vers chaque côté, et tous les conducteurs centraux sont disposés de façon à présenter un angle d'intersection mutuelle valant sensiblement 120 degrés, ces conducteurs étant dans un état o ils sont électriquement isolés les uns des autres. Ici, les largeurs de conducteur et les écartements entre conducteurs de ces conducteurs centraux sont chacun fixés de In recent years, because of the tendency of mobile telecommunications devices to move towards an increasingly large miniaturization, a further reduction in the size of the non-reciprocal circuit devices used in these telecommunications devices has appeared to be highly necessary. To achieve this reduction in size, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 11-97,908 describes a non-reciprocal circuit device using a magnetic body which has the shape of a rectangular parallelepiped. When using such a magnetic body having the shape of a rectangular parallelepiped, a central conductor is arranged parallel to one side of the magnetic body, the other two central conductors are arranged so as to be inclined towards each side, and all the central conductors are arranged so as to have a mutual intersection angle of substantially 120 degrees, these conductors being in a state where they are electrically isolated from each other. Here, the conductor widths and the spacings between conductors of these central conductors are each fixed by
façon à avoir une même valeur.so as to have the same value.
Typiquement, l'impédance d'une partie d'entrée/sortie du circuit o les dispositifs à circuit non réciproque sont utilisés possède une valeur prédéterminée (ordinairement 50 Q2), et l'impédance de chaque port d'accès du dispositif à circuit non réciproque (ci-après appelée "impédance de port") est également fixée de Typically, the impedance of an input / output part of the circuit where non-reciprocal circuit devices are used has a predetermined value (usually 50 Q2), and the impedance of each access port of the non-reciprocal circuit device. reciprocal (hereinafter called "port impedance") is also fixed by
façon à présenter une valeur prédéterminée. so as to present a predetermined value.
Les trois conducteurs centraux qui sont disposés sur le corps magnétique en forme de parallélépipède rectangle de façon à être inclinés chacun vers un côté du corps magnétique sous un angle de 120 degrés forment une configuration asymétrique du point de vue de la rotation. Par conséquent, lorsque les largeurs des conducteurs et les écartements entre ces conducteurs centraux sont chacun tels qu'ils ont la même valeur, l'impédance de port du conducteur central qui est parallèle à un côté du corps magnétique devient supérieure à celle de chacun des deux autres conducteurs centraux. Par exemple, dans le dispositif à circuit non réciproque classique ci-dessus décrit, lorsque l'impédance de port des deux conducteurs centraux qui sont disposés de façon à être inclinés vers chaque côté du corps magnétique est fixée à 50 f2, l'impédance de port du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique peut devenir égale à 80 Q. Ainsi, les deux conducteurs centraux qui sont disposés de façon à être inclinés vers chaque côté du corps magnétique ont une configuration symétrique par rapport au corps magnétique, tandis que le conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique présente une configuration qui est asymétrique par rapport aux deux autres conducteurs centraux. Ainsi, dans le dispositif à circuit non réciproque classique ci-dessus décrit, il se pose un problème en ce que les caractéristiques de réflexion du port d'accès du conducteur central disposé parallèlement à un côté du corps magnétique The three central conductors which are arranged on the magnetic body in the shape of a rectangular parallelepiped so as to each be inclined towards one side of the magnetic body at an angle of 120 degrees form an asymmetrical configuration from the point of view of rotation. Consequently, when the widths of the conductors and the spacings between these central conductors are each such that they have the same value, the carrying impedance of the central conductor which is parallel to one side of the magnetic body becomes greater than that of each of the two other central conductors. For example, in the conventional non-reciprocal circuit device described above, when the carrying impedance of the two central conductors which are arranged so as to be inclined towards each side of the magnetic body is fixed at 50 f2, the impedance of port of the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body can become equal to 80 Q. Thus, the two central conductors which are arranged so as to be inclined towards each side of the magnetic body have a configuration symmetrical with respect to the magnetic body , while the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body has a configuration which is asymmetrical with respect to the other two central conductors. Thus, in the conventional non-reciprocal circuit device described above, there is a problem in that the reflection characteristics of the access port of the central conductor arranged parallel to one side of the magnetic body
se détériorent.deteriorate.
RESUME DE L'INVENTIONSUMMARY OF THE INVENTION
C'est donc un but de la présente invention de produire un dispositif à circuit non réciproque qui possède une caractéristique de réflexion améliorée pour le port d'accès du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté d'un corps magnétique, et de produire un dispositif de télécommunications utilisant celui-ci. Pour atteindre le but ci-dessus indiqué, la présente invention propose un dispositif à circuit non réciproque comprenant un corps magnétique qui possède une forme de parallélépipède rectangle, le corps magnétique comportant trois conducteurs centraux disposés de façon à présenter entre eux un angle d'intersection prédéterminé, les conducteurs centraux se trouvant les uns par rapport aux autres dans un état d'isolation électrique, et l'un d'eux étant disposé de façon sensiblement parallèle à un côté du corps magnétique. Dans ce dispositif à circuit non réciproque, la largeur de conducteur du conducteur central qui est disposé de façon sensiblement parallèle à un côté du corps magnétique est choisie de façon à être plus grande que celle de chacun des deux autres conducteurs centraux. De plus, lorsque chacun de ces conducteurs centraux est constitué d'une pluralité de conducteurs, l'écartement entre conducteurs du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique est choisi de façon à être It is therefore an object of the present invention to produce a non-reciprocal circuit device which has an improved reflection characteristic for the access port of the central conductor which is arranged parallel to one side of a magnetic body, and to produce a telecommunications device using it. To achieve the above-mentioned object, the present invention provides a non-reciprocal circuit device comprising a magnetic body which has the shape of a rectangular parallelepiped, the magnetic body comprising three central conductors arranged so as to present an angle of intersection between them. predetermined, the central conductors being in relation to each other in a state of electrical insulation, and one of them being arranged substantially parallel to one side of the magnetic body. In this non-reciprocal circuit device, the conductor width of the central conductor which is arranged substantially parallel to one side of the magnetic body is chosen so as to be greater than that of each of the other two central conductors. In addition, when each of these central conductors consists of a plurality of conductors, the spacing between conductors of the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body is chosen so as to be
plus grand que celui de chacun des deux autres conducteurs centraux. larger than that of each of the other two central conductors.
Selon cette structure, l'impédance de port du conducteur central, qui est disposé de façon sensiblement parallèle à un côté d'un corps magnétique, diminue, si bien qu'on peut améliorer les caractéristiques de réflexion de ce conducteur central. Plus spécialement, selon l'invention, pour amener l'impédance de port du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique à une valeur proche des impédances de port des deux autres conducteurs centraux, on fait en sorte que la largeur de conducteur ou l'écartement entre conducteurs du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique soit choisie de façon à être plus grand que la largeur de conducteur ou l'écartement entre conducteurs de chacun des deux autres conducteurs centraux. Ceci permet à chaque port d'accès de réaliser une adaptation d'impédance appropriée, qui conduit à l'amélioration des caractéristiques de According to this structure, the carrying impedance of the central conductor, which is arranged substantially parallel to one side of a magnetic body, decreases, so that the reflection characteristics of this central conductor can be improved. More specifically, according to the invention, in order to bring the carrying impedance of the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body to a value close to the carrying impedances of the two other central conductors, the width of conductor or the spacing between conductors of the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body is chosen so as to be greater than the width of the conductor or the spacing between conductors of each of the other two central conductors. This allows each access port to carry out an adaptation of appropriate impedance, which leads to the improvement of the characteristics of
* réflexion sur le port d'accès de chacun des conducteurs centraux. * reflection on the access port of each of the central conductors.
De préférence, chacun des conducteurs centraux est constitué de deux conducteurs. Ceci permet de réduire la perte d'insertion au moyen d'une structure simple. De plus, il est préférable qu'une résistance de terminaison soit Preferably, each of the central conductors consists of two conductors. This makes it possible to reduce the insertion loss by means of a simple structure. In addition, it is preferable that a termination resistor be
connectée à l'un quelconque des conducteurs centraux afin de former un isolateur. connected to any of the central conductors to form an insulator.
Dans ce cas, puisque le port d'accès du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique possède une impédance de port qui est plus susceptible de s'écarter que les impédances de port des autres conducteurs centraux, le port de ce conducteur central convient pour faire fonction d'un port In this case, since the access port of the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body has a port impedance which is more likely to deviate than the port impedances of the other central conductors, the port of this central conductor suitable to function as a port
d'isolation, qui peut être terminé par une résistance ayant une valeur arbitraire. insulation, which can be terminated by a resistor having an arbitrary value.
Il est donc préférable de connecter un port de terminaison à ce port d'accès. It is therefore preferable to connect a termination port to this access port.
De plus, on obtient un dispositif de télécommunications selon l'invention en le dotant d'un dispositif à circuit non réciproque qui présente les particularités ci-dessus indiquées. Ceci permet d'obtenir un dispositif de In addition, a telecommunications device according to the invention is obtained by providing it with a non-reciprocal circuit device which has the features indicated above. This makes it possible to obtain a device for
télécommunications ayant des caractéristiques supérieures. telecommunications with superior characteristics.
DESCRIPTION SUCCINCTE DES DESSINSSHORT DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise The following description, intended to illustrate the invention, aims
à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure 1 est une vue en plan montrant un assemblage magnétique selon un premier mode de réalisation de l'invention; la figure 2 est une vue développée montrant des conducteurs centraux selon le premier mode de réalisation; la figure 3 est une vue en perspective éclatée montrant la structure globale du dispositif à circuit non réciproque selon le premier mode de réalisation; la figure 4 est une vue en plan montrant le dispositif à circuit non réciproque selon le premier mode de réalisation, dont on a retiré un aimant permanent et une carcasse supérieure; la figure 5 est un diagramme montrant les pertes de réflexion qui se produisent dans la structure du premier mode de réalisation et dans une structure classique; la figure 6 est une vue en plan illustrant un assemblage magnétique selon un deuxième mode de réalisation de l'invention; la figure 7 est un diagramme illustrant les pertes de réflexion qui se produisent dans le deuxième mode de réalisation et dans la structure classique; la figure 8 est une vue en plan illustrant un assemblage magnétique selon un troisième mode de réalisation de l'invention; la figure 9 est un diagramme illustrant les pertes de réflexion qui se produisent dans la structure du troisième mode de réalisation et dans la structure classique; et la figure 10 est un schéma fonctionnel illustrant un dispositif de to give a better understanding of its characteristics and advantages; it is based on the appended drawings, among which: FIG. 1 is a plan view showing a magnetic assembly according to a first embodiment of the invention; Figure 2 is a developed view showing central conductors according to the first embodiment; Figure 3 is an exploded perspective view showing the overall structure of the non-reciprocal circuit device according to the first embodiment; FIG. 4 is a plan view showing the non-reciprocal circuit device according to the first embodiment, from which a permanent magnet and an upper carcass have been removed; FIG. 5 is a diagram showing the losses of reflection which occur in the structure of the first embodiment and in a conventional structure; FIG. 6 is a plan view illustrating a magnetic assembly according to a second embodiment of the invention; FIG. 7 is a diagram illustrating the losses of reflection which occur in the second embodiment and in the conventional structure; FIG. 8 is a plan view illustrating a magnetic assembly according to a third embodiment of the invention; FIG. 9 is a diagram illustrating the losses of reflection which occur in the structure of the third embodiment and in the conventional structure; and Figure 10 is a block diagram illustrating a device
télécommunications selon un quatrième mode de réalisation de l'invention. telecommunications according to a fourth embodiment of the invention.
DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS
On va décrire, en liaison avec les figures 1 à 4, la structure d'un dispositif à circuit non réciproque selon un premier mode de réalisation de l'invention. Le dispositif à circuit non réciproque selon ce mode de réalisation possède un assemblage magnétique 5 présentant la forme d'une plaque en parallélépipède rectangle, comme on peut le voir sur la figure 1, o trois conducteurs centraux 51, 52 et 53 sont disposés sur un corps magnétique 55, We will describe, in conjunction with Figures 1 to 4, the structure of a non-reciprocal circuit device according to a first embodiment of the invention. The non-reciprocal circuit device according to this embodiment has a magnetic assembly 5 having the shape of a rectangular parallelepiped plate, as can be seen in FIG. 1, where three central conductors 51, 52 and 53 are arranged on a magnetic body 55,
sur lequel les surfaces supérieure et inférieure sont quadrangulaires. on which the upper and lower surfaces are quadrangular.
Les conducteurs centraux 51, 52 et 53 sont formés par étampage d'une plaque faite d'un conducteur métallique, par exemple du cuivre. Comme on peut le voir sur la vue développée de la figure 2, les conducteurs centraux 51, 52 et 53 sont solidairement connectés au niveau d'une partie de masse électrique 54 constituant une borne de mise à la masse commune, et font saillie de la partie de mise à la The central conductors 51, 52 and 53 are formed by stamping a plate made of a metallic conductor, for example copper. As can be seen in the developed view of FIG. 2, the central conductors 51, 52 and 53 are integrally connected at the level of an electrical ground part 54 constituting a common grounding terminal, and protrude from the setting part
masse 54 vers l'extérieur.mass 54 outwards.
L'assemblage magnétique 5 possède une structure dans laquelle le corps magnétique 55 est placé sur la partie de mise à la masse commune 54, et dans laquelle tous les conducteurs centraux 51 à 53 sont disposés sur la surface supérieure du corps magnétique 55 de façon à envelopper le corps magnétique 55 par repliement de ces conducteurs centraux, en même temps qu'ils forment un angle d'environ 120 degrés les uns par rapport aux autres, une feuille isolante (non représentée) étant interposée entre ces conducteurs centraux. Chacun des ports d'accès P1 à P3 constituant les parties pointes des conducteurs centraux 51 à 53 respectifs possède une forme qui convient pour établir une connexion avec les autres éléments, et est formé de façon à faire saillie hors de la périphérie externe du corps magnétique 55, à l'extérieur. Chacun des conducteurs centraux 51 à 53 est constitué de deux conducteurs, les conducteurs centraux 51 et 52 sont disposés de manière à être inclinés par rapport à chaque côté du corps magnétique 55, et le The magnetic assembly 5 has a structure in which the magnetic body 55 is placed on the common grounding part 54, and in which all the central conductors 51 to 53 are arranged on the upper surface of the magnetic body 55 so as to wrapping the magnetic body 55 by folding these central conductors, at the same time as they form an angle of approximately 120 degrees with respect to each other, an insulating sheet (not shown) being interposed between these central conductors. Each of the access ports P1 to P3 constituting the pointed parts of the respective central conductors 51 to 53 has a shape which is suitable for establishing a connection with the other elements, and is formed so as to protrude outside the external periphery of the magnetic body 55, outside. Each of the central conductors 51 to 53 consists of two conductors, the central conductors 51 and 52 are arranged so as to be inclined relative to each side of the magnetic body 55, and the
conducteur central 54 est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique 55. central conductor 54 is arranged parallel to one side of the magnetic body 55.
Dans ce mode de réalisation, la largeur de conducteur A3 de chacun des deux conducteurs du conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique 55 est rendue plus grande que les largeurs Ai et A2 des deux conducteurs de chacun des autres conducteurs centraux 51 et 52. Ainsi, dans ce mode de réalisation, la largeur de conducteur A3 de chacun des deux conducteurs constituant le conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique 55 est choisie plus grande que les largeurs de conducteur Ai et A2 des autres conducteurs centraux 51 et 52 respectifs. Ici, les écartements entre conducteurs B 1, B2 et B3 des conducteurs centraux 51, 52 et 53 In this embodiment, the width of conductor A3 of each of the two conductors of the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body 55 is made greater than the widths Ai and A2 of the two conductors of each of the other central conductors 51 and 52. Thus, in this embodiment, the width of conductor A3 of each of the two conductors constituting the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body 55 is chosen to be greater than the widths of conductor Ai and A2 of the other central conductors 51 and 52 respectively. Here, the spacings between conductors B 1, B2 and B3 of the central conductors 51, 52 and 53
respectifs ont la même dimension.respective have the same dimension.
Un exemple d'un dispositif à circuit non réciproque que l'on forme en utilisant l'assemblage magnétique 5 décrit ci-dessus est représenté sur les figures 3 et 4. La figure 3 est une vue en perspective éclatée montrant la structure globale du dispositif à circuit non réciproque, tandis que la figure 4 est une vue en plan montrant le dispositif à circuit non réciproque dont on a retiré un aimant permanent et une carcasse supérieure. Ce dispositif à circuit non réciproque est réalisé de manière à former un isolateur par connexion d'une résistance de terminaison R au port d'accès P3 du conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique 55. Ici, on fixe la direction allant du port d'accès 1 au port d'accès 2 comme étant le sens avant, tandis que la direction allant du port d'accès 2 et au port d'accès 1 est fixée comme constituant le sens inverse. Dans cet isolateur, un aimant permanent 3 est disposé sur la surface interne d'une culasse supérieure 2 en forme de boîte, qui est constituée en un métal magnétique. Une culasse inférieure 8, sensiblement en forme de U, est formée en un métal magnétique. La culasse supérieure est montée sur la culasse inférieure 8 de manière à former un circuit magnétique fermé. Un boîtier terminal 7 est prévu sur la surface inférieure 8a de la culasse inférieure 8. L'assemblage magnétique 5, les condensateurs d'adaptation C1 à C3 et une résistance de terminaison R sont disposés dans ce boîtier terminal 7. Un champ magnétique continu est appliqué à An example of a non-reciprocal circuit device which is formed using the magnetic assembly 5 described above is shown in Figures 3 and 4. Figure 3 is an exploded perspective view showing the overall structure of the device with non-reciprocal circuit, while FIG. 4 is a plan view showing the device with non-reciprocal circuit from which a permanent magnet and an upper carcass have been removed. This non-reciprocal circuit device is produced so as to form an insulator by connection of a termination resistor R to the access port P3 of the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body 55. Here, the direction from access port 1 to access port 2 as the forward direction, while the direction from access port 2 and access port 1 is fixed as constituting the opposite direction. In this insulator, a permanent magnet 3 is arranged on the internal surface of an upper cylinder head 2 in the form of a box, which is made of a magnetic metal. A lower yoke 8, substantially U-shaped, is formed from a magnetic metal. The upper yoke is mounted on the lower yoke 8 so as to form a closed magnetic circuit. A terminal box 7 is provided on the lower surface 8a of the lower yoke 8. The magnetic assembly 5, the adaptation capacitors C1 to C3 and a termination resistor R are arranged in this terminal box 7. A continuous magnetic field is applied to
l'assemblage magnétique 5 par un aimant permanent 3. the magnetic assembly 5 by a permanent magnet 3.
Le boîtier terminal est constitué en un matériau électriquement isolant et il est réalisé par formation solidaire d'une paroi inférieure 7b avec une paroi latérale 7a formant un cadre rectangulaire. Des bornes d'entrée/sortie 71 et 72 et une borne de mise à la masse 73 sont partiellement encastrées dans de la résine, un trou d'insertion 7c est formé au niveau de la partie sensiblement centrale de la paroi inférieure 7b, et plusieurs évidements sont prévus en des emplacements The terminal box is made of an electrically insulating material and is produced by integral formation of a bottom wall 7b with a side wall 7a forming a rectangular frame. Input / output terminals 71 and 72 and a grounding terminal 73 are partially embedded in resin, an insertion hole 7c is formed at the substantially central part of the bottom wall 7b, and several recesses are provided in locations
prédéterminés sur le bord périphérique du trou d'insertion 7c. predetermined on the peripheral edge of the insertion hole 7c.
Dans les évidements formés sur le bord périphérique du trou d'insertion 7c, sont placés les condensateurs d'adaptation C1 à C3 et la résistance de terminaison R. On insère l'assemblage magnétique 5 dans le trou d'insertion 7c In the recesses formed on the peripheral edge of the insertion hole 7c, the adaptation capacitors C1 to C3 and the termination resistor R are placed. The magnetic assembly 5 is inserted into the insertion hole 7c
et on dispose l'aimant permanent au-dessus de l'assemblage magnétique 5. and the permanent magnet is placed above the magnetic assembly 5.
La partie 54 de mise à la masse électrique commune se trouvant sur la surface inférieure de l'assemblage magnétique 5 est connectée à la surface inférieure 8a de la culasse inférieure 8. Les électrodes de surface inférieure des condensateurs d'adaptation Cl à C3 et l'électrode située à une extrémité de la résistance de terminaison R sont chacune connectées à une borne de mise à la masse 73. Les ports d'accès Pi à P3 des conducteurs centraux 51 à 53 sont connectés aux électrodes de surface supérieure des condensateurs d'adaptateur Cl à C3, respectivement, et l'autre extrémité de la résistance de terminaison R est The common electrical grounding portion 54 located on the lower surface of the magnetic assembly 5 is connected to the lower surface 8a of the lower yoke 8. The lower surface electrodes of the adaptation capacitors C1 to C3 and l the electrode located at one end of the termination resistor R are each connected to a grounding terminal 73. The access ports Pi to P3 of the central conductors 51 to 53 are connected to the upper surface electrodes of the capacitors adapter C1 to C3, respectively, and the other end of the termination resistor R is
connectée au port d'accès P3.connected to access port P3.
Dans le même temps, en utilisant le port d'accès P3 comme troisième port d'entrée/sortie sans connecter la résistance de terminaison R au port d'accès At the same time, using the access port P3 as the third input / output port without connecting the termination resistor R to the access port
P3, on peut obtenir un circulateur.P3, we can get a circulator.
On va maintenant décrire l'effet obtenu au moyen de la structure du premier mode de réalisation en se reportant à la figure 5. La figure 5 est un diagramme montrant les caractéristiques de réflexion de la structure du premier mode de réalisation (la structure représentée sur la figure 1) et de la structure classique (o tous les conducteurs centraux sont formés de façon à avoir une même largeur de conducteur et un même écartement entre conducteurs), dans le port d'accès du conducteur central 53 disposé parallèlement à un côté du corps magnétique. Les dimensions du corps magnétique de l'exemple classique et du premier mode de réalisation de l'invention sont de 3,1 mm de longueur, 2,7 mm de largeur et 0,5 mm d'épaisseur. Tous les conducteurs centraux utilisés dans l'exemple classique ainsi que les conducteurs centraux 51 et 52 utilisés dans le premier mode de réalisation ont une largeur de conducteur de 0,15 mm et un écartement entre conducteurs de 0,2 mm, tandis que le conducteur central 53 utilisant le mode de réalisation a une largeur de conducteur de 0,5 mm et un écartement entre conducteurs de 0,15 mm. L'aimantation à saturation est fixée à 0,1 T, et l'impédance du système de mesure est de 50 Q2. Dans l'exemple classique, l'impédance de port correspondant au port d'accès P3 vaut approximativement Q pour la fréquence centrale, tandis que l'impédance de port du port d'accès P3 We will now describe the effect obtained by means of the structure of the first embodiment with reference to FIG. 5. FIG. 5 is a diagram showing the reflection characteristics of the structure of the first embodiment (the structure represented on Figure 1) and of the conventional structure (o all the central conductors are formed so as to have the same conductor width and the same spacing between conductors), in the access port of the central conductor 53 arranged parallel to one side of the magnetic body. The dimensions of the magnetic body of the classic example and of the first embodiment of the invention are 3.1 mm in length, 2.7 mm in width and 0.5 mm in thickness. All the central conductors used in the classic example as well as the central conductors 51 and 52 used in the first embodiment have a conductor width of 0.15 mm and a spacing between conductors of 0.2 mm, while the conductor central 53 using the embodiment has a conductor width of 0.5 mm and a spacing between conductors of 0.15 mm. The saturation magnetization is fixed at 0.1 T, and the impedance of the measurement system is 50 Q2. In the classic example, the port impedance corresponding to the access port P3 is approximately equal to Q for the central frequency, while the port impedance of the access port P3
du mode de réalisation est d'environ 50 Q pour la fréquence centrale. of the embodiment is about 50 Q for the center frequency.
Les impédances des autres ports d'accès valent chacune environ 50 Q pour la The impedances of the other access ports are each worth around 50 Q for the
fréquence centrale.center frequency.
Comme on peut le voir sur la figure 5, les caractéristiques de réflexion de ce mode de réalisation sont, dans une bande de fréquence voulue, notablement supérieures à celles d'un exemple classique. Par exemple, pour la fréquence centrale (900 MHz), les pertes de réflexion du mode de réalisation sont de 38,7 dB, que l'on opposera aux 12,9 dB de l'exemple classique. Ainsi, le mode de réalisation présente une amélioration notable de ses caractéristiques de réflexion As can be seen in FIG. 5, the reflection characteristics of this embodiment are, in a desired frequency band, notably superior to those of a conventional example. For example, for the central frequency (900 MHz), the reflection losses of the embodiment are 38.7 dB, which will be contrasted with the 12.9 dB of the classic example. Thus, the embodiment has a notable improvement in its reflection characteristics
par rapport à l'exemple classique.compared to the classic example.
Comme décrit ci-dessus, dans ce mode de réalisation, le conducteur central qui possède l'impédance de port la plus élevée lorsque tous les conducteurs centraux sont formés de façon à présenter des largeurs de conducteur égales comme dans le cas des exemples classiques, c'est-à-dire le conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique, est doté d'une largeur de conducteur A3 plus grande que les largeurs de conducteur Ai et A2 des autres conducteurs centraux 51 et 52 respectifs. Par conséquent, l'impédance de port de ce conducteur central 53 diminue et, ainsi, les caractéristiques de réflexion du port de ce conducteur central 53 sont améliorées. Plus spécialement, on réduit l'impédance de port du conducteur central 53 en fixant sa largeur de conducteur A3 à une plus grande valeur, si bien que l'impédance de port du conducteur central 53 est amenée à une valeur plus proche de l'impédance du système du circuit, c'est-à-dire prend une valeur d'impédance sensiblement identique aux valeurs d'impédance des autres conducteurs centraux 51 et 52. Ceci permet que les impédances de port de tous les conducteurs centraux soient fixées de façon à adapter l'impédance du système du circuit. Par conséquent, si on utilise l'assemblage magnétique du mode de réalisation décrit ci-dessus, on peut réduire la perte d'insertion lorsque l'on emploie comme port d'entrée/sortie le port d'accès du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique, et on peut améliorer les caractéristiques d'isolation lorsqu'on emploie comme port d'isolation le port d'accès du conducteur central qui est disposé As described above, in this embodiment, the central conductor which has the highest port impedance when all the central conductors are formed so as to have equal conductor widths as in the case of the classic examples, c that is to say the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body, has a width of conductor A3 greater than the widths of conductor Ai and A2 of the other central conductors 51 and 52 respectively. Consequently, the port impedance of this central conductor 53 decreases and, thus, the reflection characteristics of the port of this central conductor 53 are improved. More specifically, the port impedance of the central conductor 53 is reduced by setting its conductor width A3 to a greater value, so that the port impedance of the central conductor 53 is brought to a value closer to the impedance of the circuit system, that is to say takes an impedance value substantially identical to the impedance values of the other central conductors 51 and 52. This allows the port impedances of all the central conductors to be fixed so that adapt the impedance of the circuit system. Therefore, if the magnetic assembly of the embodiment described above is used, the insertion loss can be reduced when using the central conductor access port which is disposed as the input / output port. parallel to one side of the magnetic body, and the insulation characteristics can be improved when the access port of the central conductor which is arranged as an insulation port
parallèlement à un côté du corps magnétique. parallel to one side of the magnetic body.
Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus (figures 3 et 4), on forme l'isolateur en connectant la résistance de terminaison R au conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique 55, mais le procédé de formation d'isolateur n'est pas limité à cela. On peut aussi former l'isolateur en connectant la résistance de terminaison R à l'un ou l'autre des conducteurs centraux 51 et 52. Il est préférable que la résistance de terminalson R soit connectée au conducteur central 53, dont l'impédance de port est plus susceptible de ne pas être en adaptation avec les impédances de port des conducteurs centraux 51 et 52, comme décrit ci-dessus. Le fait d'améliorer de manière précise la valeur de la résistance de terminaison R avec celle de l'impédance de port du conducteur In the embodiment described above (Figures 3 and 4), the insulator is formed by connecting the termination resistor R to the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body 55, but the method of forming d the isolator is not limited to this. The insulator can also be formed by connecting the termination resistor R to one or the other of the central conductors 51 and 52. It is preferable that the terminal resistor R be connected to the central conductor 53, whose impedance of port is more likely not to match the port impedances of central conductors 51 and 52, as described above. Precisely improving the value of the termination resistance R with that of the conductor carrying impedance
central 53 améliore encore les caractéristiques d'isolation. central 53 further improves the insulation characteristics.
On va maintenant décrire, en se reportant à la figure 6, la structure d'un assemblage magnétique selon un deuxième mode de réalisation. Dans l'assemblage magnétique 5 représenté sur la figure 6, chacun des conducteurs centraux 51 à 53 est constitué de deux conducteurs, et l'écartement entre conducteurs B3 du conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique 55 est rendu plus grand que les écartements entre conducteurs B 1 et B2 des autres conducteurs centraux 51 et 52 respectifs. Ainsi, dans ce mode de réalisation, l'écartement entre conducteurs B3 des deux conducteurs constituant le conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique 55 est choisi plus grand que les écartements entre conducteurs B1 et B2 des autres conducteurs centraux 51 et 52 respectifs. Ici, les largeurs de conducteur Ai, A2 et A3 des conducteurs centraux 51, 52 et 53 We will now describe, with reference to FIG. 6, the structure of a magnetic assembly according to a second embodiment. In the magnetic assembly 5 shown in FIG. 6, each of the central conductors 51 to 53 consists of two conductors, and the spacing between conductors B3 of the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body 55 is made more greater than the spacings between conductors B 1 and B2 of the other central conductors 51 and 52 respectively. Thus, in this embodiment, the spacing between conductors B3 of the two conductors constituting the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body 55 is chosen to be greater than the spacings between conductors B1 and B2 of the other central conductors 51 and 52 respectively. Here, the conductor widths Ai, A2 and A3 of the central conductors 51, 52 and 53
respectifs ont la même dimension.respective have the same dimension.
La figure 7 est un schéma montrant les caractéristiques de réflexion de la structure du deuxième mode de réalisation (la structure représentée sur la figure 6) et de la structure classique, dans le port d'accès du conducteur central 53 disposé parallèlement à un côté du corps magnétique. Le conducteur central 53 utilisé dans ce mode de réalisation possède une largeur de conducteur de 0,15 mm et un écartement entre conducteurs de 0, 9 mmin. Les autres dimensions et conditions de mesure sont identiques à celles du premier mode de réalisation décrit ci-dessus. Dans ce mode de réalisation, l'impédance de port du port d'accès P3 vaut environ 65 Q2 pour la fréquence centrale. Les impédances des autres ports FIG. 7 is a diagram showing the reflection characteristics of the structure of the second embodiment (the structure shown in FIG. 6) and of the conventional structure, in the access port of the central conductor 53 arranged parallel to one side of the magnetic body. The central conductor 53 used in this embodiment has a conductor width of 0.15 mm and a spacing between conductors of 0.9 mmin. The other dimensions and measurement conditions are identical to those of the first embodiment described above. In this embodiment, the port impedance of the access port P3 is equal to approximately 65 Q2 for the central frequency. Impedances from other ports
d'accès ont chacune une valeur d'environ 50 Q pour la fréquence centrale. each have a value of around 50 Q for the center frequency.
Comme on peut le voir sur la figure 7, les caractéristiques de réflexion de ce mode de réalisation sont, dans une bande de fréquence voulue, notablement supérieures à celles de l'exemple classique. Par exemple, à la fréquence centrale (900 MHz), les pertes de réflexion du mode de réalisation sont de 18,1 dB que l'on opposera aux 12,9 dB de l'exemple classique. Ainsi, le mode de réalisation présente une amélioration de ses caractéristiques de réflexion par rapport à As can be seen in FIG. 7, the reflection characteristics of this embodiment are, in a desired frequency band, notably superior to those of the conventional example. For example, at the central frequency (900 MHz), the reflection losses of the embodiment are 18.1 dB which will be contrasted with the 12.9 dB of the classic example. Thus, the embodiment presents an improvement in its reflection characteristics compared to
l'exemple classique.the classic example.
Comme décrit ci-dessus, dans ce mode de réalisation, le conducteur central qui possède l'impédance de port la plus élevée lorsque tous les conducteurs centraux sont formés de manière à avoir des écartements égaux entre conducteurs, comme dans le cas des exemples classiques, c'est-àdire le conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique, est doté d'un écartement entre conducteurs B3 qui est plus large que les écartements entre As described above, in this embodiment, the central conductor which has the highest port impedance when all the central conductors are formed so as to have equal spacings between conductors, as in the case of the classic examples, that is to say the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body, has a spacing between conductors B3 which is wider than the spacings between
conducteurs B 1 et B2 des autres conducteurs centraux 51 et 52 respectifs. conductors B 1 and B2 of the other central conductors 51 and 52 respectively.
Par conséquent, l'impédance de port de ce conducteur central 53 diminue, si bien que les caractéristiques de réflexion du port d'accès de ce conducteur central 53 sont améliorées. Plus spécialement, on réduit l'impédance de port du conducteur central 53 en donnant à l'écartement entre conducteurs B3 une plus grande valeur, de sorte que l'impédance de port se rapproche de l'impédance du système du circuit. Ainsi, si on utilise l'assemblage magnétique de ce mode de réalisation, on peut réduire la perte d'insertion lorsqu'on emploie comme port d'entrée/sortie le port du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique, et on peut améliorer les caractéristiques d'isolation lorsqu'on utilise, comme port d'isolation, le port du conducteur central qui est disposé parallèlement Consequently, the port impedance of this central conductor 53 decreases, so that the reflection characteristics of the access port of this central conductor 53 are improved. More specifically, the port impedance of the central conductor 53 is reduced by giving the spacing between conductors B3 a greater value, so that the port impedance approaches the impedance of the circuit system. Thus, if the magnetic assembly of this embodiment is used, the insertion loss can be reduced when the port of the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body is used as input / output port, and the insulation characteristics can be improved when using, as the insulation port, the port of the central conductor which is arranged in parallel
à un côté du corps magnétique.to one side of the magnetic body.
On va maintenant décrire, en liaison avec la figure 8, la structure d'un assemblage magnétique selon un troisième mode de réalisation. Dans l'assemblage magnétique 5 représenté sur la figure 8, chacun des conducteurs centraux 51 à 53 est constitué de deux conducteurs, et la largeur de conducteur A3 de chacun des deux conducteurs constituant le conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique 55 est rendue plus grande que les largeurs de conducteur Ai et A2 des autres conducteurs centraux 51 et 52 respectifs, tandis que l'écartement entre conducteurs B3 du conducteur central 53 est rendu plus grand que les écartements entre conducteurs B 1 et B2 des autres conducteurs centraux 51 et 52 respectifs. Ainsi, dans ce mode de réalisation, les largeurs de conducteur A3 et l'écartement entre conducteurs B3 des deux conducteurs constituant le conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique 55 sont chacun rendus plus grands que les largeurs de conducteur Ai et A2 et les écartements entre conducteurs B1 et B2 des autres We will now describe, in connection with FIG. 8, the structure of a magnetic assembly according to a third embodiment. In the magnetic assembly 5 shown in FIG. 8, each of the central conductors 51 to 53 consists of two conductors, and the width of conductor A3 of each of the two conductors constituting the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the body magnetic 55 is made larger than the widths of conductor Ai and A2 of the other central conductors 51 and 52 respectively, while the spacing between conductors B3 of the central conductor 53 is made larger than the spacings between conductors B 1 and B2 of the others central conductors 51 and 52 respectively. Thus, in this embodiment, the widths of conductor A3 and the spacing between conductors B3 of the two conductors constituting the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body 55 are each made larger than the widths of conductor Ai and A2 and the spacings between conductors B1 and B2 of the others
conducteurs centraux 51 et 52 respectifs. central conductors 51 and 52 respectively.
La figure 9 est un diagramme montrant les caractéristiques de réflexion de la structure du troisième mode de réalisation (la structure présentée sur la figure 8) et de la structure classique, dans le port du conducteur central 53 disposé parallèlement à un côté du corps magnétique. Le conducteur central 53 utilisé dans le mode de réalisation possède une largeur de conducteur de 0,3 mm et un écartement entre conducteurs de 0,6 mm. Les autres dimensions et conditions FIG. 9 is a diagram showing the reflection characteristics of the structure of the third embodiment (the structure presented in FIG. 8) and of the conventional structure, in the port of the central conductor 53 arranged parallel to one side of the magnetic body. The central conductor 53 used in the embodiment has a conductor width of 0.3 mm and a spacing between conductors of 0.6 mm. Other dimensions and conditions
de mesure sont identiques à celles du premier mode de réalisation décrit ci-dessus. are identical to those of the first embodiment described above.
Dans ce mode de réalisation, l'impédance du port d'accès P3 vaut approximativement 55 n pour la fréquence centrale. Les impédances des autres In this embodiment, the impedance of the access port P3 is approximately 55 n for the central frequency. The impedances of others
ports d'accès valent chacune environ 50 n pour la fréquence centrale. access ports are each worth around 50n for the center frequency.
Comme on peut le voir sur la figure 9, les caractéristiques de réflexion de ce mode de réalisation sont, dans une bande de fréquence, voulue, notablement supérieures à celles de l'exemple classique. Par exemple, pour la fréquence centrale (900 MHz), les pertes de réflexion du mode de réalisation sont de 25,4 dB que l'on opposera aux 12,9 dB de l'exemple classique. Ainsi, le mode de réalisation présente une amélioration de ses caractéristiques de réflexion par As can be seen in FIG. 9, the reflection characteristics of this embodiment are, in a desired frequency band, notably superior to those of the classic example. For example, for the central frequency (900 MHz), the reflection losses of the embodiment are 25.4 dB which will be opposed to the 12.9 dB of the classic example. Thus, the embodiment presents an improvement in its reflection characteristics by
rapport à l'exemple classique.compared to the classic example.
Comme décrit ci-dessus, dans ce mode de réalisation, le conducteur central qui possède l'impédance de port la plus élevée lorsque tous les conducteurs centraux sont formés de façon à avoir des largeurs de conducteur égales et des écartements égaux entre conducteurs comme dans le cas de l'exemple classique, c'est-à-dire le conducteur central 53 qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique, est doté d'une largeur de conducteur A3 plus grande et d'un écartement entre conducteurs B3 plus grand que les largeurs de conducteur Ai et A2 et les écartements entre conducteurs B 1 et B2 des autres conducteurs centraux 51 et 52 respectifs. Par conséquent, l'impédance de port de ce conducteur central 53 diminue, de sorte que les caractéristiques de réflexion du port de ce conducteur central 53 sont améliorées. Plus spécialement, on réduit l'impédance de port du conducteur central 53 en fixant la largeur du conducteur A3 et l'écartement entre conducteurs B3 à de plus grandes valeurs, si bien que l'impédance de port est amenée plus près de l'impédance du système du circuit. Ainsi, si on utilise l'assemblage magnétique de ce mode de réalisation, on peut réduire la perte d'insertion lorsqu'on emploie comme port d'entrée/sortie le port du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique, et on peut améliorer les caractéristiques d'isolation lorsqu'on emploie, comme port d'isolation, le port du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du As described above, in this embodiment, the central conductor which has the highest port impedance when all the central conductors are formed so as to have equal conductor widths and equal spacings between conductors as in the case of the classic example, that is to say the central conductor 53 which is arranged parallel to one side of the magnetic body, has a width of conductor A3 greater and a spacing between conductors B3 that the widths of conductor Ai and A2 and the spacings between conductors B 1 and B2 of the other central conductors 51 and 52 respectively. Consequently, the port impedance of this central conductor 53 decreases, so that the reflection characteristics of the port of this central conductor 53 are improved. More specifically, the port impedance of the central conductor 53 is reduced by setting the width of the conductor A3 and the spacing between conductors B3 to greater values, so that the port impedance is brought closer to the impedance of the circuit system. Thus, if the magnetic assembly of this embodiment is used, the insertion loss can be reduced when the port of the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body is used as input / output port, and the insulation characteristics can be improved when the central conductor port which is arranged parallel to one side of the carrier is used as the insulation port.
corps magnétique.magnetic body.
Dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, chacun des conducteurs centraux 51, 52 et 53 a été décrit comme étant un conducteur central forméde deux conducteurs, mais le procédé de formation du conducteur central n'est pas limité à cela. Chacun de ces conducteurs centraux 51, 52 et 53 peut au contraire être formé d'un seul conducteur, ou bien peut être formé de trois ou plus In the embodiments described above, each of the central conductors 51, 52 and 53 has been described as being a central conductor formed of two conductors, but the method of forming the central conductor is not limited to this. Each of these central conductors 51, 52 and 53 can on the contrary be formed by a single conductor, or else can be formed by three or more
de trois conducteurs.of three conductors.
En outre, dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, chacun des conducteurs centraux a été décrit comme ayant une structure dans laquelle chacun des conducteurs centraux formés sur une plaque métallique est replié et est disposé sur le corps magnétique, mais la structure du conducteur central n'est pas limitée à cela. La structure de chacun des conducteurs centraux peut, au contraire, être une structure dans laquelle le conducteur central est formé d'une pellicule d'électrode placée sur le côté interne ou sur la surface d'un corps diélectrique ou d'un corps magnétique. De plus, la forme de l'aimant permanent 3 n'est pas limitée à une forme circulaire, mais une forme polygonale, par exemple une forme Furthermore, in the embodiments described above, each of the central conductors has been described as having a structure in which each of the central conductors formed on a metal plate is folded over and is arranged on the magnetic body, but the structure of the conductor central is not limited to this. The structure of each of the central conductors can, on the contrary, be a structure in which the central conductor is formed of an electrode film placed on the internal side or on the surface of a dielectric body or a magnetic body. In addition, the shape of the permanent magnet 3 is not limited to a circular shape, but a polygonal shape, for example a shape
quadrangulaire, dans une vue en plan, peut être utilisée. quadrangular, in plan view, can be used.
On va maintenant décrire, en liaison avec la figure 10, la structure d'un We will now describe, in conjunction with FIG. 10, the structure of a
dispositif de télécommunications constituant un quatrième mode de réalisation. telecommunications device constituting a fourth embodiment.
Dans ce dispositif de télécommunications, une antenne ANT est connectée à l'extrémité d'antenne d'un duplexeur DPX comprenant un filtre d'émission TX et un filtre de réception RX, un isolateur ISO est connecté entre l'extrémité d'entrée du filtre d'émission TX et un circuit d'émission, et un circuit de réception est connecté à l'extrémité de sortie du filtre de réception RX. Le signal d'émission du circuit d'émission est émis par l'antenne ANT via l'isolateur ISO et le filtre d'émission TX. Le signal reçu, lequel est reçu par l'antenne ANT, est appliqué en In this telecommunications device, an ANT antenna is connected to the antenna end of a DPX duplexer comprising a TX transmission filter and an RX reception filter, an ISO isolator is connected between the input end of the TX transmission filter and a transmission circuit, and a reception circuit is connected to the output end of the reception filter RX. The emission signal of the emission circuit is emitted by the antenna ANT via the ISO isolator and the emission filter TX. The received signal, which is received by the ANT antenna, is applied in
entrée au circuit de réception via le filtre de réception RX. input to the reception circuit via the reception filter RX.
Ici, au titre de l'isolateur ISO, on peut utiliser l'isolateur selon chacun des modes de réalisation décrits ci-dessus. En employant le dispositif à circuit non réciproque selon l'invention, qui présente des caractéristiques de réflexion améliorées, on peut obtenir un dispositif de télécommunications ayant des Here, under the ISO isolator, the isolator can be used according to each of the embodiments described above. By using the non-reciprocal circuit device according to the invention, which has improved reflection characteristics, it is possible to obtain a telecommunications device having
caractéristiques supérieures.superior characteristics.
Comme cela résulte clairement de la description ci-dessus, avec le As is clear from the above description, with the
dispositif à circuit non réciproque de l'invention, puisque la largeur de conducteur et, ou bien, l'écartement entre conducteurs du conducteur central qui est disposé parallèlement à un côté du corps magnétique sont fixés de façon à avoir une plus grande valeur que la largeur de conducteur et, ou bien, l'écartement entre conducteurs de chacun des autres conducteurs centraux, l'impédance de port du conducteur central qui est disposée parallèlement à un côté du corps magnétique diminue, de sorte que les caractéristiques de réflexion au niveau du port de ce conducteur central sont améliorées. Par conséquent, l'invention permet d'obtenir un dispositif à circuit non réciproque qui possède une faible perte d'insertion et non-reciprocal circuit device of the invention, since the conductor width and, or alternatively, the spacing between conductors of the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body are fixed so as to have a greater value than the conductor width and, alternatively, the spacing between conductors of each of the other central conductors, the carrying impedance of the central conductor which is arranged parallel to one side of the magnetic body decreases, so that the reflection characteristics at the level of the port of this central conductor are improved. Consequently, the invention makes it possible to obtain a non-reciprocal circuit device which has a low insertion loss and
des caractéristiques d'isolation supérieures. superior insulation characteristics.
En outre, en montant le dispositif à circuit non réciproque selon l'invention, on peut réaliser un dispositif de télécommunications ayant des In addition, by mounting the non-reciprocal circuit device according to the invention, it is possible to produce a telecommunications device having
caractéristiques supérieures.superior characteristics.
Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des Of course, those skilled in the art will be able to imagine, from the
dispositifs dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et devices whose description has just been given by way of illustration only and
nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. in no way limiting, various variants and modifications not departing from the scope of the invention.
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