FR2571907A1 - Dispositif a onde acoustique de surface - Google Patents
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF A ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE. SELON L'INVENTION, IL COMPREND UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 7; UN FILM PIEZO-ELECTRIQUE 8 DISPOSE SUR LEDIT SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR; DES TRANSDUCTEURS D'ENTREE 2 ET DE SORTIE 3 DISPOSES AUX DEUX EXTREMITES DUDIT FILM PIEZO-ELECTRIQUE; UN CERTAIN NOMBRE D'ELECTRODES EN METAL 10 DISPOSEES ENTRE LESDITS TRANSDUCTEURS D'ENTREE ET DE SORTIE; UN MOYEN D'APPLICATION DE TENSION DE POLARISATION POUR APPLIQUER DES TENSIONS DE POLARISATION A CHACUNE DESDITES ELECTRODES EN METAL; ET UN MOYEN DE REGULATION DE LA TENSION DE POLARISATION POUR REGLER LESDITES TENSIONS DE POLARISATION. L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX FILTRES A SAW A BANDE VARIABLE, ET EN PARTICULIER POUR DES APPAREILS DE COMMUNICATION.
Description
i 2571907 La présente invention se rapporte à un dispositif à onde
acoustique de surface (ayant ci-après
pour abréviation SAW), comprenant un substrat semi-
conducteur, un film piézo-électrique disposé par-dessus et au moins une paire de transducteurs d'entrée/sortie disposés à proximité des extrémités de sa surface, et plus particulièrement à un dispositif à SAW utilisé comme filtre à SAW bande variable consistant en un certain nombre de filtres à SAW ayant des bandes différentes, une ligne à retard à SAW, etc. Le filtre à SAW est largement utilisé en tant que filtre à fréquence intermédiaire dans des téléviseurs
et filtres dans diverses sortes d'appareils de communi-
cation. Mais on l'utilise usuellement en tant que filtre
à bande fixe.
La figure 7 montre une vue en perspective indi-
quant la forme générale d'un filtre usuel à SAW, o le chiffre de référence 1 est un substrat piézo-électrique; 2' indique des électrodes en peigne constituant un transducteur d'entrée 2; et 3' indique des électrodes en
peigne constituant un transducteur de sortie 3.
Comme la bande d'un tel filtre est déterminée par la forme et le nombre de paires d'électrodes en peigne, c'est une constante propre au filtre à SAW, et il n'est pas possible de la faire varier. Cependant, des filtres à bande variable sont fortement souhaités dans des appareils de communication, o la bande des fréquences varie avec le temps,et divers types d'appareils de
communication multicanaux.
La figure 8(a) est une vue en plan illustrant un filtre à SAW à bande variable représentatif, o des articles correspondants sont indiqués par les mêmes
chiffres de référence que ceux de la figure 7; 4 repré-
sente un circuit de commutation; 5 représente la borne d'entrée; et 6 représente la borne de sortie. Dans le filtre à SAW indiqué sur la figure 8(a), un certain nombre de filtres à SAW sont montés sur un substrat de
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façon que les bandes des filtres soient adjacentes les unes aux autres, et l'une des bandes est choisie en commutant un circuit externe 4. La figure 8(b) montre des diagrammes représentant la relation entre la fréquence et la sortie, quand le contact du commutateur dans le circuit de commutation est en A, B, C, D et E, l'un
après l'autre sur la figure 8(a).
Pour un tel filtre selon l'art antérieur, un circuit externe 4 de commutation est inévitable, qui est problématique par rapport au prix de fabrication et à l'économie d'espace. De plus, il présente un inconvénient par le fait que la liberté de la forme de la bande passante est faible parce qu'elle est contrôlée uniquement
par une commutation et une décommutation.
Par ailleurs, la ligne à retard à SAW est utilisée pour le traitement de signaux dans des dispositifs à radar et en tant que ligne à retard dans un oscillateur à SAW. En particulier, le développement d'un dispositif pour lequel le retard peut être modifié, est souhaité, parce qu'un tel dispositif peut s'appliquer à un
oscillateur à fréquence variable et à un moyen d'annula-
tion de signaux fantômes pour un téléviseur.
Les figures 20 et 21 illustrent des dispositifs représentatifs de l'art antérieur utilisés comme
lignes à retard variable à SAW, o le chiffre de réfé-
rence 1 représente un substrat piézo-électrique; 2'
indique des électrodes en peigne constituant le trans-
ducteur d'entrée 2; 3A, 3B,... sont des électrodes en peigne constituant des transducteurs de sortie 3; 4 est un circuit de commutation; 5 est la borne d'entrée; et 6
est la borne de sortie.
La figure 20 illustre une ligne appelée à retard avec des prises, pour laquelle la surface du substrat peut être petite, mais qui présente l'inconvénient que des interférences entre des prises différentes se produisent du fait de la réflexion de la SAW à chacune des prises (électrodes en peigne de sortie 3A, 3B,...). Par ailleurs,
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pour le dispositif illustré sur la figure 21, bien que des interférences entre-les électrodes en peigne de sortie 3A, 3B,... soient faibles, elles présentent l'inconvénient qu'un grand substrat piézo-électrique 1 est nécessaire. Par ailleurs, pour les deux dispositifs, un circuit externe 4 pour la commutation est nécessaire et ainsi ils posent un problème par rapport au prix
de fabrication et à l'économie d'espac-e.
La présente invention a pour objet une ligne à retard à SAW à retard variable ne nécessitant pas de circuit externe et agissant en tant que dispositif amélioré à SAW ne présentant pas les inconvénients des
techniques antérieures ci-dessus décrites.
La présente invention a pour autre objet un filtre à SAW à bande variable ne nécessitant pas de circuit de commutation comme cela-est indiqué sur la
figure 8 et présentant une grande liberté.
Afin d'atteindre l'objectif de l'invention, un dispositif à SAW selon l'invention comprend des électrodes en métal entre les transducteurs d'entrée et de sortie sur un film piézo-électrique, un moyen pour appliquer des tensions de polarisation entre chacune desdites électrodes en métal et ledit substrat semiconducteur et un moyen pour contrôler lesdites tensions de
polarisation.
La partie o les électrodes en métal sont
disposées a une structure appelée MIS (Métal/Isolant/Semi-
conducteur) monolithique. Une SAW se propageant dans une telle structure varie considérablement en perte de propagation, selon les tensions de polarisation appliquées entre les électrodes en métal et le semiconducteur La figure 9 montre un exemple des relations entre la perte de propagation et la tension de polarisation avec comme paramètre la température. Comme cela est indiqué sur cette figure, la perte de propagation augmente rapidement dans un certain domaine de tension. Le domaine o la SAW est rapidement atténuée correspond à un domaine,
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de tension o la surface du semiconducteur (interface substance piézoélectrique/corps semiconducteur) est fortement inversée. La figure 10 illustre une comparaison d'une courbe caractéristique C-V (caractéristique capacité-tension) (courbe b) avec la perte de propagation (courbe a). Comme on peut le voir sur la figure, la perte de propagation augmente rapidement lorsque la surface du semiconducteur est fortement inversée
(domaine du côté gauche de la ligne en pointillé).
Par conséquent, en appliquant une tension impor-
tante de polarisation produisant un domaine fortement
inversé aux électrodes en métal, il est possible d'inter-
rompre la SAW à ce domaine. Par ailleurs, comme elle sert d'atténuateur variable selon la tension de polarisation, lorsque la tension appliquée de polarisation n'est pas
si importante, il est possible d'obtenir des caracté-
ristiques de bande ayant une grande liberté et de faire varier continuellement la perte de propagation de la SAW en réglant les tensions de polarisation appliquées à
chacune des électrodes en métal.
L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaîtront plus clairement au cours de la description
explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: - la figure 1 est une vue en perspective d'un filtre à SAW à bande variable selon un mode de réalisation de l'invention; - la figure 2 est un diagramme montrant la relation entre la sortie'sur l'axe des ordonnées et la fréquence sur l'axe des abscisses; - la figure 3 est une vue en plan d'un filtre à SAW selon un autre mode de réalisation de l'invention; - les figures 4, 5 et 6 sont des vues partielles et en plan de filtres à SAW selon trois autres modes de
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réalisation différents de l'invention; - la figure 7 est une vue en perspective d'un filtre à SAW à bande fixe selon l'art antérieur; - les figures 8A et B sont respectivement une vue en plan d'un filtre à SAW à bande variable selon l'art antérieur et un diagramme illustrant la relation entre la sortie sur l'axe des ordonnées et la fréquence sur l'axe des abscisses; - la figure 9 montre des graphiques illustrant la relation entre la perte de propagation sur l'axe des ordonnées et la tension de polarisation sur l'axe des abscisses avec la température comme paramètre; - la figure 10 montre des graphiques illustrant la relation entre la tension de polarisation sur l'axe des abscisses et la perte de propagation sur l'axe des ordonnées ainsi que la capacité à haute fréquence; - la figure 11 est une vue en perspective illustrant une ligne à retard variable à SAW selon un mode de réalisation de la présente invention; - la figure 12 est une vue en plan illustrant une ligne à retard variable à SAW selon un autre mode de réalisation de la présente invention; - les figures 13 à 16 sont des vues partielles en plan de lignes à retard variable à SAW selon quatre autres modes de réalisation de la présente invention; - les figures 17 à 19 sont des vues en coupe transversale de lignes à retard variable à SAW selon trois autres modes de réalisation de l'invention; et - les figures 20 et 21 sont des vues en plan illustrant deux lignes à retard variable à SAW selon
l'art antérieur.
Ci-après, l'invention sera décrite en plus de détail à la lumière de certains modes de réalisation, en se référant aux dessins, mais ils ne sont en aucun cas limitatifs et on comprendra que diverses modifications et améliorations sont possibles sans s'écarter du cadre
de l'invention.
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La figure 1 est une vue en perspective illustrant un mode de réalisation de filtres à SAW à bande variable en tant que dispositifs à SAW selon l'invention. Sur la figure, les articles correspondants sont désignés par les mêmes chiffres de référence que ceux de la figure 8. Un substrat semiconducteur 7 et un film piézo-électrique 8
qui y est disposé constituent un substrat piézo-électrique 1.
Sur l'autre surface, qui est opposée au film piézo-
électrique 8, du substrat semiconducteur 7, est disposée
une électrode côté arrière 9 qui est mise à la masse.
A une extrémité de la surface du substrat piézo-électrique 1 sont disposées des électrodes 2' en peigne constituant le transducteur d'entrée 2 et à l'autre extrémité des
électrodes en peigne 3A, 3B, 3C, 3D constituant le trans-
ducteur de sortie 3, qui sont formées de façon que chacune d'elles réponde uniquement à une SAW ayant l'une
des bandes correspondantes, qui diffère des autres.
Toutes les électrodes de sortie en peigne 3A, 3B, 3C, 3D
sont connectées à la borne de sortie 6. Entre les élec-
trodes en peigne d'entrée 2' et les électrodes en peigne de sortie 3A, 3B, 3C, 3D sont disposées des électrodes en métal lOA, 108, 0lC, 0lD. Pour chacun des filtres, l'une des tensions de polarisation VA, VB, VC, VD est appliquée entre chacune des électrodes en métal et l'électrode côté arrière 9. On fait varier la bande de
tout le filtre en contrôlant chaque tension de polarisation.
Lorsque les tensions de polarisation VA, VB, VC, Vc appliquées aux électrodes en métal lOA, lOB, lOC, lOD sont modifiées, la perte de propagation due à l'insertion de chacun des filtres varie et par conséquent toute la bande passante peut être établie différemment en combinant
différemment les tensions de polarisation.
La figure 2 montre les variations de la perte de propagation due à l'insertion des filtres dans les bandes A, B, C et D en fonction de la fréquence pour différentes tensions de polarisation. Les tensions de polarisation peuvent être établies arbitrairement de façon qu'une
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sortie puisse être obtenue, par exemple, telle qu'indiquée
en trait plein.
Dans le dispositif indiqué sur la figure 1, le transducteur de sortie 3 est divisé en un certain nombre de paires d'électrodes en peigne de façon que toute la puissance de sortie soit extraite en tant que la somme des sorties en parallèle, mais en outre une structure
telle qu'indiquée sur la figure 3 est possible.
Sur la surface côté arrière du dispositif indiqué sur la figure 1 est disposée une électrode côté arrière, qui est à la masse, juste comme on l'a décrit dans le mode de réalisation qui précède et les tensions de polarisation VA, VB, V, VD et VE sont appliquées
aux électrodes en métal lOA, lOB, lOC, lOD et 10E, respec-
tivement, de la même manière qu'elles le sont pour le mode de réalisation qui précède. La différence entre le dispositif indiqué sur la figure 3 et celui indiqué sur
la figure 1 réside uniquement dans le fait que le trans-
ducteur de sortie 3 ne se compose que de deux électrodes en peigne 3' et que le pas des électrodes en peigne 3'
varie de manière discontinue dans la direction perpen-
diculaire à la direction de propagation de SAW. Chacun des pas des électrodes correspond à l'une des bandes A, B, C, D et E et ainsi le dispositif indiqué sur la figure 3 fonctionne de la même manière que celui indiqué sur la figure 1. L'avantage de cette forme réside dans le fait que les bandes peuvent être conçues de manière plus précise et que les étapes de liaison pour prélever la
sortie vers l'extérieur peuvent être réduites.
Par ailleurs, si les électrodes en métal 10 sont formées pour être plus fines et disposées pour être très proches les unes des autres et si le pas des électrodes en peigne 3' varie continuellement dans la direction perpendiculaire à la direction de propagation de SAW, il est possible d'ajuster arbitrairement la bande passante
en choisissant la distribution des tensions de polarisation.
Le substrat semiconducteur dans les dispositifs indiqués
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sur les figures 1, 3 et 4 peut comprendre un film isolant tel qu'un film d'oxyde, un film de nitrure, etc.,
obtenu par oxydation ou nitruration de sa surface.
Par ailleurs, le matériau des électrodes en métal peut être le même que celui des électrodes en peigne et par la fabrication, elles sont produites par le même procédé (procédé photolithographique) et en même
temps que les électrodes en peigne.
Par ailleurs, bien que le transducteur d'entrée 1O indiqué sur les figures 1, 3 et 4 ne se compose que de deux électrodes en peigne, qui sont communes à tous les filtres, il peut se composer d'un certain nombre de paires d'électrodes en peigne 2A, 2B, 2C, 2D comme cela
est indiqué sur la figure 5, ayant les mêmes caractéris-
tiques d'entrée.
Par ailleurs, le transducteur d'entrée peut se composer d'un certain nombre de paires d'électrodes en
peigne 2A, 2B, 2C, 2D ayant des caractéristiques diffé-
rentes d'entrée. Cependant, dans ce cas, chaque paire d'électrodes en peigne doit être adaptée en utilisant des
circuits séparés d'adaptation llA, 1LB, 11C, llD.
De plus, il est souhaitable de former la surface extrême des électrodes en métal 10A,lOB,... de façon qu'elle soit inclinée par rapport à la direction de propagation de SAW, parce que les influences de la réflexion
de SAW à la surface extrême sont réduites de cette façon.
La figure 11 est une vue en perspective de lignes à retard variable à SAW en tant que dispositifs à SAW
selon l'invention.
Un semiconducteur 7 et un film piézo-électrique 8
qui y est disposé constituent un substrat piézo-
électrique 1. Sur l'autre surface, qui est opposée au film piézoélectrique 8, du substrat semiconducteur 7, est disposée une électrode 9 côté arrière qui est mise à
la terre.A une extrémité de la surface du substrat piézo-
électrique 1 sont disposées des électrodes en peigne 2' constituant le transducteur d'entrée 2 et à l'autre
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extrémité des électrodes en peigne 3A, 3B, 3C, 3D constituant le transducteur de sortie 3. Les distances entre les électrodes 3A, 3B, 3C, 3D et les électrodes en peigne 2 sont différentes les unes des autres, donc les temps nécessaires pour que la SAW émise par le trans- ducteur 2 atteigne les transducteurs de sortie 3A, 3B, 3C,
3D sont différents les uns des autres. Toutes les élec-
trodes 3A, 3B, 3C, 3D sont connectées à la borne de sortie 6. Des électrodes en métal 10A, lOB, 10C et 10D sont montées sur les trajectoires de propagation de SAW du transducteur d'entrée 2 aux électrodes 3A, 3B, 3C et 3D respectivement et des tensions de polarisation VA, VB, VC et VD sont appliquées à ces électrodes en métal, respectivement. Selon le principe de fonctionnement décrit ci-dessus, lorsque les tensions de polarisation VA, VB, VC, VD sont établies de façon que la surface du substrat semiconducteur soit fortement inversée, les SAW se propageant dans les parties sous les électrodes en métal 10A, lOB, 10C, 10D s'atténuent rapidement. Au contraire, en établissant les tensions de polarisation de façon que la surface du substrat semiconducteur soit à l'état d'épuisement ou faiblement inversée ou bien à un état suffisamment chargé, il est également possible de rendre l'atténuation de SAW suffisamment faible. En conséquence, en contrôlant les tensions de polarisation VA, VB, VC, VD appliquées aux électrodes en métal 10A, lOB, O10C, 10D, il est possible de commuter/décommuter la SAW atteignant les électrodes en peigne de sortie 3A, 3B, 3C, 3D. Par ailleurs, comme il est également possible de faire varier continuellement la perte de propagation de SAW en réglant les tensions de polarisation VA, VB, VC, VD, le niveau de sortie de chacune des lignes à
retard peut être contrôlé de manière appropriée.
Dans ce cas, comme il est possible de contrôler la propagation de SAW uniquement en commutant les tensions de polarisation, le dispositif selon l'invention présente l'avantage que son circuit peut être simplifié par
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rapport à celui du dispositif selon l'art antérieur, par
lequel la commutation de SAW est effectuée par la commu-
tation de signaux radiofréquences. Par ailleurs, comme le substrat semiconducteur est meilleur marché et que des substrats de grande dimension sont disponibles plus facilement par rapport au corps piézoélectrique, le substrat selon cette invention présente l'avantage qu'il peut être fabriqué à un moindre prix que le substrat
utilisé par les techniques antérieures.
Bien que dans le dispositif illustré sur la figure 11, le transducteur de sortie 3 soit divisé en un certain nombre de paires d'électrodes en peigne 3A, 3B, 3C, 3D et que la sortie finale soit extraite sous la forme d'une sortie résultante de plusieurs circuits connectés en parallèle, la structure telle qu'illustrée
sur la figure 12 est également possible.
Dans le dispositif illustré sur la figure 12, le transducteur de sortie 3 se compose d'une paire d'électrodes en peigne 3', qui sont construites sous la
forme de marches de façon que la distance entre le trans-
ducteur d'entrée et les électrodes en peigne de sortie dans la direction de propagation de SAW varie de manière discontinue dans la direction perpendiculaire à la direction de propagation de SAW. I1 est clair que le
dispositif illustré sur la figure 12 fonctionne complète-
ment de la même manière que celui illustré sur la
figure 11.
Par ailleurs, les électrodes de sortie en peigne 3' peuvent être formées comme cela est illustré sur la
figure 13.
Dans les dispositifs illustrés sur les figures 12 et 13, les électrodes en peigne 3' du transducteur de sortie 3 sont disposées de façon que la distance entre les électrodes en peigne 2' du transducteur d'entrée 2 et les électrodes en peigne 3' du transducteur de sortie 3 varie de manière discontinue ou continue dans la direction
perpendiculaire à la direction de propagation de SAW.
il 2571907 De cette façon, il est possible d'obtenir les avantages que le retard peut être réglé plus précisément et que
les étapes de liaison pour prélever la sortie vers l'exté-
rieur peuvent être réduites.
De même, le transducteur d'entrée 2 peut être divisé en un certain nombre d'électrodes 2A, 2B, 2C, 2D comme cela est indiqué sur la figure 14 ou bien une seule paire d'électrodes 2' peut être construite sous la forme de marches, comme cela est indiqué sur la figure 15 ou bien elles peuvent être disposées en étant inclinées par rapport à la trajectoire de propagation de SAW, comme
cela est indiqué sur la figure 16.
Par ailleurs, il est souhaitable que les surfaces extrêmes des électrodes en métal IOA, lOB,... soient inclinées par rapport à la direction de propagation de SAW, parce que de cette façon les influences de la réflexion
de SAW aux surfaces extrêmes sont réduites.
Le substrat semiconducteur 7 utilisé pour cette invention peut être couvert d'un film isolant 11, comme un film d'oxyde, un film de nitrure, par exemple en oxydant ou en nitrifiant sa surface, comme cela est
indiqué sur la figure 17.
De plus, pour le substrat piézo-électrique 1, comme cela est illustré sur la figure 18, la trajectoire de propagation de SAW peut être subdivisée en deux régions,
dans l'une d'entre elles les électrodes en métal lOA, lOB,..
sont disposées pour contrôler la propagation de SAW et dans l'autre un film en métal 12 est disposé à l'interface
entre le film piézo-électrique 8 et le substrat semi-
conducteur 7 ou le film isolant 11. Pour une telle structure, dans la partie o un film en métal 12 existe,
le potentiel de SAW est protégé et ainsi le substrat semi-
conducteur et SAW n'interfèrent pas l'un avec l'autre.
Cette structure est avantageuse, lorsqu'il faut un long temps de retard, parce que l'atténuation de SAW est
extrêmement faible.
Par ailleurs, comme cela est indiqué-sur la
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figure 19, il est également possible d'utiliser une
autre structure du substrat, par laquelle le film piézo-
électrique est disposé sur la partie o les électrodes
d'entrée en peigne 2' et les électrodes en métal 10A, lOB,..
existent et il ne se trouve pas sur les trajectoires de propagation de SAW entre elles. Cette structure est
avantageuse, comme celle indiquée sur la figure 19,lors-
qu'il faut un long temps de retard, parce que SAW se propage à travers le substrat semiconducteur en cristal 7, lO o le film piézo-électrique 8 n'existe pas et ainsi
l'atténuation de SAW y est extrêmement faible.
Comme on l'a explique ci-dessus, selon l'invention, des économies de place et une réduction de prix peuvent être obtenues par rapport aux filtres à SAW à bande variable selon l'art antérieur, parce qu'il n'est pas nécessaire de disposer des éléments de commutation
séparément pour chacun des filtres pour choisir arbitrai-
rement une sortie. Dans le dispositif selon cette invention, comme une fonction équivalente à la commutation peut être réalisée uniquement par commutation/décommutation des tensions de polarisation, le circuit luimême est simplifié. Par ailleurs, comme la perte de propagation pour chacune des bandes peut être modifiée d'une manière analogue en contrôlant les tensions de polarisation d'une manière analogue, dans son ensemble, on peut obtenir des
caractéristiques de bande de grande liberté.
Des filtres à SAW selon l'invention peuvent être appliqués à toutes sortes d'appareils o l'on utilise des filtres à SAW. Cependant, ils sont particulièrement utiles pour des appareils de communication,dans lesquels la bande des fréquences varie dans le temps, comme CATV,
un satellite de communication, un relais, un émetteur-
récepteur et pour des appareils de communication multi-
canaux(CATV: télévision par cable coaxial).
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Claims (12)
1.- Dispositif à onde acoustique de surface, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semiconducteur (7); un film piézo-électrique (8) disposé sur ledit substrat semiconducteur; un transducteur d'entrée (2) et un de sortie (3) disposésaux deux extrémités dudit film piézo- électrique; un certain nombre d'électrodes en métal (10) disposées entre lesdits transducteurs d'entrée et de sortie; un moyen d'application de tension de polarisation pour appliquer des tensions de polarisation à chacune desdites électrodes en métal; et
un moyen de régulation de la tension de polarisa-
tion pour régler lesdites tensions de polarisation.
2.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transducteur d'entrée précité comprend au moins une paire d'électrodes en peigne (2') et le transducteur de sortie comprend un certain nombre de paires d'électrodes en peigne de sortie (3A, 3B, 3C, 3D) qui sont disposées de façon que chacune d'entre elles
corresponde à chacune des électrodes en métal.
3.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les transducteurs d'entrée et de sortie se composent d'une paire d'électrodes en peigne
respectivement, lesdites électrodes en peigne du trans-
ducteur de sortie étant formées de façon que le pas des électrodes varie de manière discontinue dans la direction perpendiculaire à la direction de propagation de l'onde
acoustique de surface.
4.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les transducteurs d'entrée et de
sortie se composent de deux électrodes en peigne respecti-
vement, les électrodes en métal étant fines et disposées
14 2571907
de manière dense; lesdites électrodes en peigne du transducteur de sortie étant formées de façon que le pas des électrodes varie de manière continue dans la direction perpendiculaire à la direction de propagation de l'onde acoustique de surface.
5.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transducteur d'entrée se compose d'un certain nombre de paires d'électrodes en peigne d'entrée ayant des caractéristiques identiques d'entrée, qui sont disposées de façon que chacune d'entre elles
corresponde à chacune des électrodes en métal.
6.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transducteur précité d'entrée se compose d'un certain nombre de paires d'électrodes d'entrée en peigne ayant des caractéristiques différentes d'entrée, qui sont disposées de façon que chacune d'entre elles corresponde à chacune des électrodes en métal, chaque paire des électrodes en peigne d'entrée recevant
des signaux d'entrée par un circuit d'adaptation (11).
7.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transducteur d'entrée précité comprend au moins une paire d'électrodes en peigne et le transducteur de sortie précité se compose d'un certain nombre de paires d'électrodes en peigne, qui sont disposées de façon que chacune d'entre elles corresponde à chacune des électrodes en métal, ainsi les trajectoires de propagation de l'onde acoustique de surface entre des
électrodes d'entrée et de sortie en peigne sont différentes.
8.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les transducteurs d'entrée et de sortie précités comprennent au moins une paire d'électrodes
en peigne d'entrée et de sortie respectivement, et les-
dites électrodes en peigne de sortie sont disposées de façon que la distance entre lesdites électrodes d'entrée et de sortie varie continuellement ou de manière discontinue dans la direction perpendiculaire à la
direction de propagation de l'onde acoustique de surface.
2571907
9.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la-surface extrême de chacune des électrodes en métal précitées est formée pour être inclinée par rapport à la direction de propagation de l'onde acoustique de surface.
10.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un film isolant (11) est disposé entre le substrat semiconducteur précité et le film
piézo-électrique précité.
11.- Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'un film en métal (12) est disposé entre les électrodes en métal précitées et le transducteur
de sortie précité sur le film isolant précité.
12.- Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que le film piézo-électrique précité est retiré dans une région entre les électrodes en métal
précitées et le transducteur de sortie précité.
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2824371A1 (de) * | 1977-06-03 | 1979-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Akustisches oberflaechenwellenfilter |
| FR2403689A1 (fr) * | 1977-09-20 | 1979-04-13 | Thomson Csf | Dispositif a ondes elastiques de surface pour le traitement de signaux haute frequence |
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|---|---|---|---|---|
| DE2609883A1 (de) * | 1975-03-11 | 1976-09-30 | Murata Manufacturing Co | Wellenfilter mit akustischer oberflaechenleitung |
| JPS62105514A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 弾性表面波フイルタバンク |
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1985
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2824371A1 (de) * | 1977-06-03 | 1979-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Akustisches oberflaechenwellenfilter |
| FR2403689A1 (fr) * | 1977-09-20 | 1979-04-13 | Thomson Csf | Dispositif a ondes elastiques de surface pour le traitement de signaux haute frequence |
| GB2068672A (en) * | 1979-12-24 | 1981-08-12 | Clarion Co Ltd | Surface-acoustic-wave parametric device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0279349A2 (fr) * | 1987-02-17 | 1988-08-24 | Electronic Decisions Incorporated | Dispositifs acoustiques complémentaires à transport de charges et méthode |
| EP0279349A3 (en) * | 1987-02-17 | 1990-01-10 | Electronic Decisions Incorporated | Complementary acoustic charge transport devices and method |
| US5420448A (en) * | 1987-02-17 | 1995-05-30 | Electronic Decisions Incorporated | Complementary acoustic charge transport device and method |
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