FR2787638A1 - Procede d'optimisation de l'utilisation d'un substrat dans la fabrication d'afficheurs ou detecteurs a panneau - Google Patents
Procede d'optimisation de l'utilisation d'un substrat dans la fabrication d'afficheurs ou detecteurs a panneau Download PDFInfo
- Publication number
- FR2787638A1 FR2787638A1 FR9916294A FR9916294A FR2787638A1 FR 2787638 A1 FR2787638 A1 FR 2787638A1 FR 9916294 A FR9916294 A FR 9916294A FR 9916294 A FR9916294 A FR 9916294A FR 2787638 A1 FR2787638 A1 FR 2787638A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- substrate
- guard ring
- detectors
- maximizing
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 122
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 29
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012549 training Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Ce procédé sert à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) dans la fabrication d'afficheurs ou détecteurs à panneau, tout en maximisant aussi la protection électrostatique des afficheurs ou détecteurs. Initialement, on positionne au moins deux détecteurs (10, 12) sur le substrat (13), chaque détecteur comportant un anneau de garde (14) d'une certaine largeur. Une portion (14a) au moins de la largeur d'anneau de garde d'un détecteur est approximativement adjacente à une portion (14a) de la largeur d'anneau de garde d'un autre détecteur. On positionne alors les portions de largeur d'anneaux de garde approximativement adjacentes de façon qu'un chevauchement maximum des portions de largeur d'anneaux de garde adjacentes soit obtenu, tout en apportant une protection contre les décharges électrostatiques à chaque afficheur ou détecteur (10, 12).
Description
I Procédé d'optimisation de l'utilisation d'un substrat dans la
fabrication d'afficheurs ou détecteurs à panneau
La présente invention concerne des détecteurs ou des affi-
cheurs fabriqués sur des substrats, typiquement du verre, en particulier en équilibrant la minimisation de taille du détecteur (à rayons X ou de
lumière) ou de l'afficheur (ci-après appelé de manière générale détec-
teur), maximisant (ou optimisant) de ce fait l'utilisation de la surface
du substrat, et maximisant la protection contre les décharges électro-
statiques apportée par l'anneau de garde; une zone de matériau conduc-
teur formée comme partie du périmètre de chaque détecteur sur un
substrat unique. Un anneau de garde plus large apporte plus de protec-
tion, tout en diminuant la surface restante du substrat disponible pour
former des détecteurs supplémentaires.
Les détecteurs sont reproduits sur un substrat isolant unique (du verre) pendant la fabrication, en utilisant une séquence de masques de photogravure et de traitements associés, comme cela est bien connu dans le métier. Les détecteurs, sur le substrat, sont séparés les uns des autres par l'anneau de garde de chacun des détecteurs. A l'approche de
la fin du processus de fabrication, on découpe le substrat et les détec-
tours individuels sont séparés les uns des autres. Le détecteur com-
prend la surface active, qui à son tour comprend des éléments d'image individuels (ou pixels), des doigts de contact situés à la périphérie sur au moins un côté de la surface active, et l'anneau de garde. L'anneau
de garde forme un périmètre autour des doigts de contact et de la sur-
lace active.
L'anneau de garde peut être constitué d'un ou plusieurs maté-
riaux, dont au moins un sera conducteur. Parce que les composants qui comprennent les pixels dans la surface active sont très sensibles aux
décharges électrostatiques (DE), qui peuvent modifier leur fonctionne-
ment ou les détruire complètement, ils doivent être protégés contre les
décharges, en particulier pendant et après la séparation lorsque les dé-
tecteurs sont soumis aux DE causées par la manipulation. L'anneau de
garde apporte une certaine protection dans la mesure o sa largeur for-
me un espace entre le bord du détecteur qui est manipulé et les doigts de contact qui font partie d'un chemin très conducteur directement dans la surface active sensible du détecteur. De plus, l'anneau de garde peut être mis à un potentiel connu (par exemple, la masse) pendant la fabrication et les étapes d'assemblage des détecteurs qui ont lieu après
la séparation (par exemple, des tests) et lorsqu'il est assemblé à un cir-
cuit électronique support associé dans le produit final voulu. Ceci ré-
duira davantage le risque que des DE ne détériorent les dispositifs
comprenant une partie des pixels. Mettre l'anneau de garde à un poten-
tiel connu indique aussi que l'anneau de garde doit être conducteur.
Souvent, la sensibilité aux DE des composants formant partie
des pixels dans la surface active ne peut pas être prédite avant leur fa-
brication. Un composant qui est très sensible aux DE bénéficiera d'une meilleure protection (c'est-à-dire, d'un anneau de garde plus large). La largeur d'anneau de garde optimum ne peut être déterminée au cours de la conception initiale, ce qui signifie que la conception, incluant les
composants sensibles et la largeur de l'anneau de garde, doit être fa-
briquée et testée avant que la largeur de l'anneau de garde ne puisse être évaluée. Ceci implique que le dessin final ne sera généré qu'après
la fabrication et l'essai d'une ou plusieurs itérations de conception.
Ceci implique également que le temps de conception nécessaire est ac-
cru ainsi que le coût servant à générer des itérations supplémentaires des masques de photogravure afin d'optimiser la largeur de l'anneau de garde. On peut utiliser un outil d'exposition de photolithogravure pour positionner chaque anneau de garde. Enfin, on ne peut pas agrandir la largeur de l'anneau de garde de manière arbitraire parce que pour de petits détecteurs fabriqués sur de grands substrats, ceci impliquerait de produire moins de détecteurs par substrat, ce qui affecterait également
les coûts de manière négative.
Il serait donc souhaitable de disposer d'un moyen permettant d'obtenir une largeur d'anneau de garde variable entre les détecteurs d'un substrat, laquelle largeur d'anneau de garde peut être modifiée
dans le but de déterminer de manière expérimentale la largeur optima-
le pour une protection contre les DE sans le temps et les dépenses as-
sociés à la régénération des masques de photogravure.
Selon la présente invention, la largeur d'anneau de garde ef-
fective pour un détecteur individuel peut varier d'un facteur supérieur
à deux, en choisissant la quantité de chevauchement de chaque détec-
teur pendant le processus de fabrication. Dans les cas extrêmes, les an-
neaux de garde de détecteurs adjacents soit se chevaucheraient totale-
ment, soit se toucheraient bord à bord, le dernier agencement donnant une largeur d'anneau de garde double de celle du premier agencement, et ne connaît aucune perte de matériau pendant la séparation. Avec la présente invention, tout degré de chevauchement entre les extrêmes est
également possible.
Selon un aspect de la présente invention, un procédé servant
à maximiser l'utilisation du substrat comprend l'étape consistant à pré-
voir au moins deux détecteurs sur le substrat, les deux détecteurs com-
portant chacun un anneau de garde, et les anneaux de garde des deux
détecteurs étant agencés de façon que les anneaux de garde soient ap-
proximativement adjacents. On positionne ensuite les anneaux de gar-
de approximativement adjacents de façon qu'un chevauchement maxi-
mum soit réalisé qui apporte une protection minimum contre les DE.
Par conséquent, c'est un objet de la présente invention que de
proposer une largeur d'anneau de garde variable. Ceci présente l'avan-
tage de permettre une minimisation des dimensions du détecteur, ce qui maximise l'utilisation du substrat, tout en apportant au détecteur
une protection suffisante contre les DE.
La présente invention propose un procédé servant à maximi-
ser l'utilisation d'un substrat dans la fabrication d'afficheurs ou détec-
teurs à panneau. Ce procédé comprend les étapes consistant à prévoir
au moins deux détecteurs sur le substrat, les deux détecteurs compor-
tant chacun une largeur d'anneau de garde; agencer au moins une por-
tion de la largeur d'anneau de garde de chacun des détecteurs au nom-
bre d'au moins deux de façon qu'elles soient approximativement adja-
centes; positionner les portions de largeur d'anneaux de garde approxi-
mativement adjacentes de façon que des portions de bord des portions de largeur d'anneaux de garde adjacentes soient au moins au contact les unes des autres tout en apportant à chaque afficheur ou détecteur
une protection contre les décharges électrostatiques, chacun des détec-
teurs au nombre d'au moins deux étant séparé de chacun des autres dé-
tecteurs au nombre d'au moins deux.
Lors du positionnement, on peut faire se chevaucher partiel-
lement, ou bien totalement, les portions de largeur d'anneaux de garde
approximativement adjacentes. On peut aussi faire se toucher une por-
tion de bord d'une portion de largeur d'anneau de garde approximative-
ment adjacente et une portion de bord d'une autre portion de largeur
d'anneau de garde approximativement adjacente.
On peut utiliser un outil d'exposition de photolithogravure
pour positionner chaque détecteur.
On peut former chaque anneau de garde avec une seule cou-
che de matériau conducteur, et séparer chacun des détecteurs au nom-
bre d'au moins deux de chacun des autres détecteurs au nombre d'au
moins deux.
On peut également former l'anneau de garde avec plusieurs couches de matériau conducteur. Il est possible d'appliquer au moins une couche de matériau non conducteur pour séparer au moins deux
couches conductrices adjacentes. On peut prévoir au moins une traver-
sée formée dans au moins une des couches de matériau conducteur ou de matériau non conducteur. Dans une variante, la couche de matériau
non conducteur au nombre d'au moins une sépare des couches de maté-
riau conducteur adjacentes, excepté au niveau de la traversée au nom-
bre d'au moins une. On peut également former l'anneau de garde à l'ai-
de d'une première et d'une deuxième couches de matériau conducteur entre lesquelles est disposée une couche de matériau non conducteur,
par laquelle les première et deuxième couches conductrices sont dé-
pourvues de chemin conducteur.
Les autres objets et avantages de l'invention seront mieux
compris à la lecture de la description suivante, des dessins d'accompa-
gnement et des revendications annexées.
La figure 1 illustre deux détecteurs dont les anneaux de garde se touchent, sur un seul substrat; la figure 2 illustre deux détecteurs avec un chevauchement de 100 % des anneaux de garde adjacents; la figure 3 illustre deux détecteurs dont les anneaux de garde se chevauchent partiellement; la figure 4 illustre un mode de réalisation d'anneau de garde dans lequel l'anneau de garde comprend une seule couche de matériau conducteur; la figure 5 illustre un autre mode de réalisation d'anneau de
garde dans lequel l'anneau de garde comprend deux couches différen-
tes de matériau conducteur; la figure 6 illustre encore un autre mode de réalisation dans
lequel l'anneau de garde comprend deux couches différentes de maté-
riau conducteur séparées par une couche de matériau non conducteur; la figure 7 illustre une variante de mode de réalisation dans
laquelle l'anneau de garde comprend deux couches différentes de maté-
riau conducteur séparées par une couche de matériau non conducteur seulement dans une partie de l'anneau de garde, et avec un chemin conducteur établi entre les deux couches de matériau conducteur dans la partie restante de l'anneau de garde; et
les figures 8 à 17 illustrent des modes de réalisation supplé-
mentaires de la présente invention, pour proposer plus de deux cou-
ches conductrices, plus d'un diélectrique, et plus d'une traversée for-
mée entre les diverses couches conductrices.
Selon la présente invention, il faut trouver un compromis en-
tre la recherche de la maximisation de l'utilisation du substrat et l'uti-
lisation de l'anneau de garde pour apporter une protection contre les DE. Il est reconnu dans le métier qu'une largeur d'anneau de garde maximale donne une protection maximale contre les DE; néanmoins,
une largeur d'anneau de garde minimale donne une utilisation maxima-
le du substrat. La présente invention, par conséquent, maximise l'utili-
sation du substrat en minimisant la taille de détecteur; minimise la
taille de détecteur en minimisant la largeur d'anneau de garde; et per-
met quand même d'améliorer la protection contre les DE sans générer
de nouveaux masques de photogravure.
En se référant à présent aux dessins, le concept de la présente invention est illustré. Dans la figure 1, deux détecteurs 10 et 12 sur un substrat unique 13 ont chacun un anneau de garde 14, typiquement en métal et donc capables d'apporter au moins une certaine protection
contre les DE. La largeur d'anneau de garde 14 se trouve dans l'inter-
valle allant de 0,5 mm environ à 10 cm environ. Les parties adjacentes 14a de la largeur d'anneau de garde de chaque détecteur se touchent au niveau de la ligne 16, mais ne se chevauchent pas. Un tel agencement, tout en maximisant la protection contre les DE, présente l'inconvénient de maximiser aussi la taille des détecteurs 10 et 12. Si l'on dispose une pluralité de détecteurs sur un seul substrat, avec tous les anneaux de garde en contact et qui ne se chevauchent jamais, l'utilisation du substrat est minimisée de manière désavantageuse, parce que la taille
maximale de la surface active d'imageur est limitée.
Ce problème particulier de l'utilisation du substrat peut être corrigé par la configuration de la figure 2, dans laquelle des parties adjacentes 14a de largeurs d'anneaux de garde des puces 10 et 12 se
chevauchent totalement, comme indiqué par la portion de chevauche-
ment 18. Cependant, la protection contre les DE apportée par une telle configuration est nécessairement réduite, comparé à la configuration de la figure 1. Bien entendu, les personnes du métier comprendront que certaines applications de détecteurs peuvent atteindre l'objectif de maximiser l'utilisation du substrat avec un chevauchement de 100 %,
sans compromettre la protection contre les DE. Inversement, les per-
sonnes du métier comprendront également que certaines applications de détecteurs peuvent n'être capables que d'atteindre l'objectif d'une protection suffisante contre les DE par des anneaux de garde qui se
touchent, mais ne se chevauchent pas, comme montré en figure 1.
Selon la présente invention, une protection suffisante contre les DE peut souvent être apportée par un chevauchement partiel des largeurs d'anneaux de garde. A savoir, les objectifs de maximisation à la fois de l'utilisation du substrat et de la protection contre les DE
peuvent être atteints sans nécessiter ni la configuration sans chevau-
chement de la figure 1, ni le chevauchement à 100 % de la figure 2.
Une portion de chevauchement partiel 20, illustrant un chevauchement partiel de portions adjacentes 14a de largeurs d'anneaux de garde, est
représentée en figure 3. Bien entendu, les personnes du métier com-
prendront que la quantité de chevauchement partiel peut varier, et la quantité de chevauchement partiel illustrée en figure 3 ne doit pas être
considérée comme limitant le concept de largeur d'anneau de garde va-
riable de la présente invention.
Avec les extrêmes tels qu'illustrés dans les figures I et 2, les anneaux de garde 14a de détecteurs adjacents 10 et 12 peuvent être
soit placés bord à bord (figure 1), soit se chevaucher totalement (figu-
re 2), le premier agencement donnant une largeur d'anneau de garde
double de celle du deuxième agencement, sans aucune perte de maté-
riau pendant la séparation. Avec la présente invention, on peut réaliser toute quantité de chevauchement entre les deux extrêmes (figure 3), en
plus des extrêmes, sans jamais avoir besoin de masques de photogra-
vure supplémentaires.
L'anneau de garde dont il est question ici peut être formé de plusieurs manières. Le mode de réalisation le plus simple consisterait à n'utiliser qu'une couche de matériau conducteur (appelée couche conductrice 22). La figure 4 est une représentation en coupe du bord droit de la partie 14a de largeur d'anneau de garde du détecteur 12 et
du substrat 13 de la figure 1.
La figure 5 est une représentation de la même zone que celle montrée en figure 4 excepté le fait que l'anneau de garde est formé de
deux couches de matériau conducteur, une première couche conductri-
ce 22 et une deuxième couche conductrice 24. Les couches conductri-
ces peuvent comprendre, par exemple, du molybdène, de l'aluminium,
du chrome, du tantale, du titane, du tungstène et de l'oxyde d'étain do-
pé à l'indium (ITO), ou toute combinaison multicouches de ces mate-
riaux ou de matériaux similaires, avec des épaisseurs allant typique-
ment d'environ 0,05 tm à 1,0 grm. Chaque couche conductrice peut
être une multicouche.
La figure 6 illustre encore un autre mode de réalisation dans
lequel l'anneau de garde comprend deux couches différentes de maté-
riau conducteur 22 et 24 séparées par une couche de matériau non
conducteur 26.
La figure 7 est une représentation de la même zone que celle montrée en figure 4 avec un anneau de garde formé par deux couches de matériau conducteur, c'est-à-dire, les couches conductrices 22 et
24. Le matériau non conducteur peut comprendre des diélectriques mi-
néraux tels qu'un oxyde de silicium ou un nitrure de silicium, ou des diélectriques organiques tels qu'un polyimide, ou une combinaison multicouches de ces matériaux, avec des épaisseurs allant typiquement
d'environ 0,1 g.m à 2 gm. Les couches conductrices 22 et 24 sont sépa-
rées par un matériau non conducteur 26 dans la zone d'anneau de garde avec un chemin conducteur, communément appelé une traversée 28,
entre la couche conductrice 22 et la couche conductrice 24. La traver-
sée 28 déplace le matériau non conducteur 26 dans des parties de l'an-
neau de garde dans le but d'établir un chemin conducteur entre les pre-
mière et deuxième couches conductrices 22 et 24. La traversée est remplie du même matériau et en même temps que la deuxième couche conductrice 24, en grande partie à cause de l'absence de matériau non
conducteur 26 dans certaines zones de l'anneau de garde.
La figure 8 est une représentation de la même zone que celle
représentée en figure 4, avec un anneau de garde formé de trois cou-
ches de matériau conducteur (une première couche conductrice 22, une deuxième couche conductrice 24, et une troisième couche conductrice 32). La figure 9 est aussi une représentation de la même zone que celle représentée en figure 4, avec un anneau de garde formé de trois couches de matériau conducteur (une première couche conductrice 22,
une deuxième couche conductrice 24, et une troisième couche conduc-
trice 32), la deuxième couche conductrice 24 étant séparée de la troi-
sième couche conductrice 32 dans la zone d'anneau de garde par une
couche de matériau non conducteur 26.
La figure 10 est encore une représentation de la même zone que celle représentée en figure 4, avec un anneau de garde formé de
trois couches de matériau conducteur (une première couche conductri-
ce 22, une deuxième couche conductrice 24, et une troisième couche conductrice 32), la première couche conductrice 22 étant séparée de la deuxième couche conductrice 24 dans la zone d'anneau de garde par
une couche de matériau non conducteur 26.
La figure 11 est aussi une représentation de la même zone que celle représentée en figure 4, avec un anneau de garde formé de
trois couches de matériau conducteur (une première couche conductri-
ce 22, une deuxième couche conductrice 24, et une troisième couche conductrice 32). Dans ce mode de réalisation, la première couche conductrice 22 est séparée par une couche de matériau non conducteur 26 de la deuxième couche conductrice 24, qui elle-même est séparée par une couche de matériau non conducteur 30 de la troisième couche
conductrice 32.
La figure 12 est une représentation de la même zone que celle
représentée en figure 4, avec un anneau de garde formé de trois cou-
ches de matériau conducteur (une première couche conductrice 22, une deuxième couche conductrice 24, et une troisième couche conductrice 32). La deuxième couche conductrice 24 est séparée par une couche de
matériau non conducteur 26 de la troisième couche conductrice 32, ex-
cepté dans la zone de la traversée 28.
La figure 13 est aussi une représentation de la même zone que celle représentée en figure 4, avec un anneau de garde formé de
trois couches de matériau conducteur (une première couche conductri-
ce 22, une deuxième couche conductrice 24, et une troisième couche conductrice 32), la première couche conductrice 22 étant séparée par une couche de matériau non conducteur 26 de la deuxième couche
conductrice 24, excepté dans la zone de la traversée 28.
La figure 14 est encore une représentation de la même zone que celle représentée en figure 4. Dans la figure 14, l'anneau de garde
est formé de trois couches de matériau conducteur (une première cou-
che conductrice 22, une deuxième couche conductrice 24, et une troi-
sième couche conductrice 32). La première couche conductrice 22 est
séparée, par une couche de matériau non conducteur 26, de la deuxiè-
me couche conductrice 24, excepté dans la zone de la traversée 28. De même, la deuxième couche conductrice 24 est séparée, par une couche
de matériau non conducteur 30, de la troisième couche conductrice 32.
La figure 15 est encore une autre représentation de la même zone que celle représentée en figure 4, avec un anneau de garde, une
fois de plus, formé de trois couches de matériau conducteur (une pre-
mière couche conductrice 22, une deuxième couche conductrice 24, et une troisième couche conductrice 32). Dans ce mode de réalisation, la
première couche conductrice 22 est séparée par une couche de maté-
riau non conducteur 26 de la deuxième couche conductrice 24. De plus, la deuxième couche conductrice 24 est séparée par une couche de
matériau non conducteur 30 de la troisième couche conductrice 32, ex-
cepté dans la zone de la traversée 28.
La figure 16 représente encore un autre mode de réalisation de la même zone que celle représentée en figure 4, avec un anneau de garde, une fois encore, formé de trois couches de matériau conducteur
(une première couche conductrice 22, une deuxième couche conductri-
ce 24, et une troisième couche conductrice 32). Dans le mode de réali-
sation de la figure 16, la première couche conductrice 22 est séparée par une couche de matériau non conducteur 26 de la deuxième couche conductrice 24, excepté dans la zone de la traversée 28 De plus, la
deuxième couche conductrice 24 est séparée par une couche de maté-
riau non conducteur 30 de la troisième couche conductrice 32, excepté
dans la zone de la traversée 28.
Un autre mode de réalisation encore de la présente invention, montré en figure 17, est une représentation de la même zone que celle représentée en figure 4. Dans la figure 17, l'anneau de garde est encore formé de trois couches de matériau conducteur (une première couche conductrice 22, une deuxième couche conductrice 24, et une troisième couche conductrice 32). La première couche conductrice 22 est séparée par une couche de matériau non conducteur 26 de la deuxième couche conductrice 24, excepté dans la zone de la traversée 28. La deuxième couche conductrice 24 est séparée par une couche de matériau non conducteur 30 de la troisième couche conductrice 32, excepté dans la
zone d'une deuxième traversée 34.
La présente invention maximise l'utilisation du substrat. Ccci
est accompli comme décrit ci-dessus, avec le positionnement des dé-
tecteurs et des parties de largeur des anneaux de garde. En outre, n l1
peut utiliser un outil d'exposition de photolithogravure pour position-
ner chaque détecteur. L'utilisation du substrat peut encore être maxi-
malisée en découpant partiellement le substrat pour définir une zone
découpée et casser, ou couper, le substrat au niveau de la zone décou-
pée pour séparer tous les détecteurs les uns des autres. Comme le reconnaîtront les personnes du métier, la formation de l'anneau de garde n'est pas limitée aux formations décrites ici. Des imageurs résistant à la corrosion sont décrits et revendiqués dans la demande de brevet Numéro de Série 08/996 250. L'anneau de garde peut avoir l'une des nombreuses formes différentes connues dans le métier, en particulier avec trois couches conductrices, et jusqu'à deux couches diélectriques avec jusqu'à deux traversées entre couches conductrices.
La présente invention a été décrite en détail avec une rèféren-
ce particulière à certains de ses modes de réalisation préférés, mais il est bien entendu que des modifications et des variations peuvent être
effectuées à l'intérieur de l'esprit et de la portée de l'invention.
Claims (18)
1. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) dans la fabrication d'afficheurs ou détecteurs à panneau, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: prévoir au moins deux détecteurs (10, 12) sur le substrat, les deux détecteurs (10, 12) comportant chacun une largeur d'anneau de garde (14); agencer au moins une portion (14a) de la largeur d'anneau de garde de chacun des détecteurs au nombre d'au moins deux de façon qu'elles soient approximativement adjacentes; positionner les portions (14a) de largeur d'anneaux de garde approximativement adjacentes de façon que des portions de bord des portions de largeur d'anneaux de garde adjacentes soient au moins au
contact les unes des autres tout en apportant à chaque afficheur ou dé-
tecteur une protection contre les décharges électrostatiques, dans le-
quel chacun des détecteurs (10, 12) au nombre d'au moins deux est sé-
paré de chacun des autres détecteurs au nombre d'au moins deux.
2. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat
(13) selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de position-
nement des portions (14a) de largeur d'anneaux de garde approximati-
vement adjacentes comprend l'étape consistant à faire se chevaucher
partiellement les portions (14a) de largeur d'anneaux de garde approxi-
mativement adjacentes.
3. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13)
selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de positionne-
ment des portions (14a) de largeur d'anneaux de garde approximative-
ment adjacentes comprend l'étape consistant à faire se chevaucher to-
talement une portion de largeur d'anneau de garde approximativement
adjacente et une autre portion de largeur d'anneau de garde approxima-
tivement adjacente.
4. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13)
selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de positionne-
ment des portions (14a) de largeur d'anneaux de garde approximative-
ment adjacentes comprend l'étape consistant à faire se toucher une
portion de bord d'une portion de largeur d'anneau de garde approxima-
tivement adjacente et une portion de bord d'une autre portion de lar-
geur d'anneau de garde approximativement adjacente.
5. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la largeur d'anneau de garde (14) se trouve dans l'intervalle allant de 0,5 mm environ à 10 cm environ.
6. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus les étapes consistant à: découper partiellement le substrat (13) pour définir une zone découpée; et
casser le substrat (13) au niveau de la zone découpée pour sé-
parer chacun des détecteurs au nombre d'au moins deux de chacun des
autres détecteurs au nombre d'au moins deux.
7. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13)
selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'éta-
pe consistant à couper le substrat (13) pour séparer chacun des détec-
teurs au nombre d'au moins deux de chacun des autres détecteurs au
nombre d'au moins deux.
8. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13)
selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'éta-
pe consistant à utiliser un outil d'exposition de photolithogravure pour
positionner chaque détecteur.
9. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus les étapes consistant à: former chaque anneau de garde avec une seule couche (22) de matériau conducteur; et séparer chacun des détecteurs au nombre d'au moins deux de
chacun des autres détecteurs au nombre d'au moins deux.
10. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'étape consistant à former l'anneau de garde avec plusieurs couches de
matériau conducteur.
11. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'étape consistant à appliquer au moins une couche de matériau non conducteur (26) pour séparer au moins deux couches conductrices adjacentes.
12. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'étape consistant à prévoir au moins une traversée (28) formée dans au moins une des couches de matériau conducteur ou de matériau
non conducteur.
13. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat
(13) selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche de ma-
tériau non conducteur (26) au nombre d'au moins une sépare des cou-
ches de matériau conducteur adjacentes, excepté au niveau de la tra-
versée (28) au nombre d'au moins une.
14. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'étape consistant à former l'anneau de garde à l'aide d'une première et d'une deuxième couches de matériau conducteur entre lesquelles est disposée une couche de matériau non conducteur (26), par laquelle les première et deuxième couches conductrices sont dépourvues de chemin conducteur.
15. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: prévoir au moins deux détecteurs (10, 12), les détecteurs au nombre d'au moins deux comportant chacun une largeur d'anneau de garde (14); et positionner les détecteurs (10, 12) au nombre d'au moins deux pour minimiser la taille de détecteur en faisant se chevaucher au moins une partie de la largeur d'anneau de garde de l'un des détecteurs au nombre d'au moins deux et au moins une partie de la largeur d'anneau
de garde d'un autre des détecteurs au nombre d'au moins deux.
16. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat
(13) selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'étape de posi-
tionnement comprend l'étape consistant à faire se chevaucher totale-
ment une largeur d'anneau de garde d'un détecteur et une largeur d'an-
neau de garde adjacente d'un autre détecteur.
17. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat
(13) selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'étape de posi-
tionnement comprend l'étape consistant à faire se chevaucher partielle-
ment une largeur d'anneau de garde d'un détecteur et une largeur d'an-
neau de garde adjacente d'un autre détecteur.
18. Procédé servant à maximiser l'utilisation d'un substrat (13) selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'étape consistant à apporter au substrat (13) une protection
contre les décharges électrostatiques.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/218,259 US6073343A (en) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | Method of providing a variable guard ring width between detectors on a substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2787638A1 true FR2787638A1 (fr) | 2000-06-23 |
| FR2787638B1 FR2787638B1 (fr) | 2005-02-11 |
Family
ID=22814398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9916294A Expired - Fee Related FR2787638B1 (fr) | 1998-12-22 | 1999-12-22 | Procede d'optimisation de l'utilisation d'un substrat dans la fabrication d'afficheurs ou detecteurs a panneau |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6073343A (fr) |
| JP (1) | JP2000307093A (fr) |
| FR (1) | FR2787638B1 (fr) |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4109944B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US6946661B2 (en) * | 2002-12-23 | 2005-09-20 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Methods and apparatus for X-ray image detector assemblies |
| FI115109B (fi) * | 2003-01-22 | 2005-02-28 | Nokia Corp | Tunnistusjärjestely ja tunnistusjärjestelyn käsittävä matkaviestin |
| US7350160B2 (en) * | 2003-06-24 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Method of displaying a guard ring within an integrated circuit |
| US8229184B2 (en) | 2004-04-16 | 2012-07-24 | Validity Sensors, Inc. | Method and algorithm for accurate finger motion tracking |
| US8131026B2 (en) | 2004-04-16 | 2012-03-06 | Validity Sensors, Inc. | Method and apparatus for fingerprint image reconstruction |
| US8165355B2 (en) | 2006-09-11 | 2012-04-24 | Validity Sensors, Inc. | Method and apparatus for fingerprint motion tracking using an in-line array for use in navigation applications |
| US8175345B2 (en) | 2004-04-16 | 2012-05-08 | Validity Sensors, Inc. | Unitized ergonomic two-dimensional fingerprint motion tracking device and method |
| US8447077B2 (en) | 2006-09-11 | 2013-05-21 | Validity Sensors, Inc. | Method and apparatus for fingerprint motion tracking using an in-line array |
| US8358815B2 (en) | 2004-04-16 | 2013-01-22 | Validity Sensors, Inc. | Method and apparatus for two-dimensional finger motion tracking and control |
| US7751601B2 (en) | 2004-10-04 | 2010-07-06 | Validity Sensors, Inc. | Fingerprint sensing assemblies and methods of making |
| WO2005106774A2 (fr) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | Validity Sensors, Inc. | Procedes et appareil permettant l'acquisition d'une image d'empreinte digitale par glissement |
| CN100452164C (zh) * | 2005-12-29 | 2009-01-14 | 统宝光电股份有限公司 | 具有可隔绝外界静电的驱动电路板的显示模块 |
| US20100060757A1 (en) * | 2006-12-11 | 2010-03-11 | Fujifilm Corporation | Solid-state image pickup device |
| US8107212B2 (en) | 2007-04-30 | 2012-01-31 | Validity Sensors, Inc. | Apparatus and method for protecting fingerprint sensing circuitry from electrostatic discharge |
| US8290150B2 (en) | 2007-05-11 | 2012-10-16 | Validity Sensors, Inc. | Method and system for electronically securing an electronic device using physically unclonable functions |
| US7687790B2 (en) * | 2007-06-07 | 2010-03-30 | General Electric Company | EMI shielding of digital x-ray detectors with non-metallic enclosures |
| US8276816B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-10-02 | Validity Sensors, Inc. | Smart card system with ergonomic fingerprint sensor and method of using |
| US8204281B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-06-19 | Validity Sensors, Inc. | System and method to remove artifacts from fingerprint sensor scans |
| US8116540B2 (en) | 2008-04-04 | 2012-02-14 | Validity Sensors, Inc. | Apparatus and method for reducing noise in fingerprint sensing circuits |
| US8005276B2 (en) * | 2008-04-04 | 2011-08-23 | Validity Sensors, Inc. | Apparatus and method for reducing parasitic capacitive coupling and noise in fingerprint sensing circuits |
| WO2010036445A1 (fr) | 2008-07-22 | 2010-04-01 | Validity Sensors, Inc. | Système, dispositif et procédé de fixation d'un composant de dispositif |
| US8391568B2 (en) | 2008-11-10 | 2013-03-05 | Validity Sensors, Inc. | System and method for improved scanning of fingerprint edges |
| US8600122B2 (en) | 2009-01-15 | 2013-12-03 | Validity Sensors, Inc. | Apparatus and method for culling substantially redundant data in fingerprint sensing circuits |
| US8278946B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-10-02 | Validity Sensors, Inc. | Apparatus and method for detecting finger activity on a fingerprint sensor |
| US8374407B2 (en) | 2009-01-28 | 2013-02-12 | Validity Sensors, Inc. | Live finger detection |
| US9400911B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-07-26 | Synaptics Incorporated | Fingerprint sensor and integratable electronic display |
| US9336428B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-05-10 | Synaptics Incorporated | Integrated fingerprint sensor and display |
| US9274553B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-03-01 | Synaptics Incorporated | Fingerprint sensor and integratable electronic display |
| US8791792B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-07-29 | Idex Asa | Electronic imager using an impedance sensor grid array mounted on or about a switch and method of making |
| US8866347B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-10-21 | Idex Asa | Biometric image sensing |
| US8421890B2 (en) | 2010-01-15 | 2013-04-16 | Picofield Technologies, Inc. | Electronic imager using an impedance sensor grid array and method of making |
| US9666635B2 (en) | 2010-02-19 | 2017-05-30 | Synaptics Incorporated | Fingerprint sensing circuit |
| US8716613B2 (en) | 2010-03-02 | 2014-05-06 | Synaptics Incoporated | Apparatus and method for electrostatic discharge protection |
| US9001040B2 (en) | 2010-06-02 | 2015-04-07 | Synaptics Incorporated | Integrated fingerprint sensor and navigation device |
| US8331096B2 (en) | 2010-08-20 | 2012-12-11 | Validity Sensors, Inc. | Fingerprint acquisition expansion card apparatus |
| US8399847B2 (en) | 2010-11-11 | 2013-03-19 | General Electric Company | Ruggedized enclosure for a radiographic device |
| US8538097B2 (en) | 2011-01-26 | 2013-09-17 | Validity Sensors, Inc. | User input utilizing dual line scanner apparatus and method |
| US8594393B2 (en) | 2011-01-26 | 2013-11-26 | Validity Sensors | System for and method of image reconstruction with dual line scanner using line counts |
| JP5605709B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2014-10-15 | 大日本印刷株式会社 | 多面付けワーク基板および多面付けワーク基板の製造方法 |
| US9406580B2 (en) | 2011-03-16 | 2016-08-02 | Synaptics Incorporated | Packaging for fingerprint sensors and methods of manufacture |
| EP2750611B1 (fr) | 2011-08-31 | 2016-11-23 | Lanx, Inc. | Système écarteur latéral |
| US10043052B2 (en) | 2011-10-27 | 2018-08-07 | Synaptics Incorporated | Electronic device packages and methods |
| US9195877B2 (en) | 2011-12-23 | 2015-11-24 | Synaptics Incorporated | Methods and devices for capacitive image sensing |
| US9785299B2 (en) | 2012-01-03 | 2017-10-10 | Synaptics Incorporated | Structures and manufacturing methods for glass covered electronic devices |
| US9268991B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-02-23 | Synaptics Incorporated | Method of and system for enrolling and matching biometric data |
| US9137438B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-09-15 | Synaptics Incorporated | Biometric object sensor and method |
| US9251329B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-02-02 | Synaptics Incorporated | Button depress wakeup and wakeup strategy |
| US9600709B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-03-21 | Synaptics Incorporated | Methods and systems for enrolling biometric data |
| US9152838B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-10-06 | Synaptics Incorporated | Fingerprint sensor packagings and methods |
| CN109407862B (zh) | 2012-04-10 | 2022-03-11 | 傲迪司威生物识别公司 | 生物计量感测 |
| US9665762B2 (en) | 2013-01-11 | 2017-05-30 | Synaptics Incorporated | Tiered wakeup strategy |
| JP6643453B2 (ja) * | 2018-12-19 | 2020-02-12 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．Ｈｅｗｌｅｔｔ‐Ｐａｃｋａｒｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ， Ｌ．Ｐ． | 流体吐出デバイス |
| US11053085B2 (en) | 2019-12-09 | 2021-07-06 | Frazier Industrial Company | Lane divider retention system |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4548671A (en) * | 1984-07-23 | 1985-10-22 | Rca Corporation | Method of making a charge-coupled device imager which includes an array of Schottky-barrier detectors |
| US4638345A (en) * | 1983-06-01 | 1987-01-20 | Rca Corporation | IR imaging array and method of making same |
| EP0440332A2 (fr) * | 1990-01-29 | 1991-08-07 | International Business Machines Corporation | Circuits d'entrée/sortie compatible avec empilage de bit |
| WO1994003928A1 (fr) * | 1992-08-06 | 1994-02-17 | Harris Corporation | Protection a haute tension au moyen de redresseurs a thyristors |
| US5497146A (en) * | 1992-06-03 | 1996-03-05 | Frontec, Incorporated | Matrix wiring substrates |
| US5804861A (en) * | 1991-03-28 | 1998-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatic discharge protection in integrated circuits, systems and methods |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857979A (en) * | 1988-06-20 | 1989-08-15 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Platinum silicide imager |
| US5221856A (en) * | 1989-04-05 | 1993-06-22 | U.S. Philips Corp. | Bipolar transistor with floating guard region under extrinsic base |
| US5859450A (en) * | 1997-09-30 | 1999-01-12 | Intel Corporation | Dark current reducing guard ring |
-
1998
- 1998-12-22 US US09/218,259 patent/US6073343A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-30 JP JP11338989A patent/JP2000307093A/ja not_active Withdrawn
- 1999-12-22 FR FR9916294A patent/FR2787638B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4638345A (en) * | 1983-06-01 | 1987-01-20 | Rca Corporation | IR imaging array and method of making same |
| US4548671A (en) * | 1984-07-23 | 1985-10-22 | Rca Corporation | Method of making a charge-coupled device imager which includes an array of Schottky-barrier detectors |
| EP0440332A2 (fr) * | 1990-01-29 | 1991-08-07 | International Business Machines Corporation | Circuits d'entrée/sortie compatible avec empilage de bit |
| US5804861A (en) * | 1991-03-28 | 1998-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatic discharge protection in integrated circuits, systems and methods |
| US5497146A (en) * | 1992-06-03 | 1996-03-05 | Frontec, Incorporated | Matrix wiring substrates |
| WO1994003928A1 (fr) * | 1992-08-06 | 1994-02-17 | Harris Corporation | Protection a haute tension au moyen de redresseurs a thyristors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000307093A (ja) | 2000-11-02 |
| US6073343A (en) | 2000-06-13 |
| FR2787638B1 (fr) | 2005-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2787638A1 (fr) | Procede d'optimisation de l'utilisation d'un substrat dans la fabrication d'afficheurs ou detecteurs a panneau | |
| EP2140406B1 (fr) | Carte incorporant un affichage electronique | |
| EP0234994B1 (fr) | Ecran d'affichage à matrice active à résistance de drain et procédés de fabrication de cet écran | |
| EP2065743B1 (fr) | Dispositif d'imagerie visible à filtre coloré | |
| EP1421623B1 (fr) | Capteur d'image couleur a colorimetrie amelioree et procede de fabrication | |
| FR2734082A1 (fr) | Procede de fabrication d'un condensateur de stockage dans un dispositif d'affichage a cristaux liquides et dispositif d'affichage a cristaux liquides | |
| FR2662290A1 (fr) | Procede de realisation d'un ecran d'affichage a matrice active et a condensateurs de stockage et ecran obtenu par ce procede. | |
| FR2715501A1 (fr) | Procédé de dépôt de lames semiconductrices sur un support. | |
| FR2891376A1 (fr) | Dispositif d'affichage a cristaux liquides,procede pour fabriquer celui-ci et structure d'espaceur de dispositif d'affichage | |
| FR2862141A1 (fr) | Panneau d'affichage a cristaux liquides et son procede de fabrication | |
| EP3144704B1 (fr) | Dispositif de prise d'image a eclairage integre et procede de realisation du dispositif | |
| FR2702882A1 (fr) | Procédé de fabrication de transistors à couches minces étagés directs. | |
| CH641913A5 (fr) | Detecteur photovoltaique au sulfure de cadmium, a barriere de schottky et son procede de fabrication. | |
| EP1543355B1 (fr) | Microsysteme optique et procede de fabrication | |
| CA2457905C (fr) | Procede de fabrication de capteur d'image couleur avec ouvertures de contact creusees avant amincissement | |
| CA2457899C (fr) | Capteur d'image couleur sur substrat transparent et procede de fabrication | |
| EP0607350B1 (fr) | Ecran Plat à Cristaux Liquides | |
| EP3394792B1 (fr) | Capteur d'empreintes à eclairage oled | |
| EP1154489B1 (fr) | Détecteur optique bi-spectral | |
| EP2325915B1 (fr) | Dispositif d'affichage électronique à écran électroluminescent, et son procédé de fabrication. | |
| WO1986005893A1 (fr) | Procede de fabrication d'un ecran d'affichage a cristaux liquides et a reseau de diodes | |
| EP1314202A1 (fr) | Detecteur optique polarimetrique | |
| FR2849220A1 (fr) | Procede de fabrication de cellules a cristaux liquides sur substrat silicium, et cellules correspondantes | |
| FR2548450A1 (fr) | Procede de fabrication de diode en film mince ultra-miniature | |
| FR2932598A1 (fr) | Dispositif d'affichage electronique et son procede de fabrication. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FC | Decision of inpi director general to approve request for restoration | ||
| RN | Application for restoration | ||
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20081020 |