FR2683392A1 - PROCESS FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC COMPONENTS BY SELECTIVE EPITAXY IN A SILLON. - Google Patents

PROCESS FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC COMPONENTS BY SELECTIVE EPITAXY IN A SILLON. Download PDF

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Abstract

A method wherein the active strip (112, 114, 116, 118) of a component is produced by selective epitaxy in a groove which has been etched in a semi-insulating material by means of a mask consisting of two strips (B1, B2). The method may be used to produce integrated laser and modulator components.

Description

DESCRIPTION Dondaine technique
La présente invention a pour objet un procédé de réalisation de composants optoélectroniques. Elle trouve une application générale dans la réalisation de divers composants tels que lasers, amplificateurs de lumière, guides optiques, coupleurs optiques, modulateurs d'intensité lumineuse, etc.. Mais elle trouve une application privilégiée dans la réalisation de composants à deux (ou plus de deux) éléments, par exemple un laser et un modulateur, ces deux éléments étant intégrés sur un même substrat.DESCRIPTION Technical Dondaine
The present invention relates to a method for producing optoelectronic components. It finds a general application in the realization of various components such as lasers, light amplifiers, optical guides, optical couplers, light intensity modulators, etc. But it finds a privileged application in the production of components with two (or more two) elements, for example a laser and a modulator, these two elements being integrated on the same substrate.

Le domaine général de l'invention est celui des télécommunications optiques, notamment celui des liaisons à haut débit sur de longues distances. The general field of the invention is that of optical telecommunications, particularly that of broadband links over long distances.

Etat de La technique antérieure
Bien que la présente invention ne se limite nullement à la réalisation d'un composant à laser et à modulateur intégrés, c'est dans ce cas que l'état de la technique va être rappelé et les caractéristiques de l'invention exposées.State of the prior art
Although the present invention is not limited to the realization of an integrated laser component and modulator, it is in this case that the state of the art will be recalled and the characteristics of the invention exposed.

L'article intitulé "novez MQW DFB Laser
Diode/Modulator Integrated Light Source Using Bandgap
Energy Control Epitaxial Growth Technique" par T.The article entitled "MQW DFB Laser
Diode / Modulator Integrated Light Source Using Bandgap
Energy Control Epitaxial Growth Technique "by T.

KATO et aL publié dans les Comptes-Rendus de la
Conférence IOOC qui s'est tenue à Paris en septembre 91, décrit un procédé de réalisation d'un composant laser-modulateur intégrés, qui est illustré sur les figures annexées la et lb. KATO et al. Published in the Proceedings of the
IOOC Conference held in Paris in September 1991, describes a method for producing an integrated laser-modulator component, which is illustrated in the accompanying figures la and lb.

Sur un substrat 10 en InP de type n on forme un réseau de diffraction 11 puis on dépose, dans une première étape d'épitaxie, une couche 12 en InGaAsP de type ,-, de 0,1 tcm d'épaisseur et une couche 14 en
InP de type n de 0,1 fm. Sur l'ensemble ainsi obtenu on dépose un masque en siO2 constitué par deux bandes 21, 22 présentant chacune une grande et une faible largeurs.On a n-type InP substrate 10, a diffraction grating 11 is formed and then, in a first epitaxial step, a layer 12 of InGaAsP of type, of 0.1 tcm thick, and a layer 14 are deposited. in
N-type InP of 0.1 fm. On the assembly thus obtained is deposited an SiO2 mask consisting of two strips 21, 22 each having a large and a small widths.

A travers ce masque on effectue une deuxième épitaxie, sélective celle-là, pour former un ruban à multi-puits quantiques. Une épitaxie sélective requiert des conditions de croissance particulières de telle sorte qu'aucun dépôt ne s'effectue sur les masques en silice. Le ruban peut comprendre un empilement de puits en InGaAs alternant avec des barrières en InGaAsP, cet empilement étant encadré par deux couches de confinement. On obtient ainsi un ruban 24 en forme de mésa (figure la).  Through this mask is carried out a second epitaxy, selective one, to form a multi-well quantum well ribbon. Selective epitaxy requires special growth conditions such that no deposition occurs on the silica masks. The ribbon may comprise a stack of InGaAs wells alternating with InGaAsP barriers, this stack being framed by two confinement layers. A ribbon 24 in the form of a mesa is thus obtained (FIG.

Après avoir retiré les masques 21 et 22, on recouvre le ruban 24 par une couche 30 en InP de type p (figure lb) et l'ensemble par une couche de contact 32 en InGaAsP de type p+. La couche de contact 32 est ensuite partiellement enlevée entre les deux régions pour isoler électriquement la région à réseau qui va constituer un laser à réaction distribuée (DFB) et l'autre région qui va constituer un modulateur. After having removed the masks 21 and 22, the tape 24 is covered by a p-type InP layer 30 (FIG. 1b) and the assembly by a p + type InGaAsP contact layer 32. The contact layer 32 is then partially removed between the two regions to electrically isolate the grating region which will constitute a distributed feedback laser (DFB) and the other region which will constitute a modulator.

Des électrodes 36 et 38 en Ti/Au sont ensuite déposées pour prendre un contact électrique respectivement sur la partie laser et sur la partie modulateur.Electrodes 36 and 38 in Ti / Au are then deposited to make electrical contact respectively on the laser part and on the modulator part.

L'intérêt de ce procédé réside dans la deuxième épitaxie, qui s'effectue dans des zones masquées. The advantage of this method lies in the second epitaxy, which takes place in masked areas.

La différence de largeur des masques suffit à modifier légèrement les conditions de L'épitaxie, donc l'épaisseur des couches épitaxiées. En étudiant le spectre d'électroluminescence des couches épitaxiées ainsi obtenues, les auteurs ont trouvé que, dans la région à masques Larges, La longueur d'onde maximum était de 1,54 Um alors que dans la région à masques étroits cette longueur d'onde tombait à 1,48 lum. Ainsi, une différence de 33 meV dans les énergies peut être produite dans les deux parties du ruban, uniquement par modification de la largeur des masques utilisés.The difference in width of the masks is enough to slightly modify the conditions of the epitaxy, and therefore the thickness of the epitaxial layers. By studying the electroluminescence spectrum of the epitaxial layers thus obtained, the authors found that, in the wide-masked region, the maximum wavelength was 1.54 μm whereas in the narrow-masked region this length of wave fell to 1.48 lum. Thus, a difference of 33 meV in the energies can be produced in both parts of the ribbon, only by changing the width of the masks used.

Cette technique revêt un intérêt certain lorsqu'il s'agit de réaliser un composant intégrant deux dispositifs devant présenter des caractéristiques optiques légèrement différentes, comme c'est le cas avec un laser et un modulateur. Mais elle souffre de deux inconvénients. D'abord, elle conduit à une structure qui n'est pas planaire en raison de la formation d'un ruban en forme de mésa (cf. Fig. la). Ensuite, et corrélativement, elle nécessite que soit enterré ce mésa dans une couche qui doit assurer en même temps la prise de contact électrique (couche 30 sur la figure lb) et le confinement optique au-dessus du ruban ainsi que le confinement optique latéral. Cette couche doit donc être dopée. Mais elle produit alors une capacité latérale qui perturbe le fonctionnement du laser et surtout celui du modulateur. This technique is of particular interest when it comes to making a component incorporating two devices to have slightly different optical characteristics, as is the case with a laser and a modulator. But she suffers from two disadvantages. First, it leads to a structure that is not planar because of the formation of a mesa-shaped ribbon (see Fig. La). Then, and correlatively, it requires that the mesa be buried in a layer which must ensure at the same time the electrical contact (layer 30 in Figure lb) and the optical confinement above the ribbon and the lateral optical confinement. This layer must therefore be doped. But it then produces a lateral capacity that disrupts the operation of the laser and especially that of the modulator.

Cette technique peut donner des performances satisfaisantes pour un laser à modulation directe, mais conduit à une capacité beaucoup trop élevée pour un modulateur rapide. En effet, ce qui limite la bande passante d'un laser est le produit RsC où R5 est la résistance série de la diode qui vaut typiquement 3 à 5 Ohms, alors que, pour un modulateur, c'est plutôt le produit de la capacité par une résistance externe normalisée de 50 Ohms (ReC) qui limite la bande passante, bien que la résistance série du modulateur joue également un rôle. Par contre, une gravure des parties latérales jusqu'au substrat suivie d'un remplissage avec du polyimide, qui marcherait bien dans le cas des modulateurs, donnerait des résultats catastrophiques pour le confinement latéral d'un ruban laser, à cause des recombinaisons électroniques très fortes qui auraient lieu aux interfaces couche active/polyimide et qui dégraderaient le gain du laser. This technique can give satisfactory performance for a direct modulation laser, but leads to a much too high capacity for a fast modulator. Indeed, what limits the bandwidth of a laser is the product RsC where R5 is the series resistance of the diode which is worth 3 to 5 Ohms, whereas, for a modulator, it is rather the product of the capacity by a standard 50 Ohm external resistor (ReC) that limits the bandwidth, although the serial resistance of the modulator also plays a role. On the other hand, an etching of the lateral parts up to the substrate followed by a filling with polyimide, which would work well in the case of the modulators, would give catastrophic results for the lateral confinement of a laser band, because of the very electronic recombinations. that would occur at the active layer / polyimide interfaces and degrade the gain of the laser.

Il faut donc, soit envisager des procédés différents pour les deux parties du monolithe, ce qui complique beaucoup la technologie, soit utiliser de l'InP semi-isolant qui peut servir pour confiner aussi bien le laser que le modulateur. Mais on ne peut pas se contenter d'enterrer les rubans par de l'InP semi-isolant, car on perd le contact électrique avec la partie supérieure du ruban. It is therefore necessary either to consider different processes for the two parts of the monolith, which complicates the technology a lot, or to use semi-insulating InP which can be used to confine both the laser and the modulator. But we can not just bury the ribbons with semi-insulating InP, because we lose the electrical contact with the top of the ribbon.

Exposé de L'invention
La présente invention a justement pour but de remédier à cet inconvénient. A cette fin, elle propose un procédé qui permet d'obtenir, simultanément, une structure planaire avec une très faible capacité, tout en autorisant la prise de contact.Presentation of the invention
The present invention precisely aims to overcome this disadvantage. To this end, it proposes a method which makes it possible simultaneously to obtain a planar structure with a very small capacity, while allowing contact to be made.

Selon l'invention, on enterre le ruban actif du composant dans une couche de matériau semi-isolant, par exemple en InP et, pour cela, on grave d'abord un sillon dans une couche de ce matériau à l'aide d'un masque, puis on effectue une épitaxie sélective du ruban dans ce sillon et à travers ce masque. On peut ensuite déposer sur l'ensemble une couche de prise de contact. According to the invention, the active ribbon of the component is buried in a layer of semi-insulating material, for example made of InP, and for this purpose a groove is first etched in a layer of this material using a mask, and then performs a selective epitaxy of the ribbon in this groove and through this mask. We can then deposit on the assembly a contact layer.

On observera que, selon l'invention, deux techniques d'épitaxie sont combinées, à savoir l'épitaxie dans un sillon gravé et l'épitaxie sur un substrat masqué. Ces deux techniques permettent de jouer sur
la vitesse de croissance des couches épitaxiées. La seconde a été décrite pLus haut en liaison avec les figures la et lb. Pour ce qui est de la première, on rappelle que la vitesse de croissance dans des sillons gravés dans un substrat plan est plus grande que sur le substrat. Cet effet a été utilisé pour intégrer des lasers (épitaxiés sur une zone du substrat préalablement gravée) avec des guides (épitaxiés simultanément sur une zone plane adjacente) dans des systèmes GaAs/GaAlAs (voir l'article de C.J.It will be observed that, according to the invention, two epitaxial techniques are combined, namely epitaxy in an etched groove and epitaxy on a masked substrate. These two techniques allow you to play on
the growth rate of the epitaxial layers. The second has been described above in conjunction with Figures 1a and 1b. For the first, it is recalled that the growth rate in grooves etched in a plane substrate is greater than on the substrate. This effect has been used to integrate lasers (epitaxial on an area of the previously etched substrate) with guides (epitaxially grown simultaneously on an adjacent planar area) in GaAs / GaAlAs systems (see article by CJ

CHANG-HASNAIN, E. KAPON, J.P. HARBISON et L.T. FLOREZ, publié dans Appl. Phys. Lett., vol. 56, pp. 429-431, 1990). Des effets analogues sur la vitesse de croissance ont été démontrés pour d'autres systèmes de matériaux, en particulier à grande longueur d'onde (voir l'article de F.S. TURCO, M.C. TAMARGO, D.M.CHANG-HASNAIN, E. KAPON, J. P. HARBISON and L. T. FLOREZ, published in Appl. Phys. Lett., Vol. 56, pp. 429-431, 1990). Analogous effects on growth rate have been demonstrated for other material systems, especially at long wavelengths (see the article by F.S. TURCO, M.C. TAMARGO, D.M.

HWANG, R.E. NAHORY, J. WERNER, K. KASH et E. KAPON, publié dans Appel. Phys. Lett., vol. 56, pp. 72-74, 1990 et l'article de P. DEMEESTER, L. BUVDENS et P.HWANG, R. E. NAHORY, J. WERNER, K. KASH and E. KAPON, published in Appel. Phys. Lett., Vol. 56, pp. 72-74, 1990 and the article by P. DEMEESTER, L. BUVDENS and P.

VAN DAELE, publié dans Appl. Phys. Lett., vol. 57, pp. 168-170, 1990).VAN DAELE, published in Appl. Phys. Lett., Vol. 57, pp. 168-170, 1990).

Bien que le procédé de l'invention puisse s'appliquer à la réalisation d'un composant optoélectronique unique (laser, amplificateur, guide, coupleur, modulateur, etc.) l'invention trouve surtout un intérêt dans la réalisation de structures à deux composants, par exemple un laser et un modulateur. En effet, le procédé de l'invention permet, grâce à l'épitaxie s'effectuant à la fois dans un sillon et à travers un masque, de modifier localement les paramètres du ruban sur une partie de celui-ci, en jouant sur les dimensions latérales du masque. On peut ainsi, en une seule étape d'épitaxie, obtenir les deux composants souhaités (laser et modulateur). Although the process of the invention can be applied to the production of a single optoelectronic component (laser, amplifier, guide, coupler, modulator, etc.), the invention is of particular interest in the production of two-component structures. for example a laser and a modulator. Indeed, the process of the invention makes it possible, by virtue of the epitaxy occurring both in a groove and through a mask, to modify locally the parameters of the ribbon on a part of it, by playing on the lateral dimensions of the mask. It is thus possible, in a single step of epitaxy, to obtain the two desired components (laser and modulator).

En particulier, l'invention s'applique à la réalisation d'un composant à laser et à modulateur à super réseau très couplé, composant ayant fait l'objet de la demande de brevet français EN 91 11046 du 6 septembre 1991. In particular, the invention applies to the production of a highly coupled superconducting laser and modulator component, which component was the subject of the French patent application EN 91 11046 of 6 September 1991.

Brève description des dessins
- les figures la et lb illustrent un procédé
de l'art antérieur,
- les figures 2a, 2b, 2c, 2d et 2e montrent
différentes étapes d'un procédé selon
l'invention pour la réalisation d'un
composant à laser et à modulateur intégrés.Brief description of the drawings
FIGS. 1a and 1b illustrate a method
of the prior art,
FIGS. 2a, 2b, 2c, 2d and 2e show
different stages of a process according to
the invention for the realization of a
integrated laser and modulator component.

Exposé détaiLLé d'un mode de réalisation
Un procédé conforme à l'invention comprend les opérations suivantes. Sous un substrat 100 (conducteur ou semi-isolant) par exemple en InP de type n s'il s'agit d'un substrat conducteur, on forme une métallisation 102 et, sur ce substrat 100, on dépose éventuellement une couche tampon 104 en InP de type n (Fig. 2a).DETAILED DESCRIPTION OF AN EMBODY
A method according to the invention comprises the following operations. Under a substrate 100 (conductive or semi-insulating), for example n-type InP if it is a conductive substrate, a metallization 102 is formed and, on this substrate 100, a buffer layer 104 is optionally deposited. InP type n (Fig. 2a).

On dépose ensuite une couche de confinement 106 en quaternaire GaInAsP de type n, qui est, elLe aussi, facultative, mais qui peut servir avantageusement de couche d'arrêt dans l'opération d'attaque chimique sélective qui va suivre. An n-type GaInAsP quaternary confinement layer 106 is then deposited, which is also optional, but may advantageously be used as a barrier layer in the selective etching process to follow.

On dépose ensuite une couche de confinement 108 en InP semi-isolant puis une couche 110 en quaternaire GaInAsP dopé n servant de barrière de diffusion pour les accepteurs entre la couche de confinement 108 et la future couche confinement de type p (couche 120 sur la figure 2e). Cette couche 110 peut servir également de masque d'attaque sélective pour la future gravure du sillon. A semi-insulating InP confinement layer 108 is then deposited, followed by an n-doped GaInAsP quaternary layer 110 serving as a diffusion barrier for the acceptors between the confinement layer 108 and the future p-type confinement layer (layer 120 in FIG. 2e). This layer 110 may also serve as a selective etching mask for the future etching of the groove.

On obtient ainsi un empilement représenté en coupe sur la figure 2a.  This gives a stack shown in section in Figure 2a.

On définit ensuite, par photolithographie, sur la couche supérieure 110 de l'empilement un ou des motifs de masquage en nitrure ou en silice. Pour un procédé de réalisation collective, on disposera plusieurs de ces motifs largement espacés, par exemple d'environ 400 pm. Chaque motif à l'allure représentée sur la figure 2b avec deux bandes Bl, B2, dont la largeur L1 est plus grande dans une zone L que la largeur L2 dans une zone M. Par exemple, la largeur L1 sera de 8 Um et la largeur L2 de 4 tram. Ces deux bandes sont séparées par un intervalle étroit, par exemple de 2 pm. La longueur totale du masque peut être de l'ordre de 1 mm. Then, by photolithography, on the upper layer 110 of the stack is defined one or more masking units in nitride or silica. For a collective manufacturing method, several of these widely spaced patterns, for example about 400 μm, will be available. Each pattern has the appearance shown in Figure 2b with two bands B1, B2, whose width L1 is larger in a zone L than the width L2 in a zone M. For example, the width L1 will be 8 Um and the L2 width of 4 tram. These two bands are separated by a narrow range, for example 2 μm. The total length of the mask may be of the order of 1 mm.

Les bandes du masque sont de préférence alignées suivant une direction cristallographique du substrat, par exemple la direction < 110 > . The bands of the mask are preferably aligned in a crystallographic direction of the substrate, for example the <110> direction.

On grave ensuite les couches 110 et 108 à travers un tel masque, par exemple par attaque chimique sélective. On obtient ainsi (Fig. 2c) un sillon 111 qui s' arrête exactement à l'interface entre les couches 106 et 108. Le profil de ce sillon est très reproductible car limité par des plans cristallographiques d'arrêt pour la solution chimique utilisée (par exemple HCl) non seulement au fond du sillon mais aussi sur les flancs. The layers 110 and 108 are then etched through such a mask, for example by selective etching. This produces (Fig. 2c) a groove 111 which stops exactly at the interface between the layers 106 and 108. The profile of this groove is very reproducible because it is limited by stop crystallographic planes for the chemical solution used ( for example HCl) not only at the bottom of the furrow but also on the flanks.

On conserve de préférence les masques de la gravure chimique (mais on pourrait les modifier ou en utiliser d'autres) pour réaliser une seconde épitaxie, sélective celle-là, et former un ruban dans le sillon gravé. Ce ruban comprend au moins une couche active correspondant au composant optoélectronique désiré. Cette couche active peut être une couche où a Lieu l'émission stimulée si le composant est un laser, ou une couche où a lieu l'absorption de lumière si le composant est un modulateur, etc. Ce ruban peut comprendre, par exemple, (figure 2d) une couche de protection 112 (facultative) en InP, une couche active 114, soit en quaternaire, soit constituée d'un empilement de puits quantiques et de barrières d'épaisseur et de composition appropriées à la longueur d'onde visée (puits en ternaire GaInAs et barrières en quaternaire GaInAsP par exemple) et comprenant un guide d'onde en quaternaire de composition constante ou graduelle ; une couche de protection 116 en InP est éventuellement déposée suivie d'une ou de plusieurs couches 118 destinées à être gravées en réseau de diffraction. Ces couches sont en GaInAsP/InP. The masks of the chemical etching are preferably preserved (but one could modify them or use others) to make a second epitaxy, selective one, and form a ribbon in the engraved groove. This ribbon comprises at least one active layer corresponding to the desired optoelectronic component. This active layer may be a layer where the stimulated emission takes place if the component is a laser, or a layer where light absorption takes place if the component is a modulator, etc. This ribbon may comprise, for example (FIG. 2d) a protective layer 112 (optional) made of InP, an active layer 114, or a quaternary layer, or constituted by a stack of quantum wells and barriers of thickness and composition. appropriate to the target wavelength (GaInAs ternary wells and GaInAsP quaternary barriers, for example) and comprising a quaternary waveguide of constant or gradual composition; a protective layer 116 of InP is optionally deposited followed by one or more layers 118 to be etched in a diffraction grating. These layers are GaInAsP / InP.

Du fait de la plus grande largeur L1 du masque dans la zone L que dans la zone M, le ruban formé dans ladite zone L va correspondre à une longueur d'onde légèrement plus grande que celle de la zone
M. La première zone L du ruban constituera donc le laser du composant et la seconde, M, le modulateur.Due to the greater width L1 of the mask in the zone L than in the zone M, the ribbon formed in said zone L will correspond to a wavelength slightly greater than that of the zone.
M. The first zone L of the ribbon will thus constitute the laser of the component and the second, M, the modulator.

La couche 112 peut servir à éliminer sélectivement les couches déposées lors de l'étape d'épitaxie sélective dans les larges ouvertures situées entre les différents motifs utilisées.  The layer 112 can be used to selectively remove the layers deposited during the step of selective epitaxy in the large openings between the different patterns used.

Pour ce qui est de la couche 118 gravée en réseau de diffraction, plusieurs solutions sont possibles. La plus simple, parce qu'elle n'ajoute pas d'étape d'épitaxie, consiste à épitaxier sélectivement cette couche au-dessus de la couche active 114, de façon à ce qu'elle se termine sensiblement à la même hauteur que la couche 110, pour avoir la surface la plus plane possible pour la fabrication du réseau (une dénivellation de 100 à 200 nm est cependant acceptable). Les masques de nitrure peuvent être laissés pendant la fabrication du réseau (par holographie suivie d'une attaque chimique). Dans ce cas, le réseau sera présent seulement au-dessus de la couche active.  As regards the layer 118 etched into a diffraction grating, several solutions are possible. The simplest, because it does not add an epitaxial step, is to selectively epitaxially this layer above the active layer 114, so that it ends substantially at the same height as the layer 110, to have the most planar surface possible for the manufacture of the network (a difference in level of 100 to 200 nm is however acceptable). Nitride masks may be left during network fabrication (by holography followed by chemical etching). In this case, the network will be present only above the active layer.

Dans le cas contraire, il débordera ldtéralement au-dessus de la couche 110. En revanche, il faudra impérativement protéger, pendant cette étape, la zone
M du futur modulateur (par exemple par un dépôt de nitrure), pour limiter la formation du réseau à la zone laser.Otherwise, it will necessarily overflow the layer 110. However, it will be imperative to protect, during this step, the area
M of the future modulator (for example by a nitride deposition), to limit the formation of the network to the laser zone.

Après avoir retiré les masques B1, B2, on dépose une couche 120 (Fig. 2e), par exemple un InP de type p puis une couche de contact 122 par exemple en GaInAs dopée p+ et enfin une métallisation 124 au-dessus du ruban actif. After having removed the masks B1, B2, a layer 120 is deposited (Fig. 2e), for example a p-type InP and then a contact layer 122, for example made of p + doped GaInAs and finally a metallization 124 above the active ribbon. .

Dans la description qui précède, les bandes B1 et 82 présentent, sur l'essentiel de leur longueur, soit la largeur LI, soit la largeur L2, la zone de transition marquée T sur la figure 2b étant de longueur très réduite. Mais on ne sortirait pas du cadre de l'invention en utilisant des masques où cette zone de transition T occuperait une part plus importante des bandes. Une telle transition conduit à un ruban présentant des propriétés graduelles entre les propriétés dans une première zone et les propriétés dans une seconde zone. On peut même utiliser une transition qui s'étend jusqu'à l'une des extrémités des bandes, où même une transition qui s'étend d'une extrémité à l'autre, la première zone et la seconde zone étant, dans ce cas particulier extrême, réduites aux bords des bandes. In the foregoing description, the strips B1 and 82 have, over most of their length, either the width L1 or the width L2, the transition zone marked T in FIG. 2b being of very short length. But it is not beyond the scope of the invention using masks where this transition zone T occupy a larger share of the bands. Such a transition results in a ribbon having gradual properties between the properties in a first zone and the properties in a second zone. One can even use a transition that extends to one of the ends of the bands, where even a transition that extends from one end to the other, the first zone and the second zone being, in this case particularly extreme, reduced to the edges of the bands.

Une telle zone de transition peut être utile pour améliorer le couplage optique entre les deux éléments du composant.  Such a transition zone may be useful for improving the optical coupling between the two components of the component.

Claims (1)

REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'un composant optoélectronique caractérisé par le fait qu'il comprend les opérations suivantes - sur un substrat (100) on dépose, par une première épitaxie, une couche de confinement (108) en matériau semi-isolant, - on dépose sur l'ensemble un masque consti tué par deux bandes parallèles (B1, 82) séparées par un intervalle, - on grave la couche de confinement (108) en matériau semi-isolant à travers ce masque (B1, 82) pour constituer un sillon (111) sous l'intervalle séparant les deux bandes, - on forme, par une seconde épitaxie, sélective ve celle-là, dans ce sillon (111) et à tra vers le masque (B1, B2), un ruban formé d'au moins une couche active (114) correspon dant au composant optoélectronique désiré, - on retire le masque (B1, B2), et - on établit un contact électrique (120, 122,1. A method of producing an optoelectronic component characterized in that it comprises the following operations - on a substrate (100) is deposited, by a first epitaxy, a confinement layer (108) of semi-insulating material, a mask consisting of two parallel strips (B1, 82) separated by an interval is deposited on the assembly; the confinement layer (108) of semi-insulating material is etched through this mask (B1, 82) to to constitute a groove (111) under the interval separating the two bands, - a second epitaxy is formed, selectively ve, in this furrow (111) and through the mask (B1, B2), a ribbon formed of at least one active layer (114) corresponding to the desired optoelectronic component, the mask (B1, B2) is removed, and an electrical contact (120, 122, 124) avec le ruban. 124) with the ribbon. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les deux bandes (B1, B2) du masque ont leurs bords parallèles à un plan cristallographique du substrat (100). 2. Method according to claim 1, characterized in that the two bands (B1, B2) of the mask have their edges parallel to a crystallographic plane of the substrate (100). 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que, sur le substrat (100) et sous la couche de confinement (108), on dépose une couche (106) jouant le rôle de couche d'arrêt dans l'opération de gravure du sillon (111), ce sillon étant limité, en profondeur, par cette couche d'arrêt (106).  3. Method according to claim 1, characterized in that, on the substrate (100) and under the confinement layer (108), there is deposited a layer (106) acting as a stop layer in the operation of etching of the groove (111), this groove being limited, in depth, by this stop layer (106). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on dépose en outre une couche supplémentaire (110) sur la couche de confinement en matériau semi-isolant (108), cette couche supplémentaire (110) servant de barrière de diffusion pour les accepteurs entre la couche de confinement (108) et une future couche de confinement dopée (120) et éventuellement de masque d'attaque sélective pour la gravure du sillon (111) dans la couche de confinement (108). 4. Method according to claim 1, characterized by the fact that an additional layer (110) is additionally deposited on the confinement layer made of semi-insulating material (108), this additional layer (110) serving as a diffusion barrier for the acceptors between the confinement layer (108) and a future doped confinement layer (120) and optionally selective etching mask for etching the groove (111) in the confinement layer (108). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait qu'on dépose un masque formé de deux bandes (B1, B2) ayant une première largeur (L1) dans une première zone (L) et une seconde largeur (L2) dans une seconde zone (M), la première largeur (L1) étant supérieure à la seconde (L2), la seconde épitaxie conduisant à un ruban ayant des premières propriétés dans la première zone (L) correspondant à la première largeur (L1) et des secondes propriétés dans la seconde zone (M) correspondant à la seconde largeur (L2). 5. Method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a mask is deposited formed of two strips (B1, B2) having a first width (L1) in a first zone (L) and a second width (L2) in a second zone (M), the first width (L1) being greater than the second (L2), the second epitaxy leading to a ribbon having first properties in the first zone (L) corresponding to the first width (L1) and second properties in the second region (M) corresponding to the second width (L2). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé par le fait que chaque bande présente une zone de transition (T) entre la première zone (L) de première largeur (L1) et la seconde zone (M) de seconde largeur (L2), le ruban obtenu après la seconde épitaxie présentant des propriétés passant graduellement desdites premières propriétés auxdites secondes propriétés. 6. Method according to claim 5, characterized in that each band has a transition zone (T) between the first zone (L) of first width (L1) and the second zone (M) of second width (L2), the ribbon obtained after the second epitaxy having properties gradually passing from said first properties to said second properties. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendication 5 et 6, caractérisé par le fait que l'on forme dans la première zone (L) un laser et dans la seconde zone (M) un modulateur. 7. Method according to any one of claims 5 and 6, characterized in that one forms in the first zone (L) a laser and in the second zone (M) a modulator. 8. Procéué selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le matériau semi-isolant constituant la couche de confinement (108) dans lequel est gravé le sillon (111) est de l'InP semi-isolant. 8. Process according to claim 1, characterized in that the semi-insulating material constituting the confinement layer (108) in which the groove (111) is etched is semi-insulating InP. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que, dans la seconde épitaxie sélective, on forme un empilement comprenant une couche active (114) qui est à multipuits quantiques.  9. Method according to claim 1, characterized in that, in the second selective epitaxy, a stack is formed comprising an active layer (114) which is multiwell quantum.
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