FR2643717A1 - Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un corps presentant une faible resistance thermique - Google Patents

Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un corps presentant une faible resistance thermique Download PDF

Info

Publication number
FR2643717A1
FR2643717A1 FR8902857A FR8902857A FR2643717A1 FR 2643717 A1 FR2643717 A1 FR 2643717A1 FR 8902857 A FR8902857 A FR 8902857A FR 8902857 A FR8902857 A FR 8902857A FR 2643717 A1 FR2643717 A1 FR 2643717A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
thermal resistance
thermal
conductors
resistance
detectors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8902857A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2643717B1 (fr
Inventor
Juan Aymami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telemecanique SA
Original Assignee
La Telemecanique Electrique SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by La Telemecanique Electrique SA filed Critical La Telemecanique Electrique SA
Priority to FR8902857A priority Critical patent/FR2643717B1/fr
Publication of FR2643717A1 publication Critical patent/FR2643717A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2643717B1 publication Critical patent/FR2643717B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N25/00Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
    • G01N25/18Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating thermal conductivity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Abstract

Dans le dispositif de mesure selon l'invention, l'échantillon 11, 12 est interposé entre deux conducteurs thermiques 4, 9 respectivement reliés à une source chaude 1 et à une source froide 6. Chacun de ces deux conducteurs thermiques 4, 9 est muni d'un couple de détecteurs thermoélectriques 16, 17, 20, 21 permettant de mesurer un écart de température DELTAT1 = T1 - T2 et DELTAT2 = T2 - T3 . La résistance thermique R de l'échantillon est obtenue en calculant la puissance calorifique W qui le traverse à partir de l'écart DELTAT1 et la résistance thermique RT = DELTAT2 /W, puis en déduisant la résistance thermique R de la résistance thermique RT grâce à une table de correspondance. L'invention permet de mesurer la résistance thermique des différentes couches d'un empilage sur lequel est montée la puce de silicium d'un composant semi-conducteur.

Description

PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DE LA RESISTANCE THERMIQUE
D'UN CORPS PRESENTANT UNE FAIBLE RESISTANCE THERMIQUE.
La présente invention concerne un procédé et un dispositif de mesure de la résistance thermique d'un corps présentant une faible résistance thermique.
Elle s'applique notamment, mais non exclusivement, à la mesure de la résistance thermique des couches de matières électriquement isolantes présentes dans les empilages utilisés dans des composants à -semi-conducteurs, par lesquels s'évacuent habituellement les calories dissipées par les circuits électroniques de ces composants.
On rappelle, à ce sujet, que dans la plupart des semiconducteurs de puissance utilisés à l'heure actuelle, notamment pour la commande de courant, la "puce" de silicium sur laquelle est réalisée la (ou les) jonction(s) P-N est habituellement montée sur un empilage comprenant au moins les couches successives suivantes - une couche incluant les éléments conducteurs électriques
(généralement en cuivre) qui assurent les interconnexions
de puissance, - une couche électriquement isolante, et - une semelle, généralement en cuivre, destinée à supporter
le composant entier et à le fixer à un dissipateur thermi
que (radiateur), cette semelle devant être isolée électri
quement vis--à-vis des conducteurs, par la couche isolante.
Cet empilage doit donc permettre le meilleur transfert thermique possible entre la puce de silicium et la semelle, tout en assurant une isolation acceptable entre les conducteurs et la semelle. Or, comme on le sait, les matières électriquement isolantes sont habituellement de mauvais conducteurs thermiques, ce qui rend particulièrement difficile à résoudre le problème de l'obtention simultanée des deux propriétés précédemment évoquées.
Pour tenter de surmonter ce problème, on a pensé à utiliser des couches en matières électriquement isolantes aussi fines que possible et, en particulier, des couches constituées par des dépôts d'oxydes ou de céramiques effectuées sur un substrat métallique (par exemple sur la semelle ou sur une couche métallique intercalaire) par divers procédés de dépôt tels que, notamment, des dépôts physiques en phase vapeur (PVD), des dépôts chimiques en phase vapeur (CVD), des procédés de sputtering, etc...
La mise au point d'une telle solution implique donç des études détaillées du comportement thermique des empilages utilisant de telles couches isolantes.
I1 s'avère que l'étude de ce comportement par un bilan thermique global de l'empilement ne permet pas d'obtenir des informations suffisamment précises sur les propriétés thermiques de la couche isolante.
Or, jusqu'ici, on ne connais pas de moyens efficaces et pratiques pour effectuer la mesure de la résistance thermique que présente une couche mince (de l'ordre de quelques microns) dans le sens de son épaisseur (sens dans lequel elle se trouve traversée par la chaleur émanant de la puce de silicium et dans lequel elle offre sa plus faible résistance thermique) ou même de matériaux fortement conducteurs présentant une épaisseur comprise entre 0,1 et 1 mm.
L' invention a donc notamment pour but de résoudre ce problème.
Elle propose, d'une façon plus générale, un procédé de mesure de la résistance thermique d'un corps selon un axe déterminé, ce procédé consistant à faire traverser le corps par un flux de chaleur produit en régime permanent entre une source froide et une source chaude, ce flux étant canalisé selon ledit axe entre lesdites sources et ledit corps par deux conducteurs thermiques respectifs, à calculer la puissance calorifique W traversant le corps, à partir de la mesure d'un premier écart de température AT1 entre deux emplacements de l'un des conducteurs axialement espacés l'un de l'autre d'une distance "d" déterminée, à mesurer un deuxième écart de température AT2 entre deux emplacements des conducteurs situés de part et d'autre dudit corps et à calculer la résistance thermique R à partir de la puissance calorifique W et du deuxième écart de température AT2 à l'aide d'une relation du type
aT2
R=
Il s'avère que ce procédé convient particulièrement bien à la mesure de la résistance thermique se présentant sous la forme d'une plaque présentant deux surfaces parallèles dont l'une porte une couche mince en matériau électriquement isolant tel qu'un oxyde ou une céramique.
Dans ce cas, les conducteurs thermiques pourront consister en des barreaux réalisés en ùn matériau thermiquement conducteur (par exemple en cuivre) ; ces barreaux pourront présenter une section droite de forme quelconque, par exemple cylindrique. Cette dernière solution permet au barreau d'avoir une surface-latérale minimale et donc des pertes thermiques minimales au niveau de cette surface I1 est clair cependant que dans le cas où, de toutes façons, ces pertes latérales sont négligeables, la forme de la section droite du barreau n'a aucune importance.
Chacun de ces barreaux présente une extrémité thermiquement solidaire de l'une des deux sources, tandis que son autre extrémité est terminée par une surface de section droite venant s'appliquer sur une face correspondante du corps.
Par ailleurs, ce barreau pourra comprendre deux puits radiaux axialement décalés d'une distance "d" permettant de recevoir chacun un détecteur de température, par exemple un thermocouple.
Un mode d'exécution d'un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention sera décrit ci-après, à titre d'exemple non limitatif, avec référence aux dessins annexés dans lesquels
La figure 1 est une représentation schématique d'un
dispositif de mesure de la résistance thermique d'une
plaquette d'un empilage de composant semi-conducteur
recouverte d'une couche mince d'oxyde ou de cérami
que
La figure 2 est un schéma de circulation de flux,
mettant en évidence les résistances thermiques par
courues en série entre la source chaude et la source
froide du dispositif représenté figure 1
La figure 3 représente un diagramme permettant de
convertir la résistance thermique mesurée par le
dispositif de la figure 1 en une épaisseur équivalente
de cuivre ou d'argent.
Tel que représenté sur la figure 1, le dispositif de mesure fait intervenir a) un premier ensemble, éventuellement mobile, comprenant
- une source chaude 1 constituée par un bloc de métal 2 à
l'intérieur duquel est montée une résistance chauffante
électrique 3, et
- un premier conducteur thermique constitué par un
barreau cylindrique 4, par exemple en cuivre, dont une
extrémité est mécaniquement et thermiquement solidaire
du bloc 2 et dont l'autre extrémité est terminée par une
surface de section droite 5, b) un deuxième ensemble, éventuellement fixe, comportant
- une source froide 6 constituée par un bloc métallique 7
renfermant un circuit de refroidissement 8 parcouru par
un fluide de refroidissement, et
- un deuxième conducteur thermique constitué par un
barreau cylindrique 9, par exemple en cuivre, dont une
extrémité est mécaniquement et thermiquement solidaire
du bloc 7, et dont l'autre extrémité est terminée par une
surface de section droite 10.
Le barreau 4 présente une section S égale à celle du barreau 9 et s'étend coaxialement à ce dernier. La surface cylin- drique de ces deux barreaux est traitée de manière à éviter l'oxydation du cuivre.
ta plaquette 11 revêtue de la couche mince 12 électriquement isolante, dont on veut mesurer la résistance thermique, est disposée et maintenue serrée entre les deux surfaces, lesquelles présentent un état de surface tel que l'air intercalé au niveau des jonctions engendre une résistance thermique aussi faible que possible et qui soit reproductible lors des différentes mesures.
Le barreau 4 est muni de deux puits radiaux 13, 14 axialement décalés d'une distance "d" et dont l'un est situé au voisinage de la surface 5. Ces deux puits 13, 14 servent de logement à deux détecteurs thermoélectriques 16, 17 (par exemple deux thermocouples), mesurant respectivement des températures T1 et T2.
De même, le barreau 9 est muni de deux puits radiaux 18, 19 axialement décalés d'une distance "d" égale à la précédente, dont l'un 18 est situé au voisinage de la surface 10. Ces deux puits la, 19 servent également de logement à deux autres détecteurs thermoélectriques 20, 21 mesurant respectivement des températures T3 et T.
Les détecteurs 16, 17, 20, 21 sont reliés à un calculateur 22 permettant de déterminer la résistance thermique de l'échantillon plaquette ll/couche 12 en fonction des températures mesurées selon le processus qui sera exposé dans la suite.
I1 convient de noter tout d'abord que système est dimensionné de manière à ce que les pertes thermiques par la surface latérale des barreaux soient négligeables. Compte tenu du fait que la plaquette 11 présente une très faible résistance thermique et que, par ailleurs, la couche en matière isolante 12 est très mince et présente une forte résistance thermique perpendiculairement à l'axe des barreaux, en régime permanent, le flux de chaleur 1 engendré dans le barreau 4 par la source 1 sera sensiblement égal au flux de chaleur 2 évacué par la source 6 et circulant dans le barreau 9.
De ce fait, la puissance W traversant l'ensemble plaquette
Il/couche isolante 12 pourra être déterminée par le calculateur en effectuant le produit de la section S des barreaux 4, 9 par la valeur du flux = l =
Ce flux pourra être lui-même déterminé par le calculateur 22 en fonction des températures mesurées par les détecteurs 16, 17, 20, 21 selon la relation suivante
Figure img00060001

relation dans laquelle : Ac est la conductibilité thermique du cuivre.
Le calculateur 22 détermine ensuite la résistance thermique
RT présente entre les détecteurs 17 et 20 grâce à une relation du type
Figure img00070001
Cette résistance thermique RT consiste en la somme - de la résistance thermique rO du barreau 4, entre le
détecteur 17 et la surface 5, - de la résistance thermique ri à la jonction entre le
barreau 4 et l'échantillon 11, 12, - de la résistance thermique R de l'échantillon 11, 12, - de la résistance thermique r'i à la jonction entre le
barreau 9 et l'échantillon 11, 12, et - de la résistance thermique r'O du barreau 9 entre le
détecteur 21 et la surface 10.
Ces différentes résistances thermiques ainsi que les résistances Ro et R'o des tronçons de barreau respectivement compris entre les détecteurs 16 et 17 et les détecteurs 20 et 21, ainsi que les résistances thermiques R1 et R'1 des tronçons de barreau respectivement compris entre la source 1 et le détecteur 16 et la source 6 et le détecteur 21, sont représentées sur la figure 2, sous la forme d'un schéma de circulation de flux, en regard de la figure 1.
La détermination de la résistance thermique R de l'échantillon 11, 12 à partir de la résistance RT pourra être obtenue grâce à une courbe d'étalonnage du type de celle représentée sur la figure 3, qui est préalablement tracée à partir de la mesure de la résistance thermique d'échantillons (par exemple en cuivre ou en argent) de conductibilité connue et d'épaisseurs différentes. Cette courbe permet de déterminer la résistance thermique R de l'échantillon sous la forme d'une épaisseur équivalente "e" de cuivre ou d'argent, à partir de la valeur de la résistance thermique RT mesurée.
En effet, les échanges thermiques se faisant par conduction, la résistance RT comprend une partie constante Ri indépendante de l'échantillon et qui est égale à la somme des résistances rO, r'O, ri, r'i, et une partie proportionnelle à l'épaisseur de l'échantillon 11, 12.
Bien entendu, dans le cas où l'échantillon consiste, comme dans l'exemple représenté, en une plaquette 11 réalisée en un matériau de conductibilité thermique connue, par exemple en cuivre ou en argent, et présentant une épaisseur connue, cette plaquette étant recouverte par une couche électriquement isolante 12, la résistance thermique de la couche pourra facilement se déduire en soustrayant à la résistance thermique R (déterminée éventuellement en épaisseur équivalente de cuivre ou d'argent) la résistance thermique de la plaquette 11 (ou son épaisseur de cuivre ou d'argent).
I1 convient de rappeler que le procédé de mesure précédemment décrit, qui est basé sur la mesure d'un flux de chaleur à partir d'un écart de température, suppose que le système soit en régime stationnaire et, qu'en conséquence, les sources 1 et 6 soient maintenues à une température constante. A cet effet, on pourra utiliser un système d'asservissement de ces deux sources.
Par ailleurs, les détecteurs de température 14 et 20, situés près de l'échantillon 11, 12, pourront éventuellement consister en des thermocouples en "couche mince" portés directement par les surfaces 5 et 10.

Claims (9)

Revendications
1. Procédé pour la mesure de la résistance thermique R d'un corps (11, 12) présentant une faible résistance thermique, selon un axe de conduction thermique déterminé, caractérisé en ce qu'il consiste - à faire circuler au travers dudit corps (11, 12) et selon
ledit axe, un flux de chaleur produit en régime permanent
entre une source chaude (1) et une source froide (6), ce
flux étant canalisé entre lesdites sources et ledit corps
par deux conducteurs thermiques respectifs (4, 9), - à calculer la puissance calorifique W traversant le corps
(11, 12), à partir d'un premier écart de température AT1
mesuré entre deux emplacements de l'un des conducteurs
(4), axialement espacés l'un de l'autre d'une distance
déterminée "d", - à mesurer un deuxième écart de température AT2 entre deux
régions desdits conducteurs (4, 9) respectivement situées
de part et d'autre dudit corps (11, 12), - à calculer la résistance thermique RT de la portion
comprise entre les deux régions, à partir de la puissance
calorifique W et du deuxième écart de température bT2, à
l'aide d'une relation du type
T2
RT =
7 - à déduire de cette résistance thermique RT, la résistance
thermique R du corps, grâce à une table de correspondance
ou une courbe d'étalonnage obtenue à partir de la mesure
de la résistance thermique d'échantillons de conductibi
lité connue.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la table de correspondance (ou la courbe d'étalonnage) est obtenue à partir de la mesure de la résistance thermique d'échantillons de conductibilité connue et d'épaisseurs différentes, de manière à permettre la détermination de la résistance thermique de l'échantillon sous la forme d'une épaisseur équivalente d'une matière de conductibilité connue, à partir de la résistance thermique
RT.
3. Procédé pour la mesure de la résistance thermique R d'une couche mince (12)en un matériau thermiquement isolant portée par une plaquette (11) en matériau thermiquement bon conducteur de conductibilité thermique connue, caractérisé en ce qu' il consiste à déterminer la résistance thermique de ensemble plaquette/couche (11, 12) par le procédé selon l'une des revendications I et 2, et soustraire à cette résistance thermique, la résistance thermique de la plaquette (Il).
4. Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu' il comprend a) un premier ensemble, éventuellement mobile, comportant
- une source chaude (1) constituée par un premier bloc de
métal, à l'intérieur duquel sont incorporés des moyens de
chauffage (3), et
- un premier conducteur thermique constitué par un barreau
(4), dont une extrémité est mécaniquement et thermiquement
solidaire du premier bloc (2), et dont l'autre extrémité
est terminée par une première surface de section droite
(5)r b) un deuxième ensemble, éventuellement fixe,-comportant ::
- une source froide (6) constituée par un deuxième bloc
métallique (7) renfermant un circuit de refroidissement
(8), et
- un deuxième conducteur thermique constitué par un
barreau (9), dont une extrémité est mécaniquement et
thermiquement solidaire du deuxième bloc (7) et dont
l'autre extrémité est terminée par une deuxième surface de
section droite (10), c) un premier couple de détecteurs thermoélectriques (16,
17) aptes à mesurer la température du premier conducteur
thermique en deux emplacements axialement décalés l'un par
rapport à l'autre d'une distance d, d) un second couple de détecteurs thermoélectriques (20, 21)
aptes à mesurer la température du second conducteur ther
mique en deux emplacements axialement décalés l'un par
rapport à l'autre d'une distance "d", les deux barreaux
(4, 9), présentant une même section, étant réalisés en un
même matériau bon conducteur, et étant disposés coaxiale
ment l'un à l'autre de manière à venir enserrer le susdit
corps (11, 12) entre lesdites première et deuxième surfa
ces (5, 10).
5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que les susdits détecteurs thermiques sont logés dans des puits axiaux (13, 14, 18, 19) réalisés dans les conducteurs thermiques au niveau des susdits emplacements.
6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la température des susdites sources (1, 6) est maintenue constante grâce à un système d'asservissement.
7. Dispositif selon l'une des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que les susdits barreaux (4, 9) sont cylindriques.
8. Dispositif selon l'une des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que l'un des détecteurs (17, 20) de chaque couple, est situé au voisinage de l'une desdites surfaces (5, 10).
9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que le détecteur (17, 20) situé au voisinage d'une surface (5, 10) consiste en un thermocouple en couche mince porté par cette surface (5, 10).
FR8902857A 1989-02-24 1989-02-24 Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un corps presentant une faible resistance thermique Expired - Fee Related FR2643717B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8902857A FR2643717B1 (fr) 1989-02-24 1989-02-24 Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un corps presentant une faible resistance thermique

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8902857A FR2643717B1 (fr) 1989-02-24 1989-02-24 Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un corps presentant une faible resistance thermique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2643717A1 true FR2643717A1 (fr) 1990-08-31
FR2643717B1 FR2643717B1 (fr) 1993-08-06

Family

ID=9379373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8902857A Expired - Fee Related FR2643717B1 (fr) 1989-02-24 1989-02-24 Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un corps presentant une faible resistance thermique

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2643717B1 (fr)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2683908A1 (fr) * 1991-11-14 1993-05-21 Aerospatiale Procede de mesure de la conductivite thermique d'un materiau.
US6491426B1 (en) * 2001-06-25 2002-12-10 Sbs Technologies Inc. Thermal bond verification
US6896405B2 (en) * 2001-10-10 2005-05-24 Hitachi, Ltd. Method of measuring thermal resistance of resin and a measuring apparatus using the method
US6923570B2 (en) * 2003-09-11 2005-08-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermal interface material characterizing system
US7517140B2 (en) * 2006-09-27 2009-04-14 Intel Corporation Techniques for precision testing of thermal interface materials
WO2012020074A1 (fr) * 2010-08-13 2012-02-16 Technische Universität Darmstadt Procédé et dispositif pour déterminer la conductivité thermique et la conductibilité thermique d'un échantillon de mesure
US20190369038A1 (en) * 2017-01-16 2019-12-05 Mitsubishi Electric Corporation Thermal conductivity measurement device and thermal conductivity measurement method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104180929B (zh) * 2014-08-06 2016-08-17 山东省计算中心(国家超级计算济南中心) 一种热阻式热流传感器的校准方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2592490A1 (fr) * 1985-12-27 1987-07-03 Bull Sa Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un echantillon tel que notamment un composant de circuit electronique.
EP0228333A2 (fr) * 1985-12-27 1987-07-08 Bull S.A. Procédé et dispositif de mesure de la résistance thermique d'un élément tel qu'un équipement de circuits intégrés de haute densité

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2592490A1 (fr) * 1985-12-27 1987-07-03 Bull Sa Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un echantillon tel que notamment un composant de circuit electronique.
EP0228333A2 (fr) * 1985-12-27 1987-07-08 Bull S.A. Procédé et dispositif de mesure de la résistance thermique d'un élément tel qu'un équipement de circuits intégrés de haute densité

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JOURNAL OF PHYSICS E; SCIENTIFIC INSTRUMENTS, vol. 6, no. 11, novembre 1973, pages 1074-1076; D.J. DICKSON: "Measurement of the thermal conductivity of thermal insulations using miniature heat flow sensors" *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2683908A1 (fr) * 1991-11-14 1993-05-21 Aerospatiale Procede de mesure de la conductivite thermique d'un materiau.
US6491426B1 (en) * 2001-06-25 2002-12-10 Sbs Technologies Inc. Thermal bond verification
US6896405B2 (en) * 2001-10-10 2005-05-24 Hitachi, Ltd. Method of measuring thermal resistance of resin and a measuring apparatus using the method
US6923570B2 (en) * 2003-09-11 2005-08-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermal interface material characterizing system
US7517140B2 (en) * 2006-09-27 2009-04-14 Intel Corporation Techniques for precision testing of thermal interface materials
WO2012020074A1 (fr) * 2010-08-13 2012-02-16 Technische Universität Darmstadt Procédé et dispositif pour déterminer la conductivité thermique et la conductibilité thermique d'un échantillon de mesure
EP2607892A1 (fr) * 2010-08-13 2013-06-26 Technische Universität Darmstadt Procédé pour déterminer la conductivité thermique et la conductibilité thermique d'un échantillon de mesure
US20190369038A1 (en) * 2017-01-16 2019-12-05 Mitsubishi Electric Corporation Thermal conductivity measurement device and thermal conductivity measurement method
US10775329B2 (en) * 2017-01-16 2020-09-15 Mitsubishi Electric Corporation Thermal conductivity measurement device and thermal conductivity measurement method

Also Published As

Publication number Publication date
FR2643717B1 (fr) 1993-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0607313B1 (fr) Sole chauffante destinee a assurer le chauffage d'un objet dispose a sa surface et reacteur de traitement chimique muni de ladite sole
EP1101098B1 (fr) Appareil et procede de mesure d'une caracteristique de couche dans une structure multicouche
FR2631165A1 (fr) Support conditionneur de temperature pour petits objets tels que des composants semi-conducteurs et procede de regulation thermique utilisant ce support
CA2089848A1 (fr) Mesure de la resistivite electrique et de la conductivite thermique a haute temperature de produits refractaires
EP0228333A2 (fr) Procédé et dispositif de mesure de la résistance thermique d'un élément tel qu'un équipement de circuits intégrés de haute densité
US5291142A (en) Method and apparatus for measuring the resistance of conductive materials due to electromigration
FR2577320A1 (fr) Detecteur de gaz a plusieurs elements detecteurs.
FR2643717A1 (fr) Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un corps presentant une faible resistance thermique
McNamara et al. Infrared imaging microscope as an effective tool for measuring thermal resistance of emerging interface materials
Park et al. Design of micro-temperature sensor array with thin film thermocouples
EP3339828B1 (fr) Dispositif et procédé d'évaluation d'au moins une condition de fonctionnement d'un échangeur de chaleur
Webb et al. Low melting point thermal interface material
EP3771879B1 (fr) Dispositif de détection et de caractérisation d'un encrassement apte à se former sur une paroi soumise à un échange thermique
EP0794415A1 (fr) Dispositif de mesure de température sans contact
Zybała et al. Method and apparatus for determining operational parameters of thermoelectric modules
Burzo et al. Optimized thermo-reflectance system for measuring the thermal properties of thin-films and their interfaces
FR2532426A1 (fr) Capteur de flux energetique en particulier flux thermique et rayonnement visible ou infrarouge
JPS60209158A (ja) 熱流束示差走査熱量計用試料セル
Burzo et al. A study of the effect of surface metalization on thermal conductivity measurements by the transient thermo-reflectance method
WO2023156178A1 (fr) Capteurs pour systèmes de mesure de flux thermique à inertie
EP4244589B1 (fr) Système amélioré de détermination de coefficient d'échange thermique
Milošević et al. Measurements of thermophysical properties of solids at the Institute VINČA
Zahner et al. Transverse thermoelectricity in a tilted metallic multilayer structure
RU2031377C1 (ru) Термоэлектрический приемник излучения
Müller et al. Real condition test of graded thermoelectric elements

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse