FR2629641A1 - Circuit dephaseur hyperfrequence - Google Patents
Circuit dephaseur hyperfrequence Download PDFInfo
- Publication number
- FR2629641A1 FR2629641A1 FR8804388A FR8804388A FR2629641A1 FR 2629641 A1 FR2629641 A1 FR 2629641A1 FR 8804388 A FR8804388 A FR 8804388A FR 8804388 A FR8804388 A FR 8804388A FR 2629641 A1 FR2629641 A1 FR 2629641A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- line
- phase
- ribbon
- shifting
- circuits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/1007—Microstrip transitions to Slotline or finline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/19—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port of the junction type
- H01P5/20—Magic-T junctions
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
L'invention concerne les circuits déphaseurs hyperfréquence qui réalisent des déphasages de valeurs élémentaires et des multiples entiers desdites valeurs. L'invention réside dans le fait que le circuit déphaseur est réalisé à l'aide de lignes à ruban 16, 17 et 18 arrangées en forme de chandelier sur une face 14 d'un substrat 10 et d'une ligne à fente 12 disposée sur l'autre face 13. Les longueurs des branches 17 et 18 du chandelier diffèrent de b/4, b étant la longueur d'onde, et les extrémités desdites branches sont court-circuitées ou non par des diodes PIN 21, 22 qui peuvent être polarisées en sens direct ou inverse. L'invention est applicable aux radars.
Description
CIRCUIT DEPHASEUR HYPERFREQUENCE
L'invention concerne les circuits déphaseurs hyperfréquence et, plus particulièrement, les circuits déphaseurs hyperfréquence qui réalisent des déphasages élémentaires sous la commande de signaux électriques et qui peuvent être groupés pour obtenir des déphasages qui
sont des multiples entiers des déphasages élémentaires.
En hyperfréquence, on utilise des lignes de propagation qui peuvent prendre différentes formes et les figures 1 à 4 sont respectivement des vues qui représentent respectivement une ligne de propagation à fente et une ligne de propagation à ruban plus connue sous le nom de
ligne microstrip.
Une ligne à fente(figures 1 et 2) est constituée par une ouverture 1 pratiquée dans une couche métallique 2 déposée sur un substrat diélectrique 3. Le support diélectrique assure la tenue mécanique des conducteurs métalliques et constitue le milieu de propagation de l'onde hyperfréquence dont l'énergie se trouve concentrée entre les bords 4 et 5 de la fente. Sur la figure 2, des lignes de force du champ électrique E ont été représentées en pointillés et celles du champ magnétique en traits pleins. L'épaisseur du matériau diélectrique est liée à sa nature et la largeur de la ligne à fente détermine l'impédance caractéristique de
la ligne.
La ligne de propagation à ruban (figures 3 et 4) comporte une plaque diélectrique 7 disposée entre un ruban 6 et un plan métallique 8 appelé également plan de masse. Comme pour la ligne à fente des figures 1 et 2, la presque totalité de l'énergie est concentrée dans le diélectrique 7. Sur la figure 4, les lignes de force du
champ électrique E ont été représentées en pointillés.
Le matériau dielectrique utilisé dans les deux lignes à fente ou à ruban peut être un polytétrafluoréthylène, un oxyde de béryllium, une céramique d'aluminium, un quartz
ou un ferrite.
Outre une fonction de propagation, les lignes à fente ou à ruban peuvent réaliser séparément une fonction de
déphasage en les configurant de différentes manières.
C'est ainsi qu'en mettant en oeuvre une technologie du type ligne à ruban, on peut réaliser les déphaseurs dits à commutation de ligne, à perturbations, ou à coupleurs
3 db/90 .
Pour une description de ces déphaseurs de l'art
antérieur, qu'ils soient du type à ligne à fente ou ligne à ruban, on peut se reporter à de nombreux articles dans la revue IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES et notamment un article de Elio A MARIANI et autres - Vol MTT-17 n 12 - décembre 1969 pages 1091 à 1096 intitulé "Slot Line Characteristics" ainsi qu'un article de J.F. WHITE Mars 1965 pages 232 à 242 intitulé "High Power, p-i-n Diode Controlled
Microwave Transmission Phase Shifters".
Dans certaines applications, il est nécessaire de passer d'un type de ligne à un autre et il a été proposé, à cet effet, de nombreux dispositifs de couplage. Ces dispositifs de couplage ne sont en général pas prévus pour réaliser en même temps un circuit déphaseur dont la valeur du déphasage serait contrôlée. Lorsqu'un déphasage déterminé doit être introduit, le montage est modifié pour insérer un circuit déphaseur de tout type connu avant ou après le dispositif de couplage, ce qui augmente les pertes, complique le montage et le rend
plus volumineux.
Il existe donc un besoin pour des dispositifs de couplage à déphaseur incorporé ou inversement pour des dispositifs déphaseurs incorporés dans des dispositifs
de couplage.
Un but de la présente invention est donc de réaliser dans une même structure un changement de ligne de propagation et un déphasage contrôlé de l'onde incidente, ce qui entraine une réduction des pertes et
de l'encombrement.
L'invention se rapporte à un circuit déphaseur hyperfréquence caractérisé en ce qu'il comprend: - un substrat en matériau diélectrique dont l'une des faces comporte une ligne à fente tandis que l'autre face comporte une ligne à ruban en forme de chandelier à deux branches parallèles reliées par un bras transversal perpendiculaire à la direction de la ligne à fente, les longueurs des branches du chandelier étant différentes de b/4 si b est la longueur d'onde
des signaux hyperfréquence.
- deux diodes PIN connectées chacune entre l'extrémité d'une branche et le potentiel de la masse, - des moyens pour rendre les diodes PIN simultanément passantes ou bloquées de manière à introduire une variation d'impédance identique dans chaque branche et obtenir ainsi une variation de phase déterminée entre - l'onde d'entrée appliquée sur une ligne et l'onde de sortie apparaissant sur l'autre ligne, au moment du
changement d'état desdites diodes.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente
invention apparaîtront à la lecture de la description
suivante d'un exemple particulier de réalisation, ladite
description étant faite en relation avec les dessins
joints dans lesquels - la figure 1 est une vue de dessus d'une ligne à fente; - la figure 2 est une vue en coupe de la ligne à fente suivant la ligne II-II de la figure i; - la figure 3 est une vue de dessus d'une ligne à ruban ou ligne microstrip; - la figure 4 est une vue en coupe de la ligne à ruban suivant la ligne IV-IV de la figure 3; - la figure 5 est une vue en perspective cavalière d'un circuit déphaseur hyperfréquence selon l'invention, et - les figures 6,7 et 8 sont des schémas qui permettent de comprendre le fonctionnement du circuit déphaseur
hyperfréquence selon l'invention.
Les figures 1 à 4 ont été décrites succinctement dans le préambule pour définir le domaine de l'invention,
c'est-à-dire celui des lignes à fente et à ruban.
La figure 5 est une vue en perspective qui montre de manière schématique un circuit déphaseur hyperfréquence qui comprend un substrat 10 en matériau diélectrique analogue à celui portant la référence 3 ou 7 sur les figures 2 et 4. La face inférieure du substrat 10 est recouverte d'une couche métallique 11 dans laquelle est pratiquée une fente 12 rectiligne d'une certaine largeur d, par exemple par action chimique, de manière à réaliser une ligne à fente du type de celle décrite en relation avec les figures 1 et 2. Cette fente 12 ne s'étend pas sur toute la longueur du substrat et se termine à une extrémité 40 par un court- circuit constitué par la couche métallique 11. L'autre extrémité
41 de la ligne à fente est ouverte.
La face supérieure 14 du substrat 10 comporte un ruban appelé microstrip, ayant une forme particulière. Il comprend un bras central 16 et deux bras latéraux 17 et 18 qui sont connectés au bras central 16 par un bras transversal 23, l'ensemble des bras réalisant une structure ayant la forme d'un chandelier à deux branches de longueurs inégales. Le bras 17, par exemple, a une longueur qui est supérieure de b/4 à celle du bras 18 pour des raisons qui seront expliquées ci-après, b étant la longueur d'onde des signaux hyperfréquence transmis
par la ligne.
Les extrémités 19 et 20 des bras 17 et 18 sont connectées chacune à la cathode d'une diode PIN 21 et 22 dont l'anode est connectée à la masse. Ces diodes 21 et 22 ont été représentées sous leur forme électrique mais on comprend, qu'en pratique, elles se présentent sous la forme d'un composant que l'on câble sur le substrat 10 en connectant les bornes de sortie, l'une à l'extrémité d'une branche 17 ou 18 et l'autre au potentiel de la
masse.
Ces diodes 21 et 22 sont polarisées par des circuits de polarisation de type classique qui comprennent, pour la diode 22 par exemple, une bobine de choc 30 et un condensateur de découplage 31 pour la cathode de la diode et une bobine de choc 32 et un condensateur de découplage 33 pour l'anode de la diode. La tension de polarisation Vp est appliquée entre les points 34 et 35
des circuits de polarisation.
Sur la figure 5, on a représenté les diodes 21 et 22 connectées dans un certain sens entre l'extrémité de la branche et le potentiel de la masse. Bien entendu, elles peuvent être connectées dans l'autre sens, l'important étant qu'elles puissent être conductrices ou bloquées selon la tension de polarisation Vp qui leur est
appliquée.
Les positions de la ligne à fente 12 et de la ligne à ruban doivent être telles que la ligne à fente soit alignée avec le bras central 16 et que son extrémité 30 aboutisse sous le bras 16 de manière à obtenir le meilleur couplage possible. Par ailleurs les longueurs du bras transversal 23 de part et d'autre du bras
central 16 sont égales.
Le fonctionnement du circuit déphaseur hyperfréquence qui vient d'être décrit en relation avec la figure 5
sera maintenant expliqué & l'aide des figures 6, 7 et 8.
Les bras 16, 17 et 18 réalisent un diviseur de puissance pour l'onde incidente transmise par la ligne 16 à la manière d'un Té magique. Il est connu que dans un Té magique (figure 6), l'onde incidente 25 à l'entrée 26 se partage en deux ondes d'amplitudes A et phases 4 égales sur les voies 27 et 28, la voie 29 étant découplée. Il est également connu (figure 7) que deux ondes de même amplitude A mais en opposition de phase qui sont appliquées sur les voies 27 et 28 se combinent en phase
sur la voie 29, la voie 26 étant découplée.
Dans le cas du circuit déphaseur de la figure 5, par suite du bras 17, qui a une longueur supérieure de b/4 à la longueur du bras 18 (figure 8), l'onde incidente en 16, après partage dans les deux bras latéraux, est réfléchie par les extrémités 19 et 20 desdits bras mais les ondes réfléchies ont une différence de phase de 180 due à une différence de longueur des trajets égale à b/2. Il en résulte qu'elles ne peuvent pas sortir par l'entrée 16 mais par la ligne à fente 12, le couplage avec cette dernière étant réalisé par l'intermédiaire du
bras transversal 23.
A titre illustratif, on a représenté sur la figure 5 les sens des champs électriques el et e2 dans le substrat 10 sous le bras transversal 23 et le champ électrique e3
résultant de leur combinaison dans la ligne à fente 12.
Le fonctionnement du circuit déphaseur a été décrit pour un certain sens de propagation - ligne à ruban vers ligne à fente - mais il est clair que le circuit déphaseur fonctionne également dans l'autre sens de
propagation - ligne à fente vers substrat.
La variation du déphasage entre l'onde entrant par la ligne à ruban 16 et l'onde sortant par la ligne à fente 12 dépend de la variation d'impédance présentée par les diodes 21 et 22 selon qu'elles sont simultanément bloquées ou conductrices, leur état dépendant de la
tension de polarisation Vp qui leur est appliquée.
Il est à remarquer qu'il existe un certain déphasage entre les ondes d'entrée et de sortie pour un certain état des diodes et que ce déphasage est modifié lorsque les diodes passent dans l'autre état de sorte qu'il en résulte une variation du déphasage entre les deux états
successifs des diodes.
De manière plus précise, la variation du déphasage à obtenir est calculée en fonction de l'impédance de ligne, de la longueur de la ligne et de la capacité de la diode, les calculs étant effectués conformément à l'art antérieur connu tel que celui cité dans le préambule. On peut ainsi réaliser des circuits déphaseurs qui introduisent des déphasages élémentaires de 22,5 45 ou 90' dans des bandes de fréquence de %. Par ailleurs, ces circuits déphaseurs élémentaires peuvent être assemblés pour réaliser différentes combinaisons des déphasages élémentaires. Chaque déphasage élémentaire est obtenu en rendant les diodes
21 et 22 simultanément passantes ou bloquées.
Les circuits déphaseurs d'un groupe peuvent être assemblés de diverses manières et l'une d'entre elles consiste à utiliser un même substrat sur lequel sont réalisés les différentes transitions ligne à fente/ligne à ruban. Le couplage entre les circuits déphaseurs adjacents peut être réalisé de diverses façons, par exemple un couplage ligne à fente/ligne à fente, ou un couplage ligne à ruban/ligne à ruban, ou encore un
couplage ligne à fente/ligne à ruban et vice versa.
couplage ligne à fente/ligne à ruban et vice versa.
Claims (6)
1. Circuit déphaseur hyperfréquence caractérisé en ce qu'il comprend: - un substrat (10) en matériau diélectrique dont l'une des faces comporte une ligne à fente (12) tandis que l'autre face comporte une ligne à ruban (16, 17, 18) en forme de chandelier à deux branches parallèles (17, 18) reliées par un bras transversal (23) perpendiculaire à la direction de la ligne à fente (12), les longueurs des branches du chandelier étant différentes de b/4 si b est la longueur d'onde des signaux hyperfréquence, - deux diodes PIN (21, 22) connectées chacune entre l'extrémité (19 ou 20) d'une branche (17 ou 18) et la masse, et - des moyens pour rendre les diodes PIN (21, 22) simultanément passantes ou bloquées de manière à introduire une variation d'impédance identique dans chaque branche et obtenir ainsi une variation de phase déterminée entre l'onde d'entrée appliquée sur une ligne et l'onde de sortie apparaissant sur l'autre
ligne au moment du changement d'état desdites diodes.
2. Circuit déphaseur caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs circuits déphaseurs selon la revendication 1 disposés en série, chaque circuit déphaseur étant prévu pour introduire une variation de phase déterminée lors
du changement d'état desdites diodes.
3. Circuit déphaseur selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdits circuits déphaseurs sont
réalisés sur un même substrat.
4. Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que deux circuits déphaseurs adjacents sont couplés par
l'intermédiaire de leur ligne à fente (12).
5. Circuit déphaseur selon la revendication 3, caractérisé en ce que deux circuits déphaseurs adjacents sont couplés par l'intermédiaire de leur ligne à ruban (16).
6. Circuit déphaseur selon la revendication 3, caractérisé en ce que deux circuits déphaseurs adjacents sont couplés par une transition ligne à fente/ligne à
ruban ou vice versa.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8804388A FR2629641B1 (fr) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | Circuit dephaseur hyperfrequence |
DE68916829T DE68916829T2 (de) | 1988-04-01 | 1989-03-24 | Mikrowellenphasenschieber. |
EP89400847A EP0335788B1 (fr) | 1988-04-01 | 1989-03-24 | Circuit déphaseur hyperfréquence |
US07/329,806 US4967172A (en) | 1988-04-01 | 1989-03-28 | Microwave phase shifter circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8804388A FR2629641B1 (fr) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | Circuit dephaseur hyperfrequence |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2629641A1 true FR2629641A1 (fr) | 1989-10-06 |
FR2629641B1 FR2629641B1 (fr) | 1990-03-23 |
Family
ID=9364911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR8804388A Expired - Lifetime FR2629641B1 (fr) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | Circuit dephaseur hyperfrequence |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4967172A (fr) |
EP (1) | EP0335788B1 (fr) |
DE (1) | DE68916829T2 (fr) |
FR (1) | FR2629641B1 (fr) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0398159A1 (fr) * | 1989-05-19 | 1990-11-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Déphaseur sans limite de phase |
US4952895A (en) * | 1989-09-15 | 1990-08-28 | Hughes Aircraft Company | Planar airstripline-stripline magic-tee |
US5337027A (en) * | 1992-12-18 | 1994-08-09 | General Electric Company | Microwave HDI phase shifter |
GB2325786B (en) * | 1997-05-22 | 2001-08-15 | Nec Technologies | Phase switch |
JP3440909B2 (ja) | 1999-02-23 | 2003-08-25 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器、インダクタ、キャパシタ、誘電体フィルタ、発振器、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
FR2811141B1 (fr) * | 2000-06-29 | 2002-09-20 | Thomson Multimedia Sa | Circuit en t realise en technologie microruban avec element dephaseur |
CN101393261B (zh) * | 2008-10-30 | 2012-01-11 | 西安华腾微波有限责任公司 | 一种x波段雷达接收机的保护电路 |
KR102409913B1 (ko) | 2017-12-06 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 솔더 리플로우 장치 및 이를 이용한 전자 장치의 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1570001A (fr) * | 1968-04-23 | 1969-06-06 | ||
GB1178488A (en) * | 1966-03-31 | 1970-01-21 | Thomson Houston Comp Francaise | Improvements in Solid State Phase Shifter Circuits, utilised in particular in the Field of Ultra High Frequencies and Microwave Frequencies |
FR2210021A1 (fr) * | 1972-12-12 | 1974-07-05 | Thomson Csf | |
EP0013222A1 (fr) * | 1978-12-22 | 1980-07-09 | Thomson-Csf | Déphaseur hyperfréquence à diodes et antenne à balayage électronique comportant un tel déphaseur |
CA1207852A (fr) * | 1984-02-29 | 1986-07-15 | William D. Cornish | Diviseur d'hyperfrequences non resonant |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4056792A (en) * | 1975-11-11 | 1977-11-01 | Westinghouse Electric Corporation | Wideband diode switched microwave phase shifter network |
DE2653676C2 (de) * | 1976-11-26 | 1985-01-24 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Breitbandiger 180 Grad-Phasenschieber |
US4301432A (en) * | 1980-08-11 | 1981-11-17 | Motorola, Inc. | Complex RF weighter |
-
1988
- 1988-04-01 FR FR8804388A patent/FR2629641B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-24 DE DE68916829T patent/DE68916829T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-24 EP EP89400847A patent/EP0335788B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-28 US US07/329,806 patent/US4967172A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1178488A (en) * | 1966-03-31 | 1970-01-21 | Thomson Houston Comp Francaise | Improvements in Solid State Phase Shifter Circuits, utilised in particular in the Field of Ultra High Frequencies and Microwave Frequencies |
FR1570001A (fr) * | 1968-04-23 | 1969-06-06 | ||
FR2210021A1 (fr) * | 1972-12-12 | 1974-07-05 | Thomson Csf | |
EP0013222A1 (fr) * | 1978-12-22 | 1980-07-09 | Thomson-Csf | Déphaseur hyperfréquence à diodes et antenne à balayage électronique comportant un tel déphaseur |
CA1207852A (fr) * | 1984-02-29 | 1986-07-15 | William D. Cornish | Diviseur d'hyperfrequences non resonant |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, vol. 24, no. 4, avril 1976, pages 231-233, New York, US; B.SCHIEK et al.: "An improved microstrip-to-microslot transition" * |
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, vol. MTT-22, no. 6, juin 1974, pages 675-688, New York, US; R.W.BURNS et al.: "Low cost design techniques for semiconductor phase shifters" * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68916829T2 (de) | 1995-01-12 |
FR2629641B1 (fr) | 1990-03-23 |
DE68916829D1 (de) | 1994-08-25 |
US4967172A (en) | 1990-10-30 |
EP0335788A1 (fr) | 1989-10-04 |
EP0335788B1 (fr) | 1994-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0013222B1 (fr) | Déphaseur hyperfréquence à diodes et antenne à balayage électronique comportant un tel déphaseur | |
EP0605046B1 (fr) | Dispositif hyperfréquences comprenant au moins une transition entre une ligne de transmission intégrée sur un substrat et un guide d'onde | |
EP0078187B1 (fr) | Dispositif mélangeur subharmonique hyperfréquence, et utilisation d'un tel dispositif dans un circuit hyperfréquence à transposition de fréquence | |
FR2482384A1 (fr) | Dispositif de combinaison de puissance pour un circuit integre hyperfrequence | |
CH615534A5 (fr) | ||
WO1996026554A1 (fr) | Dephaseur hyperfrequence et application a une antenne reseaux | |
EP0017530B1 (fr) | Source rayonnante constituée par un dipole excité par un guide d'onde extra-plat, et son utilisation dans une antenne à balayage électronique | |
FR2629641A1 (fr) | Circuit dephaseur hyperfrequence | |
FR2535905A1 (fr) | Circuit de couplage a haute frequence notamment pour double amplificateur equilibre | |
EP0022700A1 (fr) | Dispositif à ondes magnétostatiques comportant une structure d'échange à bandes conductrices | |
EP0023873B1 (fr) | Limiteur passif de puissance à semi-conducteurs réalisé sur des lignes à structure plane, et circuit hyperfréquence utilisant un tel limiteur | |
EP0044758B1 (fr) | Dispositif de terminaison d'une ligne de transmission, en hyperfréquence, à taux d'ondes stationnaires minimal | |
WO2001039325A1 (fr) | Reflecteur hyperfrequence actif a balayage electronique | |
EP0005403A1 (fr) | Oscillateur monomode en hyperfréquences, accordable par variation d'un champ magnétique | |
FR2606557A1 (fr) | Dephaseur elementaire en ligne microruban et dephaseur a commande numerique en faisant application | |
EP0073165B1 (fr) | Commutateur d'ondes électromagnétiques | |
EP0456579A1 (fr) | Antenne orientable plane, fonctionnant en micro-ondes | |
EP0296929B1 (fr) | Ligne de transmission hyperfréquence de type symétrique et à deux conducteurs coplanaires | |
FR2668304A1 (fr) | Dephaseur reciproque en guide dielectrique a ferrite. | |
FR2786610A1 (fr) | Reflecteur hyperfrequence actif pour antenne a balayage electronique | |
EP0274073B1 (fr) | Dispositif mélangeur doublement équilibré | |
FR2662308A1 (fr) | Dispositif de transition entre deux lignes hyperfrequence realisees en technologie planaire. | |
FR3060864B1 (fr) | Ligne de transmission a ondes lentes a meandres | |
FR2545947A1 (fr) | Coupleur directif electro-optique a trois electrodes et a dephasage alterne | |
FR2747842A1 (fr) | Lentille hyperfrequence multibande et son application a une antenne a balayage electronique |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
CD | Change of name or company name | ||
AU | Other action affecting the ownership or exploitation of an industrial property right | ||
CL | Concession to grant licences |