FR2675309A1 - Procede pour eliminer localement des couches isolantes transparentes aux ultraviolets, situees sur un substrat semiconducteur. - Google Patents

Procede pour eliminer localement des couches isolantes transparentes aux ultraviolets, situees sur un substrat semiconducteur. Download PDF

Info

Publication number
FR2675309A1
FR2675309A1 FR9202280A FR9202280A FR2675309A1 FR 2675309 A1 FR2675309 A1 FR 2675309A1 FR 9202280 A FR9202280 A FR 9202280A FR 9202280 A FR9202280 A FR 9202280A FR 2675309 A1 FR2675309 A1 FR 2675309A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
semiconductor substrate
ultraviolet
transparent
laser
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR9202280A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
FR2675309B1 (enExample
Inventor
Burmer Christian
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of FR2675309A1 publication Critical patent/FR2675309A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2675309B1 publication Critical patent/FR2675309B1/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W20/064—
    • H10P95/00—
    • H10W20/067—

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
FR9202280A 1991-03-22 1992-02-27 Procede pour eliminer localement des couches isolantes transparentes aux ultraviolets, situees sur un substrat semiconducteur. Granted FR2675309A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4109535 1991-03-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2675309A1 true FR2675309A1 (fr) 1992-10-16
FR2675309B1 FR2675309B1 (enExample) 1995-06-02

Family

ID=6428027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9202280A Granted FR2675309A1 (fr) 1991-03-22 1992-02-27 Procede pour eliminer localement des couches isolantes transparentes aux ultraviolets, situees sur un substrat semiconducteur.

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5338393A (enExample)
FR (1) FR2675309A1 (enExample)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5843363A (en) * 1995-03-31 1998-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Ablation patterning of multi-layered structures
KR0163526B1 (ko) * 1995-05-17 1999-02-01 김광호 자외선/오존을 조사하여 접속패드에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법
US6015735A (en) * 1998-01-13 2000-01-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a multi-anchor DRAM capacitor and capacitor formed
US9299557B2 (en) 2014-03-19 2016-03-29 Asm Ip Holding B.V. Plasma pre-clean module and process
US9474163B2 (en) 2014-12-30 2016-10-18 Asm Ip Holding B.V. Germanium oxide pre-clean module and process
US10373850B2 (en) 2015-03-11 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Pre-clean chamber and process with substrate tray for changing substrate temperature

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2620737A1 (fr) * 1987-09-17 1989-03-24 France Etat Procede de gravure d'une couche d'oxyde de silicium
DE4013143A1 (de) * 1989-04-21 1990-10-31 Nippon Telegraph & Telephone Selektives (cvd)-verfahren und geraet dafuer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6175529A (ja) * 1984-09-21 1986-04-17 Toshiba Corp ドライエツチング方法及び装置
JPH0691014B2 (ja) * 1984-11-14 1994-11-14 株式会社日立製作所 半導体装置の製造装置
JPH0763064B2 (ja) * 1986-03-31 1995-07-05 株式会社日立製作所 Ｉｃ素子における配線接続方法
US4885047A (en) * 1986-08-11 1989-12-05 Fusion Systems Corporation Apparatus for photoresist stripping

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2620737A1 (fr) * 1987-09-17 1989-03-24 France Etat Procede de gravure d'une couche d'oxyde de silicium
DE4013143A1 (de) * 1989-04-21 1990-10-31 Nippon Telegraph & Telephone Selektives (cvd)-verfahren und geraet dafuer

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
R.SOLANSKI ET AL.: "LASER PHOTODEPOSITION OF REFRACTORY METALS", APPLIED PHYSICS LETTERS., vol. 38, no. 7, April 1981 (1981-04-01), NEW YORK US, pages 572 - 574 *

Also Published As

Publication number Publication date
US5338393A (en) 1994-08-16
FR2675309B1 (enExample) 1995-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5250329A (en) Method of depositing conductive lines on a dielectric
KR20030045082A (ko) 레이저 제거 방법을 이용한 박막의 증착
FR2674371A1 (fr) Procede pour etablir des contacts sur des structures conductrices dans des circuits a tres haute densite d'integration.
FR2533944A1 (fr) Procede de fabrication d'articles par depot en phase vapeur d'une matiere a constituants multiples
Schroeder et al. Laser-induced contamination and its impact on laser damage threshold
FR2675309A1 (fr) Procede pour eliminer localement des couches isolantes transparentes aux ultraviolets, situees sur un substrat semiconducteur.
FR2742926A1 (fr) Procede et dispositif de preparation de faces de laser
US5332879A (en) Method for removing trace metal contaminants from organic dielectrics
FR2694131A1 (fr) Procédé et installation pour la fabrication d'un composant, notamment d'un composant optique, et composant optique ainsi obtenu.
JPH077744B2 (ja) レ−ザ−加熱タ−ゲツトからの蒸発増強方法
EP0900859B1 (fr) Procédé de dépôt d'une couche diélectric de Ta205
EP0804801B1 (fr) Boite de stockage d'un objet destine a etre protege d'une contamination physico-chimique
FR2703474A1 (fr) Matériau de couche optique composé d'un oxyde métallique, son procédé de préparation et son utilisation dans des composants optiques.
EP1473381A1 (fr) Procédé destiné à éviter le dépôt de particules contaminatrices sur la surface d'un micro-composant, dispositif de stockage d'un micro-composant et dispositif de dépôt de couches minces
Ten et al. Femtosecond laser-induced chemical vapor deposition of tungsten quasi-periodic structures on silicon substrates
EP0501095A1 (fr) Procédé de métallisation de surfaces diélectriques contenant un métal
FR2764309A1 (fr) Procede de creation d'une couche de silicium sur une surface
EP0614215B1 (fr) Procédé de formation d'un contact métallique sur un relief d'un substrat semi-conducteur, incluant une étape de fluage d'une couche de résine photosensible
Thajeel Sr et al. Laser annealing of gold thin films as a platform for plasmonic sensing applications
EP1392894B1 (fr) Equipements d'epitaxie par jet moleculaire
EP0261040B1 (fr) Procédé de gravure localisée d'une couche d'oxyde de silicium
Dubowski et al. Laser-assisted dry etching ablation for microstructuring of III-V semiconductors
FR2855651A1 (fr) Procede de realisation de cadran d'afficheur par traitement de substrat en silicium
EP0635585B1 (fr) Procédé de production d'une couche métallique épaisse et fortement adhérente sur un substrat de nitrure d'aluminium frittée et produit métallisé ainsi obtenu
Leonov Optical properties of silver nanoparticles based on their structural defects

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse