FR2647985A1 - Convolutionneur a onde acoustique de surface et integrateur de convolution utilisant celui-ci - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un convolutionneur d'onde acoustique de surface. Il s'agit d'un convolutionneur qui comprend un substrat multicouche ayant au moins un film piézo-électrique. L'auto-convolution est supprimée en prévoyant une première et une seconde électrode de matrice 13 disposée entre une électrode de grille 2 et une paire d'électrodes d'entrée 3, respectivement, dont chacune est formée par une couche semi-conductrice à haute concentration d'impuretés. L'invention est utilisable dans le domaine des ondes acoustiques de surface.
Description
La présente invention concerne un perfectionnement à un intégrateur de
convolution utilisant un convolutionneur à onde acoustique de surface (appelé ci-après convolutionneur SAW) et un perfectionnement à un convolutionneur SAW utilisé à cette fin. La figure 9 est une vue de dessus d'un convolutionneur SAW de l'état de la technique, d'une structure typique. Sur la figure, le numéro de référence 1 est un substrat piézo-électrique ou un substrat
multicouche de film piézo-électrique/isolateur/semi-
conducteur; 2 est une électrode de porte; 3 est une électrode interdigitale; 4 est une borne d'entrée; 5
est une borne de sortie; et 6 est un absorbeur de son.
La structure qui utilise un substrat piézo-électrique présente la caractéristique qu'étant donné que la perte de propagation de l'onde acoustique de surface se propageant dans le substrat est faible et la dispersion de fréquence de la vitesse de groupe est également faible, l'électrode de porte 2 peut être longue et ainsi une intégration de convolution d'une largeur de temps long peut être effectuée. D'autre part, la structure
utilisant un substrat multicouche de film piézo-
électrique/isolateur/semi-conducteur présente la caractéristique que la constante de non-linéarité du substrat est grand et de ce fait une efficacité de convolution élevée peut être obtenue. Cependant, dans la structure selon l'état de la technique indiquée à la figure 9, des signaux non nécessaires appelés signaux d'auto-convolution sont produits à part des signaux de convolution (signal d'intégration de convolution) entre les signaux d'entrée par les deux électrodes interdigitales (abrégées ci-après I.D.T). Un signal d'auto-convolution est un signal qui est produit par le fait qu'une onde acoustique de surface engendrée par un I.D.T. est réfléchie par l'autre I.D.T. opposée à celle-ci. La figure 10 montre cet aspect. A la figure, les ondes acoustiques de surface Si et S2 sont engendrées par les signaux électriques Fl(t) et F2 (t) appliqués aux I.D.T respectives et ces ondes acoustiques de surface sont réfléchies par les autres I.D.T., ce qui provoque la production d'ondes réfléchies Sir et S2r. Dans ce cas, il est évident qu'un signal de convolution entre S1 et son onde réfléchie Slr et celui entre S2 et son onde réfléchie S2r sont également produites par des signaux de convolution souhaités entre S1 et S2. Les deux signaux antérieurs Slr et S2r sont des signaux d'autoconvolution. Dans ce cas, le signal de sortie C(t) obtenu à l'électrode de sortie 2 est exprimé par la formule suivante; Et C(t) = K) F1(r)F2(2t - T -) d T t-T - a L It + K T e Fl(L)Fl(2t - 2T - I) dT t-T - 4 L /t + K' ' e F2(f)F2(2 t - 2T -T) dr /t-T
L
o T..(2) v t indique le temps; L la longueur de porte; v la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface; K une constante; T est un coefficient de réflexion de l'onde acoustique de surface à la I.D.T.; et d. la
constante d'atténuation de l'onde acoustique de surface.
De plus, comme exprimé par l'équation (2), T correspond au temps de retard d'attaque de porte. Dans l'équation (1), le premier terme représente le signal de
convolution entre les signaux d'entrée Fl(t) et F2 (t).
Les second et troisième termes sont des termes qui n'existent pas dans le cas o il n'y a pas d'ondes réfléchies et représentent des signaux d'autoconvolution. De tels signaux de convolution apparaissent sous forme de bruits parasites pour la sortie du convolutionneur et exercent des influences indésirables du fait qu'elles réduisent l'étendue ou la gamme dynamique du convolutionneur. Par exemple, le signal de sortie, lorsque les signaux d'entrée F1 (1) et F2 (t) exprimés respectivement par les équations (3) et (4) sont
appliqués, est montré qualitativement à la figure 11.
f(t) cos(w t), (0C t L T) F1(t) = j O, (pour autre t)...... (3) f(T-t) cos(u t), (0 Z t 4 T) F2(t) =
0,(pour autre t)....... (4).
A la figure 11 il est illustré un aspect que des signaux d'autoconvolution apparaissent autrement que le signal de convolution qui augmente le niveau parasite L. Lorsque le niveau parasite n'est pas augmenté remarquablement, il peut y avoir un problème sérieux quand le convolutionneur SAW est utilisé. Par exemple, dans le cas o le convolutionneur SAW est utilisé dans un appareil de communication à spectre large (appelé ci-après simplement appareil de communication SS), la montée du niveau de parasites comme décrit plus haut augmente la vitesse ou le taux d'erreur à la réception des données, ce qui diminue effectivement la vitesse de transfert des données ou réduit la distance sur laquelle
la communication est possible.
Pour réduire les influences du signal d'auto-convolution comme décrit plus haut, des divers procédés ont été proposés Jusqu'à présent. A titre d'un tel procédé, on connait un procédé selon lequel par exemple un convolutionneur à deux portes (se référer à la littérature 1) ou un transducteur unidirectionnel (se
référer à la littérature 2) est utilisé.
Littérature 1.
I. Yao, "High-performance élastic convolver with parabolic horns", Proc. 1980 IEEE Ultrason. Symp., 1980
pages 37-42.
Littérature 2.
C.L. West, "SAW convolver employing unidirectional transducers for improved efficiency., "Proc. 1982 IEEE
Ultrason. Symp., 1982, pages 119-123.
Cependant, le procédé antérieur présente l'inconvénient que la zone d'un élément est large et que le circuit extérieur est compliqué. D'autre part, le procédé cité en dernier lieu présente l'inconvénient que la zone de l'élément est grande de façon similaire et
qu'il est difficile d'élargir la bande des fréquences.
Ensuite l'inventeur de la présente invention a proposé dans la demande de brevet Japonais No. 62-94490 (JP-A-63-260313) un procédé selon lequel, dans un convolutionneur utilisant un substrat multicouche de film piézoélectrique/isolateur/semi-conducteur, des électrodes auxiliaires sont disposées sur le film
piézo-électrique entre l'électrode de porte et les I.D.T.
et le signal d'auto-convolution est supprimé par application d'une telle tension de polarisation aux électrodes auxiliaires que la couche semiconductrice
sous les électrodes auxiliaires soit à l'état inversé.
Le procédé décrit plus haut présente une caractéristique selon laquelle l'auto-convolution peut être supprimée par un simple circuit extérieur. Cependant il présente l'inconvénient que du fait que les portions o les électrodes auxiliaires sont disposées constituent des sources de perte, il est inévitable que l'efficacité
de convolution dans son ensemble soit faible.
La présente invention a pour objectif de proposer un procédé pour supprimer les influences du signal d'auto-convolution dans un intégrateur de convolution utilisant un convolutionneur SAW et une structure efficace d'un convolutionneur SAW utilisé à
cette fin.
Pour atteindre ce but, l'invention est caractérisée en ce qu'un convolutionneur SAW comprend un substrat muticouche se composant d'un film piézo-électrique/d'une couehe isolante/d'une couche épitaxiale semiconductrice d'un premier type de conductivité/d'une couche semiconductrice d'une forte concentraticn d'impuretés et du premier type de conductivité; une paire d'électrodes d'entrée disposée à une distance prédéterminée sur le film piézo-électrique; une électrode de grille pour prélever une sortie de convolution disposée sur un trajet de propagation d'onde acoustique de surface sur le film piézo-électrique entre la paire d'électrodes d'entrée; une première électrode de réseau disposée sous la couche isolante entre l'électrode de porte ou de grille et l'une des électrodes d'entrée et formée par une couche semi-conductrice à haute concentration d'impuretés et d'un second type de conductivité; et une seconde électrode de réseau ou de matrice disposée sous la couche isolante entre
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l'électrode de porte et l'autre des électrodes d'entrée et formée par une couche semi-conductrice à concentration
d'impuretés élevée et d'un second type de conductivité.
Une seconde invention est caractérisée en ce qu'un convolutionneur SAW comprend un substrat multicouche formé par un film piézo-électrique/une couche isolante/une couche épitaxiale semi-conductrice d'un premier type de conductivité/une couche semi-conductrice à concentration d'impuretés élevée et d'un premier type de conductivité; une paire d'électrodes d'entrée disposée à une distance prédéterminée sur le film piézoélectrique; une électrode de grille ou de porte pour prélever une sortie de convolution disposée sur un traJet de propagation d'une SAW sur le film piézo-électrique entre la paire d'électrodes d'entrée; une première électrode auxiliaire disposée sur le film piézo-électrique entre l'électrode de porte et l'une des électrodes d'entrée; une seconde électrode auxiliaire disposée sur le film piézo-électrique entre l'électrode de porte et l'autre des électrodes d'entrée; et une première et une seconde électrodes de réseau disposées sous la couche isolante sous les électrodes auxiliaires respectives et formées par des couches semi-conductrices à concentration d'impuretés élevée et d'un second type de
conductivité.
Une troisième invention est caractérisée en ce qu'un intégrateur de convolution comprend un convolutionneur SAW formé par un substrat comportant au moins un film piézo-électrique; une paire d'électrodes d'entrée disposée à une distance prédéterminée sur le film piézoélectrique; une électrode de porte ou de grille pour prélever une sortie de convolution disposée sur un trajet de propagation d'une onde acoustique de surface sur le film piézo-électrique entre la paire d'électrodes d'entrée; et des moyens de contr8le de perte pour contrôler les pertes de propagation d'une SAW
par des signaux électriques, disposés sur le film piézo-
électrique entre l'électrode de porte et chacune des électrodes d'entrée; et des moyens de synchronisation qui amènent les moyens de contrôle de perte à effectuer un changement d'état depuis un état o.la perte est élevée à un état o la perte est faible au même temps que le point de commencement du signal d'entrée et à revenir ensuite à l'état o la perte est élevée, après l'écoulement d'une période de temps de T + Td; T indiquant le temps de retard d'attaque de porte, Td le délai de temps nécessaire à la SAW pour atteindre l'extrémité la plus proche de l'électrode de porte, en commençant aux électrodes d'entrée; le point de commencement du signal d'entrée de référence étant
synchronisé au point de commencement du signal d'entrée.
Une quatrième invention est caractérisée en ce qu'un intégrateur de convolution comprend un convolutionneur SAW formé par un substrat multicouche formé par un film piézo-électrique/une couche isolante/ une couche semiconductrice; une paire d'électrodes d'entrée disposée à une distance prédéterminée sur le film piézo-électrique; une électrode de porte pour prélever ou sortir une sortie de convolution disposée sur un traJet ou une voie de propagation d'ondes acoustiques de surface sur le film piézo-électrique entre la paire d'électrodes d'entrée; et des moyens de contrôle de perte pour contrôler les pertes de propagation de la SAW par des signaux électriques, disposés sut le film piézo-électrique entre l'électrode de porte et chacune des électrodes d'entrée; et des moyens de synchronisation qui amènent les moyens de contrôle de perte à effectuer un changement d'état depuis un état o la perte est grande à un état o la perte est faible en même temps que le point de commencement ou le début du signal d'entrée et à revenir ensuite à l'état o la perte est élevée, après l'écoulement d'une période de temps de T + Td; T indiquant le temps de retard d'attaque de porte; Td indiquant le temps de retard nécessaire à la SAW pour atteindre l'extrémité la plus proche de l'électrode de porte, en partant des électrodes d'entrée; le point de commencement ou du début du signal d'entrée de référence étant synchronisé au point de iébut du
signal d'entrée.
Une cinquième invention est caractérisée en ce qu'un intégrateur de convolution comprend un convolutionneur SAW formé par un substrat multicouche formé par un film piézo-électrique/une couche isolante/ une première couche épitaxiale semi-conductrice d'un premier type de conductivité/une couche semi-conductrice à concentration d'impuretés élevée et d'un second type de conductivité; une paire d'électrodes d'entrée disposée à une distance prédéterminée sur le film piézoélectrique; une électrode de porte pour prélever ou sortir une sortie de convolution disposée sur un trajet de propagation d'onde acoustique de surface sur le film piézo-électrique entre la paire d'électrodes d'entrée; une électrode auxiliaire disposée sur le film piézo-électrique entre l'électrode de porte et chaque électrode d'entrée; et une électrode de réseau disposée sous la couche isolante sous chacune des électrodes auxiliaires; des moyens de référence pour appliquer une tension de référence aux électrodes auxiliaires; des moyens de synchronisation qui amènent les électrodes auxiliaires à effectuer un changement d'état depuis un état o la perte est élevée à un état o la perte est faible au même temps que le point de début du signal d'entrée et à revenir ensuite à l'état o la perte est élevée, après l'écoulement d'une période de temps de T + Td; T indiquant le temps de retard d'attaque de porte, Td le temps de retard nécessaire à la SAW pour atteindre l'extrémité la plus proche de l'électrode de porte, en partant des électrodes d'entrée; le point de début du signal d'entrée de référence étant
synchronisé au point de début du signal d'entrée.
Une sixième invention est caractérisée en ce qu'un intégrateur de convolution comprend un convolutionneur SAW formé par un substrat multicouche formé par un film piézo-électrique/une couche isolante/ une couche semi-conductrice; une paire d'électrodes d'entrée disposée à une distance prédéterminée sur le film piézo-électrique; une électrode de porte pour prélever une sortie de convolution disposée sur un trajet de propagation d'onde acoustique de surface sur le film piézo-électrique entre la paire d'électrodes d'entrée; et des moyens de contrôle de perte pour contrôler les pertes de propagation de la SAW par des signaux électriques, disposés sur le film piézo-électrique entre l'électrode de porte et chacune des électrodes d'entrée; en outre un circuit de porte inséré sur le côté d'entrée de chacune des électrodes d'entrée; et des moyens de synchronisation pour contrôler l'état des électrodes de réseau et les circuits de porte par rapport au signal d'entrée et au signal d'entrée de référence pour les synchroniser o T indique le délai de temps d'attaque de porte, Td le délai de temps nécessaire pour la SAW pour atteindre l'extrémité la plus proche de l'électrode de porte, en partant des électrodes d'entrée, lorsque le signal d'entrée et le signal d'entrée de référence sont des signaux répétés ayant une période de T, les moyens de synchronisation effectuant un contrôle de synchronisation si bien que (i) le début de la période du signal d'entrée, le début de la période du signal de référence et le point ou l'instant de temps du changement d'état d'ouverture ou de fermeture du circuit de porte soient synchronisés;
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(ii) l'ouverture et la fermeture du circuit de porte répètent le changement d'état à une période de 2T, le circuit de porte étant à l'état d'ouverture pendant une longueur de temps T qui est la moitié d'une période et à l'état de fermeture pendant la durée de temps restante; (iii) l'état de perte ou de défaut par les électrodes de matrice répète également le changement d'état à une période de 2T en étant à l'état o la perte ou le défaut est faible, pendant une durée ou largeur de temps de T + Td et à l'état o la perte est grande, pendant la largeur de temps restante; et (iv) le point de temps o les électrodes de réseau ou de matrice ont changé d'état depuis l'état o la perte ou le défaut est grand à l'état o la perte est faible, soit synchronisé au point de temps o le circuit de porte a changé d'état de l'état fermé à l'état d'ouverture. La section de contr8le de perte du convolutionneur SAW est commandée ou contr8lée pour être synchronisée, en fonction de l'état du signal d'entrée et du signal de référence, ou le signal d'entrée, le signal de référence et l'ouverture et la fermeture du circuit de porte sont commandés pour être synchronisés. Ou la perte de propagation de la SAW est commandée par la tension appliquée à la première et à la seconde électrode de
matrice ou de réseau.
Etant donné que les influences du signal d'auto-convolution sont supprimées de cette manière, le
niveau de bruit parasite est abaissé.
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaîtront plus clairement au cours de la description
explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: l1 - la figure 1 est un schéma bloc de la structure fondamentale de la présente invention; - les figures 2 et 3 sont des schémas montrant le procédé de commande de la section de synchronisation indiquée à la figure 1; - les figures 4A, 4B et 4C sont respectivement une vue de dessus d'un mode de réalisation de la présente invention, une vue en coupe transversale le long de la ligne A-A' de la figure 4A et une vue en coupe transversale le long de la ligne B-B' de la figure 4A; - les figures 5A à 5D et 6 sont des schémas pour expliquer le fonctionnement du mode de réalisation décrit ci-dessus; - la figure 7 est un schéma bloc montrant un autre mode de réalisation de la présente invention; - la figure 8 est un schéma illustrant le procédé de commande du circuit de porte dans le mode de réalisation montré à la figure 7; - la figure 9 est une vue schématique illustrant un mode de réalisation antérieur d'un convolutionneur SAW; - la figure 10 est une vue schématique pour expliquer le fonctionnement de celui-ci; et - la figure 11 montre des formes d'onde du signal d 'entrée et du signal de sortie dans et en
provenance du convolutionneur SAW montré à la figure 9.
On décrira ci-après les modes de réalisation
illustrés aux figures.
Tout d'abord, la structure de base ou fondamentale selon la présente invention pour supprimer
le signal d'auto-convolution est montré à la figure 1.
Cette figure montre la structure pour le cas o entre les
signaux introduits à travers les deux I.D.T.
respectivement, l'un des signaux est le signal d'entrée *35 Fl(t), tandis que l'autre est le signal de référence F2(t), et l'intégration de convolution des deux est exécutée. Dans le convolutionneur SAW 8 montré à la figure 8, les numéros de référence identiques à ceux utilisés à la figure 12 indiquent des éléments identiques ou similaires et il est pourvu, à part de cela, d'une section de synchronisation 10. Plus précisément, il se compose de: (a) d'un convolutionneur SAW 8 ayant une structure dans laquelle la section de contrôle de perte 7 contrôlant ou commandant la perte de propagation de l'onde acoustique de surface par des signaux électriques est disposée entre les I.D.T. 3 et l'électrode de porte ou de commande; et (b) une section de synchronisation pour commander l'état de la section de contrôle ou de commande de perte 7 pour synchroniser le signal d'entrée au signal
de référence.
Lorsque le signal d'entrée et le signal de référence sont des signaux répétés ou récurrents ayant une période T (T étant un temps de retard d'attaque), il est supposé que la section de synchronisation 10 accomplit le contrôle ou la commande de façon que les
signaux et les états soient ceux indiqués à la figure 2.
A la figure 2: (i) le début de la période du signal d'entrée, est synchronisé au début de la période du signal de référence; (ii) l'état de la perte dans la section de contrôle de perte 7 répète le changement d'état à'une période de 2T, et entre ceux-ci il est à l'état o la perte est faible, pendant une largeur ou durée de temps T + Td, tandis qu'il est à l'état o la perte est large pendant la largeur de temps restante, Td représentant le temps qui est nécessaire à l'onde acoustique de surface engendrée par un I.D.T. pour atteindre l'extrémité la plus proche de l'électrode de commande; et (iii) le point de temps du changement d'état de perte importante- perte faible est en accord avec le point de temps du début de la période du signal d'entrée
toutes les deux périodes (2T).
D'autre part, lorsque le signal d'entrée et le signal de référence sont des phénomènes ne se produisant qu'une seule fois, il est supposé que la section de synchronisation 10 effectue le contrôle de façon que les
signaux et les états soient ceux indiqués à la figure 3.
A la figure 3: (i) le début du signal d'entrée est synchronisé au début du signal de référence; et (ii) l'état de la perte dans la section de contrôle de perte 7 est à l'état o la perte est faible au point de temps du début décrit ci-dessus et revient à nouveau à l'état o la perte est importante, après avoir maintenu l'état o la perte est faible seulement pendant
la largeur de temps de T + Td.
Bien qu'il soit indiqué aux figures 2 et 3 que la perte est faible lorsque la relation entre l'état de la section de contrôle de perte 7 et le segnal commandant la section de contrôle de perte g(t) est représentée par g (t)> 0, et la perte est faible lorsque g(t)=0, ceci n'est qu'un exemple dans le but de l'explication et fondamentalement ils peuvent avoir toute autre relation si g(t) et l'état de la section de contrôle de perte
correspondent l'un à l'autre selon 1 à 1.
Maintenant'la section de contrôle de perte 7 dans le convolutionneur SAW 8 montrée à la figure 1 peut avoir de telles caractéristiques que la perte de propagation de l'onde acoustique de surface se propageant à travers celui-ci varie immédiatement en fonction du signal de commande g(t), comme cela est indiqué aux figures 2 et 3. En principe il est possible de réaliser la construction de la présente invention montrée à la figure 1 en employant la portion des électrodes auxiliaires dans la structure comme section de contrôle de perte dans le convolutionneur ayant la structure décrite dans la demande de brevet antérieure décrite plus haut. Cependant, par la structure décrite dans la demande de brevet antérieur, dans la mesure o c'est une structure dans laquelle la tension est appliquée à la surface du corps semi-conducteur à travers le film piézo-électrique et le film d'oxyde, du temps est nécessaire pour la génération et la recombinaison des porteurs de minorité et des variations de la quantité des porteurs de surface (des porteurs de minorité ne peuvent pas suivre les variations du signal de commande (tension appliquée aux électrodes auxiliaires). Comme résultat, il est extrêmement difficile dans la pratique de faire en sorte que la perte de propagation de l'onde acoustique de surface se propageant à travers la portion des électrodes auxiliaires, varie immédiatement en réponse au signal de commande. De ce fait, au lieu de réaliser la structure indiquée à la figure 1 selon la présente invention, il est plus avantageux d'utiliser un convolutionneur ayant
la structure décrite ci-après.
Les figures 4A à 4C montrent la structure d'un mode de réalisation d'un convolutionneur SAW selon la présente invention. Ce convolutionneur est construit de telle façon qu'un substrat ayant la structure d'un film piézo-électrique/d'un isolateur/d'un semi-conducteur soit utilisé; des électrodes auxiliaires 11 sont disposées sur le film piézo-électrique entre l'électrode de commande 2 et les électrodes interdigitales respectives 3; et en outre on a disposé des électrodes de réseau, de matrice, de rangées ou de colonnes 13 qui sont formées par des couches semi-conductrices d'un type de conductivité opposée au type de conductivité de la couche épitaxiale sur la couche épitaxiale semiconductrice 19 aux mêmes endroits. Dans cette structure, en supplément à la structure décrite dans la demande de brevet précédente décrite antérieurement, on a disposé des électrodes de matrice 13. Aux figures 4A à 4C, il est supposé que le
corps semi-conducteur 18 a une structure n/n+ ou p/p+.
Les numéros de référence qui sont les mêmes que ceux utilisés à la figure 1 représentent des parties identiques ou similaires et, supplémentairement à ceux-ci, le numéro de référence 11 est une électrode auxiliaire; 12 est un dispositif d'alimentation
d'énergie continue DC; 13 est une couche semi-
conductrice du type p+ (ou semi-conductrice du type n+); 14 est une électrode de commande; 15 est une borne de commande; 16 est un film piézoélectrique; 17 est une couche isolante; 18 est un corps semi-conducteur; 19 est une couche épitaxiale semi-conductrice du type n (couche épitaxiale semi-conductrice du type p; 20 est un substrat semi-conducteur du type n+ (substrat semi-conducteur du type p+); et 21 est une électrode de côté arrière. Dans ce cas, il est supposé que l'électrode de rangée ou de matrice 13 est formée par un + semi-conducteur du type p quand le corps semi-conducteur a la structure n/n, et au contraire par un + semiconducteur du type n lorsque le corps semi-conducteur a la structure p/p. Une telle électrode de rangée ou de matrice 13 peut être réalisée aisément par diffusion d'impuretés ou par implantation d'ions. Le film piézo-électrique, la couche isolante, le corps semi-conducteur et les différentes électrodes peuvent
être réalisés en des matériaux de différentes natures.
Par exemple du ZnO et A N peuvent être utilisés pour le film piézoélectrique, du SiO2 et du SiNx peuvent être
employés pour la couche isolante; et du Si, GaAs, etc...
peuvent être utilisés pour le corps semi-conducteur. En outre du A l, A /Ti, Au, etc... peuvent être utiisés pour les différentes électrodes. Lorsque le convolutionneur représenté aux figures 4A à 4C est commandé, une tension continue DC est appliquée aux électrodes auxiliaires 11. De plus, la tension de commande est appliquée à la borne de commande 15 pour commander la tension appliquée aux électrodes de rangée ou de matrice 13. A ce temps la perte de propagation de l'onde acoustique de surface se propageant à travers la portion des électrodes auxiliaires est déterminée en fonction de la valeur de la tension de commande appliquée à la borne de commande 15, et en plus, lorsque la tension est modifiée, elle varie immédiatement en réponse à ceci (la raison sera décrite plus loin). Par conséquent, lorsque la perte de propagation de l'onde acoustique de surface est commandée en utilisant la tension appliquée à la borne de commande 15 comme signal de commande, il est possible d'utiliser le convolutionneur représenté aux figures 4A à 4C comme convolutionneur nécessaire à la
structure indiquée à la figure 1.
Maintenant le fonctionnement de la présente invention. Premièrement, la raison pour laquelle le signal d'auto-convolution peut être supprimée grâce à la structure représentée à la figure i sera décrite. Le principede fonctionnement de base sera expliqué pour le cas du signal se produisant une seule fois (ayant une
largeur de temps T) comme indiqué aux figures 11 et 3.
Les figures 5A à 5D montrent qualitativement comment l'amplitude de l'onde acoustique de surface sur le convolutionneur varie au point de temps t=Td, t=T+Td et t > T+Td après que les signaux Fl(t) et F2(t) aient été appliqués aux I.D.T. à l'instant ou au point de temps t=0. Comme on le voit, en comparant la figure 5C à la figure 5D, lorsque la perte dans la section de contrôle de perte 7 est large ou grande pour t)> T+Td, il est possible de supprimer le signal d'auto-convolution. Ceci est dû au fait que l'onde réfléchie par les électrodes interdigitales est faible en raison de perte dans la section de contrôle ou de commande de perte. Ce point ressort clairement des figures 5A à 5D. De plus, lú1 est dans le but de conduire le signal d'entrée ayant une largeur de temps T à l'électrode de commande ou de porte sans diminution de l'amplitude, dans la mesure du possible, que la perte dans la section de contrôle de
perte 7 est maintenue à une valeur faible à 0 et _T+Td.
Ce point sera également éclairci en se référant aux figures 5A à 5D. Ceci est la raison pour laquelle dans la structure illustrée à la figure 1 selon la.présente invention, la commande telle qu'illustrée à la figure 3 est effectuée dans le cas o un signal se produisant une
seule fois ayant une largeur de temps T est introduite.
D'autre part, il y a une raison fondamentalement identique à celle expliquée, en se référant aux figures 5A à 5D, pourquoi dans la structure indiquée à la figure 1, la commande telle qu'indiquée à la figure 2 est effectuée lorsque le signal d'entrée est un signal se répétant ou récurrent ayant une période T. Cependant à l'instant de temps o la perte dans la section de contrôle de perte est mise à un état o elle est large, à la fois le signal d'entrée et le signal de référence introduits dans les électrodes interdigitales 3 sont sujets à une atténuation et le signal de convolution de ceux-ci ne peut pas être obtenu. Pour raccourcir une telle période de temps d'insensibilité, dans la mesure du possible, et supplémentairement à la suppression sûre du signal d'auto-convolution, il est suffisant de faire en sorte que l'état de la section de contrôle de perte 7 varie à une période 2T, comme cela est indiqué à la figure 2. A ce temps, de façon similaire à la temporisation indiquée à la figure 3, le point de temps du changement de l'état de grande perte)__- faible perte devrait être en accord avec le point de temps du début du signal d'entrée. A la figure 2, la sortie de convolution correspondant à une période (T) du signal d'entrée introduit pendant la période de temps o la perte est faible, et le signal de référence sont introduits à une période 2T. Ceci est le principe de fonctionnement de la structure montrée à la figure 1. De plus, avec la structure représentée à la figure 1, étant donné qu'en la comparant au procédé décrit dans la demande de brevet précédent décrite plus haut, la perte dans la section de contr8le de perte 7 est modifiée dans le temps si bien que la perte soit faible au point de temps o le signal d'entrée est introduit, l'avantage est obtenu que le signal d'auto-convolution est supprimé et en même temps
l'efficacité de convolution n'est pas réduite.
Ensuite, la raison sera décrite pourquoi dans un convolutionneur ayant la structure indiquée aux figures 4A à 4C, la perte de propagation de l'onde acoustique de surface se propageant à travers la portion des électrodes auxiliaires est déterminée en fonction de la tension appliquée à la borne de commande et, en plus, quand la tension est modifiée, elle varie immédiatement en réponse à ceci. Dans la structure multicouche formée
par le film piézo-électrique/l'isolateur, le semi-
conducteur, tel que le substrat montré aux figures 4A à 4C, la perte de propagation de l'onde acoustique de surface se propageant à travers cette structure dépend de l'état de la surface du corps semi-conducteur. Lorsque la surface du corps semi-conducteur est à l'état d'épuisement ou à l'état de stockage, la perte de propagation est faible. C'est le contraire lorsqu'il est à l'état inverse et les porteurs minoritaires sont collectés à la portion de surface du corps semi-conducteur. Pour connaître les détails concernant ce point, se référer par exemple à la littérature 3 suivante: Littérature 3
S. Mitsutsuka et autres.
"Propagation loss of surface acoustic waves on a monolithic metalinsulator-semiconductor structure" Journal of Applied Physics, Vol. 65, No. 2,
Janvier 1989, pages 651-661.
Par conséquent, lorsque l'état de surface du corps semi-conducteur est commandé selon un quelconque procédé, il est possible de commander la perte de propagation de l'onde acoustique de surface. Dans le mode de réalisation représenté aux figures 4A à 4C selon la présente invention, ceci est effectué au moyen d'électrodes auxiliaires 11 et des électrodes de matrice 13. Dans la structure décrite dans la demande de brevet précédente, décrit antérieurement, l'état de surface du corps semiconducteur est effectué seulement par les électrodes auxiliaires 11. Une telle structure utilisant seulement des électrodes auxiliaires est utile pour des applications dans lesquelles l'élément est commandé pendant qu'on maintient la perte de propagation de l'onde acoustique de surface à une valeur constante. Cependant, dans le cas o il est souhaité de faire varier la perte de propagation de l'onde acoustique de surface à une vitesse élevée dans le temps, il est extrêmement difficile de réaliser ceci à l'aide de la construction utilisant seulement des électrodes auxiliaires 11. Ceci est dû au fait que, dans une telle structure, la vitesse de variation de la quantité des porteurs minoritaires à la surface du corps semi-conducteur est déterminée par le temps nécessaire pour la production et de la recombinaison des porteurs minoritaires et, comme résultat, des variations de la quantité des porteurs minoritaires ne peut pas suivre les variations de la tension appliquée aux électrodes auxiliaires. En revanche dans la structure indiquée aux figures 4A à 4C selon la présente invention, on a disposé des électrodes de matrice 15 supplémentairement aux électrodes auxiliaires 11, auxquelles une tension de polarisation continue constante DC (Vc) est appliquée, et une tension de commande est appliquée aux électrodes de matrice 13 si bien que la perte de propagation de l'onde acoustique de
surface puisse être commandée par la tension de commande.
Dans ce cas, les électrodes de matrice 13 sont formées par une couche semi-conductrice d'un type de conductivité opposé au type de conductivité de la couche épitaxiale semi-conductrice 19. A ce moment, chacune des électrodes de matrice 13 forme une jonction pn avec la touche épitaxiale 19. Dans un tel cas, les porteurs minoritaires (porteurs minoritaires pour la couche épitaxiale) sont injectés ou extraits directement des électrodes de matrice 13. Pour cette raison, la quantité des porteurs minoritaires est commandée par la tension appliquée aux électrodes de matrice 13 et en outre, lorsque la tension est modifiée, la quantité des porteurs minoritaires varie immédiatement en réponse à ceci. Encore de plus, la largeur de la couche d'épuisement varie immédiatement en réponse aux variations de la tension comme cela a été constaté plus haut. Cet aspect est illustré à la figure 6, à titre d'exemple, pour le cas o la couche épitaxiale 19 est du type n et les électrodes de matrice 13 sont du type p+. Sur la figure, 11 est une électrode auxiliaire, 12 est une alimentation en puissance continue DC, 16 est
un film piézo-électrique et 17 est une couche isolante.
C'est pour diminuer la résistance des électrodes de façon que la vitesse de réponse soit aussi élevée que possible, que la concentration d'impuretés dans les électrodes de matrice 13 est élevée. La figure 6 montre l'aspect comment les porteurs minoraires (trous) sont directement injectés dans ou retirés de la couche épitaxiale du type n et l'aspect comment la largeur de la couche d'épuisement varie. Comme décrit plus haut, dans la structure montrée aux figures 4A à 4C selon la présente invention, puisqu'il est possible de commander la quantité des porteurs minoritaires à la surface du corps semi-conducteur et la largeur de la couche d'épuisement à l'aide de la tension appliquée aux électrodes de matrice 13 et de plus un contrôle de vitesse élevé'est possible, il est possible de façon correspondante de commander également la perte de propagation de l'onde acoustique de surface par la tension indiquée plus haut. Ceci est le principe de fonctionnement de la présente invention illustré aux figures 4A à 4C. Dans ce cas c'est dans le but d'ajuster la valeur minimale ou maximale de la perte de propagation de l'onde acoustique de surface, en fonction de la tension de commande appliquée aux électrodes de matrice 13, la tension continue DC VC est
appliquée aux électrodes de matrice 13.
Les différentes parties de la structure montrée aux figures 4A à 4C, comme cela est décrit plus haut
peuvent être réalisées en des matériaux différents.
Cependant, pour augmenter l'efficacité des convolutions et en plus pour augmenter la quantité variable de la perte de propagation de l'onde de surface acoustique dans la portion d'électrode auxiliaire, il est souhaitable d'utiliser une structure et des matériaux ayant une grande constante de couplage électromécanique. Dans ce sens, il est avantageux d'utiliser du ZnO pour le film piézo-électrique, du SiO2 pour l'isolateur, et du Si pour le semi-conducteur, et il est également avantageux que le mode de propagation de l'onde acoustique de surface soit une onde du type Sezawa. Dans ce cas, il est particulièrement avantageux que l'orientation de surface du Si soit (100) et la direction de propagation de l'onde acoustique de surface soit [110], étant donné que la constante de couplage électromécanique est particulièrement élevée dans ce cas. Etant donné que la constante de couplage électromagnétique est assez grande, lorsque l'orientation de surface du Si est (100) et la direction de propagation de l'onde acoustique de surface est o110], ces données sont les plus avantageuses après la condition décrite plus haut. De plus, bien que des structures dans lesquelles existe l'isolateur 17 ont été
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représentées aux figures 4A à 4C et selon l'explication ci-dessus, même s'il n'existe aucun isolateur, le fonctionnement de base est possible. Dans ce cas, le principe de fonctionnement est identique à celui expliqué pour la structure montrée aux figures 4A'A 4C. Cependant, dans le sens des caractéristiques stabilisantes de l'élément, la structure dans laquelle existe une couche
isolante, est plus avantageuse.
Bien que, ci-dessus, la structure représentée à lO la figure 1 selon la présente invention et la structure du mode de réalisation montré aux figures 4A à 4C selon la présente invention aient été expliquées comme étant une modification de la structure selon la figure 1, celle représentée à la figure 7 est également possible. Sur la figure, les mêmes numéros de référence que ceux utilisés à la figure 1 montrent des parties identiques ou similaires. De plus, comparée à la figure 1, elle est caractérisée en ce qu'un circuit de commande ou de porte 22 est disposé dans l'étage précédant chacune des électrodes interdigitales 3. Le circuit de commande 22 est un circuit qui fait passer les signaux RF ou les arrête. De façon plus précise, il peut être réalisé en utilisant un mélangeur et un commutateur analogique. Il est supposé que la temporisation de l'ouverture et de la fermeture du circuit de commande 22 et la temporisation du changement d'état de la section de contrôle de perte 7 sont celles indiquées à la figure 8 et que la section de synchronisation 10 commande de telles temporisations. La figure 7 montre une structure qui est appropriée pour le cas o le signal d'entrée et le signal de référence sont des signaux répétés ayant une période T (T indiquant le temps de retard d'attaque de l'électrode de commande ou de porte) et la figure 8 indique la temporisation pour le cas d'un tel signal se répétant ou récurrent. La figure 8 est un exemple modifié de la figure 1, qui représente les
caractéritiques de fonctionnement suivantes.
(i) le début de la période du signal d'entrée, le début de la période du signal de référence et le point de temps du changement de l'état d'ouverture et de
fermeture du circuit de commande 22 sont synchronisés.
(ii) l'ouverture et la fermeture du circuit de commande 22 répète le changement d'état.à une période de 2T. Le circuit de commande est à l'état ouvert pendant une largeur de temps T qui est la moitié d'une période, et à l'état fermé pendant le temps restant: (iii) la section de contrôle de perte 7 répète l'état de la perte également à une période de 2T. C'est à l'état ou la perte est faible, pendant une largeur de temps de T+Td et à l'état o la perte est grande, pendant la largeur de temps restante (Td indiquant le temps nécessaire à l'onde acoustique de surface sortant de chacune des I.D.T. 3 pour atteindre l'extrémité la plus
proche de la grille).
(iv) le point de temps du changement de l'état de grande perte -) faible perte et le point de temps du changement d'état d'ouverture fermeture du circuit de porte, de commande ou de grille sont en accord l'un avec l'autre. Ici l'état ouvert du circuit de grille 22 signifie un état o des signaux de fréquence élevés (RF) traversent, et l'état fermé est un état o les signaux RF
sont bloqués.
L'avantage d'utilisation de la structure comme indiqué à la figure 7 pour effectuer le contrôle de temporisation comme décrit plus haut réside dans le fait que pour le cas du signal récurrent, le niveau de bruit parasite peut être abaissé par rapport à la structure
indiqué à la figure 1.
Dans le cas o la structure indiquée à la figure 1 et la commande de la temporisation comme indiqué à la figure 2 sont effectuées, dans le circuit de grille 22, il ne peut exister que le signal d'entrée et le signal de référence qui sont dans les régions de temps 0 Zt <T, 2T t 3T, - --, mais également des signaux qui se trouvent dans les régions de temps T t t 2T, 3T 4 t 4T, ---. Ceci parce qu'il est habituellement impossible d'atténuer complètement l'onde acoustique de surface, même si la perte dans la section de contr8le de perte 7 est augmentée (ce qui a cependant
l'effet satisfaisant de supprimer le signal d'auto-
convolution). Dans un tel cas, une partie des signaux
dans les régions de temps T/t t2T, 3Tt t< 4T,---
coopère avec le signal de convolution du signal d'entrée et du signal de référence dans les régions de temps 04 t< T, 2T4 t 3T, ---, ce qui peut donner naissance à des signaux parasites. En revanche dans le cas o la structure indiquée à la figure 7 est utilisée et la commande de temporisation indiquée à la figure 8 est effectuée, puisque les signaux dans les régions de temps Tz t 2T, 3T. t < 4T sont bloqués par le circuit de grille 22, les problèmes décrits plus hauts n'existent pas, et de ce fait il est possible de réduire de façon plus remarquable le bruit parasite que dans la structure
indiquée à la figure 1.
g(t) aux figures 1, 3 et 8 représente un exemple de la tension de polarisation. De plus, l'élément indiqué aux figures 4A à 4C peut être commandé sans les électrodes auxiliaires 11 et la source de polarisation 12. Encore de plus il peut être commandé seulement par l'intermédiaire des électrodes auxiliaires sans les électrodes de matrice (les électrodes auxiliaires étant
commandées par la section de synchronisation).
Comme il a été expliqué plus haut, selon la présente invention, dans un convolutionneur SAW et un intégrateur de convolution utilisant celui-ci, étant donné que les influences du signal d'auto-convolution sont supprimées, il est possible d'abaisser le niveau
parasite du signal de convolution.
De plus, la présente invention peut être largement appliquée à toute sorte d'appareil utilisant des convolutionneurs SAW, par exemple à un appareil de communication à spectre étendu, un corrélateur, un radar, un système de traitement d'images, un transformateur
Fourier, etc...
Claims (6)
1. Intégrateur de convolution comprenant: un convolutionneur d'onde acoustique de surface comprenant: un substrat comportant au moins un film piézo-électrique
(16);
une paire d'électrodes d'entrée (3) disposée à une distance prédéterminée sur ledit film piézo-électrique; une électrode de grille (2) pour le prélèvement d'une sortie de convolution disposée dans un trajet de propagation d'onde acoustique de surface sur ledit film piézo-électrique entre ladite paire d'électrodes d'entrée, et des moyens de commande de perte (7) pour commander ou contrôler la perte de propagation de l'onde acoustique de surface à l'aide de signaux électriques, disposés sur ledit film piézo-électrique entre l'électrode de grille et chacune desdites électrodes d'entrée, et des moyens de synchronisation (10) qui amènent les moyens de contrôle de perte à effectuer un changement d'état à partir d'un état o la perte est grande à un état o la perte est faible au même temps que le point de début du signal d'entrée et à revenir à nouveau à l'état o la perte est élevée, après l'écoulement d'une période de temps de T + Td; T indiquant le temps de retard d'attaque de grille, Td le temps de retard nécessaire à l'onde acoustique de surface pour atteindre l'extrémité la plus proche de ladite électrode de grille en partant des électrodes d'entrée; le point de début du signal d'entrée de référence étant
synchronisé au point de début du signal d'entrée.
2. Intégrateur de convolution selon la revendication 1, caractérisé en ce que le convolutionneur d'onde acoustique de surface comprend: un substrat multicouche comprenant un film piézo-électrique (6), une couche isolante (7), une couche épitaxiale semi-conductrice d'un premier type de conductivité, une couche semi-conductrice (20) à haute concentration d'impuretés et d'un premier type de conductivité; une paire d'électrodes d'entrée (3) disposée à une distance prédéterminée sur ledit film piézoélectrique; une électrode de commande ou de grille (2) pour le prélèvement d'une sortie de convolution disposée sur le trajet de propagation d'onde acoustique de surface sur ledit film piézo-électrique entre ladite paire d'é2ectrodes d'entrée; une première électrode de matrice ou de rangée (13) disposée sous ladite couche isolante entre ladite électrode de grille et l'une desdites électrodes d'entrée et se composant d'une couche semi-conductrice à haute concentration d'impuretés et d'un second type de conductivité, et une seconde électrode de matrice (13) disposée sous ladite couche isolante entre ladite porte de grille et l'autre desdites électrodes d'entrée et se composant d'une couche semi- condutrice à haute concentration d'impuretés et
d'un second type de conductivité.
3. Intégrateur de convolution selon la revendication 1, caractérisé en ce que convolutionneur d'onde acoustique de surface comprend: un substrat multicouche comprenant un film piézo-électrique (16), une couche isolante (17), une couche épitaxiale semi-conductrice (19) d'un premier type de conductivité, une couche semi-conductrice (20) à haute
2647985.
concentration d'impuretés et d'un premier type de conductivité; une paire d'électrodes d'entrée (3) disposée à une distance prédéterminée sur ledit film piézo-électrique; une électrode de porte ou de grille 'ou de commande (2) pour le prélèvement d'une sortie de convolution disposée sur le trajet de propagation d'une onde acoustique de surface sur le film piézo-électrique entre ladite paire d'électrodes d'entrée; une première électrode auxiliaire (11) disposée sur ledit film piézo-électrique entre ladite électrode de grille (1) et l'une desdites électrodes d'entrée; une seconde électrode auxiliaire (11) disposée sur ledit film piézoélectrique entre ladite électrode de grille et l'autre desdites électrodes d'entrée, et une premier et une seconde électrodes de matrice (13) disposée sous ladite couche isolante sous l'électrode auxiliaire respective et formée par une couche semi-conductrice à haute concentration d'impuretés et d'un
second type de conductivité.
4. Intégrateur de convolution comprenant: un convolutionneur d'onde acoustique de surface comprenant: un substrat multicouche comportant un film piézo-électrique (16), une couche isolante (17), une couche semiconductrice (18); une paire d'électrodes d'entrée (3) disposée à une distance prédéterminée sur ledit film piézo-électrique; une électrode de grille (2) pour le prélèvement d'une sortie de convolution disposée dans un projet de propagation d'onde acoustique de surface sur ledit film piézo-électrique entre ladite paire d'électrodes d'entrée, et des moyens de contr8le de perte (7) pour commander ou contrôler la perte de propagation de l'onde acoustique de surface à l'aide de signaux électriques, disposés sur ledit film piézo-électrique entre ladite électrode de grille et chacune desdites électrodes d'entrée, et des moyens de synchronisation (10) qui amènent les moyens de contrôle de perte à effectuer un changement d'état à partir d'un état o la perte est grande à un état o la perte est faible au même temps que le point de début du signal d'entrée et à revenir ensuite à l'état o la perte est grande, apres l'écoulement d'une période de temps de T + Td; T indiquant le temps de retard d'attaque de grille, Td le temps de retard nécessaire à l'onde acoustique de surface pour atteindre l'extrémité la plus proche de ladite électrode de grille, en partant des électrodes d'entrée; le point de début du signal d'entrée de référence étant
synchronisé au point de début du signal d'entrée.
5. Intégrateur de convolution comprenant: un convolutionneur d'onde acoustique de surface comprenant: un substrat multicouche comprenant un film piézo-électrique (16), une couche isolante (17), une première couche épitaxiale semi-conductrice (19) d'un premier type de conductivité, une couche semi-conductrice (20) à concentration élevée d'impuretés et d'un premier type de conductivité; une paire d'électrodes d'entrée disposée à une distance prédéterminée sur le film piézo-électrique; une électrode de grille (2) pour le prélèvement d'une sortie de convolution disposée dans un trajet de propagation d'onde acoustique de surface sur ledit film piézo-électrique entre ladite paire d'électrodes d'entrée; une électrode auxiliaire (11) disposée sur ledit film piézo-électrique entre ladite électrode de grille et chacune desdites électrodes d'entrée, et une électrode de matrice (13) disposée sous ladite couche isolante et sous chacune des électrodes auxiliaires; des moyens procurant une polarisation (12) pour appliquer une tension de polarisation auxdites électrodes auxiliaires, et des moyens de synchronisation (10) qui amènent les électrodes auxiliaires à effectuer un changement d'état depuis un état o la perte est grande à un état o la perte est faible au même temps que le point de début du signal d'entrée et à revenir à nouveau à l'état o la perte est grande, après l'écoulement d'une période de temps T + Td; T indiquant le temps de retard d'attaque de grille, Td le délai de retard nécessaire à l'onde acoustique de surface pour atteindre l'extrémité la plus proche de ladite électrode de grille, à partir des électrodes d'entrée; le point de début du signal d'entrée de référence étant synchronisé avec le point de début du
signal d'entrée.
6. Intégrateur de convolution comprenant: un convolutionneur d'onde acoustique de surface comprenant: un substrat multicouche comprenant un film piézo-électrique (16), un isolateur (17), une couche semiconductrice (18); une paire d'électrodes d'entrée (3) disposée à une distance prédéterminée sur ledit film piézo-électrique; une électrode de grille (2) pour le prélèvement d'une sortie de convolution disposée dans un trajet de propagation d'onde acoustique de surface sur ledit film piézo-électrique entre ladite paire d'électrodes d'entrée, et des moyens de contrôle de perte (7) pour contrôler ou commander la perte de propagation de l'onde acoustique de surface à l'aide de signaux électriques, disposés sur ledit film piézo-électrique entre ladite électrode de grille et chacune desdites électrodes d'entrée, en outre, un circuit de grille (22) inséré du côté d'entrée de chacune desdites électrodes d'entrée; et des moyens de synchronisation (10) pour commander l'état des électrodes de matrice et des circuits de grille par rapport au signal d'entrée et au signal d'entrée de référence pour les synchroniser; o T indique le temps de retard d'attaque de grille, Td le temps de retard nécessaire à l'onde acoustique de surface pour atteindre l'extrémité la plus proche de ladite électrode de grille, en partant des électrodes d'entrée lorsque ledit signal d'entrée et ledit signal d'entrée de référence sont des signaux récurrents ayant une période de T, lesdits moyens de synchronisation effectuant une commande de synchronisation si bien (i) le début de la période du signal d'entrée, le début de la période du signal de référence et le point de temps de changement de l'état d'ouverture ou de fermeture dudit circuit de grille soient synchronisés; (ii) l'ouverture et la fermeture dudit circuit de grille répètent le changement de l'état à une période de 2T, ledit circuit de grille étant à l'état ouvert pendant une largeur de temps T qui est la moitié d'une période, et à l'état fermé pendant le temps restant; (iii) l'état de la perte par les électrodes de matrice répète également le changement d'état à une période de 2T, en étant à l'état o la perte est faible pendant une largeur de temps de T + Td et à l'état o la perte est grande pendant la durée de temps restante; et (iv) le point de temps o les électrodes de matrice changent d'état de l'état o la perte est grande à l'état o la perte est faible soit synchronisé au point de temps o le circuit de grille change d'état de l'état
fermé à l'état ouvert.
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|---|
| 1983 ULTRASONICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Atlanta, Georgia, 31 octobre - 2 novembre 1983, vol. 1, pages 398-401, IEEE, New York, US; S. ONISHI et al.: "Monolithic thin film acousto-electric correlator utilizing two modes of saw" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2234407A (en) | 1991-01-30 |
| GB9011441D0 (en) | 1990-07-11 |
| US5043620A (en) | 1991-08-27 |
| JPH036915A (ja) | 1991-01-14 |
| CA2017510A1 (fr) | 1990-12-02 |
| GB2234407B (en) | 1993-10-27 |
| DE4017787A1 (de) | 1990-12-06 |
| FR2647985B1 (fr) | 1992-08-07 |
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