FR2551228A1 - Element photoconducteur pour electrophotographie - Google Patents

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN ELEMENT PHOTOCONDUCTEUR DESTINE NOTAMMENT A DES MACHINES DE COPIE PAR ELECTROPHOTOGRAPHIE. IL COMPREND UN SUBSTRAT 101 RECOUVERT D'UNE COUCHE 102 DE RECEPTION DE LA LUMIERE QUI EST CONSTITUEE D'UNE PREMIERE REGION 103 COMPRENANT UNE MATIERE AMORPHE CONTENANT DES ATOMES DE GERMANIUM ET D'UNE SECONDE REGION 104 QUI EST PHOTOCONDUCTRICE ET QUI COMPREND UNE MATIERE AMORPHE CONTENANT DES ATOMES DE SILICIUM. LA COUCHE 102 CONTIENT EGALEMENT DES ATOMES D'OXYGENE AINSI QU'UNE SUBSTANCE DETERMINANT LA CONDUCTIVITE ET DONT LA TENEUR EST DISTRIBUEE DE FACON A ETRE MAXIMALE DANS LA SECONDE REGION 104 OU A L'INTERFACE DE CETTE REGION 104 AVEC LA PREMIERE REGION 103. DANS LA SECONDE REGION 104, LA SUBSTANCE EST DISTRIBUEE DE FACON A SE TROUVER EN PLUS GRANDE QUANTITE VERS LE COTE DU SUBSTRAT 101. DOMAINE D'APPLICATION : MACHINES DE COPIE PAR ELECTROPHOTOGRAPHIE, ETC.

Description

L'invention concerne un élément photoconducteur sensible aux ondes

électromagnétiques telles que la-lumière lce terme étant utilisé ici au sens large englobant les

rayons ultraviolets, la lumière visible, les rayons infra5 rouges, les rayons X, les rayons gamma et autresl.

Les matières photoconductrices, qui constituent des couches photoconductrices dans des dispositifs analyseurs d'image à semiconducteur, des éléments de formation d'image pour électrophotographie dans le domaine de la 10 formation des images ou des dispositifs de lecture de manuscrits et autres, doivent avoir une sensibilité élevée, un rapport signal/bruit élevé lcourant photoélectrique (Ip)/courant d'obscurité (Id)l, des caractéristiques spectrales correspondant à celles des ondes électromagné15 tiques devant les irradier, une réponde rapide à la lumière, une valeur de résistance d'obscurité souhaitée ainsi qu'une inocuité envers le corps humain pendant qu'ils sont utilisés En outre, dans un dispositif analyseur d'image à semi-conducteur, il faut également que l'image résiduelle puisse être aisément traitée en un temps prédéterminé En particulier, dans le cas d'un élément de formation d'image pour électrophotographie devant être monté dans un dispositif électrophotographique à utiliser dans un

appareil de bureau, la caractéristique précitée d'inocuité 25 est très importante.

Du point de vue mentionné ci-dessus, le silicium amorphe ldésigné ciaprès a-Sil a récemment attiré l'attention en tant que matière photoconductrice Par exemple, les demandes allemandes DOS n 2 746 967 et n 2 855 718 décrivent des applications du a-Si à une utilisation dans des éléments de formation d'image pour électrophotographie, et la demande allemande DOS n 2 933 411 décrit une application du a-Si à une utilisation dans un dispositif de

lecture à transduction photoélectrique.

Cependant, dans la situation présente, les éléments photoconducteurs de l'art antérieur comportant des couches photoconductrices constituées de aSi doivent encore faire l'objet de perfectionnements portant sur l'équilibre de leurs caractéristiques globales comprenant les caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices telles que la valeur de résistance d'obscurité, la 5 photosensibilité et la réponse à la lumière, etc, et les caractéristiques vis-à-vis du milieu ambiant pendant l'utilisation, telles que la résistance à l'humidité, ainsi

que la stabilité dans le temps.

Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur 10 ci-dessus est appliqué à un élément de formation d'image pour électrophotographie, on observe souvent la subsistance d'un potentiel résiduel, pendant son utilisation, si l'on prévoit de procéder simultanément à des améliorations accroissant la photosensibilité et la résistance d'obscu15 rité Lorsqu'un tel élément photoconducteur est utilisé de façon répétée pendant une longue durée, il apparaît divers inconvénients tels qu'une accumulation de fatigues, par des utilisations répétées ou un phénomène dit de formation

d'image fantôme ou secondaire, selon lequel des images 20 résiduelles sont formées.

En outre, le a-Si possède un coefficient d'absorption de la lumière, sur le côté des plus grandes longueurs d'onde du spectre de la lumière visible, relativement inférieur à celui qu'il présente sur le côté des longueurs 25 d'onde plus courtes Par conséquent, lors d'une association avec le laser à semi-conducteur utilisé en pratique à l'heure actuelle, la lumière du côté des plus grandes longueurs d'onde ne peut être utilisée efficacement, lorsque l'on met en oeuvre une lampe à halogène ou une lampe à 30 fluorescence comme source de lumière Par conséquent,

divers points restent à améliorer.

Par ailleurs, lorsque la lumière d'exposition n'est pas suffisamment absorbée dans la couche photoconductrice, mais que la quantité de lumière atteignant le 35 substrat est augmentée, une interférence due à des réflexions multiples peut se produire dans la couche photoconductrice et peut être à l'origine d'une image

2551228,

"non au point" dans le cas o le substrat lui-même présente une réflectance élevée vis-à-vis de la lumière transmise à

travers la couche photoconductrice.

Cet effet est augmenté si l'on diminue la dimen5 sion du point irradié pour améliorer la résolution, ce qui pose un problème grave dans le cas de l'utilisation d'un

laser à semi-conducteur comme source de lumière.

En outre, des matières du type a-Si à utiliser pour la constitution de ia couche photoconductrice peuvent 10 contenir, en tant qu'atomes constitutifs, des atomes d'hydrogène ou des atomes d'halogène tels que des atomes de fluor, de chlore, etc destinés à améliorer leurs caractéristiques électriques et photoconductrices,des atomes de bore, de phosphore, etc destinés à déterminer ou établir 15 le type de conduction électrique, ainsi que d'autres atomes destinés à améliorer d'autres caractéristiques Suivant la façon dont ces atomes constitutifs sont contenus, il peut apparaître parfois des problèmes concernant les caractéristiques

électriques ou photoconductrices de la couche formée.

Ainsi, par exemple, dans de nombreux cas, la durée de vie des photoporteurs générés par une exposition à la lumière de la couche photoconductrice formée est insuffisante, ou bien, dans la partie sombre, les charges injectées

depuis le côté du support ne peuvent être suffisamment 25 arrêtées.

Par conséquent, en même temps que l'on tente d'améliorer les caractéristiques d'une matière du type a-Si proprement dites, d'une part, il faut également tenter de résoudre tous les problèmes tels que ceux mentionnés ci-dessus lors de la conception de l'élément photoconducteur,

d'autre part.

Compte tenu des points précédents, l'invention offre le résultat d'études étendues portant à la fois sur les points constitués par les possibilités d'application 35 et l'utilité du a-Si en tant qu'élément photoconducteur pour éléments de formation d'image pour électrophotographie, dispositifs analyseurs d'image à semi-conducteur, dispositifs de lecture, etc On a à présent trouvé qu'un élément photoconducteur ayant une constitution stratifiée comprenant une couche de réception de la lumière présentant une certaine photoconductivité, qui comprend du a-Si, en parti5 culier une matière amorphe contenant au moins un atome d'hydrogène (H) et un atome d'halogène (X) dans une matrice d'atomes de silicium, telle qu'une matière appelée composé hydrogéné de silicium amorphe, composé halogéné de silicium amorphe ou composé hydrogéné de silicium amorphe contenant un halogène ldésignés ci-après globalement a-Si(H,X)l, ledit élément photoconducteur étant préparé, de par sa conception, de façon à posséder une structure particulière telle que décrite ci-après, non seulement présente des caractéristiques pratiques tout à fait excellentes, mais surpasse également les éléments photoconducteurs/del'art antérieur pratiquement en tout point, en particulier par le fait qu'il présente des caractéristiques tout à fait excellentes en tant qu'élément photoconducteur pour électrophotographie, ainsi

que d'excellentes caractéristiques de spectre d'absorption 20 sur le côté des grandes longueurs d'onde.

L'invention a pour objet principal un élément photoconducteur présentant des caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices qui restent constamment stables, dans tout type de milieux ambiants, en ne dépendant 25 pratiquement pas des milieux ambiants dans lesquels il est utilisé, lequel élément est notamment excellent en ce qui concerne la résistance à la fatigue par la lumière, les caractéristiques de photosensibilité aux ondes du côté des grandes longueurs, ainsi qu'une excellente longévité, 30 sans présenter de phénomènes de détérioration lors d'utilisations répétées, cet élément ne présentant également pas

ou pratiquement pas de potentiel résiduel observé.

L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur à haute photosensibilité sur la totalité du spectre de la lumière visible, cet élément étant particulièrement excellent dans son adaptation à un laser à semiconducteur et ayant également une réponse rapide à la lumière. L'invention a également pour objet un élément photoconducteur qui possède une aptitude suffisante à retenir les charges lors d'un traitement par charges pour la formation d'images électrostatiques, cette aptitude à la retenue des charges étant telle qu'ellepermet d'appliquer très efficacement un procédé électrophotographique classique lorsque cet élément est utilisé en tant qu'élément de

formation d'image pour électrophotographie.

L'invention a également pour objet un élément photoconducteur pour électrophotographie qui peut aisément produire une image de haute qualité, de densité élevée, claire dans les demi-teintes, de haute résolution et

exempte d'image "non au point".

L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur à haute photosensibilité et rapport signal/bruit élevé. Conformément à l'invention, il est prévu un élément photoconducteur comprenant un substrat destiné à 20 un tel élément photoconducteur et une couche de réception de la lumière appliquée sur le substrat et présentant une constitution stratifiée dans laquelle une première région (G) de la couche, comprenant une matière amorphe contenant des atomes de germanium, et une seconde région (S) de la 25 couche, qui est photoconductrice et qui comprend une matière amorphe contenant des atomes de silicium, sont appliquées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du substrat, ladite couche de réception de la lumière contenant des atomes d'oxygène en même temps qu'une substance destinée à déterminer ou établir la conductivité (C), dans un état distribué tel que, dans ladite couche de réception de la lumière, la valeur maximale C(PN)max de la teneur de ladite substance (C), dans la direction de l'épaisseur de la couche, soit présente dans ladite seconde région (S), ou à l'interface avec la première région (G) et, dans ladite seconde région (S), ladite substance (C) soitrépartie de façon à se trouver en plus

grande quantité sur le côté du substrat.

L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: les figures 1 et 41 sont des coupes transversales schématiques montrant la constitution stratifiée de deux formes préférées de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention; les figures 2 à 10 montrent chacune schématique10 ment les profils de profondeur des atomes de germanium dans la première région (G) de la couche; les figures 11 à 24 montrent chacune schématiquement les profils de profondeur d'atomes d'impureté; les figures 25 à 40 montrent schématiquement les 15 profils de profondeur des- atomes d'oxygène; la figure 42 est un schéma d'un dispositif utilisé dans la présente invention; et les figures 43 à 46 sont des illustrations

schématiques des profils de profondeur d'atomes respectifs 20 dans les exemples de la présente invention.

La figure 1 est une coupe schématique illustrant

la constitution stratifiée d'une première forme de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention.

L'élément photoconducteur 100 représenté sur la 25 figure 1 est constitué d'une couche 102 de réception de la lumière formée sur un substrat 101 pour élément photoconducteur, ladite couche 102 présentant une surface libre 105

à une extrémité.

La couche 102 de réception de la lumière présente 30 une structure stratifiée constituée d'une première région (G) 103 de la couche, comprenant des atomes de germanium, et si cela est souhaité, au moins l'un des atomes de silicium (Si), des atomes d'hydrogène (H) et des atomes d'halogène (X) (cette matière étant désignée ci-après par 35 la forme abrégée "a-Ge(Si,H,X)"), et d'une seconde région (S) 104 de la couche qui est photoconductrice et qui est

551228 '

constituée de a-Si(H,X), les deux régions étant appliquées

l'une à la suite de l'autre à partir du côté 101 du substrat.

La couche 102 de réception de la lumière contient des atomes d'oxygène en même temps qu'une substance desti5 née à établir ou déterminer la conductivité (C), cette substance (C) étant contenue dans un état réparti tel que, dans la couche 102 de réception de la lumière, la valeur maximale C(PN)max de la teneur de ladite substance (C) dans la direction de l'épaisseur de la couche soit présente 10 dans la seconde région (S) et que, dans cette seconde région (S), cette substance soit distribuée de façon à se

trouver en plus grande quantité sur le côté du substrat 101.

Les atomes de germanium contenus dans la première région (G) de la couche sont répartis de façon uniforme dans la direction interfaciale, parallèle à la surface du substrat, mais ils peuvent être répartis de façon uniforme ou non uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche. De plus, lorsque la distribution des atomes de 20 germanium contenus dans la première région (G) n'est pas uniforme, il est souhaitable que la teneur C dans la direction de l'épaisseur soit modifiée vers le côté du substrat ou vers le côté de la seconde région (S) de la

couche, progressivement ou pas à pas, ou encore linéaire25 ment.

En particulier, dans le cas o la distribution des atomes de germanium dans la première région (G) est modifiée de façon que les atomes de germanium soient distribués en continu sur la totalité de la région, la 30 teneur C en atomes de germanium dans la direction de l'épaisseur de la couche étant réduite du côté du substrat

vers la seconde région (S) de la couche, l'affinité entre les première et seconde régions (G) et (S) est excellente.

De plus, comme décrit ci-après, en augmentant la teneur C 35 des atomes de germanium à la partie extrême du côté du substrat afin de lui donner une valeur extrêmement grande, la lumière du côté des plus grandes longueurs d'onde, qui ne peut pratiquement être absorbée par la Seconde région (S), peut être absorbée dans la première rgion (G) à peu près totalement lorsque l'on utilise un laser à semiconducteur, ce qui permet d'éviter toute interférence par réflexion sur la surface du substrat et de supprimer suffisamment la réflexion à l'interface entre la région

(G) et la région (S) de la couche.

De plus, dans l'élément photoconducteur de la présente invention, les matières amorphes respectives constituant la première région (G) et la seconde région (S) de la couche ont pour constituant commun des atomes de silicium et, par conséquent, une stabilité chimique

suffisante peut être assurée à l'interface de la stratification.

Les figures 2 à 10 montre des exemples typiques d'une distribution non uniforme, dans la direction de l'épaisseur de la couche, des atomes de germanium contenus dans la première région (G) de la couche de l'élément

photoconducteur de la présente invention.

Sur les figures 2 à 10, on indique en abscisses la teneur C des atomes de germanium et en ordonnées l'épaisseur de la première région (G) de la couche, t B montrant la position de la surface extrême de la première région (G) sur le côté du substrat et t T indiquant la position de la surface extrême de la première région (G) sur le côté opposé à celui du substrat Autrement dit, la formation de la première région (G) de la couche, contenant des atomes de germanium, s'effectue du côté t B vers le côté t T. La figure 2 représente une première forme typique du profil de profondeur des atomes de germanium, contenus dans la première-région (G), dans la direction

de l'épaisseur de la couche.

Dans la forme de réalisation illustrée sur la 35 figure 2, à partir de la position d'interface t B à laquelle la surface, sur laquelle la première région (G) contenant des atomes de germanium doit être formée, est en contact avec la surface de la première région (G), jusqu'à la position tl, la première région (G) formée contient des atomes de germanium dont la teneur prend une valeur constante de C 1, cette teneur diminuant progressivement en continu, à partir de la valeur C 2, de la position t 1 jusqu'à la position d'interface t T A la position d'interface t T,

la teneur C des atomes de germanium devient égale à C 3.

Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 3, la teneur C des atomes de germanium contenus est abaissée progressivement et en continu de la position t B vers la position t T pour passer de la teneur C 4 à la teneur C 5 à la position t To Dans le cas de la figure 4, la teneur C des atomes de germanium est établie à la valeur constante C 6, 15 puis abaissée progressivement et en continu de la position t 2 à la position t Tl et la teneur C est rendue égale sensiblement à zéro à la position t T (sensiblement zéro

signifiant ici une teneur inférieure à la limite détectable).

Dans le cas de la figure 5, la teneur C des 20 atomes de germanium est abaissée progressivement et en continu de la position t Bvers la position t T pour passer de la valeur C 8 à une valeur sensiblement nulle à la position t T. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 6, la teneur C des atomes de germanium reste constamment à C 9 entre la position t B et la position t 3, et elle est rendue égale à C 10 à la position t T Entre la position t 3 et la position t Tl la teneur est réduite conformément à la pente d'une fonction du premier degré, de la 30 position t 3 à la position t T. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 7, il est réalisé un profil de profondeur tel que la teneur C prend une valeur constante C 11 de la position t B à la position t 4 et qu'elle est abaissée conformé35 ment à la pente d'une fonction du premier degré, de la valeur C 12 à la valeur C 13, de la position t 4 à la position t T. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 8, la teneur C des atomes de germanium est abaissée conformément à la pente d'une fonction du premier degré, de la valeur C 14 à zéro, de la position t à la

14 B

position t T. La figure 9 représente une forme de réalisation dans laquelle la teneur C en atomes de germanium est abaissée conformément à la pente d'une fonction du premier degré, de la valeur C 15 à la valeur C 16, de la position t B à la position t 5, et est établie à la valeur constante C 16 entre les positions t 5 et t T. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 10, la teneur C des atomes de germanium est à la valeur C 17 à la position t B, laquelle teneur C 17 est initialement abaissée progressivement, puis brusquement vers la position t 6, jusqu'à cette position t 6 et jusqu'à

ce qu'elle atteigne la valeur C 18 à la position t 6.

Entre la position t 6 et la position t 7, la teneur

C est initialement abaissée brusquement, puis progressive20 ment jusqu'à ce qu'elle prenne la valeur C 19 à la position t 7.

Entre la position t 7 et la position t 8, la teneur est abaissée très progressivement jusqu'à la valeur C 20 à la position t 8 Entre la position t 8 et la position t T, la teneur est abaissée suivant une courbe ayant une forme 25 telle que montrée sur la figure, de la valeur C 20 à une

valeur sensiblement nulle.

Comme décrit précédemment pour certains exemples typiques de profils de profondeur des atomes de germanium contenus dans la première région (G) de la couche, dans la 30 direction de l'épaisseur de cette couche, en référence aux figures 2 à 10, dans la présente invention, la première région (G) de la couche présente avantageusement un profil de profondeur qui comprend une partie dont la teneur C en atomes de germanium est plus grande vers le côté du subs35 trat et une partie, située vers le côté t T de l'interface, à pauvre teneur C en atomes de germanium, cette teneur étant considérablement inférieure à celle présente sur le 1 1

côté du substrat.

La première région (G) entrant dans la constitution de la couche de réception de la lumière de l'élément photoconducteur selon l'invention comporte avantageusement une région localisée (A) contenant des atomes de germanium, de préférence à une concentration relativement plus grande

sur le côté du substrat, comme décrit ci-dessus.

La région localisée (A), comme indiqué en utilisant les symboles montrés sur les figures 2 à 10, peut être avantageusement réalisée sur une épaisseur s'étendant

sur 5 hm à partir de la position t B de l'interface.

Dans la présente invention, la région localisée (A) ci-dessus peut être réalisée de façon à être identique à la totalité de la région (LT) de la couche jusqu'à la profondeur de 5 dm à partir de la position d'interface t B ou bien, en variante, de façon à être identique à une

partie de la région (LT).

On peut convenablement déterminer, suivant les caractéristiques demandées pour la couche de réception de 20 la lumière à former, si la région localisée (A) doit être réalisée de façon à constituer une partie ou la totalité

de la région (LT) de la couche.

La région localisée (A) peut avantageusement être formée d'une manière telle que la valeur maximale Cmax 25 de la teneur C des atomes de germanium, dans une distribution établie dans la direction de l'épaisseur de la couche, puisse être avantageusement de 1000 ppm ou plus, plus avantageusement de 5000 ppm ou plus, et de préférence de

1 x 10 ppm ou plus, sur la base de la somme des atomes de 30 germanium et des atomes de silicium.

Autrement dit, conformément à la présente invention, la région (G) de la couche contenant des atomes de germanium est formée de façon que la valeur maximale Cmax de la teneur C(G) puisse être présente dans une épaisseur 35 de couche de 5 Nm à partir du côté du substrat (la région de la couche située dans une épaisseur de 5 gm à partir

de t B).

Dans la présente invention, la teneur en atomes de germanium de la première région (G) de la couche, contenant des atomes de germanium, qui peut être convenablement déterminée, comme souhaité, pour réaliser efficace5 ment les objets de la présente invention, peut avantageusement être comprise entre 1 et 10 x 105 ppm, plus avantageusement entre 100 et 9,5 x 105 ppm, et de préférence entre

500 et 8 x 105 ppm.

Dans l'élément photoconducteur de la présente 10 invention, l'épaisseur de la première région (G) et l'épaisseur de la seconde région (S) de la couche constituent l'un des facteurs importants pour réaliser efficacement l'objet de la présente invention et il faut donc prendre suffisamment de soin, lors de la conception de l'élément photoconducteur, pour que des caractéristiques

souhaitables puissent être conférées à l'élément photoconducteur formé.

Dans la présente invention, l'épaisseur TB de la première région (G) de la couche peut avantageusement être 20 comprise entre 3,0 nm et 50 gm, plus avantageusement entre

4,0 nm et 40 Nm et de préférence entre 5,0 nm et 30 gm.

Par ailleurs, l'épaisseur T de la seconde région (S) de la couche peut avantageusement être comprise entre

0,5 et 90 Nm, plus avantageusement 1 et 80 gm et de préfé25 rence 2 et 50 Nm.

La somme de l'épaisseur TB de la première région (G) et de l'épaisseur T de la seconde région (S) de la couche, à savoir (TB + T) peut être convenablement déterminée comme souhaité, lors de la conception des couches de 30 l'élément photoconducteur, sur la base de la relation organique mutuelle entre les caractéristiques demandées aux deux régions de la couche et les caractéristiques demandées à l'ensemble de la couche de réception de la lumière. Dans l'élément photoconducteur de la présente invention, la plage de valeurs numériques pour la somme précitée (TB + T) peut être avantageusement comprise entre 1 et 100 Nm, plus avantageusement entre 1 et 80 gm et de

préférence entre 2 et 50 gm.

Dans une forme plus avantageuse de réalisation de l'invention, il est préférable de choisir les valeurs numériques des épaisseurs respectives TB et T, telles que mentionnées ci-dessus, de façon que la relation

TB/T<i puisse être satisfaite.

Dans le choix des valeurs numériques pour les épaisseurs TB et T, dans le cas ci-dessus, les valeurs de 10 TB et T doivent être avantageusement déterminées de façon que la relation TB/T< 0,9 et notamment la relation TB/T< 0,8

puissent être satisfaites.

Dans la présente invention, lorsque la teneur en atomes de germanium dela première région (G) de la couche 15 est de 1 x 105 ppm ou plus, l'épaisseur TB de la première région (G) doit avantageusement être établie à une valeur aussi faible que possible, avantageusement 30 gm ou moins, plus avantageusement 25 Nm ou moins, et de préférence

9 m ou moins.

Dans la présente invention, des exemples d'atomes d'halogène (X) pouvant être incorporés facultativement dans la première région (G) et/ou dans la seconde région (S) constituant la couche de réception de la lumière

comprennent le fluor, le chlore, le brome et l'iode, le 25 fluor et le chlore étant particulièrement avantageux.

Dans la présente invention, la formation de la première région (G) de la couche, constituée de a-Ge(Si,H,X), peut être effectuée par un procédé de déposition sous vide utilisant un phénomène de décharge, tel qu'un procédé à 30 décharge d'effluves, un procédé de pulvérisation ou un procédé d'implantation ionique Par exemple, pour la formation de la première région (G) constituée de a-Ge(Si,H,X), par le procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale consiste à introduire un gaz de départ pour l'apport 35 de Ge, capable de fournir des atomes de germanium (Ge), ainsi que, facultativement, un gaz de départ pour l'apport de Si, capable de fournir des atomes de silicium (Si), et un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène (X), dans une chambre de déposition dont l'intérieur a été amené à une pression réduite, et à décharger 5 une décharge d'effluves dans cette chambre afin d'effectuer la formation d'une couche sur la surface d'un substrat placé dans une position prédéterminée Pour répartir non uniformément les atomes de germanium, une couche constituée de a-Ge(Si,H,X) peut être formée en même temps que le 10 profil de profondeur des atomes de germanium est réglé

conformément à une courbe souhaitée de rythme de variation.

En variante, pour une formation par le procédé de pulvérisation, lorsque l'on procède à une pulvérisation à l'aide d'une cible constituée de Si ou de deux feuilles cible, et d'une cible constituée de Ge, ou d'une cible constituée d'un mélange de Si et de Ge dans une atmosphère formée d'un gaz inerte tel que Ar, He, etc, ou d'un mélange sur la base de ces gaz, un gaz de départ pour l'apport de Ge avec, facultativement, si cela est souhaité, un gaz pour l'introduc20 tion d'atomes d'hydrogène(H)et/ou un gaz pour l'introduction d'atomes d'halogène (X), peuvent être introduits dans une chambre de déposition pour une pulvérisation, de façon à former une atmosphère constituée d'un plasma d'un gaz souhaité, et une pulvérisation de la cible précitée peut 25 être effectuée, tandis que les débits d'écoulement du gaz de départ pour l'apport de Ge et/ou du gaz de départ pour l'apport de Si sont réglés conformément à une courbesouhaitée de rythme de variation.

Dans le cas du procédé d'implantation ou pulvéri30 sation ionique, par exemple, une source de vaporisation telle que du silicium polycristallin ou du silicium monocristallin, et du germanium polycristallin ou du germanium monocristallin, peut être placée en tant que source de vaporisation dans une nacelle d'évaporation, et 35 la source d'évaporation est chauffée par le procédé de chauffage par résistance ou le procédé à faisceau d'électrons de façon à être vaporisée, et on permet au produit vaporisé dégagé de passer à travers une atmosphère constituée d'un plasma gazeux souhaité, les mêmes opérations que celles réalisées dans le cas d'une pulvérisation étant par

ailleurs effectuées.

Le gaz de départ pour l'apport de Si, à utiliser dans la présente invention, peut comprendre des composés hydrogénés gazeux ou gazéifiables de silicium (silanes)

tels que Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si H 10 et autres, en tant que matières efficaces En particulier Si H 4 et Si 2 H 6 sont avan10 tageux pour leur facilité de manipulation pendant la formation des couches et l'efficacité avec laquelle ils fournissent du Si.

Comme substances pouvant être des gaz de départ pour l'apport de Ge, on peut utiliser efficacement'des 15 composés hydrogénés de germanium gazeux ou gazéifiables tels que Ge H 4, Ge 2 H 6, Ge 3 H 8, Ge 4 H 10 ' Ge 5 H 12, Ge 6 H 14,

Ge 7 H 16, Ge 8 H 18, Ge 9 H 20, etc En particulier, Ge H 4, Ge 2 H 6 et Ge 3 H 8 sont avantageux pour leur facilité de manipulation pendant la formation des couches et l'efficacité 20 avec laquelle ils fournissent du Ge.

Des gaz de départ efficaces pour l'introduction d'atomes d'halogène à utiliser dans la présente invention peuvent comprendre un grand nombre de composés halogénés, par exemple, de préférence des composés halogénés gazeux ou 25 gazéifiables tels que des halogènes à l'état gazeux, des halogénures, des composés interhalogénés, des dérivés de

silanes substitués par des halogènes, et autres.

En outre, on peut également utiliser des composés de silicium gazeux ou gazéifiables contenant des atomes 30 d'halogène, constitués d'atomes de silicium et d'atomes d'halogène en tant qu'éléments constitutifs, en tant que

matières efficaces, dans la présente invention.

Des exemples typiques de composés halogénés utilisés avantageusement dans la présente invention peuvent comprendre des halogènes gazeux tels que le fluor, le chlore, le brome ou l'iode, des composés interhalogénés tels que Br F, C 1 F, Cl F 3, Br F 5, Br F 3, IF 3, IF 7, I Ci, I Br, etc. Comme composés de silicium contenant des atomes d'halogène, appelés dérivés de silanes substitués par des halogènes, on peut utiliser avantageusement des halogénures de silicium tels que Si F 4, Si 2 F 6, Si C 14, Si Br 4 et autres. I Lorsqoue l'élément photoconducteur caractéristique de la présente invention est formé par le procédé à décharge d'effluves au moyen d'un tel composé de silicium, contenant des atomes d'halogène, il est possible de former 10 la première région (G) de la couche, comprenant a-Si Ge contenant des atomes d'halogène sur un substrat souhaité, sans utiliser un gaz hydrogéné de silicium comme gaz de départ capable de fournir du silicium en même temps que le

gaz de départ pour l'apport de Ge.

Dans le cas de la formation de la première région (G), contenant des atomes d'halogène, par le procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale consiste à introduire, par exemple, un halogénure de silicium en tant que gaz de départ pour l'apport de Si, un composé de germanium hydrogéné en tant que gaz de départ pour l'apport de Ge et un gaz tel que Ar, H 2, He, etc, dans des proportions de mélange prédéterminées, dans la chambre de déposition pour former la première région (G) de la couche, et à déclencher une décharge d'effluves afin de former une atmosphère constituée d'un plasma de ces gaz, de façon que la première région (G) de la couche puisse être formée sur un substrat souhaité Pour régler plus aisément la proportion d'atomes d'hydrogène incorporés, de l'hydrogène gazeux ou un gaz d'un composé de silicium contenant des atomes 30 d'hydrogène peut également être mélangé à ces gaz, en

quantité souhaitée, pour former la couche.

De plus, aucun gaz n'est limité à une espèce unique, mais plusieurs espèces peuvent être utilisées

dans toute proportion souhaitée.

Que ce soit dans le cas du procédé de pulvérisation ou du procédé d'implantation ionique, l'introduction d'atomes d'halogène dans la couche formée peut être effectuée par l'introduction du gaz du composé halogéné ci-dessus ou du composé de silicium ci-dessus, contenant des atomes d'halogène, dans une chambre de déposition, et formation d'une atmosphère constituée d'un plasma de ce gaz. Par ailleurs, pour l'introduction d'atomes d'hydrogène, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène, par exemple H 2 ou des gaz tels que des silanes et/ou un composé de germanium hydrogéné, tel que mentionné 10 précédemment, peuvent être introduits dans une chambre de déposition pour une pulvérisation, suivie d'une formation

de l'atmosphère constitué d'un plasma desdits gaz.

Dans la présente invention, comme gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène, les halogénures 15 ou composés de silicium contenant des halogènes tels que

mentionnés précédemment peuvent être utilisés efficacement.

Autrement, il est également possible d'utiliser efficacement, comme matière de départ pour la formation de la première région (G) de la couche, des substances gazeuses 20 ou gazéifiables, comprenant des halogénures contenant l'atome d'hydrogène en tant que l'un de leurs constituants, par exemple un halogénure d'hydrogène tel que HF, H Cl, H Br, HI, etc,; un composé de silicium hydrogéné, substitué par un halogène tel que Si H 2 F 2, Si H 2 12, Si H 2 C 12, Si HC 13, 25 Si H 2 Br 2, Si H Br 3, etc; des halogénures de germanium hydrogénés tels que Ge HF 3, Ge H 2 F 2, Ge H 3 F, Ge HC 13, Ge H 2 C 12, Ge H 3 Cl, Ge H Br 3, Ge H 2 Br 2, Ge H 3 Br, Ge HI 3, Ge H 2 I 2, Ge H 3 I, etc; des halogénures de germanium tels que Ge F 4, Ge C 14, Ge Br 4, Ge I 4, Ge F 2, Ge C 12, Ge Br 2, Ge I 2, etc. Parmi ces substances, des halogénures contenant des atomes d'hydrogène peuvent être utilisés avantageusement comme matière de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène car les atomesd'hydrogène, qui sont très efficaces pour établir les caractéristiques électriques ou photoélec35 triques, peuvent être introduits dans la couche en même temps que l'introduction des atomes d'halogène pendant la

formation de la première région (G) de la couche.

Pour l'introduction d'atomes'd'hydrogène dans la structure de la première région (G) de la couche, hormis celles mentionnées précédemment, H 2 ou un composé de silicium hydrogéné tel que Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 10, etc, ainsi que du germanium ou un composé de germanium pour l'apport de Ge, ou un composé de germanium hydrogéné tel que Ge H 4, Ge 2 H 6, Ge 3 H 8, Ge 4 H 10, Ge 5 H 12, Ge 6 H 14, Ge 7 H 16, Ge 8 H 18, Ge 9 H 20, etc, avec du silicium ou un composé de silicium pour l'apport de Si, peuvent coexister dans une

chambre de déposition, une décharge étant ensuite déclenchée.

Conformément à une forme préférée de réalisation de l'invention, la quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou la quantité d'atomes d'halogène (X), ou encore la somme des quantités d'atomesd'hydrogène et d'atomes d'halogène (H + X) 15 devant être contenue dans la première région (G) entrant dans la constitution de la couche photoconductrice à former doit être avantageusement comprise entre 0,01 et 40 %, plus avantageusement entre 0,05 et 30 %, et de préférence entre

0,1 et 25 %.

Pour régler la quantité d'atomesd'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) devant être contenus dans la première région (G) de la couche, par exemple, la température du substrat et/ou la quantité des matières de départ utilisées pour l'incorporation des atomesd'hydrogène (H) ou des atomes d'halogène (X) à introduire dans le dispositif de déposition, la puissance de décharge, etc peuvent

faire l'objet d'ajustements.

Dans l'élément photoconducteur de la présente invention, en introduisant une substance (C) destinée à 30 déterminer ou établir la conductivité dans la seconde région (S) ne contenant pas d'atomes de germanium et, si cela est nécessaire, dans la première région (G) contenant des atomes de germanium, on peut établir ou déterminer

librement, comme souhaité, les conductivités de ces 35 régions (S) et (G).

La substance ci-dessus (C) contenue dans la seconde région (S) peut être placée soit dans la totalité de cette région, soit dans une partie de ladite région (S), mais il faut qu'elle soit répartie de façon à se trouver

en plus grande quantité vers le côté du substrat.

Plus particulièrement, la région (SPN) de la couche contenant la substance (C), établie dans la seconde région (S), est réalisée sur la totalité de cette seconde région (S) ou sous la forme d'une partie extrême (SE), sur le côté du substrat, de cette seconde région (S) de la couche Dans le premier cas, o elle constitue la totalité 10 de la région, elle est réalisée de façon que sa teneur puisse être augmentée vers le côté du substrat, de façon

linéaire, pas-à-pas ou suivant une courbe.

Lorsque la teneur C(s) est augmentée suivant une courbe, il est souhaitable que la substance (C) déterminant 15 la conductivité soit introduite dans la région (S) de manière qu'elle puisse augmenter de façon monotone vers le

côté du substrat.

Dans le cas de la réalisation de la région (SPN) en tant que partie de la seconde région de la couche, la 20 distribution de la substance (C) dans cette région (SPN) est rendue uniforme dans la direction interfaciale, parallèle à la surface du substrat, mais elle peut être uniforme ou non uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche Dans ce cas, dans la région (SPN), pour que 25 la substance (C) soit répartie de façon non uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche, il est souhaitable que le profil de profondeur de la substance (C) soit similaire à celui obtenu dans le cas o elle constitue la

totalité de la seconde région (S) de la couche.

La présence d'une région (GPN) contenant une substance destinée à déterminer la conductivité (C) dans la première région (G) de la couche peut également être obtenue de façon similaire à la présence de la région (SPN)

dans la seconde région (S) de la couche.

Dans la présente invention, lorsque la substance (C) déterminant la conductivité est contenue dans les première et seconde régions (G) et (S) de la couche, les substances (C) devant être contenues dans les deux régions

peuvent être du même type ou de types différents.

Cependant, lorsque le même type de substance (C) est contenu dans les deux régions de la couche, il est avantageux que la teneur maximale de ladite substance (C) dans la direction de l'épaisseur de la couche se trouve dans la seconde région (S), à savoir à l'intérieur de cette seconde région (S) ou à l'interface avec la première

région (G).

En particulier, il est souhaitable que la teneur maximale précitée soit établie à l'interface de contact avec la première région (G), ou à proximité de cette interface. Dans la présente invention, en introduisant une 15 substance (C) déterminant la conductivité dans la couche de réception de la lumière comme décrit ci-dessus, la région (PN) contenant ladite substance (C) est réalisée de façon à occuper au moins une partie de la seconde région

(S), avantageusement une partie extrême (SE), sur le 20 côté du substrat, de la seconde région (S).

Lorsque la région (PN) est réalisée de façon à s'étendre à la fois dans la première région (G) et dans la seconde région (S) de la couche, la substance (C) est incorporée dans la couche de réception de la lumière afin 25 que la teneur maximale C(G)max de la substance (C) déterminant la conductivité, dans la région (GPN) et la teneur maximale C(s)max, dans la région (SPN) puissent satisfaire la relation C(G)max < C(S)max Comme substance (C) déterminant les caractéris30 tiques de conductivité, on peut mentionner des substances

appelées impuretés dans le domaine des semi-conducteurs.

Dans la présente invention, on peut utiliser des impuretés du type P donnant des caractéristiques de conductivité du type P et des impuretés du type N donnant des caractéris35 tique de conductivité du type N avec Si ou Ge.

Plus particulièrement, on peut mentionner, comme impuretés du type P des atomes appartenant au groupe III du tableau périodique (atomes du groupe III), tels que le bore (B), l'aluminium (Al), le gallium (Ga), l'indium (In), le thallium (Tl), etc, B et Ga étant particulièrement avantageux. Comme impuretés du type N, on peut utiliser les atomes appartenant au groupe V du tableau périodique (atomes du groupe V), tels que le phosphore-(P), l'arsenic (As), l'antimoine (Sb), le bismuth (Bi), etc, P et As

étant particulièrement avantageux.

Dansla présente invention, la teneur de la substance (C) déterminant la conductivité, dans la région (PN) formée dans la couche de réception de la lumière, peut être convenablement choisie suivant la conductivité demandée à ladite région (PN), ou les caractéristiques de 15 l'interface de contact à laquelle ladite région (PN) est en contact direct avec une autre région de la couche ou avec le substrat, etc De plus, la teneur de ladite substance (C) déterminant la conductivité est établie convenablement en tenant compte des relations avec les 20 caractéristiques des autres régions de la couche en contact direct avec cette région ou des caractéristiques de l'interface de contact avec lesdites autres régions de

la couche.

Dans la présente invention, la teneur de la 25 substance (C) destinée à déterminer la conductivité et contenue dans la région (PN) de la couche est avantageusement comprise entre 0,01 et 5 x 104 ppm, plus avantageusement entre 0,5 et 1 x 104 ppm, et de préférence entre 1 et x 103 ppm, en valeur atomique. Dans la présente invention, en réalisant la région (PN), contenant la substance (C) déterminant la conductivité, de façon qu'elle soit en contact avec l'interface de contact entre la première région (G) et la seconde région (S), ou de manière qu'une partie de la région (PN) 35 puisse occuper au moins une partie de la première région (G) de la couche et en donnant à la teneur de ladite substance (C), dans la région (PN) de la couche, une valeur avantageusement de 30 ppm ou plus, plus avantageusement de ppm ou plus, ou de préférence de 100 ppm ou plus, en valeur atomique, par exemple, dans le cas o ladite substance (C) à incorporer est une impureté du type P telle que mentionnée précédemment, on peut empêcher efficacement la migration d'électrons, injectés depuis le côté du substrat, dans la seconde région (S) de la couche lorsque la surface libre de la couche de réception de la lumière est soumise à un traitement de charge de polarité 10 positive Par ailleurs, lorsque la substance à incorporer est une impureté du type N, on peut inhiber efficacement la migration des trous positifs, injectés depuis le côté du substrat dans la seconde région (S) de la couche lorsque

la surface libre de la couche de réception de la lumière 15 est soumise à un traitement de charge à polarité négative.

Dans le cas mentionné ci-dessus, la région (Z) de la couche, située dans la partie excluant la région (PN) ci-dessus, conformément à la constitution fondamentale de la présente invention telle que décrite cidessus, 20 peut contenir une substance destinée à établir ou déterminer la conductivité, ayant l'autre polarité, ou bien une substance établissant ou déterminant les caractéristiques de conductivité, de la même polarité, peut y être contenue

en quantité très inférieure à celle contenue, en pratique, 25 dans la région (PN).

Dans ce cas, la teneur de la substance (C) déterminant la conductivité, contenue dans la région cidessus (Z), peut être convenablement déterminée comme souhaité suivant la polarité, ou suivant la teneur de la 30 substance contenue dans la région (PN), mais, en valeur atomique, elle est avantageusement comprise entre 0,001 et 1000 ppm, plus avantageusement entre 0,05 et 500 ppm, et

de préférence entre 0,1 et 200 ppm.

Dans la présente invention, lorsque le même 35 type de substance (C) déterminant la conductivité est contenu dans la région (PN) et dans la région (Z) de la couche, la teneur présente dans la région (Z) doit

avantageusement être de 30 ppm ou moins, en valeur atomique.

A la différence des cas mentionnés ci-dessus, dans la présente invention, il est également possible de prévoir une région contenant une substance destinée à établir ou déterminer une conductivité d'une première polarité, et une région contenant une substance destinée à établir ou déterminer une conductivité de l'autre polarité, en contact direct l'une avec l'autre dans la couche de réception de la lumière, de façon à former une couche dite 10 d'appauvrissement dans la région de contact En bref, par exemple, une région de la couche contenant l'impureté du type P précité et une région de la couche contenant l'impureté du type N précitée sont réalisées dans la couche de réception de la lumière, en contact direct l'une avec 15 l'autre, afin de former une jonction dite P-N de façon

qu'une couche d'appauvrissement puisse être réalisée.

Les figures 11 à 24 montrent des exemples typiques de profils de profondeur, dans la direction de l'épaisseur de la couche, de la substance (C) déterminant 20 la conductivité, devant être contenue dans la couche de

réception de la lumière.

Sur ces figures, on indique en abscisses la teneur C(p N) de la substance (C) dans la direction de l'épaisseur de la couche et, en ordonnées, l'épaisseur t de la couche de réception de la lumière, à partir du côté du substrat t O indique l'interface de contact entre la

région (G) et la région (S) de la couche.

De plus, les symboles utilisés en abscisses et en

ordonnées ont les mêmes significations que ceux utilisés sur 30 les figures 2 à 10, sauf indication contraire.

La figure 11 représente une forme typique du profil de profondeur, dans la direction de l'épaisseur de la couche, de la substance (C) déterminant la conductivité et contenue dans la couche de réception de la lumière. 35 Dans la forme de réalisation illustrée sur la figure 11, la substance (C) n'est pas contenue dans la région (G), mais uniquement dans la région (S), à une teneur constante C 1 En bref, dans la région (S), à la partie extrême comprise entre to et t 1, la substance (C)

est contenue à une teneur constante C 1.

Dans la forme de réalisation illustrée sur la figure 12, alors que la substance (C) est contenue uniformément dans la région (S) de la couche, aucune substance

(C) n'est contenue dans la région (G).

De plus, la substance (C) est contenue dans la région de la couche comprise entre to et t 2 à une teneur 10 constante C 2, tandis qu'elle est contenue à une teneur constante C 3, très inférieure à C 2, dans la région de la couche comprise entre t 2 et t T. L'incorporation de la substance (C) à cette teneur C(p N) dans la région (S) de la couche permet d'empêcher efficacement la migration de charges injectées depuis la région (G) vers la région (S), vers la surface libre et, dans le même temps, la photosensibilité et la

résistance d'obscurité peuvent être améliorées.

Dans la forme de réalisation illustrée sur la 20 figure 13, la substance (C) est contenue régulièrement dans la région (S) de la couche,mais la subtance (C) est contenue dans un état tel que sa teneur C(p N) est modifiée

en diminuant de façon monotone de la teneur C 4, à to, jusqu'à la teneur O à t T Aucune substance (C) n'est 25 contenue dans la région (G).

Dans le cas des formes de réalisation illustrées sur les figures 14 et 15, la substance (C) est contenue localement dans la région de la couche située à la partie extrême inférieure de la région (S) Ainsi, dans le cas des formes de réalisation des figures 14 et 15, la région (S) possède une structure stratifiée dans laquelle la région contenant la substance (C) et la région ne contenant pas de substance (C) sont appliquées dans cet ordre à partir

du côté du substrat.

La différence entre les formes de réalisation des figures 14 et 15 est que la teneur C(p N) est réduite de la valeur C 5, à la position to, à la valeur O à la position t 3, suivant une courbe à variation monotone entre to et t 3 dans le cas de la figure 14 tandis que, dans le cas de la figure 15, entre t O et t 4, la teneur est abaissée en continu et linéairement de la valeur C 6, à la position to, à la valeur O à la position t 4 Dans les deux formes de réalisation des figures 14 et 15, la région

(G) de la couche ne contient pas de substance (C).

Dans les formes de réalisation illustrées sur les figures 16 à 24, la substance (C) déterminant la -10 conductivité est contenue dans les deux régions (G) et (S)

de la couche.

Dans les cas des figures 16 à 22, les régions (S) de la couche possèdent en commun la structure à deux couches, dans laquelle la région contenant la substance (C) 15 et la région ne contenant pas de substance (C) sont appliquées dans cet ordre à partir du côté du substrat Parmi ces formes de réalisation, celles montrées sur les figures 17 à 21 et 23 ont un profil de profondeur de la substance (C), dans la région (G), qui est modifiée à la teneur C(p N) 20 de façon à diminuer de la position d'interface to avec la seconde région (S) de la couche, vers le côté du substrat. Dans les formes de réalisation des figures 23 et 24, la substance (C) est contenu régulièrement dans la direction de l'épaisseur de la couche, sur la totalité de

la région de la couche de réception de la lumière.

De plus, dans le cas de la figure 23, dans la région (G) de la couche, la teneur est augmentée linéairement de t B à t O pour s'élever de C 23, à t B, jusqu 'à C 22, 30 à to, tandis que, dans la région (S) de la couche, elle

3 O '

est abaissée en continu et de façon monotone, suivant une courbe, de la teneur C 22 à to à la teneur O à t T. Dans le cas de la figure 24, la substance (C) est contenue dans la région de la couche entre t B et t 13 35 à une teneur constante C 24, puis la teneur diminue linéairement de C 25 à t 13 jusqu'à ce qu'elle atteigne O à t T. Comme décrit pour des exemples typiques de variations de la teneur C(PN) de la substance (C) déterminant la conductivité dans la couche de réception de la lumière, en regard des figures 11 à 24, dans chacune des formes de réalisation, la couche de réception de la lumière contient la substance (C) de manière que la teneur maximale puisse être présente dans la seconde région (S) de la couche ou à l'interface avec la première région (G) de la couche. Dans la présente invention, pour la formation de la seconde région (S) constituée de a-Si(H,X), les matières de départ (I) pour la formation de la première région (G), desquelles la matière pour le gaz de départ pour l'apport de Ge est éliminée, sont utilisées comme matières de départ (II) pour la formation de la seconde région (S), et la formation de la couche peut être effectuée par le même procédé et dans les mêmes conditions que pour la

formation de la première région (G) de la couche.

Plus particulièrement, dans la présente invention, 20 la formation de la seconde région (S) constituée de a-Si(H,X) peut être effectuée par le procédé de déposition sous vide utilisant un phénomène de décharge, tel que le procédé à décharge d'effluves, le procédé de pulvérisation ou le procédé d'implantation ou de pulvérisation ionique Par 25 exemple, pour la formation de la seconde région (S) constituée de a-Si(H,X), l'opération fondamentale consiste à introduire un gaz de départ pour l'apport de Si, capable de fournir des atomes de silicium, comme décrit précédemment, avec, le cas échéant, des gaz de départ pour l'intro30 duction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X), dans une chambre de déposition dont l'intérieur peut être amené à une pression réduite, et à déclencher une

décharge d'effluves dans ladite chambre de déposition de façon à former une couche comprenant du a-Si(H,X) sur un substrat souhaité, placé dans une position prédéterminée.

En variante, pour une formation par le procédé de pulvérisation, des gaz pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) peuvent être introduits dans une chambre de déposition lorsque l'on effectue une pulvérisation d'une cible constituée de Si dans un gaz inerte tel que Ar, He, etc ou un mélange sur la base

de ces gaz.

Dans la présente invention, la quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou la quantité d'atomes d'halogène (X) ou la somme des quantités d'atomesd'hydrogène et d'atomes 10 d'halogène (H + X) devant être contenue dans la seconde région (S) entrant dans la constitution de la couche de réception de la lumière à former doit avantageusement être comprise entre 1 et 40 %, plus avantageusement entre 5 et

%, et de préférence entre 5 et 25 %.

Pour la formation de la région (PN), contenant la substance précitée (C) par incorporation d'une substance (C) destinée à déterminer la conductivité, telle que des atomes du groupe III ou des atomes du groupe V, dans la structure de la couche de réception de la lumière, 20 une matière de départ pour l'introduction des atomes du groupe III ou une matière de départ pour l'introduction des atomes du groupe V peut être introduite à l'état gazeux dans une chambre de déposition, en même temps que les matières de départ pour la formation de la région de la 25 couche, pendant la formation de la couche Comme matière de départ pouvant être utilisée pour l'introduction des atomes du groupe III, il est souhaitable d'utiliser celles

qui sont gazeuses à la température ambiante et à la pression atmosphérique, ou qui peuvent être aisément gazéifiées, 30 au moins dans les conditions de formation de la couche.

Des exemples typiques de telles matières de départ pour l'introduction des atomes du groupe III peuvent comprendre, comme composés pour l'introduction d'atomes de bore, des hydrures de bore tels que B 2 H 6, B 4 H 10, B 5 H 9, B 5 H 11, B 6 H 10, 35 B 6 H 12, B 6 H 14, etc et des halogénures de bore tels que BF 3, BC 13, B Br 3, etc Autrement, on peut également utiliser

Al C 13, Ga C 13, Ga(CH 3)3, In C 13, Tl C 13 et autres.

Des matières de départ qui peuvent être efficacement utilisées, dans la présente invention, pour l'introduction des atomes du groupe V peuvent comprendre, pour l'introduction d'atomes de phosphore, un hydrure de phosphore tel que PH 3, P 2 H 4, etc, des halogénures de phosphore tels que PH 4 I, PF 3, PF 5, PC 13, PC 15, P Br 3, P Br 5, PI 3, et autres Par ailleurs, il est également possible d'utiliser As H 3, As F 3, As C 13,As Br 3, As F 5, Sb H 3, Sb F 3, Sb F 5, Sb C 13, Sb C 15, Bl H 3, Bi C 13, Bi Br 3 et autres, comne matière de départ efficace 10 pour l'introduction des atomes du groupe V. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention,pour apporter des perfectionnements entraînant un accroissement de la photosensibilité, de la résistance d'obscurité et, en outre, une amélioration de l'adhérence entre le 15 substrat et la couche de réception de la lumière, des atomes d'oxygène sont contenus dans la couche de réception de la lumière Les atomes d'oxygène contenus dans la couche de réception de la lumière peuvent être répartis régulièrement dans la totalité de la région de la couche de réception de la lumière, ou localement, uniquement dans une partie de la région de la couche de réception de la lumière. Les atomes d'oxygène peuvent être répartis dans un état tel que la teneur C(O) peut être uniforme ou non uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche

de réception de la lumière.

Dans la présente invention, la région ( 0) de la couche, contenant les atomes d'oxygène, située dans la couche de réception de la lumière, est réalisée de façon 30 à occuper la totalité de la région de la couche de réception de la lumière lorsqu'elle est destinée à améliorer principalement la photosensibilité et la résistance d'obscurité Par ailleurs, lorsque l'objectif principal est de renforcer l'adhérence entre le substrat et la 35 couche de réception de la lumière ou l'adhérence entre la première région (G) et la seconde région (S) de la couche, elle est introduite de façon à occuper la partie extrême, sur le côté du substrat, de la couche de réception de la lumière, ou la région se trouvant à proximité de l'interface entre les première et seconde régions de

la couche.

Dans le premier cas, la teneur des atomes d'oxygène devant être contenus dans la région (O) de la couche est établie de façon à être relativement plus

faible pour maintenir une photosensibilité élevée tandis que, dans le second cas, elle est avantageusement portée 10 à une valeur relativement plus grande pour assurer le renforcement de l'adhérence entre les couches.

Pour obtenir simultanément les améliorations des deux cas précités, on peut répartir les atomes d'oxygène de façon que leur teneur soit relativement plus élevée 15 sur le côté du substrat et relativement plus faible sur le côté de la surface libre de la couche de réception de la lumière ou bien, en variante, on peut établir une distribution des atomes d'oxygène de manière que la région

de la couche superficielle, située du côté de la surface 20 libre de réception de la lumière, ne contienne pratiquement pas d'atomes d'oxygène.

En outre, lorsque l'on souhaite accroître la résistance d'obscurité apparente en empêchant l'injection de charges depuis le substrat ou la première région (G) de 25 la couche vers la seconde région (S) de la couche, on peut répartir les atomes d'oxygène de façon que leur teneur soit plus élevée à la partie extrême, sur le côté du substrat, de la première région (G), ou bien on peut répartir les atomes d'oxygène de façon que leur teneur 30 soit plus élevée à proximité de l'interface entre les

première et seconde régions de la couche.

Les figures 25 à 40 illustrent des exemples typiques de profil de profondeur d'atomes d'oxygène dans la couche de réception de la lumière, dans son ensemble. 35 Les symboles utilisés sur ces figures ont les mêmes significations que ceux utilisés sur les figures 2 à 10,

sauf indication contraire.

Dans la forme de réalisation illustrée sur la figure 25, de la position t B vers la position t 1, la teneur des atomes d'oxygène est établie à une valeur constante de C 1, tandis que, de la position t 1 à la position t T, elle est établie à la valeur constante C 2. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 26, de la position t B à la position t 2, la teneur des atomes d'oxygène est établie à une valeur constante C 3, tandis qu'elle est établie à C 4 de la position t 2 à la 10 position t 3, et à C 5 de la position t 3 à la position t T,

cette teneur étant ainsi abaissée en trois étages.

Dans la forme de réalisation de la figure 27, la teneur est établie à C 6 de la position t B à la position t 4, tandis qu'elle est établie à C 7 de la position t 4 à la 15 position t T. Dans la forme de réalisation de la figure 28, de la position t B à la position t 5, la teneur est établie à C 8, tandis qu'elle est établie à C 9 de la position t 5 à la position t 6, et à C 10 de la position t 6 à la position 20 t T La teneur des atomes d'oxygène est donc augmentée en

trois étages.

Dans la forme de réalisation de la figure 29, la teneur des atomes d'oxygène est établie à Ci 1 de la position t B à la position t 7, à C 12 de la position t 7 à la 25 position t 8 et à C 13 de la position t 8 à la position t T. La teneur est établie à une valeur plus élevée sur le

côté du substrat et sur le côté de la surface libre.

Dans la forme de réalisation de la figure 30, la teneur en atomes d'oxygène est établie à C 14 de la 30 position t B à la position t 9, à C 15 de la position t 9 à la position t 10 et à C 14 de la position t 10 à la position t T Dans la forme de réalisation illustrée sur la figure 31, de la position t B à la position t 11, la teneur 35 des atomes d'oxygène est établie à C 16, tandis qu'elle est augmentée en un gradin jusqu'à C 17, de la position t 11 à la position t 12, et abaissée à C 18 de la position t 12 à la position t T. Dans la forme de réalisation de la figure 32, de la position t B à la position t 13, la teneur des atomes d'oxygène est établie à C 19, tandis qu'elle est augmentée en un gradin jusqu'à C 20 de la position t 13 à la position t 14 et qu'elle est établie à C 21 qui est inférieur à la teneur initiale des atomes d'oxygène, de la position t 14 à la position t T. Dans la forme de réalisation montrée sur la 10 figure 33, la teneur des atomes d'oxygène est établie à C 22 de la position t B à la position t 15, abaissée à C 23 de la position t 15 à la position t 16, augmentée en un gradin jusqu'à C 24 de la position t 16 à la position t 17, et abaissée à C 23 de la position t 17 à la position t T. 15 Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 34, la teneur C(O) des atomes d'oxygène est augmentée en continu et de façon monotone de la valeur O à C 25, de la position t B à la position t T. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 35, la teneur C(O) des atomes d'oxygène est établie à C 26 à la position t B, puis elle est abaissée en continu et de façon monotone jusqu'à la position t 18 o elle devient égale à C 27 Entre la position t 18 et la position t T, la teneur C(O) des atomes d'oxygène est augmentée en continu 25 et de façon monotone jusqu'à ce qu'elle devienne égale à C 28 à la position t T. Dans la forme de réalisation de là figure 36, le profil de profondeur est relativement similaire à celui de la forme de réalisation de la figure 35, mais il diffère 30 par le fait qu'aucun atome d'oxygène n'est contenu entre

la position t 19 et la position t 20.

Entre la position t B et la position t 19, la teneur est abaissée en continu et de façon monotone de la valeur C 29 à la position t B jusqu'à la valeur O à la position t 19. 35 Entre la position t 20 et la position t T, elle est augmentée en continu et de façon monotone de la valeur 0, à la position t 20, jusqu'à la valeur C 30 à la position t To Dans l'élément photoconducteur selon l'invention tel qu'illustré à titre d'exemple sur les figures 34 à 36, la couche de réception de la lumière est destinée à être améliorée en ce qui concerne, par exemple, la photosensi5 bilité et la résistance d'obscurité, par l'incorporation d'atomes d'oxygène en plus grande quantité vers la surface inférieure et/ou vers le côté de la surface supérieure de la couche de réception de la lumière, de façon à être plus faible vers la partie intérieure de la couche de réception 10 de la lumière, en même temps que la teneur des atomes d'oxygène C(O)estmodifiée de façon continue dans la

direction de l'épaisseur de la couche.

De plus, sur les figures 34 à 36, en modifiant en continu la teneur C(O) des atomes d'oxygène, la varia15 tion de l'indice de réfraction dans la direction de l'épaisseur de la couche due à l'incorporation d'atomes d'oxygène est modérée, ce qui permet d'éviter efficacement

toute interférence due à une lumière risquant d'en provoquer, telle qu'un faisceau laser.

* Dans la forme de réalisation illustrée sur la figure 37, la teneur en atomes d'oxygène est établie à C 31 de la position t B à la position t 21, augmentée de la position t 21 à la position t 22 jusqu'à ce qu'elle atteigne ûne valeur de crête de C 32 à la position t 21 De la position t 22 à la position t 23, la teneur en atomes d'oxygène est abaissée jusqu'à ce qu'elle devienne égale à C 31 à la position t T. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 38, la teneur en atomes d'oxygène est établie à C 33 30 de la position t B vers la position t 24, tandis qu'elle est augmentée brusquement de la position t 24 jusqu'à la position t 25 o la teneur en atomes d'oxygène prend une valeur de crête de C 34, puis descend sensiblement à zéro, de la position t 25 à la position t T. Dans la forme de réalisation illustrée sur la figure 39, la teneur en atomes d'oxygène est modérément augmentée de C 35 à C 36 jusqu'à ce qu'elle atteigne une valeur de crête de C 36 à la position t 26 De la position t 26 à la position t T, la teneur des atomes d'oxygène est abaissée brusquement de façon à devenir C 35 à la position t T. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 40, la teneur des atomes d'oxygène est de C 37 à la position t B, puis elle est abaissée jusqu'à la position t 27 et elle est établie à la valeur constante C 38 de la position t 27 à la position t 28 De la position t 28 à la position t 29, la teneur des atomes d'oxygène est augmentée

afin d'atteindre une valeur de crête C 39 à la position t 29.

De la position t 29 à la position t T, la teneur des atomes d'oxygène est abaissée de façon à devenir C 38 à la position t T Dans la présente invention, la teneur des atomes 15 d'oxygène devant être contenus dans la région (O) réalisée dans la couche de réception de la lumière peut être convenablement choisie en fonction des caractéristiques demandées à cette région ( 0) proprement dite ou bien, lorsque ladite région (O) est réalisée en contact direct avec 20 le substrat, en fonction de la relation organique telle que la relation avec les caractéristiques à l'interface de

contact avec le substrat et autres.

Lorsqu'une autre région de la couche doit être réalisée en contact direct avec ladite région (O), la 25 teneur des atomes d'oxygène peut être convenablement choisie en tenant également compte des caractéristiques de ladite autre région de la couche et de la relation avec les caractéristiques de l'interface de contact avec ladite

autre région de la couche.

La teneur en atomes d'oxygène de la région ( 0), qui peut être convenablement déterminée comme souhaité suivant les caractéristiques demandées pour l'élément photoconducteur à former, peut être avantageusement comprise entre 0,001 et 50 %, plus avantageusement entre 35 0,002 et 40 % et de préférence entre 0,003 et 30 %, sur la base de la somme des trois atomes de silicium, de germanium

et d'oxygène ldésignée ci-après T(Si Ge O)l.

Dans la présente invention, lorsque la région (O) constitue la totalité de la région de la couche de réception de la lumière ou bien, lorsque l'épaisseur To de la région (O) est suffisamment grande par rapport à 5 l'épaisseur T de la couche de réception de la lumière, sans que cette région constitue cependant la totalité de la couche de réception de la lumière, la limite supérieure de la teneur des atomes d'oxygène dans la région (O) doit

avantageusement être suffisament inférieure à la valeur 10 précitée.

Dans le cas de la présente invention, lorsque le rapport de l'épaisseur To de la région (O) à l'épaisseur T de la couche de réception de la lumière est de 2/5 ou plus, la limite supérieure de la teneur des atomes d'oxy15 gène dans la région de la couche peut avantageusement être de 30 % ou moins, plus avantageusement de 20 % ou moins, et

de préférence de 10 % ou moins, sur la base de T(Si Ge O).

Dans la présente invention, la région (O) contenant des atomes d'oxygène, destinée à entrer dans la constitution de la couche de réception de la lumière, peut avantageusement être réalisée de façon à comprendre une région localisée (B) contenant des atomes d'oxygène à une teneur relativement plus élevée, sur le côté du substrat et à proximité de la surface libre, comme décrit précédemment 25 et, dans le premier cas, l'adhérence entre le substrat et la couche de réception de la lumière peut encore être améliorée et un perfectionnement portant sur le potentiel

admissible peut également être obtenu.

La région localisée (T), telle que décrite à l'aide de symboles montrés sur les figures 25 à 40, peut être avantageusement réalisée dans un intervalle s'étendant sur 5 dm à partir de la position t B de l'interface ou de la surface libre t T. Dans la présente invention, la région localisée 35 (B) ci-dessus peut être réalisée de façon à être identique à la totalité de la région (LT) jusqu'à la profondeur de dm à partir de la position t B de l'interface ou de la surface libre t T, ou bien, en variante, elle peut être

réalisée de façon à constituer une partie de la région (LT).

On peut convenablement déterminer, suivant les caractéristiques demandées pour la couche de réception de 5 la lumière à former, si la région localisée (B) est réalisée en tant que partie ou totalité de la région (LT) de la couche. La région localisée (B) peut être avantageusement formée de manière que la teneur maximale Cmax des atomes d'oxygène, répartis dans la direction de l'épaisseur de la couche, puisse être avantageusement de 500 ppm ou plus, plus avantageusement de 800 ppm ou plus, et de préférence

de 1000 ppm ou plus, sur la base de T(Si Ge O).

Autrement dit, conformément à la présente invention, 15 la région (O) contenant des atomes d'oxygène est formée de façon que la valeur maximale Cmax du profil de profondeur puisse être présente dans une épaisseur de couche de 5 Nm

à partir du côté du substrat ou de la surface libre (la région de la couche comprise dans une épaisseur de 5 m à 20 partir de t B ou de t T).

Dans la présente invention, pour réaliser plus efficacement l'objet de la présente invention, il est souhaitable que la région (O) de la couche, contienne des atomes d'oxygène d'une manière telle que le profil de 25 profondeur des atomes d'oxygène, dans la direction de l'épaisseur de la région (O) de la couche,soit lisse et continu sur la totalité de la région De plus, en établissant le profil de profondeur précité de façon que la teneur maximale Cmax puisse être présente dans la partie 30 intérieure de la couche de réception de la lumière,

l'effet décrit ci-après est obtenu de façon remarquable.

Dans la présente invention, il est souhaitable que la teneur maximale Cmax ci-dessus soit établie à proximité de la surface de la couche de réception de la 35 lumière opposée au substrat (le côté de la surface libre sur la figure 1) Dans ce cas, en choisissant de façon appropriée la teneur maximale Cmax, il est possible d'empêcher efficacement l'injection de charges depuis la surface dans la partie intérieure de la couche de réception de la lumière lorsque cette dernière est soumise à un

traitement de charge à partir du côté de la surface libre.

De plus, à proximité de la surface libre précitée, on peut améliorer encore la longévité dans une atmosphère fortement humide en incorporant des atomes d'oxygène dans la couche de réception de la lumière, suivant un-état de distribution tel que la teneur des atomes d'oxygène diminue 10 brusquement à partir de la valeur maximale Cmax vers la

surface libre.

Lorsque le profil de profondeur des atomes d'oxygène présente la teneur maximale Cmax dans la partie intérieure de la couche de réception de la lumière, en donnant 15 au profil de profondeur des atomes d'oxygène contenus une forme telle que la valeur maximale de la teneur puisse être présente sur le côté plus rapproché du substrat, l'adhérence entre le substrat et la couche de réception de la lumière

et l'inhibition de l'injection de charges peuvent être amé20 liorées.

Dans la présente invention, la teneur maximale Cmax peut avantageusement être de 67 % ou moins, plus avantageusement de 50 % ou moins, et de préférence de 40 % ou

moins, en valeur atomique, sur la base de T(Si Ge O).

Dans la présente invention, il est souhaitable que les atomes d'oxygène soient contenus en quantité comprise dans la plage qui n'abaisse pas la photosensibilité dans la région centrale de la couche de réception de

la lumière, bien que les efforts puissent porter sur un 30 accroissement de la résistance d'obscurité.

Dans la présente invention, pour la réalisation de la région (O), contenant des atomes d'oxygène, dans la couche de réception de la lumière, une matière de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène peut être utilisée 35 avec la matière de départ pour la formation de la couche de réception de la lumière, comme mentionné précédemment, pendant la formation de la couche de réception de la lumière, et ces matières peuvent être incorporées dans la

couche formée en même temps que leurs quantités sont réglées.

Lorsque le procédé à décharge d'effluves doit être utilisé pour la formation de la région (O) de la couche, la matière de départ utilisée comme gaz de départ pour la formation de la région (O) peut être obtenue par addition d'une matière de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène à la matière de départ choisie comme souhaité parmi celles utilisées pour la formation de la couche de réception 10 de la lumière, comme mentionné précédemment Comme telle matière de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, on peut utiliser la plupart des substances gazeuses ou gazéifiables contenant au moins des atomes d'oxygène en

tant qu'atomes constitutifs.

Par exemple, on peut utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) en tant qu'atomes constitutifs, d'un gaz de départ contenant des atomes d'oxygène ( 0) en tant atomes constitutifs etg facultativement, d'un gaz de départ contenant des atomesd'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogène (X) en tant qu'atomes constitutifs, dans une proportion de mélange souhaitée; un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) en tant qu'atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant des atomes d'oxygène et des 25 atomesd'hydrogène en tant qu'atomes constitutifs, également dans une proportion de mélange souhaitée; ou un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium {Si) en tant qu'atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant

les trois atomes de silicium (Si), d'oxygène (O) et 30 d'hydrogène (H) comme atomes constitutifs.

En variante, on peut également utiliser un

mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) et des atomesd'hydrogène (H) en tant qu'atomes constitutifs, et d'un gaz de départ contenant des atomes d'oxy35 gène (O) en tant qu'atomes constitutifs.

Plus particulièrement on peut mentionner, par exemple, l'oxygène ( 02), l'ozone ( 03), le monoxyde d'azote (NO), le bioxyde d'azote (NO 2), le protoxyde d'azote (N 20), l'anhydride azoteux (N 203), le peroxyde d'azote (N 204), l'anhydride azotique (N 205), le trioxyde d'azote (NO 3) et des siloxanes inférieurs contenant des atomes de silicium (Si), des atomes d'oxygène {O) et des atomesd'hydrogène (H) en tant qu'atomes constitutifs, tels que le disiloxane (H 3 Si O Si H 3), le trisiloxane

(H 3 Si O Si H 2 O Si H 3) et autres.

Pour la formation de la région (O) de la couche contenant des atomes d'oxygène par le procédé de pulvérisation, une tranche de Si monocristallin ou polycristallin ou une tranche de Si O 2, ou encore une tranche contenant du

Si et du Si O 2 en mélange, peut être utilisée et une pulvérisation de ces tranches peut être conduite dans diverses 15 atmosphères gazeuses.

Par exemple, lorsqu'une tranche de Si est utilisée comme cible, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène avec, le cas échéant, un gaz de départ pour l'introduction d'atomesd'hydrogène et/ou d'atomes d'halogène, 20 qui peuvent facultativement être dilués avec un gaz de dilution, peuvent être introduits dans une chambre de déposition pour pulvérisation afin qu'un plasma soit formé de ces gaz, plasma dans lequel une pulvérisation de la

tranche de Si peut être effectuée.

En variante, en utilisant des cibles séparées de Si et de Si O 2, ou une feuille d'une cible contenant du Si et du Si O 2 en mélange, on peut effectuer une pulvérisation dans une atmosphère constituée d'un gaz de dilution tel qu'un gaz pour pulvérisation, ou dans une atmosphère gazeuse contenant au moins des atomesd'hydrogène (H) et/ou

des atomes d'halogène (X) en tant qu'atomes constitutifs.

Comme gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, on peut utiliser les gaz de départ indiqués à titre d'exemple dans le procédé à décharge d'effluves, décrit 35 précédemment, ces gaz étant également efficaces dans le

cas d'une pulvérisation.

a 55228 Dans la présente invention, lors de la réalisation d'une région ( 0) contenant des atomes d'oxygène pendant la formation de la couche de réception de la lumière, la formation de la région ( 0) ayant un état de distribution, dans la direction de l'épaisseur de la couche (profil de profondeur) souhaité, obtenu par variation de la teneur C(O) des atomes d'oxygène contenus dans ladite région ( 0), peut être effectuée, dans le cas d'une décharge d'effluves, par introduction d'un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène dont la teneur C( 0) doit être modifiée, dans une chambre de déposition, tandis que l'on fait varier convenablement son débit d'écoulement conformément à une courbe souhaitée de rythme de variation Par exemple, par le procédé manuel ou par tout autre procédé utilisé classiquement, 15 par exemple celui mettant en oeuvre un moteur d'entraînement extérieur, etc, l'ouverture d'une valve à pointeau,9 montée dans le circuit d'écoulement du gaz, peut être modifiée progressivement Au cours de cette opération, le rythme de variation ne doit pas nécessairement être linéaire, mais 20 le débit d'écoulement peut être réglé en fonction d'une courbe de rythme de variation calculée précédemment au moyen, par exemple, d'un micro-ordinateur, afin que l'on obtienne

une courbe de teneur souhaitée.

Dans le cas o la région ( 0) de la couche est for25 mée par le procédé de pulvérisation, la formation d'un profil de profondeur souhaitée des atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur de la couche, par variation de la teneur C( 0) des atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur, peut être obtenue d'abord de la même manière que dans le cas du procédé à décharge d'effluves, par l'utilisation d'une matière de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène à l'état gazeux et variation convenable, comme souhaité, du débit d'écoulement dudit gaz lorsqu'il est

introduit dans la chambre de déposition.

Ensuite, la formation d'un tel profil de p-f::deur peut également être obtenue par modification pde la composition d'une cible pour pulvérisation.

ple, lorsqu'une cible comprenant un mélange de Si Si O 2 doit être utilisée, le rapport de mélange du Si au Si O 2 peut être modifié dans la direction de l'épaisseur de la cible. Le substrat à utiliser dans la présente invention peut être constitué d'une matière conductrice du courant électrique ou d'une matière isolante Comme matière électroconductrice, on peut mentionner des métaux tels que l'alliage Ni Cr, l'acier inoxydable, Al, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt,

Pd, etc, ou des alliages de ces métaux.

Comme matière isolante, on peut utiliser classiquement des films ou des feuilles de résines synthétiques, comprenant du polyester, du polyéthylène, du polycarbonate, de l'acétate de cellulose, du polypropylène, du polychlorure de vinyle, du polychlorure de vinylidène, du polystyrène, un polyamide, etc, des verres, des céramiques, des papiers, et ainsi de suite Au moins une surface de ces substrats isolants est avantageusement soumise à un traitement la

rendant conductrice du courant électrique et il est souhaitable d'appliquer d'autres couches sur la face à laquelle 20 le traitement électroconducteur a été-appliqué.

Par exemple, le traitement électroconducteur d'un verre peut être effectué par l'application d'une mince pellicule de Ni Cr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In 203, Sn O 2, ITO (In 203 + Sn O 2) sur le verre En variante, 25 un film de résine synthétique, par exemple un film de polyester, peut être soumis, en surface, à un traitement électroconducteur par déposition de vapeur sous vide, déposition par faisceau d'électrons ou pulvérisation d'un métal tel que Ni Cr, Al, Ag, Pd, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, 30 Pt, etc, ou par un traitement de stratification à l'aide dudit métal, afin de rendre la surface conductrice du courant électrique Le'substrat peut être configuré dans toute forme, par exemple en forme de cylindres, de bandes, de plaques ou autres, et sa forme peut être déterminée comme 35 souhaité Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur de la figure 1 doit être utilisé en tant qu'élément de formation d'image pour électrophotographie, il peut avantageusement être réalisé sous la forme d'une bande sans fin ou d'un cylindre à utiliser pour des opérations continues de copies effectuées à grande vitesse Le substrat peut avoir une épaisseur qui est commodément déterminée de façon qu'un élément photoconducteur tel que souhaité puisse être formé Lorsque l'élément photoconducteur peut avoir une certaine flexibilité, le substrat est réalisé de façon à être aussi mince que possible dans la mesure o la fonction de substrat peut être suffisamment assurée Cependant, dans ce cas, l'épaisseur est avantageusement de 10 pm ou plus Io pour des raisons de fabrication ou de manipulation du

substrat, ainsi que pour en assurer la résistance mécanique.

La figure 41 est une coupe illustrant schématiquement la structure stratifiée d'une seconde forme de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention.

L'élément photoconducteur 4100 représenté sur la figure 41 comporte une couche 4107 de réception de la lumière constituée d'une première couche (I) 4102 et d'une seconde

couche (II) 4105 sur un substrat 4101 pour élément photoconducteur, ladite couche 4107 de réception de la lumière 20 présentant une surface libre 4106 à une extrémité.

L'élément photoconducteur 4100 montré sur la figure 41 est identique à l'élément photoconducteur 100 représenté sur la figure 1, sauf qu'il comporte une seconde couche (II) 4105 sur la première couche (I) 4102 Autrement dit, la pre25 mière région (G) 4103 et la région (S) 4104 constituant la première couche (I) 4102 correspondent, respectivement, à la première région (G) 4103 et à la seconde région (S) 4104

montrées sur la figure 1, et la totalité de la description concernant la première région (G) et la seconde région (S) 30 s'applique à la région4103 et à la région 41047 respectivement Il en est de même en ce qui concerne le substrat

4101. Dans l'élément photoconducteur 4100 montré sur la figure 41, la seconde couche (II) 4105 formée sur la pre35 mière couche (II) 4102 présente une surface libre et est destinée à réaliser les objets de la présente invention en ce qui concerne principalement la résistance à l'humidité les caractéristiques d'utilisation continue et répétfe la rigidité diélectrique, les caractéristiques vis-à-vis du

milieu ambiant d'utilisation et la longévité.

La seconde couche (II) 4105 est constituée d'une matière amorphe contenant des atomes de silicium (Si) et au moins l'un des atomes de carbone (C) et d'azote (N), ainsi que, facultativement, au moins l'un des atomes d'hydrogène

(H) et d'halogènes (x).

La matière amorphe ci-dessus constituant la seconde 10 couche (II) peut comprendre une matière amorphe contenant des atomes de silicium (Si) et des atomes de carbone (C) avec, facultativement, des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogènes (X) (désignée ci-après "a-{Six C 1 x)y(H, X) -y o O < x, y < 1 et une matière amorphe contenant des atomes de silicium (Si) et des atomes d'azote (N) ainsi que, facultativement, des atomes d'hydrogène (R) et/ou des atomes d'halogènes (X) (désignée ciaprès "a-(Six N_ x)Y(H,X)-_y,

o O <x, y < 1).

La formation de la seconde couche (II) constituée 20 de ces matières amorphes peut être effectuée conformément

au procédé à décharge d'effluves, au procédé de pulvérisation, au procédé d'implantation ionique, au procédé de pulvérisation ionique, au procédé à faisceau d'électrons,etc.

Ces procédés de préparation peuvent être convenablement choisis suivant divers facteurs tels que les conditions de préparation, l'importance de la charge constituée par l'investissement en capitaux pour les installations, l'échelle de production, les caractéristiques souhaitables demandées pour l'élément photoconducteur à préparer, etc Pour les 30 avantages constitués par une maîtrise relativement aisée des conditions de préparation d'éléments photoconducteurs ayant des caractéristiques souhaitées et d'introduction aisée d'atomes de carbone, d'atomes d'azote, d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogènes avec les atomes de sili35 cium (Si) dans la seconde couche amorphe (II) à préparer, il peut être préférable d'utiliser le procédé à décharge

d'effluves ou le procédé de pulvérisation.

En outre, dans la présente invention, le procédé à décharge d'effluves et le procédé de pulvérisation peuvent être utilisés en combinaison dans le même dispositif pour

former la seconde couche (II).

Dans la présente invention, des atomes d'halogènes convenables (X), contenus dans la seconde couche 2505, comprennent F, Cl, Br et I, F et Cl étant particulièrement avantageux. Pour la formation de la seconde couche (II) par le procédé à décharge d'effluves, des gaz de départ pour la formation de cette seconde couche (II), qui peuvent être facultativement mélangés à un gaz de dilution dans un rapport de mélange prédéterminé, peuvent être introduits dans une chambre de déposition sous vide dans laquelle un substrat est placé, et une décharge d'effluves est déclenchée dans cette chambre afin que les gaz qui y sont introduits forment un plasma, une matière amorphe étant ainsi déposée pour former la seconde couche (II) sur la première

couche (I) déjà formée sur le substrat.

Dans la présente invention, le gaz de départ pouvant être utilisé efficacement pour la formation de la seconde couche (II) peut comprendre l'un de ceux qui sont

gazeux à la température ambiante et à la pression atmosphérique ou qui peuvent être aisément gazéifiés.

Dans la présente invention, comme gaz de départ pour la formation de a(Six C 1 x)y(H,X)1 y, on peut utiliser la plupart des substances contenant au moins l'un des atomes de silicium (Si), de carbone (C), d'hydrogène (H) et d'un halogène (X) en tant qu'atomes constitutifs, qui sont des 30 substances gazeuses ou gazéifiées provenant de substances

aisément gazéifiables.

Par exemple, il possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constitutif, d'un gaz de départ contenant C en tant qu'atome constitutif 35 et, facultativement, d'un gaz de départ contenant H en tant qu'atome constitutif et/ou d'un gaz de départ contenant X en tant qu'atome constitutif, dans une proportion de mélange souhaitée,ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constitutif et d'un gaz de départ contenant C et H en tant qu'atomes constitutifs et/ou d'un gaz de départ contenant C et X en tant qu'atomes constitutifs, également dans une proportion souhaitée, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constitutif et d'un gaz de départ contenant les trois atomes Si, C et H en tant qu'atomes constitutifs,ou d'un gaz de départ contenant les

trois atomes Si, C et X en tant qu'atomes constitutifs.

En variante, il est également possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si et H en tant qu'atomes constitutifs avec un gaz de départ contenant C en tant qu'atome constitutif, ou un mélange d'un gaz de départ

contenant Si et X en tant qu'atomes constitutifs et d'un gaz 15 de départ contenant C en tant qu'atome constitutif.

Dans la présente invention, comme gaz de départ pour la formation a-(Six Nlx)y(H,X)1 ly, on peut utiliser la plupart des substances contenant au moins l'un des atomes de silicium (Si), d'azote (N), d'hydrogène (H) et d'halo20 gène (X) en tant qu'atomes constitutifs, qui sont des substances gazeuses ou gazéifiées provenant de substances

aisément gazéifiables.

Par exemple, il est possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constitutif, 25 d'un gaz de départ contenant N en tant qu'atome constitutif et, facultativement, d'un gaz de départ contenant H en tant qu'atome constitutif et/ou d'un gaz de départ contenant X en tant qu'atome constitutif, dans une proportion de mélange souhaité, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si en 30 tant qu'atome constitutif et d'un gaz de départ contenant N et H en tant qu'atomes constitutifs et/ou d'un gaz de départ contenant N et X en tant qu'atomes constitutifs, également dans une proportion souhaitée, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si en tant qu'atome constitutif et 35 d'un gaz de départ contenant les trois atomes Si, N et H en

tant qu'atomes constitutifs ou d'un gaz de départ contenant les trois atomes Si, N et X en tant qu'atomes constitutifs.

En variante, il est également possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si et H en tant qu'atomes constitutifs avec un gaz de départ contenant N en tant qu'atome constitutif, ou un mélange d'un gaz de départ contenant Si et X en tant qu'atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant N en tant qu'atome constitutif. La formation de la seconde couche (II) par le procédé de pulvérisation peut être mise en oeuvre de la manière suivante. En premier lieu, lorsqu'une cible constituée de Si est soumise à une pulvérisation dans une atmosphère constituée d'un gaz inerte tel que Ar, He, etc, ou d'un mélange sur la base de ces gaz, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes de carbone (C) et/ou un gaz de départ pour 15 l'introduction d'atomes d'azote (N) peut être introduit, facultativement avec des gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogènes (X),

dans une chambre de déposition sous vide pour qu'une pulvérisation soit réalisée.

En second lieu, des atomes de carbone (C) et/ou des atomes d'azote (N) peuvent être introduits dans la seconde couche (II) formée par l'utilisation d'une cible constituée de Si O 2 et/ou de Si 3 N 4, ou de deux feuilles cibles constituées de Si, et d'une cible constituée de Si O 2 et/ou 25 de Si 3 N 4, ou d'une cible constituée de Si et de Si O 2 et/ou Si 3 N 4 Dans ce cas, si le gaz de départ pour l'introduction d'atomes de carbone (C) et/ou le gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'azote (N), tel que mentionné ci-dessus, sont utilisés en combinaison, la quantité d'atomes de car30 bone (C) et/ou d'atomes d'azote (N) à introduire dans la seconde couche (II) peut être aisément réglée comme souhaité

par réglage du débit d'écoulement de ces gaz.

La quantité d'atomes de carbone (C) et/ou d'atomes d'azote (N) à incorporer dans la seconde couche (II) peut 35 être réglée comme souhaité par réglage du débit d'écoulement du gaz de départ pour l'introduction d'atomes de carbone (C) et/ou du gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'azote (N), ajustement de la proportion d'atomes de carbone (C) et/ou d'atomes d'azote (N) dans la cible pour l'introduction d'atomes de carbone et/ou d'atomes d'azote pendant la préparation de la cible, ou à la fois par ce réglage et par cet ajustement. Le gaz de départ pour l'apport de Si, à utiliser dans la présente invention, peut comprendre des composés de silicium hydrogénés, gazeux ou gazéifiables (silanes) tels que Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 10 et autres, comme matières 10 efficaces En partriculier, Si H 4 et Si 2 H 6 sont avantageux

pour leur facilité de manipulation pendant la formation des couches et l'efficacité avec laquelle ils fournissent du Si.

En utilisant ces matières de départ, on peut également incorporer H avec Si dans la seconde couche (II) formée, par un choix approprié des conditions de formation

de la couche.

Comme matière de départ utilisée efficacement pour l'apport de Si, en plus des composés de silicium hydrogénés mentionnés précédemment, on peut utiliser des composés de silicium contenant des atomes d'halogènes (X), à savoir les composés appelés dérivés de silane substitué par des atomes d'halogènes comprenant un halogénure de silicium tel que Si F 4, Si 2 F 6, Si C 14, Si Br 4, Si B 13 Br, Si C 2 Br 2, Si Cl Br 3,

Si C 13 I, etc, comme matières avantageuses.

En outre, des halogénures contenant des atomes d'hydrogène en tant que l'un de leurs constituants, qui sont gazeux ou gazéifiables, tels qu'un composé de silicium hydrogéné substitué par un halogène, comprenant Si Hi 2 F 2, Si H 2 12, Si H 2 C 12, Si HC 13, Si H 3 Br, Si H 2 Br 2, Si H Br 3, etc, peuvent également être mentionnés comme matières efficaces de départ pour l'apport de Si pour la formation de la

seconde couche (II).

De plus, dans le cas de l'utilisation d'un composé de silicium contenant des atomes d'halogènes (X), X peut être introduit avec Si dans la seconde couche (II) formée, par un choix convenable des conditions de formation de la

couche, comme mentionné précédemment.

Parmi les matières de départ décrites ci-dessus, des halogénures de silicium contenant des atomes d'hydrogène seront utilisés comme matière de départ avantageuse pour l'introduction d'atomes d'halogènes (X) dans la pré5 sente invention car, pendant la formation de la seconde couche (II), des atomes d'hydrogène (H), qui sont extrêmement efficaces pour déterminer les caractéristiques électriques ou photo-électriques, peuvent être incorporés avec des

atomes d'halogènes (X) dans la couche.

Des matières de départ efficaces pouvant être utilisées comme gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogènes (X) dans la formation de la seconde couche (II) de la présente invention peuvent comprendre, en plus de celles mentionnées précédemment, par exemple des halogènes à l'état gazeux tel que le fluor, le chlore, le brome et l'iode; des composés interhalogénés tels que Br F, Cl F, C 1 F 3, Br F 3, IF 3, IF 7, IC 1, I Br, etc, et des halogénures d'hydrogène tels que HF, HC 1, H Br, HI, etc. Le gaz de départ pour l'introduction d'atomes de carbone (C) à utiliser dans la formation de la seconde couche (II) peut comprendre des composés comprenant C et H en tant qu'atomes constitutifs, tels que des hydrocarbures saturés contenant 1 à 4 atomes de carbone, des hydrocarbures éthyléniques ayant 2 à 4 atomes de carbone, des hydrocar25 bures éthyléniques ayant 2 ou 3 atomes de carbone, des hydrocarbures acétyléniques ayant 2 ou 3 atomes de carbone, etc. Plus particulièrement, on peut utiliser, en tant qu'hydrocarbures saturés, du méthane (CH 4), de l'éthane (C 2 H 6), du propane (C 3 H 8), du n-butane (n-C 4 H 10), du 30 pentane (C 5 H 12); comme hydrocarbures éthyléniques, de l'éthylène (C 2 H 4), du propylène (C 3 H 6), du butane -1 (C 4 H 8), du butène-2 (C 4 H 8), de l'isobutylène (C 4 H 8), du pentène (C 5 H 10); comme hydrocarbures acétyléniques, de 1 lacétylène (C 2 H 2),duméthylacétylène (C 3 H 4), du butyne (C 4 H 6 o 35 Autrement, il est également possible d'u er des hydrocarbures paraffiniques substitués par u- hlcgène tel que CF 4 CC 14 C Br 4 CHF 3 CH 2 F 2 CH Mw C;

CH 3 Br, CH 3 I, C 2 H 5 C 1, etc; des dérivés de silne c pe-

nant des alkylsilanes tels que Si(CH 3)4, Si(C 2 H 5)4, etc. et des alkylsilanes contenant un halogène telsque Si Cl(CH 3)3,

Si C 12 (CH 3)2, Si C 13 CH 3, comme matières efficaces.

Comme matière de départ utilisée efficacement en 5 tant que gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'azote (N) durant la formation de la seconde couche (II), il est possible d'utiliser des composés contenant N en tant qu'atome constitutif ou des composés contenant N et H en tant qu'atomes constitutifs, tels que des composés d'azote gazeux 10 ou gazéifiables, des nitrures et des azothydrures, comprenant, par exemple, l'azote (N 2), l'ammoniac (NH 3), l'hydrazine (H 2 NNH 2), l'azothydrure d'hydrogène (HN 3), l'azothydrure d'ammonium (NH 4 N 3) et ainsi de suite En variante, pour l'introduction avantageuse d'atomes d'halogènes (X) en plus des atomes d'azote (N), on peut également utiliser des halogénures d'azote tels que le trifluorure d'azote (F 3 N), le fluorure d'azote de formule (F 4 N 2), etc. Les matières de départ pour la formation de la seconde couche amorphe (II) ci-dessus peuvent être choisies 20 et utilisées comme souhaité pour la formation de la seconde couche amorphe (II) de manière que des atomes de silicium et des atomes de carbone et/ou des atomes d'azote, ainsi que, facultativement, des atomes d'hydrogène et/ou des atomes d'halogènes puissent être contenus dans des proportions de 25 compositions prédéterminées dans la seconde couche amorphe

(II) à former.

Par exemple, Si(CH 3)4, en tant que matière capable d'introduire aisément des atomes de silicium, des atomes de carbone et des atomes d'hydrogène et de former une couche 30 ayant des caractéristiques souhaitées, et Si H C 13, Si C 14, Si H 2 Gc 12 ou Si H 3 Cl, en tant que matière pour l'introduction d'atomes d'halogènes, peuvent être mélangés dans un rapport prédéterminé et introduits à l'état gazeux dans un dispositif pour la formation d'une seconde couche (II), l'intro35 duction étant suivie du déclenchement d'une décharge d'effluves, afin qu'il puisse se former une seconde couche (II)

comprenant a-(Six C 1 -x)y(Cl+H)1 _y.

Dans la présente invention, comme gaz de dilution à utiliser pour la formation de la seconde couche (II) par le procédé à décharge d'effluves ou par le procédé de pulvérisation, on peut utiliser les gaz dits rares tels que He, Ne et Ar, qui sont avantageux. La seconde couche (II) de la présente invention doit être formée avec soin afin que les caractéristiques

demandées puissent être obtenues exactement comme souhaité.

Ainsi, la matière ci-dessus contenant Si et C et/ou N, avec, 10 facultativement, H et/ou X en tant qu'atomes constitutifs, peut prendre diverses formes allant de la forme cristalline à la forme amorphe et peut présenter des propriétés électriques allant du conducteur à l'isolant en passant par le semiconducteur, et des propriétés photoconductrices allant de la photoconductivité à la non-photoconductivité, suivant les conditions de préparation Par conséquent, dans la présente invention, les conditions de préparation sont choisies de façon stricte, comme souhaité, afin qu'il puisse être formé la matière amorphe pour la constitution de la seconde couche 20 (II) ayant des caractéristiques souhaitées, suivant la fonction prévue Par exemple, lorsque la seconde couche (II) est destinée principalement à améliorer la rigidité diélectrique, la matière amorphe précitée est préparée sous la

forme d'une matière amorphe présentant un comportement élec25 triquement isolant marqué dans le milieu d'utilisation.

En variante, lorsque la fonction principale prévue pour la seconde couche (II) est d'améliorer les caractéristiques d'utilisation continue et répétée ou les caractéristiques d'utilisation vis-à-vis du milieu ambiant, le degré de la propriété électriquement isolante, indiquée cidessus, peut être atténué dans une certaine mesure et la matière amorphe précitée peut être préparée en tant que matière amorphe sensible, dans une certaine mesure, à la

lumière à laquelle elle est exposée.

Dans la formation de la seconde couche (II) sur la surface de la première couche (I), la température du substrat pendant la formation de la couche constitue un facteur important influençant la structure et les caractéristiques de la couche à former, et il est souhaitable, dans la présente invention, de régler strictement la température du substrat pendant la formation de la couche afin 5 que la matière amorphe constituant la seconde couche (II), ayant des caractéristiques prévues, puisse être préparée comme souhaité Pour la température du substrat lors de la formation de la seconde couche (II), pour réaliser efficacement les objets de la présente invention, on peut conve10 nablement choisir la plage optimale de températures en conformité avec le procédé mis en oeuvre pour la formation de la seconde couche (II), avantageusement entre 20 et 400 C, plus avantageusement entre 50 et 350 C, et de préférence entre 100 et 300 C Pour la formation de la seconde couche (II), le procédé à décharge d'effluves ou le procédé de pulvérisation peut être avantageusement adopté, car il permet de maîtriser étroitement le rapport de composition des atomes constituant la couche ou de maîtriser l'épaisseur de la couche de façon relativement aisée par rapport à d'autres 20 procédés Dans le cas o la seconde couche (II) doit être formée par l'un de ces procédés de formation de couche, la puissance de décharge utilisée pendant la formation de la couche constitue l'un des facteurs importants ayant une influence sur les caractéristiques de la matière amorphe ci25 dessus, constituant la seconde couche (II) à préparer, au

même titre que la température précitée du substrat.

La puissance de décharge utilisée pour préparer efficacement la matière amorphe pour la constitution de la seconde couche (II) ayant les caractéristiques permettant 30 de réaliser les objets de la présente invention, avec une bonne productivité, peut être avantageusement comprise entre 1,0 et 300 W, plus avantageusement entre 2,0 et 250 W et de préférence entre 5,0 et 200 W. La pression du gaz dans une chambre de déposition 35 peut être avantageusement comprise entre 1,33 et 133 Pa, et

plus avantageusement entre 13,3 et 66,6 Pa.

Dans la présente invention, les plages de valeurs numériques ci-dessus peuvent être mentionnées en tant que valeurs avantageuses pour la température du substrat et la puissance de décharge pour la préparation de la seconde couche (II) Cependant, ces facteurs pour la formation de la couche ne doivent pas être déterminés séparément et indépendamment les uns des autres, mais il est souhaitable que les valeurs optimales des facteurs respectifs de formation

de la couche soient déterminés sur la base de relations 10 organiques mutuelles afin qu'une seconde couche (II) de caractéristiques souhaitées puisse être formée.

Les teneurs respectives en atomes de carbone, en atomes d'azote ou en atomes de carbone et d'azote de la seconde couche (II) de l'élément photoconducteur selon l'in15 vention sont des facteurs importants pour l'obtention des caractéristiques souhaitées afin de réaliser les objets de la présente invention, au même titre que les conditions de préparation de la seconde couche (II) Les teneurs respectives en atomes de carbone et en atomes d'azote ou la somme 20 de ces deux types d'atomes contenus dans la seconde couche (II) de la présente invention sont déterminées comme souhaité en fonction de la matière amorphe constituant la seconde couche

(II) et de ses caractéristiques.

Plus particulièrement, la matière amorphe repré25 sentée par la formule ci-dessus a-(Six C 1 x)y(H,X)1 y peut être globalement classée comme une matière amorphe constituée d'atomes de silicium et d'atomes de carbone (désignée ci-après a-Sia C 1-a, o O <a < 1), comme une matière amorphe constituée d'atomes de silicium, d'atomes de carbone et d'atomes d'hydrogène (désignée ci-après a-(Sib C 1 _b) Hl, o O < b, c < 1) et comme une matière amorphe constituée d'atomes de silicium, d'atomes de carbone, d'atomes d'halogènes et, facultativement, d'atomes d'hydrogène (désignée

ci-après "a-(Sid C 1 _d)e(HX)_e, o O < d, e < 1).

Dans la présente invention, lorsque la seconde

couche (II) doit être constituée de a-Si C 1, la teneur en atomes de carbone de cette seconde couche (II) peut généra-

lement être comprise entre 1 x 10 3 à 90 %, plus avantageusement entre 1 et 80 % et de préférence entre 10 et %, c'est-à-dire, en utilisant le terme a de la formule ci-dessus a-Sia C 1-a, a étant avantageusement compris entre 0,1 et 0,99999, plus avantageusement entre 0,2 et 0,99 et

de préférence entre 0,25 et 0,9.

Dans la présente invention, lorsque la seconde couche (II) doit être constituée de a-(Sib Cl b)c H 1 c' la teneur en atomes de carbone de cette seconde couche (II) -3 peut être avantageusement comprise entre 1 x 10 3 à 90 %, plus avantageusement entre 1 à 90 % et de préférence entre 10 et 80 %; la teneur en atomes d'hydrogène peut avantageusement être comprise entre 1 à 40 %, plus avantageusement entre 2 et 35 % et de préférence entre 5 et 35 %, et l'élément photoconducteur formé, lorsque la teneur en

hydrogène est comprise dans ces plages, présente des possibilités d'application suffisantes en tant qu'élément excellent en pratique.

Autrement dit, à l'aide des termes de la formule 20 ci-dessus a-(Sib C 1 _b)c H 1 _c, b doit avantageusement être compris entre 0,1 et 0,99999, plus avantageusement entre 0,1 et 0,99 et de préférence entre 0,2 et 0,9, et c doit

être avantageusement compris entre 0,6 et 0,99, plus avantageusement entre 0,65 et 0,98 et de préférence entre 0,7 25 et 0,95.

Lorsque la seconde couche (II) doit être constitutée de a-(Sid C 1 _d)e(H, X) 1-_e, la teneur en atomes de carbone de cette seconde couche (II) peut avantageusement être comprise entre 1 x 10 3 à 90 %, plus avantageusement 30 entre 1 et 90 % et de préférence entre 10 et 85 %; la teneur en atomes d'halogènes est avantageusement comprise entre 1 et 20 %, plus avantageusement entre 1 et 18 % et de préférence entre 2 et 15 % Lorsque la teneur en atomes d'halogènes est comprise dans ces plages, l'élément photo35 conducteur préparé présente des possibilités d'application suffisantes pour être mis en oeuvre en pratique La teneur en atomes d'hydrogène, contenus facultativement, peut être avantageusement de 19 % ou moins et de préférence de 13 %

ou moins.

Ainsi, à l'aide des termes d et e de la formule ci-dessus a-(Sid C 1 _d) e(H,X)1 _e, d doit être avantageusement compris entre 0,1 et 0,99999, plus avantageusement entre 0,1 et 0,99, et de préférence entre 0,15 et 0, 9, et e est avantaguesement compris entre 0,8 et 0,99, plus avantageusement entre 0,82 et 0,99 et de préférence entre 0,85 et 0,98. De plus, la matière amorphe représentée par la formule ci-dessus a-(Six N 1 _x)y(X,Y) ly peut être globalement classée en une matière amorphe constituée d'atomes de silicium et d'atomes d'azote (désignée ci-après "a- Sia N a", o O < a < 1), en une matière amorphe constia 1-a tuée d'atomes de silicium, d'atomes d'azote et d'atomes d'hydrogène (désignée ci-après a-(Sib N 1 b)c H 1 îC' o

0 < b, c < 1), et en une matière amorphe constituée d'atomes de silicium, d'atomes d'azote, d'atomes d'halogènes et, facultativement, d'atomes d'hydrogène (désignée ci20 après "a-(Sid N 1-d)e(H,X)1 " o O <d, e < 1).

Dans la présente invention, lorsque la seconde couche (II) doit être constituée de a-Si N 1 la teneur a -a' en atomes d'azote de cette seconde couche (II) peut généralement être comprise entre 1 x 10 3 et 60 %, plus avan25 tageusement entre 1 et 50 % et de préférence entre 10 et %; c'està-dire, à l'aide du terme a de la formule ci-dessus a-Sia N 1-a, a étant avantageusement compris entre 0,4 et 0,99999, plus avantageusement entre 0,5 et

0,99 et de préférence entre 0,55 et 0,9.

Dans la présente invention, lorsque la seconde couche (II) doit être constituée de a-(Sib N 1 _b)c H 1 c, la teneur en atomes d'azote peut avantageusement être comprise entre 1 x 10-3 et 55 %, plus avantageusement entre 1 et % et de préférence entre 10 et 55 %; la teneur en atomes 35 d'hydrogène est avantageusement comprise entre 1 et 40 %, plus avantageusement entre 2 et 35 % et de préférence entre et 30 %; et l'élément photoconducteur formé, lorsque la teneur en hydrogène est comprise dans ces plages, présente

des possibilités d'application suffisantes en tant qu'élément excellent en pratique.

Autrement dit, à l'aide des termes de la formule ci-dessus a-(Sib-Nlb)c H 11 _c b doit être avantageusement compris entre 0,45 et 0,99999, plus avantageusement entre 0,45 et 0,99 et de préférence entre 0,45 et 0,9, et c est

avantageusement compris entre 0,6 et 0,99, plus avantageusement entre 0, 65 et 0,98 et de préférence entre 0,7 et 0,95.

Lorsque la seconde couche (II) doit être consti10 tuée de a-(Sid N 1 _d) e(H,X)l e' la teneur en atomes d'azote peut être avantageusement comprise entre 1 x 103 et 60 %, plus avantageusement entre 1 et 60 % et de préférence entre et 55 %; la teneur en atomes d'halogènes est avantageusement comprise entre 1 et 20 %, plus avantageusement entre 1 à 18 % et de préférence entre 2 et 15 % Lorsque la teneur en atomes d'halogènes est comprise dans ces plages, l'élément photoconducteur préparé possède des possibilités d'application suffisantes en pratique La teneur en atomes

d'hydrogène, contenus facultativement, peut être avantageuse20 ment de 19 % ou moins, et de préférence de 13 % ou moins.

Autrement dit, à l'aide des termes d et e de la formule ci-dessus a-(Sid N 1 _d)e(H,X)le, d peut être avantageusement compris entre 0,4 et 0,99999, plus avantageusement entre 0,4 et 0,99 et de préférence entre 0,45 et 0, 9, 25 et e est avantageusement compris entre 0,8 et 0,99, plus avantageusement entre 0,82 et 0,99 et de préférence entre

0,85 et 0,98.

La plage des valeurs numériques pour l'épaisseur de la seconde couche (II) doit être avantageusement déter30 minée suivant la fonction prévue afin que les objets de

l'invention puissent être réalisés efficacement.

L'épaisseur de la seconde couche (II) doit également être déterminée comme souhaité, de façon convenable, en tenant compte des relations avec les teneurs en atomes 35 de carbone et/ou en atomes d'azote, de la relation avec l'épaisseur de la première couche (I), ainsi que d'autres relations organiques avec les caractéristiques demandées

pour les régions respectives de la couche.

De plus, il est également souhaitable de tenir compte de points de véconomiques tels que la productivité

ou la possibilité de production en grande série.

Il est souhaitable que la seconde couche (II) de la présente invention ait une épaisseur avantageusement comprise entre 0,003 et 30 Vm, plus avantageusement entre

0,004 et 20 gm et de préférence entre 0,005 et 10 pm.

L'élément photoconducteur selon l'invention, conçu pour présenter une constitution stratifiée telle que

décrite en détail ci-dessus, peut résoudre la totalité des divers problèmes mentionnés précédemment et présente d'excellentes caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices, une excellente rigidité diélectrique et d'ex15 cellentes caractéristiques visà-vis du milieu d'utilisation.

En particulier, l'élément photoconducteur de la présente invention est insensible à toute influence d'un potentiel résiduel sur la formation de l'image lorsqu'il est 20 appliqué à un élément de formation d'image pour électrophotographie, ses caractéristiques électriques restant stables, avec une sensibilité élevée, un rapport signal/bruit élevé ainsi qu'une excellente résistance à la fatigue par la lumière et d'excellentes caractéristiques lors d'utilisa25 tions répétées De plus, l'élément est capable de produire

des images de haute qualité, de densité élevée, claires dans les demiteintes et d'une résolution élevée, de façon répétée et stable.

En outre, l'élément photoconducteur selon l'inven30 tion présente une haute photosensibilité sur tout le spectre de la lumière visible et il est particulièrement excellent dans une adaptation à un laser à semiconducteur et dans l'inhibition des interférences, et il présente une réponse

rapide à la lumière.

Un exemple du procédé de production de l'élément photoconducteur selon l'invention sera à présent brièvement décrit.

La figure 42 représente un exemple d'un dispositif de production d'un élément photoconducteur.

Des bouteilles ou bombes de gaz 202 à 206 contiennent hermétiquement des gaz de départ pour la forma5 tion de l'élément photosensible selon l'invention Par exemple,la bouteille 202 contient du Si F 4 gazeux dilué avec He (pureté: 99,999 %, désigné ci-après de façon abrégée Si F 4/He); la bouteille 203 contient-du Ge F 4 gazeux dilué avec He (pureté: 99,999 %, désigné ci-après 10 de façon abrégée Ge F 4/He); la bouteille 204 contient du NO gazeux (pureté: 99,99 %, désigné ci-après de façon abrégée NO); la bouteille 205 contient du B 2 H 6 gazeux dilué avec He (pureté: 99,999 %, désigné ci-après de

façon abrégée Be 2 H 6/He) et la bouteille 206 contient du 15 H 2 gazeux (pureté: 99,999 %).

Pour permettre à ces gaz de pénétrer dans une chambre 201 de réaction, après confirmation de la fermeture des valves ou robinets 222 à 226 des bouteilles de gaz 202 et 206 et du robinet de fuite 235, et de l'ouverture des 20 robinets d'entrée 212 à 216, des robinets de sortie 217 à 221 et des robinets auxiliaires 232 et 233, on ouvre d'abord le robinet principal 234 pour faire le vide dans la chambre 201 de réaction et les conduites de gaz Lors de

l'étape suivante, lorsque l'indicateur de vide 236 affiche 25 une valeur de 666,6 x 10 Pa, on ferme les robinets auxiliaires 232 et 233 et les robinets de sortie 217 à 221.

En se référant à présent à un exemple de formation d'une couche de réception de la lumière sur un substrat cylindrique 237, on permet au Si F 4/He gazeux pro30 venant de la bouteille 202, au Ge F 4/He gazeux provenant de la bouteille 203, au NO gazeux provenant de la bouteille 204 et au H 2 gazeux provenant de la bouteille 206 de pénétrer dans des régulateurs 207, 208, 209 et 211, respectivement, de débits d'écoulement massique en ouvrant les 35 robinets 222, 223, 224 et 226 et en réglant les pressions,

affichées par des manomètres 227, 228, 229 et 231 de pression de sortie, à 100 k Pa, ainsi qu'en ouvrant progressivement les robinets d'entrée 212, 213, 214 et 216, respec-

tivement On ouvre ensuite progressivement les robinets de sortie 217, 218, 219, 221 et le robinet auxiliaire 232 pour permettre aux gaz respectifs de pénétrer dans la chambre 201 de réaction On règle les robinets de sortie 217, 218, 219 et 221 de manière que les rapports des débits d'écoulement des Si F 4/He, Ge F 4/He, NO et H 2 gazeux puissent avoir une valeur souhaitée et l'ouverture du robinet principal 234 est également réglée pendant que l'on surveille la valeur affichée par l'indicateur de vide 236 afin que la 10 pression puisse atteindre une valeur souhaitée dans la chambre de réaction Après confirmation de l'établissement de la température du substrat 237 à une valeur comprise entre 50 et 400 C et établie par l'élément chauffant 238, on règle la source 240 d'alimentation en énergie à une puis15 sance souhaitée afin de déclencher une décharge d'effluves dans la chambre 201 de réaction et de former ainsi une première région (G) 103 sur le substrat 237 Lorsque la première région (G) 103 est formée à une épaisseur souhaitée,

on ferme totalement tous les robinets.

En remplaçant la bouteille de gaz Si F 4/He par une bouteille de gaz Si H 4/He (pureté du Si H 4: 99,999 %), en réglant les conditions de décharge d'effluves souhaitées par les mêmes manoeuvres de robinets que celles décrites pour la formation de la première région (G) de la couche, 25 à l'aide de la conduite de la bouteille de gaz Si H 4/He, de la conduite de la bouteille de gaz B 2 H 6/He et de la conduite de la bouteille de gaz NO, et en maintenant une décharge d'effluves pendant une période de temps souhaitée,

on peut former, sur la première région (G) de la couche, 30 comme décrit ci-dessus, la seconde région (S) qui ne contient pratiquement pas d'atomes de germanium.

Ainsi, une première couche (I), constituée de la première région (G) et de la seconde région (S), est

formée sur le substrat 237.

La formation d'une seconde couche (II) sur la première couche (I) peut être effectuée par l'utilisation, par exemple, de Si H 4 gazeux et de C 2 H 4 et/ou NH 3, facultativement, dilué avec un gaz de dilution tel que He, par la même manoeuvre de robinet que pour la formation de la première couche (I) et par le déclenchement d'une décharge d'effluves après que les conditions souhaitables ont été établies Pour l'introduction d'atomes d'halogènes dans la seconde couche (II), du Si F 4 gazeux et des gaz C 2 H 4 et/ou NH 3, ou un mélange gazeux auquel est additionné du Si H 4 gazeux, peuvent être utilisés pour former la seconde couche

(II) dans le même procédé que celui décrit ci-dessus.

Pendant la formation des couches respectives, les 10 robinets de sortie autres que ceux utilisés avec les gaz nécessaires doivent évidemment être fermés De plus, pendant la formation des couches respectives, pour éviter que le gaz utilisé pour la formation de la couche précédente reste dans la chambre 201 de réaction et dans les conduites comprises 15 entre les robinets de sortie 217 à 221 et la chambre de réaction, on procède à une évacuation du circuit sous un vide poussé en fermant les robinets de sortie 217 à 221, en ouvrant les robinets auxiliaires 232 et 233 et en ouvrant totalement le robinet principal, si cela est nécessaire. 20 La quantité d'atomes de carbone et/ou d'atomes d'azote contenus dans la seconde couche (II) peut être réglée, comme souhaité, par exemple, dans le cas d'une décharge d'effluves, en modifiant le rapport des débits d'écoulement du Si H 4 gazeux au C 2 H 4 gazeux et/ou NH 3 gazeux 25 à introduire dans la chambre 201 de réaction, comme souhaité, ou dans le cas de la formation d'une couche par pulvérisation, en modifiant le rapport de la surface de pulvérisation de la tranche de silicium à la tranche de graphite et/ou à la tranche de nitrure de silicium, ou en moulant une 30 cible à l'aide d'un mélange de silicium en poudre et de graphite en poudre et/ou de nitrure de silicium en poudre, dans une proportion de mélange souhaité La teneur en atomes d'halogènes (X) contenus dans la seconde couche (II) peut être déterminée par réglage du débit d'écoulement du gaz de 35 départ pour l'introduction d'atomes d'halogènes, tels que le Si F 4 gazeux, lorsqu'il est introduit dans la chambre 201

de réaction.

De plus, pour uniformiser la formation de la couche, il est souhaitable de faire tourner le substrat

237 au moyen d'un moteur 239, à une vitesse constante, pendant la formation de la couche.

La présente invention sera décrite plus en détail

en référence aux exemples suivants.

Exemple 1

A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons d'éléments de formation d'image 10 pour électrophotographie (voir échantillons N 1-1 A à 6-13 A du tableau IIA) sur des substrats cylindriques en aluminium,

dans les conditions indiquées au tableau IA.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés (B ou P) des échantillons respectifs sont indiqués à la figure 43 et ceux des atomes d'oxygène sur les figures 44 A et 44 B, ces figures indiquant en ordonnées la distance à partir de la surface du substrat ("m) et, en abscisses, la teneur en atomes (ppm) ou (%) Les profils de profondeur des atomes respectifs sont réglés par modification des rapports 20 des débits d'écoulement des gaz correspondants conformément

à la courbe de rythme de variation établie précédemment.

Chacun des échantillons ainsi obtenus est placé dans un dispositif d'essai de charge-exposition et est soumis à une charge d'effluves à C 5, 0 k V pendant 0,3 seconde,

suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse.

L'image lumineuse est projetée au moyen d'une source de lumière constituée d'une lampe à filament de tungstène, à une dose de 2 lux seconde, après une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur pouvant être chargé négativement (contenant une poudre pigmentaire ou "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de la couche de réception de la lumière et l'on obtient ainsi une bonne image révélée sur la surface de cette couche. 35 Lorsque l'image révélée de la couche de réception de la lumière est transférée sur un papier à report par une charge d'effluves à Q 5,0 k V, on obtient sur chaque échantillon

une image claire, de densité élevée, d'une excellente résolution et d'une bonne reproductibilité de gradation.

On répète les mêmes essais dans les mêmes conditions de formation de l'image révélée que celles décrites 5 ci-dessus, sauf que l'on utilise un laser à semiconducteur du type Ga AS ( 10 m W) de 810 nm à la place de la lampe à filament de tungstène comme source de lumière, et on procède à une estimation de la qualité de l'image sur chaque échantillon On obtient, comme résultat, sur chaque échantillon, 10 une image de haute qualité, d'une excellente résolution et

d'une bonne reproductibilité de gradation.

Exemple 2

A l'aide du dispositif montré sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de forma15 tion d'image pour électrophotographie (voir échantillons N 21-1 A à 26-10 A du tableau IVA) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au

tableau IIIA.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés 20 des échantillons respectifs sont indiqués sur la figure 43

et ceux des atomes d'oxygène sur la figure 45.

Pour chacun de ces échantillons, on procède au même essai d'estimation d'image que dans l'exemple 1 et l'on obtient ainsi une image développée transférée de haute 25 qualité, sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répétée 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image sur aucun échantillon. 30 Exemple 3 A l'aide du dispositif montré sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophographie (échantillons N 31-A à 36-16 A sur le tableau VIA) , sur des substrats cylindriques 35 en aluminium, dans les conditions indiquées au tableau VA. Les profils de profondeur des atomes d'impuretés des échantillons respectifs sont indiqués à la figure 43 et

ceux des atomes d'oxygène aux figures 44 B et 45.

On procède, sur chaque échantillon, au même essai d'estimation d'image que dans l'exemple 1, et l'on obtient une image révélée transférée de haute qualité sur chaque 5 échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image sur

aucun échantillon.

Exemple 4

A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (voir exemples N 41-1 A à 46-16 A du tableau VIIIA) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au

tableu VIIA.

Pendant la formation de la première région (G) de la couche, on modifie la proportion du débit d'écoulement du Ge H 4 gazeux conformément à la courbe de rythme de varia20 tion établie précédemment afin de réaliser le profil de profondeur de Ge tel que montré sur la figure 46 et, également, pendant la formation de la seconde région (S) de la couche, en faisant varier le rapport des débits d'écoulement du Be 2 H 6 gazeux et du PH 3 gazeux conformément aux courbes de 25 rythme de variation établies précédemment, on obtient les profils de profondeur d'impuretés telles que montrées sur

la figure 43 sur les échantillons respectifs.

Chacun des échantillons ainsi obtenus est soumis à une estimation d'image analogue à celle effectuée dans 30 l'exemple 1 et l'on obtient dans chaque cas une image de

haute qualité.

De plus, la proportion du débit d'écoulement du NO gazeux pendant la formation de la première région (G) de la couche est modifiée conformément à la courbe de rythme de variation établie précédemment afin que l'on obtienne le profil de profondeur de O tel que montré sur les figures 44 A et 44 B.

Exemple 5

A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons N 51-1 A à 56-12 A du tableau XA) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au tableau IXA. Les profils de profondeur des atomes d'impuretés

des échantillons respectifs sont montrés sur la figure 43 A, 10 ceux des atomes d'oxygène sur la figure 45 et ceux des atomes de germanium sur la figure 46.

Pour chacun de ces échantillons, on procède à un essai d'estimation d'image identique à celui de l'exemple 1 et l'on obtient une image révélée reportée de haute qualité 15 sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répétée 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image sur aucun échantillon. 20 Exemple 6 A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons N 61-1 A à 610-13 A du tableau XIIA) sur des substrats cylin25 driques en aluminium, dans les conditions indiquées au

tableau XIA.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés dans les échantillons respectifs sont indiqués sur la figure

43, ceux des atomes d'oxygène sur les figures 44 A, 44 B et 30 45 et ceux des atomes de germanium sur la figure 46.

On procède, sur chacun de ces échantillons, au même essai d'estimation d'image que dans l'exemple 1 et l'on obtient une image révélée transférée de haute qualité sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image

sur aucun échantillon.

Exemple 7

A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (voir échantillons N 1-1 B à 6-13 B du tableau IIB) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au

tableau IB.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés 10 (B ou P) des échantillons respectifs sont indiqués à la figure 43, et ceux des atomes d'oxygène aux figures 44 A et 44 B Les profils de profondeur des atomes respectifs sont

établis par modification des rapports des débits d'écoulement des gaz correspondants, conformément à la courbe de 15 rythme de variation établie précédemment.

Chacun des échantillons ainsi obtenus est placé dans un dispositif d'essai de charge-exposition et est soumis à une charge d'effluves à O 5, 0 k V pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. 20 L'image lumineuse est projetée au moyen d'une source de lumière à lampe à filament de tungstène, à une dose de

2 lux seconde, à travers une mire d'essai du type transparent.

* Immédiatement après, un révélateur pouvant être 25 chargé négativement (contenant une poudre pigmentaire ou "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de la couche de réception de lumière et l'on obtient

ainsi une bonne image révélée sur la surface de cette couche.

Lorsque l'image révélée de la couche de réception de la lumière est transférée sur un papier à report par une charge

d'effluves à ( 5,0 k V, on obtient, sur chaque échantillon, une image claire, de densité élevée, d'une excellente résolution et d'une bonne reproductibilité-de gradation.

On répète les mêmes essais, dans les mêmes condi35 tions de formation de l'image révélée que celles décrites ci-dessus, sauf que l'on utilise un laser à semiconducteur Ga As ( 10 m W) de 810 nm à la place de la lampe à filament de tungstène, comme source de lumière, et on procède à une

estimation de la qualité de l'image sur chaque échantillon.

On peut obtenir, comme résultat, sur chaque échantillon, une image de haute qualité, d'une excellente résolution et d'une bonne reproductibilité de gradation.

Exemple 8

A l'aide du dispositif montré sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (voir échantillons N 21-l B à 26-10 B du tableau IVB) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au

tableau IIIB.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés

des échantillons respectifs sont indiqués sur la figure 43, 15 et ceux des atomes d'oxygène sur la figure 45.

Chacun de ces échantillons est soumis au même essai d'estimation d'image que dans l'exemple 7 et l'on obtient ainsi une image révélée transférée de haute qualité sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est 20 soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image sur aucun échantillon

Exemple 9

A l'aide du dispositif montré sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons N 31-l B à 36-16 B du tableau VIB) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au tableau VB. 30 Les profils de profondeur des atomes d'impuretés des échantillons respectifs sont indiqués à la figure 43 et

ceux des atomes d'oxygène aux figures 44 A, 44 B et 45.

Chacun de ces échantillons est soumis au même essai d'estimation de l'image que dans l'exemple 7 et l'on 35 obtient ainsi une image révélée transférée de haute qualité sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image

sur aucun échantillon.

Exemple 10

A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (voir échantillons N 41-1 B à 46-16 B du tableau VIIIB) sur des substrats

cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au 10 tableau VIIB.

Pendant la formation de la première région (G) de la couche, on modifie la proportion du débit d'écoulement du Ge H 4 gazeux conformément à la courbe de rythme de variation établie précédememnt afin que l'on obtienne le profil 15 de profondeur de Ge tel que montré sur la figure 46, et, également pendant la formation de la seconde région (S) de la couche, en faisant varier les proportions des débits d'écoulement du B 2 H 6 gazeux et du PH 3 gazeux conformément aux courbes de rythme de variation établies précédemment, 20 on obtient les profils de profondeur des impuretés telles

que montrées sur la figure 43 sur les échantillons respectifs.

De plus, pendant la formation de la première région (G) de la couche, on modifie la proportion du débit d'écoulement du NO gazeux conformément à la courbe de rythme de variation établie précédemment afin que l'on obtienne une première région (G) présentant les profils de profondeur d'oxygène tels que montré sur les figures 44 A et 44 B. Chacun des échantillons ainsi obtenus est soumis 30 à une estimation de l'image similaire à celle décrite dans l'exemple 7 et l'on obtient ainsi une image de haute qualité

sur chaque échantillon.

Exemple 11

A l'aide du dispositif montré sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (voir échantillons N 51-1 B à 56-12 B du tableau XB) sur des substrats cylindriques en aluminium, en réglant les proportions respectives des débits d'écoulement de gaz de la même façon que dans

l'exemple 7, dans les conditions indiquées au tableau IXB.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés dans les échantillons respectifs sont indiqués sur la figure 43, ceux des atomes d'oxygène sur la figure 45 et ceux des atomes de germanium sur la figure 46. Chacun de ces échantillons est soumis au même essai d'estimation d'image que dans l'exemple 7 et l'on obtient ainsi une image révélée et transférée de haute qualité sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image sur aucun échantillon. 15 Exemple 12 A l'aide du dispositif montré sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (voir échantillons N 61-1 B à 610-13 B du tableau XIIB) sur des substrats cylin20 riques en aluminium, en réglant les proportions respectives

des débits d'écoulement des gaz de la même façon que dans l'exemple 7, dans les conditions indiquées au tableau XIB.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés des échantillons respectifs sont indiqués à la figure 43, ceux des atomes d'oxygène sur les figures 44 A, 44 B et 45 et

ceux des atomes de germanium sur la figure 46.

Chacun de ces échantillons est soumis au même essai d'estimation d'image que dans l'exemple 7 et l'on obtient ainsi une image révélée et transférée de haute qualité sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image sur aucun échantillon. 35 Exemple 13 Dans les mêmes conditions et par la même opération que pour les échantillons N 11-1 B, 12-1 B et 13-1 de l'exemple 7, hormis que l'on modifie les conditions pour la préparation de la seconde couche (II) afin que l'on obtienne les conditions respectives telles qu'indiquées sur la figure 13 B, on prépare des éléments de formation d'image pour électrophotographie ( 24 échantillons numéros 11-1-1 B à 11-1-8 B, 5 12-1-1 B à 12-1-8 B, 13-1-1 B à 13-1-8 B) Les éléments respectifs de formation d'image pour électrophotographie ainsi préparés sont placés individuellement sur un dispositif de copie et on procède à une charge d'effluves à 9 5 k V pendant 0,2 seconde, suivie d'une exposition à une image lumi10 neuse Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène, à une dose de 1,0 lux seconde L'image latente est développée au moyen d'un révélateur pouvant être chargé positivement (contenant une poudre pigmentaire et un support) et elle est reportée sur un papier uni L'image 15 reportée est très bonne Le "toner" ou poudre pigmentaire

restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie, qui n'a pas été reporté, est éliminé par nettoyage à l'aide d'une lame de caoutchouc Lorsque cette opération est répétée 100 000 fois ou plus, on n'observe, dans 20 tous les cas, aucune détérioration de l'image.

Les résultats de l'estimation de la qualité globale de l'image et de l'estimation de la longévité lors d'utilisations répétées et continues des échantillons respectifs sont indiqués au tableau XIVB. 25 Exemple 14 On prépare divers éléments de formation d'image par le même procédé que pour l'échantillon N 11-2-B de l'exemple 7, sauf que l'on fait varier le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de car30 bone dans la seconde couche (II) en faisant varier le rapport Ar/NH 3 dans le mélange gazeux et le rapport des surfaces de cible de la tranche de silicium et du nitrure de

silicium pendant la formation de la seconde couche (II).

Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, 35 on répète environ 50 000 fois les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage telles que décrites dans l'exemple 7, et on procède ensuite à des estimations de l'image qui donnent les résultats indiqués au

tableau XVB.

Exemple 15

On prépare divers éléments de formation d'image par le même procédé que pour l'échantillon N 11-3-B de 5 l'exemple 7, sauf que l'on fait varier le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes d'azote dans la seconde couche (II) en faisant varier le rapport des débits d'écoulement du Si H 4 gazeux au NH 3 gazeux pendant la formation de la seconde couche (II) On répète environ 50 000 fois, sur chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes allant jusqu'au report, conformément au procédé décrit dans l'exemple 7, et on procède ensuite à des estimations de l'image qui donnent les résultats indiqués au tableau XVIB. 15 Exemple 16 On prépare divers éléments de formation d'image par le même procédé que pour l'échantillon N 11-4 B de l'exemple 7, sauf que l'on fait varier le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes d'azote 20 dans la seconde couche (II) en faisant varier les proportions des débits d'écoulement du Si H 4 gazeux, du Si F 4 gazeux et du NH 3 gazeux pendant la formation de la seconde couche (II) On répète environ 50 000 fois, sur chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes de formation 25 d'image, de développement et de nettoyage telles que décrites dans l'exemple 7, et onprocède ensuite à des estimations de l'image qui donnent les résultats indiqués au

tableau XVIIB.

Exemple 17

On prépare des éléments respectifs de formation d'image de la même manière que pour l'échantillon N 11-5 B de l'exemple 7, sauf que l'on modifie l'épaisseur de la

seconde couche (II), et l'on répète les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage telles que décri35 tes dans l'exemple 7, de façon à obtenir les résultats indiqués au tableau XVIIIB.

Exemple 18

A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons N 11-1 C à 16-13 C du tableau IIC) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au

tableau IC.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés (B ou P) des échantillons respectifs sont indiqués sur la 10 figure 43 et ceux des atomes d'oxygène sur les figures 44 A et 44 B Les profils de profondeur des atomes respectifs sont réglés par modification des rapports des débits d'écoulement des gaz correspondants, conformément à la courbe de

rythme de variation établie précédemment.

Chacun des échantillons ainsi obtenus est placé dans un dispositif d'essai de charge-exposition et est soumis à une charge d'effluves à 5, 0 k V pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse L'image lumineuse est projetée au moyen d'une 20 source de lumière à lampe à filament de tungstène, à une dose de 2 lux seconde à travers une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur pouvant être chargé négativement (contenant une poudre pigmentaire et un 25 support) est appliqué en cascade sur la surface de la couche de réception de la lumière et on obtient ainsi une bonne image révélée sur la surface de cette couche Lorsque l'image révélée sur la couche de réception de la lumière est reportée sur un papier à report par une charge d'effluves à O 5,0 k V, on obtient, sur chaque échantillon, une image claire, de haute densité, d'une excellente résolution et

d'une bonne reproductibilité de gradation.

On répète les mêmes essais dans les mêmes conditions de formation de l'image révélée que celles décrites 35 précédemment, sauf que l'on utilise un laser à semiconducteur du type Ga As ( 10 m W) de 810 nm à la place de la lampe à filament de tungstène, comme source de lumière, et on procède à une estimation de la qualité de l'image sur chaque échantillon On peut obtenir comme résultat, sur chaque échantillon, une image de haute qualité, d'une excellente

résolution et d'une bonne reproductibilité de gradation.

Exemple 19

A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons

N 21-1 C à 26-10 C du tableau IVC) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au 10 tableau IIIC.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés des échantillons respectifs sont indiqués sur la figure 43

et ceux des atomes d'oxygène sur la figure 45.

On procède, sur chacun de ces échantillons, au même essai d'estimation de l'image que dans l'exemple 18 et l'on obtient une image révélée et transférée de haute qualité, sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On 20 n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité

de l'image sur aucun échantillon.

Exemple 20

A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de 25 formation d'image pour électrophotographie (échantillons N 31-1 C à 36-16 C du tableau VIC) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au

tableau VC.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés 30 des échantillons respectifs sont indiqués sur la figure 43 et les profils de profondeur des atomes d'oxygène sur les

figures 44 A, 44 B et 45.

On procède, sur chacun de ces échantillons, à un essai d'estimation de l'image identique à celui de l'exemple 18 et on obtient une image révélée et transférée de haute qualité sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution

de la qualité de l'image sur aucun échantillon.

Exemple 21

A l'aide du dispositif montré sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (voir échantillons

N 41-1 C à 46-16 C du tableau VIIIC) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées au 10 tableau VIIC.

Pendant la formation de la première région (G) de la couche, on modifie la proportion du débit d'écoulement du Ge H 4 gazeux conformément à la courbe de rythme de variation établie précédemment afin que l'on obtienne le profil 15 de profondeur de Ge tel que montré sur la figure 46 et, également pendant la formation de la région (S) de la couche, en faisant varier les proportions des débits d'écoulement du B 2 H 6 gazeux et du PH 3 gazeux conformément aux courbes de rythme de variation établies précédemment, on obtient les profils de profondeur des impuretés tels que montrés sur la

figure 43 pour les échantillons respectifs.

De plus, on modifie la proportion du débit d'écoulement du NO gazeux pendant la formation de la première région (G) de la couche conformément à la courbe de rythme 25 de variation établie précédemment afin d'obtenir une région (G) ayant les profils de profondeur d'oxygène tels que montrés sur les figures 44 A et 44 B. Chacun des échantillons ainsi obtenus est soumis à une estimation de l'image similaire à celle décrite dans 30 l'exemple 18 et l'on obtient, dans tous les cas, une image

de haute qualité.

Exemple 22

A l'aide du dispositif montré sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de forma35 tion d'image pour électrophotographie (voir échantillons N 51-1 C à 56-12 C du tableau XC) sur des substrats cylindriques en aluminium en réglant les proportions respectives des débits d'écoulement des gaz, de la même manière que dans

l'exemple 18, dans les conditions indiquées au tableau I'XC.

Les profils de profondeur des atomes d'impuretés

dans les échantillons respectifs sont représentés sur la 5 figure 43, ceux des atomes d'oxygène sur la figure 45 et ceux des atomes de germanium sur la figure 46.

On soumet chacun de ces échantillons au même essai d'estimation d'image que dans l'exemple 18 et l'on obtient une image révélée et transférée de haute qualité sur chaque 10 échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois dans des conditions à 38 C et 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image sur

aucun échantillon.

Exemple 23

A l'aide du dispositif représenté sur la figure 42, on prépare des échantillons respectifs d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (voir échantillons N 61-1 C à 610-13 C du tableau XIIC) sur des substrats cylindriques en aluminium en réglant les proportions respectives des débits d'écoulement gazeux de la même manière que dans l'exemple 18, dans les conditions indiquées au tableau XIC. Les profils de profondeur d'atomes d'impuretés dans les échantillons respectifs sont indiqués sur la figure 43, ceux des atomes d'oxygène sur les figures 44 A, 44 B et

et ceux des atomes de germanium sur la figure 46.

On soumet chacun de ces échantillons au même essai d'estimation d'image que dans l'exemple 18 et l'on obtient 30 une image révélée et transférée de haute qualité sur chaque échantillon De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois dans des conditions

à 38 C det 80 % d'humidité relative On n'observe, comme résultat, aucune diminution de la qualité de l'image sur 35 aucun échantillon.

Exemple 24

Dans les mêmes conditions et par les mêmes opérations que pour leséchantillons N 11-1 C de l'exemple 18, N 21-1 C de l'exemple 19 et N 31-1 C de l'exemple 20, sauf que l'on modifie les conditions de préparation de la seconde

couche (II) pour établir les conditions respectives indiquées au tableau XIIIC, on prépare des éléments de forma5 tion d'image pour électrophotographie ( 24 échantillons N 11-1-1 C à 11-1-8 C, 21-1-1 C à 21-1-8 C, 31-1-1 C à 31-1-8 C).

Les éléments de formation d'image respectifs pour électrophotographie ainsi préparés sont placés individuel10 lement sur une machine de copie et on procède, sur les éléments respectifs de formation d'image pour électrophotographie correspondant aux exemples respectifs, dans les mêmes conditions que celles décrites dans les exemples respectifs, à une estimation de la qualité globale de l'image

reportée et à une estimation de la longévité lors d'utilisations continues et répétées.

Les résultats de l'estimation de la qualité globale

de l'image et de l'estimation de longévité lors d'utilisations répétées et continues des échantillons respectifs sont 20 indiqués au tableau XIVC.

Exemple 25

On prépare divers éléments de formation d'image par le même procédé que pour l'échantillon N 11-1 C de l'exemple 18, sauf que l'on fait varier le rapport de la 25 teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone dans la seconde couche (II) en modifiant le rapport

de la surface des cibles de la tranche de silicium et du graphite pendant la formation de la seconde couche (II).

Sur chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, 30 on répète environ 50 000 fois les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage telles que décrites dans l'exemple 18, puis on procède à des estimations de l'image qui donnent les résultats indiqués au tableau XVC.

Exemple 26

On prépare divers éléments de formation d'image par le même procédé que pour l'échantillon N 12-1 C de l'exemple 18, sauf que l'on fait varier le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone dans la seconde couche (II) en modifiant le rapport des débits d'écoulement du Si H 4 gazeux et du C 2 H 4 gazeux pendant la formation de cette seconde couche (II) On répète environ 50 000 fois, sur chacun des éléments de formation 10 d'image ainsi obtenus, les étapes allant jusqu'au report, conformément au procédé tel que décrit dans l'exemple 18,

et on procède ensuite à des estimations de l'image qui donnent les résultats indiqués au tableau XVIC.

Exemple 27

On prépare divers éléments de formation d'image par le même procédé que pour l'échantillon N 13-1 C de l'exemple 18, sauf que l'on fait varier le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone dans la seconde couche (II) en modifiant le rapport des 20 débits d'écoulement du Si H 4 gazeux, du Si F 4 gazeux et du C 2 H 4 pendant la formation de cette seconde couche (II) On répète environ 50 000 fois, sur chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage telles que décri25 tes dans l'exemple 18 et on procède ensuite à des estimations de l'image qui donnent les résultats indiqués au

tableau XVIIC.

Exemple 28

On prépare des éléments respectifs de formation 30 d'image de la même manière que pour l'échantillon N 14-1 C de l'exemple 18, sauf que l'on modifie l'épaisseur de la seconde couche (II) et l'on répète les étapes de formation

d'image, de développement et de nettoyage telles que décrites dans l'exemple 18 de façon à obtenir les résultats indi35 qués au tableau XVIIIC.

Les conditions communes de formation des couches dans les exemples respectifs de la présente invention sont indiquées ci-dessous: Température du substrat: couche contenant des atomes de germanium (Ge) environ 200 C couche ne contenant pas d'atomes de germanium (Ge) environ 250 C Fréquence de décharge: 13,56 M Hz Pression intérieure de la chambre de réaction

pendant la réaction: 40 Pa.

to ut I O

TABLEAU IA

r- c-' Puissance de Vitesse de Consti Débit d'écoule décharge formation Epaisseur tution Gaz utilisés ment (condi Rapport des débits (W/cm 2) des couches des coustrati tions normales) d'écoulement (nm/s) ches (nm/s) ches fiée (cm 3/min) (m) (pm) Région Ge F 4/He= 0,5 (Ge F 4 +Si F 4) de la 4 de la Si F 4/He= 0,5 Ge F 4 +Si F 4 = 200 (Ge F 4 +Si F 4 +H 2 couche Si 4 Ge=F 54 +Si 4 H 2) (G) l = 7/10 0,18 1,5 3 2 Ge F 4 NO (Ge F 4 +Si F 4 +H 2)

= 1/100

Région Si H 4/He= O > 5 de la 3 couche B 2 H 6/H Ile=lxl O Si H 4 = 200 0, 18 1,5 25 -3 (S) (PH 3/He=lxl O) -J c' N r%> Ln r C oe) t', NI ba o TBL T n

T B L E A U IIA

Profil de profondeur des atomes d'impureté

4201 4202 4203 4204 4205 4206

Profil de pro N d'échanfondeur de O tillon 4301 11-l A 12-1 A 13-1 A 141 A 15-1 A 16-1 A

4302 11-2 A 12-2 A 13-2 A 14-2 A 15-2 A 16-2 A

4303 11-3 A 12-3 A 13-3 A 14-3 A 15-3 A 16-3 A

4304 11-4 A 12-4 A 13-4 A 14-4 A 15-4 A 16-4 A

4305 11-5 A 12-5 A 13-5 A 14-5 A 15-5 A 16-5 A

4306 11-6 A 12-6 A 13-6 A 14-6 A 15-6 A 16-6 A

4307 11-7 A 12-7 A 13-7 A 14-7 A 15-7 A 16-6 A

4308 11-8 A 12-8 A 13-8 A 14-8 A 15-8 A 16-8 A

4309 11-9 A 12-9 A 13-9 A 14-9 A 15-9 A 16-9 A

4310 11-10 A 12-10 A 13-10 A 14-10 A 15-10 A 16-10 A

4311 11-11 A 12-11 A 13-11 A 14-11 A 15-11 A 16-11 A

_ _ __

4312 11-12 A 12-12 A 13-12 A 14-12 A 15-12 A 16-12 A

4313 11-13 A 12-13 A 13-13 A 14-13 A __-1 A 1-A

4313 11-13 A 12-13 A 13-13 A 14-13 A 15-13 A 16-13 A

-.J -J ro Ln..% N) CO ca NO ci o u H c o Cl

T A B L E A U IIIA

_ _ _ 1,,,_,_,

Constitution stratifiée Gaz utilisés Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3/min) Rapport des débits d'écoulement Puissance de décharge (W/cm 2) Vitesse de formation des couches (nm/s) Epaisseur des cou ches (pm) -t t i 1 I t Région de la couche (G) Ge F 4/He= 0)5 Si F 4/He= 0,5 H 2 Ge F 4 +Si F 4 = 200 (Ge F 4 +Si F 4) (Ge F 4 +Si F 4 + 2) = 7/10 Ge F 4 (Ge F 4 +Si F 4 +H 2)

= 1/100

0,18 1,5 -J Co Région Si H 4/He= 0,5 de la couche B 2 H 6/He=lxl O-3 Si H 4 = 200 0,18 (S) NO ro ui -.,. Co t'a o buà N C C O

Profil de profondeur des atomes d'imnuret-

TABLEAU IVA

4201 4202

Profil de profon N d'échandeur de O 4-; 11 -

_ _ _ _ L ___ ___.

4401 21- 11 A 22-1 A

_ _ _

4203 4204

23-l A 2 -1 A 9 q_ 9 2 A. 7

21-2 A

22-2 A

-1

4403 21-3 A 22-3 A 23-3 A 24-3 A

4404 21-4 A 22-4 A 23-4 A 24-4 A

4405 21-5 A 22-5 A 23-5 A 24-5 A

4406 21-6 A 22-6 A 23-6 A 24-6 A

4407 21-7 A 22-7 A 23-7 A 24-7 A

_ L

-1 A 26-1 A

-2 A 26-2 A

-3 A 26-3 A

-4 A 26-4 A

-5 A 26-5 A

-6 A 26-6 A

-7 A 26-7 A

-8 A 26-8 A

-9 A 26-9 A

-4 %D

21-8 A

22-8 A

23-8 A 1 21

4409 t 21-9 A 22-9 A 23-9 A 24

4-8 A 4-9 A

_

21-10 A

22-10 A

23-10 A 24-10 OA

-1 OA

211 O 2-0 _

_

26-10 A

r D Ln Ln r 3 Co t' 1 l o C Cil

T A B L E A U VA

Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3/min) Rapport des débits Puissance de Vitesse de Epaisseur d'écoulement décharge formation des cou(W/cm 2) des cou ches -U I c hes Ge F 4/He= 0,5 Si F/He= 05 Ge F 4 +Si F 4 = 200 (Ge F 4 +Si F 4) (Ge F 4 +Si F 4 +H 2) H 2 = 7/10 NO Ge F 4 (Ge F 4 +Si F 4 +H 2) = 1/100 Si H 4/He=O 5 B 2 H 6/He=lx 110 o 3 Si H 4 = 200 (PH 3/He=lx 10-3) NO ( cmes u (m)h I I (nm/s) 1 0,18 o O O O - r 4 > Ln -. CD _ _ VI 3 o b-L T n

T A B L E A U VIA

c;' Profil de profondeur des atomes d'impureté -l 4201 4202 4203 4204 4205 4206 Profil de profon N d'échandeur de O tillon

440 D 1

4401 31-1 A 32-1 A 33-1 A 34-1 A 35-1 A 36-1 A

4301 31-2 A 32-2 A 33-2 A 34-2 A 35-2 A 36-2 A

4403 l

4403 31-3 A 32-3 A 33-3 A 34-3 A 35-3 A 36-3 A

4 '3-04

4 44 4404

4305 31-4 A 32-4 A 33-4 A 34-4 A 35-4 A 36-4 A

43 U 6 31-5 A 32-5 A 33-5 A 34-5 A 35-5 A 36-5 A

4307 31-6 A 32-6 A 33-6 A 34-6 A 35-6 A 36-6 A

4407 31-7 A 32-7 A 33-7 A 34-7 A 35-7 A 36-7 A

4408 31-8 A 32-8 A 33-8 A 34-8 A 35-8 A 36-8 A

Ln 'J'.

ro ra C 4 cil t O ul t O CD

T A B L E A U VIA

__________ r

I I

_ _ Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de 0 tillon

4410 4311

4410 4312

4410 4313

4308 4408 43-09 4408

1 1 1

_ t I i

31-9 A 31-1 OA 31-11 A 31-12 A 31-13 A 31-14 A

32-9 A 32-10 A 32-11 A 32-12 A 32-13 A 32-14 A

33-9 A 33-1 OA 33-11 A 33-12 A 33-13 A 33-14 A 33-15 A

34-9 A 34-10 A 34-11 A 34-12 A 34-13 A 34-14 A 34-15 A

-9 A 35-1 OA 35-11 A 35-12 A 35-13 A 35-14 A

_

4206 36-9 A 36-10 A 36-11 A

36-12 A

36-13 A 36-14 A

- -

31-15 A 32-15 A

31-16 A

I

32-16 A

33-16 A

-16 A

-15 A 36-15 A 35-16 A 36-16 A

ro) In Ln ro CO t OJ Us o en cil

T A B L E A U VIIA

Consti Débit d'écou Puissance de Vitesse de Epaisseur tution lement (condi Rapport des débits décharge formation des coustrati Gaz utilisés tions normales) d'écoulement (W/cm 2) des couches ches fiée (cm'/min) (nm/s) (pm) Ge H 4/He= 0, 5 Région Si H 4 +Ge H 4 = 200 de la Si H 4/He=, 05 O > 18 1,5 3 couche

(G) H 2

NO Région Si H 4/He= 0,5 d couchla B 26/He=lxl 3 Si H 4 = 200 018 1,5 25 couche 2 = 64 10-3 (S) (PH 3/He=lxl O)3 j _ 0 t ru ul -. rn Nu N O to Co I o

T A B L E A U VIIIA

T A BL EAU VIIIA

c Ci Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon 4301.

4501 41-1 A 42-1 A 43-1 A 44-1 A 45-1 A 46-1 A

4302 41-2 A 42-2 A 43-2 A 44-2 A 45-2 A 46-2 A

4 '502

4503 41-3 A 42-3 A 43-3 A 44-3 A 45-3 A 46-3 A

4304 4304 41-4 A 42-4 A 43-4 A 44-4 A 45-4 A 46-4 A

4505 41-5 A 42-5 A 43-5 A 44-5 A 45-5 A 46-5 A

4306 _

4306 41-6 A 42-6 A 43-6 A 44-6 A 45-6 A 46-6 A

4506 '

* 43507 41-7 A 42-7 A 43-7 A 44-7 A 45-7 A 46-7 A

4308 4308 41-8 A 42-8 A 43-8 A 44-8 A 45-8 A 46-8 A

o O r tn V-I -. 1 %> Co La va t'a c u TL c T A B LE A U VIIIA (Suite) Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon

43505 41-9 A 42-9 A 43-9 A 44-9 A 45-9 A 46-9 A

4 4505

4530 _ 41-1 OA 42-10 A 43-10 A 44-10 A 45-10 A 46-1 OA

4503 41-11 A 42-11 A 43-11 A 44-11 A 45-11 A 46-11 A

4 '50 " 7

4311 41-12 A 42-12 A 43-12 A 44-12 A 45-12 A 46-12 A

4 03

4312 _ 41-13 A 42-13 A 43-13 A 44-13 A 45-13 A 46-13 A

-04

430138 41-14 A 42-14 A 43-14 A 44-14 A 45-14 A 46-14 A

V 5

_ __ 430

4308 ___ -__ 41-15 A 42-15 A 43-15 A 44-15 A 45-15 A 46-15 A

4309 45-16 A 46-16 A

4303 41-16 A 42-16 A 43-16 A 44-16 A 45-16 A 46-16 A

o O Ln t Ln rji U' ro uici O B En

T A B L E A U IXA

Constitution stratifiée Gaz utilisés Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3/min) Rapport des débits d'écoulement Puissance de décharge (W/cm 2) Vitesse de formation des couches (nm/s) Région Ge H 4/He= O O 5 de l a ___ 0,18 1,5 de la _ 4 _Si H 4 +Ge H 4 = 200 018 1,5 couche Si H 4/He= 0205 (G)

__, "

Si Hi 4/He=o 05 Région 4 5 Région B 2 H 6/He=lx 103 Si H 4 = 200 O 18 1,5 de la 24 couche (PH 3/He=lx 103)

(S) NO

,, , ,

u 11 L Ml Ln u& 1 m Co cl o t'a O cu

TA B LEAU XA

c C; Profil de profondeur des atomes d impureté

4205 4206

Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon

4501 51-1 A 52-1 A 53-1 A 54-1 A 55-1 A 56-1 A

4502 51-2 A 52-2 A 53-2 A 54-2 A 55-2 A 56-2 A

.4403 51-3 A 52-3 A 53-3 A 54-3 A 55-3 A 56-3 A

_ 4504 51-4 A 52-4 A 53-4 A 54-4 A 55-4 A 56-4 A

4505 51-5 A 52-5 A 53-5 A 54-5 A 55-5 A 56-5 A

445 06 51-6 A 52-6 A 53-6 A 54-6 A 55-6 A 56-6 A

4407 51-7 A 52-7 A 53-7 A 54-7 A 55-7 A 56-7 A

4040 51-8 A 52-8 A 53-8 A 54-8 A 55-8 A 56-8 A

Co. -A ro Ln U 1 % u- rt Co to Cie O, o)

-TABLEAU

TA BLE AU XA,

c Ji Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon

4205 '

4409 45059 51-9 A 52-9 A 53-9 A 54-9 A 55-9 A 56-9 A

4410 _4410 51-10 A 52-10 A 53-10 A 54-10 A 55-10 A 56-10 A

4501 '

4407 4505 51-11 A 52-11 A 53-11 A 54-11 A 55-11 A 56-11 A

4408 4408 51-12 A 52-12 A 53-12 A 54-12 A 55-12 A 56-12 A

OD 0 o r'> ul r 4 a Co t', c>, o c TABL EAU XIA

T A B L E A U XIA

c Consti Débit d'écoulement Puissance de Vitesse de Epaisseur tution Gaz utilisés (conditions nor Rapport des débits décharge formation des coustratin Gzuismales) d'écoulement (W/cm 2) des couches ches rfiée (cm /min) (nm/s) (Pm) fie _ Région de la couche (G) Ge H 4/He= 0,5 Si HI 4/He= 0,5 NO 0,18 1,5 Si H 4 + Ge H 4 = 200 Région de la couche (S) Si H 4/He= O 5 -3 B 2 H 6/Ie=lxl O (PH 13/He=lxl O 0) NO Si H 4 = 200 0,18 1,5

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ -

Ln U 1 ro rc co C Ul o A-U

T A B L E A U XIIA

ut Profil de profondeur de 4201 4202 4203 4204 4205 4206 4201 4202 4204 4205 B et Ge Profil de profon d'échar -4501 4502 4503 4504 4505 4506 4507 4 J 5041 4505 4505 deur de O _tillon 301 61-1 A 62-1 A 63-1 A 64-1 A 65-1 A 66-1 A 67-1 A 68-1 A 69-l A 610-1 A

O,61-2 A 62-2 A 63-2 A 64-2 A 65-2 A 66-2 A 67-2 A 68-2 A 69-2 A 610-2 A

-4303 61-3 A 62-3 A 63-3 A 64-3 A 65-3 A 66-3 A 67-3 A 68-3 A 69-3 A 6103 A

61-4 A 62-4 A 63-4 A 64-4 A 65-4 A 66-4 A 67-4 A 68-4 A 69-4 A 610-4 A 4304

61-5 A 62-5 A 63-5 A 64-5 A 65-5 A 66-5 A 67-5 A 68-5 A 69-5 A 610-5 A 4305

4306 61-6 A 62-6 A 63-6 A 64-6 A 65-6 A 66-6 A 67-6 A 68-6 A 69-6 A 610-6 A

61-7 A 62-7 A 63-7 A 64-7 A 65-7 A 66-7 A 67-7 A 68-7 A 69-7 A 610-7 A 4307

o %M O r O Ul% Ln Vi U 1 ro Co t' o T

TABLEAU

c C)o XIIA Profil de profondeur de 4201 4202 4203 4204 4205 4206 4201 4202 4204 4205 B et Ge -Profil de profon IN'd'écha: Profil de profon Nd'écha -4501 4502 4503 4504 4505 4506 4507 4504 4505 4505 deur de O tillon

461-8 A 62-8 A 63-8 A 64-8 A 65-8 A 66-8 A 67-8 A 68-8 A 69-8 A 610-8 A

61-9 A 62-9 A 63-9 A 64-9 A 65-9 A 66-9 A 67-9 A 68-9 A 69-9 A 610-9 A 4309

61-1 OA 62-10 A 63-10 A 64-1 OA 65-10 A 66-10 A 67-10 A 68-1 OA 69-IOA 610-10 4310

4311 61-ll A 62-li A 63-li A 64-li A 65-li A 66-li A 67-li A 68-li A 69li A 610-11 è

61-12 A 62-12 A 63-12 A 64-12 A 65-12 A 66-12 A 67-12 A 68-12 A 69-12 A 610-121 4311

61-13 A 62-13 A 63-13 A 64-13 A 65-13 A 66-13 A 67-13 A 68-13 A 69-13 A 610-132 4313 4410

61-13 A 62-13 A 63-13 A 64-13 A 65-13 A 66-13 A 67-13 A 68-13 A 69-13 A 610-13 A 4313

Fil Ln ru r%) Co ta C;I o

TABLEAU B

T A BL EAU IB

c cil ___ 1 Constitution stratifiée __ Gaz utilisés Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3/min) Rapport des débits d'écoulement Puissance de décharge (W/cm 2) Vitesse de formation des couches (nm/s) Epaisseur des couches (pm) I ii Première région de la couche (G) Ge F 4/He= 05 Si F 4/He= 0,5 H 2 NO (Ge F 4 +Si F 4) (Ge F 4 +Si F 4 +H 2) = 7/10 Ge F 4 Ge F 4 +Si F 4 = 200 Ge F 4 +Si F 4 +H 2) = 1/100

NO (

(Ge F 4 +Si F 4) 0,18 1,5 Couche (I)

1 i.

Seconde région de la couche (S) Si H 4/H Ie= O 15 B 2 H 16/Hle=lxlo-3 (PH 3/Hle=lxl O) Si H 4 = 200

B 2116

B 25 i H 6 Sil 14 (**) O,18 1,5 0,5

__ _ 1 -_I _ _

Couche (II) Si H 4/He= 0 5 NHI

Si H 4 = 100 -

Si H 4/NH 3 =l/30 0 18 1,0

__ 1 _ _ _

%)1 co (*), (**): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément à la courbe de rythme de

variation établie précédemment.

t'a t'a ri a CD F_ cl

TABLEAU

IIB Profil de profondeur des atomes d'impureté

_ _ 9 4201 4202 4203 4204 4205 1206

Profil de profon N d'échandeur de O tillon 4301 il-l B 12-l B 13-l B 14l B 15-l B 16-l B

4302 11-2 B 12-2 B 13-2 B 14-2 B 15-2 B 16-2 B

4303 11-3 B 12-3 B 13-3 B 14-3 B 15-3 B 16-3 B

4304 11-4 B 12-4 B 13-4 B 14-4 B 15-4 B l 6-4 B

4305 11-5 B 12-5 B 13-5 B 14-5 B 15-5 B 16-5 B

4306 11-6 B 12-6 B 13-6 B 14-6 B 15-6 B 16-6 B

l

4307 11-7 B 12-7 B 13-7 B 14-7 B 15-7 B 16-7 B

4308 11-8 B 12-8 B 13-8 B 14-8 B 15-8 B 16-8 B

4309 11-9 B 12-9 B 13-9 B 14-9 B 15-9 B 16-9 B

4310 11-10 B 12-10 B 13-10 B 14-1 OB 15-10 B 16-10 B

4311 11-11 B 12-11 B 13-11 B 14-11 B 15-11 B 16-11 l B

4312 11-12 B 12-12 B 13-12 B 14-12 B 15-12 B 16-12 B

4313 11-13 B 12-13 B 13-13 B 14-13 B 15-13 B 16-13 B

t O w r L

U 1 VI

Co ut ul t O c ul

T A B L E A U IIIB

v I -* I 1,, I Constitution stratifiée Gaz utilisés Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3/min) Rapport des débits d'écoulement Puissance de ddchage (W/cnm 2) Vitesse de formation des couches (nm/s) Epaisseur des couches (pm) (Ge F 4 +Si F 4) Première région de la couche (G) Ge F 4/He= 0,5 Si F 4/He= 0,5 H 2 Ge F 4 +Si F 4 = 200

= 7/10

Ge F 4 0,18 1,5 (Ge F 4 +Si F 4 +H 2) = 1/100 Couche (I) Li I i Seconde région de la couche (q) Si H 4/He= O '5 B 2 H 6/He=lxl ONO Si H 4 = 200

B 2 H 6 = (*) S 1 H 4

1,5 NO Si H 4 (**) _ _ ' ' _ _ _ _ _ _ i i Couche (II) Si H 4/He= 0,5 NHI Si H 4 = 100 Si H 4/NH 3 = 1/30 1,0 0,5

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ __ _ -

ru t. n fo.b h*) N

(*), (**):

Rapport des débits d'écoulement modifié rythme de variation établie précédemment conformément à la courbe de cui o j c VI c c

TABLEAU IVB

Profil de profondeur des atomes d'impureté T T * r Profil de profon LN a'ecnaneinvr ela C tillon

4401 21-1 B 22-1 B 23-1 B 24-1 B 25-1 B 26-1 B

4402 21-2 B 22-2 B 23-2 B 24-2 B 25-2 B 26-2 B

4403 21-3 B 22-3 B 23-3 B 24-3 B 25-3 B 26-3 B

4404 21-4 B 22-4 B 23-4 B 24-4 B 25-4 B 26-4 B

4405 21-5 B 22-5 B 23-5 B 24-5 B 25-5 B 26-5 B

4406 21-6 B 22-6 B 23-6 B 24-6 B 25-6 B 26-6 B

4407 21-7 B 22-7 B 23-7 B 24-7 B 25-7 B 26-7 B

4408 21-8 B 22-8 B 23-8 B 24-8 B 25-8 B 26-8 B

4409 21-9 B 22-9 B 23-9 B 24-9 B 25-9 B 26-9 B

4410 21-10 B 22-10 B 23-10 B 24-10 B 25-10 B 26-1 OB

Ln ru r'> co to cil' O b C>' C c-.

TABLEAU VB

Débit d'écoule Puissance Vitesse de Epaisseur Constitution ment (dconditions Rapport des débits de formation des coustratifiée Gaz utilisés normales) d'écoulement décharge des couches ches (cm/mn) (W/cm) (normalem/s) d (pm) (cma/min) Ge F 4/He= 0,5 (Ge F 4 +Si F 4) Première 4 (Ge F 4 +Si F 4 +H 2) région = 7/10 de la Si F 4/He= 0,5 couche Ge F 4 (G) H 2 GF 4 +Si F 4 = 200 (Ge F 4 +Si F 4 +H 2) 0,18 1,5 3

H 2 4 20,18 1,5 3

= 1/100

NO NO (Ge F 4 +Si F 4) =(*). Couche (I) Si H 4/He= 0, 26 = 5 Seconde B 2 H 6/He=lxl O Si H = 200 Si H 4 rgion Sill 4 = 200 région (P Hi 3/He=lxl O 3) 4 NO 0,18 1,5 25 de la NO =(* couche NO Si H 4 (s) Si H 4/He= 0,5 Si H 4 = 100 Si H 4/NH 3 =l/30 O > 18 1,0 0,5 Couche (II) NH 3 vo a ro tn rla r%) ", (*), (**), (***): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément de rythme de variation établie précédemment à la courbe t J o

TABLEAU VIB

TA BL E AU VIB

VI Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échantillon deur de O 4402 31-l B 32-1 B 33-1 B 34-1 B 35-1 B 36-1 B

4340 31-2 B 32-2 B 33-2 B 34-2 B 35-2 B 36-2 B

4403 -4403 31-3 B 32-3 B 33-3 B 34-3 B 35-3 B 36-3 B

430 31-4 B 32-4 B 33-4 B 34-4 B 35-4 B 36-4 B 4405 _4405 31-5 B 32-5 B 33-5 B 34-5 B 35-5 B 36-5 B

4 J 06

4406 _____

4406 31-6 B 32-6 B 33-6 B 34-6 B 35-6 B 36-6 B

4308 31-7 B 32-7 B 33-7 B 34-7 B 35-7 B 36-7 B

31-8 B 32-8 B 33-8 B 34-8 B 35-8 B 36-8 B

%O -4 ru Ln rv r%) co to o AB T i A

T A B L E A U VIB

Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de O tillon

4410 31-9 B 32-9 B 33-9 B 34-9 B 35-9 B 36-9 B

4410 31-l OB 32-l OB 33-l OB 34-l OB 35-l OB 36-l OB

4309 31-10 B 32-10 B 33-10 B 34-10 B 35-10 B 36-10 B

4313 31-11 B 32-11 B 33-11 B 34-11 B 35-11 B 36-11 B

4308 31-12 B 32-12 B 33-12 B 34-12 B 35-15 B 36-12 B

44087 '3-1-163 B 32-13 B 33-13 B 34-13 B 35-13 B 36-13 B

4408 31-14 B 32-14 B 33-14 B 34-14 B 35-14 B 36-14 B

4408 31-15 B 32-15 B 33-15 B 34-15 B 35-15 B 36-15 B

431 È 31-16 B 32-16 B 33-16 B 34-16 B 35-16 B 36-1613

OD r.> U 1 N-. r.> ru CO

t" t'.

c.,' o t I

T A B L E A U VIIB

Constitution stratifiée Gaz utilisés Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3/min) Première région de la couche (G) Ge H 4/He= 0, 5 Si H 4/He= O, 5 l 2 NO Si H 4 +Ge H 4 = 200 Rapport des débits d'écoulement Puissance de décharge (W/cm 2) Ge H 4 Vitesse de formation des couches (nm/s) (Ge Il 4 +bi H 4 + I 2 J = (*) NO Epaisseur des couches (Mm) 0, 18 1,5 (Ge H 4 +Si H 4) = (**) 3 25 %o %) (I) Seconde région de la couche Si H 4/He= 0,5 B 2 H 6/He=lxlo 3 (PH 13/i Ie=lxl O-3) Si H 4 = 200

B 2 H 6

Si 14 0,18 1,5 Couche (II) Si H 4/He= O 5 Nil 3 Si I 14 = 100 Si H 4/N 113 =l/30 0,18 1,0 0,5 r T, vi r%)^ " 7

(*), (**), (***): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément à la courbe de rythme de variation établie précédemment.

WL O

b c,' C-H

T A B L E A U

VIIIB Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon

41 206

4301 41-1 B 42-1 B 43-1 B 44-1 B 45-1 B 46-1 B

- 4501

4502 41-2 B 42-2 B 43-2 B 44-2 B 45-2 B 46-2 B

4503 41-3 B 42-3 B 43-3 B 44-3 B 45-3 B 46-3 B

4 30 4 41-4 B 42-4 B 43-4 B 44-4 B 45-4 B 46-4 B

4305 41-5 B 42-5 B 43-5 B 44-5 B 45-5 B 46-5 B

45306 41-6 B 42-6 B 43-6 B 44-6 B 45-6 B 46-6 B

4307 41-7 B 42-7 B 43-7 B 44-7 B 45-7 B 46-7 B

4304 41-8 B 42-8 B 43-8 B 44-8 B 45-8 B 46-88

o o <-n Co t' èJ 1 Cn

T A B L E A U VIIIB

Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de GE et O tillon

4308 |

4308 41-9 B 42-9 B 43-9 B 44-9 B 45-9 B 46-9 B

4506 41-l OB 42-1 OB 43-10 B 44-10 B 45-10 B 46-10 B 4507 41-ll B 42-11 B 43-11 B 44-11 b 45-11 B 46-11 B

4311 41-12 B 42-12 B 43-12 B 44-12 B 45-12 B 46-12 B

4312 41-13 B 42-13 B 43-13 B 44-13 B 45-13 B 46-1313

4535 41-14 B 42-14 B 43-14 B 44-14 B 45-14 B 46-14 B.

4310 41-15 B 42-15 B 43-15 B 44-15 B 45-15 B 46-15 B

4-50 5 _

o

41-16 B

42-16 B

43-16 B

44-16 B

-16 B

46-1613

t Ln ru ru NC CO t, ci' o oi

TA B LEAU IXB

T r Constitution stratifiée Gaz utilisés Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3/min) Rapport des débits d'écoulement Puissance Vitesse de de formation décharge des couches (W/cm 2) (nm/s) Epaisseur des couches (Pm) Première région de la couche (G) Ge H 4/He= O 5 Si HI 4/He= O,5 Si H 4 +Ge H 4 = 200 Ge H 4 (Si H 4 +Ge Hi 4) (* 0,18 1,5 o r._ Couche (I) Seconde région de la couche (S) Si H 4/Hle= 0, 5 B 2 H 16/He=lxl O-3

2 -3

(PH 3/He=lxl O 3) NO Sil 14 = 200 B 2 H 16 NO'H = (**) Sx 4 NO = (***) Si H 0,18 1,5 0 6

_ _ _ _ 4 + t _ _ -

Couche (II) Si H 4/He= 0, 5 NH 3 Si H 4 = 100 Si H 4/NH 3 = 1/30 0,18 1,0

___________ i L _____________ 1 ________________ ________ -

ru Ln un -à ré Co

(*), (**), (***): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément à la courbe de rythme de variation établie précédemment.

t O t' ul o n- C;

T A B L E A U XB

Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon

4205 55-1 B

4206 56-1 B

51-l B

52-1 B

53-1 B

54-1 B

450251-2 B 52-2 B 53-2 B 54-2 B 55-2 B 56-2 B

4403 51-3 B 52-3 B 53-3 B 54-3 B 55-3 B 56-3 B

4404 51-4 B 52-4 B 53-4 B 54-4 B 55-4 B 56-4 B

4405 51-5 B 52-5 B 53-5 B 54-5 B 55-5 B 56-5 B

51-6 B 52-6 B 53-6 B 54-6 B 55-6 B 56-6 B

o Uo n tn rla N ut o ul Ca

TA B LE AU XB

Profil de profondeur des atomes d 'impureté Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon

4407 4507 4408 4504

51-7 B

52-7 B

53-7 B

54-7 B 54-8 B

-7 B 55-8 B'

56-7 B 56-8 B

51-8 B

52-8 B

53-8 B

o.ss

4409 51-9 B 52-9 B 53-9 B 54-9 B 55-9 B 56-9 B

4410 51-10 B 52-10 B 53-10 B 54-10 B 55-10 B 56-10 B

4407 51-11 B 52-11 B 53-11 B 54-11 B 55-11 B 56-11 B

4408 51-12 B 52-12 B 53-12 B 54-12 B 55-12 B 56-12 B

r%) Ln oo t O u Jt o o U

TA BL E AU XIB

c'l Constitution stratifiée Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3/min) Rapport des débits d'écoulement Puissance de décharge (W/cm 2)

7 _

* Vitesse de Epaisseur formation des coudes couches ches (nm/s) (Pm) Gaz utilisés Première région de la couche (G) Ge H 4/He= 0,5 Si H 4/He= O; 5 NO Si H 4 +Ge H 4 = 200 NO (Ge H 4 +Si H 44) = (*) Gert 4 (Ge H 4 +Si H 4) = (**) 0,18 1,5 o Ln Couche (I) Seconde région de la couche (S) Si II 4/He= O,5 B 2 H 6/He=lxl O-3 (PII 3/He=lxl O) NO Si H 4 = 200

B 2 H 6

(***) Si H 4 NO s = (****) 0,18 1,5 Couche (II) Si H 4/He= 0 5 NH 3 Si H 4 = 100 Si H 4/NH 3 =l/30 0,18 1,0 0,5 ro) Ln oil nl -1 \ ro) roa

(*), (**), (***), (****): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément à courbe de rythme de variation établie précédemment.

la vl t O C> cn u" cis

T A B L E A U XIIB

r, , Profil de profondeur des 4201 atomes d'impureté fide proon-h 4501 deur de 0 ch 45 - _

4204 4504

l _, __ _ _ t I t I i 1

1202 4 50,1 68-1 B

4 2041 4505 69-1 B

1 203 4505 610-1 B

- I 61-l B

62-1 B

63-1 B

64-1 B

-1 B

66-1 B

67-1 B

_ _

61-2 B 62-2 B 63-2 B 64-2 B 65-2 B 66-2 B 67-2 B 68-2 B 69-2 B 610-2 B 4302

0 61-3 B 62-3 B 63-3 B 64-3 B 65-3 B 66-3 B 67-3 B 68-3 B 69-3 B 610-3 B 4303

61-4 B 62-4 B 63-4 B 64-4 B 65-4 B 66-4 B 67-4 B 68-4 B 69-4 B 610-4 B 4304

61-5 B 62-5 B 63-5 B 64-5 B 65-5 B 66-5 B 67-5 B 68-5 B 69-5 B 610-5 B 4305

4306 61-6 B 62-6 B 63-6 B 64-6 B 65-6 B 66-6 B 67-6 B 68-6 B 69-6 B 610-6 B

o Oz _ i

61-7 B

62-7 B

63-7 B

64-7 B

-7 B

66-7 B

67-7 B

68-7 B

69-7 B

610-7 B

ru ot VI r 1 j Ve _______________________ I_________i ________ _______ ________ _______ _______ ______ cil t O <'U O ta

TABLEAU

-z C-, XIIB Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profonNa d'édeur de O chanIt i 1 1 ln"

4203 4503

41203 4505

4408 4408 61-8 B 62-8 B 63-8 B 64-8 B 65-8 B 66-8 B 67-8 B 68-8 B 69-8 B 610-8 B

61-9 B 62-9 B 63-9 B 64-9 B 65-9 B 66-9 B 67-9 B 68-9 B 69-9 B 610-9 B

61-10 B 62-10 B 63-10 B 64-10 65-10 B 66-10 B 67-10 B 68-10 B 69-10 B 61010 OB

431 61-11 B 62-11 B 63-11 B 64-11 B 65-11 B 66-11 B 67-11 B 68-ll B 69-11 B 610-11 B

61-12 B 62-12 B 63-12 B 64-12 B 65-12 B 66-12 B 67-12 B 68-12 B 69-12 B 610-1213 4312

o -4 rg> Vt oo

61-13 B

62-13 B'63-13 B 64-13 B 65-13 B 66-13 B 67-13 813

68-13 B

69-13 B

610-1313 L

t O F_

T A B L E A U XIIIB

Débit d'écoule Rapport des débits Puissance de dé Epaisseur des Conditions Gaz utilisés ment conditions G d'écoulement ou rap charge (W/cm 2) couches ment coudtin rhap (/c couches ormales)(cm /min, port des surfaces _ Tranche de Si: 13-l B Ar(N H 13/Ar) 200 ( 1/1) Nitrure de Si = 1:30 0,3 0, 5 13-2 B Ar(NH 3/Ar 001/1) Tranche de Si: 13-2 B Ar(NH 3/Ar 200 Nitrure de Si = 1:30 0,3 0,3

,,, ,, ____

Tranche de Si: 13-3 B Ar(NH 3/Ar) 200 ( 1/1) Nitrure de Si = 6:4 0,3 1,0 Sil H 4:NH 3 13-4 B Si H 4/lle=l Si H 4 = 15 = 1:100 Si H 4/:N O i 1 13-5 B Si} 14/He= 0,5 5 Si H 4 = 100 = 1:30 0,18 1 5

_ 01 O _ 3

Si H 4/11 e= 0,5 Si 114:Si F 4:NI 3 13-6 B Si F 4/He= 0 95 Si H 4 +Si F 4 = 150 = 1:1:60 0,18 0,5 NH 3 Si H 4/lle= 0,5 Si II 4:Si-F 4:NH 13 13-7 B Si F 4/le= 0, 5 Si H 4 +Si F 4 = 15 = 2:1:90 03

N 0183,

Si H 4/Ile= O,5 Sili 4:Si F 4:N 113 13-8 B Si F 4/H Ie= 0, 5 Si H 4 +Si F 4 = 150 = 1:1:20 18,5

N 1113

l _ 0, o tn oe

T A B L E A U XIVB

:Conditions de formation de N d'échantillon/estimation 'la couche (Il) ? S 113-13 11-1-l B 12-1-l B 13-1-1 B 0 O O i O

11-1-2 B | 12-1-2 B 13-1-2 B

139-2 Bo 0 O Ol ' O I O j O l 11-1-3 B | 12-1-3 B 13-1-3 B

13-33 B

I

1 1 4 B 12-1-4 13-12 4 B

13-4 B

11-1-5 B 12-1-5 B 13-1-5 B

13-5 B

l l t i i

13-6 B 11-1-6 B 12-1-6 B 13-1-6 B

13-7 B 11 7 12-1-7 13 7 B

0 '01010 t O

11-1-8 B 12-1-8 B 13-1-BB

1 _OO 3-8 B

00 I 011 T 1

Normes d'estimation : Excellent 0 ' Bon (Jl t O o

TABLEA U B

TABLEAU XVB

c C c." N d'échantillon 1501 B 1502 B 1503 B 1504 B 1505 B 1506 B 1507 B Cible Si:Si 3 N 4 (Rapport de 9:1 6,5:3,5 4:10 2:60 1:100 1:100 1:100 surfaces) ( 0/1) ( 1/1) ( 1/1) ( 1/1) ( 2/1) ( 3/1) ( 4/1) (NH 3/Ar)

,, , __

Si:N 9 À* (rapport des (rappode 97:03 8,8:1,2 7,3:2,7 5,0:5,0 4,5:5,5 4:6 3:7 teneurs) Estimation de la qualité de X l'image o t: Très bonne O: Bonne Suffisamment utilisable en pratique X: Défaut d'image formé r J U 1 l U o> en o B-EB cn

TA B LE AU XVIB

c j-' No d'échantil 1601 B 1602 B 1603 B 1604 B 1605 B 1606 B 1607 B 1608 B lon I,, Sili 4:NI 13 (Rapport des 9:1 1:3 1:10 1:30 1:100 1:1000 1:5000 1:100000 débits d'écoulement) Si:N (Rapport des 9,99:0,01 9,9:0,1 8,5:1,5 7,1:2,9 5:5 4,5:5,5 4:6 3,5:6,5 teneurs) Estimation de la qualité OX de l'image \ : Très bonne O: Bonne : Satisfaisant en pratique X: Défaut d'image formé réi Ln -. Co ré o P Q On

TABLEAU XVIIB

N d'échantil 1701 B 1702 B 1703 B 1704 B 1705 B 1706 B 1707 B 1708 B

lon _ _ _ _.

Si I 4:Si F 4:NH 3 1:1: 1:1: (rapport des 5:4:1 1:1:6 1:1:20 1:1:60 1:2:300 2:1:3000 10000 20000 ('rapport des débits d'écoulement) Si:N (Rapport des 9,89:0,11 9,8:0,2 8,4:1,6 7,3:3,0 5,1:4,9 4,6:5,4 4,1:5,9 3, 6: 6,4 teneurs) Estimation de l'imag lit de C _ x lalimage / r',, : Très bonne O: Bonne /\: Satisfaisanten pratique X: Défaut d'iamge formé ré in u, Co M

T A B L E A U XVIIIB

N d'échan Epaisseur de la Résultats tillon couche (II) (gm) 1801 B O 001 Risque de formation d'un défaut 11801 B O > 001 d'image i 1802 q O 02 Aucun défaut d'image formé 1802 B 0,Z 02 après 20 000 copies successives l I Stabilité jusqu'à 50 000 copies 11803 B | 0,05 successives Stabilité jusqu'à 200 000 copies 1804 B 1 successives Nt UJI E LU c TE

TABL EAU IC

j- cn Cnttto Débit d'écou Rpotd Puissance Vitesse de Epaisseur Constitution it (di Rapport des débits de formation des coustratifiée Gaz utilisés emen noni d'écoulement décharge des couches ches tions normales) (Wc) (u/s(i) (cm 3 /min) (cm 3 '/min) (W/cm) (nm/s) (Pm) Ge F 4/He= 0,5 (Ge F 4 +Si F 4) Première région Si F 4/He= 0,5 Ge F 4 +Si F 4 = 200 (Ge F 4 +Si F 4 +I 2) de la = 7/10 couche H 2 (G) Ge F 4 0,18 1,5 3 () NO (Ge F 4 +Si F 4 +H 2)

= 1/100

NO Couche (Ge F 4 +Si F 4)

(I) _ _-_) _ _ _ _

Seconde Si H 4/He= 0,5 23 B 25 r g i o N B 2 H 6 -_(* 01 région B 2 H 6/He=lxl O Si H 4 = 200 O 18 de la -3 couche (PH 3/He=lxl O) (S) Si H 4/He= 0 5 Couche (I) C 24 H Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 0,18 1,0 05 C 2 H 4 l ___ -à (*), (**): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément à la

courbe de rythme de variation établie précédemment.

ro tn o) co N cil N' o b J' Cil

TA B LEAU IIC

Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échan 4201 4202 4203 4204 4205 4206 deur de O tillon 4301 11-l C 12 13-1 C 14-1 C 15-l C 16-1 C

4302 11-2 C 12-2 C 13-2 C 14-2 C 15-2 C 16-2 C

4303 11-3 C 12-3 C 13-3 C 14-3 15-3 C 16-3 C

4304 11-4 C 12-4 C 13-4 C 14-4 C 15-4 C 16-4 C

4305 11-5 C 12-5 C 13-5 C 1 4-5 C 15-50 16-5 C

4306 11-6 C 13-6 C 14-6 C 15-6 16-6 C

4307 11-7 C 12 -7 C 13-7 C 14-7 C 5-7 C i 7 C

4308 11-8 C 12-8 C 13-8 C 14-8 C 15-8 C 16-8 C

4309 11-9 C 12-9 C 13-9 C 14-9 C 15-9 C 16-9 C

4310 11-10 C 12-10 C 13-10 C 14-10 C 15-10 C 16-10 C

4311 11-11 C 12-11 C 13-11 C 14-11 C 15-li C 16-11 C

4312 11-12 C 12-12 C 13-12 C-14-12 C 15-12 C -2 C

4313 11-13 C 12-13 C 13-13 C 14-13 C 15-13 C 16-13 C

Ln r 4 k Ln r T' oo Cil o C o ci

TA B LE AU IIIC

T *' i -,_ Constitution stratifiée Gaz utilisés Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3/min) Rapport des débits d'écoulement Puissance de décharge (W/cm 2) Vitesse de formation des couches (nm/s) Epaisseur des couches ( 1 m) I I t Première région de la couche (G) Ge F 4/He= 0,5 Si F 4/He= O e 5 H 2 Ge F 4 +Si H 4 = 200 (Ge F 4 +Si F 4) (Ge F 4 +Si F 4 +H 12) = 7/10 Ge F 4 0,18 1,5 (Ge F 4 +Si F 4 +H 12)

= 1/100

0. Couche (I) I 1 + t Seconde région de la couche (S) Si H 4/He= 0,5 B 2 li 6/H Ie=lxl ONO Si H 4 = 200 B 2 H 6 Si H 4 s _ (*) NO = (**) Si H 4

0 > 18

1,5

__ _ _

Couche (II) j Si HH 4/He= 5 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 018 1,0 0,5

C 2 H 4 4 4 /C 2114 _

N Ln U 1 Co (*), (**):Rapport des débits d'écoulement modifié conformément à la

courbe de rythme de variation établie précédemment.

w c-J' o pn c cn

T A B L E A U IVC

Profil de profondeur des atomes d'impureté I 4201 4202 4203 4204 4205 4206 Profil de profon I N déchandeur de O O tillon c

21-1 C

22-1 C

23-1 C

24-1 C

-1 C 26-1

4402 21-2 C 22-2 C 23-2 C 24-2 C 25-2 C 26-2 C

4403 21-3 C 22-3 C 23-3 C 24-3 C 25-3 C 26-3 C

4404 21-4 C 22-4 C 23-4 C 24-4 C 25-4 C 26-4 C

4405 21-5 C 22-5 C 23-5 C 24-5 C 25-5 C 26-5 C

4406 21-6 C 22-6 C 23-6 C 24-6 C 25-6 C 26-6 C

4407 21-7 C 22-7 C 23-7 C 24-7 C 25-7 C 26-7 C

4408 21-8 C 22-8 C 23-8 C 24-8 C 25-8 C 26-8 C

4409 21-9 C 22-9 C 23-9 C 24-9 C 25-9 C 26-9 C

4410 21-1 OC 22-10 C 23-1 OC 24-10 C 25-10 C 26-10 C

44 610 c 1 -J ro) u Ln CO t' TBE An C

TABLEAU VC

ui 1 Constitution stratifiée Débit d'écoulement (conditions normales) (cm 3 /min) l Rapport des débits d'écoulement Gaz utilisés Puissance de décharge (W/cm 2) formation des couches (nm/s) Vit ess de Epaisseur des couches (pm) _ i I 1 _ Première région de la couche (G) Ge F 4/He= 0,5 Si F 4/He= 0,5 H 2 NO Ge F 4 +Si F 4 = 200 (Ge F 4 +Si F 4) (Ge F 4 +Si F 4 + H 2).= 7/10 Ge F 4 (Ge F 4 +Si F 4 +H 2)

= 1/100

0,18 1,5 On Couche (I) NO (Ge F 4 +Si F 4) __ _ __ _ i* i 7 I i Seconde région de la couche (S) Si H 4/He= 0,5 -3 B 2 H 6/He=lx 103 (PH 3/He=lx 103) NO B 2 H 6 sil: (**) Sili 4 = 200 NO s H 4 0,18 1,5

= (***)

1 _ A

Couche (II) Si H 4/He= 0,5 C 2 H 4 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 0,18 1,0 0,5

____________________ I _________________________ I _____________________ J _______________

N n r%) rla Co

(*), (**), (***): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément à la courbe de rythme de variation établie précédemment.

cs g

TABLEAU VIC

TABLE EAU VIC

o n Profil de profondeur des atomes d'impureté

4201 4202 4203 4204 4205 4206

Profil de profon N d'échandeur de O tillon

440 D 1

4302 31-1 C 32-1 C 33-1 C 34-1 C 35-1 C 36-1 C

4402 31-2 C 32-2 C 33-2 C 34-2 C 35-2 C 36-2 C

4403 ' 31-3 C 32-3 C 33-3 C 34-3 C 35-3 C 36-3 C

4 JU 04

4305 31-4 C 32-4 C 33-4 C 34-4 C 35-4 C 36-4 C

4405 31-5 C 32-5 C 33-5 C 34-5 C 35-5 C 36-5 C

4307 31-6 C 32-6 C 33-6 C 34-6 C 35-6 C 36-6 C

4308 31-7 C 32-7 C 33-7 C 34-7 C 35-7 C 36-7 C

44048 31-8 C 32-8 C 33-8 C 34-8 C 35-8 C 36-8 C

4 '3039 3-3

rlo 'n F%) Co cn to O TAB Ln EAU IC

T A B L E A U VIC

c cui

T T

Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de O tillon

44039 _

4409 31-9 C 32-9 C 33-9 C 34-9 C 35-9 C 36-9 C

4410 34311 31-10 C 32-10 C 33-10 C 34-10 C 35-1 OC 36-11 C

44310 31-li C 32-li C 33-li C 34-li C 35-li C 36 -li C

4410 __4410 31-12 C 32-12 C 33-12 C 34-12 C 35-12 C 36-12 C

4407 31-13 C 32-13 C 33-13 C 34-13 C 35-13 C 36-13 C

4407 31-14 C 32-14 C 33-14 C 34-14 C 35-14 C 36-14 C

4408 31-15 C 32-15 C 33-15 C 34-15 C 35-15 C 36-15 C

34408 -31-16 C 32-16 C 33-16 C 34-16 C 35-16 C 36-16 C

Ni o D

ri VI t;I.

Co Ai o

T A B L E A U VIIC T A BL EAU VIIC

ci Puissance Vitesse de Epaisseur Constitution dbit d'écoule r des débits de formation des coui ment (condi Rapport des débits déhre escues hs stratifiée Gaz utilisés tions normales) d'écoulement décharge S ches (cm'/min) (W/cm 2) (nm/s) (gm) __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ (cm /min) Première région de la couche (G) Ge H 4/He= 0,5 Si H 4/He= 0,5 H 2 NO Si H 4 +Ge H 4 = 200 Ge H 4 (Ge H 4 +Si H 4 +H 2) NO Ge H 4 +Si H 4)

= (**)

0,18 1,5 _, Couche (I)

_ __

Seconde région de la couche (S) Si H 4/He= 0,5 B 2116/He=lxlo-3 (pi 13/He=lxl O-3) Si H 4 = 200 B 2 H 6 Si H = (***) S 14 0,18 1,5

____-A i -

Couche (II) Si Hi 4/Hle= 0,5

C 9 H 4

Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 0,18 1,0 0,5 ________ J - i r%) Dn ru Co (*), (**), (***): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément

à la courbe de rythme de variation établie précédemment.

w C.a O o

T A B L E

fr CA

A.U VIIIC

Profil de profondeur des atomes d'impureté

4201 4202 4203 4204 4205 4206

Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon 4301 41-1 l 42-1 C 43-1 C 44-1 C 45-1 C 46-1 C

U 2 41-2 C 42-2 C 43-2 C 44-2 C 45-2 C 46-2 C

4533 41-3 C 42-3 C 43-3 C 44-3 C 45-3 C 46-3 C

4304 41-4 C 42-4 C 43-4 C 44-4 C 45-4 C 46-4 C

4505 41-5 C 42-5 C 43-5 C 44-5 C 45-5 C 46-5 C

4306 41-6 C 42-6 C 43-6 C 44-6 C 45-6 C 46-6 C

4307 41-7 C 42-7 C 43-7 C 44-7 C 45-7 C 46-7 C

4304 41-8 C 42-8 C 43-8 C 44-8 C 45-8 C 46-8 C

r II r I.) n ro C 4 tn' NO C) c Cll

T A B L E A U VIIIC

Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon 2, r i

4308 41-9 C 42-9 C 43-9 C 44-9 C 45-9 C 46-9 C

" 4505

4506 41-10 C 42-1 OC 43-1 OC 44-10 C 45-1 OC 46-10 C

4453507 41-11 C 42-11 C 43-11 C 44-11 C 45-11 C 46-11 C

45311 41-12 C 42-12 C 43-12 C 44-12 C 45-12 C 46-12 C

4504 41-13 C 42-13 C 43-13 C 44-13 C 45-13 C 46-13 C

-04

4505 41-14 C 42-14 C 43-14 C 41-14 C 45-14 C 46-14 C

453105 41-15 C 42-15 C 43-15 C 44-15 C 45-15 C 46-15 C

4503 41-16 C 43-16 C 44-16 C 45-16 C 46-16 C

o è c c J

TAB L E A U IXC

Débit d'écoule Puissance Vitesse de Epaisseur Constitution ment (condi de formation des coustratifiée Gaz utilisés tions normales) Rapport des débits décharge des couches ches (cm 3/min) d'écoulement (W/cm) (nm/s) (Pm) Première région de la Ge H 4/He= 0,5 couche (G) Si H 4/He= 0,5 Si H 4 +Ge H 4 = 20 Ge H 4 0,18 1,5 3 4 (Si H 4 +Ge O H,4 = (*) Couche Seconde Si H 4/He= 0 5 B 2 H 6 région BH/H 'e=lx 0-3 de la 26 elxl 3 Si H 4 = 200 5114 0,18 1,5 25 couche (PH 3/He=lxl O NO =

(S) NO SH 4 =

_N O ___ _ _

_à Couche (II) Si H 4/He= 0,5 C 2 H 4 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 0, 18 1,0 0,5 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ I _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ I _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ t _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ r'> Co

(*), (**), (***): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément à la courbe de rythme de variation établie précédemment.

c) o to t'a cil a c

T A B L E A U XC

Profil de profondeur des atomes d'impureté Profil de profon N' d'échan 4201 4202 4203 4204 4205 4206 deur de Ge et O tillon

51-1 C 52-1 I 53-1 C 54-1 C 55-1 C 56-1 C

51-2 C 52-2 C 53-2 C 54-2 C 55-2 C 56-2 C

51-3 C 52-3 C 53-3 C 54-3 C 55-3 C 56-3 C

4404 51-4 C 52-4 C 53-4 C 54-4 C 55-4 C 56-4 C

51-5 C 52-5 C 53-5 C 54-5 C 55-5 C 56-5 C

51-6 C 52-6 C 53-6 C 54-6 C 55-6 C 56-6 C

Ln ro tn lji ro ro CD L' t O Tn

TA BL E AU XC

* c Profil de profondeur des atomes d'impureté

4201 4202 4203 4204 4205 4206

Profil de profon N d'échandeur de Ge et O tillon

51-7 C 52-7 C 53-7 C 54-7 C 55-7 C 56-7 C

51-8 C 52-8 C 53-8 C 54-8 C 55-8 C 56-8 C

51-9 C 52-9 C 53-9 C 54-9 C 55-9 C 56-9 C

4501 51-10 C 52-10 C 53-10 C 54-10 C 55-10 C 56-10 C 4501

51-11 C 52-11 C 53-11 C 54-11 C 55-11 C 56-11 C 4505

51-12 C

52-12 C

53-12 C

54-12 C

-12 C

56-12 C

L 4 4-

tl O t c> c

T A B L E A U XIC

_ _Débit d'écoule Puissance Vitesse de Epaisseur Constitution ment (condi Rapport des débits de formation des couPrgmonre Ge H 4/He= 0,5 (Ge H 4 + Si H 4 > frmation 4 e cou-H 4 de la u to) couche Si H 4/He=O,5 Si H 4 +Ge H 4 = 200 Ge H 4 0,18 1,5 3 (G) NO (Ge H 4 +Si H 4 T Couche (I) _W/_m_) (_m)Seconde Si H 4/Hie= 0,5 B 2 Hi 6) région -23 de la B 2 i 6/Helxl O Si I 4 = 200 14 0,18 1,5 25 couche (PH 3/He=lxl O) NO (S) NO Si Hi 4 Si H 4/He= 0, 5 Couche (Ie I) 4 Si H 4 = 100 Si H 4/C 2 H 4 = 3/7 0,18 1,0 0,5 l Se c onde Si H 4/He= 0,5 B 2 H 6 _ (***) _ -J ru tn ui ru N

(*) (**), (***), (****): Rapport des débits d'écoulement modifié conformément à la courbe de rythme de variation établie précédemment.

t O o t IO CD >g CA c Cn

T A B L E A U XIIC

Profil de profondeur 4201 4202 4203 4204 4205 4206 4201 4202 4204 4203 de B et Ge Profil de profon N O d'éProfil de profon N é 4501 4502 4503 4504 4505 4506 4507 4504 4505 4505 deur de 0 t N

61-1 C 62-1 C 63-1 C 64-1 C 65-1 C 66-1 C 67-1 C 68-1 C 69-1 C 610-1 C 4301

I

44 U 302

-

61-2 C

62-2 C

63-2 C

64-2 C

-2 C

66-2 C

67-2 C

68-2 C

69-2 C

61 '

61-3 C 62-3 C 63-3 C 64-3 C 65-3 C 66-3 C 67-3 C 68-3 C 69-3 C 61 ( 4303

61-4 C 62-4 C 63-4 C 64-4 C 65-4 C 66-4 C 67-4 C 68-4 C 69-4 C 61 (

61-5 C 62-5 C 63-5 C 64-5 C 65-5 C 66-5 C 67-5 C 68-5 C 69-5 C 61 C 4305

D 0-2 C 0-3 C 0-4 C 0-5 C 0-6 C

-7 C j

4406 4306

j

61-6 C

62-6 C

63-6 C

64-6 C

-6 C

66-6 C

I

67-6 C

68-6 C

69-6 C

ii + *I 4

4407 4307

610 6 I O

61-7 C

62-7 C

63-7 C

64-7 C

-7 C

66-7 C

67-7 C

68-7 C

I

69-7 C

l r'J Ln Ui ré ré) Co

J _________ 1 _________ ________ J ______ ______ ______ 1 _______I_______

w O (J' o e ust' c Us

T A B L E A U XIIC

de B et Ge dé B et Gé 4201 4202 4203 4204 4205 4206 4201 4202 4204 4203 Profil de profoni N O ddeuro de po o chan 4501 4502 4503 4504 4505 4506 4507 4504 4505 4505

61-8 C 62-8 C 63-8 C 64-8 C 65-80 66-8 C 67-8 C 68-8 C 69-8 C 610-8 C 4308

61-9 C 62-9 C 63-90 64-90 65-90 66-9 c 67-90 68-90 69-90 610-9 C 4309

61-10 C 62-10 C 63-100 64-100 65-100 66-100 67-10 C 68-100 69-100 610-10 C 4310

61-11 c 62-11 C 63-11 C 64-11 C 65-110 C 66-110 67-11 C 68-110 69-11 C 610-11 C 4311

61-120 62-120 63-12 C 64-120 65-120 66-120 67-120 58-120 69-120 610-12 C

61-13 C 62-130 63-130 64-130

-130

66-130 C 67-130 68-13 C 69-130

610-13 C

ro on r%) Co N C Ue t O cn c JI

T A B L E A U XIIIC

_o N Gaz utilisés Débit d'écoule Rapport des débits Puissance de Epaisseur des Conditions Gaz utilisés ment (conditions d'écoulement ou rap décharge couches (m) normales) port des surfaces (W/cm 2) _ uhs Tranche de Si: 13-1 l C Ar 200 graphite = 1,5:8,5 0, 3 0,5 Tranche de Si 13-2 C Ar 200 graphite = 0,5:9,5 0,3 0,3 Tranche de Si: 13-3 C Ar 200 graphite = 6:4 0,3 1,0 Si H 4/He=l Si H 4:C H 13-4 C C 2 H 4 Si H 4 = 15 4 C 2 H 4 0,18 0, 3

C 2 H 4 = 014:9,6

13-5 C C 14 Si H 4 = 100 4:C 2114 0,18 1,5 = 5:5 Si H 4/He= 0, 5 Si H 4:Si F 4:C 2 H 4 05 13-6 C Si F 4/He= 0,5 Si H 4 +Si F 4 = 150 = 15 5 05,5

C 2 H 4

Si H 4/He= 0,5 Si H 4:Si F 4:C 2 H 4 13-7 C Si F 4/Hle= 0, 5 Si H 4 +Si F 4 = 15 = 0,,18 0,3 2 4 O,3:0,l:9,6 Si H 14/He= 0,5 Si H 4:Si F 4:C 24 018 13-8 C Si F 4/He= 0,5 Si H 4 +Si F 4 = 150 = 3:3:4

C 2114

w o ro o-I on r%> "o

TABLEAU XIVC

10 15

Conditions de formation de N d'échantillon/estimation la couche (II) " I Ii 11-l-l C 21-1-l C 31-1-l C

13-1 C

O ' IC c i C

11-1-2 C 21-1-2 C 31-1-2 C

13-2 C

I Ot C' l O Io O I 13-3 C j 11-1-3 C 21-1-3 C 131-1-3 C t O I O 01 i O

13-4 C 11-1-4 C 21-1-4 C 131-1-4 C

i

13-4 C 1

('C I l l 13-C N 11-1-5 C 21-1-s C 31-1-5 C 13-5 C _ 1 OO t @' @ 1:

11-1-6 C 21-1-6 C 31-1-6 C

13-6 C (" N 1 C 1 T C

13-7 C 11-1-7 C 21-1-7 C 131-1-7 C

13-7 C i

11-1-8 C 21-1-8 C 31-1-8 C

_ 0,1,01 01

N d'échantillon Estimation de la Estimation de qualité globale | longévité de l'image Normes d'estimation Excellent O Bon w o

TABLEAU C

T A B L E A U XVC

c CA' N' d'échan 1501 C 1502 C 1503 C 1504 C 1505 C 1506 C 1507 C tillon Csible 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 Si: C (rapport de surfaces) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2:8 0,8:9,2 teneurs) Estimation de la qualité O X de l'image t: Très bonne O Bonne t: Suffisamment utilisable en pratique X: Défaut d'image formé Ln flj ro co t', o

TABLEAU -IC

T A BL EAU XVIC

C On __ I I I r r t N d'échantillon

1601 C

1602 C

1603 C

1604 C

1605 C

1606 C

1607 C

1608 C

I t i I I I I Sif 4:C 2 H 4 (rapport des débits d'écoulement) 6:4 4:6 2:8 1:9

0,5:9,5

0,2:9,8

0,35:9,65

Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 teneurs) w

0.8:9,2

Estimation de la qualité de l'image A X o o x

L__ _

: Très bonne O: Bonne Suffisamment utilisable en pratique X: Défaut d'image formé Ln ro Ul mo en o ée cln

T A B L E A U XVIIC

Nl d'ca l__ N d'échantillon

1701 C

1702 C

1703 C

1704 C

1705 C

1706 C

1707 C

1708 C

Sil 14:Si F 4:C 2114 5:4:1:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4:90,2:0,3:9, 0,2:0, 15 (Rapport des:9,65 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4, 5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 teneurs)

0,1:0:9.8

1. w Estimation de la qualité de l'image 5 f \ 11 Y

0,8:9,2

X O : Très bonne O: Bonne A Satisfaisant en pratique X: Défaut d'image formé Ln U 1 cs CO

TABLEAU XVIIIC

10 N de Epaisseur de la l'échan couche (II) (p)Résultats tillon 1801 C 0, 001,Risque de formation d'un défaut d'image Aucun défaut d'image formé après 1802 C 0,02 20 000 copies successives Stabilité jusqu'à 50 000 copies 1803 C 0,05 successives 1804 CI Stabilité jusqu'à 200 000 copies successives

Claims (46)

REVENDICATIONS

1 Elément photoconducteur, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat ( 101) pour élément photoconducteur et une couche ( 102) de réception de la la lumière appliquée sur le substrat et présentant une constitution stratifiée dans laquelle une première région (G) ( 103) de la couche comprenant une matière amorphe contenant des atomes de germanium, et une seconde région (S) ( 104) de la couche, qui est photoconductrice et qui comprend une matière 10 amorphe contenant des atomes de silicium, sont prévues l'une à la suite de l'autre à partir du côté du substrrat, ladite couche de réception de la lumière contenant des atomes d'oxygène ainsi qu'une substance (C) déterminant la conductivité, dans un état distribué tel que, dans ladite couche 15 de réception de la lumière, la valeur maximale C(PN)max de la teneur de ladite substance (C), dans la direction de l'épaisseur de la couche, est présente dans la seconde région (S) ou à l'interface avec la première région (G) et, dans ladite seconde région (S) , ladite substance (C) est distribuée de façon à se trouver en plus grande quantité du

côté du substrat.

2 Elément photoconducteur selon la revendication

1, caractérisé en ce que la substance (C) déterminant la conductivité est contenue dans la partie extreme, sur le 25 côté du substrat, de la seconde région (S) de la couche.

3 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la totalité de la région de la couche de réception de la lumière contient de façon régulière

des atomes d'oxygène.

4 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une partie de la région de la couche

de réception de la lumière contient des atomes d'oxygène.

Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que des atomes d'oxygène sont distri35 bués de façon non uniforme, dans la direction de l'épaisseur,

dans la couche de réception de la lumière.

6 Elément photoconducteur selon la revendication

1, caractérisé en ce que des atomes d'oxygène sont distri-

2 5 5 1 2 2 8

bués de façon uniforme dans la région de la couche de réception de la lumière.

7 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la partie extrême de la couche située sur le côté du substrat de la couche de réception de la lumière contient des atomes d'oxygène. 8 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que des atomes d'oxygène sont distribués de façon à avoir une teneur plus élevée sur le c 6 té du substrat et sur le côté de la surface libre de la couche

de réception de la lumière.

9 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le profil de profondeur des atomes d'oxygène, dans la direction de l'épaisseur de la couche de 15 réception de la lumière, comprend une partie modifiée en continu. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la limite supérieure des atomes d'oxygène contenus dans la région ( 0) de la couche n'est 20 pas supérieure à 30 ppm, sur la base de la somme T(Si Ge O) de la teneur des trois atomes de silicium, de germanium et d'oxygène dans ladite région (O) , lorsque l'épaisseur TO O de la couche contenant des atomes d'oxygène constitue 2/5 ou

plus de l'épaisseur T de la couche de réception de la 25 lumière.

11 Elément photoconducteur, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat ( 4101) pour élément photoconducteur et une couche ( 4107) de réception de la lumière appliquée sur le substrat et constrituée d'une première couche 30 (I) ( 4102) ayant une constitution stratifiée dans laquelle une première région (G) ( 4103), comprenant une matière amorphe qui contient des atomes de germanium, et une seconde région (S) ( 4104) qui est photoconductrice et qui comprend une matière amorphe contenant des atomes de silicium, sont 35 disposées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du substrat, et d'une seconde couche (II) ( 4105) comprenant une matière amorphe contenant des atomes de silicium et au moins l'un des atomes choisis parmi les atomes de carbone et les atomes d'azote, ladite première couche (I) contenant des atomes d'oxygène en même temps qu'une substance (C) déterminant la conductivité, dans un état distribué tel que la 5 valeur maximale de la teneur de ladite substance (C) dans la direction de l'épaisseur de la couche est présente dans la seconde région (S) ou à l'interface avec la première région (G) et, dans ladite seconde région (S), ladite

substance (C) est distribuée de façon à se trouver en plus 10 grande quantité sur le côté du substrat.

12 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la première région

(G) de la couche contient des atomes de silicium.

13 Elément photoconducteur selon l'une des reven15 dications 1 et 11, caractérisé en ce que les atomes de germanium sont distribués dans la première région (G) de la

couche de façon non uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche.

14 Elément photoconducteur selon l'un des reven20 dications 1 et 11, caractérisé en ce que les atomes de germanium sont distribués dans la première région (G) de la couche de façon uniforme dans la direction de l'épaisseur

de la couche.

Elément photoconducteur selon l'une des reven25 dications 1 et 11, caractérisé en ce qu'au moins l'une des première et seconde régions (G) et (S) contient des atomes d'hydrogène.

16 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce qu'au moins l'une des 30 première et seconde régions (G) et (S) contient des atomes

d'halogènes

17 Elément photoconducteur selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'au moins l'une des première et seconde régions (G) et (S) contient des atomes d'halo35 gènes.

18 Elément photoconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que des atomes de germanium sont distribués dans la première région (G) de la couche de façon

à se trouver en plus grande quantité sur le côté du substrat.

19 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la substance (C)

déterminant la conductivité est un atome appartenant au groupe III du tableau périodique.

Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la substance (C)

déterminant la conductivité est un atome appartenant au

groupe V du tableau périodique.

21 Elément photoconducteur selon la revendication 13, caractérisé en ce que la valeur maximale Cmax de la teneur, dans la direction de l'épaisseur de la couche, des atomes de germanium dans la première région (G) est de

1000 ppm ou plus sur la base de la somme avec les atomes de 15 silicium dans la première région (G) de la couche.

22 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la première

région (G) de la couche contient des atomes de germanium à

une teneur relativement plus élevée sur le côté du substrat. 20 23 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la quantité d'atomes de germanium contenus dans la première région (G) de la

couche est de 1 à 10 x 106 ppm.

24 Elément photoconducteur selon l'une des reven25 dications 1 et 11, caractérisé en ce que la première région (G) de la couche présente une épaisseur TB comprise entre

3,0 nm et 50 pm.

Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la seconde région 30 (S) de la couche présente une épaisseur T comprise entre 0,5

et 90 Vm.

26 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que l'épaisseur TB de la première région (G) de la couche et l'épaisseur T de la 35 seconde région (S) de la couche satisfont la relation

TB/T 4 1.

27 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que l'épaisseur

TB de la première région (G) de la couche est de 30 pm ou

moins lorsque la teneur en atomes de germanium de cette pre5 mière région (G) est de 1 x 105 ppm ou plus.

28 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la première région (G) de la couche contient 0,01 à 40 % d'atomes d'hydrogène.

29 Elément photoconducteur selon l'une des reven10 dications 1 et 11, caractérisé en ce que la première région

(G) de la couche contient 0,01 à 40 % d'atomes d'halogènes.

Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la première région

(G) de la couche contient au total 0,01 à 40 % d'atomes 15 d'hydrogène et d'atomes d'halogènes 31 Elément photoconducteur selon l'une des reven

dications 1 et 11, caractérisé en ce que la substance (C) déterminant la conductivité est contenue dans la totalité dans la direction de l'épaisseur de la seconde région (S) 20 de la couche.

32 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la substance (C) déterminant la conductivité est contenue dans une partie

de la seconde région (S) de la couche.

33 Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la région (PN) contenant la substance (C) déterminant la conductivité est contenue dans la partie extrême, sur le cdté du substrat, de la seconde

région (S) de la couche.

34 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la teneur de la

substance (C) dans la direction de l'épaisseur augmente

vers le côté du substrat.

Elément photoconducteur selon l'une des reven35 dications I et 11, caractérisé en ce que la substance est

contenue dans la première région (G) de la couche.

36 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que les teneurs

maximales C(G)max et C(S)max de la substance (C) déterminant la conductivité, dans la direction de l'épaisseur, dans la première région (G) et dans la seconde région (S) de la couche, respectivement, satisfont la relation C(G)max C (s)max. 37 Elément photoconducteur selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'atome appartenant au groupe III du tableau périodique est choisi parmi B, Al, Ga,

In et Tl.

38 Elément photoconducteur selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'atome appartenant au groupe

V du tableau périodique est choisi parmi P, As, Sb et Bi.

39 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la teneur de la

substance (C) déterminant la conductivité est comprise entre

0,01 et 5 x 104 ppm, en valeur atomique.

Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la région (PN)

de la couche contenant la substance (C) s'étend à la fois 20 sur la première région (G) et sur la seconde région (S) de

la couche.

41 Elément photoconducteur selon la revendication 40, caractérisé en ce que la teneur de la substance (C)

de la région (PN) de la couche est comprise entre 0,01 et 25 5 x 104 ppm en valeur atomique.

42 Elément photoconducteur selon la revendication 40, caractérisé en ce qu'il est prévu une région (Z) de la couche en contact avec la région (PN) de la couche, qui contient une substance (C) de polarité opposée à celle 30 de la substance (C) contenue dans la région (PN) de la couche.

43 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la seconde région

(S) de la couche contient 1 à 40 % d'atomes d'hydrogène.

44 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la seconde région

(S) de la couche contient 1 à 40 % d'atomes d'halogènes.

Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la seconde région

(S) de la couche contient au total 1 à 40 % d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogènes.

46 Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que des atomes d'oxygène sont contenus de façon régulière dans la totalité de la région

de la première couche (I).

47 Elément photoconducteur selon la revendica10 tion 11, caractérisé en ce que des atomes d'oxygène sont contenus dans une partie de la région de la première couche (I). 48 Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que des atomes d'oxygène sont distribués non uniformément dans la premère couche (I), dans

la direction de l'épaisseur.

49 Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que des atomes d'oxygène sont

distribués uniformément dans la région de la première couche 20 (I).

Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la région de la partie extreme, sur le côté du substrat, de la première couche (I)

contient des atomes d'oxygène.

51 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la région de la couche contenant l'interface entre la première région (G) et la seconde région (S) de la couche contient des atomes

d'oxygène.

52 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que des atomes d'oxygène sont contenus dans la première région (G) de la couche

à une plus forte teneur dans' la partie extrême sur le côté

du substrat.

53 Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que des atomes d'oxygène sont distribués à une teneur plus élevée sur le côté du substrat 1 4 3 et sur le côté de la surface libre de la première couche (I). 54 Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que le profil de profondeur des 5 atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur dans la première couche (I) comprend une partie qui est modifiée de

façon continue.

Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la région ( 0) de

la couche contient des atomes d'oxygène dans une proportion de 0,001 à 50 %, sur la base de la somme T(Si Ge O) de la

teneur des trois types d'atomes de silicium, de germnanium et d'oxygène dans ladite région (O).

56 Elément photoconducteur selon la revendica15 tion 11, caractérisé en ce que la limite supérieure des atomes d'oxygène contenus dans la région ( 0) de la couche n'est pas supérieure à 30 ppm sur la base de la somme T(Si Ge O) de la teneur des trois types d'atcmes de silicium, de germanium et d'oxygène de ladite région ( 0), lorsque l'épaisseur TO de 20 la couche contenant des atomes d'oxygène constitue 2/5 ou

plus de l'épaisseur T de la première couche (I).

57 Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 11, caractérisé en ce que la valeur maximale Cmax de la teneur des atomes d'oxygène dans la direction de 25 l'épaisseur de la couche est de 500 ppm ou plus sur la base

de la somme T(Si Ge O) de la teneur des trois types d'atomes de silicium, de germanium et d'oxygène dans la région ( 0) contenant

des atomes d'oxygène.

58 Elément photoconducteur selon l'une des reven30 dications 1 et 11, caractérisé en ce que la valeur maximale Cmax de la teneur des atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur de la couche est de 67 % ou moins sur la base

de la somme T(Si Ge O) de la teneur des trois types d'atomes de silicium, de germanium et d'oxygène dans la région ( 0) conte35 nant des atomes d'oxygène.

59 Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la matière amorphe consti-

tuant la seconde couche (II) est une matière amorphe représentée par la formule suivante: a-(Six Clx)y(H,X)1-y

(o Ox, y < 1, X est un atome d'halogène).

60 Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la matière amorphe constituant la seconde couche (II) est une matière amorphe représentée par la formule suivante: a-(Six N 1 _x)y(H,X)1 y

(o O < x, y < 1, X est un atome d'halogène).

61 Elément photoconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'épaisseur de la seconde

couche (II) est comprise entre 0,003 et 30 Im.