FR2581266A1

FR2581266A1 - Oscillateur resistance-capacite

Info

Publication number: FR2581266A1
Application number: FR8605380A
Authority: FR
Inventors: Silvano Coccetti; Roberto Viscardi; Silvano Gornati
Original assignee: SGS Microelettronica SpA
Current assignee: STMicroelectronics SRL
Priority date: 1985-04-24
Filing date: 1986-04-15
Publication date: 1986-10-31
Anticipated expiration: 2006-04-15
Also published as: GB2174264B; IT8520485A0; NL192481C; DE3612182C2; GB8609269D0; IT1214602B; NL192481B; GB2174264A; FR2581266B1; NL8601029A; US4672332A; DE3612182A1

Abstract

UN OSCILLATEUR RC DE GRANDE PRECISION, NOTAMMENT POUR DES MONITEURS, A DES SEUILS DE COMMUTATION DIFFERENTS INDEPENDANTS DE VARIABLES TELLES QUE TENSION DE SATURATION DES TRANSISTORS, ET A UNE FREQUENCE DE FONCTIONNEMENT ELEVEE. L'OSCILLATEUR COMPREND UN CONDENSATEURC, UNE SOURCE DE COURANTI POUR LE CONDENSATEUR ET UNE SECTION DE COMMANDE. LA SECTION DE COMMANDE COMPREND PLUSIEURS ETAGES DIFFERENTIELS Q-Q PARTAGEANT UNE ENTREE COMMUNE ET AYANT CHACUN UNE ENTREE RACCORDEE A UN SEUIL DE COMMUTATION DIFFERENT V, V, V. LA SECTION DE COMMANDE COMPORTE EN OUTRE UN ETAGE PILOTE DE COMMUTATION Q-Q RACCORDE A LA BORNE DE SORTIE DE L'OSCILLATEUR ET A UNE BORNE D'ENTREEV POUR COMMANDER L'ACTIVATION ET LA DESACTIVATION DES DIFFERENTS ETAGES DIFFERENTIELS EN FONCTION DU SIGNAL PRESENT AUX BORNES D'ENTREE ET DE SORTIE DE L'OSCILLATEUR.

Description

Oscillateur résistance-capacité.

La présente invention concerne un oscillateur résistance-

capacité (oscillateur RC).

Les circuits prévus pour être utilisés dans des moniteurs exigent des caractéristiques, en ce qui concerne la fréquence en fonctionnement et la précision des signaux qui commandent le balayage, nettement supérieures aux circuits de télévision standards. En conséquence, dans ces applications, il est nécessaire de disposer d'un étage oscillateur RC avec des seuils de commutation différents, oscillateur dont la précision est appropriée et dont le fonctionnement

est fiable.

Habituellement, comme oscillateur déclenchable utilisé en liaison avec les circuits prévus pour des applications de moniteurs, on utilise un amplificateur différentiel à réaction positive. Cet oscillateur comporte un élément

capacitif qui est alimenté par l'intermédiaire d'une résis-

tance, et a un étage différentiel raccordé, à l'une de ses entrées, à une borne du condensateur et, à une deuxième entrée, à un point du circuit se trouvant à une tension variable. En particulier, en l'absence d'un signal de commande extérieur, la tension à la deuxième entrée varie entre un seuil supérieur et un seuil inférieur, tandis que, en présence d'un signal extérieur approprié, la tension de seuil supérieur est réduite pour faire varier le moment o commence la décharge du condensateur, ce qui permet d'obtenir une tension de sortie variant périodiquement dont la fréquence dépend, entre autres, de la différence entre le seuil de commutation supérieur et un seuil intermé-

diaire en la présence du signal de déclenchement extérieur.

Un circuit connu de ce type est représenté sur la figure 1 à titre d'exemple, les figures 2a et 2b montrant des formes d'ondes correspondant à certains points dans le

circuit de la figure 1. De façon plus détaillée, l'oscilla-

teur comporte un élément capacitif C1 dont une borne (celle à laquelle est prise la tension de sortie VC) est raccordée à une résistance d'alimentation R1. Le reste du circuit constitue la section de commande de l'oscillateur, adaptée pour commander et faire varier les durées des phases de charge et de décharge du condensateur, et par voie de conséquence

pour faire varier la fréquence d'oscillation du circuit.

Cette section de commande comprend un étage différentiel, désigné dans son ensemble en 1 et constitué par quatre transistors Q1,Q2, Q3 et Q4. Ces transistors, du type PNP, sont disposés de telle sorte que la base du transistor Q2 est raccordée à l'émetteur du transistor Q1 et que la base du transistor Q3 est raccordée à l'émetteur de Q4. Les émetteurs de Q2 et Q3 sont raccordés l'un à l'autre et à une source de courant de polarisation I1. La base de Q1 est raccordée à la borne de sortie du circuit, et la base du transistor Q4 est raccordée au point VS,. o

est présente la tension de seuil qui provoque la commuta-

tion dans les diverses phases de fonctionnement du circuit.

Les collecteurs de Q1 et Q4 sont mis à la terre, et les collecteurs de Q2 et Q3 sont raccordés respectivement à un transistor monté en diode Q7 et à un transistor Q8 monté, symétrique dans un miroirde Q7. La section de commande comporte également un transistor Qs qui soutient la décharge de C1, et dont le collecteur est raccordé

à VC, l'émetteur est raccordé à la terre par l'intermé-

diaire d'une résistance R2 et la base est raccordée au point commun des collecteurs de Q3 et Q8. La base d'un

autre transistor Q6 est raccordée au même point, ce transis-

tor étant adapté pour régler le seuil inférieur de commutation du circuit. L'émetteur du transistor Q6 est mis à la terre et son collecteur est raccordé à un point intermédiaire d'un diviseur de tension constitué par les résistances R3, R4, R5, et R6. Le circuit est complété par un transistor Q9 à la base duquel sont appliquées les impulsions de

déclenchement VT.

Le circuit de la figure 1 fonctionne comme suit. En l'ab-

sence d'une impulsion de déclenchement VT, le transistor Q9 ne conduit pas. En conséquence, la tension de seuil de commutation VS dépend de l'état du transistor Q6- En particulier avec le transistor Q6 hors circuit, la tension de seuil supérieur est obtenue comme suit: Vcc. (R4 + R5 + R6) VS' =

R3 + R4 + R5 + R6

tandis que, avec le transistor Q6 saturé, la tension de seuil inférieur est donnée par: (Vcc - V6 sat) VL =. R4 + V6 sat

R3 + R4

Au contraire, en la présence d'une impulsion de déclenche-

ment VT, le transistor Q9 est saturé et la tension de seuil supérieur VS est donnée par: (Vcc - V9 sat) (R5 + R4)

VS" = + V9 sat.

R3 + R4 + R5

Supposons alors qu'il n'y ait pas d'impulsion de déclenche-

ment VT et que le condensateur C1 soit déchargé (VC = 0).

En conséquence, les transistors Q1, Q2, Q7 et Q8 sont conducteurs, tandis que les transistors Q3, Q4, Q5 et Q6 ne conduisent pas. Dans cette phase, la tension de

seuil supérieur VS est appliquée à la base de Q4. En consé-

quence, le condensateur C1 commence à se charger par la

résistance R1 jusqu'à ce qu'il atteigne le seuil de commuta-

tion VS,. Lorsque ce seuil est dépassé, les transistors Q1 et Q2 ne conduisent plus, tandis que les transistors Q3 et Q4 commutent en conduction. En conséquence, les transistors symétriques dans un miroir Q7 et Q8 ne conduisent plus et le courant du collecteur de Q3 rend conducteurs Q5 (ce qui provoque la décharge rapide du condensateur) ainsi que Q6 (qui règle le seuil inférieur VL). Ensuite, le condensateur commence sa décharge jusqu'à ce que la

tension VC atteigne à nouveau le seuil inférieur de commuta-

tion VL. Lorsque ce seuil est atteint, les transistors Q3 et Q4 se coupent, Q1 et Q2 deviennent conducteurs et activent les transistors symétriques Q8 et Qg, ce qui provoque la coupure de Q5 et Q6- A partir de ce moment,

le cycle recommence comme décrit précédemment.

Lorsqu'une ou plusieurs impulsions de déclenchement VT sont appliquées à la base du transistor Qg, le transistor Qg devient conducteur et en conséquence la tension de seuil VS", à la base de Q4, tombe à la valeur déterminée par Vs,. En conséquence, la décharge du condensateur C1 n'est plus déclenchée par Vsy, mais survient au bord positif de l'impulsion de déclenchement. La tension de sortie résultante de l'oscillateur connu est représentée sur

la figure 2a en fonction de la tension de déclenchement VT.

Bien qu'il soit couramment utilisé, le dispositif que

l'on vient de décrire présente certains inconvénients.

En fait, du fait que le seuil inférieur de commutation VL dépend de la tension de saturation VCE 6 sat, l'amplitude de la forme d'onde résultante VC, et de ce fait la fréquence libre f0 du signal de sortie, dépendent des tolérances du procédé et varient lorsque la température de fonctionnement varie. En conséquence, le circuit n'a pas la précision désirée. Un autre inconvénient du circuit selon la technique antérieure est que, lors de la charge de C1, les transistors Q1 et Q2 sont conducteurs et que le courant fourni par leurs basesest amené au condensateur C1, s'ajoutant au courant de charge fixé par R1. Du fait que le courant de base

de Q1 est variable, du fait des différences dans les toléran-

ces de la valeur de 6 et des températures de fonctionnement différentes, le circuit présente une erreur sur la fréquence

libre recherchée fo.

Enfin, il ne faut pas négliger le fait que, du fait de

l'utilisation de transistors PNP pour commander la commuta-

tion entre les phases de charge et de décharge du condensa-

teur et compte tenu des limitations de rapidité intrinsèques des transistors de ce type, la fréquence de fonctionnement

maximale est limitée aux valeurs réglées.

C'est en conséquence le but de cette invention de procurer un étage oscillateur, en particulier pour des moniteurs, qui puisse résoudre les problèmes posés par la technique antérieure et notamment qui soit suffisamment précis en

fonctionnement.

C'est un but particulier de cette invention de procurer

un étage oscillateur ayant des valeurs de seuils indépen-

dantes de paramètres variables tels que tension de saturation des transistors, valeur d'amplification des transistors,

ou température de fonctionnement.

Un autre but de cette invention est de procurer un oscillateur

dont la fréquence de fonctionnement puisse être considérable-

ment augmentée par rapport à celle pouvant être obtenue avec les circuits antérieurs, et qui en particulier ne soit pas limité par l'utilisation de transistors PNP et

d'éléments de saturation.

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Un autre but de cette invention est de procurer un étage oscillateur qui puisse être fabriqué selon les techniques courantes et en particulier puisse être intégré à l'intérieur

d'une zone réduite.

Un autre but, et non le moindre, de cette invention est de procurer un étage oscillateur dont les coûts

de fabrication soient modérés, et notamment soient compara-

bles à ceux des dispositifs connus.

Les buts ci-dessus, ainsi que d'autres qui apparaîtront

ci-après, sont obtenus grâce à un oscillateur résistance-

capacité avec différents seuils de commutation, comprenant un élément capacitif raccordé à une borne de sortie de l'oscillateur, une source de courant alimentant cet élément

capacitif, et une section de commande différentielle raccor-

dée à cet élément capacitif pour fixer différents seuils de commutation auxquels cet élément capacitif commence alternativement à se charger et à se décharger, caractérisé en ce que cette section de commande comporte une multiplicité d'étages différentiels (Q26, Q27; Q28, Q29; Q30, Q31), chaque étage différentiel ayant une première entrée et une deuxième entree, ainsiqu'une première et une deuxième borne de commande, les premières entrées des étages différentiels étant raccordées ensemble et à la borne de sortie de l'oscillateur, les deuxièmes entrées des étages différentiels étant raccordées chacune à un point différent de la section de commande différentielle se trouvant à une tension de référence différente (Vs', Vsn, VL), ces étages différentiels commutant entre un

premier état et un deuxième état en fonction de la diffé-

rence de tension entre les premières entrées et les deuxièmes entrées, cette section de commande comportant en outre une section pilote (Q20-Q25) interposée entre la première et la deuxième borne de commande de ces étages différentiels et ayant des moyens de commutation sensibles au premier et au deuxième état de commutation de ces. étages différentiels

pour activer et désactiver sélectivement ces étages différen-

tiels en fonction de la tension de sortie de l'oscillateur.

L'invention sera mieux comprise, à la lecture de la descrip-

tion détaillée, donnée ci-après à titre d'exemple seulement, d'une réalisation préférée, en liaison avec le dessin joint, sur lequel: - la figure 1 est un schéma de circuit d'un dispositif selon la technique actuelle;

- les figures 2a et 2b montrent des formes d'ondes correspon-

dant à des signaux électriques provenant du circuit connu de la figure 1;

- la figure 3 montre un schéma de circuit d'un étage os-

cillateur selon l'invention; - les figures 4a et 4b montrent les modèles de signaux électriques prélevés à des points appropriés dans le circuit de la figure 3; et - la figure 5 montre une variante d'un détail du circuit

de la figure 3.

Seules les figures 3, 4a, 4b et 5 seront discutées ci-après,

car les figures 1, 2a, 2b ont déjà été explicitées.

On se reporte donc à la figure 3; l'étage oscillateur de cette invention comprend pratiquement un élément capacitif C, une source de courant 12 et une section de commande formant le reste du circuit. Cette section de commande comprend trois paires de transistors NPN formant un premier étage différentiel Q26, Q27, un deuxième étage différentiel

Q28, Q29 et un troisième étage différentiel Q30, Q31-

Une entrée de chaque étage différentiel est raccordée

à un point commun, qui est la borne de sortie Vc de l'oscilla-

teur, tandis que les autres entrées des étages différentiels sont raccordées à des tensions de seuils différentes VS,, VS", VL. Ces tensions de référence sont fixes étant donné qu'elles sont prises sur un diviseur résistant constitué par quatre résistances R15, R16, R17 et R18. En outre,

les collecteurs des transistors Q26, Q28 et Q30 sont raccor-

dés ensemble et à un transistor Q24 raccordé, symétrique dans un miroir, au transistor monté en diode Q25, lui-méme

raccordé aux collecteurs des transistors Q27, Q29 et Q31-

Les collecteurs des transistors Q26, Q28 et Q30 sont également raccordés à la base d'un transistor Q23 appartenant à une section pilote comportant également le transistor Q22, les résistances R14, R13, R10, Rll et R12, et les

transistors Q20 et Q21. En particulier, la borne de collec-

teur de Q20 est raccordée à la borne de sortie de l'étage oscillateur et représente en conséquence l'élément adapté pour permettre la décharge du condensateur C aux instants appropriés, tandis que le collecteur du transistor Q21 est raccordé aux émetteurs de l'étage différentiel Q30, Q31 de façon à permettre son alimentation lors de la décharge du condensateur et de ce fait la fixation du seuil inférieur de commutation. La section de commande comporte également un autre étage différentiel Q32, Q33 pour alimenter l'étage différentiel Q26, Q27 ou l'étage différentiel Q28, Q29 en fonction de l'absence ou de la présence de l'impulsion de déclenchement VT. Dans ce but, le collecteur de Q32 est raccordé aux émetteurs de Q26, Q27, tandis que le

collecteur ac Q33 est raccordé aux émetteurs de Q28, Q29-

En outre, les émetteurs de Q32 et Q33 sont raccordés à une source de courant de polarisation 13, tandis que la base de Q33 est raccordée à un diviseur de tension formé par les résistances R19 et R20 de façon à avoir une tension

de référence fixe.

Le circuit selon l'invention fonctionne comme suit. En l'absence de l'impulsion de déclenchement (négative) VT, la tension existant entre les transistors Q32 et Q33 est telle qu'elle maintient le transistor Q32 conducteur et le transistor Q33 non conducteur. En conséquence, l'étage différentiel formé par Q26 et Q27 est alimenté par le courant 13, tandis que l'étage différentiel Q28, Q29 est

coupé. En conséquence, lors de la phase de charge du conden-

sateur C, Q26 est non conducteur, tandis que les transistors Q27, Q25 et Q24 sont conducteurs, maintenant non conducteurs les transistors Q23, Q22, Q20 et Q21. Ainsi, l'oscillateur reste dans l'état de charge du condensateur et seul l'étage différentiel Q26, Q27 raccordé à la tension supérieure

de commutation Vs, est actif. En conséquence, le condensa-

teur continue à se charger par la source 12 jusqu'à ce que la tension de sortie Vc atteigne le seuil supérieur de commutation VS,. A ce moment, le transistor Q26 devient conducteur,tandis que Q27 devient non conducteur. L'état non conducteur de Q27 rend également non conducteur Q24 et Q25, tandis que le passage de Q26 à l'état conducteur amène à l'état conducteur Q23, Q22, Q20 et Q21- Lorsque Q20 est conducteur, le condensateur C peut se décharger rapidement; de ce fait, la tension de sortie VC se déplace sur son front descendant vertical, comme on le voit sur la gauche de la figure 4a. La conduction de Q21 permet l'alimentation de l'étage différentiel formé par Q30, Q31, activant ainsi l'étage raccordé au seuil inférieur de commutation. Dans cette phase, Q30 est conducteur, tandis que Q31 est non conducteur jusqu'à ce que la tension

de sortie Vc atteigne le seuil inférieur de commutation VL.

Dès que commence la décharge du condensateur C, Q26 devient non conducteur, tandis que Q27, Q25 et Q24 deviennent conducteurs; en conséquence, Q22 et Q23 seraient coupés, si Q30, alimenté par un courant plus important que celui qui alimente Q26, ne confirmait pas l'état conducteur de Q22, Q23, Q20 et Q21, maintenant ainsi C à l'état de

décharge jusqu'à ce que soit atteint le seuil inférieur VL.

Dès que la tension de sortie atteint le seuil inférieur de commutation, Q30 est coupé, Q31 devient conducteur, coupant ainsi Q20, Q21, Q22, Q23- A partir de cet instant, le condensateur commence à se recharger et la tension de sortie suit la section montante inclinée représentée

sur la figure 4a.

Si, à ce stade, une impulsion de déclenchement VT est appliquée sur la base de Q32, Q32 devient non conducteur, tandis que Q33 devient conducteur de façon à ne plus alimenter l'étage différentiel Q26, Q27 et alimenter à la place l'étage différentiel Q28,Q29. En conséquence, ce dernier, raccordé à la tension intermédiaire de commutation VS", remplace l'étage différentiel Q26, Q27 raccordé au seuil supérieur de commutation VS,. En conséquence, le circuit continue à fonctionner en conformité avec le fonctionnement déjà décrit précédemment, à la différence que la décharge du condensateur C n'est plus commandée par le seuil Vs, mais par le front négatif de l'impulsion de déclenchement,

comme on le voit sur la droite des figures 4a, 4b.

On notera, d'après la description précédente, que l'invention

atteint totalement les buts qu'elle s'est fixées.En fait, on a procuré un étage oscillateur dans lequel les seuils de commutation ne dépendent plus des tensions de saturation de certains transistors, mais sont déterminés par les

valeurs des éléments résistants R15, R16, R17 et R18.

En conséquence, les seuils de commutation peuvent être

fixés d'une manière très précise, ce qui permet un fonctionne-

ment très précis du circuit oscillateur lui-même.

Le fait que, pendant la phase de charge du condensateur C, lestransistorsQ26, Q28, Q30, raccordésdirectement au condensateur luimême, sont coupés, fait que le seul courant qui provoque la charge du condensateur est due à la source 12, de sorte qu'aucune erreur ne peut avoir lieu du fait des variations dans la valeur de B, du fait de tolérances

de fabrication ou du fait de la température de fonctionnement.

L'utilisation, pour obtenir les étages différentiels, de transistors du seul type NPN confère au circuit une

plus grande rapidité de commutation du fait des caractéris-

tiques de rapidité améliorées de ces éléments. Enfin, il

on ne doit pas ignorer le fait que la réalisation repré-

sentée permet l'intégration des transistors Q26, Q28 et Q30 et des transistors Q27, Q29 et Q31 dans seulement deux poches épitaxiales, ce qui permet d'économiser de la surface ainsi que le coût de fabrication du dispositif.

La présente invention est susceptible de nombreuses modifica-

tions et variantes, toutes tombant à l'intérieur de la portée du concept inventif. En fait, en utilisant la même idée que celle présentée cidessus, il est possible de prévoir d'autres seuils intermédiaires de commutation,

pilotés de façon appropriée par des sections de commuta-

tion appropriées ou même par une seule section de commuta-

tion ayant plusieurs sorties de commande. En outre, il est possible de concevoir le circuit pour que l'impulsion de déclenchement provoque la commutation entre le seuil inférieur de tension et un autre seuil intermédiaire,

plutôt qu'entre le seuil supérieur et un seuil intermédiaire.

La figure 5 montre une variante possible qu'on peut utiliser lorsqu'on désire un courant de décharge contrôlé et une tension de sortie triangulaire au lieu de l'avoir en dents de scie, avec tout rapport du temps de charge au temps de décharge. Dans ce but, il suffit de remplacer la résistance Ro10 sur l'émetteur de Q20 par les composants représentés sur la figure 5, le reste du circuit restant identique. De façon plus détaillée, l'émetteur de Q20 (dont le collecteur et la base sont raccordés au reste du circuit comme sur la figure 3) est raccordé à une source de courant 14 et à l'émetteur d'un autre transistor Q34, dont le collecteur est raccordé à la tension d'alimentation et dont la base est raccordée à une prise intermédiaire d'un diviseur de tension formé par les résistances R21

et R22 placées entre la source de courant et la terre.

En conséquence, lorsque le condensateur commence à se décharger à travers Q20, le courant circulant et de ce fait le taux de décharge sont gouvernés par 14, qui est réglable à volonté. Le transistor Q34 fonctionne ici comme un seuil compensé de tension pour le fonctionnement de Q20 de façon à fixer d'une manière fiable l'instant o ce dernier devient conducteur. En outre, le transistor Q34 empêche la saturation du transistor formant la source 14, laquelle saturation soulèverait des problèmes de rapidité et de précision déjà mentionnés, que l'on cherche à éviter avec cette invention. En fait, à la fin de la décharge de C, Q34 sert à maintenir en situation dynamique la source 14, le courant 14 circulant à travers Q34 au lieu de circuler

à travers Q20-

En outre, tous les détails peuvent être remplacés par

d'autres techniquement équivalents.

Claims

Revendications.

1. Oscillateur résistance-capacité avec différents seuils de commutation, comprenant un élément capacitif raccordé à une borne de sortie de l'oscillateur, une source de courant alimentant cet élément capacitif et une section de commande différentielle raccordée à cet élément capacitif pour fixer les différents seuils de commutation auxquels cet élément capacitif commence alternativement à se charger et à se décharger, caractérisé en ce que cette section de commande comprend une multiplicité d'étages différentiels (Q26, Q27; Q28, Q29; Q30, Q31), chaque étage différentiel ayant une première et une deuxième entrée ainsi qu'une première et une deuxième borne de commande, les premières entrées des étages différentiels étant raccordées ensemble et à la borne de sortie de l'oscillateur, les

deuxièmes entrées de ces étages différentiels étant raccor-

dées chacune à un point différent dans la section de commande différentielle se trouvant à une tension de référence différente (Vs, VS", , VL), ces étages différentiels commutant entre un premier état et un deuxième état en fonction de la différence de tension entre la première entrée et la deuxième entrée, cette section de commande comprenant en outre une section pilote (Q20-Q25) interposée entre les premières et les deuxièmes bornes de commande de ces étages différentiels et ayant des moyens de commutation sensibles au premier état de commutation et au deuxième état de commutation de cet étage différentiel pour activer et désactiver sélectivement ces étages différentiels en

fonction de la tension de sortie de l'oscillateur.

2. Oscillateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la section de commande comporte en outre-un élément de commutation (Q32, Q33) ayant au moins une entrée de commande et au moins deux bornes pilotes, ces bornes pilotes étant respectivement raccordées à un premier et à un deuxième

étage différentiel (Q26, Q27; Q28, Q29) de cette multipli-

cité d'étages différentiels pour actionner sélectivement l'un d'entre eux en fonction de la valeur d'un signal

de commande extérieur (VT) amené à cet élément de commuta-

tion à son entrée de commande.

3. Oscillateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que cette section de commande comporte deux étages différentiels de seuils extrêmes, constituant un étage différentiel de seuil supérieur (Q26, Q27) et un étage différentiel de seuil inférieur (Q30, Q31), au moins un étage différentiel de seuil intermédiaire (Q28, Q29) et au moins un étage de commutation de seuil intermédiaire (Q32, Q33), cet étage de commutation de seuil intermédiaire ayant une entrée de commande et deux bornes pilotes, ces bornes

pilotes étant respectivement raccordées à l'étage différen-

tiel de seuil intermédiaire (Q28, Q29) et à l'un (Q26, Q27) de ces étages différentiels de seuils extrêmespour leur actionnement sélectif en fonction de la valeur d'un signal de commande extérieur (VT) amené à cet étage de commutation de seuil intermédiaire au niveau de son entrée

de commande.

4. Etage oscillateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étage de commutation de seuil intermédiaire comprend un autre étage différentiel ayant une paire de transistors (Q32, Q33) dont les bases sont raccordées respectivement à la deuxième entrée de commande et à une tension fixe, les bornes des collecteurs de cette paire de transistors étant raccordées à l'étage différentiel de seuil intermédiaire (Q28, Q29) et à l'un (Q26, Q27)

des étages différentiels de seuil extrême.

5. Oscillateur selon la revendication 3 ou la revendication 4, caractérisé en ce que les bornes de collecteur de cette

paire de transistors (Q32, Q33) sont raccordées respective-

ment à l'étage différentiel de seuil supérieur (Q26, Q27)

et à l'étage différentiel de seuil intermédiaire (Q28, Q29)-

6. Etage oscillateur selon l'une ou plusieurs des revendi-

cations précédentes, caractérisé en ce que l'étage pilote comporte une section de réglage (Q20-Q25) pour fixer l'étage différentiel de seuil inférieur (Q30, Q31), cette section de réglage ayant une entrée de commutation raccordée aux étages différentiels de seuil supérieur (Q26, Q27) et de seuil intermédiaire (Q28, Q29) et une sortie d'alimentation raccordée à l'étage différentiel de seuil inférieur (Q30, Q31), activant ainsi l'étage différentiel de seuil inférieur lorsque le signal présent à la borne de sortie atteint le seuil supérieur ou le seuil intermédiaire fixé, et soit l'étage différentiel de seuil supérieur, soit l'étage

différentiel de seuil intermédiaire commutant alors.

7. Etage oscillateur selon l'une ou plusieurs des revendica-

tions précédentes, caractérisé en ce que les étages diffé-

rentiels comportent des transistors du type NPN.

8. Etage oscillateur selon l'une ou plusieurs des revendica-

tions précédentes, caractérisé en ce que les différents points aux différentes tensions sont pris sur un diviseur

résistant (R15-R18).

9. Etage oscillateur selon l'une ou plusieurs des revendica-

tions précédentes, caractérisé en ce que les transistors (Q26; Q28; Q29) de cette multiplicité d'étages différentiels ayant une entrée commune et les transistors (Q27; Q29; Q31) de cette multiplicité raccordés aux différents points sont intégrés respectivement dans deux zones épitaxiales discrètes.