FR2641000A1 - - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8817369A FR2641000A1 (enExample) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | |
| EP89203219A EP0375051A1 (fr) | 1988-12-22 | 1989-12-18 | Procédé et dispositif de dépôt chimique en phase gazeuse avec activations électronique et thermique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8817369A FR2641000A1 (enExample) | 1988-12-22 | 1988-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2641000A1 true FR2641000A1 (enExample) | 1990-06-29 |
Family
ID=9373555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8817369A Withdrawn FR2641000A1 (enExample) | 1988-12-22 | 1988-12-22 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0375051A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2641000A1 (enExample) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1173828A (fr) * | 1957-04-30 | 1959-03-03 | Saint Gobain | Perfectionnement à la fabrication, à l'état de haute pureté, de métaux et d'autres éléments chimiques à caractère métallique |
| DE3102174A1 (de) * | 1980-01-25 | 1981-12-10 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Plasmareaktionsvorrichtung zur behandlung von halbleitern u.dgl. |
| JPS6141763A (ja) * | 1984-04-24 | 1986-02-28 | Anelva Corp | 薄膜作成装置 |
| JPS61179868A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| US4634601A (en) * | 1984-03-28 | 1987-01-06 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for production of semiconductor by glow discharge decomposition of silane |
-
1988
- 1988-12-22 FR FR8817369A patent/FR2641000A1/fr not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-12-18 EP EP89203219A patent/EP0375051A1/fr not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1173828A (fr) * | 1957-04-30 | 1959-03-03 | Saint Gobain | Perfectionnement à la fabrication, à l'état de haute pureté, de métaux et d'autres éléments chimiques à caractère métallique |
| DE3102174A1 (de) * | 1980-01-25 | 1981-12-10 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Plasmareaktionsvorrichtung zur behandlung von halbleitern u.dgl. |
| US4634601A (en) * | 1984-03-28 | 1987-01-06 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for production of semiconductor by glow discharge decomposition of silane |
| JPS6141763A (ja) * | 1984-04-24 | 1986-02-28 | Anelva Corp | 薄膜作成装置 |
| JPS61179868A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 10, no. 199 (C-359)[2255], 11 juillet 1986; & JP-A-61 41 763 (ANELVA CORP.) 28-02-1986 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 11, no. 3 (C-395)[2450], 7 janvier 1987; & JP-A-61 179 868 (CANON INC.) 12-08-1986 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0375051A1 (fr) | 1990-06-27 |
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